JP2011181665A

JP2011181665A - Substrate processing system

Info

Publication number: JP2011181665A
Application number: JP2010044147A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Iwakura; 裕幸岩倉
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2010-03-01
Filing date: 2010-03-01
Publication date: 2011-09-15

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing system which allows to easily confirm a place and a cause of occurrence of data transfer defect. <P>SOLUTION: The substrate processing system includes a substrate processing device which processes and carries a substrate and a management device which manages the substrate processing device, wherein the substrate processing device outputs data indicating a processing state and a carrying state of the substrate, and a transfer state of the output data is measured on a plurality of transfer paths extending from the place where the output data is output to the management device, to display measurement results. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板処理装置内のデータを監視する基板処理システムに関する。 The present invention relates to a substrate processing system that monitors data in a substrate processing apparatus.

基板を処理する基板処理装置は、温度、ガス流量、圧力等の基板の処理状態や基板の搬送状態を示すデータを出力し、基板処理装置を管理する群管理装置に転送している。基板処理装置には、基板の処理状態や基板の搬送状態を詳細に捉えるため、多くのセンサが搭載されているとともに、基板処理装置内のデータサンプリング時間の短縮化が図られている。このため、基板処理装置内では膨大な量のデータが群管理装置に転送されるようになった。 A substrate processing apparatus that processes a substrate outputs data indicating a substrate processing state and a substrate transport state such as temperature, gas flow rate, and pressure, and transfers the data to a group management device that manages the substrate processing apparatus. In order to grasp the substrate processing state and the substrate transport state in detail, the substrate processing apparatus is equipped with many sensors and shortens the data sampling time in the substrate processing apparatus. For this reason, an enormous amount of data is transferred to the group management apparatus in the substrate processing apparatus.

しかし、基板処理装置のセンサから出力されるデータには、基板処理装置内の所定の制御部を経由せずに群管理装置に転送されるデータや、基板処理装置内の複数の制御部を経由せずに群管理装置に転送されるデータがある。従って、従来の基板処理システムでは、データの転送速度が低下したりデータが群管理装置まで到達しない問題が発生した場合、データの転送異常を検知することができるものの、データの転送異常が発生した基板処理工程や転送経路について、データ転送異常が発生するまでの経緯を確認することができなかった。 However, the data output from the sensor of the substrate processing apparatus includes data transferred to the group management apparatus without passing through the predetermined control section in the substrate processing apparatus, or through a plurality of control sections in the substrate processing apparatus. There is data to be transferred to the group management device without. Therefore, in the conventional substrate processing system, when a problem occurs in which the data transfer speed decreases or the data does not reach the group management apparatus, the data transfer abnormality can be detected, but the data transfer abnormality has occurred. Regarding the substrate processing process and the transfer route, it was not possible to confirm the circumstances until the data transfer abnormality occurred.

本発明は、データ転送異常の発生原因や発生箇所を容易に確認することができる基板処理システムを提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a substrate processing system capable of easily confirming the cause and location of occurrence of a data transfer abnormality.

上述した課題を解決するため、本発明の一態様である基板処理システムは、基板を処理して搬送する基板処理装置と、該基板処理装置を管理する管理装置とを有する基板処理システムであって、前記基板処理装置は、前記基板の処理状態及び搬送状態を示すデータを出力し、前記出力したデータの転送状態を、前記出力したデータを出力した箇所から前記管理装置へ至る複数の転送経路で計測し、前記計測した結果を表示する。 In order to solve the above-described problems, a substrate processing system according to one embodiment of the present invention is a substrate processing system including a substrate processing apparatus that processes and transports a substrate, and a management apparatus that manages the substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus outputs data indicating the processing state and the transport state of the substrate, and the transfer state of the output data is determined by a plurality of transfer paths from the location where the output data is output to the management device. Measure and display the measurement results.

本発明の一態様である群管理装置は、基板を処理して搬送する複数の基板処理装置を管理する群管理装置であって、前記複数の基板処理装置の各々から出力された前記基板の処理状態及び搬送状態を示すデータを受信し、前記受信したデータの転送状態を、前記データが出力された箇所から前記データを受信した箇所へ至る複数の転送経路で計測し、前記計測した結果を表示する。 A group management apparatus according to an aspect of the present invention is a group management apparatus that manages a plurality of substrate processing apparatuses that process and transport a substrate, and processes the substrates output from each of the plurality of substrate processing apparatuses. Receives data indicating the status and transport status, measures the transfer status of the received data through a plurality of transfer paths from the location where the data was output to the location where the data was received, and displays the measured results To do.

本発明によれば、データ転送異常の発生箇所や発生原因を容易に確認することができる。 According to the present invention, it is possible to easily confirm the location and cause of occurrence of a data transfer abnormality.

本実施の形態における基板処理システムのブロック構成図である。It is a block block diagram of the substrate processing system in this Embodiment. 本実施の形態における基板処理システムの基板処理装置用コントローラの動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows operation | movement of the controller for substrate processing apparatuses of the substrate processing system in this Embodiment. 本実施の形態における基板処理システムの転送情報を示す図である。It is a figure which shows the transfer information of the substrate processing system in this Embodiment. 本実施の形態における基板処理システムのデータ変化量の時間依存性を示す図である。It is a figure which shows the time dependence of the data variation of the substrate processing system in this Embodiment. 本実施の形態における基板処理システムのデータ流量の時間依存性を示す図である。It is a figure which shows the time dependence of the data flow rate of the substrate processing system in this Embodiment. 本実施の形態における基板処理装置の斜透視図である。It is a perspective view of the substrate processing apparatus in this Embodiment. 本実施の形態における基板処理装置の側面透視図である。It is side surface perspective drawing of the substrate processing apparatus in this Embodiment. 本実施の形態における基板処理装置の処理炉の横断面図である。It is a cross-sectional view of the processing furnace of the substrate processing apparatus in the present embodiment.

以下、本実施の形態について図面を参照しつつ説明する。図１は、本実施の形態における基板処理システム１のブロック構成図である。基板処理システム１は、基板処理装置１００、管理装置５００を有する。基板処理装置１００は、管理装置５００に管理されており、例えば構内回線（ＬＡＮ）や広域回線（ＷＡＮ）等のネットワークにより接続されている。 Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block configuration diagram of a substrate processing system 1 in the present embodiment. The substrate processing system 1 includes a substrate processing apparatus 100 and a management apparatus 500. The substrate processing apparatus 100 is managed by the management apparatus 500, and is connected by a network such as a local area line (LAN) or a wide area line (WAN).

（１）基板処理装置用コントローラ
（１−１）基板処理装置用コントローラの構成
本実施の形態にかかる基板処理装置１００の構成について説明する。基板処理装置１００は、図１に示すように、処理炉２０２及び基板処理装置用コントローラ２４０を有する。処理炉２０２は、基板処理装置用コントローラ２４０により制御されている。各構成について、以下に詳述する。 (1) Substrate Processing Apparatus Controller (1-1) Configuration of Substrate Processing Apparatus Controller The configuration of the substrate processing apparatus 100 according to this embodiment will be described. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 includes a processing furnace 202 and a substrate processing apparatus controller 240. The processing furnace 202 is controlled by a substrate processing apparatus controller 240. Each configuration will be described in detail below.

本実施の形態にかかる基板処理装置用コントローラ２４０の構成について、図１を用いて説明する。基板処理装置用コントローラ２４０は、主制御部２３９、処理制御部２３９ａ、通信制御部２３９ｂ、搬送制御部２３７、メカ機構Ｉ／Ｏ制御部２３７ａ、ＨＤＤなどの記憶装置として構成されたデータ保存部２３９ｅ、Ｉ／Ｏ制御部２３９ｆ、ディスプレイ装置などのデータ表示部２４０ａ及びキーボード等の入力手段２４０ｂを有する。 The configuration of the substrate processing apparatus controller 240 according to this embodiment will be described with reference to FIG. The substrate processing apparatus controller 240 includes a main control unit 239, a processing control unit 239a, a communication control unit 239b, a transfer control unit 237, a mechanical mechanism I / O control unit 237a, and a data storage unit 239e configured as a storage device such as an HDD. , An I / O control unit 239f, a data display unit 240a such as a display device, and an input unit 240b such as a keyboard.

主制御部２３９は、中央処理装置（ＣＰＵ）で構成されており、また、処理制御部２３９ａ及びＩ／Ｏ制御部２３９ｆとデータ交換可能なように接続され、処理炉２０２の動作を制御する。また、主制御部２３９は、通信制御部２３９ｂ及び搬送制御部２３７と接続され、各制御部からデータの転送情報を収集する。データ変化量及びデータ流量については後述する。 The main control unit 239 includes a central processing unit (CPU), and is connected to the processing control unit 239a and the I / O control unit 239f so as to exchange data, and controls the operation of the processing furnace 202. The main control unit 239 is connected to the communication control unit 239b and the transport control unit 237, and collects data transfer information from each control unit. The data change amount and the data flow rate will be described later.

なお、基板処理装置１００には、後述するように、種々のデータ転送経路が存在し、主制御部２３９を通過しないデータ転送経路を含む。このため、主制御部２３９は、これらのデータ転送経路で転送されるデータのデータ変化量及びデータ流量の情報を、Ｉ／Ｏ制御部２３９ｆ等の各部から収集することにより監視する。 As described later, the substrate processing apparatus 100 includes various data transfer paths and includes a data transfer path that does not pass through the main controller 239. For this reason, the main control unit 239 monitors the data change amount and data flow rate information of the data transferred through these data transfer paths by collecting it from each unit such as the I / O control unit 239f.

主制御部２３９は、ディスプレイ等のデータ表示部２４０ａと、キーボード等の入力手段２４０ｂとを制御する。主制御部２３９には、データ表示部２４０ａ及び入力手段２４０ｂが接続されている。主制御部２３９は、操作員による入力手段２４０ｂからの入力（操作コマンドの入力等）を受け付けるとともに、基板処理装置１００の状態表示画面や操作入力受付画面等をデータ表示部２４０ａに表示する。 The main control unit 239 controls a data display unit 240a such as a display and an input unit 240b such as a keyboard. The main control unit 239 is connected to a data display unit 240a and input means 240b. The main control unit 239 receives an input (input of an operation command or the like) from the input unit 240b by an operator, and displays a status display screen or an operation input reception screen of the substrate processing apparatus 100 on the data display unit 240a.

通信制御部２３９ｂは、後述する管理装置５００とネットワークを介してデータ交換可能なように接続されている。通信制御部２３９ｂは、Ｉ／Ｏ制御部２３９ｆを介して読み出した処理炉２０２の状態（温度、ガス流量、圧力等）を示すデータを、主制御部２３９及び処理制御部２３９ａを介して受信し、管理装置５００へ送信する。また、通信制御部２３９ｂは、メカ機構Ｉ／Ｏ制御部２３７ａから出力されたデータを、搬送制御部２３７及び主制御部２３９を介して受信し、管理装置５００へ送信する。なお、通信制御部２３９ｂが読み出したデータとは、具体的には、基板処理装置１００を構成する各部の状態（位置、開閉状態、動作中であるかウエイト状態であるか等）のデータである。 The communication control unit 239b is connected to a management device 500 described later so that data can be exchanged via a network. The communication control unit 239b receives, via the main control unit 239 and the processing control unit 239a, data indicating the state (temperature, gas flow rate, pressure, etc.) of the processing furnace 202 read out through the I / O control unit 239f. To the management apparatus 500. Further, the communication control unit 239 b receives the data output from the mechanical mechanism I / O control unit 237 a via the transport control unit 237 and the main control unit 239 and transmits the data to the management apparatus 500. Note that the data read by the communication control unit 239b is specifically data on the state (position, open / closed state, operating or weighted state, etc.) of each part constituting the substrate processing apparatus 100. .

また、通信制御部２３９ｂは、Ｉ／Ｏ制御部２３９ｆにより読み出された処理炉２０２の状態を示すデータを、主制御部２３９及び処理制御部２３９ａを介さずに直接受信して群管理装置５００へ送信する。また、通信制御部２３９ｂは、メカ機構Ｉ／Ｏ制御部２３７ａにより読み出されたデータを、主制御部２３９を介さずに直接受信して管理装置５００へ送信する。このようなデータ転送経路は、主制御部２３９による表示処理や処理制御部２３９ａによる処理が不要なデータ、すなわち、データ表示部２４０ａに表示する必要のないデータの転送に用いられる。 Further, the communication control unit 239b directly receives the data indicating the state of the processing furnace 202 read out by the I / O control unit 239f without using the main control unit 239 and the processing control unit 239a, and receives the data from the group management apparatus 500. Send to. Further, the communication control unit 239b directly receives the data read by the mechanical mechanism I / O control unit 237a without passing through the main control unit 239 and transmits the data to the management device 500. Such a data transfer path is used for transferring data that does not require display processing by the main control unit 239 or processing by the processing control unit 239a, that is, data that does not need to be displayed on the data display unit 240a.

搬送制御部２３７は、処理される基板や処理後の基板を搬送するメカ機構Ｉ／Ｏ制御部２３７ａを介して基板処理装置１００のメカ機構（例えば、後述するポッドエレベータ１１８ａ等）の動作を制御するとともに、メカ機構の状態を示すデータを収集する。 The transport control unit 237 controls the operation of a mechanical mechanism (for example, a pod elevator 118a described later) of the substrate processing apparatus 100 via a mechanical mechanism I / O control unit 237a that transports a substrate to be processed or a processed substrate. In addition, data indicating the state of the mechanical mechanism is collected.

また、搬送制御部２３７は、図１に示すように、主制御部２３９、処理制御部２３９ａ及び通信制御部２３９ｂを介さずに、後述する管理装置５００と直接データ交換可能なように接続されている。このため、基板処理装置１００のメカ機構の状態を示すデータが、主制御部２３９や通信制御部２３９ｂを介さずに直接に管理装置５００へ送信される。このように、データ転送経路は、主制御部２３９、処理制御部２３９ａ、搬送制御部２３７、通信制御部２３９ｂによる処理がいずれも不要なデータの転送に用いられる。なお、基板処理装置１００を構成する各メカ機構部については、後で詳述する。 Further, as shown in FIG. 1, the transport control unit 237 is connected so as to be able to directly exchange data with the management device 500 described later without going through the main control unit 239, the processing control unit 239a, and the communication control unit 239b. Yes. Therefore, data indicating the state of the mechanical mechanism of the substrate processing apparatus 100 is directly transmitted to the management apparatus 500 without going through the main control unit 239 or the communication control unit 239b. As described above, the data transfer path is used for transferring data that does not require any processing by the main control unit 239, the processing control unit 239a, the transport control unit 237, and the communication control unit 239b. In addition, each mechanical mechanism part which comprises the substrate processing apparatus 100 is explained in full detail later.

メカ機構Ｉ／Ｏ制御部２３７ａは、基板処理装置１００を構成するメカ機構を制御するため、メカ機構の各構成部と接続されている。 The mechanical mechanism I / O control unit 237a is connected to each structural unit of the mechanical mechanism in order to control the mechanical mechanism constituting the substrate processing apparatus 100.

データ保存部２３９ｅは、種々のデータ等を保存する。具体的には、基板処理装置用コントローラ２４０に種々の機能を実現させるためのプログラム、処理炉２０２にて実施される基板処理工程の設定データ（レシピ）、Ｉ／Ｏ制御部２３９ｆ及びメカ機構Ｉ／Ｏ制御部２３７ａから読み出された各種データ、基板処理装置内の転送経路毎に算出されたデータ変化量及びデータ流量の情報等が挙げられる。 The data storage unit 239e stores various data. Specifically, a program for causing the substrate processing apparatus controller 240 to realize various functions, setting data (recipe) of a substrate processing process performed in the processing furnace 202, an I / O control unit 239f, and a mechanical mechanism I Examples include various data read from the / O control unit 237a, data change amount calculated for each transfer path in the substrate processing apparatus, data flow rate information, and the like.

Ｉ／Ｏ制御部２３９ｆは、処理炉２０２を制御するための後述するガス流量制御部等（図１では不図示）を有する。また、搬送制御部２３７は、図１に示すように、主制御部２３９、処理制御部２３９ａ及び通信制御部２３９ｂを介さずに、後述する管理装置５００と直接データ交換可能なように接続されている。同様に、Ｉ／Ｏ制御部２３９ｆは、読み出した処理炉２０２の状態を示すデータを、主制御部２３９、処理制御部２３９ａ、通信制御部２３９ｂを介さずに直接管理装置５００へ転送することが可能である。このデータ転送経路は、主制御部２３９、処理制御部２３９ａ、搬送制御部２３７、通信制御部２３９ｂによる処理がいずれも不要であるようなデータの転送に用いられる。 The I / O control unit 239f includes a gas flow rate control unit and the like (not shown in FIG. 1), which will be described later, for controlling the processing furnace 202. Further, as shown in FIG. 1, the transport control unit 237 is connected so as to be able to directly exchange data with the management device 500 described later without going through the main control unit 239, the processing control unit 239a, and the communication control unit 239b. Yes. Similarly, the I / O control unit 239f can directly transfer the read data indicating the state of the processing furnace 202 to the management apparatus 500 without passing through the main control unit 239, the processing control unit 239a, and the communication control unit 239b. Is possible. This data transfer path is used for data transfer such that processing by the main control unit 239, processing control unit 239a, transport control unit 237, and communication control unit 239b is unnecessary.

（１−２）基板処理装置用コントローラの動作
次に、本実施の形態にかかる基板処理装置用コントローラ２４０の動作について説明する。図２は、本実施の形態における基板処理システムの基板処理装置用コントローラの動作を示すフローチャートである。図３は、本実施の形態における基板処理システムの転送情報を示す図である。図４は、本実施の形態における基板処理システムのデータ変化量の時間依存性を示す図である。図５は、本実施の形態における基板処理システムのデータ流量の時間依存性を示す図ある。 (1-2) Operation of Controller for Substrate Processing Apparatus Next, the operation of the controller for substrate processing apparatus 240 according to this embodiment will be described. FIG. 2 is a flowchart showing the operation of the substrate processing apparatus controller of the substrate processing system in the present embodiment. FIG. 3 is a diagram showing transfer information of the substrate processing system in the present embodiment. FIG. 4 is a diagram showing the time dependence of the data change amount of the substrate processing system in the present embodiment. FIG. 5 is a diagram showing the time dependence of the data flow rate of the substrate processing system in the present embodiment.

まず、主制御部２３９は、図１の点線で表される各データ転送経路のデータ変化量及びデータ流量の情報を、処理制御部２３９ａ等から取得し、データ保存部２３９ｅに保存する（Ｓ１０１）。次に、主制御部２３９は、各部から転送されたデータ転送経路を識別するため、各データ転送経路に識別番号を付与する（Ｓ１０２）。 First, the main control unit 239 obtains data change amount and data flow rate information of each data transfer path represented by the dotted line in FIG. 1 from the processing control unit 239a and the like, and stores it in the data storage unit 239e (S101). . Next, the main control unit 239 assigns an identification number to each data transfer path in order to identify the data transfer path transferred from each unit (S102).

ここで、識別番号の付与について説明する。例えば、主制御部２３９から通信制御部２３９ｂを経由して管理装置５００に転送されるデータのデータ転送経路は、１−１−１等という識別番号を付与される。また、主制御部２３９は、このように識別番号が付与された１−１−１〜１−１−ｘの転送経路で計測された結果の累積情報に対して、１−１という識別番号を付与し転送情報に格納する。 Here, assignment of an identification number will be described. For example, the data transfer path of data transferred from the main control unit 239 to the management apparatus 500 via the communication control unit 239b is assigned an identification number such as 1-1-1. Further, the main control unit 239 assigns an identification number of 1-1 to the accumulated information of the results measured on the transfer paths 1-1-1 to 1-1-x to which the identification numbers are assigned in this way. Assigned and stored in transfer information.

次に、主制御部２３９は、データ保存部２３９ｅに保存された各転送経路のデータから、データ変化量及びデータ流量を算出し、これらの累積情報とともに図３に示す転送情報のテーブルに格納し、データ保存部２３９ｅに保存する（Ｓ１０３）。 Next, the main control unit 239 calculates the data change amount and the data flow rate from the data of each transfer path stored in the data storage unit 239e, and stores them together with the accumulated information in the transfer information table shown in FIG. The data is stored in the data storage unit 239e (S103).

ここで、図３に示す転送情報のテーブルについて説明する。このテーブルには、識別番号が付与された各転送経路の情報がデータ変化量及びデータ流量に分けて計測時間毎に格納されている。１−１−１経路を通過した１〜ｐ番目のデータは、各々１００ｍｓｅｃ．間隔でデータ変化数が計測され、１秒間当たりのデータ変化数をデータ変化量として算出され、転送情報に格納されている。そして、データ流量は、計測時間毎のデータ変化量の合計として転送情報のテーブルに格納されている。そして、１−１経路の欄には、１−１−１〜１−１−ｘ経路のデータ変化量及びデータ流量の累積情報が格納されている。このように、図３に示すテーブルには、すべての転送経路におけるデータ変化量及びデータ流量の転送情報が格納されている。 Here, the transfer information table shown in FIG. 3 will be described. In this table, information on each transfer path to which an identification number is assigned is stored for each measurement time divided into a data change amount and a data flow rate. The 1st to pth data passing through the 1-1-1 path are 100 msec. The number of data changes is measured at intervals, the number of data changes per second is calculated as the data change amount, and stored in the transfer information. The data flow rate is stored in the transfer information table as the total amount of data change for each measurement time. The 1-1 path column stores data change amount and data flow accumulation information of the 1-1-1 to 1-1-x path. As described above, the table shown in FIG. 3 stores data change amounts and data flow rate transfer information in all transfer paths.

次に、主制御部２３９は、データ保存部２３９ｅに保存された転送情報から、データ変化量及びデータ流量が正常か否か判断する（Ｓ１０４）。判断方法としては、以下に説明する方法が挙げられる。例えば、図４に示すように、管理者は、処理炉２０２で行う基板の処理条件（レシピ）に基づき、データ変化数が一定値を示す区間を、入力手段２４０ｂから指定する。そして、管理者は、データの転送状態が正常に保たれるようなデータ変化量の閾値を、入力手段２４０ｂにより設定する。また、図５に示すように、管理者は、レシピに基づきデータ流量が一定値を示す区間及びデータ流量の閾値を入力手段５０６により設定する。そして、制御部５０１は、図４や図５のように設定された閾値から超えた場合に、データ流量異常を認識する。そして、主制御部２３９は、データ変化量及びデータ流量が設定した閾値から超えた場合に、データ変化量異常やデータ流量異常を認識する。 Next, the main control unit 239 determines whether or not the data change amount and the data flow rate are normal from the transfer information stored in the data storage unit 239e (S104). Examples of the determination method include the methods described below. For example, as shown in FIG. 4, the administrator designates a section where the number of data changes is a constant value from the input unit 240 b based on the substrate processing conditions (recipe) performed in the processing furnace 202. Then, the administrator uses the input unit 240b to set a data change amount threshold value so that the data transfer state is kept normal. Further, as shown in FIG. 5, the administrator sets a section where the data flow rate is a constant value and a threshold value of the data flow rate using the input unit 506 based on the recipe. Then, the control unit 501 recognizes an abnormal data flow rate when the threshold value set as shown in FIGS. 4 and 5 is exceeded. The main control unit 239 recognizes a data change amount abnormality or a data flow rate abnormality when the data change amount and the data flow rate exceed the set threshold values.

また、この他の判断方法としては、主制御部２３９は、データ保存部２３９ｅに保存された各転送経路毎のデータに対して統計解析を行うことにより、データ変化量やデータ流量の異常を認識する方法が挙げられる。 As another determination method, the main control unit 239 performs statistical analysis on the data for each transfer path stored in the data storage unit 239e, thereby recognizing an abnormality in the data change amount or the data flow rate. The method of doing is mentioned.

主制御部２３９は、これらの判断方法によりデータ変化量異常を判断し、データ変化量が正常な範囲を超えた場合には、データ表示部２４０ａによりアラームを発行させ（Ｓ１０５）動作を終了する。一方、主制御部２３９は、データ変化量が正常な範囲内である場合にはその後動作を終了する。 The main control unit 239 determines an abnormality in the data change amount by these determination methods, and if the data change amount exceeds the normal range, the data display unit 240a issues an alarm (S105) and ends the operation. On the other hand, when the data change amount is within a normal range, the main control unit 239 ends the operation thereafter.

また、主制御部２３９は、転送情報を算出しデータ保存部２３９ｅに保存した後、レシピ実行時のトレースデータとともにグラフ表示し（Ｓ１０６）動作を終了する。 Further, the main control unit 239 calculates transfer information and stores it in the data storage unit 239e, and then displays the graph together with the trace data at the time of recipe execution (S106) and ends the operation.

（２）管理装置
（２−１）管理装置の構成
次に、本実施の形態にかかる管理装置５００について説明する。管理装置５００は、図１に示すように、制御部５０１、共有メモリ５０２、データ履歴テーブル５０２ｔ、データ保存部５０３、参照テーブル５０３ｔ、通信制御部５０４、ディスプレイ装置などのデータ表示部５０５及びキーボード等の入力手段５０６を有する。各構成について、以下に詳述する。 (2) Management Device (2-1) Configuration of Management Device Next, the management device 500 according to the present embodiment will be described. As shown in FIG. 1, the management device 500 includes a control unit 501, a shared memory 502, a data history table 502t, a data storage unit 503, a reference table 503t, a communication control unit 504, a data display unit 505 such as a display device, a keyboard, and the like. Input means 506. Each configuration will be described in detail below.

制御部５０１は、中央処理装置（ＣＰＵ）で構成されており、また、共有メモリ５０２、データ保存部５０３、通信制御部５０４、データ表示部５０５及び入力手段５０６と接続されている。制御部５０１の動作については、後で詳述する。 The control unit 501 includes a central processing unit (CPU), and is connected to the shared memory 502, the data storage unit 503, the communication control unit 504, the data display unit 505, and the input unit 506. The operation of the control unit 501 will be described in detail later.

データ保存部５０３は、ＨＤＤなどの記憶装置として構成され、図３に示すような参照テーブル５０３ｔが格納されている。参照テーブル５０３ｔには、図３に示すような転送情報や処理炉２０２のレシピがグラフ化され保存されている。 The data storage unit 503 is configured as a storage device such as an HDD, and stores a reference table 503t as shown in FIG. In the reference table 503t, transfer information as shown in FIG. 3 and the recipe of the processing furnace 202 are graphed and stored.

通信制御部５０４は、基板処理装置用コントローラ２４０の通信制御部２３９ｂ、Ｉ／Ｏ制御部２３９ｆ及び搬送制御部２３７に接続されている。通信制御部５０４は、基板処理装置１００から転送された転送情報や、各制御部から受信したデータを制御部５０１へ送信する。 The communication control unit 504 is connected to the communication control unit 239b, the I / O control unit 239f, and the transfer control unit 237 of the substrate processing apparatus controller 240. The communication control unit 504 transmits the transfer information transferred from the substrate processing apparatus 100 and the data received from each control unit to the control unit 501.

（２−２）管理装置の動作
本実施の形態にかかる管理装置５００の動作について説明する。管理装置５００の動作は、基板処理装置１００の動作と概ね同様なため、図２に示すフローチャートに沿って説明する。 (2-2) Operation of Management Device The operation of the management device 500 according to this embodiment will be described. Since the operation of the management apparatus 500 is substantially the same as that of the substrate processing apparatus 100, the operation will be described with reference to the flowchart shown in FIG.

まず、制御部５０１は、図１中の点線で表される各データ転送経路から通信制御部５０４で受信されたデータを通信制御部５０４から受信し、データ保存部５０３に保存する（Ｓ１０１）。次に、制御部５０１は、前述と同様に、各データ転送経路に識別番号を付与し（Ｓ１０２）、各転送経路のデータから、図３に示す転送情報を算出しデータ保存部５０３に保存する（Ｓ１０３）。 First, the control unit 501 receives data received by the communication control unit 504 from each data transfer path represented by a dotted line in FIG. 1 from the communication control unit 504, and stores it in the data storage unit 503 (S101). Next, as described above, the control unit 501 assigns an identification number to each data transfer path (S102), calculates transfer information shown in FIG. 3 from the data of each transfer path, and stores it in the data storage unit 503. (S103).

そして、例えば、図４及び図５に示す方法で、データ変化量及びデータ流量の転送情報から転送状態が正常か否か判断する（Ｓ１０４）。制御部５０１は、転送状態が正常な範囲を超えた場合には、データ表示部５０５によりアラームを発行させ（Ｓ１０５）動作を終了する。一方、制御部５０１は、転送状態が正常な範囲内である場合にはその後動作を終了する。また、制御部５０１は、転送情報を算出し保存した後、レシピ実行時のトレースデータと一緒にグラフ表示し（Ｓ１０６）動作を終了する。また、制御部５０１は、転送情報を算出しデータ保存部５０３に保存した後、レシピ実行時のトレースデータとともにグラフ表示し（Ｓ１０６）動作を終了する。 Then, for example, by the method shown in FIGS. 4 and 5, it is determined whether or not the transfer state is normal from the transfer information of the data change amount and the data flow (S104). When the transfer state exceeds the normal range, the control unit 501 issues an alarm by the data display unit 505 (S105) and ends the operation. On the other hand, when the transfer state is within a normal range, the control unit 501 ends the operation thereafter. Further, the control unit 501 calculates and stores the transfer information, displays the graph together with the trace data at the time of executing the recipe (S106), and ends the operation. Further, the control unit 501 calculates transfer information and stores it in the data storage unit 503, and then displays the graph together with the trace data at the time of executing the recipe (S106) and ends the operation.

なお、基板処理装置１００及び管理装置５００の機能は、各々データ保存部２３９ｅ及び５０３と、ＣＰＵにより機能する主制御部２３９及び制御部５０１が協働することにより実現される。 The functions of the substrate processing apparatus 100 and the management apparatus 500 are realized by the cooperation of the data storage units 239e and 503 and the main control unit 239 and the control unit 501 functioning by the CPU.

以上のように、本実施の形態にかかる基板処理システム１は、データの転送経路毎にデータ転送状態を監視し、データ転送異常が発生する前の転送状態を表示することができる。このため、データ変化量やデータ流量が変化し始めてから転送異常が発生するまでの経緯を認識することができる。従って、どのレシピの実行時にどの程度の転送異常がどこの転送経路で発生したか容易に確認することが可能となる。また、データ転送状態が正常な場合であっても、閾値に近いデータ流量又はデータ変化量が継続する場合には、データ転送状態に余裕を持たせるための処置を可及的速やかに実行することができる。このため、本実施の形態にかかる基板処理システム１は、データ転送異常を事前に防ぐことも可能になる。 As described above, the substrate processing system 1 according to the present embodiment can monitor the data transfer state for each data transfer path and display the transfer state before the data transfer abnormality occurs. For this reason, it is possible to recognize the circumstances from when the data change amount or the data flow rate starts to change until the transfer abnormality occurs. Therefore, it is possible to easily confirm how much transfer abnormality has occurred in which transfer path when executing which recipe. In addition, even if the data transfer status is normal, if the data flow rate or data change amount close to the threshold value continues, take measures to provide a margin for the data transfer status as soon as possible. Can do. For this reason, the substrate processing system 1 according to the present embodiment can prevent data transfer abnormalities in advance.

（３）基板処理装置のメカ機構
（３−１）基板処理装置のメカ機構の構成
続いて、本実施の形態にかかる基板処理装置１００のメカ機構の構成について、図６及び図７を参照しながら説明する。図６は、本実施の形態における基板処理装置の斜透視図である。図７は、本実施の形態における基板処理装置の側面透視図である。なお、本実施の形態にかかる基板処理装置１００は、例えばウエハ等の基板に酸化、拡散処理、ＣＶＤ処理などを行なう縦型の装置として構成されている。 (3) Mechanical Mechanism of Substrate Processing Apparatus (3-1) Configuration of Mechanical Mechanism of Substrate Processing Apparatus Next, the configuration of the mechanical mechanism of the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. While explaining. FIG. 6 is a perspective view of the substrate processing apparatus in the present embodiment. FIG. 7 is a side perspective view of the substrate processing apparatus in the present embodiment. The substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment is configured as a vertical apparatus that performs oxidation, diffusion processing, CVD processing, and the like on a substrate such as a wafer.

図６及び図７に示すように、本実施の形態にかかる基板処理装置１００は、耐圧容器として構成された筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設されている。正面メンテナンス口１０３には、正面メンテナンス口１０３を開閉する一対の正面メンテナンス扉１０４が設けられている。シリコン等のウエハ（基板）２００を収納したポッド（基板収容器）１１０が、筐体１１１内外へウエハ２００を搬送するキャリアとして使用される。 As shown in FIGS. 6 and 7, the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment includes a casing 111 configured as a pressure vessel. A front maintenance port 103 serving as an opening provided for maintenance is provided in the front front portion of the front wall 111a of the casing 111. The front maintenance port 103 is provided with a pair of front maintenance doors 104 that open and close the front maintenance port 103. A pod (substrate container) 110 containing a wafer (substrate) 200 such as silicon is used as a carrier for transporting the wafer 200 into and out of the housing 111.

筐体１１１の正面壁１１１ａには、ポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が、筐体１１１内外を連通するように開設されている。ポッド搬入搬出口１１２は、フロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側には、ロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されている。ロードポート１１４上では、ポッド１１０を載置されると共に位置合わせされるように構成されている。ポッド１１０は、工程内搬送装置（図示せず）によってロードポート１１４上に搬送されるように構成されている。 A pod loading / unloading port (substrate container loading / unloading port) 112 is opened on the front wall 111 a of the housing 111 so as to communicate between the inside and the outside of the housing 111. The pod loading / unloading port 112 is opened and closed by a front shutter (substrate container loading / unloading port opening / closing mechanism) 113. A load port (substrate container delivery table) 114 is installed on the front front side of the pod loading / unloading port 112. On the load port 114, the pod 110 is placed and positioned. The pod 110 is configured to be transferred onto the load port 114 by an in-process transfer device (not shown).

筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されている。回転式ポッド棚１０５上には複数個のポッド１１０が保管されるように構成されている。回転式ポッド棚１０５は、垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７と、を備えている。複数枚の棚板１１７は、ポッド１１０を複数個それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。 A rotary pod shelf (substrate container mounting shelf) 105 is installed at an upper portion of the housing 111 at a substantially central portion in the front-rear direction. A plurality of pods 110 are stored on the rotary pod shelf 105. The rotary pod shelf 105 includes a support column 116 that is erected vertically and intermittently rotates in a horizontal plane, and a plurality of shelf plates (substrate container mounting table) that are radially supported by the support column 116 at each of the upper, middle, and lower levels. 117). The plurality of shelf plates 117 are configured to hold a plurality of pods 110 in a state where they are mounted.

筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと、搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を相互に搬送するように構成されている。 A pod transfer device (substrate container transfer device) 118 is installed between the load port 114 and the rotary pod shelf 105 in the housing 111. The pod transfer device 118 includes a pod elevator (substrate container lifting mechanism) 118a that can be moved up and down while holding the pod 110, and a pod transfer mechanism (substrate container transfer mechanism) 118b as a transfer mechanism. The pod transfer device 118 moves the pod 110 between the load port 114, the rotary pod shelf 105, and the pod opener (substrate container lid opening / closing mechanism) 121 by the continuous operation of the pod elevator 118a and the pod transfer mechanism 118b. It is comprised so that it may convey mutually.

筐体１１１内の下部には、サブ筐体１１９が、筐体１１１内の前後方向の略中央部から後端にわたって設けられている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａには、ウエハ２００をサブ筐体１１９内外に搬送する一対のウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が、垂直方向に上下二段に並べられて設けられている。上下段のウエハ搬入搬出口１２０には、ポッドオープナ１２１がそれぞれ設置されている。 A sub-housing 119 is provided at a lower portion in the housing 111 from a substantially central portion in the front-rear direction in the housing 111 to a rear end. A pair of wafer loading / unloading ports (substrate loading / unloading ports) 120 that transfer the wafer 200 into and out of the sub-casing 119 are provided on the front wall 119a of the sub-casing 119 so as to be arranged vertically in two stages. Yes. Pod openers 121 are respectively installed at the upper and lower wafer loading / unloading ports 120.

各ポッドオープナ１２１は、ポッド１１０を載置する一対の載置台１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は、載置台１２２上に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。 Each pod opener 121 includes a pair of mounting bases 122 on which the pod 110 is mounted, and a cap attaching / detaching mechanism (lid attaching / detaching mechanism) 123 that attaches / detaches a cap (cover) of the pod 110. The pod opener 121 is configured to open and close the wafer loading / unloading port of the pod 110 by attaching / detaching the cap of the pod 110 placed on the placing table 122 by the cap attaching / detaching mechanism 123.

サブ筐体１１９内には、ポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５等が設置された空間から流体的に隔絶された移載室１２４が構成されている。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降させるウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。図７に示すように、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは、サブ筐体１１９の移載室１２４前方領域右端部と筐体１１１右側端部との間に設置されている。ウエハ移載装置１２５ａは、ウエハ２００の載置部としてのツイーザ（基板保持体）１２５ｃを備えている。これらウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ２００をボート（基板保持具）２１７に対して装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）することが可能なように構成されている。 In the sub casing 119, a transfer chamber 124 that is fluidly isolated from a space in which the pod transfer device 118, the rotary pod shelf 105, and the like are installed is configured. A wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125 is installed in the front region of the transfer chamber 124. The wafer transfer mechanism 125 includes a wafer transfer device (substrate transfer device) 125a capable of rotating or linearly moving the wafer 200 in the horizontal direction, and a wafer transfer device elevator (substrate transfer device) that moves the wafer transfer device 125a up and down. (Elevating mechanism) 125b. As shown in FIG. 7, the wafer transfer apparatus elevator 125 b is installed between the right end of the front area of the transfer chamber 124 and the right end of the casing 111 of the sub casing 119. The wafer transfer device 125 a includes a tweezer (substrate holding body) 125 c as a mounting portion for the wafer 200. By continuous operation of the wafer transfer device elevator 125b and the wafer transfer device 125a, the wafer 200 can be loaded (charged) and unloaded (discharged) from the boat (substrate holder) 217. It is configured.

移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。待機部１２６の上方には、基板処理系としての処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。 In the rear region of the transfer chamber 124, a standby unit 126 that houses and waits for the boat 217 is configured. A processing furnace 202 serving as a substrate processing system is provided above the standby unit 126. The lower end portion of the processing furnace 202 is configured to be opened and closed by a furnace port shutter (furnace port opening / closing mechanism) 147.

図６に示すように、サブ筐体１１９の待機部１２６右端部と筐体１１１右側端部との間には、ボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台には、連結具としてのアーム１２８が連結されている。アーム１２８には、蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられている。シールキャップ２１９は、ボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。 As shown in FIG. 6, a boat elevator (substrate holder lifting mechanism) 115 for raising and lowering the boat 217 is installed between the right end of the standby section 126 and the right end of the casing 111 of the sub casing 119. ing. An arm 128 as a connecting tool is connected to the elevator platform of the boat elevator 115. A seal cap 219 serving as a lid is horizontally installed on the arm 128. The seal cap 219 is configured to support the boat 217 vertically and to close the lower end portion of the processing furnace 202.

ボート２１７は複数本の保持部材を備えている。ボート２１７は、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２００を、その中心を揃えて垂直方向に整列させた状態でそれぞれ水平に保持するように構成されている。 The boat 217 includes a plurality of holding members. The boat 217 is configured to hold a plurality of wafers 200 (for example, about 50 to 125 wafers) horizontally in a state where the centers are aligned in the vertical direction.

図６に示すように、移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側及びボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給フアン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されている。ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、図示はしないが、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置が設置されている。 As shown in FIG. 6, clean air 133, which is a cleaned atmosphere or inert gas, is supplied to the left end of the transfer chamber 124 opposite to the wafer transfer device elevator 125b side and the boat elevator 115 side. A clean unit 134 composed of a supply fan and a dustproof filter is installed. Although not shown, a notch alignment device as a substrate alignment device for aligning the circumferential position of the wafer is installed between the wafer transfer device 125a and the clean unit 134.

クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、図示しないノッチ合わせ装置、ウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７の周囲を流通した後、図示しないダクトにより吸い込まれて筐体１１１の外部に排気されるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環されてクリーンユニット１３４によって移載室１２４内に再び吹き出されるように構成されている。 The clean air 133 blown out from the clean unit 134 flows around the boat 217 in the notch alignment device, wafer transfer device 125a, and standby unit 126 (not shown), and is then sucked in by a duct (not shown) to the outside of the casing 111. Or is circulated to the primary side (supply side) that is the suction side of the clean unit 134 and is blown out again into the transfer chamber 124 by the clean unit 134.

（３−２）基板処理装置のメカ機構の動作
次に、本実施の形態にかかる基板処理装置１００のメカ機構の動作について、図６及び図７を参照しながら説明する。なお、ここで説明する基板処理装置１００の動作とは、前述の基板処理装置１００のメカ機構の動作を表す。また、以下に説明する動作は、前述の基板処理装置用コントローラ２４０の主制御部等により制御され、その結果として動作している。 (3-2) Operation of Mechanical Mechanism of Substrate Processing Apparatus Next, the operation of the mechanical mechanism of the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. The operation of the substrate processing apparatus 100 described here represents the operation of the mechanical mechanism of the substrate processing apparatus 100 described above. The operations described below are controlled by the main control unit of the substrate processing apparatus controller 240 described above, and operate as a result.

図６及び図７に示すように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放される。そして、ロードポート１１４の上のポッド１１０が、ポッド搬送装置１１８によってポッド搬入搬出口１１２から筐体１１１内部へと搬入される。 As shown in FIGS. 6 and 7, when the pod 110 is supplied to the load port 114, the pod loading / unloading port 112 is opened by the front shutter 113. Then, the pod 110 on the load port 114 is carried into the housing 111 from the pod carry-in / out port 112 by the pod carrying device 118.

筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって回転式ポッド棚１０５の棚板１１７上へ自動的に搬送されて一時的に保管された後、棚板１１７上から一方のポッドオープナ１２１の載置台１２２上に移載される。なお、筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって直接ポッドオープナ１２１の載置台１２２上に移載されてもよい。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４内にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４内にクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、移載室１２４内の酸素濃度が例えば２０ｐｐｍ以下となり、大気雰囲気である筐体１１１内の酸素濃度よりも遥かに低くなるように
設定されている。 The pod 110 carried into the housing 111 is automatically transported and temporarily stored on the shelf plate 117 of the rotary pod shelf 105 by the pod transport device 118, and then one of the pods 110 from the shelf plate 117. It is transferred onto the mounting table 122 of the pod opener 121. Note that the pod 110 carried into the housing 111 may be directly transferred onto the mounting table 122 of the pod opener 121 by the pod transfer device 118. At this time, the wafer loading / unloading port 120 of the pod opener 121 is closed by the cap attaching / detaching mechanism 123, and clean air 133 is circulated and filled in the transfer chamber 124. For example, when the transfer chamber 124 is filled with nitrogen gas as clean air 133, the oxygen concentration in the transfer chamber 124 becomes, for example, 20 ppm or less, which is much lower than the oxygen concentration in the casing 111 that is an atmospheric atmosphere. It is set to be.

載置台１２２上に載置されたポッド１１０は、その開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口が開放される。その後、ウエハ２００は、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてポッド１１０内からピックアップされ、ノッチ合わせ装置にて方位が整合された後、移載室１２４の後方にある待機部１２６内へ搬入され、ボート２１７内に装填（チャージング）される。ボート２１７内にウエハ２００を装填したウエハ移載装置１２５ａは、ポッド１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７内に装填する。 The pod 110 mounted on the mounting table 122 is pressed against the opening edge of the wafer loading / unloading port 120 in the front wall 119a of the sub-housing 119, and the cap is removed by the cap attaching / detaching mechanism 123. Then, the wafer loading / unloading port is opened. Thereafter, the wafer 200 is picked up from the pod 110 through the wafer loading / unloading port by the tweezer 125c of the wafer transfer device 125a, aligned in the notch alignment device, and then in the standby unit 126 at the rear of the transfer chamber 124. Are loaded into the boat 217 (charging). The wafer transfer device 125 a loaded with the wafer 200 in the boat 217 returns to the pod 110 and loads the next wafer 200 into the boat 217.

この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハのボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１の載置台１２２上には、別のポッド１１０が回転式ポッド棚１０５上からポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。 During the loading operation of the wafer into the boat 217 by the wafer transfer mechanism 125 in the one (upper or lower) pod opener 121, another pod is placed on the mounting table 122 of the other (lower or upper) pod opener 121. 110 is transferred from the rotary pod shelf 105 by the pod transfer device 118 and transferred, and the opening operation of the pod 110 by the pod opener 121 is simultaneously performed.

予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７内に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７は、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されていく。 When a predetermined number of wafers 200 are loaded into the boat 217, the lower end portion of the processing furnace 202 closed by the furnace port shutter 147 is opened by the furnace port shutter 147. Subsequently, the boat 217 holding the wafer 200 group is loaded into the processing furnace 202 when the seal cap 219 is lifted by the boat elevator 115.

ローディング後は、処理炉２０２内にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、ノッチ合わせ装置でのウエハの整合工程を除き、上述の手順とほぼ逆の手順で、処理後のウエハ２００を格納したボート２１７が処理室２０１内より搬出され、処理後のウエハ２００を格納したポッド１１０が筐体１１１外へと搬出される。 After loading, arbitrary processing is performed on the wafer 200 in the processing furnace 202. After the processing, except for the wafer alignment process in the notch aligning apparatus, the boat 217 storing the processed wafers 200 is unloaded from the processing chamber 201 in a procedure almost opposite to the above procedure, and the processed wafers 200 are processed. Is carried out of the casing 111.

（４）処理炉
（４−１）処理炉の構成
続いて、本実施の形態にかかる処理炉２０２の構成について、図８を用いて説明する。図８は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の処理炉の縦断面図である。 (4) Processing Furnace (4-1) Configuration of Processing Furnace Next, the configuration of the processing furnace 202 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a longitudinal sectional view of a processing furnace of the substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention.

図８に示すように、処理炉２０２は、反応管としてのプロセスチューブ２０３を備えている。プロセスチューブ２０３は、内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５と、を備えている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４内の筒中空部には、基板としてのウエハ２００を処理する処理室２０１が形成されている。処理室２０１内は後述するボート２１７を収容可能なように構成されている。アウターチューブ２０５は、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。アウターチューブ２０５は、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく、上端が閉塞し下
端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなる。 As shown in FIG. 8, the processing furnace 202 includes a process tube 203 as a reaction tube. The process tube 203 includes an inner tube 204 as an internal reaction tube and an outer tube 205 as an external reaction tube provided on the outside thereof. The inner tube 204 is made of a heat resistant material such as quartz (SiO 2) or silicon carbide (SiC), and is formed in a cylindrical shape with an upper end and a lower end opened. A processing chamber 201 for processing a wafer 200 as a substrate is formed in a hollow cylindrical portion in the inner tube 204. The processing chamber 201 is configured to accommodate a boat 217 described later. The outer tube 205 is provided concentrically with the inner tube 204. The outer tube 205 has an inner diameter larger than the outer diameter of the inner tube 204, is formed in a cylindrical shape with the upper end closed and the lower end opened. The outer tube 205 is made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide.

プロセスチューブ２０３の外側には、プロセスチューブ２０３の側壁面を囲うように、加熱機構としてのヒータ２０６が設けられている。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。 A heater 206 as a heating mechanism is provided outside the process tube 203 so as to surround the side wall surface of the process tube 203. The heater 206 has a cylindrical shape and is vertically installed by being supported by a heater base 251 as a holding plate.

アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状になるように、マニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４の下端部とアウターチューブ２０５の下端部とにそれぞれ係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により反応容器が形成される。 A manifold 209 is disposed below the outer tube 205 so as to be concentric with the outer tube 205. The manifold 209 is made of, for example, stainless steel and is formed in a cylindrical shape with an upper end and a lower end opened. The manifold 209 is engaged with the lower end portion of the inner tube 204 and the lower end portion of the outer tube 205, and is provided so as to support them. An O-ring 220a as a seal member is provided between the manifold 209 and the outer tube 205. By supporting the manifold 209 on the heater base 251, the process tube 203 is installed vertically. A reaction vessel is formed by the process tube 203 and the manifold 209.

後述するシールキャップ２１９には、ガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１内に連通するように接続されている。ノズル２３０には、ガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２の上流側（ノズル２３０との接続側と反対側）には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して、図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源等が接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されている。ガス流量制御部２３５は、処理室２０１内に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、ＭＦＣ２４１を制御するように構成されている。 A nozzle 230 as a gas introduction unit is connected to a seal cap 219 described later so as to communicate with the inside of the processing chamber 201. A gas supply pipe 232 is connected to the nozzle 230. On the upstream side of the gas supply pipe 232 (on the side opposite to the side connected to the nozzle 230), a processing gas supply source, an inert gas supply source, etc. (not shown) are connected via an MFC (mass flow controller) 241 as a gas flow rate controller. Is connected. A gas flow rate control unit 235 is electrically connected to the MFC 241. The gas flow rate control unit 235 is configured to control the MFC 241 so that the flow rate of the gas supplied into the processing chamber 201 becomes a desired flow rate at a desired timing.

マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１の下流側（マニホールド２０９との接続側と反対側）には、圧力検出器としての圧力センサ２４５、例えばＡＰＣ（ＡｕｔｏＰｒｅｓｓｕｒｅＣｏｎｔｏｒｏｌｌｅｒ）として構成された圧力調整装置２４２、真空ポンプ等の真空排気装置２４６が上流側から順に接続されている。圧力調整装置２４２及び圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されている。圧力制御部２３６は、圧力センサ２４５により検出された圧力値に基づいて、処理室２０１内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧
力となるように、圧力調整装置２４２を制御するように構成されている。 The manifold 209 is provided with an exhaust pipe 231 that exhausts the atmosphere in the processing chamber 201. The exhaust pipe 231 is disposed at the lower end portion of the cylindrical space 250 formed by the gap between the inner tube 204 and the outer tube 205 and communicates with the cylindrical space 250. On the downstream side of the exhaust pipe 231 (on the side opposite to the connection side with the manifold 209), a pressure sensor 245 as a pressure detector, for example, a pressure adjusting device 242 configured as an APC (Auto Pressure Controller), a vacuum such as a vacuum pump, etc. The exhaust device 246 is connected in order from the upstream side. A pressure controller 236 is electrically connected to the pressure adjusting device 242 and the pressure sensor 245. The pressure control unit 236 is configured to control the pressure adjustment device 242 so that the pressure in the processing chamber 201 becomes a desired pressure at a desired timing based on the pressure value detected by the pressure sensor 245. ing.

マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。シールキャップ２１９の中心部付近であって処理室２０１と反対側には、ボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７を下方から支持している。回転機構２５４は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させることが可能なように構成されている。シールキャップ２１９は、プロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ２１９を昇降させることにより、ボート２１７を処理室２０１内外へ搬送することが可能なように構成されている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、搬送制御部としての駆動制御部２３７が電気的に接続されている。駆動制御部２３７は、回転機構２５４及びボートエレベータ１１５が所望のタイミングにて所望の動作をするように、これらを制御するように構成されている。 Below the manifold 209, a seal cap 219 is provided as a furnace port lid that can airtightly close the lower end opening of the manifold 209. The seal cap 219 is brought into contact with the lower end of the manifold 209 from the lower side in the vertical direction. The seal cap 219 is made of a metal such as stainless steel and has a disk shape. On the upper surface of the seal cap 219, an O-ring 220b is provided as a seal member that comes into contact with the lower end of the manifold 209. A rotation mechanism 254 for rotating the boat is installed near the center of the seal cap 219 and on the side opposite to the processing chamber 201. The rotation shaft 255 of the rotation mechanism 254 passes through the seal cap 219 and supports the boat 217 from below. The rotation mechanism 254 is configured to rotate the wafer 200 by rotating the boat 217. The seal cap 219 is configured to be lifted and lowered in the vertical direction by a boat elevator 115 as a lifting mechanism vertically installed outside the process tube 203. By moving the seal cap 219 up and down, the boat 217 can be transferred into and out of the processing chamber 201. A drive control unit 237 as a conveyance control unit is electrically connected to the rotation mechanism 254 and the boat elevator 115. The drive control unit 237 is configured to control the rotation mechanism 254 and the boat elevator 115 so as to perform a desired operation at a desired timing.

上述したように、基板保持具としてのボート２１７は、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。ボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる。ボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるように構成されている。 As described above, the boat 217 as a substrate holder is configured to hold a plurality of wafers 200 in a multi-stage by aligning the wafers 200 in a horizontal posture and in a state where their centers are aligned with each other. The boat 217 is made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide. At the bottom of the boat 217, a plurality of heat insulating plates 216 as a disk-shaped heat insulating member made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide are arranged in multiple stages in a horizontal posture. It is configured to be difficult to be transmitted to the manifold 209 side.

プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６と温度センサ２６３とには、電気的に温度制御部２３８が接続されている。温度制御部２３８は、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づいて、処理室２０１内の温度が所望のタイミングにて所望の温度分布となるように、ヒータ２０６への通電具合を調整するように構成されている。 A temperature sensor 263 is installed in the process tube 203 as a temperature detector. A temperature controller 238 is electrically connected to the heater 206 and the temperature sensor 263. Based on the temperature information detected by the temperature sensor 263, the temperature control unit 238 adjusts the power supply to the heater 206 so that the temperature in the processing chamber 201 becomes a desired temperature distribution at a desired timing. It is configured.

ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８は、基板処理装置全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。基板処理装置用コントローラ２４０は、これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、及び主制御部２３９を含む構成である。尚、基板処理装置用コントローラ２４０の構成や動作については、後述する。 The gas flow rate control unit 235, the pressure control unit 236, the drive control unit 237, and the temperature control unit 238 are electrically connected to a main control unit 239 that controls the entire substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus controller 240 includes a gas flow rate control unit 235, a pressure control unit 236, a drive control unit 237, a temperature control unit 238, and a main control unit 239. The configuration and operation of the substrate processing apparatus controller 240 will be described later.

（４−２）処理炉の動作
続いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、上記構成に係る処理炉２０２を用いてＣＶＤ法によりウエハ２００上に薄膜を形成する方法について、図８を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作は基板処理装置用コントローラ２４０により制御される。 (4-2) Operation of Processing Furnace Subsequently, as a step of the semiconductor device manufacturing process, refer to FIG. 8 for a method of forming a thin film on the wafer 200 by CVD using the processing furnace 202 according to the above configuration. While explaining. In the following description, the operation of each part constituting the substrate processing apparatus is controlled by the substrate processing apparatus controller 240.

複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図８に示すように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。 When a plurality of wafers 200 are loaded into the boat 217 (wafer charge), as shown in FIG. 8, the boat 217 holding the plurality of wafers 200 is lifted by the boat elevator 115 and loaded into the processing chamber 201 ( Boat loading). In this state, the seal cap 219 seals the lower end of the manifold 209 via the O-ring 220b.

処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように、真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、圧力センサ２４５が測定した圧力値に基づき、圧力調整装置２４２（の弁の開度）がフィードバック制御される。また、処理室２０１内が所望の温度となるように、ヒータ２０６によって加熱される。この際、温度センサ２６３が検出した温度値に基づき、ヒータ２０６への通電量がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４により、ボート２１７及びウエハ２００が回転させられる。 The processing chamber 201 is evacuated by the evacuation device 246 so that a desired pressure (degree of vacuum) is obtained. At this time, based on the pressure value measured by the pressure sensor 245, the pressure adjusting device 242 (the opening degree of the valve) is feedback-controlled. In addition, the heater 206 is heated so that the inside of the processing chamber 201 has a desired temperature. At this time, the energization amount to the heater 206 is feedback controlled based on the temperature value detected by the temperature sensor 263. Subsequently, the boat 217 and the wafers 200 are rotated by the rotation mechanism 254.

次いで、処理ガス供給源から供給されてＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管２３２内を流通してノズル２３０から処理室２０１内に導入される。導入されたガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０内に流出して排気管２３１から排気される。ガスは、処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。 Next, the gas supplied from the processing gas supply source and controlled to have a desired flow rate by the MFC 241 flows through the gas supply pipe 232 and is introduced into the processing chamber 201 from the nozzle 230. The introduced gas rises in the processing chamber 201, flows out from the upper end opening of the inner tube 204 into the cylindrical space 250, and is exhausted from the exhaust pipe 231. The gas comes into contact with the surface of the wafer 200 when passing through the processing chamber 201, and at this time, a thin film is deposited on the surface of the wafer 200 by a thermal CVD reaction.

予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室２０１内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。 When a preset processing time has passed, an inert gas is supplied from an inert gas supply source, the inside of the processing chamber 201 is replaced with an inert gas, and the pressure in the processing chamber 201 is returned to normal pressure. .

その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されてマニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ２００を保持するボート２１７がマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部へと搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済のウエハ２００はボート２１７より取り出され、ポッド１１０内へ格納される（ウエハディスチャージ）。 Thereafter, the seal cap 219 is lowered by the boat elevator 115 to open the lower end of the manifold 209, and the boat 217 holding the processed wafer 200 is carried out from the lower end of the manifold 209 to the outside of the process tube 203 (boat unloading). Loading). Thereafter, the processed wafer 200 is taken out from the boat 217 and stored in the pod 110 (wafer discharge).

本実施の形態にかかる基板処理システム１は、基板処理装置の一例として半導体製造装置を示しているが、半導体製造装置に限らず、ＬＣＤ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａｙ）装置のようなガラス基板を処理する装置、露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置、プラズマＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）であってもよい。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等の処理であってもよい。また、成膜処理は、例えばＣＤＶ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。 The substrate processing system 1 according to the present embodiment shows a semiconductor manufacturing apparatus as an example of a substrate processing apparatus, but is not limited to a semiconductor manufacturing apparatus, and an apparatus for processing a glass substrate, such as an LCD (Liquid Crystal Display) apparatus. , An exposure apparatus, a lithography apparatus, a coating apparatus, and plasma CVD (Chemical Vapor Deposition). Further, the specific content of the substrate processing is not questioned, and it may be processing such as annealing processing, oxidation processing, nitriding processing, and diffusion processing as well as film forming processing. Further, the film formation process may be, for example, a process for forming CDV, PVD, an oxide film, a nitride film, or a process for forming a film containing metal.

また、本実施の形態にかかる管理装置５００は、一つの基板処理装置１００を管理しているが、複数の基板処理装置を管理する群管理装置であってもよい。このような群管理装置は、複数の基板処理装置とデータの送受信が可能なように接続されているが、一つの基板処理装置と同様に各々の基板処理装置のデータ転送経路毎にデータの転送状態を確認することができる。 The management apparatus 500 according to the present embodiment manages one substrate processing apparatus 100, but may be a group management apparatus that manages a plurality of substrate processing apparatuses. Such a group management apparatus is connected to a plurality of substrate processing apparatuses so as to be able to transmit and receive data. However, like a single substrate processing apparatus, data transfer is performed for each data transfer path of each substrate processing apparatus. The state can be confirmed.

１基板処理システム、１００基板処理装置、２０２処理炉、２３７搬送制御部（駆動制御部）、２３７ａメカ機構Ｉ／Ｏ制御部、２３９主制御部、２３９ａ処理制御部、２３９ｂ通信制御部、２３９ｅデータ保存部、２３９ｆＩ／Ｏ制御部、２４０基板処理装置用コントローラ、２４０ａデータ表示部、２４０ｂ入力手段、５００管理装置、５０１制御部、５０２共有メモリ、５０３データ保存部、５０３ｔ参照テーブル、５０４通信制御部、５０５データ表示部、５０６入力手段。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing system, 100 Substrate processing apparatus, 202 Processing furnace, 237 Transfer control part (drive control part), 237a Mechanical mechanism I / O control part, 239 Main control part, 239a Processing control part, 239b Communication control part, 239e Data Storage unit, 239f I / O control unit, 240 substrate processing device controller, 240a data display unit, 240b input means, 500 management device, 501 control unit, 502 shared memory, 503 data storage unit, 503t reference table, 504 communication control Part, 505 data display part, 506 input means.

Claims

A substrate processing system having a substrate processing apparatus for processing and transporting a substrate, and a management apparatus for managing the substrate processing apparatus,
The substrate processing apparatus includes:
Output data indicating the processing state and transport state of the substrate,
The transfer state of the output data is measured by a plurality of transfer paths from the location where the output data is output to the management device,
A substrate processing system for displaying the measurement result.