JP2012005033A - 弾性波装置 - Google Patents

Abstract

【課題】端子の基板からの剥離を抑制することができる弾性波装置を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１１と、ＳＡＷ素子１１上に振動空間１０を形成しつつＳＡＷ素子１１を覆うカバー５と、ＳＡＷ素子１１に電気的に接続されており、第１主面３ａの面する方向にカバー５を貫通する端子７とを有する。端子７は、第１主面３ａから基板３内に突出する突部７ｃを有している。
【選択図】図３

Description

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Ｆｉｌｍ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）等の弾性波装置に関する。

圧電基板と、圧電基板の主面上に設けられた弾性波素子と、弾性波素子を封止するカバーと、主面に立設された柱状の端子とを有する弾性波装置が知られている（例えば特許文献１）。端子は、主面上の配線を介して弾性波素子に接続されるとともに、カバーを貫通してカバー上面に露出する。このような弾性波装置は、例えば、回路基板の実装面に、端子が露出する側（カバー上面側）を対向させて配置され、樹脂封止されることによって、回路基板に実装される。

特開２００７−２０８６６５号公報

端子には、端子を圧電基板の主面から剥離させる力が加えられる。例えば、製造工程もしくは使用に際して温度変化が生じると、弾性波装置内の各部材、弾性波装置が実装される回路基板、および弾性波装置を封止する樹脂の熱膨張差により、端子を圧電基板から剥離させる力が生じる。

本発明の目的は、端子の基板からの剥離を抑制可能な弾性波装置を提供することにある。

本発明の一実施態様に係る弾性波装置は、基板と、該基板の主面に設けられた弾性波素子と、該弾性波素子上に振動空間を形成しつつ前記弾性波素子を覆うカバーと、前記弾性波素子に電気的に接続されており、前記主面の面する方向に前記カバーを貫通する端子と、を有し、前記端子は、前記主面から前記基板内に突出する突部を有している。

上記の構成によれば、端子が基板の主面から該基板内に突出する突部を有していることから、アンカー効果によって端子の基板からの剥離を抑制できる。

本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置の外観斜視図である。 図１のＳＡＷ装置を一部を破断した状態で示す概略斜視図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。 図４（ａ）〜図４（ｃ）は図３の領域ＩＶｂ付近における平面図および断面図である。 図５（ａ）〜図５（ｄ）は図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する図３に対応する断面図である。 図６（ａ）〜図６（ｃ）は図５（ｄ）の続きを示す断面図である。 第２の実施形態のＳＡＷ装置の端子周辺の平面透視図である。 第３の実施形態のＳＡＷ装置の端子周辺の平面透視図である。 第４の実施形態のＳＡＷ装置の端子周辺の平面透視図である。 第５の実施形態のＳＡＷ装置の端子周辺の平面透視図である。 第６の実施形態のＳＡＷ装置の端子周辺の平面透視図である。 図１２（ａ）および図１２（ｂ）は第７の実施形態のＳＡＷ装置の端子周辺の平面透視図および断面図である。 図１３（ａ）および図１３（ｂ）は第８の実施形態のＳＡＷ装置の端子周辺の平面透視図および断面図である。 第９の実施形態のＳＡＷ装置の端子周辺の断面図である。 図１５（ａ）および図１５（ｂ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法の変形例を説明する断面図である。 端子の柱状部の平面形状の変形例を示す平面透視図である。

以下、本発明の複数の実施形態に係るＳＡＷ装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。

また、第２の実施形態以降において、既に説明された実施形態と共通または類似する構成について、既に説明された実施形態と共通の符号を用い、また、図示や説明を省略することがある。

符号は、同一または類似する構成のものについて、「第１端子７Ａ〜第６端子７Ｆ」などのように、同一の数字に大文字のアルファベットの付加符号を付したものを用いることがある。また、この場合において、単に「端子７」というなど、名称の頭の番号、および上記の付加符号を省略することがあるものとする。

＜第１の実施形態＞
（ＳＡＷ装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図である。

ＳＡＷ装置１は、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）形のＳＡＷ装置により構成されている。ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３に固定されたカバー５と、カバー５から露出する第１端子７Ａ〜第６端子７Ｆと、基板３のカバー５とは反対側に設けられた裏面部９とを有している。

ＳＡＷ装置１は、複数の端子７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、ＳＡＷ装置１によりフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数の端子７のいずれかを介して出力する。ＳＡＷ装置１は、例えば、カバー５側の面を不図示の回路基板等の実装面に対向させて当該実装面に載置された状態で樹脂封止されることによって、端子７を実装面上の端子に接続した状態で実装される。

基板３は、圧電基板により構成されている。具体的には、例えば、基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。基板３は、第１主面３ａと、その背面側の第２主面３ｂとを有している。基板３の平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば、Ｙ方向を長手方向とする矩形である。基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ、１辺の長さは０．５ｍｍ〜２ｍｍである。

カバー５は、第１主面３ａを覆うように設けられている。カバー５の平面形状は、例えば、基板３の平面形状と同様であり、本実施形態では、Ｙ方向を長手方向とする矩形である。カバー５は、例えば、第１主面３ａと概ね同等の広さを有し、第１主面３ａの概ね全面を覆っている。カバー５は、感光性の樹脂により形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合によって硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。

複数の端子７は、カバー５の上面から露出している。複数の端子７の数および配置位置は、ＳＡＷ装置１の内部の電子回路の構成に応じて適宜に設定される。本実施形態では、６つの端子７がカバー５の外周に沿って配列されている。

裏面部９は、特に図示しないが、例えば、第２主面３ｂの概ね全面を覆う裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。裏面電極により、温度変化等によって基板３表面にチャージされた電荷が放電される。保護層により、基板３の損傷が抑制される。なお、以下では、裏面部９は、図示や説明が省略されることがある。

図２は、カバー５の一部を破断して示すＳＡＷ装置１の斜視図である。

第１主面３ａには、ＳＡＷ素子１１が設けられている。ＳＡＷ素子１１は、ＳＡＷ装置１に入力された信号をフィルタリングするためのものである。ＳＡＷ素子１１は、第１主面３ａに形成された一対の櫛歯状電極（ＩＤＴ電極）１５を有している。各櫛歯状電極１５は、基板３における弾性表面波の伝搬方向（Ｘ方向）に延びるバスバー１５ａと、バスバー１５ａから上記伝搬方向に直交する方向（Ｙ方向）に伸びる複数の電極指１５ｂとを有している。１つの櫛歯状電極１５同士は、それぞれの電極指１５ｂが互いに噛み合うように設けられている。

なお、図２は模式図であることから、数本の電極指１５ｂを有する一対の櫛歯状電極１５を示している。実際には、これよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極が設けられてよい。また、複数のＳＡＷ素子１１が直列接続や並列接続等の方式で接続され、ラダー型ＳＡＷフィルタや２重モードＳＡＷ共振器フィルタ等が構成されてよい。ＳＡＷ素子１１は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されている。

カバー５は、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲む枠部３５と、枠部３５の開口を塞ぐ蓋部３７とを有している。そして、第１主面３ａ（厳密には後述する保護層２５）、枠部３５および蓋部３７によって囲まれた空間により、ＳＡＷ素子１１の振動を容易化する振動空間１０が形成されている。なお、振動空間１０は、適宜な数および形状で設けられてよく、図２では、２つの振動空間１０が設けられている場合を例示している。

枠部３５は、概ね一定の厚さの層に振動空間１０となる開口が１以上（本実施形態では２つ）形成されることによって構成されている。枠部３５の厚さ（振動空間１０の高さ）は、例えば、数μｍ〜３０μｍである。蓋部３７は、枠部３５上に積層される、概ね一定の厚さの層により構成されている。蓋部３７の厚さは、例えば、数μｍ〜３０μｍである。

枠部３５および蓋部３７は、同一の材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、枠部３５と蓋部３７との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部３５と蓋部３７とが同一材料により形成され、一体的に形成されていてもよい。

端子７は、図２では第６端子７Ｆにおいてよく表れているように、第１主面３ａに立てて設けられており、枠部３５および蓋部３７を第１主面３ａの面する方向へ貫通し、カバー５の上面において露出している。

第１主面３ａには、ＳＡＷ素子１１に接続された配線１２と、配線１２に接続された第１パッド１３Ａ〜第６パッド１３Ｆ（図２では一部のみ示す）とが設けられている。端子７は、パッド１３上に設けられることによって、ＳＡＷ素子１１と接続されている。

図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。

ＳＡＷ装置１は、第１主面３ａに設けられた導電層１９と、導電層１９および第１主面３ａに積層された保護層２５とを有している。

導電層１９は、第１主面３ａ上における回路素子や配線等の構成に関して基本となる層である。具体的には、導電層１９は、ＳＡＷ素子１１、配線１２およびパッド１３を構成している。導電層１９は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金により形成されており、その厚さは、例えば、１００〜３００ｎｍである。

保護層２５は、ＳＡＷ素子１１の酸化防止等に寄与するものである。保護層２５は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ_２など）、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素、またはシリコンにより形成されている。保護層２５の厚さは、例えば、導電層１９の厚さの１／１０程度（１０〜３０ｎｍ）である。保護層２５は、パッド１３の配置位置を除いて、第１主面３ａ全体に亘って形成されている。なお、カバー５は、保護層２５に積層されている。

図４（ａ）は、枠部３５と蓋部３７との間付近から第１主面３ａ側を平面透視して示す、端子７付近の拡大図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＩＶｂ−ＩＶｂ線における断面図であり、また、図３の領域ＩＶｂの拡大図に相当する。図４（ｃ）は、図４（ａ）のＩＶｃ−ＩＶｃ線における断面図である。

端子７は、柱状に形成された柱状部７ａと、柱状部７ａの上端の側面から突出するフランジ７ｂと、柱状部７ａの底面から突出する突部７ｃとを有している。端子７の、フランジ７ｂを含む上端面は、不図示の回路基板などに接続されるランド７ｄを構成している。

柱状部７ａは、第１主面３ａ上（厳密には導電層１９および保護層２５上）に配置され、カバー５を貫通している。柱状部７ａの平面形状（第１主面３ａに平行な断面の形状）は、例えば、円形に形成されている。すなわち、柱状部７ａは円柱状に形成されている。柱状部７ａの直径は、例えば、２０μｍ〜１２０μｍである。

パッド１３は、例えば、円形に形成されており、本実施形態では、柱状部７ａの平面形状と相似形となっている。また、パッド１３の面積は、柱状部７ａの平面形状の面積よりも小さい。保護層２５は、例えば、パッド１３よりも一周り小さいパッド１３と相似形の開口が形成されることによって、パッド１３を露出させている。そして、柱状部７ａの底面は、パッド１３の保護層２５から露出した部分に当接している。当該当接部分は、例えば、柱状部７ａの底面の概ね中央に位置している。なお、保護層２５の開口の大きさは適宜に設定されてよい。

フランジ７ｂは、カバー５の上面に積層されている。フランジ７ｂは、柱状部７ａの全周に亘って形成されるとともに、概ね一定の幅で形成されている。従って、ランド７ｄの平面形状は、柱状部７ａの平面形状に対して、一周り大きい相似形（本実施形態では円形）となっている。ランド７ｄの直径は、柱状部７ａの直径よりも、例えば、５μｍ〜１００μｍ大きい。

突部７ｃは、保護層２５を貫通するとともに第１主面３ａから基板３内に突出し、基板３に埋め込まれている。従って、アンカー効果によって、端子７の基板３からの剥離が抑制される。なお、基板３の第１主面３ａには、突部７ｃが収容される溝３ｃが形成されている。

突部７ｃは、第１主面３ａに沿って延びるライン状（突条）に形成されている。より具体的には、突部７ｃは、パッド１３を囲む環状に形成されている。ただし、突部７ｃの環には、配線１２を切断しないように、配線１２の配置位置に切れ目（切れ間、隙間）が形成されている。突部７ｃの環は、例えば、概ね柱状部７ａと同心状の相似形（円形）に形成され、突部７ｃは概ねＣ字状となっている。

突部７ｃは、後述するように、例えば、基板３の溝３ｃに金属が充填されることによって形成される。この場合は、溝３ｃを形成するエッチング精度の観点から、突部７ｃの幅は、３μｍ以上が好ましい。また、突部７ｃの幅は、端子７のサイズの観点から、５０μｍ以下であることが好ましい。溝３ｃの深さは、アンカー効果を十分に得る観点から、保護層２５の厚さまたは導電層１９の厚さよりも大きいことが好ましい。例えば、溝３ｃの深さは、アンカー効果を大きくしつつもエッチング時間を短くする観点からは、０．５〜１０μｍ程度が好ましい。溝３ｃに金属を充填する容易性向上の観点からは、溝幅／溝深さは１／２以上が好ましい。

端子７は、端子７の表面部分の一部を構成する下地層３９と、端子７の大部分を構成する金属部４１とを有している。

下地層３９は、端子７のうち、カバー５、パッド１３、保護層２５および基板３に接する部分を構成している。下地層３９は、例えば、銅もしくはチタンにより形成されている。下地層３９の厚さは、概ね均一である。当該厚さは、適宜に設定されてよいが、例えば、下地層３９が銅からなる場合は３００ｎｍ〜１μｍ、下地層３９がチタンからなる場合は１０ｎｍ〜１００ｎｍである。

金属部４１は、端子７のうち、柱状部７ａおよび突部７ｃの内部側部分およびフランジ７ｂの上方側（カバー５とは反対側）部分を構成している。金属部４１は、例えば、銅により形成されている。

（ＳＡＷ装置の製造方法）
図５（ａ）〜図６（ｃ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明する、図３（図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線）に対応する断面図である。製造工程は、図５（ａ）から図６（ｃ）まで順に進んでいく。

以下に説明する工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることによって、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図５（ａ）〜図６（ｃ）では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。また、導電層や絶縁層は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いる。

まず、図５（ａ）に示すように、基板３の第１主面３ａには、溝３ｃが形成される。溝３ｃの形成は、適宜な方法によって行われてよい。例えば、溝３ｃは、反応性のエッチングガス（ＣＦ_４など）を用いたエッチング、またはプラズマガス（Ａｒなど）を用いた物理的なエッチングなどのドライエッチングによって形成されてよい。また、溝３ｃは、エッチング液（ＨＦ＋ＨＮＯ_３など）を用いたウェットエッチングによって形成されてよい。また、溝３ｃは、サンドブラストなどのショットブラストによって形成されてもよい。また、溝３ｃは、レーザー光を照射することによってエッチングするレーザー加工によって形成されてもよい。さらに、溝３ｃは、溝３ｃとなる以外の部分において圧電材料を成膜することによって形成されてもよい。

溝３ｃが形成されると、図５（ｂ）に示すように、導電層１９が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法によって、第１主面３ａ上に導電層１９となる金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によってパターニングが行われる。パターニングによって、ＳＡＷ素子１１、配線１２およびパッド１３が形成される。すなわち、導電層１９が形成される。

導電層１９が形成されると、図５（ｃ）に示すように、保護層２５が形成される。具体的には、まず、適宜な薄膜形成法によって保護層２５となる薄膜が形成される。薄膜形成法は、例えば、スパッタリング法もしくはＣＶＤである。次に、パッド１３が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層２５が形成される。

なお、保護層２５となる薄膜は、溝３ｃにおいても、フォトリソグラフィー法によって除去される。ただし、保護層２５となる薄膜は、その厚さが溝３ｃの深さよりも十分に小さいときには、保護層２５となる薄膜が溝３ｃの底部に残っても、溝３ｃに金属を充填して突部７ｃを形成することに支障は生じないから、溝３ｃにおいて除去されなくてもよい。

保護層２５が形成されると、図５（ｄ）に示すように、枠部３５が形成される。具体的には、まず、枠部３５となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂により形成されたフィルムが貼り付けられることによって、または、保護層２５と同様の薄膜形成法によって形成される。枠部３５となる薄膜が形成されると、フォトリソグラフィー法等によって、薄膜の一部が除去され、振動空間１０を構成する開口および端子７が配置される予定の孔部３５ｈが形成される。また、薄膜は、ダイシングライン上においても、一定の幅で除去される。このようにして枠部３５が形成される。

枠部３５が形成されると、図６（ａ）に示すように、蓋部３７が形成される。具体的には、まず、蓋部３７となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂のフィルムが貼り付けられることによって形成される。そして、薄膜が形成されることによって、枠部３５の開口が塞がれて、振動空間１０が構成される。薄膜は、フォトリソグラフィー法等によって、孔部３５ｈ（図５（ｄ））上の部分が除去され、端子７が配置される予定の孔部５ｈ（孔部３５ｈ含む）が形成される。また、薄膜は、ダイシングライン上においても一定の幅で除去される。このようにして、蓋部３７が形成される。

蓋部３７が形成されると、図６（ｂ）に示すように、下地層３９となる金属層と、レジスト層４３とが順に形成される。

下地層３９となる金属層は、カバー５の上面、孔部５ｈの内部および溝３ｃの内部に亘って成膜される。下地層３９となる金属層は、例えば、スパッタ法によって形成される。

レジスト層４３は、下地層３９となる金属層の形成後、例えば、スピンコート等によって感光性樹脂の薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィー法によってパターニングされることによって形成される。レジスト層４３は、ランド７ｄが配置される予定の範囲において、下地層３９となる金属層が露出するように形成される。

レジスト層４３が形成されると、図６（ｃ）に示すように、下地層３９となる金属層に電流を流す電気めっき処理によって、下地層３９となる金属層の露出部分に金属を析出させ、金属部４１を形成する。次に、下地層３９となる金属層のレジスト層４３に被覆されていた部分およびレジスト層４３が除去される。これにより、図３に示すように、下地層３９および金属部４１からなる端子７が形成される。

以上の実施形態によれば、ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１１と、ＳＡＷ素子１１上に振動空間１０を形成しつつＳＡＷ素子１１を覆うカバー５と、ＳＡＷ素子１１に電気的に接続されており、第１主面３ａの面する方向にカバー５を貫通する端子７とを有する。端子７は、第１主面３ａから基板３内に突出する突部７ｃを有している。

従って、突部７ｃのアンカー効果によって、端子７の基板３からの剥離が抑制される。その結果、例えば、温度変化の大きな環境下においても、熱膨張差による断線が生じにくい信頼性の高い弾性波装置が実現される。

突部７ｃは、第１主面３ａに沿って延びるライン状に形成されている。従って、ラインに沿う広い範囲に亘って剥離が抑制される。さらに、ラインに交差する方向において、端子７と基板３との沿面距離が長くなり、防水性が向上するという効果が奏される。

端子７は、パッド１３上に設けられており、突部７ｃは、パッド１３の少なくとも一部（本実施形態ではパッド１３の全体）を囲む、切れ目を有する環状に延びている。また、パッド１３のうち環状の突部７ｃの内側部分（本実施形態ではパッド全体）と、配線１２のうち環状の突部７ｃの外側部分とは、パッド１３もしくは配線１２（本実施形態では配線１２）のうち突部７ｃの切れ目に位置する部分を介して接続されている。

従って、パッド１３の突部７ｃに囲まれた部分は、ＳＡＷ素子１１との導通が確保され、かつ、種々の方向の力に対して剥離が抑制され、また、広い角度範囲で水分の侵入が抑制される。すなわち、導通の確実性、効果的なアンカー効果および効果的な防水効果が得られる。

突部７ｃは、端子７の第１主面３ａに面する面の外周側に配置されている。従って、端子７が傾くような力が加えられるときに、剥離が生じやすい位置においてアンカー効果が発揮されることになり、効果的に剥離が抑制される。また、端子７は、通常、中央側においてパッド１３と当接されるから、突部７ｃは、外周側からの剥離が、端子７とパッド１３との当接位置まで広がることを好適に抑制できる。

＜第２の実施形態＞
図７は、第２の実施形態のＳＡＷ装置の端子１０７周辺の平面透視図（図４（ａ）に対応する図）である。

第２の実施形態は、端子の突部の平面形状のみが第１の実施形態と相違する。具体的には、第２の実施形態の複数の突部１０７ｃは、第１の実施形態の突部７ｃを複数に分離したものとなっている。すなわち、複数の突部１０７ｃは、第１主面３ａに沿って延びるライン状に互いに分離して配列され、また、パッド１３の少なくとも一部（本実施形態では全体）を囲むように配列されている。

第２の実施形態によれば、端子１０７は、第１主面３ａから基板３内に突出する突部１０７ｃを有していることから、第１の実施形態と同様に、アンカー効果によって、端子１０７の基板３からの剥離が抑制される。

複数の突部１０７ｃは、互いに分離して配列されている。従って、第１の実施形態のライン状の突部７ｃがラインに沿う広い範囲において剥離を抑制できるのと同様に、複数の突部１０７ｃは、配列に沿う広い範囲において剥離を抑制できる。さらに、複数の突部１０７ｃは、体積に比して基板３に対する接触面積を大きくでき、また、基板３に対する接触方向も多様化できるから、効率的に高いアンカー効果が奏されることが期待される。

複数の突部１０７ｃは、パッド１３の少なくとも一部（本実施形態では全体）を囲むように配列されている。従って、第１の実施形態と同様に、パッド１３の複数の突部１０７ｃに囲まれた部分は、種々の方向の力に対して剥離が抑制される。

＜第３の実施形態＞
図８は、第３の実施形態のＳＡＷ装置の端子２０７周辺の平面透視図（図４（ａ）に対応する図）である。

第３の実施形態は、端子の突部の平面形状のみが第１の実施形態と相違する。具体的には、第３の実施形態の端子２０７は、第１の実施形態の突部７ｃに加えて、突部７ｃから分離した突部２０７ｃを有している。

突部２０７ｃは、突部７ｃの環状の切れ目に配置され、配線１２（導電層１９）を貫通し、第１主面３ａから基板３内に突出している。ただし、突部２０７ｃの、配線１２の幅方向における大きさは、配線１２の幅よりも小さく、突部２０７ｃは配線１２の幅方向の一部のみを貫通している。換言すれば、突部２０７ｃは、配線１２の突部７ｃの切れ目に位置する部分の一部のみを貫通し、配線１２の導通を許容している。

なお、突部７ｃがパッド１３の周囲の保護層２５を貫通しているのと同様に、突部２０７ｃも配線１２を覆う保護層２５を貫通している。

第３の実施形態のＳＡＷ装置の製造方法は、第１の実施形態のＳＡＷ装置の製造方法と同様である。ただし、突部２０７ｃは、突部７ｃと異なり、導電層１９を貫通していることから、図５（ｂ）に示した導電層１９となる金属層のパターニングでは、金属層は、突部２０７ｃを収容する基板３の溝２０３ｃ（図８）上においても除去される。なお、導電層１９となる薄膜は、その厚さが溝２０３ｃの深さよりも十分に小さい場合には、溝２０３ｃの底部に導電層１９となる薄膜が残っても、溝２０３ｃに金属を充填して突部２０７ｃを形成することに支障は生じないから、溝２０３ｃにおいて除去されなくてもよい。

以上の第３の実施形態によれば、端子２０７は、第１の実施形態の突部７ｃを含むことから、第１の実施形態と同様に、アンカー効果や防水効果を奏する。また、端子２０７は、突部７ｃに加えて突部２０７ｃを有することから、第１の実施形態に比較してアンカー効果が向上することが期待される。

なお、第１および第３の実施形態の実際の製品への適用においては、配線１２における電気抵抗の低減（第１の実施形態）とアンカー効果の更なる向上（第３の実施形態）との効果を比較考量して、適宜にいずれかの実施形態が選択されてよい。

＜第４の実施形態＞
図９は、第４の実施形態のＳＡＷ装置の端子３０７周辺の平面透視図（図４（ａ）に対応する図）である。

第４の実施形態は、端子の突部の平面形状のみが第１の実施形態と相違する。具体的には、第４の実施形態の突部３０７ｃは、第１の実施形態の突部７ｃと同様にライン状の突部であるが、突部７ｃよりも短く、パッド１３を囲んでいない。そして、突部３０７ｃは、剥離が生じやすい位置に設けられている。

なお、剥離が生じやすい位置は、ＳＡＷ装置の構成、ＳＡＷ装置が実装される回路基板の構成および回路基板に配置されたＳＡＷ装置を封止する樹脂の構成等の種々の条件によって種々考えられる。本実施形態では、カバー５の４隅側において剥離が生じやすい場合を想定している。

第４の実施形態によれば、端子３０７は、第１主面３ａから基板３内に突出する突部３０７ｃを有していることから、第１の実施形態と同様に、アンカー効果によって、端子３０７の基板３からの剥離が抑制される。

＜第５の実施形態＞
図１０は、第５の実施形態のＳＡＷ装置の端子４０７周辺の平面透視図（図４（ａ）に対応する図）である。

第５の実施形態は、端子の突部の平面形状のみが第１の実施形態と相違する。具体的には、端子４０７は、第１の実施形態の突部７ｃを同心状に２つ有している。

第５の実施形態によれば、端子４０７は、第１の実施形態の突部７ｃを含むことから、第１の実施形態と同様に、アンカー効果や防水効果を奏する。さらに、突部７ｃが２重に設けられていることから、アンカー効果や防水効果が増大する。

＜第６の実施形態＞
図１１は、第６の実施形態のＳＡＷ装置の端子５０７周辺の平面透視図（図４（ａ）に対応する図）である。

第６の実施形態は、端子の突部の平面形状のみが第１の実施形態と相違する。具体的には、複数の突部５０７ｃは、比較的小さく形成され、適宜な範囲に分布している。各突部５０７ｃの平面形状は、円形、楕円形、または、多角形などの適宜な形状とされてよい。複数の突部５０７ｃの分布範囲は、例えば、端子５０７の底面のうち、導電層１９が配置されていない範囲全体であり、パッド１３を囲んでいる。複数の突部５０７ｃの密度は、例えば、分布範囲に亘って一様である。複数の突部５０７ｃは、例えば、ランダムに分布しており、端子５０７の径方向（５０７の底面の重心（中心）から外周側への方向）の複数位置および周方向（重心回りの方向）の複数位置に亘って分布している。

第６の実施形態によれば、端子５０７は、第１主面３ａから基板３内に突出する突部５０７ｃを有していることから、第１の実施形態と同様に、アンカー効果によって、端子５０７の基板３からの剥離が抑制される。

また、端子５０７は、端子５０７の径方向の複数位置および周方向の複数位置に亘って分布する複数の突部５０７ｃを有することから、複数の突部５０７ｃ全体の基板３に対する接触面積が大きく、高いアンカー効果が期待されるとともに、種々の方向の剥離の抑制が期待される。

＜第７の実施形態＞
図１２（ａ）は、第７の実施形態のＳＡＷ装置の端子６０７周辺の平面透視図（図４（ａ）に対応する図）である。また、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＸＩＩｂ−ＸＩＩｂ線における断面図（図４（ｂ）に対応する図）である。

第７の実施形態は、パッドの大きさおよび端子の突部の平面形状のみが第１の実施形態と相違する。具体的には、以下のとおりである。

第７の実施形態のパッド６１３は、端子６０７の柱状部７ａの底面よりも広く形成されている。パッド６１３の形状は、例えば、柱状部７ａの底面の相似形（円形）である。そして、柱状部７ａの底面は、平面視において、パッド６１３内に収まっている。

端子６０７は、例えば、第２の実施形態と同様に、環状に互いに分離して配列された複数の突部１０７ｃを有している。ただし、パッド６１３は端子６０７の底面よりも広いことから、複数の突部１０７ｃは、パッド６１３の一部（具体的には中央側部分）のみを囲んでいる。また、第２の実施形態では、配線１２の位置（第１の実施形態の環の切れ目の位置）において突部１０７ｃ間の間隔が大きくなっていたが、第７の実施形態では、複数の突部１０７ｃは、互いに均等の間隔で配置されている。

端子６０７の柱状部７ａの底面はパッド６１３内に収まっていることから、複数の突部１０７ｃは、パッド６１３を貫通して、第１主面３ａから基板３内に突出している。なお、パッド６１３と柱状部７ａとを当接させるための保護層２５の開口は、複数の突部１０７ｃの環よりも小さく、複数の突部１０７ｃは、保護層２５も貫通している。

第７の実施形態によれば、端子６０７は、第１主面３ａから基板３内に突出する突部１０７ｃを有していることから、第１の実施形態と同様に、アンカー効果によって、端子６０７の基板３からの剥離が抑制される。

また、端子６０７は、第２の実施形態と同様に、互いに分離して配列された複数の突部１０７ｃを有していることから、体積に比して接触面積が大きいことによる効率的なアンカー効果が期待される。

さらに、複数の突部１０７ｃは、平面視においてパッド６１３内に収まっており、パッド６１３を貫通し、パッド６１３は、複数の突部１０７ｃに囲まれた部分と、配線１２に接続されているパッド６１３の外周側部分とが、複数の突部１０７ｃの配列間に位置する複数の部分によって接続されている。

従って、複数の突部１０７ｃを環状に配列することによるアンカー効果を効果的に発揮させつつ、複数の突部１０７ｃに囲まれた領域と配線１２との間の電気抵抗を小さくすることができる。

＜第８の実施形態＞
図１３（ａ）は、第８の実施形態のＳＡＷ装置の端子７０７周辺の平面透視図（図４（ａ）に対応する図）である。また、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＸＩＩＩｂ−ＸＩＩＩｂ線における断面図（図４（ｂ）に対応する図）である。

第８の実施形態は、パッドの大きさおよび端子の突部の平面形状のみが第１の実施形態と相違する。具体的には、以下のとおりである。

第８の実施形態では、第７の実施形態と同様に、柱状部７ａよりも広いパッド６１３が設けられている。端子７０７の突部７０７ｃは、柱状部７ａの底面の重心（中心）に設けられている。なお、柱状部７ａの底面と、パッド６１３とは、突部７０７ｃの周囲において当接している。

第８の実施形態によれば、端子７０７は、第１主面３ａから基板３内に突出する突部７０７ｃを有していることから、第１の実施形態と同様に、アンカー効果によって、端子７０７の基板３からの剥離が抑制される。

また、突部７０７ｃは、端子７０７の第１主面３ａに面する面（底面）の中央側に配置されていることから、端子７０７を基板３から真上に引き抜くような力に対して好適に抵抗力が生じる。

＜第９の実施形態＞
図１４は、第９の実施形態のＳＡＷ装置の端子８０７周辺の断面図（図４（ｂ）に対応する図）である。

端子８０７の柱状部８０７ａは、端子８０７がカバー５を貫通する方向の少なくとも一部において、第１主面３ａとは反対側よりも第１主面３ａ側の方が第１主面３ａに平行な断面積が大きくなっている。より具体的には、柱状部８０７ａは、枠部３５を貫通する部分が第１主面３ａ側ほど拡径する逆テーパ状に形成されるとともに、蓋部３７を貫通する部分が第１主面３ａ側ほど拡径する逆テーパ状に形成されている。なお、柱状部８０７ａの平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば、第１の実施形態と同様に円形である。

また、端子８０７の突部８０７ｃは、突部８０７ｃが基板３に突出する方向の少なくとも一部において、根元側よりも先端側の方が第１主面３ａに平行な断面積が大きくなっている。より具体的には、突部８０７ｃは、先端側ほど拡径する逆テーパ状に形成されている。なお、突部８０７ｃの平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば、第７の実施形態（図１２（ａ））と同様である。

上記のような断面形状の柱状部８０７ａおよび突部８０７ｃは、例えば、レーザーを主面に斜めに入射させてカバー５の孔部の側面または基板３の溝の側面を形成することなどによって形成できる。また、柱状部８０７ａの形成に関しては、カバー５としてネガ型のフォトレジストを用い、深い位置（第１主面３ａ側）ほど光硬化せずに孔部が拡径する性質を利用することもできる。

なお、第９の実施形態では、第７の実施形態と同様のパッド６１３が設けられている。柱状部８０７ａとパッド６１３とを当接させる保護層２５の開口は、例えば、カバー５の端子８０７が貫通する孔部の底面と概ね一致する大きさおよび形状に形成されている。

第９の実施形態によれば、端子８０７は、第１主面３ａから基板３内に突出する突部８０７ｃを有していることから、第１の実施形態と同様に、アンカー効果によって、端子８０７の基板３からの剥離が抑制される。

さらに、突部８０７ｃは、突出方向の少なくとも一部において、先端側が根元側よりも第１主面３ａに平行な断面積が大きくなっていることから、基板３から引き抜かれ難く、アンカー効果の向上が期待される。

＜製造方法の変形例＞
図１５（ａ）および図１５（ｂ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法の変形例を説明する図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図（図３に対応する断面図）である。

この変形例では、図１５（ａ）に示すように、図５（ａ）に示した溝３ｃの形成を行わずに、図５（ｂ）および図５（ｃ）に示した導電層１９および保護層２５の形成を行う。

次に、図１５（ｂ）に示すように、エッチングによって、溝３ｃを形成する。このとき、保護層２５の溝３ｃ上の部分も除去される。また、第３の実施形態のように、突部（２０７ｃ）が導電層１９を貫通する態様では、導電層１９の溝（２０３ｃ）上の部分も除去される。

その後は、図５（ｄ）〜図６（ｃ）と同様に、製造工程が行われる。

この変形例によれば、保護層２５および導電層１９の溝３ｃ上の部分を溝３ｃのエッチングと同時に除去することから、実施形態の製造方法に比較して、保護層２５や導電層１９をパターニングするためのレジスト等が溝３ｃ内に流れ込んで残留するおそれが少ない。なお、実施形態の製造方法は、変形例に比較して、溝３ｃの形成が導電層１９の表面状態等に及ぼす影響が少ない。

なお、以上の複数の実施形態および変形例において、ＳＡＷ装置１は本発明の弾性波装置の一例であり、ＳＡＷ素子１１は本発明の弾性波素子の一例であり、突部２０７ｃ（第３の実施形態）は貫通突部の一例である。

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。

弾性波装置において、保護層（２５）は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層などが形成されてもよい。例えば、配線１２と絶縁体を介して立体交差する配線が設けられてもよいし、パッド１３と端子７との間に介在し、パッド１３と端子７との接着力を強化する接続強化層が設けられてもよいし、枠部と蓋部との間に導電層が設けられてもよい。

上述した複数の実施形態は適宜に組み合わされてよい。

例えば、第２、第５および第６の実施形態の平面形状の突部（図７、図１０および図１１）と、第３の実施形態の突部２０７ｃとが組み合わされてもよい。また、第１の実施形態の突部７ｃを分離型にすることによって第２の実施形態の突部１０７ｃ（図７）が構成されているように、第４の実施形態（図９）および第５の実施形態（図１０）を分離型としてもよい。

また、例えば、第１〜第６の実施形態（図１〜図１１）で示した平面形状の突部は、第７〜第９の実施形態（図１２〜図１４）のような端子の底面よりも広いパッド６１３と組み合わされてもよい。逆に、第７および第８の実施形態で示した平面形状の突部は、第１〜第６の実施形態のような端子の底面よりも狭いパッド１３と組み合わされてもよい。

また、例えば、第１〜第６の実施形態（図１〜図１１）で示した平面形状の突部は、第７〜第９の実施形態（図１２〜図１４）の突部のように、その一部または全体がパッドもしくは配線を貫通してもよい。逆に、第７および第８の実施形態で示した平面形状の突部は、第１〜第６の実施形態の突部のように、パッドもしくは配線を貫通しないものであってもよい。

保護層が設けられる場合において、端子とパッドとを当接させるための開口は、パッドよりも小さいものに限定されない。例えば、第１〜第６の実施形態（図１〜図１１）においても、第９の実施形態（図１４）で示したカバーの孔部の底面と同一の大きさおよび形状の開口が保護層に設けられてもよい。

突部の平面形状は、実施形態に例示したものに限定されない。例えば、放射状に延びるライン状の突部が設けられてもよいし、螺旋状に延びるライン状の突部が設けられてもよいし、１または２位置に円形（ライン状でない）突部が設けられてもよい。

パッドの少なくとも一部を囲む、ライン状の突部または配列された突部の環は、円形に限定されず、後述する図１６の突部９０７ｃのように、適宜な形状とされてよい。なお、本願では、環の語は、円形に限定されず、所定の領域を囲む形状であればよいものとする。また、所定の領域を囲んでいるとは、所定の領域を全周に亘って囲んでいる必要はないものとする。例えば、ライン状の突部がパッドの外周側を延びている場合において、ラインの両端を結んで閉領域を仮定したときに、パッドの半分以上の面積がその閉領域に含まれるのであれば、パッドを囲んでいるということができる。また、例えば、ライン状の突部が形成されている場合に、そのラインの両端における接線方向に端部を延長させたときにラインによって閉じた領域が形成されるのであれば、ライン状の突部はその閉領域内の所定領域を囲んでいると捉えることができる。この判定方法によれば、例えば、弧は、中心角が１８０度を超えると、環状であるということができ、矩形では、１つの角部のみまたは１辺の一部のみが欠落しているときに環状であるということができる。

環状に延びる突部の切れ目は、配線を通過させるように設けられるものに限定されない。例えば、第１の実施形態の突部７ｃと、第７の実施形態の広いパッド６１３とを組み合わせたとき、パッド６１３の突部７ｃに囲まれた部分と、パッド６１３の外周側の部分とは、パッド６１３の突部７ｃの切れ目に位置する部分によって導通される。また、この場合には、切れ目は、配線１２側とは異なる方向に位置していてもよい。また、切れ目が配線を通過させる場合、配線の全体を通過させなくてもよい。例えば、第１の実施形態の突部７ｃの一端もしくは両端は、配線１２の縁部に食い込んでいてもよい。

第６の実施形態（図１１）のように径方向の複数位置および周方向の複数位置に複数の突部が分布する場合において、複数の突部は、ランダムに配置されずに、所定の規則性を持って配列されてもよい。また、複数の突部の密度は分布範囲に亘って一様でなくてもよい。また、複数の突部は、配線および／またはパッドと重なる位置においても配置されてよい。この場合であっても、第７の実施形態（図１２）と同様に、端子と弾性波素子との導通は確保される。なお、この場合には、パッドの面積は、第７の実施形態と同様に、端子の底面の面積以上であることが好ましい。

突部の位置は、実施形態で示したように、端子の外周側でもよいし、端子の中央側でもよい。なお、突部が外周側に配置されていることは、例えば、判定対象の突部の半分以上の面積が、端子の底面の重心（中央）と端子の底面の外周縁との中間に位置する線（例えば端子が円形である場合には端子の半径の半分の半径の円）の外側に位置していれば、外周側に配置されていると判定することができる。

突部の断面形状は、第１の実施形態のように主面に平行な断面積が一定のものおよび第９の実施形態（図１４）のように、先端側ほど主面に平行な断面積が大きいものに限定されない。例えば、先端側ほど主面に平行な断面積が小さくてもよい。

突部は、主面に直交する方向に突出するものに限定されない。すなわち、突部は、主面に対して斜めに突出していてもよい。このような突部は、例えば、レーザーを基板の主面に斜めに入射させるなど、エッチング方向に対して基板を斜めにして基板の溝を形成することによって実現できる。

突部は、端子の底面から突出するものに限定されない。例えば、突部は、端子のフランジから突出し、カバーを貫通して、基板の主面から基板内へ突出するものであってもよい。

端子の柱状部の平面形状は、円形に限定されない。例えば、図１６に示す端子９０７の柱状部９０７ａのように、枠部３５の内壁面や外壁面に対して平行もしくは平行に近い面を有する形状であってもよい。同様に、フランジ（図１６では不図示）の平面形状およびパッド１３の形状（図１６では柱状部９０７ａとは異なる形状である円形を例示）も適宜に設定されてよい。図１６では、ライン状の突部９０７ｃが柱状部９０７ａの外周に沿って多角形状の環状に形成されている。ただし、突部９０７ｃは、円形等の柱状部９０７ａとは異なる形状であってもよい。
また、端子は、下地層３９と金属部４１とからなるものに限られず、例えば、下地層３９を設けずに金属部４１のみからなるものでもよい。

実施形態では、端子とパッドとは材料が異なり、また、端子の底面の大きさとパッドの底面の大きさとは異なった。ただし、端子とパッドとは、同一材料により形成されるとともに、端子の底面の大きさとパッドの底面の大きさとは同一であってもよい。換言すれば、パッドとして端子と区別される部分は本願発明の必須要件ではない。

基板の溝（３ｃ等）は、突部となる金属を配置する前の適宜な時期に形成することができ、導電層形成前または保護層形成後に限定されない。例えば、導電層形成後かつ保護層形成前であってもよいし、枠部形成後であってもよいし、蓋部形成後であってもよい。ただし、エッチングの容易性からカバー（枠部）の形成前であることが好ましい。

１…弾性表面波装置（弾性波装置）、３…基板、３ａ…第１主面（主面）、５…カバー、７…端子、突部…７ｃ、１０…振動空間、１１…ＳＡＷ素子（弾性波素子）。

Claims (7)

1. 基板と、
   該基板の主面に設けられた弾性波素子と、
   該弾性波素子上に振動空間を形成しつつ前記弾性波素子を覆うカバーと、
   前記弾性波素子に電気的に接続されており、前記主面の面する方向に前記カバーを貫通する端子と、
   を有し、
   前記端子は、前記主面から前記基板内に突出する突部を有している
   弾性波装置。
2. 前記突部は、該突部を平面視したときに、前記主面に沿って延びるライン状に形成されている
   請求項１に記載の弾性波装置。
3. 前記主面に設けられ、前記弾性波素子に接続された配線と、
   前記主面に設けられ、前記配線に接続されたパッドと、
   をさらに有し、
   前記端子は、前記パッド上に設けられており、
   前記突部は、前記パッドの少なくとも一部を囲む、切れ目を有する環状に延び、
   前記パッドのうち環状の前記突部の内側部分と前記配線のうち環状の前記突部の外側部分とは、前記パッドもしくは前記配線のうち前記切れ目に位置する部分を介して接続されている
   請求項２に記載の弾性波装置。
4. 前記端子は、前記切れ目において前記突部の両端から離間して配置され、前記パッドもしくは前記配線のうち前記切れ目に位置する部分の一部のみを貫通する貫通突部をさらに有する
   請求項３に記載の弾性波装置。
5. 前記突部は、複数設けられ、前記端子の径方向の複数位置および前記端子の周方向の複数位置に亘って分布している
   請求項１に記載の弾性波装置。
6. 前記主面に設けられ、前記弾性波素子に接続された配線と、
   前記主面に設けられ、前記配線に接続されたパッドと、
   をさらに有し、
   前記端子は、前記パッド上に設けられており、
   前記突部は、複数設けられ、前記パッドの少なくとも一部を囲むように配置されている
   請求項１に記載の弾性波装置。
7. 前記複数の突部は、平面視において前記パッド内に収まる位置に配置されるとともに、前記パッドを貫通しており、
   該パッドは、前記複数の突部に囲まれた部分と、前記配線に接続されている前記パッドの外周側部分とが、前記複数の突部間に位置する複数の部分によって接続されている
   請求項６に記載の弾性波装置。

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