JP2012028651A - 樹脂供給装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂供給装置および半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】粒状の封止用樹脂を金型のキャビティ内により均一に分散することを可能にする。
【解決手段】本実施形態の樹脂供給装置は、キャビティが設けられた第１金型と、前記第１金型に嵌合される第２金型と、を有する樹脂成形装置に、粒状の樹脂を供給する樹脂供給装置であって、前記粒状の樹脂よりも大きな吸着面により複数の前記粒状の樹脂を吸着して、複数の前記粒状の樹脂を前記吸着面の上に並置させ、吸着した複数の前記粒状の樹脂からなる一様な厚みの吸着樹脂体を前記吸着面の上に形成させる第１手段と、前記吸着面の吸着解除によって、前記吸着面に吸着した複数の前記粒状の樹脂を前記キャビティ内に落下させる第２手段と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、樹脂供給装置および半導体装置の製造方法に関する。
チップ状の電子部品を樹脂封止する装置として、下金型と、下金型に対向する上金型と、を備えた樹脂封止装置がある。このような樹脂封止装置では、下金型と、上金型と、を嵌合させると、それらのあいだにキャビティが形成される。電子部品は、このキャビティ内において、封止用樹脂によって封止される。
キャビティ内に封止用樹脂を供給する方法としては、粒状の封止用樹脂を下金型の中央に単に載置する方法、あるいは、上金型に設けられた樹脂供給口から拡散体を介して粒状の封止用樹脂をキャビティに落下させる方法がある。しかしながら、これらの方法によってキャビティ内に封止用樹脂を供給しても、その層厚の分布がばらついてしまう。このため、封止用樹脂の圧縮成形時には、キャビティ端にまで封止用樹脂が届かず、圧縮成形後、電子部品を包含するモールド樹脂に未充填部分、ボイド等が発生する場合がある。また、圧縮成形時には、溶融した封止用樹脂がキャビティ内で流動し、封止用樹脂の流動圧によって電子部品が損傷する場合があった。
これに対し、封止用樹脂を供給するシュータの内部に拡散体を内蔵し、この拡散体によって粒状の封止用樹脂を分散させつつ、このシュータから封止用樹脂をキャビティ内に供給する方法がある。しかしながら、このような方法でも、封止用樹脂の粒径にばらつきがある場合には、キャビティ内に略均一に封止用樹脂を分散できないといった問題があった。
特開２００６−１２０８８０号公報 特開２００９−２３４０００号公報
本発明の実施形態は、粒状の封止用樹脂を金型のキャビティ内により均一に分散することが可能な樹脂供給装置、およびこの樹脂供給装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
本実施形態の樹脂供給装置は、キャビティが設けられた第１金型と、前記第１金型に嵌合される第２金型と、を有する樹脂成形装置に、粒状の樹脂を供給する樹脂供給装置であって、前記粒状の樹脂よりも大きな吸着面により複数の前記粒状の樹脂を吸着して、複数の前記粒状の樹脂を前記吸着面の上に並置させ、吸着した複数の前記粒状の樹脂からなる一様な厚みの吸着樹脂体を前記吸着面の上に形成させる第１手段と、前記吸着面の吸着解除によって、前記吸着面に吸着した複数の前記粒状の樹脂を前記キャビティ内に落下させる第２手段と、を備える。
また、本実施形態の半導体装置の製造方法は、キャビティが設けられた第１金型と、前記第１金型に嵌合される第２金型と、を有する樹脂成形装置を用いた半導体装置の製造方法であって、上述した樹脂供給装置の吸着面に、複数の粒状の樹脂を吸着して、複数の前記粒状の樹脂を前記吸着面の上に並置させ、吸着した複数の前記粒状の樹脂からなる一様な厚みの吸着樹脂体を前記吸着面の上に形成する工程と、前記吸着部を前記第１金型に対向させ、前記吸着面の吸着解除により、前記第１金型の前記キャビティ内に、複数の前記粒状の樹脂を落下する工程と、複数の前記粒状の樹脂を溶融した後、半導体チップが取り付けられた前記第２金型を、前記第１の金型に嵌合し、前記半導体チップを溶融した前記粒状の樹脂に浸漬する工程と、を備える。
第１の実施の形態に係る樹脂供給装置の要部模式図であり、（ａ）は、要部上面模式図、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｙ位置の要部断面模式図である。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の要部断面模式図である。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の要部断面模式図である。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の要部断面模式図である。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の要部断面模式図である。 第２の実施の形態に係る樹脂供給装置の要部模式図であり、（ａ）は、要部上面模式図、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｙ位置の要部断面模式図である。 第２の実施の形態に係る樹脂供給装置の動作を説明する図である。 第３の実施の形態に係る樹脂供給装置の要部模式図であり、（ａ）は、要部上面模式図、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｙ位置の要部断面模式図である。
以下、図面を参照しつつ、本実施の形態について説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態に係る樹脂供給装置の要部模式図であり、（ａ）は、要部上面模式図、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｙ位置の要部断面模式図である。図１（ｂ）には、樹脂供給装置１のほか、容器３５０が併せて表示されている。容器３５０には、粒状の封止用樹脂（粒状の樹脂）３００が充填されている。
樹脂供給装置１は、吸着部１０と、吸着部１０に取り付けられた吸引系１１と、を備える。吸着部１０は、多孔質のブロック体または板である。吸着部１０の第１主面１０ａは、容器３５０に対向している。第１主面１０ａの面積は、粒状の封止用樹脂３００の平均粒径よりも大きい。第１主面１０ａは、複数の粒状の封止用樹脂３００の吸着面になる。吸着部１０の第２主面１０ｂには、吸引系１１が取り付けられている。第１主面１０ａと第２主面１０ｂとは、略平行である。
吸着部１０の材質は、例えば、多孔質セラミック、活性炭、ガラス繊維、紙、布、発砲スチロール等である。多孔質セラミックとしては、例えば、シリカゲル、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等を主成分とするセラミック焼結体、パミス等が挙げられる。吸着部１０の内部には、孔が３次元的に連通した無数の経路が配置されている。これらの経路の中には、吸着部１０の第１主面１０ａと第２主面１０ｂとの間を通じるものが多数ある。
吸引系１１の内部は、例えば、吸引系１１に連結された真空ポンプ（図示しない）によって減圧状態にしたり、大気圧以上になったりする。樹脂供給装置１は、吸着部１０に複数の粒状の封止用樹脂３００を吸着することができる。
次に、樹脂供給装置１の動作を説明しながら、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
図２〜図５は、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の要部断面模式図である。
まず、図２（ａ）に示すように、容器３５０内に充填された複数の粒状の封止用樹脂３００に、樹脂供給装置１の吸着部１０の第１主面１０ａを対向させる。粒状の封止用樹脂３００とは、例えば、顆粒のように比較的粒状の大きい封止用樹脂、あるいは、粉体のように比較的粒状の小さい封止用樹脂である。粒状の封止用樹脂３００の材質は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂である。粒状の封止用樹脂３００の材質は、熱硬化性のエポキシ樹脂に限らない。
次に、図２（ｂ）に示すように、樹脂供給装置１の吸着部１０の第１主面１０ａを複数の粒状の封止用樹脂３００の表面に接近させる。あるいは、吸着部１０の第１主面１０ａを複数の粒状の封止用樹脂３００の表面に接触させてもよい。
次に、図２（ｃ）に示すように、樹脂供給装置１の吸引系１１を減圧状態にする。ここで、吸着部１０内に設けられたそれぞれの孔の最大幅は、粒状の封止用樹脂３００の平均粒径よりも小さく設計されている。粒状の封止用樹脂３００の平均粒径は、３００μｍ（ミクロン）〜５００μｍの範囲にある。平均粒径とは、画像解析法、遮光法、コールター法、沈降法、レーザー回折散乱法等のいずれかによって求められた値である。吸着部１０に設けられた孔の最大幅は、例えば、１５０μｍ以下である。
吸引系１１を減圧状態にすると、吸着部１０の第１主面１０ａから第２主面１０ｂへ空気の流れが生じる。この際、吸着部１０の第１主面１０ａに、複数の粒状の封止用樹脂３００が層状となって付着すると、第１主面１０ａから第２主面１０ｂへの空気の流れが抑制される。その結果、吸着部１０の内部が減圧状態になり、吸着部１０の第１主面１０ａに接する粒状の封止用樹脂３００が吸着部１０の第１主面１０ａに層状に吸着する。
すなわち、吸着部１０が封止用樹脂３００のフィルタとして機能し、吸着部１０の第１主面１０ａに、複数の粒状の封止用樹脂３００が真空吸着される。
このように、第１主面１０ａである吸着面は、複数の粒状の封止用樹脂３００を吸着して、複数の粒状の封止用樹脂３００を吸着面の上に並置させる。吸着した複数の粒状の封止用樹脂３００からなる一様な厚みの吸着樹脂体３０１が吸着面の上に形成される。
換言すれば、吸着部１０の第１主面１０ａに吸着された、粒状の封止用樹脂３００は、単層と限らない。例えば、第１主面１０ａ内において、２次元的に複数の粒状の封止用樹脂３００が吸着されるほか、第１主面１０ａ上には、複数の粒状の封止用樹脂３００が３次元的に吸着される。すなわち、吸着部１０の第１主面１０ａには、略均一な厚みの吸着樹脂体３０１が形成される。
吸着した封止用樹脂３００の第１主面１０ａにおける層厚の分布は、複数の粒状の封止用樹脂３００の平均粒径に依らず、略均一になる。また、吸着した封止用樹脂３００の第１主面１０ａにおける層厚の分布は、複数の粒状の封止用樹脂３００の層厚に依らず、略均一になる。吸着した、複数の粒状の封止用樹脂３００の層厚は、吸引系１１内の真空度と、吸着部１０内の孔の幅（径）の組み合わせによって制御される。例えば、吸引系１１内の圧力が低く、または、吸着部１０の孔の幅が広くなるほど、吸着面による吸引力が増加し、より厚い層厚の粒状の封止用樹脂３００がを吸着面に吸着することができる。
次に、図３（ａ）に示すように、複数の粒状の封止用樹脂３００が吸着した、樹脂供給装置１の吸着部１０を、樹脂成形装置６００の下金型（第１金型）１００に対向させる。 下金型１００は、固定盤１０１と、固定盤１０１の上に設けられた支持台１０２と、支持台１０２の外周に設けられた可動リング１０３と、を備える。可動リング１０３と固定盤１０１との間には、バネ等の弾性体１０４が設けられている。このほか、下金型１００には、キャビティ１１０が設けられている。
下金型１００においては、可動リング１０３を抗するように固定盤１０１側に押圧すると、弾性体１０４の復元力によって、可動リング１０３が固定盤１０１から離れようとする力が生じる。このほか、下金型１００には、加熱機構が設けられている（図示しない）。
また、支持台１０２の表面、可動リング１０３の表面および側面には、成形品をリリースするためのフィルム１０５が配置されている。続いて、矢印に示すように、吸着した封止用樹脂３００を下金型１００のキャビティ１１０の底面に接近させる。キャビティ１１０については、固定盤１０１の表面がキャビティ１１０の底面になり、可動リング１０３の側面がキャビティ１１０の側面になる。
次に、図３（ｂ）に示すように、樹脂供給装置１の吸引系１１を大気圧以上にする。吸引系１１が大気圧以上になることにより、吸着部１０による封止用樹脂３００の真空吸着が解除される。これにより、吸着部１０の第１主面１０ａに吸着されていた封止用樹脂３００が自重によってキャビティ１１０内に直接落下する。すなわち、樹脂供給装置１は、吸着部１０を下金型１００に対向させつつ、第１主面１０ａ（吸着面）の吸着解除によって、複数の粒状の封止用樹脂３００（上記の吸着樹脂体３０１）をキャビティ１１０内に落下（供給）することができる。
吸着部１０の第１主面１０ａに吸着されていた封止用樹脂３００の層厚の分布は、略均一であったため、キャビティ１１０内に供給された封止用樹脂３００の層厚の分布は、キャビティ１１０内において略均一になる。すなわち、供給された封止用樹脂３００のキャビティ１１０内における層厚の分布は、複数の粒状の封止用樹脂３００の平均粒径に依らず、略均一になる。また、供給された封止用樹脂３００のキャビティ１１０内における層厚の分布は、複数の粒状の封止用樹脂３００の層厚に依らず、略均一になる。
このように、第１の実施の形態によれば、キャビティ１１０内に供給された複数の粒状の封止用樹脂３００の層厚は、略均一な分布になる。
次に、図４（ａ）に示すように、樹脂成形装置６００の上金型（第２金型）２００を下金型１００に対向させる。上金型２００と、下金型１００とは互いに嵌合する。
上金型２００は、支持台２０１と、支持台２０１の外周に設けられた外周ブロック２０２と、を備える。外周ブロック２０２には、凹部２０２ａが設けられている。凹部２０２ａ内には、シール部材２０３が設置されている。このほか、上金型２００には、加熱機構が設けられている（図示しない）。
また、下金型１００に対向する支持台２０１の主面には、支持基板４００が取り付けられている。支持基板４００には、接着層４０１を介して、プリント基板（インターポーザ）４０２が設けられている。プリント基板４０２には、複数の半導体チップ４０３が搭載されている。
半導体チップ４０３は、シリコン（Ｓｉ）等の半導体基板の表面に、トランジスタ等の能動素子、または、抵抗、コンデンサ等の受動素子が配置された、ウェーハレベルの半導体チップである。半導体チップ４０３からは、ボンディングワイヤ４０４が引き出され、ボンディングワイヤ４０４は、プリント基板４０２に接続されている。
半導体チップ４０３、ボンディングワイヤ４０４、およびプリント基板４０２は、予め上金型２００に取り付けられている。このため、複数の粒状の封止用樹脂３００をキャビティ１１０内に落下させても、半導体チップ４０３、ボンディングワイヤ４０４、およびプリント基板４０２は、その落下衝撃によって損傷を受けることはない。
次に、下金型１００の加熱機構を作動させて、複数の粒状の封止用樹脂３００を溶融した後、下金型１００と、上金型２００と、を嵌合させる。これにより、溶融した封止用樹脂３００に半導体チップ４０３およびボンディングワイヤ４０４が浸漬する。さらに、下金型１００および上金型２００によって、封止用樹脂３００を圧縮する。この状態を、図４（ｂ）に示す。
ここで、下金型１００もしくは上金型２００は、封止用樹脂３００が熱硬化する温度に設定されている。所定時間の後に、溶融した封止用樹脂３００は、キャビティ１１０内で熱硬化する。これにより、それぞれの半導体チップ４０３およびボンディングワイヤ４０４がモールド樹脂３００Ａによって封止される。
次に、図５（ａ）に示すように、下金型１００と、上金型２００と、を離し、モールド樹脂３００Ａへの圧縮を解除する。続いて、モールド樹脂３００Ａおよびプリント基板４０２を下金型１００から取り出した後、図５（ｂ）に示すように、ダイシングライン４５０に沿って、モールド樹脂３００Ａおよびプリント基板４０２を切断する。
モールド樹脂３００Ａおよびプリント基板４０２が個片化された後においては、ＣＳＰ（Chip Size Package）型の半導体装置５００が形成される。半導体装置５００では、ウェーハレベルの半導体チップ４０３がモールド樹脂３００Ａによって封止されている。
このように、樹脂供給装置１は、粒状の樹脂３００よりも大きな吸着面によって、複数の粒状の樹脂３００を吸着して、複数の粒状の樹脂を吸着面の上に並置させ、吸着した複数の粒状の樹脂３００からなる一様な厚みの吸着樹脂体３０１を吸着面の上に形成することが可能な第１手段と、吸着面の吸着解除によって、吸着面に吸着した複数の粒状の樹脂３００をキャビティ１１０内に落下させることが可能な第２手段と、を備える。
本実施の形態では、樹脂成形をする前に、複数の粒状の封止用樹脂３００が下金型１００のキャビティ１１０内に、略均一な分布の層をなすように供給される。これにより、複数の粒状の封止用樹脂３００は、キャビティ１１０全域に渡り満遍なく供給される。従って、樹脂成形時のキャビティ１１０内における樹脂流動が抑制される。その結果、ボンディングワイヤ４０４の変形、断線、ボンディングワイヤ４０４同士の接触がより起き難くなる。また、ＣＳＰ型の半導体装置５００を形成しても、モールド樹脂３００Ａの厚みは、より均一になる。従って、半導体装置５００の製造歩留まりが向上する。
また、本実施の形態では、吸着部１０に吸着された封止用樹脂３００と、下金型１００のキャビティ１１０との間に、網等の拡散体を配置せずに、樹脂封止を遂行する。
例えば、比較例として、下金型１００のキャビティ１１０の上に、網等の拡散体を配置して、この拡散体を介して、複数の粒状の封止用樹脂３００をキャビティ１１０内に供給する方法がある。しかし、このような方法では、封止用樹脂３００の層厚の分布が拡散体の形状の影響を受けて、ばらつき易くなる。この傾向は、キャビティ１１０内に供給する封止用樹脂３００の層厚を薄く形成するほど顕著になる（例えば、層厚３００μｍ以下で顕著になる）。
あるいは、別の比較例として、筒状のシュータの内部に、コイル状の拡散体を内蔵し、この拡散体によって粒状の封止用樹脂をシュータ内で一旦分散させて、このシュータから複数の粒状の封止用樹脂３００をキャビティ１１０内に供給する方法がある。しかし、複数の粒状の封止用樹脂３００の粒径が所定の範囲で分散している場合には、それぞれの粒径によって、拡散体、およびシュータの内壁に対する封止用樹脂の跳ね返りの程度が異なってしまう。このため、拡散体を内蔵したシュータを用いて、複数の粒状の封止用樹脂３００をキャビティ１１０内に供給すると、供給された封止用樹脂３００のキャビティ１１０内における層厚の分布は、均一にならない場合がある。また、筒状のシュータを用いると、複数の粒状の封止用樹脂３００を供給できる領域が限られ、広域の樹脂封止が困難になる場合がある。
また、シュータを用いた樹脂供給法では、粒状の封止用樹脂３００がシュータから飛ばされながら、キャビティ１１０内に封止用樹脂３００が供給される。このため、シュータから供給される場所の遠近によって、封止用樹脂３００の粒径の大きさがばらつく場合もある。
また、シュータを用いた樹脂供給法では、シュータの内壁、拡散体等に、封止用樹脂３００が衝突する都合上、封止用樹脂３００が砕けたり、この砕けた樹脂が粉塵となって、樹脂成形装置周辺に舞い上がる場合がある。これにより、樹脂成形装置が汚染される。これに対し、本実施の形態では、封止用樹脂３００の砕け、粉塵としての舞い上がりが起き難い。
また、シュータを用いた樹脂供給法では、封止用樹脂３００の層厚の分布が内蔵した拡散体の形状、シュータ径の影響を受けて、ばらつき易くなる。この傾向は、キャビティ１１０内に供給する封止用樹脂３００の層厚を薄く形成するほど顕著になる（例えば、層厚３００μｍ以下で顕著になる）。
これに対し、本実施の形態では、吸着部１０に吸着された封止用樹脂３００を直接的にキャビティ１１０内に落下し、供給する。このため、キャビティ１１０内に供給された封止用樹脂３００の層厚の分布には、拡散体のパターンが反映されない。すなわち、本実施の形態では、複数の粒状の封止用樹脂３００の平均粒径に依らず、吸着部１０に吸着した封止用樹脂３００の層厚の分布が略均一になる。さらに、複数の粒状の封止用樹脂３００の層厚の分布は、封止用樹脂３００の層厚に依らず、略均一になる。
また、本実施の形態によれば、樹脂供給装置１の吸着部１０がブロック体または板で構成されているために、吸着部１０の第１主面１０ａの面積を簡便に変更することができる。このため、下金型１００および上金型２００の大きさに設計変更が生じても、それぞれの金型の大きさに適合した樹脂供給装置１を簡便に作製することができる。また、吸着部１０は、主面の面積を拡大することにより、簡便に大面積にすることができるので、広域の樹脂封止が可能になる。
また、本実施の形態によれば、下金型１００の上で、複数の粒状の封止用樹脂３００をプレ成形する製造工程がない。このため、半導体装置５００のモールド樹脂３００Ａに余分な熱履歴が残らない。従って、半導体装置５００のモールド樹脂３００Ａの特性は、長時間において変化し難い。
また、本実施の形態では、平均粒径が３００μｍから５００μｍの範囲（平均粒径が３００μｍ以上、５００μｍ以下の範囲）の粒状の封止用樹脂３００を用いる。粒状の封止用樹脂３００の平均粒径が３００μｍより小さくなると、細かい樹脂粒が粉塵となって樹脂成形装置の周りを舞い、樹脂成形装置を汚染する場合がある。あるいは、粒状の封止用樹脂３００同士が互いにくっついてしまい、その層厚を正確に制御できない場合がある。また、粒状の封止用樹脂３００の平均粒径が５００μｍより大きくなると、粒状の封止用樹脂３００の層厚のばらつきが大きくなり、下金型１００のキャビティ１１０に対して、封止用樹脂３００を均一に供給できない場合がある。あるいは、粒状の封止用樹脂３００を溶融させる時間がより長くなり、半導体装置の製造工程のタクトタイムが長くなる場合がある。
（第２の実施の形態）
図６は、第２の実施の形態に係る樹脂供給装置の要部模式図であり、（ａ）は、要部上面模式図、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｙ位置の要部断面模式図である。図６には、樹脂供給装置２のほか、容器３５０が併せて表示されている。
樹脂供給装置２は、吸着部２０と、吸着部２０に取り付けられた電源ライン２１と、を備える。吸着部２０の内部には、平板状の電極２２が設けられている。電極２２と電源ライン２１とは、電気的に接続されている。吸着部２０は、誘電体のブロック体または板である。吸着部２０の第１主面２０ａと第２主面２０ｂとは、略平行である。第１主面２０ａは、複数の粒状の封止用樹脂３００の吸着面である。
吸着部２０の材質は、例えば、酸化ケイ素、炭化ケイ素、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ガラス等を主成分とする。これらの焼結体も、吸着部２０の材質に含まれる。
電源ライン２１は、例えば、直流電源（図示しない）に接続され、電源ライン２１を通じて、電極２２に正電位（または、負電位）を印加することができる。
図７は、第２の実施の形態に係る樹脂供給装置の動作を説明する図である。
図７（ａ）に示すように、吸着部２０の電極２２に正電位（または、負電位）を印加すると、吸着部２０が帯電する。その結果、吸着部２０の静電力によって、複数の粒状の封止用樹脂３００が吸着部２０の第１主面２０ａに層状に吸着する。すなわち、樹脂供給装置２は静電力によって、吸着部２０に、複数の粒状の封止用樹脂３００を吸着することができる。吸着部２０の第１主面２０ａに吸着された、粒状の封止用樹脂３００は、単層と限らない。例えば、第１主面２０ａ内において、２次元的に複数の粒状の封止用樹脂３００が吸着されるほか、第１主面２０ａ上には、複数の粒状の封止用樹脂３００が３次元的に吸着される。これにより、吸着部２０の第１主面２０ａには、略均一な厚みの吸着樹脂体３０１が形成される。
吸着した封止用樹脂３００の第１主面２０ａにおける層厚の分布は、粒状の封止用樹脂３００の平均粒径に依らず、略均一になる。また、吸着した封止用樹脂３００の第１主面２０ａにおける層厚の分布は、複数の粒状の封止用樹脂３００の層厚に依らず、略均一になる。吸着した、複数の粒状の封止用樹脂３００の層厚は、吸着部２０に帯電させる静電気量により制御される。例えば、静電気量を大きくするほど、吸着面による吸引力が増加し、より厚い層厚の粒状の封止用樹脂３００を吸着面に吸着することができる。
次に、図７（ｂ）に示すように、吸着部２０の電極２２にグランド電位を印加して、吸着部２０が帯電を緩和させる。その結果、吸着部２０の静電力が緩和する。その結果、粒状の封止用樹脂３００の自重によって、吸着部２０の第１主面２０ａに吸着されていた封止用樹脂３００がキャビティ１１０内に直接落下する。吸着部２０の第１主面２０ａに吸着されていた封止用樹脂３００の層厚の分布は、略均一であったため、キャビティ１１０内に供給された封止用樹脂３００の層厚の分布は、キャビティ１１０内において略均一になる。すなわち、供給された封止用樹脂３００のキャビティ１１０内における層厚の分布は、複数の粒状の封止用樹脂３００の平均粒径に依らず、略均一になる。また、供給された封止用樹脂３００のキャビティ１１０内における層厚の分布は、複数の粒状の封止用樹脂３００の層厚に依らず、略均一になる。
このような樹脂供給装置２によっても、下金型１００のキャビティ１１０内に、満遍なく複数の粒状の封止用樹脂３００を供給することができる。また、樹脂供給装置２を用いて、第１の実施の形態で説明した製造工程によって半導体装置５００を製造することができる。すなわち、第２の実施の形態においても、第１の実施の形態と同様の効果を得る。
（第３の実施の形態）
図８は、第３の実施の形態に係る樹脂供給装置の要部模式図であり、（ａ）は、要部上面模式図、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｙ位置の要部断面模式図である。
樹脂供給装置３は、吸着部３０と、吸着部３０に取り付けられた電源ライン３２、３３と、電源ライン３２に接続されたリードフレーム３４と、電源ライン３３に接続されたリードフレーム３５と、リードフレーム３４、３５間に接続された複数のコイル３１を備える。リードフレーム３４、３５と、コイル３１とは、吸着部３０の内部に設けられている。吸着部２０は、上記誘電体、電磁石等のブロック体または板である。
電源ライン３２、３３には、例えば、直流電源（図示しない）に接続され、リードフレームを通じてコイル３１に電流を通電させることができる。これによりコイル３１からは、電界が生じる。吸着面である第１主面３０ａに吸着される、複数の粒状の封止用樹脂３００の層厚は、吸着部３０に通電させる電流量により制御される。例えば、電流量を大きくするほど、吸着面による吸引力が増加し、より厚い層厚の粒状の封止用樹脂３００を吸着面に吸着することができる。
このような樹脂供給装置３によっても、樹脂供給装置１、２と同様に、第１主面３０ａに、複数の粒状の封止用樹脂３００を吸着することができる。そして、第３の実施の形態においても、第１、２の実施の形態と同様の効果を得る。
以上、具体例を参照しつつ本実施の形態について説明した。しかし、本実施の形態はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本実施の形態の特徴を備えている限り、本実施の形態の範囲に包含される。さらに、前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することもできる。例えば、本実施の形態には、半導体チップを樹脂封止する製造工程が例示されているが、本実施の形態はこれに限られない。半導体チップ以外の他の電子部品を樹脂封止する場合にも、樹脂供給装置１、２、３が用いられる。また、封止用樹脂３００は、熱可塑性樹脂であってもよい。
１、２ 樹脂供給装置
１０、２０、３０ 吸着部
１０ａ、２０ａ、３０ａ 第１主面
１０ｂ、２０ｂ 第２主面
１１ 吸引系
２１ 電源ライン
２２ 電極
３１ コイル
３２、３３ 電源ライン
３４、３５ リードフレーム
１００ 下金型（第１金型）
１０１ 固定盤
１０２ 支持台
１０３ 可動リング
１０４ 弾性体
１０５ フィルム
１１０ キャビティ
２００ 上金型（第２金型）
２０１ 支持台
２０２ 外周ブロック
２０２ａ 凹部
２０３ シール部材
３００ 封止用樹脂（粒状の樹脂）
３００Ａ モールド樹脂
３０１ 吸着樹脂体
３５０ 容器
４００ 支持基板
４０１ 接着層
４０２ プリント基板
４０３ 半導体チップ
４０４ ボンディングワイヤ
４５０ ダイシングライン
５００ 半導体装置
６００ 樹脂成形装置

Claims (5)

  1. キャビティが設けられた第１金型と、前記第１金型に嵌合される第２金型と、を有する樹脂成形装置に、粒状の樹脂を供給する樹脂供給装置であって、
    前記粒状の樹脂よりも大きな吸着面により複数の前記粒状の樹脂を吸着して、複数の前記粒状の樹脂を前記吸着面の上に並置させ、吸着した複数の前記粒状の樹脂からなる一様な厚みの吸着樹脂体を前記吸着面の上に形成させる第１手段と、
    前記吸着面の吸着解除によって、前記吸着面に吸着した複数の前記粒状の樹脂を前記キャビティ内に落下させる第２手段と、
    を備えたことを特徴とする樹脂供給装置。
  2. 真空吸着によって、前記吸着面に、複数の前記粒状の樹脂を吸着することを特徴とする請求項１記載の樹脂供給装置。
  3. 静電力によって、前記吸着面に、複数の前記粒状の樹脂を吸着することを特徴とする請求項１記載の樹脂供給装置。
  4. キャビティが設けられた第１金型と、前記第１金型に嵌合される第２金型と、を有する樹脂成形装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
    請求項１〜３のいずれか１つに記載の樹脂供給装置の吸着面に、複数の粒状の樹脂を吸着して、複数の前記粒状の樹脂を前記吸着面の上に並置させ、吸着した複数の前記粒状の樹脂からなる一様な厚みの吸着樹脂体を前記吸着面の上に形成する工程と、
    前記吸着部を前記第１金型に対向させ、前記吸着面の吸着解除により、前記第１金型の前記キャビティ内に、複数の前記粒状の樹脂を落下する工程と、
    複数の前記粒状の樹脂を溶融した後、半導体チップが取り付けられた前記第２金型を、前記第１の金型に嵌合し、前記半導体チップを溶融した前記粒状の樹脂に浸漬する工程と、
    を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 平均粒径として、３００ミクロンから５００ミクロンの範囲の前記粒状の樹脂を用いることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
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