JP2012063155A - 光デバイスユニット及び検出装置 - Google Patents
光デバイスユニット及び検出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012063155A JP2012063155A JP2010205510A JP2010205510A JP2012063155A JP 2012063155 A JP2012063155 A JP 2012063155A JP 2010205510 A JP2010205510 A JP 2010205510A JP 2010205510 A JP2010205510 A JP 2010205510A JP 2012063155 A JP2012063155 A JP 2012063155A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- optical device
- light source
- protrusion group
- raman
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/65—Raman scattering
- G01N21/658—Raman scattering enhancement Raman, e.g. surface plasmons
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
【解決手段】検出装置に着脱可能な光デバイスユニットであって、電気伝導体を有し、光源Aからの光を受けて生じたラマン散乱光を増強可能な光デバイス4と、前記光デバイス4に気体試料を誘導する第1の誘導部420とを含む。前記第1の誘導部420は、前記気体試料を取り込み口から取り込む第1の流路を有し、前記第1の流路は、前記取り込み口と前記光デバイス4との間に、外光の入射線を遮る内壁面を有する。
【選択図】図3
Description
電気伝導体を有し、前記検出装置の光源からの光を受けて生じたラマン散乱光を増強可能な光デバイスと、
前記光デバイスに気体試料を誘導する第1の誘導部とを含むことを特徴とする光デバイスユニットに関係する。
前記第1の流路は、前記取り込み口と前記光デバイスとの間に、外光の入射線を遮る内壁面を有してもよい。
前記第1の流路に空気中の浮遊物を除去するフィルターをさらに含んでもよく、
前記フィルターは、前記外光を遮光してもよい。
前記検出装置によって読み取り可能であり、且つ前記光デバイスを識別する識別コードをさらに含んでもよい。
前記第2の流路は、前記光デバイスに臨む領域で、前記気体試料を旋回させてもよい。
前記第1の誘導部と接続可能な第2の誘導部と、
前記光源と、
前記前記光源からの前記光を前記光デバイスの前記電気伝導体に入射させる第1の光学系と、
前記電気伝導体により散乱または反射された光の中から前記ラマン散乱光を検出する検出器とを含み、
前記第2の誘導部は、前記気体試料を排出口に誘導することを特徴とする検出装置に関係する。
前記第1の突起群の前記複数の突起の各々は、前記電気伝導体の前記仮想平面に対して平行な方向に沿って、第1の周期で配列されてもよく、
前記光源からの前記光が有する偏光方向の前記仮想平面に平行な成分と前記第1の突起群の配列方向とが平行になるように、前記第1の光学系は、前記光源からの前記光を前記第1の突起群に入射させてもよい。
前記第1の突起群の前記複数の突起のいずれか1つに対応する前記第2の突起群の複数の突起の各々は、前記仮想平面に平行な前記方向に沿って、前記第1の周期よりも短い第2の周期で配列されてもよい。
前記第3の突起群の複数の突起の各々は、前記第1の突起群の前記隣り合う突起間で、前記仮想平面に平行な前記方向に沿って、前記第1の周期よりも短い第3の周期で配列されてもよい。
前記第1の共鳴ピーク波長を有する第1の共鳴ピーク波長帯域は、
前記表面プラズモン共鳴に起因する表面増強ラマン散乱における励起波長を有してもよく、
前記第2の共鳴ピーク波長を有する第2の共鳴ピーク波長帯域は、
前記表面増強ラマン散乱におけるラマン散乱波長を有してもよい。
前記ラマン散乱光を前記検出器に導く第2の光学系をさらに含んでもよく、
前記検出器は、前記第2の光学系を介して前記ラマン散乱光を受光してもよい。
1.1.基本構成
図1(A)、図1(B)、図1(C)、図1(D)は、本実施形態の光デバイスユニットを含む検出装置の構成例を示す。図1(A)に示すように、光デバイスユニットは、光デバイス4と誘導部420(第1の誘導部)とを含み、検出装置は、光デバイスユニットと、排出流路423(第2の誘導部)と、光源Aと、光学系と、検出器5とを含む。なお、光デバイスユニットは、検出装置に着脱可能であり、誘導部420と排出流路423とを接続することができる。
図2(A)、図2(B)、図2(C)、図2(D)、図2(E)は、ラマン散乱光の検出原理の説明図を示す。図2(A)の例では、ラマン分光について説明され、標的分子(広義には標的物)に入射光(振動数ν)が照射されると、一般に、入射光の多くは、レイリー散乱光として散乱され、レイリー散乱光の振動数ν又は波長は変化しない。入射光の一部は、ラマン散乱光として散乱され、ラマン散乱光の振動数(ν−ν’及びν+ν’)又は波長は、標的分子の振動数ν’(分子振動)が反映される。入射光の一部は、標的分子を振動させてエネルギーを失うが、標的分子の振動エネルギーがラマン散乱光の振動エネルギー又は光エネルギーに付加されることもある。このような振動数のシフト(ν’)をラマンシフトと呼ぶ。
2.1.全体構成
図3(A)、図3(B)、図3(C)、図3(D)は、本実施形態の光デバイスユニットを含む検出装置の具体的な構成例を示す。以下では、図1等で説明した構成要素と同一の構成要素には同じ符号を付し、適宜説明を省略する。図3(A)の例では、光デバイスユニットが検出装置に組み込まれ、図3(B)の例では、光デバイスユニットが組み込まれる前の検出装置から取り出され、図3(C)の例では、交換用の光デバイスユニットが示される。図3(D)の例では、外光の進入経路が示されている。検出装置の検出感度を高めるために、光デバイスユニットは、検出装置に着脱可能である。使用済みの光デバイスユニットを検出装置から取り外し、新しい光デバイスユニットを検出装置に取り付けることで、誘導部420及び光デバイス4に付着した気体試料が、次の検出又は測定に影響しない。
図5(A)、図5(B)は、垂直共振器面発光レーザーの構造例を示す。図5(A)の例では、n型GaAs基板の上にn型DBR(Diffracted Bragg Reflector)層が形成される。n型DBR(Diffracted Bragg Reflector)層の中央部に活性層及び酸化狭窄層が設けられる。活性層及び酸化狭窄層の上にp型DBR層が設けられる。p型DBR層及びn型DBR層の上に絶縁層を設け、絶縁層の上に電極を形成する。n型GaAs基板の裏側にも電極を形成する。図5の例では、n型DBR層とp型DBR層との間に活性層が介在し、活性層で発生した光がn型DBR層とp型DBR層との間で共振する垂直共振器が形成される。なお、垂直共振器面発光レーザーは、図5(A)の例に限定されず、例えば酸化狭窄層を省略してもよい。
図7(A)、図7(B)、図7(C)は、誘導部及び排出流路423の構成例を示す。図7(A)に示されるように、センサーチップ300付近の流路422は、円筒状構造を有することができる。円筒状構造は、内周面422a及び内周面に垂直な平面422bを有し、内周面422a(壁面)で、基板100(狭義には電気伝導体)の平面(広義には仮想平面)と平行な方向(水平方向)に気体試料を旋回させることができる。気体試料が電気伝導体の仮想平面(例えば横断面)と平行な方向に旋回することを水平旋回又は横旋回と称することができる。センサーチップ300付近の流路422の入口は、吸引流路421の出口と連結し、センサーチップ300付近の流路422の出口は、排出流路423の入口と連結する。吸引流路421の出口から流路422の入口への気体試料の流入方向を平面422bと平行な方向に近づけることで、気体試料は、水平方向に旋回し易くなる。なお、図7(A)に示されるように、主に水平方向の旋回流が生じ、垂直方向の旋回流が生じてもよい。気体試料は、センサーチップ300付近に滞在し、その後、排出流路423から流出する。気体試料がセンサーチップ300付近の増強電場近傍を何度も通過することで、気体試料が増強電場に入り込む確率が高まることになる。
図8(A)、図8(B)、図8(C)、図8(D)、図8(E)は、フォトリソグラフィー法の概要説明図を示す。図8(A)の例では、紫外レーザーを利用した光干渉露光装置の概要を示され、光源として、例えば波長266nm、出力200mWを有する連続発振(CW:Contimuous Wave)レーザー用いることができる。紫外レーザーからの光は、シャッターを経由してミラーで折り返し、ハーフミラーで両側に分岐する。ハーフミラーから分岐される2つの光の各々は、ミラーで折り返し対物レンズ及びピンホールを経由し、これにより、光のビーム径が広がる。ビーム径が広がった紫外レーザーからの光をマスクに照射させることで露光パターンを作り、レジストを塗布した基板100に露光パターンを照射させることができる。この時、両側のマスクからの露光パターンが互いに干渉することにより、干渉パターンをレジスト(基板100)に形成することが可能になる。また、露光パターンを例えばハーフミラー及びCCDカメラを介してモニタで確認することもできる。
例えば図10(C)等に示される光デバイス4の金属ナノ構造(広義には電気伝導体)に光Lin(入射光)を照射する時、一般には、ブロードな表面プラズモン共鳴ピークがひとつしか存在しないため、励起波長(レイリー散乱波長と等しい)とラマン散乱波長に対して、共鳴ピークの位置を適切な位置に設定する必要がある。そのため、共鳴ピーク波長を励起波長とラマン散乱波長の間に設定すれば、励起過程とラマン散乱過程の両方で電場増強効果を期待できる。しかしながら、共鳴ピークがブロードであるため、個々の過程では共鳴の強さが弱くなり、過程全体の増強度は十分とは言えないこともある。そこで、光デバイス4に入射光を斜めに入射して共鳴ピークを2つ生じさせ、その2つの共鳴ピークを励起波長とラマン散乱波長に設定することで、検出感度又はセンサー感度を向上させることができる。
α=αray×αram (1)
上式(1)より、励起過程における増強度とラマン散乱過程における増強度の両方を同時に高め、表面増強ラマン散乱過程における増強度を高めることができる。そのため例えば図11に示すように、励起波長及びラマン散乱波長の近傍だけに強い2つの共鳴ピークを発生させる。これにより、両散乱過程の相乗効果によって、局所電場の増強効果を高めることができる。
図19(A)、図19(B)は、センサーチップに入射光を傾斜させて入射させるための手法の説明図を示す。以下では、図1(B)等で説明した構成要素と同一の構成要素には同じ符号を付し、適宜説明を省略する。図19(A)の例では、光源の光軸Lax1を対物レンズ3の光軸Lax2からずらすことで、センサーチップ300に対して入射光Linを傾斜させる。図19(B)の例では、光源の光軸Lax1を対物レンズ3の光軸Lax2と一致させ、対物レンズ3の光軸Lax2に対してセンサーチップ300を傾斜させて配置することで、センサーチップ300に対して入射光Linを傾斜させる。
図20(A)、図20(B)は、電気伝導体の製造方法の概要説明図を示す。例えば図8(A)等で示すフォトリソグラフィー法で作製する金属ナノ構造はトップダウン法とも言われ、金属ナノ構造は、規則的な配列構造を持ち、増強電場が形成される間隙部も揃っている。それに対して、蒸着によって形成される独立したアイランド状の金属ナノ構造は、大きさや形が均一ではなく、増強電場が形成される間隙部も均一にならない。つまり、増強電場の強いところと弱いところ、入射光Linの偏光方向も自由度がある。しかし、この蒸着による金属ナノ構造では、どこかに強い増強電場を形成する条件を含んでいるため、製造バラツキを吸収できるというメリットがある。
図21(A)、図21(B)、図21(C)は、ラマンスペクトルのピーク抽出の概要説明図を示す。図21(A)は、ある物質に励起レーザーを照射した時に検出されるラマンスペクトルを示し、ラマンシフトを波数で表している。図21(A)の例では、第1のピーク(883cm−1)と第2のピーク(1453cm−1)が特徴的と考えられる。得られたラマンスペクトルと予め保持するデータ(第1のピークのラマンシフト及び光強度、第2のピークのラマンシフト及び光強度等)と照合することで、標的物を特定することができる。
15 光源ドライバー、20 金属微粒子(金属ナノ粒子)、100 基板、
101 レジスト、104 凹部、105 凸部、110,210,310 突起、
115 突起群(第1の突起群)、120 表面、130 ガラス基板、
140 金属薄膜、150 金属格子、205 第2の突起群、215 第3の突起群、
220 頂面、230 底面、300 センサーチップ、305 識別コード、
310 センサーチップ検出素子、315 検出回路、320 コリメーターレンズ、
330 偏光制御素子、360 集光レンズ、365 光フィルター、
370 分光素子、375 分光ドライバー、380 受光素子、385 受光回路、
400 吸引口(搬入口)、410 排出口、420 誘導部(搬送部)、
421 吸引流路、422 センサーチップ付近の流路、422a 内周面、
422b 平面、422c 内側球面、423 排出流路、423a 中継経路、
424,425 封止部材、426,427 フィルター、430 支持部、
440 カバー、450 ファン、455 ファンドライバー、460 処理部、
461 CPU、462 RAM、463 ROM、470 電力供給部、
480 ヒンジ部、490 接続部、500 筐体、510 通信接続口、
520 電源接続口、530 インターフェース、540 表示部、550 操作部、
A 光源、BW1,BW2 共鳴ピーク波長帯域、D1 第1の方向、
D2 第2の方向、D3 第3の方向、DA 偏光方向、Lax1 光源の光軸、
Lax2 対物レンズの光軸(光学系の光軸)、Lin 光源からの光(入射光)、
Lout 光デバイスからの光(散乱光、反射光)、H1 第1の高さ、
H2 第2の高さ、P1 第1の周期、P2 第2の周期、P3 第3の周期、
λ1 励起波長、λ2 ラマン散乱波長、λp1,λp2 共鳴ピーク波長、
θ 入射角度
Claims (11)
- 検出装置に着脱可能な光デバイスユニットであって、
電気伝導体を有し、前記検出装置の光源からの光を受けて生じたラマン散乱光を増強可能な光デバイスと、
前記光デバイスに気体試料を誘導する第1の誘導部とを含むことを特徴とする光デバイスユニット。 - 請求項1において、
前記第1の誘導部は、前記気体試料を取り込み口から取り込む第1の流路を有し、
前記第1の流路は、前記取り込み口と前記光デバイスとの間に、外光の入射線を遮る内壁面を有することを特徴とする光デバイスユニット。 - 請求項2において、
前記第1の流路に空気中の浮遊物を除去するフィルターをさらに含み、
前記フィルターは、前記外光を遮光することを特徴とする光デバイスユニット。 - 請求項1乃至3のいずれかにおいて、
前記検出装置によって読み取り可能であり、且つ前記光デバイスを識別する識別コードをさらに含むことを特徴とする光デバイスユニット。 - 請求項2又は3において、
前記第1の誘導部は、前記第1の流路と連結する第2の流路を有し、
前記第2の流路は、前記光デバイスに臨む領域で、前記気体試料を旋回させることを特徴とする光デバイスユニット。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の光デバイスユニットと、
前記第1の誘導部と接続可能な第2の誘導部と、
前記光源と、
前記前記光源からの前記光を前記光デバイスの前記電気伝導体に入射させる第1の光学系と、
前記電気伝導体により散乱または反射された光の中から前記ラマン散乱光を検出する検出器とを含み、
前記第2の誘導部は、前記気体試料を排出口に誘導することを特徴とする検出装置。 - 請求項6において、
前記光デバイスの前記電気伝導体は、複数の突起を有する第1の突起群を有し、
前記第1の突起群の前記複数の突起の各々は、前記電気伝導体の前記仮想平面に対して平行な方向に沿って、第1の周期で配列され、
前記光源からの前記光が有する偏光方向の前記仮想平面に平行な成分と前記第1の突起群の配列方向とが平行になるように、前記第1の光学系は、前記光源からの前記光を前記第1の突起群に入射させることを特徴とする検出装置。 - 請求項7において、
前記第1の突起群の前記複数の突起の各々は、前記第1の突起群の頂面で、電気伝導体により形成される第2の突起群を有し、
前記第1の突起群の前記複数の突起のいずれか1つに対応する前記第2の突起群の複数の突起の各々は、前記仮想平面に平行な前記方向に沿って、前記第1の周期よりも短い第2の周期で配列されることを特徴とする検出装置。 - 請求項7又は8において、
前記第1の突起群が配列される面であって前記第1の突起群の隣り合う突起間の面に、電気伝導体により形成される第3の突起群を有し、
前記第3の突起群の複数の突起の各々は、前記第1の突起群の前記隣り合う突起間で、前記仮想平面に平行な前記方向に沿って、前記第1の周期よりも短い第3の周期で配列されることを特徴とする検出装置。 - 請求項7乃至9のいずれかにおいて、
前記光源からの前記光の進行方向を前記仮想平面に向かう垂線に対して傾斜させた場合の表面プラズモン共鳴が、第1の共鳴ピーク波長と第2の共鳴ピーク波長の各々で生じ、
前記第1の共鳴ピーク波長を有する第1の共鳴ピーク波長帯域は、
前記表面プラズモン共鳴に起因する表面増強ラマン散乱における励起波長を有し、
前記第2の共鳴ピーク波長を有する第2の共鳴ピーク波長帯域は、
前記表面増強ラマン散乱におけるラマン散乱波長を有することを特徴とする検出装置。 - 請求項6乃至10のいずれかにおいて、
前記ラマン散乱光を前記検出器に導く第2の光学系をさらに含み、
前記検出器は、前記第2の光学系を介して前記ラマン散乱光を受光することを特徴とする検出装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010205510A JP5640592B2 (ja) | 2010-09-14 | 2010-09-14 | 光デバイスユニット及び検出装置 |
US13/226,781 US8531661B2 (en) | 2010-09-14 | 2011-09-07 | Optical device unit and detection apparatus |
CN201110264329.5A CN102401793B (zh) | 2010-09-14 | 2011-09-07 | 光器件单元及检测装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010205510A JP5640592B2 (ja) | 2010-09-14 | 2010-09-14 | 光デバイスユニット及び検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012063155A true JP2012063155A (ja) | 2012-03-29 |
JP5640592B2 JP5640592B2 (ja) | 2014-12-17 |
Family
ID=45806412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010205510A Active JP5640592B2 (ja) | 2010-09-14 | 2010-09-14 | 光デバイスユニット及び検出装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8531661B2 (ja) |
JP (1) | JP5640592B2 (ja) |
CN (1) | CN102401793B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013231685A (ja) * | 2012-05-01 | 2013-11-14 | Seiko Epson Corp | 検出装置 |
US9459214B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-10-04 | Seiko Epson Corporation | Sensor unit array, raman spectroscopic device, and electronic apparatus |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5640592B2 (ja) | 2010-09-14 | 2014-12-17 | セイコーエプソン株式会社 | 光デバイスユニット及び検出装置 |
JP5545144B2 (ja) * | 2010-09-14 | 2014-07-09 | セイコーエプソン株式会社 | 光デバイスユニット及び検出装置 |
JP2014169955A (ja) | 2013-03-05 | 2014-09-18 | Seiko Epson Corp | 分析装置、分析方法、これらに用いる光学素子および電子機器、並びに光学素子の設計方法 |
JP6365817B2 (ja) | 2014-02-17 | 2018-08-01 | セイコーエプソン株式会社 | 分析装置、及び電子機器 |
JP2015152492A (ja) * | 2014-02-17 | 2015-08-24 | セイコーエプソン株式会社 | 分析装置、及び電子機器 |
JP2016142617A (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 電場増強素子、分析装置、及び電子機器 |
US9557270B2 (en) * | 2015-03-04 | 2017-01-31 | Ecolab Usa Inc. | Multi-channel fluorometric sensor and method of using same |
CN105675463B (zh) * | 2016-01-27 | 2019-12-10 | 北京市环境保护监测中心 | 一种用于大气检测设备的气体进样口 |
DE102017114317A1 (de) * | 2016-07-27 | 2018-02-01 | Endress+Hauser Conducta Gmbh+Co. Kg | Spektrometrisches Messgerät |
US11067507B2 (en) * | 2017-06-01 | 2021-07-20 | Versitech Limited | Sensors with gradient nanostructures and associated method of use |
JP7206814B2 (ja) * | 2018-10-31 | 2023-01-18 | 株式会社デンソー | Pmセンサ |
CN113008866A (zh) * | 2021-03-05 | 2021-06-22 | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 | 一种gis分解气体的检测装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11326193A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-11-26 | Hitachi Ltd | センサおよびこれを利用した測定装置 |
JP2005140794A (ja) * | 2005-01-13 | 2005-06-02 | E Graw An | 化学物質および微生物の検出のためのラマンオプトロードプロセスおよび装置 |
WO2006093055A1 (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-08 | National Institute For Materials Science | 光学分析用チップとその製造方法、光学分析用装置、および光学分析方法 |
JP2008529006A (ja) * | 2005-01-27 | 2008-07-31 | プレシェント メディカル、インコーポレイテッド | ハンドヘルド・ラマン体液分析器 |
JP2009064005A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-03-26 | Seiko Epson Corp | 光学素子、液晶装置、表示装置 |
JP2009531696A (ja) * | 2006-03-27 | 2009-09-03 | イーツーブイ バイオセンサーズ リミテッド | 改良型serrs基材 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5255067A (en) * | 1990-11-30 | 1993-10-19 | Eic Laboratories, Inc. | Substrate and apparatus for surface enhanced Raman spectroscopy |
US5693152A (en) * | 1995-08-14 | 1997-12-02 | University Of Wyoming | Molecular specific detector for separation science using surface enhanced raman spectroscopy |
JP3482824B2 (ja) | 1997-07-29 | 2004-01-06 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイ |
JP3452837B2 (ja) | 1999-06-14 | 2003-10-06 | 理化学研究所 | 局在プラズモン共鳴センサー |
US7075642B2 (en) * | 2003-02-24 | 2006-07-11 | Intel Corporation | Method, structure, and apparatus for Raman spectroscopy |
US7384792B1 (en) | 2003-05-27 | 2008-06-10 | Opto Trace Technologies, Inc. | Method of fabricating nano-structured surface and configuration of surface enhanced light scattering probe |
US7892489B2 (en) | 2003-05-27 | 2011-02-22 | Optotrace Technologies, Inc. | Light scattering device having multi-layer micro structure |
US8213007B2 (en) | 2003-05-27 | 2012-07-03 | Optotrace Technologies, Inc. | Spectrally sensing chemical and biological substances |
US7242469B2 (en) | 2003-05-27 | 2007-07-10 | Opto Trace Technologies, Inc. | Applications of Raman scattering probes |
US8031335B2 (en) | 2003-05-27 | 2011-10-04 | Opto Trace Technologies, Inc. | Non-invasive disease diagnosis using light scattering probe |
US7460224B2 (en) * | 2005-12-19 | 2008-12-02 | Opto Trace Technologies, Inc. | Arrays of nano structures for surface-enhanced Raman scattering |
US8081308B2 (en) | 2003-05-27 | 2011-12-20 | Optotrace Technologies, Inc. | Detecting chemical and biological impurities by nano-structure based spectral sensing |
US7956997B2 (en) | 2003-05-27 | 2011-06-07 | Optotrace Technologies, Inc. | Systems and methods for food safety detection |
JP4533044B2 (ja) * | 2003-08-27 | 2010-08-25 | キヤノン株式会社 | センサ |
US7133129B2 (en) * | 2004-05-12 | 2006-11-07 | General Electric Company | Cargo inspection apparatus having a nanoparticle film and method of use thereof |
EP1766458A4 (en) * | 2004-05-19 | 2010-05-05 | Vp Holding Llc | OPTICAL SENSOR WITH PLASMONIC LAYER STRUCTURE FOR EFFICIENT DETECTION OF CHEMICAL GROUPS BY MEANS OF SERS |
US7812938B2 (en) | 2007-06-12 | 2010-10-12 | Opto Trace Technologies, Inc. | Integrated chemical separation light scattering device |
US8441631B2 (en) | 2004-05-24 | 2013-05-14 | OptoTrace (SuZhou) Technologies, Inc. | Integrated device capable of performing chemical separation and light scattering |
US7450227B2 (en) | 2004-09-22 | 2008-11-11 | The Penn State Research Foundation | Surface enhanced Raman spectroscopy (SERS) substrates exhibiting uniform high enhancement and stability |
US7688440B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-03-30 | Prescient Medical, Inc. | Raman spectroscopic test strip systems |
US7651851B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-01-26 | Prescient Medical, Inc. | Handheld Raman body fluid analyzer |
JP4317989B2 (ja) | 2005-01-31 | 2009-08-19 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 分子センシング装置及びラマン散乱増強用チップ |
JP4878216B2 (ja) | 2005-06-01 | 2012-02-15 | キヤノン株式会社 | 局在プラズモン共鳴センサおよび局在プラズモン共鳴センサによる検出方法 |
US7599066B2 (en) | 2005-06-01 | 2009-10-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Localized plasmon resonance sensor |
US8363215B2 (en) * | 2007-01-25 | 2013-01-29 | Ada Technologies, Inc. | Methods for employing stroboscopic signal amplification and surface enhanced raman spectroscopy for enhanced trace chemical detection |
WO2009068041A1 (en) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Danmarks Tekniske Universitet | Three-dimensional optical structure |
JP2009250951A (ja) | 2008-04-11 | 2009-10-29 | Fujifilm Corp | 電場増強光デバイス |
US8272279B2 (en) | 2009-07-16 | 2012-09-25 | Seer Technology, Inc. | Systems and methods for chemical sampling in particulate laden gaseous environments |
CN101792112B (zh) * | 2010-03-03 | 2012-05-30 | 北京大学 | 一种基于表面增强拉曼散射活性基底的微流控检测器件 |
JP5560891B2 (ja) * | 2010-05-13 | 2014-07-30 | セイコーエプソン株式会社 | 光デバイス及び分析装置 |
JP5640592B2 (ja) | 2010-09-14 | 2014-12-17 | セイコーエプソン株式会社 | 光デバイスユニット及び検出装置 |
-
2010
- 2010-09-14 JP JP2010205510A patent/JP5640592B2/ja active Active
-
2011
- 2011-09-07 US US13/226,781 patent/US8531661B2/en active Active
- 2011-09-07 CN CN201110264329.5A patent/CN102401793B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11326193A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-11-26 | Hitachi Ltd | センサおよびこれを利用した測定装置 |
JP2005140794A (ja) * | 2005-01-13 | 2005-06-02 | E Graw An | 化学物質および微生物の検出のためのラマンオプトロードプロセスおよび装置 |
JP2008529006A (ja) * | 2005-01-27 | 2008-07-31 | プレシェント メディカル、インコーポレイテッド | ハンドヘルド・ラマン体液分析器 |
WO2006093055A1 (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-08 | National Institute For Materials Science | 光学分析用チップとその製造方法、光学分析用装置、および光学分析方法 |
JP2009531696A (ja) * | 2006-03-27 | 2009-09-03 | イーツーブイ バイオセンサーズ リミテッド | 改良型serrs基材 |
JP2009064005A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-03-26 | Seiko Epson Corp | 光学素子、液晶装置、表示装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6014013914; VO-DINH,T. 他: '"Surface-Enhanced Raman Vapor Dosimeter"' APPLIED SPECTROSCOPY Volume 47, Number 10, 199310, Pages 1728-1732 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013231685A (ja) * | 2012-05-01 | 2013-11-14 | Seiko Epson Corp | 検出装置 |
US9459214B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-10-04 | Seiko Epson Corporation | Sensor unit array, raman spectroscopic device, and electronic apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102401793B (zh) | 2015-07-01 |
CN102401793A (zh) | 2012-04-04 |
US8531661B2 (en) | 2013-09-10 |
JP5640592B2 (ja) | 2014-12-17 |
US20120062881A1 (en) | 2012-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5640592B2 (ja) | 光デバイスユニット及び検出装置 | |
JP5545144B2 (ja) | 光デバイスユニット及び検出装置 | |
JP2012063154A (ja) | 検出装置 | |
US8848182B2 (en) | Optical device, analyzing apparatus and spectroscopic method | |
JP5939016B2 (ja) | 光学デバイス及び検出装置 | |
US8358407B2 (en) | Enhancing signals in Surface Enhanced Raman Spectroscopy (SERS) | |
US8319963B2 (en) | Compact sensor system | |
TWI506270B (zh) | 光裝置及分析裝置 | |
JP5935492B2 (ja) | 光学デバイス及び検出装置 | |
US20150098085A1 (en) | Sensor chip, sensor cartridge, and detection apparatus | |
JP5796395B2 (ja) | 光学デバイス、検出装置及び検出方法 | |
JP6418379B2 (ja) | 電場増強素子、ラマン分光装置、および電子機器 | |
JP2014211326A (ja) | ラマンセンサー | |
JP2016004018A (ja) | ラマン分光装置および電子機器 | |
JP2014134553A (ja) | 分析装置 | |
JP2013231685A (ja) | 検出装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130911 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140312 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140408 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140521 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140930 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141013 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5640592 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |