JP2012010430A5 - 電力変換装置 - Google Patents
電力変換装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012010430A5 JP2012010430A5 JP2010141732A JP2010141732A JP2012010430A5 JP 2012010430 A5 JP2012010430 A5 JP 2012010430A5 JP 2010141732 A JP2010141732 A JP 2010141732A JP 2010141732 A JP2010141732 A JP 2010141732A JP 2012010430 A5 JP2012010430 A5 JP 2012010430A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor switch
- switching element
- diode
- free
- wheeling diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
本発明の実施形態は、電力用スイッチング素子を用いて構成される電力変換装置に関する。
本発明は、上記従来技術の課題に鑑みてなされたもので、異常停止時においても還流ダイオードの冷却が容易になる電力変換装置を提供することを目的とする。
実施形態の電力変換装置は、少なくとも1つのブリッジ回路と、前記ブリッジ回路に含まれた第1の半導体スイッチ及びこの第1の半導体スイッチに直列接続された第2の半導体スイッチと、前記第1の半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチを制御するコントローラと、を具備し、前記第1の半導体スイッチは、第1の耐圧を有する第1のスイッチング素子と第1の逆並列ダイオードから成る第1の素子と、この第1の素子に直列接続され、前記第1の耐圧より低い第2の耐圧を有する第2のスイッチング素子と第2の逆並列ダイオードから成る第2の素子と、前記第1の素子及び第2の素子に並列接続された第1の還流ダイオードとを備え、前記第2の半導体スイッチは、第3の耐圧を有する第3のスイッチング素子と第3の逆並列ダイオードから成る第3の素子と、この第3の素子に直列接続され、前記第3の耐圧より低い第4の耐圧を有する第4のスイッチング素子と第4の逆並列ダイオードから成る第4の素子と、前記第3の素子及び第4の素子に並列接続された第2の還流ダイオードとを備え、前記コントローラは、デッドタイム期間だけ前記第1の還流ダイオードと第2の還流ダイオードに電流が流れるように、前記第1の半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチを制御することを特徴とする。
しかしながら、本実施形態の半導体スイッチ6の場合、主素子3のスイッチング素子1aと補助素子5のスイッチング素子1bとに個別にゲート信号を与える制御端子11,12を設けている。そのため、ゲートブロック状態なった場合には、後述する実施形態の半導体スイッチ制御装置18から主素子3のスイッチング素子1aへOFF信号が出力され、補助素子5のスイッチング素子1bへON信号が出力されることによって、補助素子5のスイッチング素子1bをON状態に維持する制御が可能となる。この制御を行うことにより、負極8から正極7に流れる主電流は、ON状態の補助素子5のスイッチング素子1bを下から上に通り、主素子3の逆並列ダイオード2aを順方向に流れ続ける。これにより、高速還流ダイオード4が比較的小容量のSiCダイオードにて構成される場合にも、高速還流ダイオード4に電流が長時間流れることがなく、保護が可能となる。したがって、高速還流ダイオード4に関する冷却の設計も簡易なものとなる。
尚、図9では、簡略化のために左側の第1の相のブリッジ24の上アームの半導体スイッチ6Aaについてはその主素子3aだけを示し、補助素子5aの記述を省略しており、下アームの半導体スイッチ6Abについてはその補助素子5bだけを示し、主素子3bの記述を省略している。
尚、図10では、簡略化のために左側の第1の相のブリッジ24aの上アームの半導体スイッチ6Aaについてはその補助素子5aだけを示し、主素子3aの記述を省略しており、下アームの半導体スイッチ6Abについてはその主素子3bだけを示し、補助素子5bの記述を省略している。右側の第2の相のブリッジ24bについても、上アームの半導体スイッチ6Acについてはその補助素子5cだけを示し、主素子3cの記述を省略しており、下アームの半導体スイッチ6Adについてはその主素子3dだけを示し、補助素子5dの記述を省略している。
Claims (8)
- 少なくとも1つのブリッジ回路と、
前記ブリッジ回路に含まれた第1の半導体スイッチ及びこの第1の半導体スイッチに直列接続された第2の半導体スイッチと、
前記第1の半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチを制御するコントローラと、
を具備し、
前記第1の半導体スイッチは、第1の耐圧を有する第1のスイッチング素子と第1の逆並列ダイオードから成る第1の素子と、この第1の素子に直列接続され、前記第1の耐圧より低い第2の耐圧を有する第2のスイッチング素子と第2の逆並列ダイオードから成る第2の素子と、前記第1の素子及び第2の素子に並列接続された第1の還流ダイオードとを備え、
前記第2の半導体スイッチは、第3の耐圧を有する第3のスイッチング素子と第3の逆並列ダイオードから成る第3の素子と、この第3の素子に直列接続され、前記第3の耐圧より低い第4の耐圧を有する第4のスイッチング素子と第4の逆並列ダイオードから成る第4の素子と、前記第3の素子及び第4の素子に並列接続された第2の還流ダイオードとを備え、
前記コントローラは、デッドタイム期間だけ前記第1の還流ダイオードと第2の還流ダイオードに電流が流れるように、前記第1の半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチを制御することを特徴とする電力変換装置。 - 前記デッドタイム期間は、前記第1の半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチの一方がオフされてから他方がオンされるまでの期間であることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
- 前記コントローラは、異常が検出されると、前記第1のスイッチング素子及び第3のスイッチング素子を強制的にオフにするとともに、前記第1の還流ダイオード及び第2の還流ダイオードに電流が流れないよう前記第2のスイッチング素子及び第4のスイッチング素子を制御することを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
- 前記コントローラは、前記第1の半導体スイッチがオフされると、デッドタイム期間が経過した後に前記第1の還流ダイオードに電流が流れないように、前記第2のスイッチング素子をオンに設定し、前記第2の半導体スイッチがオフされると、デッドタイム期間が経過した後に前記第2の還流ダイオードに電流が流れないように、前記第4のスイッチング素子をオンに設定することを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
- 前記第1の還流ダイオード及び第2の還流ダイオードの温度を検出する温度検出手段を更に備え、
前記コントローラは、前記温度検出手段によって検出された温度が所定の値を超えると、前記第1の還流ダイオード及び第2の還流ダイオードに電流が流れないように前記第1の半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチを制御することを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。 - 前記第1の還流ダイオード及び第2の還流ダイオードの電圧を検出する電圧検出手段及び前記第1の還流ダイオード及び第2の還流ダイオードを流れる電流を検出する電流検出手段を更に備え、
前記コントローラは、前記電圧検出手段が検出した電圧又は前記電流検出手段が検出した電流に基づいて異常判定を行い、異常と判定された場合は、前記第2のスイッチング素子及び第4のスイッチング素子のオン状態を維持することを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。 - 前記第1の素子の負極側が前記第2の素子の負極側が対向するように構成され、前記第3の素子の負極側が前記第4の素子の負極側が対向するように構成されたことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
- 前記コントローラは、前記デッドタイム期間が経過すると、前記第2のスイッチング素子及び第4のスイッチング素子をオフからオンに切り換えることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010141732A JP5574845B2 (ja) | 2010-06-22 | 2010-06-22 | 電力変換装置 |
US13/026,619 US8791744B2 (en) | 2010-06-22 | 2011-02-14 | Semiconductor switching system |
KR1020110060192A KR101317590B1 (ko) | 2010-06-22 | 2011-06-21 | 전력 변환 장치 및 반도체 스위치 |
CN201110175092.3A CN102368685B (zh) | 2010-06-22 | 2011-06-22 | 半导体切换系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010141732A JP5574845B2 (ja) | 2010-06-22 | 2010-06-22 | 電力変換装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012010430A JP2012010430A (ja) | 2012-01-12 |
JP2012010430A5 true JP2012010430A5 (ja) | 2013-06-20 |
JP5574845B2 JP5574845B2 (ja) | 2014-08-20 |
Family
ID=45328098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010141732A Expired - Fee Related JP5574845B2 (ja) | 2010-06-22 | 2010-06-22 | 電力変換装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8791744B2 (ja) |
JP (1) | JP5574845B2 (ja) |
KR (1) | KR101317590B1 (ja) |
CN (1) | CN102368685B (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5830308B2 (ja) * | 2011-09-01 | 2015-12-09 | 矢崎総業株式会社 | 負荷回路の制御装置 |
JP5596004B2 (ja) * | 2011-11-29 | 2014-09-24 | 株式会社東芝 | 半導体スイッチおよび電力変換装置 |
JP5917356B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2016-05-11 | 株式会社東芝 | スイッチング装置 |
CN103091598B (zh) * | 2013-01-28 | 2015-03-04 | 中国矿业大学 | 开关磁阻电机双开关功率变换器续流二极管故障诊断方法 |
JP6072645B2 (ja) * | 2013-08-08 | 2017-02-01 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
US20160285386A1 (en) * | 2013-11-29 | 2016-09-29 | Sharp Kabusshiki Kaisha | Rectifier |
DE102014208747A1 (de) * | 2014-05-09 | 2015-11-12 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Wechsel eines Betriebszustands einer elektrischen Maschine und Vorrichtung zum Betriebszustandswechsel einer elektrischen Maschine |
US10923952B2 (en) * | 2015-04-05 | 2021-02-16 | Chargedge, Inc. | Secondary-side output boost technique in power converters and wireless power transfer systems |
JP6686663B2 (ja) * | 2016-04-19 | 2020-04-22 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP6619312B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2019-12-11 | 株式会社東芝 | 電力変換装置 |
JP6867780B2 (ja) * | 2016-10-28 | 2021-05-12 | 矢崎総業株式会社 | 半導体スイッチ制御装置 |
CN108011504B (zh) * | 2016-11-01 | 2020-04-28 | 台达电子工业股份有限公司 | 驱动方法与驱动装置 |
JP6665757B2 (ja) * | 2016-11-08 | 2020-03-13 | 株式会社デンソー | 電源制御装置、及び電池ユニット |
US10230364B2 (en) * | 2017-04-26 | 2019-03-12 | Futurewei Technologies, Inc. | Hybrid power devices |
US10608624B2 (en) * | 2017-05-25 | 2020-03-31 | Solaredge Technologies Ltd. | Efficient switching circuit |
EP3625882A1 (en) * | 2017-09-22 | 2020-03-25 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Hybrid boost converters |
EP3462479B1 (en) * | 2017-10-02 | 2020-12-09 | General Electric Technology GmbH | Semiconductor assembly with fault protection |
CN109842311A (zh) * | 2019-01-21 | 2019-06-04 | 江苏大学 | 一种带功率解耦电路的三端口反激式光伏并网微逆变器及调制方法 |
WO2020198960A1 (zh) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 华为技术有限公司 | 一种光伏变换器组串、控制方法及系统 |
DE102019208122A1 (de) * | 2019-06-04 | 2020-12-10 | Audi Ag | Verfahren zum Betrieb einer elektrischen Schaltung, elektrische Schaltung und Kraftfahrzeug |
CN112803931B (zh) * | 2020-12-28 | 2023-01-24 | 航天科技控股集团股份有限公司 | 一种三态开关量识别系统 |
US11658563B2 (en) | 2021-06-15 | 2023-05-23 | Atieva, Inc. | Half-bridge power supply with dynamic dead time |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07234162A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-05 | Toshiba Corp | 電力変換器の温度検出装置 |
US5910892A (en) * | 1997-10-23 | 1999-06-08 | General Electric Company | High power motor drive converter system and modulation control |
JP2000105257A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-11 | Toyo Electric Mfg Co Ltd | インバータ装置 |
KR100355962B1 (ko) * | 2000-04-25 | 2002-10-11 | 삼성전기주식회사 | 영전압 스위칭을 위한 고효율 컨버터 |
JP2002084855A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-26 | Japan Lake & Canal Co Ltd | 水草刈取機 |
JP4678119B2 (ja) * | 2001-04-13 | 2011-04-27 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP2006158185A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-06-15 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
JP4212546B2 (ja) * | 2004-11-15 | 2009-01-21 | 株式会社東芝 | 電力変換装置 |
JP4204534B2 (ja) * | 2004-11-15 | 2009-01-07 | 株式会社東芝 | 電力変換装置 |
JP5317413B2 (ja) | 2007-02-06 | 2013-10-16 | 株式会社東芝 | 半導体スイッチおよび当該半導体スイッチを適用した電力変換装置 |
JP5009680B2 (ja) * | 2007-05-16 | 2012-08-22 | 三菱電機株式会社 | 開閉装置 |
-
2010
- 2010-06-22 JP JP2010141732A patent/JP5574845B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-14 US US13/026,619 patent/US8791744B2/en active Active
- 2011-06-21 KR KR1020110060192A patent/KR101317590B1/ko active IP Right Grant
- 2011-06-22 CN CN201110175092.3A patent/CN102368685B/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012010430A5 (ja) | 電力変換装置 | |
JP5574845B2 (ja) | 電力変換装置 | |
US9281680B2 (en) | Power switching circuit | |
JP6170119B2 (ja) | 電源スイッチを駆動するためのシステムおよび方法 | |
JP5521796B2 (ja) | 整流回路 | |
JP4369392B2 (ja) | 充放電制御装置 | |
US9419605B2 (en) | Composite semiconductor switching device | |
JP5645782B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP5752234B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP5742681B2 (ja) | 半導体素子の試験装置及びその試験方法 | |
JP2013223357A (ja) | 電力変換装置 | |
JP2014014233A (ja) | 半導体モジュール | |
JP2014014213A5 (ja) | ||
JP5929840B2 (ja) | 電力供給制御装置 | |
JP2018029259A (ja) | トランジスタ駆動回路 | |
JP5585514B2 (ja) | 負荷駆動装置 | |
JP2017212805A (ja) | 車両用電圧変換装置 | |
JP2010183765A (ja) | 電力変換回路の電流検出装置 | |
JPWO2015177903A1 (ja) | 突入電流抑制回路 | |
JP6497081B2 (ja) | 制動抵抗制御装置および制動抵抗制御方法 | |
JP5764680B2 (ja) | 突入電流防止装置 | |
JP5644403B2 (ja) | スイッチング回路、ハーフブリッジ回路および三相インバータ回路 | |
JP7117949B2 (ja) | 半導体モジュールおよび電力変換装置 | |
US9966947B2 (en) | Gate driving circuit for insulated gate-type power semiconductor element | |
JP6365278B2 (ja) | 電力変換装置 |