JP2013062271A

JP2013062271A - Substrate processing apparatus

Info

Publication number: JP2013062271A
Application number: JP2011197881A
Authority: JP
Inventors: Hirotetsu Shimada; 寛哲嶋田; Toru Kagaya; 徹加賀谷
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2011-09-12
Filing date: 2011-09-12
Publication date: 2013-04-04

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus which eliminates variations of exhaust performance between gaseous species and prevents the convective flow of a process gas in a box.SOLUTION: A substrate processing apparatus comprises: a device body 100 that houses a treatment furnace for performing heat treatment to multiple wafers using a process gas; and a gas box 300 that houses a gas control unit controlling the supply of the process gas. The substrate processing apparatus takes in outer air from an air-intake port 305 provided at an upper part of the gas box 300 and exhausts an atmosphere in the gas box from an exhaust port 303 provided at a lower part of the gas box.

Description

本発明は、基板に対して成膜処理を行う基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a film forming process on a substrate.

半導体装置（ＩＣ）の製造工程において、基板に絶縁膜や金属膜及び半導体膜等のＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）膜を形成したり、不純物を拡散したりする基板処理装置が広く用いられている。従来からこの種の基板処理装置は、処理炉内に処理ガスを供給するガス供給源としてのガスボックスと、処理炉内を加熱する加熱機構であるヒータを収めるヒータボックスと、処理炉内のガスを排気するガス排気機構であるバルブボックスとを備えている。 2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a semiconductor device (IC), a substrate processing apparatus that forms a CVD (Chemical Vapor Deposition) film such as an insulating film, a metal film, and a semiconductor film on a substrate or diffuses impurities is widely used. Conventionally, this type of substrate processing apparatus includes a gas box as a gas supply source for supplying a processing gas into the processing furnace, a heater box for storing a heater that is a heating mechanism for heating the processing furnace, and a gas in the processing furnace. And a valve box which is a gas exhaust mechanism for exhausting the air.

特許文献１は、ガスボックス７３の上部にボックス内のガスを排気する排気口８１ａを設け、ボックスの下方に外気を吸込む吸込口８４を設けて、この吸込口８４からボックス内の漏洩ガス（処理ガス）が外へ流出しないよう、吸込口８４を覆うように遮蔽板１０１を設ける技術を開示している。 In Patent Document 1, an exhaust port 81a for exhausting the gas in the box is provided at the upper part of the gas box 73, and a suction port 84 for sucking outside air is provided below the box. The technique which provides the shielding board 101 so that the suction inlet 84 may be covered so that gas may not flow out outside is disclosed.

特開２００７−２４２７９１号公報JP 2007-242791 A

しかしながら、上述の構造では、ボックスの上部から処理ガスを排気しているため、比重の重いガスは排気しづらく、ボックス内を対流し、排気されないという問題があった。 However, since the processing gas is exhausted from the upper part of the box in the above-described structure, it is difficult to exhaust a gas having a high specific gravity, and there is a problem that the inside of the box convects and is not exhausted.

本発明の目的は、ガス種による排気性のばらつきを解消し、ボックス内における処理ガスの対流を防止する基板処理装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that eliminates variations in exhaust performance due to gas species and prevents convection of processing gas in a box.

本発明の一態様によれば、複数のウエハに対して処理ガスにより熱処理を施すための処理炉を収容する装置本体と、前記処理ガスの供給を制御するガス制御ユニットを収容するガスボックスと、を有し、前記ガスボックスの上方に設けられた吸気口から外気を取り込み、前記ガスボックスの下部に設けられた排気口から該ガスボックス内部の雰囲気を排気する基板処理装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, an apparatus main body that houses a processing furnace for performing heat treatment with a processing gas on a plurality of wafers, a gas box that houses a gas control unit that controls the supply of the processing gas, There is provided a substrate processing apparatus that takes in outside air from an intake port provided above the gas box and exhausts the atmosphere inside the gas box from an exhaust port provided at a lower portion of the gas box.

本発明によれば、ガス種による排気性のばらつきを解消し、ボックス内における処理ガスの対流を防止する基板処理装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the dispersion | variation in the exhaust_gas | exhaustion property by gas type can be eliminated, and the substrate processing apparatus which prevents the convection of the process gas in a box can be provided.

本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す側面図である。It is a side view which shows the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る基板処理装置で用いられる処理炉の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the processing furnace used with the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る基板処理装置で用いられるガスボックスの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the gas box used with the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係るガスボックスの吸気と排気を説明する斜視図である。It is a perspective view explaining the intake and exhaust of the gas box concerning the embodiment of the present invention. 本発明の第２の実施形態に係るガスボックスのエア系統図である。It is an air system diagram of a gas box concerning a 2nd embodiment of the present invention. 本発明の第３の実施形態に係るガスボックスの吸気と排気を説明する（ａ）は斜視図であって、（ｂ）はエア系統図である。FIG. 7A is a perspective view for explaining intake and exhaust of a gas box according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 本発明の比較例に係るガスボックスの吸気と排気を説明する斜視図である。It is a perspective view explaining the intake and exhaust of the gas box concerning the comparative example of the present invention.

次に、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しながら説明する。 Next, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

本発明を実施するための形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣ）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行う縦型の装置（以下、単に処理装置という）を適用した場合について述べる。図１は、本発明に適用される処理装置の斜透視図として示されている。また、図２は図１に示す処理装置の側面透視図である。 In an embodiment for carrying out the present invention, a substrate processing apparatus is configured as a semiconductor manufacturing apparatus that performs a processing step in a manufacturing method of a semiconductor device (IC) as an example. In the following description, a case where a vertical apparatus (hereinafter simply referred to as a processing apparatus) that performs oxidation, diffusion processing, CVD processing, or the like is applied to the substrate as the substrate processing apparatus will be described. FIG. 1 is a perspective view of a processing apparatus applied to the present invention. FIG. 2 is a side perspective view of the processing apparatus shown in FIG.

図１および２に示されているように、シリコン等からなるウエハ（基板）２００を収納したウエハキャリアとしてフープ（基板収容器。以下ポッドという。）１１０が使用されている本発明の処理装置１００は、筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４、１０４がそれぞれ建て付けられている。
筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the processing apparatus 100 of the present invention uses a hoop (substrate container; hereinafter referred to as a pod) 110 as a wafer carrier that stores a wafer (substrate) 200 made of silicon or the like. Includes a casing 111. A front maintenance port 103 as an opening provided for maintenance is opened at the front front portion of the front wall 111a of the casing 111, and front maintenance doors 104 and 104 for opening and closing the front maintenance port 103 are respectively built. It is attached.
A pod loading / unloading port (substrate container loading / unloading port) 112 is opened on the front wall 111a of the casing 111 so as to communicate between the inside and the outside of the casing 111. The pod loading / unloading port 112 has a front shutter (substrate container loading / unloading port). The loading / unloading opening / closing mechanism 113 is opened and closed.
A load port (substrate container delivery table) 114 is installed in front of the front side of the pod loading / unloading port 112, and the load port 114 is configured so that the pod 110 is placed and aligned. The pod 110 is carried onto the load port 114 by an in-process carrying device (not shown), and is also carried out from the load port 114.

筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されており、ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。 A rotary pod shelf (substrate container mounting shelf) 105 is installed at an upper portion of the casing 111 in a substantially central portion in the front-rear direction. The rotary pod shelf 105 stores a plurality of pods 110. It is configured. In other words, the rotary pod shelf 105 is vertically arranged and intermittently rotated in a horizontal plane, and a plurality of shelf boards (supported by a substrate container) that are radially supported by the support 116 at each of the upper, middle, and lower positions. And a plurality of shelf plates 117 are configured to hold the pods 110 in a state where a plurality of pods 110 are respectively placed.
A pod transfer device (substrate container transfer device) 118 is installed between the load port 114 and the rotary pod shelf 105 in the housing 111, and the pod transfer device 118 moves up and down while holding the pod 110. A pod elevator (substrate container lifting mechanism) 118a and a pod transfer mechanism (substrate container transfer mechanism) 118b as a transfer mechanism are configured. The pod transfer device 118 includes a pod elevator 118a and a pod transfer mechanism 118b. The pod 110 is transported between the load port 114, the rotary pod shelf 105, and the pod opener (substrate container lid opening / closing mechanism) 121 by continuous operation.

筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。 A sub-housing 119 is constructed across the rear end of the lower portion of the housing 111 at a substantially central portion in the front-rear direction. A pair of wafer loading / unloading ports (substrate loading / unloading ports) 120 for loading / unloading the wafer 200 into / from the sub-casing 119 are arranged on the front wall 119a of the sub-casing 119 in two vertical stages. A pair of pod openers 121 and 121 are installed at the wafer loading / unloading ports 120 and 120 at the upper and lower stages, respectively.
The pod opener 121 includes mounting bases 122 and 122 on which the pod 110 is placed, and cap attaching / detaching mechanisms (lid attaching / detaching mechanisms) 123 and 123 for attaching and detaching caps (lids) of the pod 110. The pod opener 121 is configured to open and close the wafer loading / unloading port of the pod 110 by attaching / detaching the cap of the pod 110 placed on the placing table 122 by the cap attaching / detaching mechanism 123.

サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａおよびウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。図１に模式的に示されているようにウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは、耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の移動室１２４前方領域右端部との間に設置されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するように構成されている。 The sub-housing 119 constitutes a transfer chamber 124 that is fluidly isolated from the installation space of the pod transfer device 118 and the rotary pod shelf 105. A wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125 is installed in the front region of the transfer chamber 124, and the wafer transfer mechanism 125 rotates the wafer 200 in the horizontal direction or can move the wafer 200 in the horizontal direction. Substrate transfer device) 125a and wafer transfer device elevator (substrate transfer device lifting mechanism) 125b for raising and lowering wafer transfer device 125a. As schematically shown in FIG. 1, the wafer transfer apparatus elevator 125 b is installed between the right end of the pressure-resistant casing 111 and the right end of the front area of the moving chamber 124 of the sub casing 119. By the continuous operation of the wafer transfer device elevator 125b and the wafer transfer device 125a, the tweezer (substrate holder) 125c of the wafer transfer device 125a is used as a placement portion for the wafer 200 with respect to the boat (substrate holder) 217. The wafer 200 is loaded (charged) and unloaded (discharged).

移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。待機部１２６の上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。 In the rear region of the transfer chamber 124, a standby unit 126 that houses and waits for the boat 217 is configured. A processing furnace 202 is provided above the standby unit 126. The lower end portion of the processing furnace 202 is configured to be opened and closed by a furnace port shutter (furnace port opening / closing mechanism) 147.

図１に模式的に示されているように、耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の待機部１２６右端部との間にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台に連結された連結具としてのアーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。 As schematically shown in FIG. 1, a boat elevator (substrate holder lifting / lowering) for raising / lowering the boat 217 between the right end of the pressure-resistant casing 111 and the right end of the standby section 126 of the sub casing 119 is illustrated. Mechanism) 115 is installed. A seal cap 219 serving as a lid is horizontally installed on an arm 128 serving as a connecting tool connected to a lifting platform of the boat elevator 115, and the seal cap 219 supports the boat 217 vertically, and a lower end of the processing furnace 202. It is comprised so that a part can be obstruct | occluded.
The boat 217 includes a plurality of holding members so that a plurality of (for example, about 50 to 125) wafers 200 are horizontally held in a state where their centers are aligned in the vertical direction. It is configured.

図１に模式的に示されているように移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側およびボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給ファンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されており、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、図示はしないが、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置１３５が設置されている。
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置１３５およびウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７に流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筺体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出されるように構成されている。 As schematically shown in FIG. 1, the left end of the transfer chamber 124 opposite to the wafer transfer device elevator 125b side and the boat elevator 115 side is a cleaned atmosphere or an inert gas. A clean unit 134 composed of a supply fan and a dust-proof filter is installed so as to supply clean air 133. Between the wafer transfer device 125a and the clean unit 134, although not shown, the circumferential direction of the wafer A notch aligning device 135 is installed as a substrate aligning device for aligning the positions.
The clean air 133 blown out from the clean unit 134 flows into the notch aligner 135, the wafer transfer device 125a, and the boat 217 in the standby unit 126, and is then sucked in through a duct (not shown) and exhausted to the outside of the casing 111. Or is circulated to the primary side (supply side) that is the suction side of the clean unit 134 and is again blown out into the transfer chamber 124 by the clean unit 134.

次に、本発明の処理装置の動作について説明する。
図１および２に示されているように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。
搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。 Next, the operation of the processing apparatus of the present invention will be described.
As shown in FIGS. 1 and 2, when the pod 110 is supplied to the load port 114, the pod loading / unloading port 112 is opened by the front shutter 113, and the pod 110 above the load port 114 moves to the pod transfer device 118. Is carried into the housing 111 from the pod loading / unloading port 112.
The loaded pod 110 is automatically transported and delivered by the pod transport device 118 to the designated shelf 117 of the rotary pod shelf 105 and temporarily stored. It is conveyed to 121 and transferred to the mounting table 122, or directly transferred to the pod opener 121 and transferred to the mounting table 122. At this time, the wafer loading / unloading port 120 of the pod opener 121 is closed by the cap attaching / detaching mechanism 123, and the transfer chamber 124 is filled with clean air 133. For example, the transfer chamber 124 is filled with nitrogen gas as clean air 133, so that the oxygen concentration is set to 20 ppm or less, which is much lower than the oxygen concentration inside the casing 111 (atmosphere).

載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。
ポッド１１０がポッドオープナ１２１によって開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置１３５にてウエハを整合した後、移載室１２４の後方にある待機部１２６へ搬入され、ボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７に装填する。 The pod 110 mounted on the mounting table 122 has its opening-side end face pressed against the opening edge of the wafer loading / unloading port 120 on the front wall 119a of the sub-housing 119, and the cap is removed by the cap attaching / detaching mechanism 123. The wafer loading / unloading port is opened.
When the pod 110 is opened by the pod opener 121, the wafer 200 is picked up from the pod 110 by the tweezer 125c of the wafer transfer device 125a through the wafer loading / unloading port, aligned with the notch alignment device 135, and then transferred to the transfer chamber 124. Is loaded into the standby unit 126 at the rear of the vehicle and loaded into the boat 217 (charging). The wafer transfer device 125 a that has transferred the wafer 200 to the boat 217 returns to the pod 110 and loads the next wafer 200 into the boat 217.

この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハのボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には回転式ポッド棚１０５から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。 During the loading operation of the wafer into the boat 217 by the wafer transfer mechanism 125 in the one (upper or lower) pod opener 121, the other (lower or upper) pod opener 121 receives another pod from the rotary pod shelf 105. 110 is transferred and transferred by the pod transfer device 118, and the opening operation of the pod 110 by the pod opener 121 is simultaneously performed.

予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって、開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７はシールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。 When a predetermined number of wafers 200 are loaded into the boat 217, the lower end portion of the processing furnace 202 closed by the furnace port shutter 147 is opened by the furnace port shutter 147. Subsequently, the boat 217 holding the wafers 200 is loaded into the processing furnace 202 when the seal cap 219 is lifted by the boat elevator 115.

ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。
処理後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハの整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ２００およびポッド１１０は筺体１１１の外部へ搬出される。 After loading, arbitrary processing is performed on the wafer 200 in the processing furnace 202.
After the processing, the wafer 200 and the pod 110 are carried out of the casing 111 by the reverse procedure described above except for the wafer alignment process in the notch alignment device 135.

図３は本発明の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置の処理炉２０２の概略構成図であり、縦断面図として示されている。 FIG. 3 is a schematic configuration diagram of the processing furnace 202 of the substrate processing apparatus suitably used in the embodiment of the present invention, and is shown as a longitudinal sectional view.

図３に示されているように、処理炉２０２は加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。 As shown in FIG. 3, the processing furnace 202 includes a heater 206 as a heating mechanism. The heater 206 has a cylindrical shape and is vertically installed by being supported by a heater base 251 as a holding plate.

ヒータ２０６の内側には、ヒータ２０６と同心円状に反応容器としてのプロセスチューブ２０３が配設されている。プロセスチューブ２０３は内部反応容器としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応容器としてのアウターチューブ２０５とから構成されている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ₂）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウエハ２００をボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。 Inside the heater 206, a process tube 203 as a reaction vessel is disposed concentrically with the heater 206. The process tube 203 is composed of an inner tube 204 as an internal reaction vessel and an outer tube 205 as an external reaction vessel provided outside thereof. The inner tube 204 is made of a heat-resistant material such as quartz (SiO ₂ ) or silicon carbide (SiC), and is formed in a cylindrical shape having upper and lower ends opened. A processing chamber 201 is formed in the cylindrical hollow portion of the inner tube 204, and the wafer 200 as a substrate can be accommodated by the boat 217 in a horizontal posture and aligned in multiple stages in the vertical direction. The outer tube 205 is made of a heat-resistant material such as quartz or silicon carbide, and is formed in a cylindrical shape having an inner diameter larger than the outer diameter of the inner tube 204 and closed at the upper end and opened at the lower end. It is provided in the shape.

アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５に係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間にはシール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により反応容器が形成される。 A manifold 209 is disposed below the outer tube 205 concentrically with the outer tube 205. The manifold 209 is made of, for example, stainless steel and is formed in a cylindrical shape with an upper end and a lower end opened. The manifold 209 is engaged with the inner tube 204 and the outer tube 205, and is provided so as to support them. An O-ring 220a as a seal member is provided between the manifold 209 and the outer tube 205. By supporting the manifold 209 on the heater base 251, the process tube 203 is installed vertically. A reaction vessel is formed by the process tube 203 and the manifold 209.

シールキャップ２１９にはガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１内に連通するように接続されており、ノズル２３０にはガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２のノズル２３０との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部（ガス流量コントローラ）２３５が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。 A nozzle 230 as a gas introduction unit is connected to the seal cap 219 so as to communicate with the inside of the processing chamber 201, and a gas supply pipe 232 is connected to the nozzle 230. A processing gas supply source and an inert gas supply source (not shown) are connected to an upstream side of the gas supply pipe 232 opposite to the connection side with the nozzle 230 via an MFC (mass flow controller) 241 as a gas flow rate controller. Has been. A gas flow rate controller (gas flow rate controller) 235 is electrically connected to the MFC 241, and is configured to control at a desired timing so that the flow rate of the supplied gas becomes a desired amount.

マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１のマニホールド２０９との接続側と反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ２４５および圧力調整装置２４２を介して真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。圧力調整装置２４２および圧力センサ２４５には、圧力制御部（圧力コントローラ）２３６が電気的に接続されており、圧力制御部２３６は圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいて圧力調整装置２４２により処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。 The manifold 209 is provided with an exhaust pipe 231 that exhausts the atmosphere in the processing chamber 201. The exhaust pipe 231 is disposed at the lower end portion of the cylindrical space 250 formed by the gap between the inner tube 204 and the outer tube 205 and communicates with the cylindrical space 250. A vacuum exhaust device 246 such as a vacuum pump is connected to the downstream side of the exhaust pipe 231 opposite to the connection side with the manifold 209 via a pressure sensor 245 and a pressure adjustment device 242 as a pressure detector. The chamber 201 is configured to be evacuated so that the pressure in the chamber 201 becomes a predetermined pressure (degree of vacuum). A pressure control unit (pressure controller) 236 is electrically connected to the pressure adjustment device 242 and the pressure sensor 245, and the pressure control unit 236 performs processing by the pressure adjustment device 242 based on the pressure detected by the pressure sensor 245. Control is performed at a desired timing so that the pressure in the chamber 201 becomes a desired pressure.

マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９はマニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面にはマニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられる。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通して、後述するボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９はプロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、駆動制御部（駆動コントローラ）２３７が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。 Below the manifold 209, a seal cap 219 is provided as a furnace port lid that can airtightly close the lower end opening of the manifold 209. The seal cap 219 is brought into contact with the lower end of the manifold 209 from the lower side in the vertical direction. The seal cap 219 is made of a metal such as stainless steel and has a disk shape. On the upper surface of the seal cap 219, an O-ring 220b is provided as a seal member that contacts the lower end of the manifold 209. A rotation mechanism 254 for rotating the boat is installed on the side of the seal cap 219 opposite to the processing chamber 201. A rotation shaft 255 of the rotation mechanism 254 passes through the seal cap 219 and is connected to a boat 217 described later, and is configured to rotate the wafer 200 by rotating the boat 217. The seal cap 219 is configured to be lifted vertically by a boat elevator 115 as a lifting mechanism vertically installed outside the process tube 203, and thereby the boat 217 is carried into and out of the processing chamber 201. Is possible. A drive control unit (drive controller) 237 is electrically connected to the rotation mechanism 254 and the boat elevator 115, and is configured to control at a desired timing so as to perform a desired operation.

基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なおボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるよう構成されている。 The boat 217 serving as a substrate holder is made of a heat-resistant material such as quartz or silicon carbide, and is configured to hold a plurality of wafers 200 in a horizontal posture and in a state where the centers are aligned with each other and held in multiple stages. ing. A plurality of heat insulating plates 216 as a disk-shaped heat insulating member made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide are arranged in a multi-stage in a horizontal posture at the lower part of the boat 217, and the heat from the heater 206 is arranged. Is difficult to be transmitted to the manifold 209 side.

プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６と温度センサ２６３には、電気的に温度制御部２３８が接続されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調整することにより処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。 A temperature sensor 263 is installed in the process tube 203 as a temperature detector. A temperature control unit 238 is electrically connected to the heater 206 and the temperature sensor 263, and the temperature in the processing chamber 201 is adjusted by adjusting the power supply to the heater 206 based on the temperature information detected by the temperature sensor 263. Is controlled at a desired timing so as to have a desired temperature distribution.

ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、主制御部２３９はコントローラ２４０として構成されている。 The gas flow rate control unit 235, the pressure control unit 236, the drive control unit 237, and the temperature control unit 238 also constitute an operation unit and an input / output unit, and are electrically connected to a main control unit 239 that controls the entire substrate processing apparatus. ing. These gas flow rate control unit 235, pressure control unit 236, drive control unit 237, temperature control unit 238, and main control unit 239 are configured as a controller 240.

次に、上記構成に係る処理炉２０２を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ＣＶＤ法によりウエハ２００上に薄膜を形成する方法について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。 Next, a method of forming a thin film on the wafer 200 by the CVD method as one step of the semiconductor device manufacturing process using the processing furnace 202 having the above configuration will be described. In the following description, the operation of each part constituting the substrate processing apparatus is controlled by the controller 240.

複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図３に示されているように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。 When a plurality of wafers 200 are loaded into the boat 217 (wafer charge), as shown in FIG. 3, the boat 217 holding the plurality of wafers 200 is lifted by the boat elevator 115 and processed in the processing chamber 201. Is loaded (boat loading). In this state, the seal cap 219 seals the lower end of the manifold 209 via the O-ring 220b.

処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調節器２４２が、フィードバック制御される。また、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０６によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４により、ボート２１７が回転されることで、ウエハ２００が回転される。 The processing chamber 201 is evacuated by a vacuum evacuation device 246 so that a desired pressure (degree of vacuum) is obtained. At this time, the pressure in the processing chamber 201 is measured by the pressure sensor 245, and the pressure regulator 242 is feedback-controlled based on the measured pressure. In addition, the inside of the processing chamber 201 is heated by the heater 206 so as to have a desired temperature. At this time, the power supply to the heater 206 is feedback-controlled based on the temperature information detected by the temperature sensor 263 so that the inside of the processing chamber 201 has a desired temperature distribution. Subsequently, the wafer 200 is rotated by rotating the boat 217 by the rotation mechanism 254.

次いで、処理ガス供給源から供給され、ＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管２３２を流通してノズル２３０から処理室２０１内に導入される。導入されたガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出して排気管２３１から排気される。ガスは処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。 Next, the gas supplied from the processing gas supply source and controlled to have a desired flow rate by the MFC 241 is introduced into the processing chamber 201 from the nozzle 230 through the gas supply pipe 232. The introduced gas rises in the processing chamber 201, flows out from the upper end opening of the inner tube 204 into the cylindrical space 250, and is exhausted from the exhaust pipe 231. The gas comes into contact with the surface of the wafer 200 when passing through the processing chamber 201, and at this time, a thin film is deposited on the surface of the wafer 200 by a thermal CVD reaction.

予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室２０１内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。 When a preset processing time has passed, an inert gas is supplied from an inert gas supply source, the inside of the processing chamber 201 is replaced with an inert gas, and the pressure in the processing chamber 201 is returned to normal pressure. .

その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、マニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ２００がボート２１７に保持された状態でマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済ウエハ２００はボート２１７より取出される（ウエハディスチャージ）。 Thereafter, the seal cap 219 is lowered by the boat elevator 115, the lower end of the manifold 209 is opened, and the processed wafer 200 is carried out from the lower end of the manifold 209 to the outside of the process tube 203 while being held by the boat 217 ( Boat unloading). Thereafter, the processed wafer 200 is taken out from the boat 217 (wafer discharge).

なお、一例まで、本実施の形態の処理炉にてウエハを処理する際の処理条件としては、例えば、Ｓｉ₃Ｎ₄膜の成膜においては、処理温度６００〜７００℃、処理圧力２０〜４０Ｐａ、成膜ガス種ＳｉＨ₂Ｃｌ₂，ＮＨ₃、成膜ガス供給流量ＳｉＨ₂Ｃｌ₂：０〜９９．９９９ｓｌｍ，ＮＨ₃：０〜９９．９９９ｓｌｍが例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウエハに処理がなされる。 Note that as an example, the processing conditions for processing a wafer in the processing furnace of the present embodiment include, for example, a processing temperature of 600 to 700 ° C. and a processing pressure of 20 to 40 Pa in the formation of a Si ₃ N ₄ film. , Film forming gas species SiH ₂ Cl ₂ , NH ₃ , film forming gas supply flow rate SiH ₂ Cl ₂ : 0 to 99.999 slm, NH ₃ : 0 to 99.999 slm, each processing condition is set in each range The wafer is processed by keeping it constant at a certain value.

次に、本発明の処理装置に適用される処理炉２０２内にノズル２３０を介してガスを供給するボックス型ユニットの一例としてガスボックス３００について詳述する。図４は、ガスボックス３００の縦断面図であり、図５は、ガスボックス３００の吸気と排気を説明するための斜視図である。 Next, the gas box 300 will be described in detail as an example of a box-type unit that supplies gas through the nozzle 230 into the processing furnace 202 applied to the processing apparatus of the present invention. 4 is a longitudinal sectional view of the gas box 300, and FIG. 5 is a perspective view for explaining intake and exhaust of the gas box 300. As shown in FIG.

ガスボックス３００は、ＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１やＡＶ（エアバルブ）３０１等のバルブと、それらを繋ぐガス供給管２３２を内蔵している。すなわち、ガスボックス３００は、ガス供給源より受け取ったガスをＭＦＣ２４１やＡＶ３０１等により制御し、ガスを所望のタイミングと流量で処理炉２０２に供給する。 The gas box 300 incorporates valves such as an MFC (mass flow controller) 241 and an AV (air valve) 301 and a gas supply pipe 232 connecting them. That is, the gas box 300 controls the gas received from the gas supply source by the MFC 241 or the AV 301 and supplies the gas to the processing furnace 202 at a desired timing and flow rate.

ガスボックス３００の側面上方には、外気を取り込む吸気口としてのスリット３０５が複数形成されている。また、ガスボックス３００の下面には、ボックス内の雰囲気を排気する排気口としての排気ダクト３０３が接続されている。すなわち、ガスボックス３００の側面上方に形成された複数のスリット３０５から外気を取り込んで吸気し、ボックス内にボックス外の雰囲気を取り入れて、ガスボックス３００の下面に設けられた排気ダクト３０３からボックス内の雰囲気が排気される。 A plurality of slits 305 are formed above the side surface of the gas box 300 as intake ports for taking in outside air. An exhaust duct 303 is connected to the lower surface of the gas box 300 as an exhaust port for exhausting the atmosphere in the box. That is, outside air is taken in through a plurality of slits 305 formed above the side surface of the gas box 300, the atmosphere outside the box is taken into the box, and the inside of the box is introduced from an exhaust duct 303 provided on the lower surface of the gas box 300. The atmosphere is exhausted.

ガス種は様々で有害なもの、可燃性のものがあり、ガスボックス３００内でガスが漏れる場合があるが、ボックス内雰囲気の排気を行うことにより、ボックス内にガスが対流しないようにすることができる。また、比重の重いガスであってもガスボックス３００内から効率よく排気することができる。 There are various types of gas, harmful and flammable, and gas may leak in the gas box 300. By exhausting the atmosphere in the box, prevent the gas from convection in the box. Can do. Further, even a gas having a high specific gravity can be efficiently exhausted from the gas box 300.

（第２の実施形態）
図６は、本発明の第２の実施形態に係るガスボックスの吸引方式の系統図を示している。
第２の実施形態に係るガスボックス３００では、上述した図５におけるガスボックス３００の排気ダクト３０３の下流側に負圧ラインを接続する。これにより、ガスボックス３００内部は負圧となり流れが発生する。また、ボックス内部は負圧となるため、ボックス内雰囲気がボックス外へ漏れることがなく、安全である。 (Second Embodiment)
FIG. 6 shows a system diagram of the suction method of the gas box according to the second embodiment of the present invention.
In the gas box 300 according to the second embodiment, a negative pressure line is connected to the downstream side of the exhaust duct 303 of the gas box 300 in FIG. 5 described above. As a result, the gas box 300 has a negative pressure and a flow is generated. In addition, since the inside of the box has a negative pressure, the atmosphere in the box does not leak out of the box, which is safe.

（第３の実施形態）
図７は、本発明の第３の実施形態に係るガスボックス３００の吸気と排気を説明する（ａ）は斜視図であって、（ｂ）は、吸引方式の系統図を示している。
第３の実施形態に係るガスボックス３００では、スリット３０５の代わりに吸気口としての吸気ダクト３０４をガスボックス３００の上面に取付け、吸気ダクト３０４の上流側に加圧ラインを接続する。これにより、ガスボックス３００内部は加圧となり流れが発生する。ここで、ボックス内部は加圧であるが、ボックスはスリット３０５等のない密閉性の高い構造なのでボックス内雰囲気がボックス外に漏れることが抑制され、排気ダクト３０３を介してボックス外にボックス内雰囲気が排気される。 (Third embodiment)
FIG. 7A is a perspective view for explaining the intake and exhaust of the gas box 300 according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 7B is a system diagram of the suction method.
In the gas box 300 according to the third embodiment, an intake duct 304 as an intake port is attached to the upper surface of the gas box 300 instead of the slit 305, and a pressure line is connected to the upstream side of the intake duct 304. As a result, the inside of the gas box 300 is pressurized and a flow is generated. Here, the inside of the box is pressurized, but since the box has a highly sealed structure without the slit 305 or the like, the atmosphere inside the box is prevented from leaking outside the box, and the atmosphere inside the box is outside the box via the exhaust duct 303. Is exhausted.

（比較例）
図９は、比較例に係るガスボックス３００を示している。
比較例に係るガスボックス３００は、ガスボックス３００の側面下方に外気を取り込む吸気口としてのスリット３０５が複数形成されている。また、ガスボックス３００の上面にボックス内の雰囲気を排気する排気口としての排気ダクト３０３が接続されている。すなわち、ガスボックス３００の側面下方に形成されたスリット３０５から外気を取り込んで吸気し、ボックス内にボックス外の雰囲気を取り入れて、ガスボックス３００の上部に設けられた排気ダクト３０３からボックス内の雰囲気を排気する。すなわち、比重の軽いガスをガスボックス３００内から効率よく排気することができるが、比重の重いガスは排気しずらい。 (Comparative example)
FIG. 9 shows a gas box 300 according to a comparative example.
In the gas box 300 according to the comparative example, a plurality of slits 305 are formed as intake ports for taking in outside air below the side surface of the gas box 300. An exhaust duct 303 is connected to the upper surface of the gas box 300 as an exhaust port for exhausting the atmosphere in the box. That is, outside air is taken in through a slit 305 formed below the side surface of the gas box 300, the atmosphere outside the box is taken into the box, and the atmosphere inside the box is taken from the exhaust duct 303 provided at the top of the gas box 300. Exhaust. That is, a gas with a low specific gravity can be efficiently exhausted from the gas box 300, but a gas with a high specific gravity is difficult to exhaust.

すなわち、本発明の実施形態によれば、ガス種による排気性のばらつきを解消し、ガス種によらず効果的に排気できる。 That is, according to the embodiment of the present invention, the variation in the exhaustability due to the gas type is eliminated, and the exhaust can be effectively performed regardless of the gas type.

なお、比重の軽いガス、重いガスの両方を扱う場合には、危険性の高い種類のガスに優先した構造をガスボックス３００に適用するとよい。 In addition, when handling both light gas and heavy gas, it is good to apply the structure which gave priority to the kind of gas with high danger to the gas box 300. FIG.

また、成膜例につきＳｉＮ膜を形成する例を挙げたがこれに限らず、膜種、ガス種によらず、適用される。 Moreover, although the example which forms a SiN film | membrane was given per film-forming example, it is not restricted to this, It applies irrespective of a film | membrane kind and gas kind.

［本発明の好ましい態様］
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。 [Preferred embodiment of the present invention]
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be additionally described.

（付記1）
複数のウエハに対して処理ガスにより熱処理を施すための処理炉を収容する装置本体と、前記処理ガスの供給を制御するガス制御ユニットを収容するガスボックスと、を有し、前記ガスボックスの上方に設けられた吸気口から外気を取り込み、前記ガスボックスの下部に設けられた排気口から該ガスボックス内部の雰囲気を排気する基板処理装置。 (Appendix 1)
An apparatus main body for accommodating a processing furnace for performing heat treatment with a processing gas on a plurality of wafers; and a gas box for accommodating a gas control unit for controlling the supply of the processing gas, above the gas box A substrate processing apparatus that takes in outside air from an intake port provided in the gas box and exhausts the atmosphere inside the gas box from an exhaust port provided at a lower portion of the gas box.

（付記２）
複数のウエハに対して処理ガスにより熱処理を施すための処理炉を収容する装置本体と、前記処理ガスの供給を制御するガス制御ユニットを収容するガスボックスと、電気部品を収容する電気系ボックスとを有する熱処理装置において、前記ガスボックス上方から外気を取り込み、該ガスボックスの下部からガスボックス内の排気を行う熱処理装置。 (Appendix 2)
An apparatus main body for storing a processing furnace for performing heat treatment with a processing gas on a plurality of wafers, a gas box for storing a gas control unit for controlling supply of the processing gas, and an electric system box for storing electrical components In the heat treatment apparatus having the above, a heat treatment apparatus that takes in outside air from above the gas box and exhausts the gas box from the lower part of the gas box.

（付記３）
基板を収容する収容器の蓋体開閉機構と、前記基板を処理する処理室と、前記基板を保持して前記処理室に搬入する基板保持具と、前記処理室の下方に設けられ、前記基板が待機する待機室と、前記蓋体開閉機構から前記基板保持具へ前記基板を搬送する基板移載機構と、前記待機室の側方に設けられ、該待機室に不活性ガスないし酸素含有ガスを供給するガス供給部と、前記ガス供給部に対向する前記待機室側方に設けられ、前記待機室から前記不活性ガスないし前記酸素含有ガスを排気するガス排出部を備える基板処理装置。 (Appendix 3)
A lid opening / closing mechanism of a container for accommodating a substrate; a processing chamber for processing the substrate; a substrate holder for holding the substrate and carrying it into the processing chamber; and the substrate provided below the processing chamber, A standby chamber for waiting, a substrate transfer mechanism for transporting the substrate from the lid opening / closing mechanism to the substrate holder, and an inert gas or an oxygen-containing gas in a side of the standby chamber. A substrate processing apparatus comprising: a gas supply unit that supplies gas; and a gas discharge unit that is provided on a side of the standby chamber facing the gas supply unit and exhausts the inert gas or the oxygen-containing gas from the standby chamber.

（付記４）
ボックス型ユニットを有し、前記ボックス型ユニット内雰囲気を対流することなく排気するために、前記不活性ガスないし前記酸素含有ガスを供給するための加圧ラインを備える付記３記載の基板処理装置。 (Appendix 4)
The substrate processing apparatus according to claim 3, further comprising a pressure line for supplying the inert gas or the oxygen-containing gas in order to exhaust the atmosphere in the box type unit without convection.

（付記５）
ボックス型ユニットを有し、前記ボックス型ユニット内雰囲気を対流することなく排気するために、前記不活性ガスないし前記酸素含有ガスを排出するための負圧ラインを備える付記３記載の基板処理装置。 (Appendix 5)
The substrate processing apparatus according to appendix 3, further comprising a box-type unit, and a negative pressure line for discharging the inert gas or the oxygen-containing gas to exhaust the atmosphere in the box-type unit without convection.

１００基板処理装置
２００ウエハ（基板）
２０１処理室
２０２処理炉
２０６ヒータ
２１７ボート
２３１排気管
２３２ガス供給管
２４１マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
３００ガスボックス
３０１エアバルブ（ＡＶ）
３０３排気ダクト
３０４吸気ダクト
３０５スリット 100 substrate processing apparatus 200 wafer (substrate)
201 processing chamber 202 processing furnace 206 heater 217 boat 231 exhaust pipe 232 gas supply pipe 241 mass flow controller (MFC)
300 Gas box 301 Air valve (AV)
303 Exhaust duct 304 Intake duct 305 Slit

Claims

An apparatus main body that houses a processing furnace for performing heat treatment with a processing gas on a plurality of wafers, and a gas box that houses a gas control unit that controls supply of the processing gas,
The substrate processing apparatus which takes in external air from the inlet provided above the gas box, and exhausts the atmosphere inside the gas box from the exhaust provided in the lower part of the gas box.