JP2011520247A - 高温測定のための加熱源反射フィルタを含む装置 - Google Patents
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Abstract
Description
と定義される。上式でλcenterは、λhighとλlowの算術平均での波長である。本明細書では、λlowは、それを超えると、測定された反射が測定された入射放射の50%になる波長として決定され、λhighは、それより低くなると、測定された反射が測定された入射放射の50%になる波長として決定される。
Claims (15)
- 基板を処理するシステムであって、
第1の波長範囲内の放射を提供する熱源と、
前記第1の波長範囲内の第2の波長範囲内の放射を検出することによって、チャンバのプロセス区域内に配置された前記基板の温度を測定する高温計と、
前記熱源と前記基板を分離する窓とを備え、前記窓が、前記第1の波長範囲内の放射に対して実質上透明である材料から作られており、また前記熱源と前記基板の間の表面全体を覆う反射層を有し、前記反射層が、前記第2の波長範囲内の放射に対して実質上反射性であり、前記窓が、前記第2の波長範囲内の放射が前記高温計に透過されるのを防止するのに効果的である、システム。 - 窓が、前記第2の波長範囲内の放射が前記高温計に到達するのを防止するように、前記チャンバ内に位置決めされる、請求項1に記載のシステム。
- 前記窓が、実質上前記第2の波長範囲内だけの放射を吸収する吸収材料を含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記反射被覆が、前記第2の波長範囲内の放射が前記プロセス区域に入るのを防止するのに効果的である、請求項2に記載のシステム。
- 前記第1の波長範囲が約400〜4000nmの間であり、前記第2の波長範囲が約700〜1000nmの間であり、また前記反射層を有する前記窓が、前記第2の波長範囲内の前記熱源からの放射が、約400℃より低い温度で基板を透過するのを防止するのに効果的であり、前記反射層で、前記第2の波長範囲内の光の反射率と透過率の透過率比が少なくとも1000である、請求項1に記載のシステム。
- 前記窓が、前記窓の第1の表面上および第2の表面上に前記第2の波長範囲内の反射層を有し、反射率の比が、約45度以下の入射角で前記熱源から発せられる光に当てはまる、請求項1に記載のシステム。
- 前記反射層が、第1および第2の反射層間に放射吸収材料層をさらに備え、前記放射吸収材料が、前記第2の範囲の波長内の放射を吸収するように適合される、請求項1に記載のシステム。
- 前記熱源がランプを備え、また前記窓が、放射源を取り囲む外被を備える、請求項1に記載のシステム。
- 前記吸収材料が流動体を含む、請求項3に記載のシステム。
- 第2の熱源と、前記第2の熱源と前記基板を分離する第2の窓とを備え、前記第2の窓が、前記第2の熱源によって生成された第1の波長範囲内の放射に対して実質上透明である材料から作られており、また前記第2の熱源と前記基板の間の前記第2の窓の表面全体を覆う反射層を有し、前記反射層が、前記第2の熱源によって生成された前記第1の波長範囲内の第2の波長範囲内の放射に対して実質上反射性である、請求項1に記載のシステム。
- 基板を処理するシステムであって、
第1の波長範囲内の放射を提供する熱源と、
前記基板を収容するプロセス区域と、
前記熱源と前記基板を分離する窓である前記プロセス区域の第1の壁であって、前記窓が、前記基板の第1の表面に面して前記基板の第1の表面と実質上平行である、第1の壁と、
前記第1の波長範囲内の第2の波長範囲内の放射を検出することによって、チャンバのプロセス区域内に配置された前記基板の温度を測定するように、前記第1の表面の反対側の前記基板の第2の表面に誘導された高温計であって、前記窓が、前記第1の波長範囲内の放射に対して実質上透明である材料から作られ、前記第1の壁の第1の表面が、第2の波長範囲内の放射に対して実質上反射性である反射層によって完全に覆われ、前記第2の波長範囲が前記第1の波長範囲内である、高温計と、
前記第1の壁とほぼまたは実質上平行であり、また前記プロセス区域と外部環境を分離する前記プロセス区域の第2の壁であって、前記反射層によって覆われていない第2の壁とを備える、システム。 - 前記窓が、前記第2の波長範囲内の前記熱源からの放射が、シリコンを含む基板を透過して、約400℃より低い温度で前記高温計によって測定されるのを防止するのに効果的であり、前記第2の波長範囲が約700〜1000nmの間であり、また前記反射層で、前記第2の波長範囲内の光の反射率と透過率の透過率比が少なくとも1000である、請求項11に記載のシステム。
- プロセスチャンバ内でウェーハの温度を測定する方法であって、
放射源を用いて実質上平坦な基板を加熱するステップであって、前記放射源が第1の波長範囲内の放射を提供し、前記基板が所定の温度範囲で前記第1の波長範囲内の第2の波長範囲内の放射に対して透明である、加熱するステップと、
高温計を使用して前記チャンバ内のプロセス区域内で放射を測定するステップと、
前記第2の波長範囲内の前記放射源からの放射を前記放射源の方へ後方反射させて、前記放射源からの前記第2の波長範囲内の前記熱源からの放射が前記高温計に到達するのを防止するステップと
を含む、方法。 - 前記放射源が、第1の基板表面に誘導され、また前記高温計が、前記第1の基板表面の反対側の第2の基板表面に誘導される、請求項13に記載の方法。
- 前記放射源と前記基板を分離し、前記基板の第1の表面に面して前記基板の第1の表面と実質上平行である平坦な窓を提供するステップをさらに含み、前記窓が、前記第1の波長範囲内の放射に対して実質上透明である材料から作られており、その上に反射層を有し、前記反射層が、前記第2の波長範囲内の放射に対して実質上反射性であり、前記所定の温度範囲が約400℃より低く、前記基板がシリコンを含み、また前記第2の波長範囲が約700〜1000nmの間である、
請求項14に記載の方法。
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