JP2012019098A - Method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent wire deformation to improve the reliability of a semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor chip 3 is mounted on a processed substrate 1 on which a penetrating part 2 is formed. The processed substrate 1 and the semiconductor chip 3 are electrically connected. The processed substrate 1 is housed in a cavity 5c of a mold 5a (Fig.1(A)). A resin 6a is supplied into the cavity 5c from the penetrating part 2 on a rear surface side of a surface mounting the semiconductor chip 3 of the processed substrate 1 (Fig.1(B)). The mounting surface of the processed substrate 1 is sealed (Fig.1(C)).

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体チップを樹脂で封止する半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor chip is sealed with a resin.

パワー半導体チップを基板上に搭載した半導体装置の製造において、当該パワー半導体チップを樹脂で封止するために、例えば、次のような方法が行われる。
図１９は、半導体装置のトランスファモールド成形法による樹脂封止を説明するための図である。なお、図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）は、それぞれ異なる封止装置を表している。 In manufacturing a semiconductor device in which a power semiconductor chip is mounted on a substrate, for example, the following method is performed to seal the power semiconductor chip with a resin.
FIG. 19 is a diagram for explaining the resin sealing by the transfer molding method of the semiconductor device. Note that FIGS. 19A and 19B show different sealing devices.

まず、封止装置１００では、図１９（Ａ）に示されるように、カル部１０１は、ゲート部１０３を具備するランナ部１０２を介して、金型のキャビティ部１０４に接続されている。また、キャビティ部１０４には、リードフレーム１０５に載置された半導体チップ等が設置されている。   First, in the sealing device 100, as shown in FIG. 19A, the cull portion 101 is connected to the cavity portion 104 of the mold through the runner portion 102 including the gate portion 103. The cavity 104 is provided with a semiconductor chip or the like placed on the lead frame 105.

このような封止装置１００では、図示しないポット部にセットした固形樹脂が加熱されて溶融し、溶融した樹脂１０６がポット部からカル部１０１に供給される。そして、溶融された樹脂１０６はカル部１０１からランナ部１０２を移送し、図１９（Ａ）中の左側のゲート部１０３から順にキャビティ部１０４内にそれぞれ注入されて、半導体チップが樹脂で封止される。   In such a sealing device 100, the solid resin set in the pot portion (not shown) is heated and melted, and the melted resin 106 is supplied from the pot portion to the cull portion 101. Then, the melted resin 106 is transferred from the cull portion 101 to the runner portion 102 and injected into the cavity portion 104 sequentially from the left gate portion 103 in FIG. 19A, and the semiconductor chip is sealed with resin. Is done.

封止した樹脂を硬化した後、リードフレーム１０５を切り離すことにより、半導体チップが樹脂で封止された半導体装置が製造される。この時、リードフレーム１０５が切り離された後に残ったカル部１０１、ランナ部１０２及びゲート部１０３は廃棄されるため、樹脂封止に利用される樹脂量の５０％程度が利用されずに廃棄される（樹脂効率５０％程度）ことになる。   After the sealed resin is cured, the lead frame 105 is separated to manufacture a semiconductor device in which the semiconductor chip is sealed with the resin. At this time, since the cull portion 101, the runner portion 102, and the gate portion 103 remaining after the lead frame 105 is cut off, about 50% of the amount of resin used for resin sealing is discarded without being used. (Resin efficiency is about 50%).

次に、封止装置２００では、図１９（Ｂ）に示されるように、カル部２０１は、ランナ部２０２を介して、半導体チップ１４０が載置され半導体チップ１４０とワイヤ１５０で電気的に接続された基板１１０が設置された金型のキャビティ部２０４に接続されている。   Next, in the sealing device 200, as shown in FIG. 19B, the cull portion 201 is placed on the semiconductor chip 140 via the runner portion 202 and is electrically connected to the semiconductor chip 140 by the wire 150. The formed substrate 110 is connected to the cavity portion 204 of the mold.

この場合も、封止装置２００では、図示しないポット部にセットされた固形樹脂が溶融されると、溶融された樹脂２０６はポット部からカル部２０１に供給される。そして、溶融された樹脂２０６はカル部２０１からランナ部２０２を移送し、キャビティ部２０４内にそれぞれ注入されて、基板１１０上の半導体チップ１４０及びワイヤ１５０が樹脂で封止される。   Also in this case, in the sealing device 200, when the solid resin set in the pot portion (not shown) is melted, the melted resin 206 is supplied from the pot portion to the cull portion 201. Then, the melted resin 206 is transferred from the cull part 201 to the runner part 202 and injected into the cavity part 204, and the semiconductor chip 140 and the wire 150 on the substrate 110 are sealed with resin.

封止した樹脂を硬化した後、基板１１０を切り離し、切り離した基板１１０の半導体チップ１４０の搭載面の裏面にはんだバンプを取りつけて、ダイシングにより個片化して、半導体装置が製造される。この場合も基板１１０を切り離した後のカル部２０１及びランナ部２０２は廃棄されるものの、封止装置１００と比較すると、樹脂効率は８０〜９０％程度に向上する。   After the sealed resin is cured, the substrate 110 is separated, solder bumps are attached to the back surface of the separated surface of the substrate 110 on which the semiconductor chip 140 is mounted, and the semiconductor device is manufactured by dicing. Also in this case, the cull part 201 and the runner part 202 after the substrate 110 is cut off are discarded, but the resin efficiency is improved to about 80 to 90% as compared with the sealing device 100.

一方、さらなる樹脂効率を向上させる方法として圧縮成型法が利用されている。
図２０は、半導体装置の圧縮成形法による樹脂封止を説明するための図である。なお、図２０（Ａ）は押圧前の、図２０（Ｂ）は押圧後の圧縮成型法による樹脂封止をそれぞれ表している。 On the other hand, a compression molding method is used as a method for further improving the resin efficiency.
FIG. 20 is a view for explaining resin sealing by compression molding of a semiconductor device. 20A shows the resin sealing before pressing, and FIG. 20B shows the resin sealing by the compression molding method after pressing.

封止装置３００は、プレス可動部３０１が枠部３０２の側部に沿って、上部金型３０３に対して図２０中上下動するものである。
このような封止装置３００では、まず、半導体チップ１４０が載置され半導体チップ１４０とワイヤ１５０で電気的に接続された基板１１０がプレス可動部３０１に載置される。そして、基板１１０の半導体チップ１４０及びワイヤ１５０上にセットされた固形樹脂１３０は、上部金型３０３と基板１１０に搭載された半導体チップ１４０及びワイヤ１５０とで挟持される（図２０（Ａ））。 In the sealing device 300, the press movable part 301 moves up and down in FIG. 20 with respect to the upper mold 303 along the side part of the frame part 302.
In such a sealing device 300, first, the substrate 110 on which the semiconductor chip 140 is placed and electrically connected to the semiconductor chip 140 with the wire 150 is placed on the press movable unit 301. The solid resin 130 set on the semiconductor chip 140 and the wire 150 of the substrate 110 is sandwiched between the upper mold 303 and the semiconductor chip 140 and the wire 150 mounted on the substrate 110 (FIG. 20A). .

この状態で、固形樹脂１３０を溶融して、プレス可動部３０１を図１３中上方に可動させると、固形樹脂から溶融した樹脂１３１で半導体チップ１４０及びワイヤ１５０が封止される（図２０（Ｂ））。   In this state, when the solid resin 130 is melted and the movable press portion 301 is moved upward in FIG. 13, the semiconductor chip 140 and the wire 150 are sealed with the resin 131 melted from the solid resin (FIG. 20B )).

封止した樹脂を硬化した後、封止装置３００から樹脂封止された基板１１０を取り出して、ダイシングにより個片化して半導体装置が製造される。このような圧縮成型法では、カル部、ランナ部等が不要となり、樹脂効率が１００％となる。   After the sealed resin is cured, the resin-sealed substrate 110 is taken out from the sealing device 300 and separated into pieces by dicing to manufacture a semiconductor device. In such a compression molding method, a cull part, a runner part, etc. are unnecessary, and the resin efficiency becomes 100%.

なお、このような圧縮成型法を利用したものとして、例えば、次のような方法がある。まず、下型のキャビティ内の溶融した樹脂に対して、基板をチップが形成されている面を圧縮する方法（特許文献１）、半導体チップをマウントしたリードフレームの表裏側から樹脂シートを圧着させてリードフレームを封止する方法（特許文献２）、また、半導体素子が搭載された配線基板の当該搭載面に対して、封止樹脂を配置した下型半体を移動させて、当該半導体素子を樹脂で封止する方法（特許文献３）等がある。   In addition, there exist the following methods as what utilized such a compression molding method, for example. First, a method of compressing the surface of the substrate on which the chip is formed against the molten resin in the cavity of the lower mold (Patent Document 1), and pressing the resin sheet from the front and back sides of the lead frame on which the semiconductor chip is mounted A method of sealing the lead frame (Patent Document 2), and moving the lower mold half on which the sealing resin is disposed with respect to the mounting surface of the wiring board on which the semiconductor element is mounted. (Patent Document 3) and the like.

国際公開第２００６／１００７６５号International Publication No. 2006/100765 特開平８−２７９５２３号公報JP-A-8-279523 特開平１０−１２５７０５号公報JP-A-10-125705

しかし、図２０のような圧縮成型法では、リードフレームと半導体チップとを結線したワイヤ上に固形樹脂を載置するとワイヤが変形してしまう。また、固形樹脂から溶融した樹脂が流動を開始した際に、溶融したばかりの樹脂は粘度が十分に低下していないため、固形樹脂の載置位置周辺のワイヤは変形が生じやすい。   However, in the compression molding method as shown in FIG. 20, when a solid resin is placed on the wire connecting the lead frame and the semiconductor chip, the wire is deformed. Further, when the resin melted from the solid resin starts to flow, since the viscosity of the resin just melted is not sufficiently lowered, the wire around the mounting position of the solid resin is likely to be deformed.

このようにワイヤが変形して、隣接するワイヤと接触した状態、またはワイヤが断線した状態で樹脂封止されると、半導体装置が正常に動作しなくなるという問題点があった。
本願はこのような点に鑑みてなされたものであり、樹脂封止によるワイヤの変形が抑制された半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 Thus, when the wire is deformed and resin-sealed in a state where it is in contact with an adjacent wire or a wire is disconnected, there is a problem that the semiconductor device does not operate normally.
This application is made in view of such a point, and it aims at providing the manufacturing method of the semiconductor device by which the deformation | transformation of the wire by resin sealing was suppressed.

上記目的を達成するために、半導体チップを樹脂で封止する半導体装置の製造方法が提供される。このような半導体装置の製造方法は、貫通部が形成された被処理基板に前記半導体チップを搭載し、前記被処理基板と前記半導体チップとを接続部材で電気的に接続し、前記被処理基板を金型のキャビティに収納する工程と、前記被処理基板の前記半導体チップの搭載面の裏面側の前記貫通部から前記キャビティ内に樹脂を供給して、前記被処理基板の前記搭載面を封止する工程と、を有する。   In order to achieve the above object, a method of manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor chip is sealed with a resin is provided. In such a method of manufacturing a semiconductor device, the semiconductor chip is mounted on a substrate to be processed in which a through-hole is formed, the substrate to be processed and the semiconductor chip are electrically connected by a connecting member, and the substrate to be processed In the cavity of the mold, and supplying resin into the cavity from the through portion on the back side of the mounting surface of the semiconductor chip of the substrate to be processed to seal the mounting surface of the substrate to be processed And a step of stopping.

上記の半導体装置の製造方法によれば、接続部材の変形が防止され、半導体装置の信頼性が向上する。   According to the above method for manufacturing a semiconductor device, deformation of the connection member is prevented, and the reliability of the semiconductor device is improved.

第１の実施の形態に係る樹脂封止工程を説明するための概略図である。It is the schematic for demonstrating the resin sealing process which concerns on 1st Embodiment. 第２の実施の形態に係る半導体チップが搭載されたリードフレームの上面図である。FIG. 6 is a top view of a lead frame on which a semiconductor chip according to a second embodiment is mounted. 第２の実施の形態に係る半導体チップが搭載されたリードフレームの断面図である。It is sectional drawing of the lead frame with which the semiconductor chip based on 2nd Embodiment is mounted. 第２の実施の形態に係るリードフレームがセットされた封止装置の側面図である。It is a side view of the sealing device with which the lead frame concerning a 2nd embodiment was set. 第２の実施の形態に係る封止装置の金型の断面図である。It is sectional drawing of the metal mold | die of the sealing device which concerns on 2nd Embodiment. 樹脂タブレットの非加熱側の温度の時間依存性を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the time dependence of the temperature of the non-heating side of a resin tablet. 加熱温度における封止樹脂の粘度の時間依存性を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the time dependence of the viscosity of sealing resin in heating temperature. 封止樹脂の粘度のせん断速度依存性を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the shear rate dependence of the viscosity of sealing resin. 第２の実施の形態に係る樹脂封止工程におけるプランジャのストローク量及び樹脂圧の時間依存性を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the time dependence of the stroke amount of a plunger and the resin pressure in the resin sealing process which concerns on 2nd Embodiment. 第２の実施の形態に係る封止装置による樹脂封止を説明するための図（その１）である。It is FIG. (1) for demonstrating the resin sealing by the sealing device which concerns on 2nd Embodiment. 第２の実施の形態に係る封止装置による樹脂封止を説明するための図（その２）である。It is FIG. (2) for demonstrating the resin sealing by the sealing device which concerns on 2nd Embodiment. 第２の実施の形態に係る封止装置による樹脂封止を説明するための図（その３）である。It is FIG. (3) for demonstrating the resin sealing by the sealing device which concerns on 2nd Embodiment. 第２の実施の形態に係る樹脂で封止されたリードフレームの研削工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the grinding process of the lead frame sealed with resin which concerns on 2nd Embodiment. 第２の実施の形態に係る樹脂で封止されたリードフレームのダイシング工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the dicing process of the lead frame sealed with resin which concerns on 2nd Embodiment. 第２の実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the semiconductor device which concerns on 2nd Embodiment. 第３の実施の形態に係る有機基板を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the organic substrate which concerns on 3rd Embodiment. 第３の実施の形態に係る封止装置にセットした有機基板を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the organic substrate set to the sealing device which concerns on 3rd Embodiment. 第３の実施の形態に係る樹脂で封止されたリードフレームのダイシング工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the dicing process of the lead frame sealed with resin which concerns on 3rd Embodiment. 半導体装置のトランスファモールド成形法による樹脂封止を説明するための図である。It is a figure for demonstrating resin sealing by the transfer molding method of a semiconductor device. 半導体装置の圧縮成形法による樹脂封止を説明するための図である。It is a figure for demonstrating resin sealing by the compression molding method of a semiconductor device.

以下、実施の形態を図面を参照して説明する。
［第１の実施の形態］
図１は、第１の実施の形態に係る樹脂封止工程を説明するための概略図である。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.
[First Embodiment]
FIG. 1 is a schematic view for explaining a resin sealing step according to the first embodiment.

第１の実施の形態の樹脂封止方法では、半導体チップが搭載され、半導体チップと電気的に接続部材で接続され、貫通部が形成された被処理基板を金型に配置して、当該被処理基板を金型のキャビティに収納して、半導体チップの搭載面の裏面側の貫通部からキャビティ内に樹脂を供給して、被処理基板の搭載面の半導体チップ及び接続部材を封止するものである。   In the resin sealing method of the first embodiment, a substrate to be processed in which a semiconductor chip is mounted, electrically connected to the semiconductor chip by a connecting member, and formed with a penetrating portion is placed in a mold, A processing substrate is housed in a cavity of a mold, and a resin is supplied into the cavity from a through portion on the back surface side of the mounting surface of the semiconductor chip to seal the semiconductor chip and the connection member on the mounting surface of the processing substrate. It is.

このような樹脂封止の方法について説明する。
まず、被処理基板１に対して、被処理基板１の両面に貫通する貫通部２を形成しておく。続いて、被処理基板１の一方の面に半導体チップ３を搭載し、当該半導体チップ３と被処理基板１の所定の箇所との間を接続部材である、例えばワイヤ４で電気的に結線する。なお、被処理基板１は、例えば、金属材料または有機材料で構成された基板である。また、接続部材としては、ワイヤ４の他に、導電性を有する金属片のクリップを利用することも可能である。 Such a resin sealing method will be described.
First, penetrating portions 2 penetrating both surfaces of the substrate 1 to be processed are formed on the substrate 1 to be processed. Subsequently, the semiconductor chip 3 is mounted on one surface of the substrate 1 to be processed, and the semiconductor chip 3 and a predetermined portion of the substrate 1 to be processed are electrically connected by a connection member, for example, a wire 4. . In addition, the to-be-processed substrate 1 is a board | substrate comprised with the metal material or the organic material, for example. Further, as the connecting member, in addition to the wire 4, a clip of conductive metal piece can be used.

次いで、このような被処理基板１を、封止装置５にセットする。封止装置５は、金型５ａと、当該金型５ａとキャビティ５ｃを構成し、金型５ａの側部に沿って図１中上下動可能なプランジャ５ｂとを具備する。   Next, such a substrate 1 to be processed is set in the sealing device 5. The sealing device 5 includes a mold 5a, and a plunger 5b that constitutes the mold 5a and the cavity 5c and can move up and down in FIG. 1 along the side of the mold 5a.

このような封止装置５に対して、被処理基板１を金型５ａにセットして、半導体チップ３をキャビティ５ｃに収納する。なお、図１（Ａ）では、被処理基板１を、半導体チップ３を図１中下側に向けた状態で金型５ａにセットして、半導体チップ３をキャビティ５ｃに収納している。また、被処理基板１の裏面（半導体チップ３の搭載面の反対面）と、プランジャ５ｂとの間には固形樹脂６が配置されている。   With respect to such a sealing device 5, the substrate 1 to be processed is set in the mold 5a, and the semiconductor chip 3 is accommodated in the cavity 5c. In FIG. 1A, the substrate 1 to be processed is set in the mold 5a with the semiconductor chip 3 facing downward in FIG. 1, and the semiconductor chip 3 is accommodated in the cavity 5c. A solid resin 6 is disposed between the back surface of the substrate 1 to be processed (the surface opposite to the mounting surface of the semiconductor chip 3) and the plunger 5b.

次に、図１（Ａ）に示される状態において、固形樹脂６を加熱して可塑化する。固形樹脂６から可塑化した樹脂６ａをプランジャ５ｂが被処理基板１の裏面側から搭載面側に押圧する。押圧された樹脂６ａは、プランジャ５ｂと被処理基板１の裏面上との間を流動することで粘度が低下し、図１（Ｂ）に示されるように、被処理基板１の貫通部２からキャビティ５ｃ内に供給される。   Next, in the state shown in FIG. 1A, the solid resin 6 is heated and plasticized. The plunger 5b presses the plasticized resin 6a from the solid resin 6 from the back surface side of the substrate 1 to be mounted to the mounting surface side. The pressed resin 6a flows between the plunger 5b and the back surface of the substrate 1 to be processed, so that the viscosity decreases. As shown in FIG. It is supplied into the cavity 5c.

プランジャ５ｂの押圧に伴って、粘度が低下した樹脂６ａのキャビティ５ｃ内への供給量も増加する。最終的に、キャビティ５ｃを充填した樹脂６ａを硬化すると、図１（Ｃ）に示されるように、被処理基板１の半導体チップ３及びワイヤ４が硬化樹脂６ｂで封止される。   With the pressing of the plunger 5b, the supply amount of the resin 6a having a lowered viscosity into the cavity 5c also increases. Finally, when the resin 6a filling the cavity 5c is cured, the semiconductor chip 3 and the wire 4 of the substrate 1 to be processed are sealed with the cured resin 6b as shown in FIG.

この後の工程は、硬化樹脂６ｂで樹脂封止された被処理基板１を封止装置５から取り出して、ダイシング処理を行って個片化して、所望の半導体装置を製造することができる。
このように、被処理基板１を金型５ａに配置し、搭載面に搭載された半導体チップ３を金型５ａのキャビティ５ｃに収納し、搭載面の裏面側の貫通部２から樹脂６ａをキャビティ５ｃ内に供給するようにした。これにより、ワイヤ４上に固形樹脂６が配置されないようになる。さらに、固形樹脂６から可塑化された樹脂６ａが被処理基板１の裏面とプランジャ５ｂとの間を流動すると、さらに粘度が低下して、貫通部２からキャビティ５ｃ内に供給されるようになる。この結果、ワイヤ４の変形を防止することができ、被処理基板１の半導体チップ３及びワイヤ４を樹脂６ａで封止することが可能となる。このような樹脂６ａから硬化された硬化樹脂６ｂで封止された被処理基板１から個片化された半導体装置は、ワイヤ４の断線、隣接するワイヤ４の接触が防止されて、信頼性が高まる。 In the subsequent steps, the target substrate 1 that is resin-sealed with the cured resin 6b is taken out from the sealing device 5 and is diced into individual pieces, whereby a desired semiconductor device can be manufactured.
In this way, the substrate 1 to be processed is placed in the mold 5a, the semiconductor chip 3 mounted on the mounting surface is stored in the cavity 5c of the mold 5a, and the resin 6a is cavityd from the through portion 2 on the back surface side of the mounting surface. It was made to supply in 5c. As a result, the solid resin 6 is not disposed on the wire 4. Further, when the resin 6a plasticized from the solid resin 6 flows between the back surface of the substrate 1 to be processed and the plunger 5b, the viscosity further decreases and is supplied from the through portion 2 into the cavity 5c. . As a result, deformation of the wire 4 can be prevented, and the semiconductor chip 3 and the wire 4 of the substrate 1 to be processed can be sealed with the resin 6a. The semiconductor device separated from the substrate 1 to be processed sealed with the cured resin 6b cured from the resin 6a is prevented from being disconnected by the wire 4 and from being contacted by the adjacent wire 4, and thus has high reliability. Rise.

なお、第１の実施の形態では、被処理基板１の半導体チップ３を図１中下向きにして、樹脂６ａを下方に供給した場合について説明した。一方、樹脂６ａを供給する方向は、この場合に限らず、仮に、被処理基板１の半導体チップ３を図１中上向きにすると、樹脂６ａを上方向に供給する場合でも構わない。   In the first embodiment, the case where the semiconductor chip 3 of the substrate 1 to be processed is directed downward in FIG. 1 and the resin 6a is supplied downward has been described. On the other hand, the direction in which the resin 6a is supplied is not limited to this case. If the semiconductor chip 3 of the substrate 1 to be processed is directed upward in FIG. 1, the resin 6a may be supplied upward.

以下、この場合について、より具体的に説明する。
［第２の実施の形態］
図２は、第２の実施の形態に係る半導体チップが搭載されたリードフレームの上面図、図３は、第２の実施の形態に係る半導体チップが搭載されたリードフレームの断面図である。なお、図３は、図２の一点鎖線Ｘ−Ｘにおけるリードフレーム１０の断面図を表している。また、図２の矢印Ａ，Ｂは、後述する、樹脂３１を供給する際の貫通孔１１から流入する樹脂３１の流入方向を表している。 Hereinafter, this case will be described more specifically.
[Second Embodiment]
FIG. 2 is a top view of the lead frame on which the semiconductor chip according to the second embodiment is mounted, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the lead frame on which the semiconductor chip according to the second embodiment is mounted. FIG. 3 is a cross-sectional view of the lead frame 10 taken along the alternate long and short dash line XX in FIG. Further, arrows A and B in FIG. 2 represent the inflow direction of the resin 31 flowing from the through hole 11 when supplying the resin 31 described later.

リードフレーム１０は、銅等の金属で形成されており、図２に示されるように、貫通孔１１が形成されて、チップ搭載部１２に半導体チップ１４が搭載され、当該半導体チップ１４と外部接続端子部１３とがワイヤ１５で電気的に結線されている。また、リードフレーム１０は、図３に示されるように、チップ搭載部１２と外部接続端子部１３とはその他の部分よりも厚く形成されている。このように、リードフレーム１０には、チップ搭載部１２に搭載された半導体チップ１４と、当該半導体チップ１４とワイヤ１５で電気的に結線されている外部接続端子部１３とを一組として、複数配列されている。なお、リードフレーム１０の半導体チップ１４が搭載されている側を搭載面、搭載されていない側を裏面とする。また、貫通孔１１の詳細については後述する。   The lead frame 10 is formed of a metal such as copper, and as shown in FIG. 2, a through hole 11 is formed, and a semiconductor chip 14 is mounted on the chip mounting portion 12. The terminal portion 13 is electrically connected by a wire 15. Further, as shown in FIG. 3, the lead frame 10 is formed such that the chip mounting portion 12 and the external connection terminal portion 13 are thicker than other portions. As described above, the lead frame 10 includes a plurality of semiconductor chips 14 mounted on the chip mounting portion 12 and a plurality of external connection terminal portions 13 electrically connected to the semiconductor chips 14 by the wires 15. It is arranged. The side of the lead frame 10 on which the semiconductor chip 14 is mounted is the mounting surface, and the side on which the semiconductor chip 14 is not mounted is the back surface. Details of the through hole 11 will be described later.

また、このようなリードフレーム１０は、例えば、縦×横は、３４ｍｍ程度×８７．５ｍｍ程度であって、厚さは、最厚部で２ｍｍ程度、最薄部で０．５〜１ｍｍ程度である。
次に、このようなリードフレーム１０がセットされて、当該リードフレーム１０の半導体チップ１４及びワイヤ１５を樹脂で封止するための封止装置について説明する。 The lead frame 10 has, for example, a length × width of about 34 mm × 87.5 mm, and a thickness of about 2 mm at the thickest portion and about 0.5 to 1 mm at the thinnest portion. is there.
Next, a sealing device for setting such a lead frame 10 and sealing the semiconductor chip 14 and the wire 15 of the lead frame 10 with resin will be described.

図４は、第２の実施の形態に係るリードフレームがセットされた封止装置の側面図、図５は、第２の実施の形態に係る封止装置の金型の断面図である。
なお、図５（Ａ）は図４の一点鎖線Ｙ−Ｙの、図５（Ｂ）は図４の一点鎖線Ｚ−Ｚのそれぞれにおける断面図を模式的に表したものである。したがって、図４の破線Ｐ，Ｑは、図５（Ａ）の波線Ｐ，Ｑに、図４の破線Ｒ，Ｓは図５（Ｂ）の破線Ｒ，Ｓにそれぞれ対応している。 FIG. 4 is a side view of a sealing device in which a lead frame according to the second embodiment is set, and FIG. 5 is a cross-sectional view of a mold of the sealing device according to the second embodiment.
5A schematically illustrates a cross-sectional view taken along a dashed-dotted line YY in FIG. 4 and FIG. 5B schematically illustrates a cross-sectional view taken along a dashed-dotted line ZZ in FIG. Therefore, the broken lines P and Q in FIG. 4 correspond to the wavy lines P and Q in FIG. 5A, and the broken lines R and S in FIG. 4 correspond to the broken lines R and S in FIG.

封止装置２０は、上部金型２１と、当該上部金型２１と合わさってキャビティ２０ａを構成する下部金型２２とを具備しており、下部金型２２の開口部２２ａには開口部２２ａの側部に沿って、図４中上下動可能なプランジャ２３が設置されている。なお、プランジャ２３には図示しない圧力センサ付きのサーボモータが設置されている。サーボモータではプランジャ２３の上下動の速度、ストローク量等を自由に制御し、圧力センサではプランジャ２３を介して、後述する押圧した樹脂３１からの圧力（樹脂圧）を検出することができる。また、プランジャ２３上に樹脂封止に用いられる樹脂タブレット３０がセットされる。   The sealing device 20 includes an upper mold 21 and a lower mold 22 which is combined with the upper mold 21 to form a cavity 20a. The opening 22a of the lower mold 22 includes an opening 22a. A plunger 23 that can move up and down in FIG. 4 is installed along the side. The plunger 23 is provided with a servomotor with a pressure sensor (not shown). The servo motor can freely control the vertical movement speed and stroke amount of the plunger 23, and the pressure sensor can detect pressure (resin pressure) from a pressed resin 31, which will be described later, via the plunger 23. Moreover, the resin tablet 30 used for resin sealing is set on the plunger 23.

上部金型２１は、下部金型２２との間にリードフレーム１０をセットした際に、リードフレーム１０（図２の破線の楕円領域）を支持する支持部２１ａと、キャビティ２０ａに突出するエジェクタピン２１ｂとがそれぞれ複数形成されている。   When the lead frame 10 is set between the upper mold 21 and the lower mold 22, a support portion 21a that supports the lead frame 10 (broken elliptical area in FIG. 2) and an ejector pin that protrudes into the cavity 20a A plurality of 21b are formed.

支持部２１ａは、キャビティ２０ａ内に樹脂３１を供給する（図９〜図１１参照）ためにプランジャ２３から樹脂３１への押圧による、リードフレーム１０の上部金型２１側への撓みを抑制するものである。支持部２１ａがプランジャ２３の押圧によるリードフレーム１０の変形を防止することができる。   The support portion 21a suppresses bending of the lead frame 10 toward the upper mold 21 due to the pressure from the plunger 23 to the resin 31 in order to supply the resin 31 into the cavity 20a (see FIGS. 9 to 11). It is. The support portion 21 a can prevent the lead frame 10 from being deformed by the pressing of the plunger 23.

なお、プランジャ２３の押圧によるリードフレーム１０の撓みを防止するために、支持部２１ａの形成以外には、サーボモータの圧力センサによって検知した樹脂３１の硬さ及び反発力を利用する方法がある。この場合には、プランジャ２３を介して検知された樹脂３１からの反発力が大きい場合には、プランジャ２３の押圧速度を遅くして、樹脂３１を可塑化させて低粘度化して反発力が小さくなった時点で押圧速度を速めて、リードフレーム１０の撓みを防止しつつ、樹脂３１を供給することが可能となる。また、別の方法としては、リードフレーム１０の厚さを厚くすることにより、リードフレーム１０の剛性が高まり、変形しにくくする方法がある。例えば、リードフレーム１０が２列×５組並列に対応した面積であって、厚さが２ｍｍ程度あれば、変形しにくくなり、支持部２１ａが不要となる。このように支持部２１ａが不要になると、上部金型２１の構成が簡略化されて、上部金型２１を容易に製造できるようになる。   In order to prevent the lead frame 10 from being bent due to the pressing of the plunger 23, there is a method of using the hardness and repulsive force of the resin 31 detected by the pressure sensor of the servo motor other than the formation of the support portion 21a. In this case, when the repulsive force from the resin 31 detected via the plunger 23 is large, the pressing speed of the plunger 23 is slowed down, the resin 31 is plasticized to reduce the viscosity, and the repulsive force is small. At this point, the pressing speed is increased, and the resin 31 can be supplied while preventing the lead frame 10 from being bent. Another method is to increase the rigidity of the lead frame 10 by increasing the thickness of the lead frame 10 so that the lead frame 10 is not easily deformed. For example, if the lead frame 10 has an area corresponding to 2 rows × 5 sets in parallel and has a thickness of about 2 mm, the lead frame 10 is hardly deformed, and the support portion 21a is not necessary. Thus, when the support part 21a becomes unnecessary, the structure of the upper metal mold | die 21 will be simplified and it will become possible to manufacture the upper metal mold | die 21 easily.

エジェクタピン２１ｂは、リードフレーム１０の半導体チップ１４等を後述する硬化樹脂３２で封止して（図１１参照）、下部金型２２が取り外された後に、キャビティ２０ａ側に突出して、封止装置２０から硬化樹脂３２で封止されたリードフレーム１０を取り外すことができる。   The ejector pin 21b seals the semiconductor chip 14 and the like of the lead frame 10 with a cured resin 32 to be described later (see FIG. 11), and protrudes toward the cavity 20a after the lower mold 22 is removed. The lead frame 10 sealed with the cured resin 32 from 20 can be removed.

また、このような構成の封止装置２０は、樹脂タブレット３０を加熱して樹脂３１に可塑化することができる。加熱の方法としては、まず、加熱した上部金型２１及び下部金型２２からの熱伝導によりリードフレーム１０を加熱し、また、樹脂タブレット３０がセットされたプランジャ２３も加熱する。プランジャ２３をリードフレーム１０側に移動して樹脂タブレット３０を加熱されたリードフレーム１０と狭持することで、樹脂タブレット３０を両側から加熱して、可塑化を早めることができる。   Moreover, the sealing device 20 having such a configuration can heat the resin tablet 30 and plasticize it to the resin 31. As a heating method, first, the lead frame 10 is heated by heat conduction from the heated upper mold 21 and lower mold 22, and the plunger 23 on which the resin tablet 30 is set is also heated. By moving the plunger 23 toward the lead frame 10 and pinching the resin tablet 30 with the heated lead frame 10, the resin tablet 30 can be heated from both sides to accelerate plasticization.

なお、下部金型２２の図５（Ｂ）に示される図５中縦方向のそれぞれ長さは、ａ１は２４ｍｍ程度、ｂ１は３４ｍｍ程度、ｃ１は５４ｍｍ程度である。図５中横方向のそれぞれの長さは、ａ２は７７．５ｍｍ程度、ｂ２は８７．５ｍｍ程度、ｃ２は１０７．５ｍｍ程度である。   Note that the lengths of the lower mold 22 in the longitudinal direction in FIG. 5 shown in FIG. 5B are about 24 mm for a1, about 34 mm for b1, and about 54 mm for c1. The respective lengths in the horizontal direction in FIG. 5 are about 77.5 mm for a2, about 87.5 mm for b2, and about 107.5 mm for c2.

また、封止に用いる樹脂タブレット３０について説明する。
図６は、樹脂タブレットの非加熱側の温度の時間依存性を説明するための図である。
なお、図６（Ａ）は樹脂タブレット３０の断面模式図を、図６（Ｂ）は樹脂タブレット３０の厚さが６ｍｍの場合の非加熱側の温度を、図６（Ｃ）は樹脂タブレット３０の厚さが１ｍｍの場合の非加熱側の温度をそれぞれ表している。 The resin tablet 30 used for sealing will be described.
FIG. 6 is a diagram for explaining the time dependency of the temperature on the non-heating side of the resin tablet.
6A is a schematic cross-sectional view of the resin tablet 30, FIG. 6B is the non-heating side temperature when the thickness of the resin tablet 30 is 6 mm, and FIG. 6C is the resin tablet 30. The temperature on the non-heating side when the thickness of each is 1 mm is shown.

なお、樹脂タブレット３０は、例えば、エポシキ樹脂、フェノール硬化剤及び無機フィラ（シリカ）により構成されて、熱硬化性を有する。
まず、図６（Ａ）に示されるような円柱状の樹脂タブレット３０を片側（加熱側）から１７５℃で加熱した場合、加熱側と、加熱しない側（非加熱側）とでは温度差が生じる。 The resin tablet 30 is composed of, for example, an epoxy resin, a phenol curing agent, and an inorganic filler (silica), and has thermosetting properties.
First, when a cylindrical resin tablet 30 as shown in FIG. 6A is heated at 175 ° C. from one side (heating side), a temperature difference occurs between the heating side and the non-heating side (non-heating side). .

以下では、さらに樹脂タブレット３０の厚さに応じた、非加熱側の温度の時間依存性について説明する。なお、樹脂タブレット３０の溶融温度は１６０℃程度である。
まず、樹脂タブレット３０の厚さが６ｍｍ程度の場合について説明する。 Below, the time dependence of the temperature of the non-heating side according to the thickness of the resin tablet 30 is demonstrated further. The melting temperature of the resin tablet 30 is about 160 ° C.
First, the case where the thickness of the resin tablet 30 is about 6 mm will be described.

この場合、加熱側を１７５℃で加熱すると、非加熱側の温度は、図６（Ｂ）に示されるように、時間の増加と共に、増加していることが分かる。しかしながら、加熱して６０秒経っても、非加熱側の温度は１３０℃にも達しておらず、溶融温度である１６０℃に達することができなかった。   In this case, when the heating side is heated at 175 ° C., it can be seen that the temperature on the non-heating side increases with time as shown in FIG. 6B. However, even after 60 seconds from heating, the temperature on the non-heated side did not reach 130 ° C. and could not reach the melting temperature of 160 ° C.

一方、樹脂タブレット３０の厚さが１ｍｍ程度の場合について説明する。
この場合、１７５℃で加熱側を加熱すると、非加熱側の温度は、図６（Ｃ）に示されるように、加熱を始めて、６秒程度で１６０℃に達する。その後、非加熱側の温度は、引き続き上昇し、約１２秒を超えると、一定となっている。 On the other hand, the case where the thickness of the resin tablet 30 is about 1 mm will be described.
In this case, when the heating side is heated at 175 ° C., the temperature on the non-heating side reaches 160 ° C. in about 6 seconds after heating is started, as shown in FIG. Thereafter, the temperature on the non-heating side continues to rise and becomes constant when it exceeds about 12 seconds.

このような結果を踏まえて、後述する樹脂封止工程では、封止装置２０には、厚さが２ｍｍ程度の樹脂タブレット３０を用いて、樹脂タブレット３０を、加熱したリードフレーム１０とプランジャ２３とで狭持して両側から加熱して数秒で溶融させるようにする。   Based on such a result, in the resin sealing step to be described later, the resin tablet 30 is used as the sealing device 20 by using the resin tablet 30 having a thickness of about 2 mm, and the heated lead frame 10 and the plunger 23. Hold on and heat from both sides to melt in a few seconds.

また、熱硬化性の樹脂タブレット３０を加熱して可塑化した樹脂３１の粘度について説明する。
図７は、加熱温度における封止樹脂の粘度の時間依存性を説明するための図である。 Further, the viscosity of the resin 31 that is plasticized by heating the thermosetting resin tablet 30 will be described.
FIG. 7 is a diagram for explaining the time dependency of the viscosity of the sealing resin at the heating temperature.

なお、図７は、横軸は時間（秒）を、縦軸は粘度（ｐｏｉｓｅ）をそれぞれ表している。また、樹脂タブレット３０に対する加熱温度が、□（四角）印は１６５℃、○（丸）印は１７５℃、△（三角）印は１８５℃の場合をそれぞれ表している。   In FIG. 7, the horizontal axis represents time (seconds) and the vertical axis represents viscosity. Moreover, the heating temperature with respect to the resin tablet 30 represents a case where □ (square) mark is 165 ° C., ○ (circle) mark is 175 ° C., and Δ (triangle) mark is 185 ° C., respectively.

まず、各温度の場合において、樹脂タブレット３０が加熱によって溶融した樹脂３１は時間の経過に伴って粘度が一旦低下している。その後も加熱を続けると、化学反応により分子量が増加して、非可逆的に粘度が上昇している。また、加熱温度が高くなるほど、最低粘度が小さくなり、最低粘度に達するまでの時間も短くなっている。   First, in the case of each temperature, the viscosity of the resin 31 in which the resin tablet 30 is melted by heating temporarily decreases with time. When heating is continued thereafter, the molecular weight increases due to a chemical reaction, and the viscosity increases irreversibly. In addition, the higher the heating temperature, the lower the minimum viscosity, and the shorter the time required to reach the minimum viscosity.

なお、後述する樹脂封止工程では、一例として、加熱温度を１７５℃程度とする。
さらに、樹脂タブレット３０を加熱して可塑化した樹脂３１について説明する。
まず、可塑化した樹脂３１の粘度と、せん断速度との一般的な関係について説明する。 In addition, in the resin sealing process mentioned later, heating temperature shall be about 175 degreeC as an example.
Further, the resin 31 that is plasticized by heating the resin tablet 30 will be described.
First, the general relationship between the viscosity of the plasticized resin 31 and the shear rate will be described.

図８は、封止樹脂の粘度のせん断速度依存性を説明するための図である。
なお、横軸はせん断速度（ｓ-1）を、縦軸は粘度をそれぞれ表している。また、モールド金型における樹脂３１が通過する際のせん断速度の範囲が記されている。特に、モールド金型のキャビティ内の樹脂３１のせん断速度は５０ｓ-1程度であって、ゲート部の樹脂３１のせん断速度は１０００〜２０００ｓ-1程度である。 FIG. 8 is a diagram for explaining the shear rate dependence of the viscosity of the sealing resin.
The horizontal axis represents the shear rate (s −1 ), and the vertical axis represents the viscosity. In addition, the range of the shear rate when the resin 31 passes through the mold is described. In particular, the shear rate of the resin 31 in the cavity of the mold is about 50 s −1 , and the shear rate of the resin 31 in the gate portion is about 1000 to 2000 s −1 .

図８によれば、樹脂３１の粘度は、せん断速度に応じて変化することが分かる。即ち、せん断速度が増加するにつれて、樹脂３１の粘度は減少している。このことから、モールド金型のゲート部を通過する樹脂３１のせん断速度は、ゲート部の方がキャビティ内よりもより狭いため、キャビティ内を流動する樹脂３１のせん断速度よりも大きくなり、ゲート部を通過する樹脂３１の粘度の方がキャビティ内を流動する場合よりも小さくなっている。   According to FIG. 8, it can be seen that the viscosity of the resin 31 changes according to the shear rate. That is, as the shear rate increases, the viscosity of the resin 31 decreases. From this, the shear rate of the resin 31 passing through the gate portion of the mold is narrower than that in the cavity, so that the shear rate of the resin 31 flowing in the cavity is larger than the gate portion. The viscosity of the resin 31 passing through is smaller than when the resin 31 flows in the cavity.

ところで、後述する（図１０及び図１１参照）ように、樹脂タブレット３０から可塑化した樹脂３１は、プランジャ２３により押圧されて、プランジャ２３とリードフレーム１０の裏面との間を流動して、リードフレーム１０に形成した貫通孔１１に流れ込む。ここで、貫通孔１１を半径Ｒの円管とした場合、当該円管におけるせん断速度γは次の式（１）で表すことができる。   By the way, as will be described later (see FIGS. 10 and 11), the resin 31 plasticized from the resin tablet 30 is pressed by the plunger 23 and flows between the plunger 23 and the back surface of the lead frame 10 to lead. It flows into the through hole 11 formed in the frame 10. Here, when the through hole 11 is a circular pipe having a radius R, the shear rate γ in the circular pipe can be expressed by the following equation (1).

γ＝４Ｑ／（πＲ3）・・・・（１）
但し、Ｑ＝ｄ・Ｓ／ｔ
（Ｑ：流量、ｄ：ピストン移動量、Ｓ：ピストン断面積、ｔ：測定時間）
そして、管壁における真のせん断速度γｗは次の式（２）で表すことができる。 γ = 4Q / (πR 3 ) (1)
However, Q = d · S / t
(Q: flow rate, d: piston travel, S: piston cross-sectional area, t: measurement time)
The true shear rate γw at the tube wall can be expressed by the following equation (2).

γｗ＝（３ｎ＋１／４ｎ）・（４Ｑ／（πＲ3））・・・・（２）
ここで、ｎは次の式（３）で表され、構造粘性指数と呼ばれ、ニュートン流体（ｎ＝１）からのずれを示す。 γw = (3n + 1 / 4n) · (4Q / (πR 3 )) (2)
Here, n is expressed by the following equation (3), is called a structural viscosity index, and indicates a deviation from the Newtonian fluid (n = 1).

ｎ＝ｄｌｏｇ（τ）／（ｄｌｏｇ（γ））・・・・（３）
但し、τ＝ＰＲ／（２Ｌ）
（τ：せん断応力、Ｐ：円管流路両端の圧力差、Ｌ：円管の長さ）
また、一般に高分子溶融体では、式（３）において、ｎ＜１（チキソロトピック流体）となり、樹脂３１の粘度ηは次の式（４）で表され、図８に示すようにせん断速度の増加と共に樹脂の粘度ηは低下するようになる。 n = dlog (τ) / (dlog (γ)) (3)
However, τ = PR / (2L)
(Τ: shear stress, P: pressure difference between both ends of the circular pipe flow path, L: length of the circular pipe)
In general, in the polymer melt, in formula (3), n <1 (thixorotopic fluid), and the viscosity η of the resin 31 is expressed by the following formula (4). As shown in FIG. As the viscosity increases, the viscosity η of the resin decreases.

η＝τ／γｗ＝π・ｎ・Ｐ・Ｒ4／（２（３ｎ＋１）Ｌ・Ｑ）・・・・（４）
樹脂タブレット３０から可塑化した樹脂３１は、プランジャ２３で押圧されるとプランジャ２３とリードフレーム１０の裏面との間を流動し、流量Ｑが増加するため、式（４）から、粘度ηが低減する。さらに、プランジャ２３とリードフレーム１０の裏面との間を流動する樹脂３１は、リードフレーム１０の貫通孔１１を通過する際には、貫通孔１１の通過の前後でＲが小さくなるために、式（４）から、さらに低粘度化する。 η = τ / γw = π · n · P · R 4 / (2 (3n + 1) L · Q) (4)
When the resin 31 plasticized from the resin tablet 30 is pressed by the plunger 23, it flows between the plunger 23 and the back surface of the lead frame 10, and the flow rate Q increases, so the viscosity η is reduced from the equation (4). To do. Furthermore, since the resin 31 flowing between the plunger 23 and the back surface of the lead frame 10 passes through the through hole 11 of the lead frame 10, R becomes small before and after the passage of the through hole 11. From (4), the viscosity is further reduced.

次に、このような封止装置２０によるリードフレーム１０の樹脂封止工程について説明する。
図９は、第２の実施の形態に係る樹脂封止工程におけるプランジャのストローク量及び樹脂圧の時間依存性を説明するための図である。 Next, the resin sealing process of the lead frame 10 by such a sealing device 20 will be described.
FIG. 9 is a diagram for explaining the time dependency of the plunger stroke amount and the resin pressure in the resin sealing step according to the second embodiment.

なお、図９は、横軸はプランジャ２３を移動開始してからの時間（秒）を、縦軸はストローク量（ｍｍ）及び樹脂圧（ｋｇｆ／ｃｍ2）をそれぞれ表している。また、グラフの破線はストローク量、実線は樹脂圧に対応している。 In FIG. 9, the horizontal axis represents the time (seconds) from the start of movement of the plunger 23, and the vertical axis represents the stroke amount (mm) and the resin pressure (kgf / cm 2 ). The broken line in the graph corresponds to the stroke amount, and the solid line corresponds to the resin pressure.

図９では、封止装置２０でリードフレーム１０の半導体チップ１４等の樹脂封止を行った際のプランジャ２３のストローク量及びその際の樹脂３１からの樹脂圧の変化をそれぞれ表している。なお、ストローク量とは、プランジャ２３の所定位置からの移動距離であり、移動したプランジャ２３がリードフレーム１０の裏面に接触した位置がストローク量の最大値となる。   In FIG. 9, the stroke amount of the plunger 23 and the change in the resin pressure from the resin 31 at the time when the resin sealing of the semiconductor chip 14 and the like of the lead frame 10 is performed by the sealing device 20 are respectively shown. The stroke amount is a movement distance of the plunger 23 from a predetermined position, and the position where the moved plunger 23 contacts the back surface of the lead frame 10 is the maximum value of the stroke amount.

以下では、図９の時間（Ｉ）〜（ＩＩＩ）ごとの樹脂封止工程について説明する。
図１０〜図１２は、第２の実施の形態に係る封止装置による樹脂封止を説明するための図である。 Below, the resin sealing process for every time (I)-(III) of FIG. 9 is demonstrated.
10 to 12 are diagrams for explaining resin sealing by the sealing device according to the second embodiment.

まず、樹脂封止の初期準備として、図４で説明したように、封止装置２０に半導体チップ１４が搭載され、当該半導体チップ１４とワイヤ１５で電気的に結線したリードフレーム１０を所定位置にセットすると共に、プランジャ２３に厚さ２ｍｍ程度の樹脂タブレット３０を配置する。そして、上部金型２１及び下部金型２２を加熱してリードフレーム１０と、プランジャ２３とを１７５℃で約５秒程度加熱する。   First, as an initial preparation for resin sealing, as described in FIG. 4, the semiconductor chip 14 is mounted on the sealing device 20, and the lead frame 10 electrically connected to the semiconductor chip 14 by the wire 15 is placed at a predetermined position. At the same time, the resin tablet 30 having a thickness of about 2 mm is placed on the plunger 23. Then, the upper mold 21 and the lower mold 22 are heated to heat the lead frame 10 and the plunger 23 at 175 ° C. for about 5 seconds.

初期準備の終了後、サーボモータを駆動して、プランジャ２３をリードフレーム１０側に移動させると、図９の時間（Ｉ）に示されるように、一定の割合でストローク量は増加する。なお、ストローク量は所定の割合で最大値まで増加するものとする。プランジャ２３のストローク量が増加して、プランジャ２３上の樹脂タブレット３０がリードフレーム１０の裏面に接触するまでは樹脂圧はほぼゼロのままである（図９の時間（Ｉ））。   When the servo motor is driven after the initial preparation is completed and the plunger 23 is moved to the lead frame 10 side, the stroke amount increases at a constant rate as shown in time (I) of FIG. It is assumed that the stroke amount increases to a maximum value at a predetermined rate. The resin pressure remains almost zero until the stroke amount of the plunger 23 increases and the resin tablet 30 on the plunger 23 contacts the back surface of the lead frame 10 (time (I) in FIG. 9).

プランジャ２３上の樹脂タブレット３０がリードフレーム１０の裏面に接触すると、樹脂タブレット３０は加熱されたリードフレーム１０とプランジャ２３とに狭持されて、樹脂３１は可塑化する。可塑化した樹脂３１がプランジャ２３に押圧されると、図１０に示されるように、樹脂３１はプランジャ２３とリードフレーム１０の裏面との間を流動して、プランジャ２３とリードフレーム１０との間を充填する。プランジャ２３により押圧された樹脂３１は流速が増加して流動することにより流量が増加するため、式（４）に基づき、粘度が低下する。   When the resin tablet 30 on the plunger 23 comes into contact with the back surface of the lead frame 10, the resin tablet 30 is held between the heated lead frame 10 and the plunger 23, and the resin 31 is plasticized. When the plasticized resin 31 is pressed against the plunger 23, as shown in FIG. 10, the resin 31 flows between the plunger 23 and the back surface of the lead frame 10, and between the plunger 23 and the lead frame 10. Fill. Since the resin 31 pressed by the plunger 23 increases in flow rate and flows, the flow rate increases, so that the viscosity decreases based on the equation (4).

また、プランジャ２３は、可塑化した樹脂３１を押圧することにより樹脂３１から樹脂圧を受けるようになり、当該樹脂圧は、ストローク量と共に増加する（図９の時間（ＩＩ））。   The plunger 23 receives a resin pressure from the resin 31 by pressing the plasticized resin 31, and the resin pressure increases with the stroke amount (time (II) in FIG. 9).

なお、封止装置２０により樹脂３１（または樹脂タブレット３０）に対する加熱温度は１７５℃であるため、図７の結果を踏まえると、樹脂３１が最低粘度に達するまでの９秒程度の間に、図１０に示したように、プランジャ２３とリードフレーム１０の裏面との間の空間を流動させて充填させることが望ましい。   In addition, since the heating temperature with respect to the resin 31 (or the resin tablet 30) by the sealing device 20 is 175 ° C., based on the result of FIG. 7, it takes about 9 seconds until the resin 31 reaches the minimum viscosity. As shown in FIG. 10, it is desirable to flow and fill the space between the plunger 23 and the back surface of the lead frame 10.

プランジャ２３とリードフレーム１０の裏面との間を流動した樹脂３１は粘度が低下して、図１１に示されるように、リードフレーム１０の貫通孔１１に流れ込み、樹脂３１のせん断速度（せん断応力）が増加して、さらに低粘度化する。低粘度化した樹脂３１はリードフレーム１０の半導体チップ１４の搭載面側に供給されて、リードフレーム１０の搭載面側とキャビティ２０ａとの間の空間を充填する。   The resin 31 flowing between the plunger 23 and the back surface of the lead frame 10 has a reduced viscosity and flows into the through hole 11 of the lead frame 10 as shown in FIG. Increases to further reduce the viscosity. The reduced viscosity resin 31 is supplied to the mounting surface side of the semiconductor chip 14 of the lead frame 10 and fills the space between the mounting surface side of the lead frame 10 and the cavity 20a.

ストローク量と共に増加した樹脂圧は、樹脂３１が貫通孔１１に流れ込んで低粘度化することにより、一旦、低下してしまう（図９のＣ点）。その後、樹脂３１が搭載面側に供給され始めると、樹脂圧は増加して、ほぼ一定値になり、ほぼ一定となった樹脂圧が、樹脂３１のキャビティ２０ａ内の充填が完了するまで（図９のＤ点）ほぼ維持される（図９の時間（ＩＩＩ））。   The resin pressure that increases with the stroke amount temporarily decreases as the resin 31 flows into the through-holes 11 to lower the viscosity (point C in FIG. 9). Thereafter, when the resin 31 starts to be supplied to the mounting surface side, the resin pressure increases to a substantially constant value until the resin pressure that has become substantially constant completes the filling of the resin 31 into the cavity 20a (see FIG. 9 (D point) is almost maintained (time (III) in FIG. 9).

なお、図７の結果を踏まえると、一旦低下した（最低粘度に達した）樹脂３１は時間と共に粘度が増加するために、できる限り素早く樹脂３１を貫通孔１１からリードフレーム１０の載置面側に供給することが望ましい。   In view of the result of FIG. 7, since the viscosity of the resin 31 that has once decreased (has reached the minimum viscosity) increases with time, the resin 31 is removed from the through hole 11 as quickly as possible to the mounting surface side of the lead frame 10. It is desirable to supply to.

また、式（４）から、貫通孔１１の通過の前後で、より低粘度化された樹脂３１がリードフレーム１０の搭載面側に流れ込むため、半導体チップ１４側のワイヤ１５が変形しにくくなる。このように貫通孔１１の大きさは、式（４）に基づいて、ワイヤ１５が変形しない粘度に調整することができる。   Further, from the equation (4), the resin 31 having a lower viscosity flows into the mounting surface side of the lead frame 10 before and after passing through the through hole 11, so that the wire 15 on the semiconductor chip 14 side is hardly deformed. Thus, the size of the through hole 11 can be adjusted to a viscosity at which the wire 15 is not deformed based on the equation (4).

そして、この時のワイヤ１５の変形抗力Ｄは次の式（５）で表される。
Ｄ＝κ・Ｃｄ・η・Ｖ2・Ｓ・・・・（５）
（κ：定数、Ｃｄ：抗力係数、η：樹脂の粘度、Ｖ：流速、Ｓ：ワイヤ１５の投影面積）
ワイヤ１５の変形抗力Ｄは、式（５）から、樹脂の粘度ηまたは流速Ｖの２乗に比例して大きくなる。なお、貫通孔の面積が小さくなると、流速Ｖが速くなることもあり（ポワズイユ則）、貫通孔の面積が小さくなると、ワイヤ１５の変形抗力Ｄが大きくなる。 The deformation resistance D of the wire 15 at this time is expressed by the following equation (5).
D = κ · Cd · η · V 2 · S (5)
(Κ: constant, Cd: drag coefficient, η: resin viscosity, V: flow velocity, S: projected area of the wire 15)
The deformation resistance D of the wire 15 increases in proportion to the viscosity η of the resin or the square of the flow velocity V from Equation (5). In addition, when the area of a through-hole becomes small, the flow velocity V may become quick (Poiseuille rule), and when the area of a through-hole becomes small, the deformation drag D of the wire 15 will become large.

そこで、貫通孔１１の形状は、流速Ｖの増加を抑制するためには、円形よりも大きく面積を取れるスリット状に形成することが望ましい。
さらに、このような貫通孔１１は、ダイシングラインに沿って形成することにより、ダイシング時の切削の負担を低減することが可能となる。 Therefore, in order to suppress the increase in the flow velocity V, the shape of the through hole 11 is desirably formed in a slit shape that can take a larger area than a circle.
Furthermore, by forming such a through hole 11 along the dicing line, it is possible to reduce the burden of cutting during dicing.

このため、貫通孔１１は、図２に示したように、スリット状にダイシングラインに沿って形成することが望ましい。
なお、第２の実施の形態のように、サーボモータに圧力センサが具備されていれば、樹脂圧に応じて、サーボモータによるプランジャ２３の速度制御が可能になるために、貫通孔１１の形成位置は、ダイシングラインに沿ってさえいれば考慮する必要はない。 For this reason, as shown in FIG. 2, the through-hole 11 is desirably formed in a slit shape along the dicing line.
If the servomotor is equipped with a pressure sensor as in the second embodiment, the speed of the plunger 23 can be controlled by the servomotor according to the resin pressure. The position need not be considered as long as it is along the dicing line.

一方、圧力センサが具備されていない場合、ワイヤ１５の投影面積Ｓは、ワイヤ１５の結線方向に対して樹脂３１が略垂直に流入（図２中の矢印Ａ方向）したときに最大となり、式（５）に基づき、ワイヤ１５の変形抗力Ｄも大きくなり、ワイヤ１５は最も変形し易くなる。また、投影面積Ｓは、ワイヤ１５の結線方向に対して略平行に樹脂３１が流入する場合（図２中の矢印Ｂ方向）に最小となり、式（５）に基づき、ワイヤ１５の変形抗力Ｄも小さくなり、ワイヤ１５は最も変形しにくくなる。したがって、投影面積Ｓができるだけ小さくなるように、スリット状の貫通孔１１の長手方向がワイヤ１５の結線方向と略垂直になるように、貫通孔１１を配置することが望ましい。   On the other hand, when the pressure sensor is not provided, the projected area S of the wire 15 becomes the maximum when the resin 31 flows in substantially perpendicular to the connecting direction of the wire 15 (in the direction of arrow A in FIG. 2). Based on (5), the deformation resistance D of the wire 15 is also increased, and the wire 15 is most easily deformed. Further, the projected area S becomes the minimum when the resin 31 flows in substantially parallel to the connection direction of the wire 15 (in the direction of arrow B in FIG. 2), and the deformation resistance D of the wire 15 is based on the equation (5). And the wire 15 is most difficult to deform. Therefore, it is desirable to arrange the through hole 11 so that the longitudinal direction of the slit-like through hole 11 is substantially perpendicular to the connecting direction of the wire 15 so that the projected area S is as small as possible.

その後、プランジャ２３の押圧により、リードフレーム１０とキャビティ２０ａとの間の空間が樹脂３１で充填されると、樹脂圧は、急激に上昇する。これは、プランジャ２３の押圧によりキャビティ２０ａ内のボイドが潰されて、キャビティ２０ａ内の樹脂３１の密度が向上することによる。   Thereafter, when the space between the lead frame 10 and the cavity 20a is filled with the resin 31 by the pressing of the plunger 23, the resin pressure rapidly increases. This is because the void in the cavity 20a is crushed by the pressing of the plunger 23, and the density of the resin 31 in the cavity 20a is improved.

樹脂３１でリードフレーム１０の搭載面側とキャビティ２０ａとの間の空間を充填して、１７５℃のオーブンで加熱して樹脂３１を硬化すると、図１２に示されるように、リードフレーム１０のチップ搭載部１２上の半導体チップ１４、外部接続端子部１３及びワイヤ１５が硬化樹脂３２で封止される。   When the space between the mounting surface side of the lead frame 10 and the cavity 20a is filled with the resin 31, and the resin 31 is cured by heating in an oven at 175 ° C., as shown in FIG. 12, the chip of the lead frame 10 The semiconductor chip 14, the external connection terminal portion 13, and the wire 15 on the mounting portion 12 are sealed with a cured resin 32.

次いで、このように硬化樹脂３２で封止されたリードフレーム１０に対する研削工程及びダイシング工程について説明する。
図１３は、第２の実施の形態に係る樹脂で封止されたリードフレームの研削工程を説明するための図である。 Next, a grinding process and a dicing process for the lead frame 10 thus sealed with the cured resin 32 will be described.
FIG. 13 is a view for explaining a grinding process of the lead frame sealed with the resin according to the second embodiment.

硬化樹脂３２で封止されたリードフレーム１０を、エジェクタピン２１ｂを利用して、封止装置２０から取り出し、図１３に示されるように、リードフレーム１０の裏面側からグラインダ４１で研削する。リードフレーム１０の裏面側並びに貫通孔１１に露出している樹脂３２を研削し、リードフレーム１０が所定の厚さになるまで研削する。この研削により、リードフレーム１０のチップ搭載部１２と外部接続端子部１３が連続していた部分も研削・除去され、チップ搭載部１２と外部接続端子部１３が分離される。   The lead frame 10 sealed with the curable resin 32 is taken out from the sealing device 20 by using the ejector pins 21b, and is ground by the grinder 41 from the back side of the lead frame 10 as shown in FIG. The resin 32 exposed to the back surface side of the lead frame 10 and the through hole 11 is ground, and the lead frame 10 is ground until the lead frame 10 has a predetermined thickness. By this grinding, the portion of the lead frame 10 where the chip mounting portion 12 and the external connection terminal portion 13 are continuous is also ground and removed, and the chip mounting portion 12 and the external connection terminal portion 13 are separated.

図１４は、第２の実施の形態に係る樹脂で封止されたリードフレームのダイシング工程を説明するための図、図１５は第２の実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。   FIG. 14 is a diagram for explaining the dicing process of the lead frame sealed with resin according to the second embodiment, and FIG. 15 is a diagram for explaining the semiconductor device according to the second embodiment. is there.

最終的に、研削したリードフレーム１０の裏面にはんだめっき１６を形成して、図１４に示されるように、ダイサー４２でリードフレーム１０をダイシングする。
以上により、図１５に示されるように、半導体チップ１４が硬化樹脂３２で樹脂封止されたリードフレーム１０が個片化されて、半導体装置１７を製造することができる。 Finally, the solder plating 16 is formed on the back surface of the ground lead frame 10, and the lead frame 10 is diced by a dicer 42 as shown in FIG.
As described above, as shown in FIG. 15, the lead frame 10 in which the semiconductor chip 14 is resin-sealed with the cured resin 32 is separated into pieces, and the semiconductor device 17 can be manufactured.

このように、リードフレーム１０を封止装置２０内に配置し、搭載面に搭載された半導体チップ１４を上部金型２１及び下部金型２２で構成されるキャビティ２０ａに収納し、搭載面の裏面側の貫通孔１１から樹脂３１をキャビティ２０ａ内に供給するようにした。これにより、ワイヤ１５上に樹脂タブレット３０が配置されないようになる。さらに、樹脂タブレット３０から可塑化された樹脂３１がリードフレーム１０の裏面とプランジャ２３との間を流動すると、さらに粘度が低下して、貫通孔１１からキャビティ２０ａ内に供給されるようになる。この結果、ワイヤ１５の変形を防止して、リードフレーム１０の半導体チップ１４及びワイヤ１５を樹脂３１で封止することが可能となる。このような樹脂３１から硬化された硬化樹脂３２で封止されたリードフレーム１０から個片化された半導体装置１７は、ワイヤ１５の断線、隣接するワイヤ１５の接触が防止されて、信頼性が高まる。   As described above, the lead frame 10 is arranged in the sealing device 20, and the semiconductor chip 14 mounted on the mounting surface is accommodated in the cavity 20 a configured by the upper mold 21 and the lower mold 22, and the back surface of the mounting surface The resin 31 is supplied from the through-hole 11 on the side into the cavity 20a. This prevents the resin tablet 30 from being placed on the wire 15. Further, when the resin 31 plasticized from the resin tablet 30 flows between the back surface of the lead frame 10 and the plunger 23, the viscosity is further reduced and is supplied from the through hole 11 into the cavity 20 a. As a result, deformation of the wire 15 can be prevented and the semiconductor chip 14 and the wire 15 of the lead frame 10 can be sealed with the resin 31. The semiconductor device 17 singulated from the lead frame 10 sealed with the cured resin 32 cured from the resin 31 prevents the wire 15 from being disconnected and the adjacent wire 15 from being contacted. Rise.

また、研削工程及びダイシング工程（図１３〜図１５）で、硬化樹脂３２の研削・ダイシング屑が発生するものの、樹脂効率はほぼ１００％とすることができる。
［第３の実施の形態］
第３の実施の形態では、有機基板の場合を例に挙げて説明する。 In addition, although grinding and dicing waste of the cured resin 32 is generated in the grinding process and the dicing process (FIGS. 13 to 15), the resin efficiency can be made almost 100%.
[Third Embodiment]
In the third embodiment, the case of an organic substrate will be described as an example.

図１６は、第３の実施の形態に係る有機基板を説明するための図である。
なお、図１６（Ａ）は有機基板の裏面の平面図、図１６（Ｂ）は有機基板の裏面にフィルムを貼付した平面図、図１６（Ｃ）は貫通孔を形成した有機基板の裏面の平面図をそれぞれ表している。 FIG. 16 is a diagram for explaining an organic substrate according to the third embodiment.
16A is a plan view of the back surface of the organic substrate, FIG. 16B is a plan view of a film attached to the back surface of the organic substrate, and FIG. 16C is a view of the back surface of the organic substrate in which through holes are formed. Each plan view is shown.

有機基板５０には、搭載面には半導体チップ１４と、半導体チップ１４とワイヤ１５で電気的に結線されて（図１７）、裏面には電極５４が格子状に形成されている。このような有機基板５０は、製造コストが低く、高密度実装が可能である。   On the organic substrate 50, the mounting surface is electrically connected with the semiconductor chip 14, the semiconductor chip 14 and the wire 15 (FIG. 17), and the electrodes 54 are formed in a lattice shape on the back surface. Such an organic substrate 50 is low in manufacturing cost and can be mounted with high density.

このような有機基板５０に対して樹脂封止を行うために、まず、図１６（Ｂ）に示されるように、裏面にフィルム５６を貼付する。
次いで、図１６（Ｃ）に示されるように、有機基板５０のダイシングライン上にスリット状の貫通孔５１を格子状に形成する。 In order to perform resin sealing on such an organic substrate 50, first, as shown in FIG. 16B, a film 56 is attached to the back surface.
Next, as shown in FIG. 16C, slit-like through holes 51 are formed in a lattice shape on the dicing line of the organic substrate 50.

次に、封止装置２０に有機基板５０をセットして、封止装置２０により樹脂封止を実行する。
図１７は、第３の実施の形態に係る封止装置にセットした有機基板を説明するための図である。なお、有機基板５０の裏面に形成された電極５４は、封止樹脂の電極５４への付着を防止するためにフィルム５６で覆われている。 Next, the organic substrate 50 is set in the sealing device 20, and resin sealing is performed by the sealing device 20.
FIG. 17 is a diagram for explaining the organic substrate set in the sealing device according to the third embodiment. The electrode 54 formed on the back surface of the organic substrate 50 is covered with a film 56 in order to prevent the sealing resin from adhering to the electrode 54.

有機基板５０を、有機基板５０に貼付したフィルム５６がプランジャ２３と対向するように、封止装置２０の所定位置にセットする。
封止装置２０による樹脂封止工程は、第２の実施の形態と同様に、プランジャ２３上に樹脂タブレット３０を配置して、上部金型２１及び下部金型２２を加熱して有機基板５０と、プランジャ２３とを加熱する。 The organic substrate 50 is set at a predetermined position of the sealing device 20 so that the film 56 attached to the organic substrate 50 faces the plunger 23.
The resin sealing process by the sealing device 20 is similar to the second embodiment, in which the resin tablet 30 is disposed on the plunger 23 and the upper mold 21 and the lower mold 22 are heated to form the organic substrate 50. The plunger 23 is heated.

プランジャ２３を有機基板５０側に移動させて樹脂タブレット３０から可塑化された樹脂３１を押圧して、図１７に示されるように、樹脂３１はプランジャ２３と有機基板５０の裏面との間を流動して、プランジャ２３と有機基板５０との間を充填する。樹脂３１は流動することで粘度が低下する。   The plunger 23 is moved to the organic substrate 50 side to press the plasticized resin 31 from the resin tablet 30, and the resin 31 flows between the plunger 23 and the back surface of the organic substrate 50 as shown in FIG. Then, the space between the plunger 23 and the organic substrate 50 is filled. The viscosity of the resin 31 is reduced by flowing.

プランジャ２３と有機基板５０の裏面との間を流動した樹脂３１は、粘度が低下すると有機基板５０の貫通孔５１に流れ込み、樹脂３１のせん断応力が負荷されて、さらに低粘度化する。低粘度化された樹脂３１は有機基板５０の半導体チップ１４の搭載面側に供給されて、有機基板５０の搭載面側とキャビティ２０ａとの間の空間を充填する。   The resin 31 that has flowed between the plunger 23 and the back surface of the organic substrate 50 flows into the through-hole 51 of the organic substrate 50 when the viscosity is reduced, and the shear stress of the resin 31 is applied to further reduce the viscosity. The reduced viscosity resin 31 is supplied to the mounting surface side of the semiconductor chip 14 of the organic substrate 50 and fills the space between the mounting surface side of the organic substrate 50 and the cavity 20a.

以後は、第２の実施の形態と同様にして、有機基板５０上の半導体チップ１４等を樹脂３１から硬化された硬化樹脂３２で封止することができる。
硬化樹脂３２で封止された有機基板５０を封止装置２０からエジェクタピン２１ｂを利用して取り外して、引き続き、次の処理を行う。 Thereafter, like the second embodiment, the semiconductor chip 14 and the like on the organic substrate 50 can be sealed with the cured resin 32 cured from the resin 31.
The organic substrate 50 sealed with the curable resin 32 is removed from the sealing device 20 by using the ejector pins 21b, and the next process is subsequently performed.

図１８は、第３の実施の形態に係る樹脂で封止されたリードフレームのダイシング工程を説明するための図である。
なお、図１８（Ａ）は樹脂封止された有機基板５０の裏面からフィルム５６を剥がした平面図、図１８（Ｂ）は樹脂封止された有機基板５０を個片化した裏面の平面図をそれぞれ表している。また、図１８中上下方向をｙ方向、左右方向をｘ方向とする。 FIG. 18 is a diagram for explaining a dicing process of the lead frame sealed with resin according to the third embodiment.
18A is a plan view of the film 56 peeled off from the back surface of the resin-sealed organic substrate 50, and FIG. 18B is a plan view of the back surface of the resin-sealed organic substrate 50 singulated. Respectively. In FIG. 18, the vertical direction is the y direction and the horizontal direction is the x direction.

硬化樹脂３２で封止された有機基板５０の裏面からフィルム５６を剥がすと、図１８（Ａ）に示されるように、貫通孔５１に充填された硬化樹脂３２が残存する。
図１４に示したようにダイサー４２により、有機基板５０を、ｙ方向の全てのダイシングライン上の貫通孔５１及び硬化樹脂３２をダイシングする。そして、ダイサー４２の進行方向を９０度回転して、Ｘ方向の全てのダイシングラインに沿ってダイシングして、有機基板５０を個片化して、図１８（Ｂ）に示されるように、半導体装置５７を製造することができる。 When the film 56 is peeled from the back surface of the organic substrate 50 sealed with the cured resin 32, the cured resin 32 filled in the through holes 51 remains as shown in FIG.
As shown in FIG. 14, the dicer 42 dices the organic substrate 50 with the through holes 51 and the cured resin 32 on all the dicing lines in the y direction. Then, the advancing direction of the dicer 42 is rotated by 90 degrees, and dicing is performed along all dicing lines in the X direction so that the organic substrate 50 is separated into individual pieces, as shown in FIG. 57 can be manufactured.

このように、有機基板５０を封止装置２０内に配置し、搭載面に搭載された半導体チップ１４を上部金型２１及び下部金型２２で構成されるキャビティ２０ａに収納し、搭載面の裏面側の貫通孔５１から樹脂３１をキャビティ２０ａ内に供給するようにした。これにより、ワイヤ１５上に樹脂タブレット３０が配置されないようになる。さらに、樹脂タブレット３０から可塑化された樹脂３１が有機基板５０の裏面とプランジャ２３との間を流動すると、さらに粘度が低下して、貫通孔５１からキャビティ２０ａ内に供給されるようになる。この結果、ワイヤ１５の変形を防止して、有機基板５０の半導体チップ１４及びワイヤ１５を樹脂３１で封止することが可能となる。このような樹脂３１から硬化された硬化樹脂３２で封止された有機基板５０から個片化された半導体装置５７は、ワイヤ１５の断線、隣接するワイヤ１５の接触が防止されて、信頼性が高まる。   As described above, the organic substrate 50 is disposed in the sealing device 20, and the semiconductor chip 14 mounted on the mounting surface is accommodated in the cavity 20a formed by the upper mold 21 and the lower mold 22, and the back surface of the mounting surface The resin 31 is supplied into the cavity 20a from the through hole 51 on the side. This prevents the resin tablet 30 from being placed on the wire 15. Further, when the resin 31 plasticized from the resin tablet 30 flows between the back surface of the organic substrate 50 and the plunger 23, the viscosity is further reduced and is supplied from the through hole 51 into the cavity 20 a. As a result, deformation of the wire 15 can be prevented and the semiconductor chip 14 and the wire 15 of the organic substrate 50 can be sealed with the resin 31. The semiconductor device 57 singulated from the organic substrate 50 sealed with the cured resin 32 cured from the resin 31 as described above prevents the wire 15 from being disconnected and the adjacent wire 15 from being contacted. Rise.

また、ダイシング工程（図１８）で、硬化樹脂３２のダイシング屑が発生するものの、樹脂効率はほぼ１００％とすることができる。   Moreover, although the dicing waste of the cured resin 32 is generated in the dicing step (FIG. 18), the resin efficiency can be made almost 100%.

１ 被処理基板
２ 貫通部
３，１４ 半導体チップ
４，１５ ワイヤ
５，２０ 封止装置
５ａ 金型
５ｂ，２３ プランジャ
５ｃ，２０ａ キャビティ
６ 固形樹脂
６ａ，３１ 樹脂
６ｂ，３２ 硬化樹脂
１０ リードフレーム
１１，５１ 貫通孔
１２ チップ搭載部
１３ 外部接続端子部
１６ はんだめっき
１７，５７ 半導体装置
２１ 上部金型
２１ａ 支持部
２１ｂ エジェクタピン
２２ 下部金型
２２ａ 開口部
３０ 樹脂タブレット
４１ グラインド
４２ ダイサー
５０ 有機基板
５４ 電極
５６ フィルム DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Penetration part 3,14 Semiconductor chip 4,15 Wire 5,20 Sealing device 5a Mold 5b, 23 Plunger 5c, 20a Cavity 6 Solid resin 6a, 31 Resin 6b, 32 Cured resin 10 Lead frame 11, 51 Through-hole 12 Chip mounting portion 13 External connection terminal portion 16 Solder plating 17, 57 Semiconductor device 21 Upper die 21a Support portion 21b Ejector pin 22 Lower die 22a Opening portion 30 Resin tablet 41 Grind 42 Dicer 50 Organic substrate 54 Electrode 56 the film

Claims (6)

半導体チップを樹脂で封止する半導体装置の製造方法において、
貫通部が形成された被処理基板に前記半導体チップを搭載し、前記被処理基板と前記半導体チップとを接続部材で電気的に接続し、前記被処理基板を金型のキャビティに収納する工程と、
前記被処理基板の前記半導体チップの搭載面の裏面側の前記貫通部から前記キャビティ内に樹脂を供給して、前記被処理基板の前記搭載面を封止する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 In a method for manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor chip is sealed with resin,
Mounting the semiconductor chip on a substrate to be processed in which a through portion is formed, electrically connecting the substrate to be processed and the semiconductor chip with a connecting member, and storing the substrate to be processed in a cavity of a mold; ,
Supplying resin into the cavity from the through portion on the back side of the mounting surface of the semiconductor chip of the substrate to be processed, and sealing the mounting surface of the substrate to be processed;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: 前記被処理基板の前記裏面側に前記樹脂を押圧し、前記被処理基板の前記裏面で前記樹脂を流動させて、前記貫通孔から前記搭載面側に供給する、
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 Pressing the resin on the back side of the substrate to be processed, causing the resin to flow on the back side of the substrate to be processed, and supplying the resin from the through hole to the mounting surface side;
The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1. 前記被処理基板の前記半導体チップが搭載された搭載領域は、前記被処理基板の他の領域よりも厚く構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。   2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a mounting region of the substrate to be processed on which the semiconductor chip is mounted is configured to be thicker than other regions of the substrate to be processed. 前記貫通部は、前記被処理基板のダイシングラインに沿って形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。   The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the through portion is formed along a dicing line of the substrate to be processed. 前記貫通孔は、スリット状に形成されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。   The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein the through hole is formed in a slit shape. 前記スリット状の前記貫通部の長手方向は、前記接続部材の前記被処理基板と前記半導体チップとの接続方向と直交方向であり、前記樹脂を前記接続部材に沿わせて流動させる、
ことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。 The longitudinal direction of the slit-shaped through portion is a direction orthogonal to the connection direction of the substrate to be processed and the semiconductor chip of the connection member, and the resin flows along the connection member.
6. A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein:
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