JP2011517300A - 導電性ナノシェルの作製 - Google Patents
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Abstract
Description
複数の誘電コアを作製する工程と、
上記誘電コア上に導電層を析出させ、ナノシェル若しくはナノシェル粒子を作製する工程と、
基板を選択する工程と、
上記基板上に上記ナノシェルを積層させ、上記基板上にナノシェルの層を形成する工程と、
上記ナノシェルに近接する基板側の実質的に反対側において上記ナノシェルから上記導電層の一部を除去して、オープンナノシェルの層を形成する工程と、を有する方法に関する。
本発明は、第1の側面において、ナノ粒子を含むか若しくはナノ粒子からなる層を上部に有する基板であって、上記ナノ粒子が導電性オープンシェルを含む基板に関する。ナノ粒子は、より大きな再現性を提供する単分散であってもよいし、若しくは、より広い共鳴を与える幅広のサイズ分布を有していてもよい。当該基板の材料は、本発明の限定的特徴ではなく、誘電体材料、半導体材料、導電性材料が含まれうる。当該基板にとって適切な誘電体材料の具体例には、とりわけ、ガラス、水晶、マイカ、Si3N4、Al2O3及びポリマーが含まれるが、これらに限定される訳ではない。上記基板にとって適切な半導体材料の具体例には、とりわけ、Si、Ge、GaAs、IV族半導体材料、III−V族半導体材料、II−VI族半導体材料、黄銅鉱が含まれるが、これらに限定される訳ではない。上記基板にとって適切な導電性材料の具体例には、金属(特に、Au、Ag、Cu等)若しくはドープされた半導体、例えばITO(具体的にはガラス上のITO)が含まれるが、これらに限定される訳ではない。機能化材料(すなわち、基板表面及びナノ粒子の両方に取り付けることができる機能化分子層を載置した表面を有する材料)、例えば機能化されたSi若しくは他の材料等も適切である。ある実施の形態において、上記基板は、平面状の基板、湾曲した基板若しくは任意の他の表面形状の基板であってもよい。好ましくは、上記基板は平面を含む。
に理論的に限定する粒子の球状外形のためであり)、オープンナノシェル間に存在するフリースペースの別の部分は、(基板が機能化されている場合)基板の機能化が不完全である可能性があるからである。より高い被覆度は、ナノ粒子の二峰性の(bimodal)若しくは非常に幅広いサイズ分布を用いることにより得ることができる。
最初、様々なコアサイズ及びシェル厚を有するAuナノシェルをシーディング及び無電解メッキによりシリカコロイドから調製した。Auナノシェルをオルデンバーグら[ジャーナルオブケミカルフィジックスレター1998、288、243−247]の改良された方法に従って合成した。単分散シリカナノ粒子を、ストーバープロセスによって、塩基性溶液中においてテトラエチルオルトシリケート(TEOS)の加水分解により合成し、エタノール中で12時間(3-アミノプロピル)トリエトキシシラン(APTES)で機能化した。これらの機能化されたシリカ粒子は、ダフら[ラングミュア1993、9、2301−2309]の方法により調製した薄いAuコロイドのドットにより被覆した。1%のクロロ金酸及び炭酸カリウム(K2CO3)の熟成混合液の、ホルムアルデヒド(CH2O)若しくはヒドロキシルアミン塩酸塩(H2NOH・HCl)の溶液によるその後の還元により、ナノ粒子表面を完全に被覆したAuシェル被覆体となる。結果として得られたAuナノシェルは、繰り返し遠心分離することにより精製し、脱イオン水で洗浄し、最後に脱イオン水中に再分散した。
に制限されるため)であり、オープンナノシェル間に存在するフリースペースの別の部分は、可能性として、上記基板の不完全な機能化のためである。
消光スペクトルのシミュレーション及び近接場分布図は、ルメリカルソリューション社(バンクーバー、カナダ)から購入したプログラムFDTDソリューションズ(ヴァージョン5.1)を使用して、有限差分時間領域(FDTD)シミュレーション若しくはFDTD法に基づいて得られた。当該シミュレーションは、2.8GHzの2つのデュアルコアAMDオプテロン2000プロセッサ及び8GBのRAMを有するHPプロライアントDL145G3サーバーのパラレルFDTDオプションで実行した。FDTD法は、マクセル式の数値解法に基づいており、これを用いて、任意の形状を有する構造体の周りにおいて電磁的近接場分布の適切な図を得ることができた。
に基づく等式であり、パラメータεローレンツ(ω)=1.6748、ω0=4.506608080759082×1015Hz、δ0=6.820216162455338×1014Hzである。εP(ω)は、ドルーデモデル
に基づく等式であり、パラメータωP=1.3538345417988594×1016Hz、νC=1.068689183387936×1014Hzである。このフィッティングにより、400nm〜1700nmの範囲の波長におけるAuの誘電データの正確な記載が得られる。
Auオープンナノシェル懸濁液及び単層構造の光学特性は実験的に(下記参照)及びFDTDシミュレーション(上記参照)を用いて理論的に調べられてきた(図4)。
Claims (23)
- 上部に層を有する基板(1)であって、上記層は、ナノ粒子(2)を含み、該ナノ粒子(2)は、導電性オープンシェル(3)を有し、上記ナノ粒子(2)の実質的に全部が、上記基板(1)から離れるように、当該シェル(3)の開口部(4)を有することを特徴とする基板(1)。
- 上記ナノ粒子(2)が、上記導電性オープンシェル(3)により部分的に囲まれた誘電コア(5)を有することを特徴とする請求項1記載の基板(1)。
- 上記基板(1)が平坦であり、
上記導電性オープンシェル(3)のエッジが、実質的に、上記基板(1)の平面に対して0°〜45°の角度をなす平面(6)上にあることを特徴とする請求項1又は2記載の基板(1)。 - 上記導電性オープンシェル(3)の開口部が、当該シェルの表面積の5〜45%が除去されたことに起因することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板(1)。
- 上記誘電コア(5)がSiO2を含むことを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載の基板(1)。
- 上記導電性オープンシェル(3)が、Au、Ag及びAlからなる群から選択された少なくとも1つの材料を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の基板(1)。
- 上記ナノ粒子(2)が、上記基板(1)上にある機能化層を介して上記基板(1)上に固定化されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の基板(1)。
- 上記ナノ粒子が埋設されていないことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の基板(1)。
- 請求項1記載の基板を作製するための方法であって、
(i)誘電コア及び該コアの周りの完全な導電性シェルを有するナノ粒子を準備する工程と、
(ii)上記ナノ粒子の層を基板表面上に析出させる工程と、
(iii)上記ナノ粒子の、上記基板から離れた領域において、上記導電性シェルの一部を除去し、それにより、導電性オープンシェルを含むナノ粒子を作製する工程と、を備える方法。 - 工程(ii)と工程(iii)との間に、上記ナノ粒子を埋設する固体のマトリクスを形成することができる液体コーティングを用いて、上部にナノ粒子を有する上記基板表面をコートする工程をさらに含み、
上記工程(iii)は、上記固体のマトリクスが形成された後、上記基板から離れる方向に向いた、当該固体のマトリクスの表面において当該固体のマトリクスの一部を取り除き、それにより上記導電性シェルの上記一部を取り除くことを含むことを特徴とする請求項9記載の方法。 - 工程(i)において設けられたナノ粒子が、当該ナノ粒子を埋設する固体のマトリクスを形成することができる液体コーティングに含まれ、
上記工程(iii)は、上記固体のマトリクスが形成された後、上記基板から離れる方向に向いた、当該固体のマトリクスの表面において当該固体のマトリクスの一部を取り除き、それにより上記導電性シェルの上記一部を取り除くことを含むことを特徴とする請求項9記載の方法。 - 上記除去工程が、直接除去技術、好ましくは直接エッチング技術を介して実行されることを特徴とする請求項9記載の方法。
- 上記直接除去技術が、イオンミリングであることを特徴とする請求項12記載の方法。
- 上記析出工程の前に、上記基板を化学的に機能化することを特徴とする請求項9〜13のいずれかに記載の方法。
- 導電性オープンシェルを含む上記ナノ粒子から上記誘電コアを除去する工程をさらに備えることを特徴とする請求項9〜14のいずれかに記載の方法。
- 導電性オープンシェルを有するナノ粒子の製造方法であって、
請求項9〜15のいずれかに記載の工程を含む製造方法。 - 上記基板から上記オープンナノシェルを取り外す工程をさらに含むことを特徴とする、請求項12〜15のいずれかに従属する請求項16に係る方法。
- 請求項17にしたがって上記基板から取り外されたオープンナノシェルの、温熱療法によるメディカルコンディション処置における使用。
- 請求項17にしたがって上記基板から取り外されたオープンナノシェルの、バイオメディカルイメージングにおける使用。
- 請求項17にしたがって上記基板から取り外されたオープンナノシェルの、SPRバイオセンサーとしての使用。
- 請求項1〜8のいずれかに係る、その上部に層を有する基板の、イメージングアプリケーションへの使用。
- 上記イメージングアプリケーションが、光学分光技術であることを特徴とする請求項21記載の使用。
- 上記光学分光技術が、SERSベースの生体分子検出であることを特徴とする請求項22記載の使用。
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