JP2011523721A - シングル・モード光ファイバにおける曲げに対する敏感性および破局的な曲げ損失の低減ならびにその作製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2007年6月15日に出願した祖父出願第11/818,780号(Fini5)の一部継続出願である、2008年2月28日に出願した同時係属中の親出願第12/072,869号(Fini9−5)の一部継続出願である。本出願はまた、2008年5月28日に出願した、「Low Bend Loss Fiber with Improved Fabrication and Tight−Bend Performance」という名称の仮出願第61/056,461号の優先権を主張するものである。これらの出願を参照により本明細書に組み込む。
1)シリカを含み、屈折率npedを有する第1開始チューブを用意するステップと、
2)この第1チューブの内側に、屈折率のより深い内側トレンチ領域を形成する、ダウン・ドープされた複数の第1ガラス層を堆積させるステップと、
3)この第1層の上に、コア領域を形成する、アップ・ドープされた複数の第2ガラス層を堆積させるステップと、
4)第1チューブをコラプスして第1ロッドを形成するステップと、
5)ダウン・ドープされたガラスを含み、屈折率ntroを有する第2チューブを用意するステップと、
6)シリカを含み、屈折率noutを有する第3チューブを用意するステップと、
7)第1ロッドを第2チューブの内側に置くステップと、
8)その中に第1ロッドを有する第2チューブを第3チューブの内側に置くステップと、
9)第3チューブおよび第2チューブを第1ロッド上にコラプスしてファイバプリフォームを形成するステップと
を備える方法である。
曲げ:マクロ曲げは、一般に単に曲げと呼ばれ、ファイバの湾曲がその長さに沿って比較的一定であるようにファイバが曲げられたまたは巻きつけられたときに生じる。対照的に、ミクロ曲げは、湾曲が特定のファイバの断熱長さの大きさ(adiabatic length scale)内で著しく(たとえば、ファイバ長に沿ってミリメートル以下の程度で)変化するときに生じる。このようなミクロ曲げは、たとえば、ファイバを研磨紙に押し込むことによって標準的なミクロ曲げ試験で形成される。
ここで図1Aおよび図1Bを参照すると、前記親出願第12/072,869号(Fini9−5)による光ファイバ10は比較的低い曲げ損失を有し、したがって、さまざまなアクセス・ファイバまたはセンサ・ファイバの適用例に適している。ファイバ10はクラッド領域14によって囲まれた直径Dのコア領域12を含み、このコア領域およびクラッド領域は、事実上コア領域12の中央に位置する長手方向軸16に沿って信号光(放射)の伝搬を軸方向にサポートおよび導波するように構成されている。
0.5<[(ntri−nout)ttri]/[(ntro−nout)ttro]<2.0
(1a)
式中、ttrおよびttroは、それぞれ内側と外側のトレンチ領域の厚さである。
|ntri−ncore|>0.007、および/または (1)
|ntro−ncore|>0.007 (2)
例示的に、少なくとも式(1)の内側トレンチとコアの屈折率差は約0.008〜0.020であり、好ましくは内側と外側の両方のトレンチとコアの屈折率差は、図1C、図1D、および図3に示すトレンチの浅いタイプIIのRAFの実施形態を除くすべての実施形態に対してこの条件を満たす。
|ncore−nped|<0.003 (2a)
アクセス・ファイバの適用例では、アクセス・ファイバを標準的なシングル・モード伝送ファイバに接合するまたはその他の方法で結合することが必要であることが多いが、アクセス・ファイバのAeffが標準的なSMF(たとえば、前記Corning社から市販されている標準的なSMF28ファイバ)のAeffに整合していることが重要である。現在の手法では、この要件は、アクセス・ファイバは事実上シングル・モードでもあるべきであり、約1550nmの信号波長において約70〜90μm2のAeffおよび約1300nmの信号波長において約55〜70μm2のAeffを有するべきであることを意味する。典型的には、円形の断面を有するアクセス・ファイバのコア領域では、アクセス・ファイバはおよそ約8〜11μmの内側コアの直径Dを有するべきである。
8μm≦D≦11μm (3)
の範囲にあるべきであり、外側クラッド領域14.4の屈折率は、
0.003≦(ncore−nout)≦0.006 (4)
をほぼ満たすべきである。この屈折率差が高すぎる場合、HOMがコア領域に導入される傾向があることに注意されたいが、これらのHOMは次のセクションで説明する設計を使用して抑制される。
1.0μm≦tshlf≦4.0μm (5)
である。
0.003≦(ncore−nshlf)≦0.007、および (6)
|nshlf−nout|≦0.002 (6a)
をほぼ満たし、Dは約8〜10μmの範囲にある。この好ましい設計では、シェルフ領域の外縁は、9μmより小さく5μmより大きい半径rshelf=D/2+tshlfに位置するべきである。
タイプIのRAFにおいてHOMを抑制するために、ファイバ10のクラッド領域14は、クラッド領域の残りの部分より高い屈折率npedを有する台座領域14.1を含む。すなわち、台座領域14.1は、少なくとも屈折率(ntri)のより低い内側トレンチ領域14.2によって、さらにいくつかの実施形態では、屈折率の(ntro)より低い外側トレンチ領域14.3によっても径方向に結び付けられている。さらに、台座領域14.1は、外側クラッド領域14.4の屈折率(nout)より高い屈折率を有する。以下のタイプIのRAFの説明において、デュアル・トレンチ設計を説明する目的で、類似の原則がシングル(内側)・トレンチ設計に適用されると理解されていると想定するものとする。
このセクションでは、上述のRAFの代替実施形態(タイプIIのRAF)について説明する。親出願に記載されているタイプIIのRAFでは、外側トレンチ領域は、タイプIのRAFの対応する領域と比較して浅く広い。このようなタイプIIのRAFの一実施形態が図1Cの屈折率分布に示されている。ファイバ10cの外側トレンチ領域14.3cはより浅い。浅いとは、外側トレンチ領域の屈折率ntroが外側クラッド領域の屈折率に比較的近いことを意味し、比較的近いとは、ntroがnoutの上下約0.002未満であることを意味する。さらに、図1Cではまた、浅い外側トレンチ領域14.3cが内側トレンチ領域14.2cより広いように示されているが、図1Bの設計と同様に、外側トレンチ領域14.3cの幅(厚さ)ttroは重要ではない。
[(ntri−nout)ttri]/[(ntro−nout)ttro]>2.0 (2b)
であり、たとえば例示的に、式(2b)の左辺は約5〜9の範囲にある。この設計スペースでは、台座モードが台座領域に十分に限定されているわけではない。すなわち、台座モードは外側トレンチ領域中に延び、外側クラッドへのトンネリングによる大きな損失を有する。台座モードの不良な閉じ込めにより、これらのファイバのHOM抑制性能が劣化する傾向があるが、この欠点は、これらの設計の曲げ損失を改善する性能によってバランスがとれる。曲げられたとき、ファイバの台座モードは極端に損失が大きくなり、それによりファイバが、図2Bに関連して上述した破局的な曲げ損失による影響に対して敏感でなくなる。
本タイプIIのRAFの高い性能を示すために、タイプIIのRAFを、親出願に記載されているタイプのタイプIのRAFの2つの設計と比較する。3つのRAFの屈折率分布が図3に示されている。同図において、実線の曲線I.3は本発明による(深い内側トレンチと浅い外側トレンチを有する)タイプIIのRAFの分布であり、破線の曲線II.3は(中程度の屈折率差を持つ内側と外側のトレンチを有する)タイプIのRAFの分布であり、鎖線の曲線III.3は(高い屈折率差を持つ深い内側トレンチと中程度の屈折率差を持つ外側トレンチを有する)別のタイプIのRAFの分布である。
上記の親出願に記載されているように、外側トレンチは、蒸着ガラスではなく、ダウン・ドープされた基材チューブ[たとえば、Fドープシリカ(ガラス)基材(または開始)チューブ]などの、比較的低いレベルのダウン・ドーピングを有するガラスを使用して作製することができるので、トレンチ領域14.3c(図1C)がより浅くなると、ファイバ10cの製造性が向上すると予想される。基材チューブを使用すると、ファイバ10cを製作するのに必要な蒸着ガラスの量が減少し、それによって、製造コストが削減される。
1)シリカを含み、屈折率npedを有する第1開始チューブ(基材チューブとしても知られる)を用意する加工ステップと、
2)この第1チューブの内側に、屈折率のより深い内側トレンチ領域を形成する、ダウン・ドープされた複数の第1ガラス層を堆積させる加工ステップと、
3)この第1層の上に、屈折率の高いコア領域を形成する、アップ・ドープされた複数の第2ガラス層を堆積させる加工ステップと、
4)第1チューブをコラプスして第1ロッドを形成する加工ステップと、
5)ダウン・ドープされたガラスを含み、屈折率ntroを有する第2チューブを用意する加工ステップと、
6)シリカを含み、屈折率noutを有する第3チューブを用意する加工ステップと、
7)第1ロッドを第2チューブの内側に置く加工ステップと、
8)その中に第1ロッドを有する第2チューブを第3チューブの内側に置く加工ステップと、
9)第3チューブおよび第2チューブを第1ロッド上にコラプスしてファイバプリフォームを形成する加工ステップと
を含む。ステップ(9)の後で、光ファイバ技術における当業者によく知られている技術を使用して、プリフォームからファイバを線引きすることができる。さらに、前述のステップのそれぞれは、実際には複数のサブステップを含むことができる。したがって、たとえば、堆積ステップ(3)は、アップ・ドープされた複数の第1層を第2層上に堆積させて外側コア(またはシェルフ)領域12.2d(図1D)を形成するサブステップ(3a)と、次に、第2の複数のアップ・ドープされた層をシェルフ領域12.2d上に堆積させて内側コア領域12.1dを形成するサブステップ(3b)とを含むことができる。同様に、堆積ステップ(4)は、ダウン・ドープされた複数の第1層を第1層上に堆積させて深い内側トレンチ領域14.2dのより浅い外側(または階段)部分14.22d(図3)を形成するサブステップ(4a)と、次に、この階段部分14.22d上に、ダウン・ドープされた複数の第2層を堆積させて深い内側トレンチ領域の内側部分14.21dを形成するサブステップ(4b)とを含むことができる。
(a)0<ntri≦−4×10−3の場合、内側トレンチ領域は、SF6の存在下でシリカのシングル・パス堆積法によってそれぞれ形成された複数のシリカ層を備える。
(b)−4×10−3≦ntri≦−7×10−3の場合、内側トレンチ領域は、SiF4の存在下でシリカのシングル・パス堆積法によってそれぞれ形成された複数のシリカ層を備える。または、
(c)−7×10−3≦ntri≦−11×10−3の場合、内側トレンチ領域は、上述のように最初にスートを堆積させ次にこのスートをSiF4の存在下で焼結させるシリカのダブル・パス堆積法によってそれぞれ形成された複数のシリカ層を備える。または、
(d)これらの技術の組み合わせ。特に、SiF4およびSF6両方の存在下でのシングル・パス堆積。
(e)(a)、(b)、(c)、または(d)の深い内側トレンチは、高分圧のSiF4を含有する雰囲気中で外部に堆積させたスートを焼結させる、または小さな中空空隙を使用してガラス領域の平均屈折率を減少させるなどの代替方法から作り出すことができる。
上述の3つのチューブを用いる製作方法は、堆積される低速蒸着ガラスの体積を減少させ、したがってファイバを製造するコストを減少させるので好ましいが、ややコストが高くても許容されうる適用例がある場合がある。このような場合、代替手法は、(i)第1ロッドを形成するコラプス・ステップ(4)の前に、台座領域、内側トレンチ領域、およびコア領域を堆積させること、および(ii)2つの開始チューブのみを使用し、1つは上記ステップ(5)の外側トレンチ領域を形成するために、もう1つは上記ステップ(6)の外側クラッド領域を形成するために使用すること、である。
1)シリカを含み、屈折率ntroを有する第1開始チューブ(基材チューブとしても知られる)を用意するステップと、
2)この第1チューブの内側に、台座領域を形成する複数の第1ガラス層を堆積させるステップと、
3)この第1層の上に、屈折率のより深い内側トレンチ領域を形成する、ダウン・ドープされた複数の第2ガラス層を堆積させるステップと、
4)この第2層の上に、屈折率の高いコア領域を形成する、アップ・ドープされた複数の第3ガラス層を堆積させるステップと、
5)第1チューブをコラプスして第1ロッドを形成するステップと、
6)シリカを含み、屈折率noutを有する第2チューブを用意するステップと、
7)第1ロッドを第2チューブの内側に置くステップと、
8)第2チューブをコラプスしてファイバプリフォームを形成するステップと
を含む。上記のように、ステップ(8)の後で、光ファイバ技術における当業者によく知られている技術を使用して、プリフォームからファイバを線引きすることができ、好ましい実施形態と同様に、上記の加工ステップのそれぞれは、複数のサブステップを含むことができる。
この例では、図3の屈折率分布I.3によって示されるタイプのタイプIIのRAFについて説明する。種々の材料、寸法、および動作条件は、単なる例示として記載されているに過ぎず、特に明示されない限り本発明の範囲を限定するものではない。
ケーブル・カットオフ:1200〜1250nm
曲げ損失:5mmの曲げ半径および1550nmの波長において0.04〜0.08dB/turn
曲げ損失:10mmの曲げ半径および1550nmの波長において0.005〜0.02dB/turn
ただし、ファイバの曲げ損失性能に悪影響を与えうる回避不能な製造上のばらつきを考慮して、10mmの曲げ半径において0.02dB/turnというより保守的な基準を利用することが望ましい。さらに、上述のように、2〜4mmの範囲にあるはるかに小さな半径では、本発明のファイバは比較的低い曲げ損失を示す。たとえば、3mmの曲げ半径では、曲げ損失は約0.2dB/turn以下であり、いくつかのファイバは0.1dB/turn未満の曲げ損失を有する。
Claims (29)
- 光ファイバであって、
長手方向軸を有するコア領域を備え、
前記コア領域は、内側コア領域と、前記内側コア領域を囲む環状外側コア領域とを含み、前記外側コア領域の屈折率が前記内側コア領域の屈折率より低く、前記外側コア領域の厚さが前記内側コア領域の直径より薄く、前記外側コア領域が前記軸から径方向に5μm超9μm未満の距離で延び、さらに、
前記コア領域を囲むクラッド領域を備え、前記コア領域および前記クラッド領域が前記コア領域における基本横モードの信号光の伝搬を前記軸の方向にサポートし導波するように構成され、
前記クラッド領域は、
前記コア領域の屈折率より低い屈折率を有する外側クラッド領域と、
前記外側クラッド領域の屈折率にほぼ等しい屈折率を有する台座領域と、
前記コア領域と前記台座領域の間に配され、環状の内側部分と、前記内側部分を囲む環状の外側部分を含み、前記外側部分の屈折率は前記内側部分の屈折率より大きい、環状の内側トレンチ領域と、
前記台座領域と前記外側クラッド領域の間に配され、前記台座領域が前記内側トレンチ領域および外側トレンチ領域の屈折率より大きい屈折率を有する環状の外側トレンチ領域とを含み、
前記台座領域が前記コア領域の前記基本モード以外の少なくとも1つの横モードを前記台座領域の少なくとも1つの横モードに共振的に結合するように構成され、
約1550nmの信号波長において、関連する曲げ損失が5mmの曲げ半径では約0.1dB/turn以下、10mmの曲げ半径では約0.02dB/turn以下であるように構成された、光ファイバ。 - 前記ファイバがシリカを含み、前記外側トレンチ領域の屈折率が、前記外側クラッド領域の屈折率である約0.002以下である、請求項1に記載のファイバ。
- 前記ファイバがシリカを含み、前記内側トレンチ領域、前記台座領域、および前記外側トレンチ領域の屈折率が、それぞれ前記外側クラッド領域の屈折率である0.002以下である、請求項1に記載のファイバ。
- 前記台座領域、前記外側トレンチ領域、および前記外側クラッド領域の少なくとも2つが、コラプスされたガラス・チューブを備える、請求項1に記載のファイバ。
- 前記台座領域、前記外側トレンチ領域、および前記外側クラッド領域の3つすべてが、コラプスされたガラス・チューブを備える、請求項4に記載のファイバ。
- 前記内側トレンチ領域、前記台座領域、および前記外側トレンチ領域の全体の厚さが少なくとも約20μmである、請求項1に記載のファイバ。
- 前記内側トレンチ領域、前記台座領域、および前記外側トレンチ領域のそれぞれの厚さが約6〜8μmである、請求項6に記載のファイバ。
- 前記コア領域が内側コア領域と、前記内側コア領域を囲む環状外側コア領域とを含み、前記外側コア領域の屈折率が前記内側コア領域の屈折率より低く、前記外側コア領域の厚さが前記内側コア領域の直径より薄い、請求項1に記載のファイバ。
- 約1550nmの信号波長において、関連する曲げ損失が5mmの曲げ半径では約0.1dB/turn以下、10mmの曲げ半径では約0.01dB/turn以下であるように構成された、請求項1に記載のファイバ。
- 約1550nmの信号波長において、関連する曲げ損失が3mmの曲げ半径では約0.2dB/turn以下であるように構成された、請求項1に記載の光ファイバ。
- アクセスされた設備に、またはアクセスされた設備から信号光を搬送するシングル・モード光入出力ファイバと、
前記設備に関連づけられた利用デバイスと、
前記入出力ファイバのモード・フィールド面積に実質的に等しいモード・フィールド面積を有するように構成された、前記入出力ファイバを前記利用デバイスに結合する請求項1に記載のアクセス・ファイバとを備える、アクセス・システム。 - 前記アクセス・ファイバが、臨界半径より大きな曲げ半径を有する少なくとも1つの湾曲したファイバ区間を含む、請求項11に記載のシステム。
- 前記曲げ半径が約2〜15mmの範囲にある、請求項12に記載のシステム。
- 光ファイバであって、
長手方向軸を有するコア領域を備え、
前記コア領域は、内側コア領域と、前記内側コア領域を囲む環状外側コア領域とを含み、前記外側コア領域の屈折率が前記内側コア領域の屈折率より低く、前記外側コア領域の厚さが前記内側コア領域の直径より薄く、前記外側コア領域が前記軸から径方向に9μm未満の距離で延び、さらに、
前記コア領域を囲むクラッド領域を備え、前記コア領域および前記クラッド領域が前記コア領域における基本横モードの信号光の伝搬を前記軸の方向にサポートし導波するように構成され、
前記クラッド領域は、
前記コア領域の屈折率より低い屈折率を有する外側クラッド領域と、
前記外側クラッド領域の屈折率にほぼ等しい屈折率を有する台座領域と、
前記コア領域と前記台座領域の間に配された環状の内側トレンチ領域と、
前記台座領域と前記外側クラッド領域の間に配される環状の外側トレンチ領域とを含み、前記台座領域が前記内側トレンチ領域および外側トレンチ領域の屈折率より大きい屈折率を有し、
前記台座領域が前記コア領域の前記基本モード以外の少なくとも1つの横モードを前記台座領域の少なくとも1つの横モードに共振的に結合するように構成される、光ファイバ。 - アクセスされた設備に、またはアクセスされた設備から信号光を搬送するシングル・モード光入出力ファイバと、
前記設備に関連づけられた利用デバイスと、
前記入出力ファイバのモード・フィールド面積に実質的に等しいモード・フィールド面積を有するように構成された前記入出力ファイバを前記利用デバイスに結合する請求項14に記載のアクセス・ファイバとを備える、アクセス・システム。 - 前記アクセス・ファイバが、臨界半径より大きな曲げ半径を有する少なくとも1つの湾曲したファイバ区間を含む、請求項15に記載のシステム。
- 前記曲げ半径が約2〜15mmの範囲にある、請求項16に記載のシステム。
- 光ファイバであって、
長手方向軸を有するコア領域と、
前記コア領域を囲むクラッド領域とを備え、前記コア領域および前記クラッド領域が前記コア領域における基本横モードの信号光の伝搬を前記軸の方向にサポートし導波するように構成され、
前記クラッド領域は、
前記コア領域の屈折率より低い屈折率を有する外側クラッド領域と、
前記外側クラッド領域の屈折率にほぼ等しい屈折率を有する台座領域と、
前記コア領域と前記台座領域の間に配され、環状の内側部分と、前記内側部分を囲む環状の外側部分を含み、前記外側部分の屈折率は前記内側部分の屈折率より大きい、環状の内側トレンチ領域と、
前記台座領域と前記外側クラッド領域の間に配される環状の外側トレンチ領域とを含み、前記台座領域が前記内側トレンチ領域および外側トレンチ領域の屈折率より大きい屈折率を有し、
前記台座領域が前記コア領域の前記基本モード以外の少なくとも1つの横モードを前記台座領域の少なくとも1つの横モードに共振的に結合するように構成される、光ファイバ。 - アクセスされた設備に、またはアクセスされた設備から信号光を搬送するシングル・モード光入出力ファイバと、
前記設備に関連づけられた利用デバイスと、
前記入出力ファイバのモード・フィールド面積に実質的に等しいモード・フィールド面積を有するように構成された、前記入出力ファイバを前記利用デバイスに結合する請求項18に記載のアクセス・ファイバとを備えるアクセス・システム。 - 前記アクセス・ファイバが、臨界半径より大きな曲げ半径を有する少なくとも1つの湾曲したファイバ区間を含む、請求項19に記載のシステム。
- 前記曲げ半径が約2〜15mmの範囲にある、請求項20に記載のシステム。
- 光ファイバの製作方法であって、前記ファイバが、長手方向軸を有するコア領域と、前記コア領域を囲むクラッド領域とを備え、前記コア領域および前記クラッド領域が、前記コア領域内の基本横モードでの信号光の伝搬を前記軸の方向にサポートし導波するように構成され、前記クラッド領域が、前記コア領域の屈折率より低い屈折率(nout)を有する外側クラッド領域と、前記外側クラッド領域の屈折率にほぼ等しい屈折率(nped)を有する台座領域と、前記コア領域と前記台座領域の間に配された環状の内側トレンチ領域と、前記台座領域と前記外側クラッド領域の間に配された環状の外側トレンチ領域とを含み、前記台座領域が、前記内側トレンチ領域の屈折率(ntri)および前記外側トレンチ領域の屈折率(ntro)より大きい屈折率を有し、前記台座領域が、前記コア領域の前記基本モード以外の少なくとも1つの横モードを前記台座領域の少なくとも1つの横モードに共振的に結合するように構成され、前記方法が、
1)シリカを含み、屈折率ntroを有する第1開始チューブを用意するステップと、
2)前記第1チューブの内側に、前記台座領域を形成する複数の第1ガラス層を堆積させるステップと、
3)前記第1層の上に、前記屈折率のより深い内側トレンチ領域を形成する、ダウン・ドープされた複数の第2ガラス層を堆積させるステップと、
4)前記第2層の上に、前記コア領域を形成する、アップ・ドープされた複数の第3ガラス層を堆積させるステップと、
5)前記第1チューブをコラプスして第1ロッドを形成するステップと、
6)シリカを含み、屈折率noutを有する第2チューブを用意するステップと、
7)前記第1ロッドを前記第2チューブの内側に置くステップと、
8)前記第2チューブをコラプスしてファイバプリフォームを形成するステップとを含む、方法。 - 前記プリフォームから前記ファイバを線引きするステップをさらに含む、請求項22に記載の方法。
- 光ファイバの製作方法であって、前記ファイバが、長手方向軸を有するコア領域と、前記コア領域を囲むクラッド領域とを備え、前記コア領域および前記クラッド領域が、前記コア領域内の基本横モードでの信号光の伝搬を前記軸の方向にサポートし導波するように構成され、前記クラッド領域が、前記コア領域の屈折率より低い屈折率(nout)を有する外側クラッド領域と、前記外側クラッド領域の屈折率にほぼ等しい屈折率(nped)を有する台座領域と、前記コア領域と前記台座領域の間に配された環状の内側トレンチ領域と、前記台座領域と前記外側クラッド領域の間に配された環状の外側トレンチ領域とを含み、前記台座領域が、前記内側トレンチ領域の屈折率(ntri)および前記外側トレンチ領域の屈折率(ntro)より大きい屈折率を有し、前記台座領域が、前記コア領域の少なくとも1つの他の横モードを前記台座領域の少なくとも1つの横モードに共振的に結合するように構成され、前記方法が、
1)シリカを含み、屈折率npedを有する第1開始チューブを用意するステップと、
2)前記第1チューブの内側に、屈折率のより深い内側トレンチ領域を形成する、ダウン・ドープされた複数の第1ガラス層を堆積させるステップと、
3)前記第1層の上に、前記コア領域を形成する、アップ・ドープされた複数の第2ガラス層を堆積させるステップと、
4)前記第1チューブをコラプスして第1ロッドを形成するステップと、
5)ダウン・ドープされたシリカを含み、屈折率ntroを有する第2チューブを用意するステップと、
6)前記第1ロッドを前記第2チューブの内側に置くステップと、
7)シリカを含み、屈折率noutを有する第3チューブを用意するステップと、
8)前記第1ロッドを前記第2チューブの内側に置くステップと、
9)前記第2ロッドを前記第3チューブの内側に置くステップと、
10)前記第3チューブおよび前記第2チューブを前記第1ロッド上にコラプスしてファイバプリフォームを形成するステップとを含む、方法。 - 前記プリフォームから前記ファイバを線引きするステップをさらに含む、請求項24に記載の方法。
- 前記内側トレンチ領域が、前記第1チューブ上に形成されたより浅い外側部分と、前記外側部分上に形成されたより深い内側部分とを含み、前記部分のそれぞれが複数のシリカ層を含み、ステップ(2)が、
(2a)F含有シリカ層のシングル・パス堆積において前記より浅い外側部分の各層を形成するサブステップと、
(2b)前記より深い内側部分の各層を、1回目のパスでシリカ・スートの層を堆積させ、次に2回目のパスでSiF4の存在下で前記スートを焼結させるダブル・パス堆積において形成するサブステップとを含む、請求項24に記載の方法。 - 基材チューブ上に形成されたより浅い外側トレンチ部分と、前記外側部分上に形成されたより深い内側トレンチ部分とを含む屈折率の深いトレンチを含む光ファイバプリフォームの製作方法であって、前記部分のそれぞれが複数のシリカ層を含み、
(1)F含有シリカ層のシングル・パス堆積において前記より浅い外側部分の各層を形成するステップと、
(2)前記より深い内側部分の各層を、1回目のパスでシリカ・スートの層を堆積させ、次に2回目のパスでSiF4の存在下で前記スートを焼結させるダブル・パス堆積において形成するステップとを含む方法。 - ステップ(1)で約−7×10−3以上の屈折率を有する外側部分が形成され、ステップ(2)で約−7×10−3以下の屈折率を有する内側部分が形成され、前記各屈折率が前記ファイバの外側クラッドの屈折率を基準にして測定される、請求項27に記載の方法。
- 前記プリフォームから前記ファイバを線引きするステップをさらに含む、請求項27に記載の方法。
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