JP2012017234A - 半導体粒子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】相互に間隔を設けて型板の表側に形成された所定形状の多数の凹部内に半導体粉末を充填し、その型板の表側に加熱用基板の平面部を重ね合わせる。その状態を維持しつつ表裏を反転させる。次いで、加熱用基板上に配置されている型板を上方に引きあげて、凹部に充填された半導体粉末を加熱用基板上に転写する。上記の凹部の横断面積は開口部に近いほど大きいことが好ましい。
【選択図】図8
Description
(1)所定形状の多数の凹部が相互に間隔を設けて形成された型板を用意し、その型板の前記凹部のそれぞれを満たすように半導体粉末を充填する工程、
(2)少なくとも片面に平面部を有する加熱用基板を用意し、その加熱用基板を、前記平面部が前記型板の凹部を有する側の表面と重なるように、前記型板上に配置する工程、
(3)前記型板上に加熱用基板が配置された状態を維持しつつ、前記加熱用基板上に前記型板が配置されるように、表裏を反転させる工程、
(4)前記加熱用基板上に配置された型板を上方に引きあげて、前記凹部に充填された半導体粉末を前記加熱用基板上に転写することにより、所定量の前記半導体粉末からなる多数の小塊を形成する工程、
(5)前記多数の小塊が形成された加熱用基板を加熱炉内に供給し、前記小塊中の半導体粉末を溶融し、融合させて、球状の溶融体を形成する工程、および
(6)前記溶融体を冷却し、凝固させる工程、
を有することを特徴とする。
本工程では、所定形状の多数の凹部が相互に間隔を設けて形成された型板を用意し、それぞれの凹部を満たすように半導体粉末を充填する。
および、これらのアクリル板11に挟まれ、締め付け金具12及び間座13を用いて固定された、板状のウレタンゴム14からなり、ウレタンゴムの下部15が露出している。
本工程では、工程(1)により半導体粉末がその凹部に充填された型板の表側に重なるように加熱用基板を配置する。型板の凹部の開口部と加熱用基板の表面との間に隙間が生じないように、型板の表側に重なる部分の加熱用基板の表面は平面状にする。
工程(3)では、工程(2)により型板上に加熱用基板が載置された状態を維持しつつ、表裏を反転させることにより、型板が加熱用基板上に配置された状態にする。工程(4)では、加熱用基板上に配置された型板を上方に引き上げて、型板の凹部に充填された半導体粉末を凹部から分離し、加熱用基板上に転写する。これにより、所定量の半導体粉末からなる多数の小塊が、型板の凹部と同一のパターンで形成される。
本工程では、工程(4)により多数の小塊が形成された加熱用基板を加熱炉内に供給し、各小塊を当該半導体の融点以上の温度で加熱して、小塊中の半導体粉末を溶融し、融合させて一体化する。これにより、それぞれの小塊が、当該半導体からなる球状の溶融体に変化する。
本工程では、前工程で形成された半導体の球状溶融体を冷却し、凝固させることにより、溶融体を半導体粒子に変化させる。
上記の発電ユニットの出力は約1Wであるが、上記の端子114、115と他の発電ユニットの端子とを電気溶接などで接続することにより、任意の数の発電ユニットが直列または並列に電気的に接続することができる。これにより、希望する電圧の電力を出力する光電変換装置を構成することができる。
3 凹部形成部
4 凹部
5 半球状の凹部
6 六角錐の凹部
10 スキージ
20、21、22、23,24 半導体粉末(ノンドープシリコン粉末)
30 加熱用基板
31 台座
32 (半導体粉末の)小塊
33 (シリコンの)球状の溶融体
34、34A,34B 半導体粒子(シリコン粒子)
Claims (6)
- (1)所定形状の多数の凹部が相互に間隔を設けて形成された型板を用意し、その型板の前記凹部のそれぞれを満たすように半導体粉末を充填する工程、
(2)少なくとも片面に平面部を有する加熱用基板を用意し、その加熱用基板を、前記平面部が前記型板の凹部を有する側の表面と重なるように、前記型板上に配置する工程、
(3)前記型板上に加熱用基板が配置された状態を維持しつつ、前記加熱用基板上に前記型板が配置されるように、表裏を反転させる工程、
(4)前記加熱用基板上に配置された型板を上方に引きあげて、前記凹部に充填された半導体粉末を前記加熱用基板上に転写することにより、所定量の前記半導体粉末からなる多数の小塊を形成する工程、
(5)前記多数の小塊が形成された加熱用基板を加熱炉内に供給し、前記小塊中の半導体粉末を溶融し、融合させて、球状の溶融体を形成する工程、および
(6)前記溶融体を冷却し、凝固させる工程、
を有する半導体粒子の製造方法。 - 前記凹部の横断面積が開口部に近いほど大きい請求項1に記載の半導体粒子の製造方法。
- 前記凹部の内壁面が凹面を有する請求項2に記載の半導体粒子の製造方法。
- 前記半導体粉末が、ノンドープシリコンあるいは不純物がドープされたシリコンからなる請求項1〜3の何れかに記載の半導体粒子の製造方法。
- 前記半導体粉末の平均粒径範囲が20〜70μmである請求項4に記載の半導体粒子の製造方法。
- 前記加熱用基板の少なくとも表面層がシリコンカーバイドからなる請求項1〜5の何れかに記載の半導体粒子の製造方法。
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