JP2012049308A - 配線基板および撮像装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 搭載される電子部品の温度を均一にすることができる配線基板および撮像装置を提供すること。
【解決手段】 実装領域２と、平面視で実装領域２の周囲に配置された複数の接続電極３と、一端が接続電極３に接続されているとともに他端が実装領域２の周囲の外表面に引き出されている配線導体４とを備えた配線基板において、平面視で、実装領域２の周囲に、実装領域２を囲むように、複数の低熱伝導部５が形成されて構成されている配線基板である。低熱伝導部５が設けられていることから、低熱伝導部５が設けられていない実装領域２と実装領域２の周囲とが連続している部分（橋部Ｘ）を介してのみ熱が伝導し、搭載された電子部品に熱の偏りが生じたとしても熱が外部に伝わりにくくなり、電子部品の高温部の熱が外部ではなく電子部品の低温部へと伝わりやすくなる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体素子等の電子部品を収容して搭載するための配線基板に関するものである。

従来から、電子部品を搭載し、電子機器に組み込まれる配線基板としてセラミック製のものが用いられている。搭載される電子部品には、温度によって電気伝導性などの物理的性質が変化するものがある。例えば、半導体素子は、この性質が特に顕著であり、例えば半導体を用いたＣＭＯＳ型またはＣＣＤ型のイメージセンサ等の撮像素子においては、素子の温度の変化は受光感度に影響を与え、素子の温度ムラに応じた感度ムラが生じて画像にムラが生じる。また、搭載される電子部品としては、物理的性質が温度によって変化する性質を利用して、赤外線で素子が加熱されることによって物体の温度を非接触で測定する赤外線センサ素子や、暗視カメラ等に用いられる赤外線撮像素子が知られている。このような電子部品を搭載する配線基板においては、電子部品の温度が不均一になることを抑制するために、配線基板にヒートシンクを取り付けることで外部に熱を放出する技術が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。また、冷却水やペルティエ素子を用いて電子部品を冷却する技術や、ヒーターを用いて素子の低温部分を加熱することで素子の搭載面の温度を均一にすることで、素子全体の温度を均一にする技術等も知られている。

特開2005−101484号公報

しかしながら、近年は、電子装置の小型化，薄型化および高精度化に伴い、配線基板にヒートシンクや冷却水の流路やペルティエ素子を設ける部分を確保することが困難になっている。また、ヒーターで電子部品の低温部分を加熱する場合には、電子部品の搭載部の温度を均一にするために搭載部の全面をヒーターで加熱しており、電力消費量が多いという問題があった。

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、搭載される電子部品の温度を低消費電力で均一にできる電子部品搭載用基板を提供することにある。

本発明の配線基板は、上面に実装領域を有する絶縁基板と、絶縁基板の上面に配置された複数の接続電極と、一端が接続電極に接続されているとともに他端が絶縁基板の外表面に引き出されている配線導体とを備えた配線基板において、実装領域の周囲に、実装領域を囲むように、絶縁基板よりも熱伝導率の小さい低熱伝導部が複数形成されていることを特徴とするものである。

また、本発明の配線基板は、上記構成において、低熱伝導部が、実装領域の下の絶縁基板内に形成されていることを特徴とするものである。

また、本発明の配線基板は、上記構成において、絶縁基板の低熱伝導部同士の間にヒーターが配置されていることを特徴とするものである。

また、本発明の配線基板は、上記構成において、接続電極は、上面の低熱伝導部の外側に配置されていることを特徴とするものである。

また、本発明の撮像装置は、上記本発明の配線基板の実装領域に撮像素子が実装されたことを特徴とするものである。

本発明の配線基板によれば、上面に実装領域を有する絶縁基板と、絶縁基板の上面に配置された複数の接続電極と、一端が接続電極に接続されているとともに他端が絶縁基板の外表面に引き出されている配線導体とを備えた配線基板において、実装領域の周囲に、実装領域を囲むように、絶縁基板よりも熱伝導率の小さい低熱伝導部が複数形成されていることから、電子部品で発熱した熱が実装領域の周囲の領域に伝わりにくくなる。また、実装領域の周囲の領域や配線基板の外部からの熱は、実装領域に伝わりにくくなる。従って、熱は実装領域内に拡散して実装領域の温度が均一な配線基板となる。

本発明の配線基板によれば、低熱伝導部が、実装領域の下の絶縁基板内に形成されている場合には、実装領域の下面からの熱の出入が抑制され、実装領域の上面の温度をより均一にできる。

本発明の配線基板によれば、絶縁基板の低熱伝導部同士の間にヒーターが配置されている場合には、ヒーターによって絶縁基板の低熱伝導部同士の間を加熱して、実装される電子部品の温度以上とすることができる。電子部品の温度はヒーターの温度以下なので、電子部品の熱は絶縁基板の低熱伝導部同士の間を介して外部に伝わることがない。従って、実装領域の温度をより均一にできる。

本発明の配線基板によれば、接続電極が上面の低熱伝導部の外側に配置されている場合には、絶縁基板内に、実装領域と低熱伝導部の外側の領域とにまたがって配線導体が配置されていないので、実装領域と低熱伝導部との間で、配線導体を介して熱が伝わることが無い。従って、実装領域の温度をより均一にできる。

また、本発明の撮像装置は、上記構成の配線基板の実装領域に撮像素子が実装されていることから、小型でムラのない画像信号を出力することが可能な撮像装置となる。

（ａ）は本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。 本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す平面図である。 （ａ）は本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。 （ａ）は本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。 （ａ）は本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｃ）は（ａ）のB−B線における断面図である。 （ａ）は本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。 （ａ）は本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。 （ａ）は本発明の撮像装置の実施の形態の一例を示す断面図であり、（ｂ）は本発明の撮像装置の実施の形態の他の例を示す断面図である。

本発明の撮像装置および撮像装置モジュールについて、添付の図面を参照しつつ説明する。図１〜図８において、１は絶縁基板、２は実装領域、３は接続電極、４は配線導体、５は低熱伝導部、５ａは貫通孔、６はヒーター、７は撮像素子、７ａは受光部、８は接続部材、９は蓋体、10は透光性部材、11は接合材、Ｘは橋部である。なお、図１（ａ）および図２は平面図であるが、橋部Ｘには、認識しやすいようにハッチングを設けている。

本発明の配線基板は、図１〜図８にそれぞれ示す例のように、上面に実装領域２を有する絶縁基板１と、絶縁基板１の上面に配置された複数の接続電極３と、一端が接続電極３に接続されているとともに他端が実装領域２の周囲の絶縁基板１の外表面に引き出されている配線導体４とを備えた配線基板において、実装領域２の周囲に、実装領域２を囲むように、絶縁基板１よりも熱伝導率の小さい低熱伝導部５が複数形成されていることから、実装領域２と実装領域２の周囲の領域とは、低熱伝導部５同士の間の幅の小さい領域Ｘで接続されている。よって、実装された電子部品の一部が発熱したとしても熱がこの幅の小さい領域Ｘを通って実装領域２の周囲の領域に伝わりにくく、実装領域２へと拡散しやすくなる。また、配線基板の外部から実装領域２に伝わる熱は、配線基板に電子部品を実装した電子装置を外部回路基板に実装した際に、電子装置の周囲に実装された電子部品から発生された熱である。このような熱は、外部回路基板，外部回路基板の配線導体４または、配線基板の周囲の気体を介して配線基板に伝わるので、平面視で配線基板の外周側から実装領域２に伝わる熱量が多い。従って、上記構成とすると、実装領域２の周囲の領域や配線基板の外部からの熱は、幅の小さい領域Ｘを通って実装領域２の周囲から実装領域２に伝わりにくくなり、実装領域２の温度を均一にできる配線基板となる。

また、図１および図２にそれぞれ示す例では、絶縁基板１の中央に実装領域２が配置されており、外部端子となる配線導体４および接続電極３が上面の低熱伝導部５の外側に配置されている。このような場合には、絶縁基板１内に、実装領域２と低熱伝導部５の外側の領域とにまたがって配線導体４が配置されていない。よって、実装領域２と低熱伝導部５の外側の領域との間で、配線導体４を介して熱が伝わることが無く、絶縁基板１の低熱伝導部５同士の間の領域Ｘ（以下「橋部Ｘ」と呼称する）のみを介して熱が伝わる。従って、実装領域２の温度をより均一にする上で有効である。

また、図４〜図６に示す例のように、低熱伝導部５が、実装領域２の下の絶縁基板１の内部に形成されていてもよい。このような場合には、橋部Ｘをより小さくできるので、実装領域２の下部から熱が外部へと伝わりにくくなる。従って、実装された電子部品の一部が発熱したとしても熱が外部により伝わりにくくなって、実装領域２の温度をより均一にできる。また、絶縁基板１の厚みを薄くした場合には、絶縁基板１の平面方向に伝導する熱よりも、絶縁基板１の厚み方向へ伝導する熱の方が多くなるため、実装領域２の下の絶縁基板１に低熱伝導部５を設けることがより効果的である。

また、図４に示す例のように、平面透視で低熱伝導部５が実装領域２よりも小さく形成されている場合には、実装領域２の下部の絶縁基板１の厚みを小さくできるので、絶縁基板１の温度を均一にするのに有効である。また、実装領域２の下の絶縁基板１に低熱伝導部５が設けられていない場合に比べて、低熱伝導部５の下面側で、実装領域２と低熱伝導部５の外側とをつなぐ部分が長くなることから、絶縁基板１の下面側からより熱が伝わりにくくなる。

また、図５に示す例のように、実装領域２の下の低熱伝導部５と平面視で実装領域２の周囲の低熱伝導部５とがつながるようにした場合には、実装領域２の下の低熱伝導部５に
熱が溜まりにくくなるので、実装領域２の温度を下げつつ均一にするのに有効である。

また、図６に示す例のように、低熱伝導部５が配線基板の下面に開口していてもよい。このような場合には、図４および図５に示す例に比べて加工が容易である。

また、図７に示す例のように、絶縁基板１の低熱伝導部５同士の間にヒーター６が配置されている場合には、ヒーター６によって橋部Ｘを加熱して、橋部Ｘの温度を実装される電子部品の温度以上とすることができる。電子部品の温度はヒーター６の温度以下となるので、電子部品の熱は橋部Ｘを介して外部に伝わることがない。従って、実装領域２の温度をより均一にできる配線基板となる。

絶縁基板１は、セラミックスや樹脂等の絶縁体から成るものである。セラミックスから成る場合は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス），窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体およびガラスセラミックス質焼結体等が挙げられ、樹脂からなる場合は、例えば、エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，アクリル樹脂，フェノール樹脂，ポリエステル樹脂、および四フッ化エチレン樹脂を始めとするフッ素系樹脂等が挙げられる。また、ガラスエポキシ樹脂のように、ガラス繊維から成る基材に樹脂を含浸させたものが挙げられる。

絶縁基板１が、例えば、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合には、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３），シリカ（ＳｉＯ_２），カルシア（ＣａＯ）およびマグネシア（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機溶剤および溶媒を添加混合して泥漿状となすとともに、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等を採用してシート状に成形することによってセラミックグリーンシートを得て、次に、セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに必要に応じて複数枚積層し、高温（約1500〜1800℃）で焼成することによって製作される。図８（ｂ）に示す例のように配線基板に凹部が設けられる場合には、絶縁基板１用のセラミックグリーンシートのいくつかに、凹部用の貫通孔を金型やパンチングによる打ち抜き方法またはレーザー加工方法等により形成しておくことによって形成することができる。また、図８（ｂ）では複数の凹部が設けられているが、これはセラミックグリーンシートに、大きさが異なる凹部用の貫通孔を形成しておき、これらのセラミックグリーンシートを積層することによって複数の凹部を形成することができる。

絶縁基板１が、例えば、樹脂から成る場合は、所定の配線基板の形状に成形できるような金型を用いて、トランスファーモールド法やインジェクションモールド法等によって成形することができる。また、例えば、ガラスエポキシ樹脂のように、ガラス繊維から成る基材に樹脂を含浸させたものであってもよく、この場合は、ガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、このエポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによって形成することができる。低熱伝導部５を配線基板の内部に形成する場合には、複数の金型を用いて所定の形状に整形した後、それらを接着剤等を用いて張り合わせて配線基板とすればよい。樹脂からなる絶縁基板１を用いて配線基板にヒーター６を設ける場合には、樹脂は耐熱性を有していることが好ましい。

低熱伝導部５は、絶縁基板１に低熱伝導部５用の穴を形成しておき、この穴に絶縁基板１よりも熱伝導率の低い部材を充填することによって形成できる。熱伝導率の低い部材としては、絶縁基板１よりも熱伝導率の低い樹脂や使用環境の雰囲気（例えば空気）等を用いることができる。熱伝導率の低い樹脂としては、例えば、絶縁基板１がセラミックスからなる場合であれば、エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂およびアクリル樹脂等の樹脂材料を用いることができる。なお、低熱伝導部５または絶縁基板１を金属やガラス等で封止して低熱伝導部５を真空状態とするとより効果的である。

また、低熱伝導部５は、図３に示す例のように、絶縁基板１の一部を貫通した貫通孔５ａを有してもよいし、図７に示す例のように低熱伝導部５の全部が絶縁基板１を貫通していてもよい。このとき封止が必要な場合には、貫通孔５ａに絶縁基板１よりも熱伝導率の低い封止材（ガラス，樹脂等）を入れていればよく、深さ方向の一部に封止できる程度に封止材を入れてもよい。封止材としては、例えば、低熱伝導部５に用いる熱伝導率の低い部材を用いることが出来る。このような場合には、貫通孔５ａが形成されていない場合に比べて、低熱伝導部５の下面側で、実装領域２と低熱伝導部５の外側とをつなぐ部分の断面積が小さくなることから、より熱が外部に伝わりにくくなり、電子部品の高温部の熱が外部ではなく電子部品の低温部へと伝わりやすくなる。従って、実装領域２の温度をより均一にできる配線基板となる。また、貫通孔５ａの深さ方向の一部に封止材を入れたときには、封止材を入れていない部分には使用環境の雰囲気が入るので、深さ方向の全部に封止材を入れたときに比べて低熱伝導部５の熱伝導率を低くできる。

また、低熱伝導部５は、絶縁基板１がセラミックスからなる場合であれば、低熱伝導部５となる貫通孔を形成したセラミックグリーンシートを複数作製しておき、これらのセラミックグリーンシートを適当な順序で積層して焼成することで低熱伝導部５となる穴を形成できる。また、低熱伝導部５の大きさは、焼成時に低熱伝導部５の開口部が閉じてしまうことを防ぐために、低熱伝導部５が溝状の場合は幅0.1ｍｍ〜0.5ｍｍ程度、平板状の場合は厚み0.1ｍｍ〜0.5ｍｍ程度にすることが好ましい。また、絶縁基板１が、樹脂から成る場合は、低熱伝導部５用の穴を成形できるような金型を用いて、上記したトランスファーモールド法やインジェクションモールド法等によって形成することができる。

また、絶縁基板１がセラミックスからなる場合には、実装領域２の下の絶縁基板１内の低熱伝導部５が密封された状態で、配線基板となる積層体を焼成すると、低熱伝導部５の内部の物質が膨張して、絶縁基板１を変形させたり破損したりすることがあるので、低熱伝導部５を開口しておくことが好ましい。実装領域２の下の絶縁基板１内の低熱伝導部５の開口部は、平面視で実装領域２の周囲に実装領域２を囲むように形成された低熱伝導部５用の穴の内面に位置するようにしておけばよい。また、低熱伝導部５に開口を設けて複数のセラミックグリーンシートを焼成して複数の配線基板を得た後、この複数の配線基板を導電性樹脂（異方性導電樹脂等）等を用いて接合することで低熱伝導部５が密封された配線基板を得ても構わない。

橋部Ｘは断面積を小さくするとともに、数を少なくすることが好ましい。しかしながら、低熱伝導部５が真空または気体である場合には、橋部Ｘの断面積を小さくするとともに橋部Ｘの数を少なくすると、橋部Ｘが衝撃等で破損する可能性が高くなるため、橋部Ｘは平面視で１mm×１mm程度の角柱状で２〜４箇所程度にすることが好ましい。なお、角柱状の橋部は角部を面取りしておくと橋部Ｘが衝撃等で破壊されることを抑制できるので好ましい。また、低熱伝導部５に例えば樹脂が充填されており、十分な強度が確保できる場合には、上記寸法の橋部Ｘを１箇所に設けてもよい。

接続電極３は、絶縁基板１の低熱伝導部５の外側に配置されていることが好ましい。このように接続電極３を配置することで、熱が外部端子である配線導体４を通して外部から入って、金属であり高熱伝導の配線導体４を伝って実装領域２に伝わることがない。また、配線導体４が橋部Ｘを通らないので、配線導体４の配置が容易である。

外部端子となる配線導体４は、絶縁基板１の低熱伝導部５の外側に配置されていることが好ましい。熱の入ってくる外部端子が実装領域２の外側にあるので、実装領域２の周囲の低熱伝導部５によって、実装領域２へ熱が伝わることを抑制するのにより効果的である。なお、実装領域２の下の絶縁基板１内に低熱伝導部５がある場合には、実装領域２と外部端子となる配線導体４との間に低熱伝導部５が位置するように外部端子を配置すれば良
い。

接続電極３および配線導体４は、絶縁基板１がセラミックスから成る場合は、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ）等の金属粉末メタライズから成り、絶縁基板１用のセラミックグリーンシートに配線導体４用の導体ペーストをスクリーン印刷法等により所定形状で印刷して、絶縁基板１用のセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、配線基板の所定位置に形成される。内部導体のうち、セラミックグリーンシートを厚み方向に貫通する貫通導体は、導体ペーストを印刷することによってセラミックグリーンシートに形成した貫通孔を充填しておけばよい。このような導体ペーストは、上記金属粉末に適当な溶剤とバインダーとを加えて混練することによって、適度な粘度に調整して作製される。配線基板との接合強度を高めるために、ガラスやセラミックスを含んでいても構わない。

また、接続電極３および配線導体４は、絶縁基板１が樹脂から成る場合には、銅，金，アルミニウム，ニッケル，クロム，モリブデン，チタンおよびそれらの合金等の金属材料から成る。例えば、ガラスエポキシ樹脂から成る樹脂シート上に接続電極３，配線導体４の形状に加工した銅箔を転写し、銅箔が転写された樹脂シートを積層して接着剤で接着することによって形成する。内部導体のうち、樹脂シートを厚み方向に貫通する貫通導体は、導体ペーストの印刷やめっき法によって樹脂シートに形成した貫通孔の内面に被着形成するか、貫通孔を充填して形成すればよい。また、金属箔や金属柱を樹脂成形によって一体化させたり、絶縁基板１にスパッタリング法，蒸着法等，めっき法等を用いて被着させたりして形成される。

ヒーター６は、ニッケル−クロム系合金（ニクロム線），クロム−アルミニウム−鉄系合金（カンタル線），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ）またはタングステン（Ｗ）などの抵抗発熱体を用いることができる。このようなヒーター６は、配線導体４と同材料、即ち絶縁基板１がセラミックスから成る場合には、例えばモリブデンやタングステン等を用いて同時に形成すると、生産性を向上できるので好ましい。このような場合には、配線導体４を橋部Ｘで渦状やミアンダ状に形成することによって発熱量を他の配線導体４よりも大きくしてヒータ６とすればヒータ６を容易に形成できる。また、図７に示した例のように、ヒーター６と実装領域２との間に低熱伝導部５として貫通孔５ａが配置されていてもよい。このような場合には、ヒーター６と実装領域２との間に貫通孔５ａが設けられているために、ヒーター６によって実装領域２が過剰に加熱されてしまうことを確実に防ぐことができると同時に、橋部Ｘから外部へと熱が伝わることを防ぐことができるので好ましい。また、ヒーター６は橋部Ｘの絶縁基板１の内部に設けられていると、橋部Ｘの絶縁基板１の全体を加熱できるので、絶縁基板１を介して実装領域２と実装領域２の周囲との間に熱が伝わることを抑制するのに効果的である。絶縁基板１がセラミックグリーンシートを複数枚重ねて作られる場合には、セラミックグリーンシート上にヒーター６となる導体ペーストを例えばスクリーン印刷等で形成した後、さらにセラミックグリーンシートを積層することで、ヒーター６を絶縁基板１の内部に容易に形成することができる。

接続電極３および配線導体４の露出する表面には、電解めっき法や無電解めっき法等のめっき法によって、めっき層が被着される。めっき層は、ニッケルおよび金等の耐蝕性や接続部材８との接続性に優れる金属からなるものであり、例えば、厚さ１〜10μｍ程度のニッケルめっき層と厚さ0.1〜３μｍ程度の金めっき層とが順次被着される。これにより
、接続電極３および配線導体４が腐食することを効果的に抑制することができるとともに、接続電極３と接続部材８との接合、外部に露出した配線導体４と外部回路基板の配線導体との接続を強固にすることができる。

また、本発明の撮像装置は図８（ａ）および図８（ｂ）に示す例のように、上記各構成
の配線基板の実装領域２に撮像素子７が実装されていることを特徴とするものである。このような構成としたことから、小型でムラのない画像信号を出力することが可能な撮像装置となる。

図８に示す例の撮像装置は、上記各構成の配線基板の実装領域２に、撮像素子７を配置して、接続部材８を用いて撮像素子７と接続電極３とを電気的に接続している。図８に示す例のように、撮像素子７を配線基板にワイヤボンディングによって実装した場合には、接続部材８としてボンディングワイヤを用いることから、接続部材８が細く、接続部材８を伝わって熱が外部に伝わることが抑えられるので好ましい。

例えば電子部品がフリップチップ型の撮像素子７である場合には、はんだバンプ，金バンプまたは導電性樹脂（異方性導電樹脂等）等の接続部材８を介して、撮像素子７の電極と接続電極３とを電気的および機械的に接続することにより行なわれる。またこの場合は、接続部材８であるバンプを介して接続した後に、撮像素子７と実装領域２との間にアンダーフィルを注入してもよい。あるいは、図８に示す例のように、例えば撮像素子７がワイヤボンディングによって配線基板に電気的に接続されている場合には、撮像素子７をガラス，樹脂あるいはろう材等の接合材によって実装領域２に固定した後、接続部材８であるボンディングワイヤを介して撮像素子７の電極と接続電極３とを電気的に接続する。また、いずれの場合も、必要に応じて配線基板に抵抗素子や容量素子等の小型の電子部品を搭載してもよい。

また、図８（ａ）に示す例のように撮像装置が蓋体９を備える場合には、蓋体９は、透光性部材10を備え、樹脂，セラミックスまたはガラス等からなり、透光性部材10が配置される開口部を設けた箱状に形成されている。蓋体９としては絶縁基板１の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有するもの、耐熱性を有するもの、加工がしやすいものが好ましく、例えば絶縁基板１が酸化アルミニウム質焼結体から成り、蓋体９に樹脂から成るものを用いる場合であれば、フェノール樹脂，メラミン樹脂，ポリプロピレン，ポリスチレン，ＡＢＳ樹脂等から成るものを用いるとよい。また、撮像素子７として、赤外線撮像素子を実装する場合であれば、透光性部材10または蓋体９としてゲルマニウム（Ｇｅ），シリコン（Ｓｉ），硫化亜鉛（ＺｎＳ）またはこれらを含む合金からなる金属材料を用いるとよい。

このような蓋体９は、樹脂から成る場合は、所定の蓋体９の形状に成形できるような金型を用いて、トランスファーモールド法やインジェクションモールド法等により形成した後、透光性部材10を所定の位置に配置して作製する。また、蓋体９は、所望の形状に応じて複数の部材に分割して形成した後、それぞれを組み立てても構わない。そのような場合には、要求される性質に応じて複数の樹脂を組み合わせることが可能であるとともに、透光性部材10の配置が容易になる。

接合材11は、熱硬化性や光硬化性等のアクリル系樹脂，エポキシ系樹脂，フェノール系樹脂，クレゾール系樹脂，シリコーン系樹脂またはポリエーテルアミド系樹脂等の樹脂材料を用いることができる。また、接合材11には、必要に応じて黒色，茶褐色，暗褐色，暗緑色または濃青色等の暗色系の顔料や染料を混入しても構わない。撮像装置に、不所望の可視光が接合材11を透過して侵入するのを遮断することができる。

絶縁基板１と蓋体９との接合は、例えば、次のようにして行なわれる。まず、絶縁基板１の外周部に絶縁性樹脂からなる硬化前の接合材11をディスペンサー等を用いて塗布する。その後、硬化前の接合材11上に蓋体９を配置し、硬化前の接合材11を加熱あるいは紫外線照射して硬化することにより、配線基板と蓋体９とを接合材11を介して接合する。

また、蓋体９が金属材料である場合には、接合材11としてろう材またははんだ等を介し
て絶縁基板１と接合する。接合材11としては、金（Ａｕ），銀（Ａｇ），亜鉛（Ｚｎ），すず（Ｓｎ），銅（Ｃｕ）およびこれらの合金を主成分とする金属を用いることができる。

なお、本発明は上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。

例えば、低熱伝導部５の角部は曲面形状にＲがつけられていても構わない。このような場合には、低熱伝導部５の角部を起点として配線基板にクラックが生じ、橋部Ｘのような配線基板が細くなっている箇所が破壊されてしまうことを抑制することができる。

また、例えば低熱伝導部５となる穴部の内周面には赤外線を反射するような金属被膜を形成しておいても構わない。このような場合には、低熱伝導部５に赤外線が照射されることによって絶縁基板１が加熱されることを防ぐことができる。このような金属被膜は、配線導体４と同様の材料を用いて配線導体と同時に形成しても構わないし、例えば蒸着によって形成しても構わない。なお、金属被膜を伝わって熱が伝導することを防ぐために、金属被膜は不連続に形成されていることが好ましい。

また、図８（ｂ）に示す例のように、配線基板に複数の凹部を設け、いわゆるキャビティ構造としてもよい。このような場合には、撮像素子７の受光部７ａを埃や水分から保護するための封止を、平板状の透光性部材を用いて容易に行うことができるので好ましい。

１・・・・配線基板
２・・・・実装領域
３・・・・接続電極
４・・・・配線導体
５・・・・低熱伝導部
５ａ・・・貫通孔
６・・・・ヒーター
７・・・・撮像素子
７ａ・・・受光部
８・・・・接続部材
Ｘ・・・・橋部

Claims (5)

1. 上面に実装領域を有する絶縁基板と、該絶縁基板の前記上面に配置された複数の接続電極と、一端が前記接続電極に接続されているとともに他端が前記絶縁基板の外表面に引き出されている配線導体とを備えた配線基板において、
   前記実装領域の周囲に、前記実装領域を囲むように、前記絶縁基板よりも熱伝導率の小さい低熱伝導部が複数形成されていることを特徴とする配線基板。
2. 前記低熱伝導部が、前記実装領域の下の前記絶縁基板内に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記絶縁基板の前記低熱伝導部同士の間にヒーターが配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板。
4. 前記接続電極は、前記上面の前記低熱伝導部の外側に配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載の配線基板。
5. 請求項１乃至請求項４に記載の配線基板の前記実装領域に撮像素子が実装されたことを特徴とする撮像装置。

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