JP2011530834A - フルオロポリマーを含む発光ダイオード筺体 - Google Patents

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Abstract

フルオロポリマーを含む発光ダイオード筺体が開示されている。発光ダイオード筺体は、発光ダイオードチップを支持し、発光ダイオードチップから放出される光の少なくとも一部を反射する。

Description

本開示内容は、発光ダイオードチップを支持し、発光ダイオードチップから放出される光の少なくとも一部を反射する、フルオロポリマーを含む発光ダイオード筺体に関する。
発光ダイオード(LED)およびレーザーダイオード(LD)等の半導体発光素子は、現在利用可能な光源の中で最も効率的かつ強固である。
光抽出が、発光素子の重要な問題である。半導体発光素子に共通の問題は、素子と周囲との間の界面における内部反射、それに続く、素子内の反射光の再吸収により、素子から抽出される可能性のある光の効率が減少することである。
発光ダイオード(LED)筺体は、二酸化チタンを添加して、筺体の可視光反射を増大するポリフェニルヒドラジン(PPA)等のエンジニアリングプラスチックから通常構築される。しかしながら、二酸化チタンによって、経時による使用でPPAが退色(黄変)し、結果として、全体のLED効率が降下し、発光色が変化する。
このように、可視光を大いに反射し、保色性に優れたLED筺体が必要とされている。
高効率光抽出のためには、光抽出材料が、LEDと直接接触すると有利である。しかしながら、1平方mm当たり3ワットまでの効果をもたらす単一の固体LEDまたは合計で100ワット以上もの効果をもたらすかかるLEDのアレイという高輝度(intensity)用途においては、LEDがかなり発熱する。かかる高輝度LEDにおいては、250℃という温度に達する。
LED筺体のためには、LEDカプセル化中、例えば、レンズ等の他の構成部品を取り付ける工程において、例えば、使用可能な異なる材料の範囲を広げるために、高処理温度に適合し得る材料を用いることができると有利である。
このように、LEDチップ素子を損傷するであろうよりも低い温度で溶融処理可能で、さらに、LED組立中、および高輝度LEDにとって一般的な高温操作温度で長期間にわたって熱安定性があるLED筺体材料が必要とされている。
本明細書に記載されているのは、業界のニーズに適合するLED筺体である。
本LED筺体は、可視光を大いに反射し、溶融処理可能で、色が安定しており、かつ、例えば、15分を超える時間で約260℃のはんだ処理温度に耐え得るフルオロポリマーを含む。
簡単に述べると、本発明の一態様によれば、発光ダイオードチップを支持し、発光ダイオードチップから放出される光の少なくとも一部を反射する、フルオロポリマーを含む発光ダイオード筺体が提供される。
本発明の他の態様によれば、発光ダイオードチップから放出される光の少なくとも一部を反射する、フルオロポリマーを含む発光ダイオード筺体により支持される発光ダイオードチップを有する発光ダイオードが提供される。
前述の概要および以下の詳細な説明は、例示および説明のためのみであり、添付の特許請求の範囲に定義される本発明を限定するものではない。
本明細書に示した概念をさらに理解するために、実施形態を添付の図面により例示する。
発光ダイオード筺体の一実施形態の断面図を示す。 本発明の発光ダイオード筺体の一実施形態の断面図を示す。 本発明の発光ダイオード筺体により支持される発光ダイオードチップを含む本発明の発光ダイオードの一実施形態の断面図を示す。
当業者であれば、図面の対象物は、簡略かつ明瞭に示されており、寸法通りに描かれていないことが分かる。図面の特徴のいくつかの寸法は、理解を促すために、他の特徴よりも誇張されている。
本発明を、その好ましい実施形態に関して説明していくが、本発明をその実施形態に限定しようとするものとは考えられない。反対に、添付の特許請求の範囲により定義される本発明の精神および範囲に含まれるであろう変形、修正および等価物の全てが包含されるものとする。
発光ダイオード筺体の一実施形態において、フルオロポリマーは、溶融処理可能な半結晶パーフルオロポリマーを含む。
発光ダイオード筺体の他の実施形態において、フルオロポリマーは、フルオロポリマーに分散したフィラーをさらに含む。発光ダイオード筺体の他の実施形態において、フィラーは、可視光の散乱体を含む。発光ダイオード筺体の他の実施形態において、可視光の散乱体は、白色顔料を含む。発光ダイオード筺体の他の実施形態において、フルオロポリマーは、フルオロポリマーと白色顔料の総合重量(あるいは、「合計重量パーセント」)を基準として、約0.1〜約40重量パーセントの白色顔料をさらに含む。フルオロポリマーが、白色顔料をさらに含む発光ダイオード筺体の他の実施形態において、発光ダイオード筺体の380nm〜780nmの波長範囲にわたる明所視反射率(photopic reflectance)は、少なくとも約95%である。
発光ダイオード筺体の他の実施形態において、フルオロポリマーの380nm〜780nmの波長範囲にわたる明所視反射率は、少なくとも約80%、より好ましくは、90%、最も好ましくは、95%である。
発光ダイオード筺体の他の実施形態において、フルオロポリマーは、フルオロポリマーの曲げ弾性率を修正するフィラーをさらに含む。発光ダイオード筺体の他の実施形態において、フルオロポリマーは、フルオロポリマーの線熱膨張率を修正するフィラーをさらに含む。発光ダイオード筺体の他の実施形態において、フルオロポリマーは、フルオロポリマーの熱伝導率を修正するフィラーをさらに含む。発光ダイオード筺体の他の実施形態において、フィラーは、ガラス繊維である。発光ダイオード筺体の他の実施形態において、フィラーは、中空ガラスマイクロスフェアである。
発光ダイオード筺体の他の実施形態において、フルオロポリマーは、発光化合物をさらに含む。
上記した実施形態は、単に例示であり、限定ではない。本明細書を読めば、本発明の範囲を逸脱することなく、他の態様および実施形態が可能であることが、当業者には理解される。
実施形態の1つ以上のその他の特徴および利点は、以下の詳細な説明および特許請求の範囲から明らかとなろう。詳細な説明は、1.用語の定義および説明、2.発光ダイオード(LED)筺体、3.発光ダイオード(LED)筺体を構成するフルオロポリマー、4.フィラーおよび実施例である。
1.用語の定義および説明
後述する実施形態の詳細を説明する前に、いくつかの用語を定義または明確にしておく。
発光ダイオードとは、UV光から赤外光を含む任意の波長間隔におけるダイオード発光を意味し、レーザーダイオードも含むものとする。
フィラーとは、フルオロポリマーに添加すると、フルオロポリマーの物理特性を修正することのできる任意の化合物を意味する。
本明細書で用いる「含む」、「含んでいる」、「有する」、「有している」、「持つ」、「持っている」またはその他の変形の用語は、非排他的な包括を規定するものである。例えば、要素のリストを含むプロセス、方法、物品または装置は、それらの要素に必ずしも限定されず、明示的にリストされていない、またはかかるプロセス、方法、物品または装置に固有の他の要素も含まれる。さらに、明示的にそれには反するとした場合を除き、「または」は、包括的なまたはであり、排他的なまたはでない。例えば、条件AまたはBを満足するのは次のうちのいずれかである。Aが真(または存在する)でBが偽(または存在しない)、Aが偽(または存在しない)でBが真(または存在する)、およびAとBの両方が真(または存在する)。
また、単数形(「a」または「an」)の使用は、本発明の要素および成分を記載するために使用される。これは、単に便宜上のために、かつ本発明の一般的な意味を与えるために使用される。この説明は、1つまたは少なくとも1つを含めるように読まれるべきであり、他の意味であることが明白でない限り、単数形には複数形も含まれる。
別記されない限り、本明細書で用いる技術および科学用語は全て、特許請求の範囲の属する技術分野の当業者に一般的に理解されるのと同じ意味を有している。本明細書に記載したものと同様または等価の方法および材料は、開示された実施形態の実施または試験に用いることができるが、好適な方法および材料は後述する。本明細書で言及した文献、特許出願、特許およびその他の参考文献は全て、特に別記されない限り、その全内容が参考文献として援用される。矛盾がある場合には、定義を含めた本明細書が優先される。また、材料、方法および実施例は例示のみであり、限定しようとするものではない。
本明細書に記載のないものについては、特定の材料および処理に関する多くの詳細は、従来通り機能し、LED業界のテキストブックおよびその他のソースで見られるはずである。
2.発光ダイオード(LED)筺体
本LED筺体にはいくつかの機能がある。1つの機能は、LEDを基板に配置する、または回路に接続しながら、LEDチップを所望の位置および向きを支持することである。別の機能は、筺体に向いた発光ダイオードチップから放出された光(すなわち、照明から利点を得られる方向とは離れる方向の光)を、照明から利点を得られる方向に反射して戻し、そのようにすることによって、LEDの全体の照明を増大することである。別の機能は、過剰の熱による損傷からLEDチップを保護するために、LEDチップから離れるLEDチップ(例えば、高温で操作させる高輝度LEDチップ)により生成された熱を消散させることである。
他の実施形態において、LED筺体の機能は、筺体で指向された光の色を反射し、所望の色に変換することである。例えば、青色の光を緑色または赤色の光に変換する、またはUV光を青色、緑色または赤色の光へ変換する。かかる実施形態において、筺体を構成するフルオロポリマーは、少なくとも1つの発光化合物をさらに含む。この目的でフルオロポリマーに組み込むのに好適な発光化合物およびその量は、当業者に知られている。他の実施形態において、発光化合物は、窒化ケイ素化合物、例えば、ユーロピウム、アルミニウムまたは酸素でドープされたSrSi等を含む。他の実施形態において、発光化合物は、セリウム、プラセオジム、ユーロピウムまたはこれらの組み合わせでドープされたイットリウム−アルミニウム−ガーネット、例えば、(YAG:Ce)、(YAG:Ce、Pr)および(YAG:Ce、Eu)を含む。本明細書で用いる、発光化合物という用語には、ある波長または波長間隔の光を吸収し、他の波長または波長間隔の光を放出する蛍光とリン光化合物の両方が含まれる。
図1に、本発明の発光ダイオード筺体の一実施形態の断面図を示す。金属フレーム100は、金属フレーム100の開口部を通して延在するフルオロポリマーを含む射出成形発光ダイオード筺体101を含む。
他の実施形態において、LED筺体101は、少なくとも1つの凹部を有する。凹部は、少なくとも1つのLEDチップおよびレンズ組立体が、凹部内に適合し、関連する回路に接続できる所望の場所に配置されるサイズとなっている。このように、図2に、発光ダイオード筺体の本発明の一実施形態の断面図を示す。金属フレーム100は、金属フレーム100の開口部を通して延在するフルオロポリマーを含む射出成形発光ダイオード筺体101を含む。発光ダイオード筺体101は、発光ダイオードチップおよびレンズ組立体の配置のための凹部102を含む。凹部102の形状および寸法、例えば、凹部102の壁の深さおよび角度を調節して、反射の角度および方向を制御し、筺体101に向いた発光ダイオードチップにより放出された光の少なくとも一部の反射を最大にすることができる。
他の実施形態において、各LEDチップは、LED筺体内の別個の凹部に配置されており、凹部の壁が、各LEDチップを位置決めし、向きを決定している。他の実施形態において、2つ以上のLEDチップを、1つの凹部に配置することができる。かかる場合、位置決めおよび向き決定は、例えば、LEDが、LEDの面から動く、または回転するのを防ぐが、凹部を複数の凹部へ分離する壁を形成しない構成部品で構成することができる。
図3には、例示としての本発明の発光ダイオードの一実施形態の断面図が含まれる。金属フレーム100は、金属フレーム100の開口部を通して延在するフルオロポリマーを含む射出成形発光ダイオード筺体101を含む。発光ダイオード筺体101は、凹部102を含む。複数の電極103が、1つは金ワイヤ104を介して、凹部102内に配置された発光ダイオードチップ105に接続されている。ポリマー107を含むレンズ106は、発光ダイオードチップ105をカプセル化し、発光ダイオードチップ105により放出された光を、照明から利点を得られる方向に向ける。筺体101は、発光ダイオードチップ105およびレンズ106を支持して、適所に保持し、筺体101に指向された発光ダイオードチップ105から放出された照射光から利点を得られる方向に反射して戻す。ある実施形態において、発光ダイオードチップ105の下部と、射出成形発光ダイオード筺体101の近接面との間に実質的に空間はない。ある実施形態において、発光ダイオードチップ105およびレンズ106は、発光ダイオード筺体101の近接面に、接着剤で取り付けられている。
本LED筺体に用いるのに有用なLEDチップは、紫外線から赤外光の範囲の光を放出することのできるLEDチップを含む。有用なLEDチップとしては、n/p発光層を、サファイヤ(単結晶アルミナ)等の結晶基板上で成長させることにより構築されたものが例示される。有用なLEDチップとしては、青色またはUV放出ダイオードチップが挙げられる。青色/UV光は、発光化合物により他の色の光へと容易に変換することができるからである。
1平方mm当たり3ワット以上の効果のある高出力LEDチップも、本LED筺体で用いられる。
本フルオロポリマー発光ダイオード筺体を含むLEDは、LED光源から利益の得られる物品に有用であり、例えば、電話(例えば、携帯電話バックライト、携帯電話キーパッド)、光学ディスプレイ(例えば、LCDテレビおよびコンピュータモニターバックライト、大型ビデオディスプレイ、DLPおよびLCDプロジェクタの光源)、輸送(例えば、自転車、オートバイおよび自動車照明、電車および飛行機内部照明)、一般照明(例えば、家庭、オフィス、建築および街頭照明)、器具類(例えば、実験室および電子試験機器)、種々の電気製品および用途、例えば、電球、時計、懐中電灯、計算機、ストロボ、カメラフラッシュ、フラットベッドスキャナ、バーコードスキャナ、TV用リモコン、赤外LEDを用いるVCRおよびDVR、マシンビジョンシステムの光源、IR放射および高温が望ましくない医療用照明、暗視防犯カメラ用赤外照明および光学コンピュータマウス等の動作感知器が挙げられる。
3.発光ダイオード(LED)筺体を構成するフルオロポリマー
本LED筺体101は、フルオロポリマーを含む。ある実施形態において、LED筺体は、LED筺体を構成する全ての材料の重量を基準として、少なくとも約30重量%のフルオロポリマーを含む。他の実施形態において、LED筺体は、LED筺体を構成する全ての材料の重量を基準として、少なくとも約65重量%のフルオロポリマーを含む。他の実施形態において、LED筺体は、LED筺体を構成する全ての材料の重量を基準として、少なくとも約75重量%のフルオロポリマーを含む。他の実施形態において、LED筺体は、LED筺体を構成する全ての材料の重量を基準として、少なくとも約90重量%のフルオロポリマーを含む。他の実施形態において、LED筺体は、LED筺体を構成する全ての材料の重量を基準として、少なくとも約95重量%のフルオロポリマーを含む。他の実施形態において、LED筺体は、LED筺体を構成する全ての材料の重量を基準として、少なくとも約99重量%のフルオロポリマーを含む。他の実施形態において、LED筺体は、約100重量%のフルオロポリマーを含む。他の実施形態において、LED筺体は、フルオロポリマーから実質的になる。すなわち、LED筺体は、フルオロポリマーを含み、LED筺体の基本かつ新規な特徴に実質的に影響する他の材料は含まない。他の実施形態において、LED筺体は、LED筺体を構成する全ての材料の重量を基準として、約65重量%〜約90重量%のフルオロポリマーを含む。他の実施形態において、LED筺体は、LED筺体を構成する全ての材料の重量を基準として、約50重量%〜約90重量%のフルオロポリマーを含む。他の実施形態において、LED筺体は、LED筺体を構成する全ての材料の重量を基準として、約30重量%〜約95重量%のフルオロポリマーを含む。他の実施形態において、LED筺体は、LED筺体を構成する全ての材料の重量を基準として、約30重量%〜約99重量%のフルオロポリマーを含む。
概して、本LED筺体に有用なフルオロポリマーは、1.)従来の射出成形技術によるLED筺体の形成に好適な溶融処理性および射出成形性、2.)高出力LEDチップにより生成される高温およびLED組立の工程に用いられる高温、例えば、約15分までの260〜280℃という温度でのはんだ付け、および1〜4時間に及ぶ約150℃の硬化(例えば、LEDレンズを形成するのに用いる硬化性エポキシ系材料の)温度に耐え得る耐熱性、3.)かかる温度でのかかる時間後の反りの少なさ、および4.)380nm〜780nmの波長範囲にわたる明所視反射率が、少なくとも約80%、より好ましくは、90%、最も好ましくは、95%である/を有する。
これらの基準に適合し、本LED筺体に有用なフルオロポリマーは、溶融押出し可能かつ射出成形可能であり、約1.5〜約40g/10分のメルトフローレートを有する。メルトフローレート(MFR)は、ASTM法D1238−04cにより求めることができる。フルオロポリマーは、公知の方法により、少なくとも1つのフッ素化モノマーの重合で作製することができる。一実施形態において、フルオロポリマーは、2〜8個の炭素原子を有するフッ素化モノマーと、2〜8個の炭素原子を有する1つ以上の重合可能なコモノマーのコポリマーを含む。有用な炭化水素モノマーとしては、例えば、エチレンおよびプロピレンが挙げられる。有用なフッ素化モノマーとしては、例えば、テトラフルオロエチレン(TFE)、フッ化ビニリデン(VDF)、ヘキサフルオロイソブチレン(HFIB)、ヘキサフルオロプロピレン(HFP)、およびパーフルオロアルキル基が1〜5個の炭素原子を含み、鎖状または分岐しているパーフルオロ(アルキルビニルエーテル)(PAVE)が挙げられる。他の実施形態では、有用なPAVEモノマーは、式CF=CFORまたはCF=CFOR’ORにより表わすことができ、式中、Rは、1〜5個の炭素原子を有するパーフッ素化鎖状または分岐アルキル基であり、R’は、1〜5個の炭素原子を有するパーフッ素化鎖状または分岐アルキレン基である。他の実施形態において、R基は、1〜4個の炭素原子を有する。他の実施形態において、R’は、2〜4個の炭素原子を有する。PAVEモノマーの例としては、パーフルオロ(メチルビニルエーテル)(PMVE)、パーフルオロ(エチルビニルエーテル)(PEVE)、パーフルオロ(プロピルビニルエーテル)(PPVE)およびパーフルオロ(ブチルビニルエーテル)(PBVE)が挙げられる。他の実施形態において、フルオロポリマーは、2つ以上のPAVEモノマー、例えば、メーカーでは、MFAと呼ばれることのあるTFE/PMVE/PPVEコポリマーを用いて作製することができる。
他の実施形態において、フルオロポリマーは、パーフッ素化エチレン−プロピレン(FEP)、DuPontよりTEFLON(登録商標)FEPという商品名で販売されているテトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンのコポリマーを含む。他の実施形態において、HFP含量は、TFE/HFPフルオロポリマー中約5〜約17重量パーセントである。他の実施形態において、FEPフルオロポリマーは、HFP含量が、約5〜約17重量パーセント、PAVE含量、好ましくは、PEVEが、約0.2〜約4重量パーセント、フルオロポリマーについて合計で100重量パーセントまでの残部がTFEであるTFE/HFP/PAVEを含む。
他の実施形態において、フルオロポリマーは、パーフルオロアルコキシフルオロカーボン樹脂(PFA)、DuPontよりTEFLON(登録商標)PFAという商品名で販売されているテトラフルオロエチレンとパーフルオロ(アルキルビニルエーテル)のコポリマーを含む。他の実施形態において、フルオロポリマーは、一般的にPFAとして知られているTFE/PAVEフルオロポリマーであり、合計重量パーセントで少なくとも約2重量パーセントのPAVEを有し、PAVEがPPVEまたはPEVEのときは、典型的に、約2〜約15重量パーセントのPAVEを含む。他の実施形態において、PAVEは、PMVEを含み、組成は、約0.5〜約13重量パーセントのパーフルオロ(メチルビニルエーテル)、約0.5〜約3重量パーセントのPPVE、合計で100重量パーセントまでの残部がTFEである。この製品は、通常、MFAと呼ばれる。
他の実施形態において、フルオロポリマーは、一般に、PVDFと呼ばれるポリフッ化ビニリデンを含む。
他の実施形態において、フルオロポリマーは、一般に、THVと呼ばれる、任意で、TFEを含有するフッ化ビニリデンとHFPのコポリマーを含む。
他の実施形態において、フルオロポリマーは、DuPontよりTEFZEL(登録商標)という商品名で販売されているエチレンとテトラフルオロエチレンのコポリマーであるエチレンテトラフルオロエチレン(ETFE)を含む。
他の実施形態において、フルオロポリマーは、エチレン、テトラフルオロエチレンおよびヘキサフルオロプロピレン(EFEP)のコポリマーを含む。
他の実施形態において、フルオロポリマーは、フッ化ビニルのコポリマーを含む。
他の実施形態において、フルオロポリマーは、クロロトリフルオロエチレンのホモポリマーであるポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)を含む。
他の実施形態において、フルオロポリマーは、クロロトリフルオロエチレンとエチレンのコポリマーであるポリクロロトリフルオロエチレン−エチレン(ECTFE)を含む。
他の実施形態において、数多くの不安定な末端基(例えば、カルボン酸末端基)を減じる目的で、フルオロポリマーをフッ素化することができる。フッ素化は、当該技術分野において公知の様々な条件下で、フッ素ラジカルを生成する様々な化合物により公知の方法で実施することができる。
有用な市販のフルオロポリマーとしては、Tefzel(登録商標)ETFE等級207、Teflon(登録商標)FEP等級100、TE−9494、100Jおよび6100nならびにTeflon(登録商標)PFA等級340、440および3000(これらのフルオロポリマーは全て、E.I.du Pont de Nemours & Co.,Wilmington,DE製である)が例示される。
4.フィラー
本発光ダイオード筺体の一実施形態において、フルオロポリマーは、フルオロポリマーに分散したフィラーをさらに含む。フィラーとは、フルオロポリマーに添加すると、フルオロポリマーの光学、機械および熱特性をはじめとする物理特性を修正することのできる任意の化合物を意味する。一実施形態において、各フィラーは、フルオロポリマーの単一の物理特性を修正する。他の実施形態において、各フィラーは、フルオロポリマーの2つ以上の物理特性を修正する。例えば、二酸化チタンを含むフィラーは、フルオロポリマーの明所視反射率および熱伝導率の両方を増大することができる。
フィラーの形状は特に限定されず、例えば、マイクロスケール繊維、フィラメント、フレーク、ウィスカ、管、微粒子、球等とすることができる。他の実施形態において、フィラーは中空である。他の実施形態において、フィラーは中空でない。
フィラーは、フルオロポリマーの物理特性を修正するのに十分な任意の量でフルオロポリマーに存在させることができる。他の実施形態において、フィラーの量は、フィラーとフルオロポリマーの総合重量を基準として、約1重量%〜約70重量%の範囲である。他の実施形態において、フィラーの量は、フィラーとフルオロポリマーの総合重量を基準として、約5重量%〜約70重量%の範囲である。他の実施形態において、フィラーの量は、フィラーとフルオロポリマーの総合重量を基準として、約10重量%〜約50重量%の範囲である。他の実施形態において、フィラーの量は、フィラーとフルオロポリマーの総合重量を基準として、約10重量%〜約35重量%の範囲である。
4.1 フルオロポリマーの光学特性を修正するためのフィラー
本LED筺体の一実施形態において、フルオロポリマーは、フルオロポリマーに分散したフィラーをさらに含み、フィラーは、フルオロポリマーの光学特性を修正するための可視光の散乱体を含む。本実施形態において、散乱体は、フルオロポリマー全体に分散状態にある。一実施形態において、各散乱体は、フルオロポリマーに囲まれており、他の散乱体と物理的に接触していない。一実施形態において、散乱体は粒子(本明細書においては、微粒子散乱体とも呼ばれる)である。他の実施形態において、散乱体は粒子であり、臨界顔料体積濃度を超えるフルオロポリマー中に存在する粒子から生じるボイドがフルオロポリマー中にある。
散乱体を含むフルオロポリマーの散乱体体積当たりの光散乱断面は、散乱体とフルオロポリマーの屈折率の差に大きく依存している。光散乱断面は広いのが好ましく、散乱体とフルオロポリマーの屈折率の差を最大にすることにより得られる。他の実施形態において、散乱体とフルオロポリマーの屈折率の差は、少なくとも約0.5である。他の実施形態において、散乱体とフルオロポリマーの屈折率の差は、少なくとも約1である。
本LEDに有用な微粒子散乱体の屈折率は、少なくとも約1.5である。高屈折率の微粒子散乱体は、少なくとも約2.0の屈折率を有する。他の実施形態において、高屈折率の微粒子散乱体は、少なくとも約2.5の屈折率を有する。高屈折率の微粒子散乱体よりも小さな屈折率を有する微粒子散乱体は、本明細書においては、低屈折率微粒子散乱体と呼んでもよい。ボイドは、屈折率1.0を有しており、これは、ボイドに含まれる空気の屈折率である。
散乱体の形状は特に限定されず、例えば、球、立方体、針状、円盤、うろこ状、繊維状等であってよい。かかる形状はボイドを作製するのに有利となり得るが、高屈折率微粒子散乱体については、球形が好ましい。
散乱体は、中空でない、または中空とすることができる。ボイドは、中空粒子(すなわち、内部ボイドを有する)、例えば、中空球ガラスまたはプラスチック粒子を用いることから生じ得る。
可視光を散乱する機能を果たす、可視光をあまり吸収しない粒子が、本LED筺体の散乱体として有用である。粒子としては、白色顔料として従来より知られているものが挙げられる。粒子の屈折率が、筺体を構成するフルオロポリマー(例えば、バインダーと散乱体の屈折率の差が約0.5未満である低屈折率微粒子散乱体)の屈折率と実質的に同じ場合には、かかる粒子は、フルオロポリマーにおいて、そのCPVC(臨界顔料体積濃度)より低い濃度では、通常、散乱体として効率的に機能しないであろう。しかしながら、かかる粒子は、フルオロポリマーに、CPVCを超える量で含まれるとき、光散乱ボイドを形成するのに有用である。高屈折率微粒子散乱体、例えば、二酸化チタンは、CPVCより低い量でフルオロポリマーに用いるとき、ボイドがほとんどなくても、光を散乱するのに極めて有効である。
間隔の狭い散乱体を含むフルオロポリマーの散乱体の単位体積当たりの光散乱断面は、散乱体の数平均直径が入射光の波長の半分よりやや小さいと、最大化される。本LED筺体を構成するフルオロポリマー中の散乱体として有用な粒子の直径は、従来の沈殿または光散乱手順により測定することができる。高屈折率微粒子散乱体については、他の実施形態において、粒子数平均直径は、約0.1μm〜約30μmである。他の実施形態において、高屈折率微粒子散乱体の粒子数平均直径は、約0.2μm〜約1μmである。高屈折率微粒子散乱体を用いる他の実施形態において、本フルオロポリマーの可視光屈折率は、粒子の数平均直径が、約0.2μm〜約0.4μmのときに、最大化される。
本LED筺体に有用な微粒子散乱体は、可視光をあまり吸収しない。あまり吸収しないとは、散乱体がフルオロポリマーより吸収しない、またはフルオロポリマーの吸収に実質的に寄与しないことを意味する。他の実施形態において、フルオロポリマーと散乱体を含む本LED筺体の吸収係数は、約10−3/g以下である。他の実施形態において、フルオロポリマーと散乱体を含む本LED筺体の吸収係数は、約10−5/g以下である。散乱体が二酸化チタンを含む他の実施形態において、フルオロポリマーと散乱体を含むLED筺体の吸収係数は、約425nm〜約780nmの波長で約10−3/g以下である。散乱体が二酸化チタンを含む他の実施形態において、フルオロポリマーと散乱体を含むLED筺体の吸収係数は、約425nm〜約780nmの波長で約10−5/g以下である。
本フルオロポリマー筺体に散乱体として有用な粒子の構成は特に限定されず、例えば、金属塩、金属水酸化物および金属酸化物が挙げられる。例えば、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸アルミニウム、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、塩化マグネシウム、炭酸マグネシウム等の金属塩、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウムおよび水酸化カルシウム等の金属水酸化物、ならびに酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナおよびシリカ等の金属酸化物が挙げられる。さらに、カオリン、ケイ酸アルミナ、ケイ酸カルシウム、セメント、ゼオライトおよびタルク等のクレイも有用である。プラスチック顔料も有用である。他の実施形態において、高屈折率微粒子散乱体は、二酸化チタンおよび酸化亜鉛のうち少なくとも1つを含む白色顔料粒子を含む。二酸化チタンは、単位体積当たりの光散乱断面が最も大きく、かつ可視光をあまり吸収しない。市販の有用な二酸化チタンとしては、Dupont製Ti−Pure(登録商標)R−900が挙げられる。
フルオロポリマーに分散された散乱体の量は、フルオロポリマーの明所視反射率に直接影響する。フルオロポリマー中の散乱体の量が少なすぎると、散乱体は、フルオロポリマーの明所視反射率に実質的に寄与しない。フルオロポリマー中の散乱体の量が多すぎると、フルオロポリマーを含む筺体の物理特性が、悪影響を受ける可能性があり、筺体は、例えば、脆性となり望ましくなくなる可能性がある。
散乱体が白色顔料である他の実施形態において、白色顔料の量は、フルオロポリマーと白色顔料の総合重量を基準として、約5〜約20重量パーセントである。
散乱体が白色顔料である他の実施形態において、白色顔料の量は、フルオロポリマーと白色顔料の総合重量を基準として、約8〜約12重量パーセントである。
散乱体が白色顔料である他の実施形態において、白色顔料の量は、フルオロポリマーと白色顔料の総合重量(あるいは「合計重量パーセント」)を基準として、約10重量パーセントである。
ある実施形態において、フルオロポリマーの光学特性を修正するために、フィラーを含有するフルオロポリマーの380nm〜780nmの波長範囲にわたる明所視反射率は、少なくとも約80%である。ある実施形態において、フルオロポリマーの光学特性を修正するために、フィラーを含有するフルオロポリマーの380nm〜780nmの波長範囲にわたる明所視反射率は、少なくとも約85%である。ある実施形態において、フルオロポリマーの光学特性を修正するために、フィラーを含有するフルオロポリマーの380nm〜780nmの波長範囲にわたる明所視反射率は、少なくとも約90%である。ある実施形態において、フルオロポリマーの光学特性を修正するために、フィラーを含有するフルオロポリマーの380nm〜780nmの波長範囲にわたる明所視反射率は、少なくとも約95%である。
4.2 フルオロポリマーの機械特性を修正するためのフィラー
一実施形態において、フルオロポリマーは、フルオロポリマーの機械特性を修正するためのフィラーを含む。
固体フルオロポリマーは、典型的に、約10−4−1の熱膨張率を有する。一方、LED筺体が取り付けられる金属(例えば、銅、他の実施形態においては、金属フレーム100を含む)は、約10−5−1の熱膨張率を有する。このように、LED筺体を構成する金属フレームを、回路基板にはんだ付けするときに直面するであろう100Kの温度変化によって、2つの材料間に1%の歪みの不整合が生じる。他の実施形態において、本LED筺体およびそれに取り付けられる金属フレームは、隣接接触しており、かかる温度変化によって、特に、フルオロポリマー−金属界面での内部応力の発現に結び付く可能性がある。これらの応力によって、フルオロポリマーにおけるクラックの形成および成長が促進され、LED筺体を金属フレームから分離または剥離させ得るため望ましくない。
このように、ある実施形態においては、フィラーを用いて、フルオロポリマーの線熱膨張率(CTE)を修正して、充填したフルオロポリマーのCTEは、発光ダイオード筺体が取り付けられる材料(例えば、銅等の金属フレーム(例えば、金属フレーム100))のCTEと実質的に同じにすることができる。実質的に同じとは、構造上の完全性に大きく影響したり、LED筺体とそれに取り付けられる材料の隣接接触を中断することなく加熱しながら、かかるフィラーを含むフルオロポリマーが、LED筺体とそれに取り付けられる材料の組み合わせを操作できるCTEを有することを意味する。ある実施形態において、フルオロポリマーのCTEは、金属のCTEの25%以内である。ある実施形態において、フルオロポリマーのCTEは、金属のCTEの20%以内である。ある実施形態において、フルオロポリマーのCTEは、金属のCTEの10%以内である。
他の実施形態において、フィラーを用いて、フルオロポリマーの曲げ弾性率を修正して、充填したフルオロポリマーの曲げ弾性率が、充填したフルオロポリマーを含むLED筺体が取り付けられる材料の曲げ弾性率より大きくすることができる。大きいとは、LED筺体の構造上の完全性に大きく影響することなく、LED筺体が取り付けられる材料を操作する(例えば、曲げる)ことができることを意味する。
ポリマーの機械特性を修正するための従来公知のフィラーが、フルオロポリマーの機械特性を修正するのにここでも想定される。有用なフィラーとしては、金属(または金属合金)粉末、金属酸化物およびその他の金属含有化合物、半金属酸化物およびその他の半金属含有化合物、有機ポリマー等またはこれらのブレンドが挙げられる。
フィラーとして有用な金属(または金属合金)粉末としては、ビスマス粉末、黄銅粉末、青銅粉末、コバルト粉末、銅粉末、インコネル金属粉末、鉄金属粉末、マンガン金属粉末、モリブデン粉末、ニッケル粉末、ステンレス鋼粉末、チタン金属粉末、ジルコニウム金属粉末、タングステン金属粉末、ベリリウム金属粉末、亜鉛金属粉末、マグネシウム金属粉末または錫金属粉末が例示される。
フィラーとして有用な金属酸化物およびその他の金属含有化合物としては、これらに限られるものではないが、酸化亜鉛、硫化亜鉛、酸化鉄、酸化アルミニウム、二酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、硫酸バリウム、三酸化タングステン、クレイ、タルク、ケイ酸カルシウム等のケイ酸塩、珪藻土、炭酸カルシウムおよび炭酸マグネシウムが例示される。
フィラーとして有用な半金属酸化物およびその他の半金属含有化合物としては、ホウ素粉末、窒化ホウ素、シリカ、窒化ケイ素およびガラス繊維が例示される。
フィラーとして有用な有機ポリマーとしては、ポリエーテルケトン、例えば、PEK、PEEKおよびPEKKならびにアラミド繊維が例示される。さらに、フルオロポリマーの処理性および物理特性を修正するためのフィラーとしての高分子量、溶融処理可能または非溶融処理可能(例えば、焼結可能)ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)微粒子が挙げられる。例えば、フルオロポリマーは、大量のPFAと、それに分散した少量のPTFE微粉末、例えば、DuPontより入手可能なZONYL(登録商標)フルオロ添加剤等級MP1600(MFR17g/10分、372℃で3×10Pa・sの溶融粘度)を含むことができる。
他の実施形態において、フィラーは、フルオロポリマーの曲げ弾性率を修正するためのガラス繊維を含み、充填したフルオロポリマーの曲げ弾性率が、充填したフルオロポリマーを含むLED筺体が取り付けられる材料の曲げ弾性率より大きくなるようにする。有用なガラス繊維の一例は、Sait−Gobain Vetrotex America製高性能E−ガラスチョップドストランド等級910である。
他の実施形態において、フィラーは、フルオロポリマーの曲げ弾性率を修正するための中空ガラスマイクロスフェアを含み、充填したフルオロポリマーの曲げ弾性率が、充填したフルオロポリマーを含むLED筺体が取り付けられる材料の曲げ弾性率より大きくなるようにする。有用なガラスマイクロスフェアの一例は、3M製Zeeospheres(商標)Ceramic MicrospheresのW−210等級である。
4.3フルオロポリマーの熱特性を修正するためのフィラー
一実施形態において、フルオロポリマーは、フルオロポリマーの熱伝導率を修正するためのフィラーを含む。
固体フルオロポリマーは、典型的に、約0.24W/m・Kの熱伝導率を有し、一方、他の実施形態においては、LED筺体が取り付けられる金属フレーム100を含むことができる金属、例えば、銅は、約386W/m・Kの熱伝導率を有する。このように、フルオロポリマーは、LED素子を含む他の材料に対して断熱性である。LED筺体が、高輝度LEDチップを含む実施形態において、過剰の熱の蓄積による損傷からLEDチップを保護するために、筺体は、LEDチップから離れたLEDチップにより生成される熱を消散するのが好ましい。
このように、ある実施形態においては、フィラーを用いて、フルオロポリマーの熱伝導率を修正し、充填したフルオロポリマーの熱伝導率によって、LEDチップから離れたLEDチップにより生成された熱をより効率的に消散するようにすることができる。
ポリマーの熱伝導率を修正するための従来公知のフィラーが、フルオロポリマーの熱伝導率を修正するのにここでも想定される。有用なフィラーとしては、フルオロポリマーの光学および機械特性を修正するのに有用として本明細書に開示された前述のものが挙げられる。このように、フルオロポリマーの熱伝導率を修正するのに有用なフィラーとしては、金属塩、金属水酸化物、金属酸化物、金属(または金属合金)粉末、金属酸化物およびその他の金属含有化合物、半金属酸化物およびその他の半金属含有化合物、有機ポリマー等またはこれらのブレンドが挙げられる。
本明細書に記載した概念を、特許請求の範囲に記載した本発明の範囲を限定しない以下の実施例にさらに記載する。
実施例1
Teflon(登録商標)PFA340ポリマー(DuPontより入手可能なフルオロポリマー)を、10重量%のTi−Pure(登録商標)R900二酸化チタン(DuPontより入手可能)と乾式混合した。この混合物を、内径1.5インチで、スクリュー先端にサクソン混合セクションを有するブラベンダー単軸押出し機より供給した。スクリューRPMは、30〜100であった。押出し機温度プロフィールは、入口で316℃(600°F)〜出口で382℃(720°F)であった。押出し機の溶融フルオロポリマーの温度プロフィールは、入口の343℃(650°F)〜416℃(780°F)であった。押出し物ストランドを、押出し機出口でカッターにより切断してペレットを形成する。押出しフルオロポリマーの380nm〜780nmの波長範囲にわたる明所視反射率は、96%である。ペレットを射出成形して(標準PFA射出成形条件下で)、LED筺体を作製する。
概要または実施例に上述した動作の全てが必要ではなく、具体的な動作の一部は必要ないこともあり、1つ以上のさらなる動作を、説明したものに加えて実施してもよいことに留意する。さらに、動作を示した順番は、必ずしも、実施する順番ではない。
上述の明細書において、特定の実施形態を参照して、概念を説明してきた。しかしながら、当業者であれば、以下の特許請求の範囲に規定される本発明の範囲から逸脱することなく、様々な修正および変更を行うことができる。従って、明細書は、限定的な意味でなく、例示と考えられ、かかる修正は全て、本発明の範囲内に含まれるものとされる。
利益、その他の利点および問題解決策を、特定の実施形態に関して上述してきた。しかしながら、生じる、またはより顕著となる利益、利点、問題解決策、および何らかの利益、利点または解決策を生じるであろう何らかの特徴は、特許請求の範囲のいずれかまたは全ての重要、必要または不可欠な特徴とは解釈されない。
特定の特徴はまた、明瞭にするために、別個の実施形態で記載されているが、単一の実施形態において組み合わせで提供されてもよいものと考えられる。反対に、簡潔にするために、単一の実施形態で記載された様々な特徴は、別個に、または任意のサブコンビネーションで提供されてもよい。さらに、範囲で示された値を示すとき、その範囲内のあらゆる値が含まれる。

Claims (18)

  1. 発光ダイオードチップを支持し、前記発光ダイオードチップから放出される光の少なくとも一部を反射する、フルオロポリマーを含む発光ダイオード筺体。
  2. 請求項1に記載の発光ダイオード筺体により支持される発光ダイオードチップを含む、発光ダイオード。
  3. 前記発光ダイオード筺体が、前記発光ダイオード筺体を構成する全材料の重量を基準として、少なくとも約30重量%のフルオロポリマーを含む、請求項1に記載の発光ダイオード筺体。
  4. 前記フルオロポリマーが、溶融処理可能な半結晶パーフルオロポリマーを含む、請求項1に記載の発光ダイオード筺体。
  5. 前記フルオロポリマーが、前記フルオロポリマーに分散したフィラーをさらに含む、請求項1に記載の発光ダイオード筺体。
  6. 前記フィラーが、可視光の散乱体を含む、請求項5に記載の発光ダイオード筺体。
  7. 前記可視光の散乱体が、白色顔料を含む、請求項6に記載の発光ダイオード筺体。
  8. 前記白色顔料が、二酸化チタンを含む、請求項7に記載の発光ダイオード筺体。
  9. 前記白色顔料の量が、前記フルオロポリマーおよび前記白色顔料の総合重量を基準として、約0.1〜約40重量パーセントである、請求項7に記載の発光ダイオード筺体。
  10. 前記発光ダイオード筺体の380nm〜780nmの波長範囲にわたる明所視反射率が、少なくとも約95%である、請求項7に記載の発光ダイオード筺体。
  11. 前記フルオロポリマーの380nm〜780nmの波長範囲にわたる明所視反射率が、少なくとも約80%である、請求項1に記載の発光ダイオード筺体。
  12. 前記フィラーが、前記フルオロポリマーの曲げ弾性率を修正する、請求項5に記載の発光ダイオード筺体。
  13. 前記フィラーが、前記フルオロポリマーの線熱膨張率を修正する、請求項5に記載の発光ダイオード筺体。
  14. 前記フィラーが、前記フルオロポリマーの熱伝導率を修正する、請求項5に記載の発光ダイオード筺体。
  15. 前記フィラーの量が、前記フルオロポリマーおよび前記フィラーの総合重量を基準として、約1〜約70重量パーセントである、請求項5に記載の発光ダイオード筺体。
  16. 前記フィラーが、ガラス繊維を含む、請求項5に記載の発光ダイオード筺体。
  17. 前記フィラーが、中空ガラスマイクロスフェアを含む、請求項5に記載の発光ダイオード筺体。
  18. 前記フルオロポリマーが、発光化合物をさらに含む、請求項1に記載の発光ダイオード筺体。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020230716A1 (ja) * 2019-05-16 2020-11-19 住友化学株式会社 電子部品の製造方法および電子部品
JP2021518447A (ja) * 2018-03-15 2021-08-02 ソルベイ スペシャルティ ポリマーズ イタリー エス.ピー.エー. 発光装置の構成部品のためのフルオロポリマー組成物

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009058421A1 (de) * 2009-12-16 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil, Gehäuse und optoelektronisches Halbleiterbauteil
TWI509838B (zh) * 2010-04-14 2015-11-21 Pang Ming Huang 具氟化聚合物之表面塗層的發光二極體外殼及其發光二極體結構
CN108493314A (zh) * 2010-04-15 2018-09-04 黄邦明 用以承载发光二极管晶片的外壳及其发光二极管结构
US8340941B2 (en) * 2010-06-04 2012-12-25 Tyco Electronics Corporation Temperature measurement system for a light emitting diode (LED) assembly
ITMI20101250A1 (it) * 2010-07-07 2012-01-08 Getters Spa Miglioramenti per fosfori
US8723201B2 (en) 2010-08-20 2014-05-13 Invenlux Corporation Light-emitting devices with substrate coated with optically denser material
DE102010051959A1 (de) 2010-11-19 2012-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US9807897B2 (en) * 2011-03-07 2017-10-31 Schott Ag Glass system for hermetically joining Cu components, and housing for electronic components
US9062198B2 (en) * 2011-04-14 2015-06-23 Ticona Llc Reflectors for light-emitting diode assemblies containing a white pigment
US9453119B2 (en) 2011-04-14 2016-09-27 Ticona Llc Polymer composition for producing articles with light reflective properties
US9284448B2 (en) 2011-04-14 2016-03-15 Ticona Llc Molded reflectors for light-emitting diode assemblies
US8480254B2 (en) * 2011-04-14 2013-07-09 Ticona, Llc Molded reflective structures for light-emitting diodes
JP2012244058A (ja) * 2011-05-23 2012-12-10 Du Pont Mitsui Fluorochem Co Ltd 発光ダイオード用リフレクター及びハウジング
TWI474967B (zh) * 2011-07-14 2015-03-01 Getters Spa 有關磷光體之改良
WO2013025832A1 (en) 2011-08-16 2013-02-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Reflector for light-emitting diode and housing
WO2013101277A1 (en) 2011-12-30 2013-07-04 Ticona Llc Reflector for light-emitting devices
EP2620471B1 (en) 2012-01-27 2021-03-10 3M Innovative Properties Company Polytetrafluoroethene compound with microspheres and fibers
JP2016504459A (ja) 2012-12-18 2016-02-12 ティコナ・エルエルシー 発光ダイオードアセンブリ用の成形反射体
US20150009674A1 (en) * 2013-07-03 2015-01-08 GE Lighting Solutions, LLC Structures subjected to thermal energy and thermal management methods therefor
CN104556977A (zh) * 2014-12-16 2015-04-29 广东华辉煌光电科技有限公司 一种led陶瓷封装材料
US10423249B2 (en) * 2014-12-29 2019-09-24 Lenovo (Beijing) Co., Ltd. Information processing method and electronic device
TWM509438U (zh) * 2015-04-24 2015-09-21 Unity Opto Technology Co Ltd 發光二極體支架
JP6033361B2 (ja) * 2015-05-07 2016-11-30 三井・デュポンフロロケミカル株式会社 成形品
KR102665124B1 (ko) 2016-03-04 2024-05-14 솔베이 스페셜티 폴리머스 이태리 에스.피.에이. 발광 장치의 구성요소용 플루오로중합체 조성물
CN106768463B (zh) * 2016-12-21 2019-08-09 广东工业大学 一种基于相变材料的发光二极管温度报警器
KR102563713B1 (ko) 2017-04-26 2023-08-07 오티아이 루미오닉스 인크. 표면의 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을 포함하는 장치
CN108231973B (zh) * 2017-12-08 2019-08-27 开发晶照明(厦门)有限公司 封装支架
US11985841B2 (en) 2020-12-07 2024-05-14 Oti Lumionics Inc. Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating
GB2622828A (en) * 2022-09-29 2024-04-03 Fotolec Tech Limited A Diffusion Coating for a Lighting Unit

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005507178A (ja) * 2001-10-31 2005-03-10 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクスデバイス
WO2006101174A1 (ja) * 2005-03-24 2006-09-28 Kyocera Corporation 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP2006330488A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Asahi Glass Co Ltd 液晶表示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2378324A1 (fr) * 1977-01-20 1978-08-18 Radiotechnique Compelec Perfectionnement a la realisation de dispositifs d'affichage
US20050136200A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-23 Durell Christopher N. Diffuse high reflectance film
US7497581B2 (en) * 2004-03-30 2009-03-03 Goldeneye, Inc. Light recycling illumination systems with wavelength conversion
US7045827B2 (en) * 2004-06-24 2006-05-16 Gallup Kendra J Lids for wafer-scale optoelectronic packages
US20060134440A1 (en) * 2004-10-27 2006-06-22 Crivello James V Silicone encapsulants for light emitting diodes
US20080006819A1 (en) * 2006-06-19 2008-01-10 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices
US7678701B2 (en) * 2006-07-31 2010-03-16 Eastman Kodak Company Flexible substrate with electronic devices formed thereon
TW200821632A (en) * 2006-08-23 2008-05-16 Mitsui Chemicals Inc Light reflector and light source having same
TWI302372B (en) * 2006-08-30 2008-10-21 Polytronics Technology Corp Heat dissipation substrate for electronic device
KR100935869B1 (ko) * 2008-04-17 2010-01-07 삼성전기주식회사 열가소성 수지 기판을 이용한 백라이트 유닛

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005507178A (ja) * 2001-10-31 2005-03-10 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクスデバイス
WO2006101174A1 (ja) * 2005-03-24 2006-09-28 Kyocera Corporation 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP2006330488A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Asahi Glass Co Ltd 液晶表示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021518447A (ja) * 2018-03-15 2021-08-02 ソルベイ スペシャルティ ポリマーズ イタリー エス.ピー.エー. 発光装置の構成部品のためのフルオロポリマー組成物
JP7301866B2 (ja) 2018-03-15 2023-07-03 ソルベイ スペシャルティ ポリマーズ イタリー エス.ピー.エー. 発光装置の構成部品のためのフルオロポリマー組成物
WO2020230716A1 (ja) * 2019-05-16 2020-11-19 住友化学株式会社 電子部品の製造方法および電子部品

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