JP2011514633A5 - - Google Patents
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Description
これらアパーチャの均一性の変化は、アパーチャの位置に形成される静電レンズの変化をもたらす。アパーチャの均一性は、均一な静電レンズをもたらす。従って、3つの制御電圧V1、V2、V3は、多くの電子小ビーム21を集束し縮小する均一な静電レンズのアレイをもたらす。静電レンズの特性は、3つの制御電圧によって制御されるので、全ての小ビームの集束及び縮小量は、これらの3つの電圧の制御によって制御されることができる。このようにして、単一の共通制御信号は、非常に多くの電子小ビームを縮小し集束するための静電レンズの全体のアレイを制御するために使用されることができる。共通制御信号は、各プレートに、又は複数のプレート間の電圧差として与えられることができる。異なる投影レンズ構成体に使用されるプレートの数は、変わってもよいし、共通制御信号の数もまた、変わってもよい。アパーチャが十分に均一な配置及び寸法を有する場合、これは、少なくとも1つの共通制御信号を使用して、電子小ビームの集束及び小ビームの縮小を可能にする。図2の実施の形態では、3つの制御電圧V1、V2、V3を含む3つの共通信号が、かくして、全ての小ビーム21を集束し、縮小するために使用される。
投影レンズ構成体10は、プレート12、13、14が互いに接近して位置しており、コンパクトであるので、(電子ビーム光学系で代表的に使用される電圧と比較して)電極に使用される比較的低い電圧にもかかわらず、非常に高い電場を生じることができる。静電レンズに関して、焦点距離は、電極間の静電場の強さで割られたビームのエネルギに比例するものとして評価されることができるので、これらの高い電場は、小さな焦点距離を有する静電投影レンズを生成する。これに関して、予め10kV/mmを実現することができれば、本実施の形態は、好ましくは、第2のプレート13と第3のプレート14との間に25ないし50kV/mmの範囲内の電位差を印加する。これらの電圧V1、V2、V3は、好ましくは、第2のプレートと第3のプレート(13、14)との間の電圧の差が第1のプレートと第2のプレート(12、13)との間の電圧差よりも大きいように設定される。これは、レンズアパーチャ中のプレート13、14の間の曲がった破線によって図2に示されるように、各投影レンズ系の有効レンズ面がプレート13、14の間に位置するように、プレート13、14の間に配置された、より強いレンズをもたらす。これは、ターゲットに近い有効なレンズ面を置き、投影レンズ系がより短い焦点距離を有することを可能にする。図2の小ビームは、簡略化のために、偏向器9から集束しているように示されているが、小ビーム21の集束のより正確な表現が図3bに示されることがさらに言及される。
リソグラフィのための投影系のアプリケーションでは、小ビームは、数十ナノメートルのスポットサイズで、ナノメートルのサイズの精度で、及びナノメートルのオーダの位置精度で、極めて高い精度で集束され位置されるべきである。本発明者らは、例えば、小ビームの光軸から数百ナノメートル離れた、集束された小ビームの偏向が、小ビームの光軸から離れるように容易にもたらすことを実現した。精度の要求を満たすために、これは、偏向量を厳しく制限するか、小ビームが、ターゲット11の表面のところで焦点を急速に外す。
色収差は、焦点距離にほぼ比例する。色収差を低減し、かつターゲット面上に電子ビームの適切な投影を与えるために、光学系の焦点距離は、好ましくは、1ミリメートル以下に制限される。さらに、本発明によるレンズ系10の最後のプレート14は、レンズの内側にある焦点面のない小さな焦点距離を与えるように、非常に薄く形成される。プレート14の厚さは、好ましくは、約50ないし200μmの範囲内にある。
図示されるようなエンドモジュール7のデザインでは、プレート12、13、14のレンズのアパーチャの直径d4は、ビーム停止アレイ8の同軸にアライメントされた好ましくは約5ないし20μmの直径を有するアパーチャの直径よりも数倍大きい。この直径d4は、好ましくは、約50ないし150μmの範囲にある。一実施の形態では、直径d4は、約100μmであり、ビーム停止アレイのアパーチャの直径は、約15μmである。
さらに、本デザインでは、プレート13の中央基板は、好ましくは、約50ないし500μmの範囲の、最も厚い厚さを有する。プレート12の基板の厚さは、相対的に薄く、好ましくは、約50ないし300μmであり、また、プレート14の基板の厚さは、相対的に最も薄く、好ましくは、約50ないし200μmである。一実施の形態では、プレート13の基板の厚さは、約200μmであり、また、プレート12の基板の厚さは、約150μmであり、プレート14の基板の厚さは、約150μmである。
Claims (15)
- ターゲット上に荷電粒子の小ビームを投影するための荷電粒子マルチ小ビームシステムのための投影レンズ構成体であって、
この投影レンズ構成体は、投影レンズ系のアレイを具備し、
この投影レンズ構成体は、少なくとも1つの投影レンズアレイを構成するための少なくとも1つのプレートを有し、
各プレートは、各プレートに形成されたアパーチャのアレイを有し、前記アパーチャの位置に前記投影レンズが形成され、
前記少なくとも1つの投影レンズのアレイは、投影レンズ系のアレイを形成し、
各投影レンズ系は、前記少なくとも1つの投影レンズのアレイの対応する点に形成された前記投影レンズの少なくとも1つを有し、
前記投影レンズ系は、前記プレートのアパーチャの直径の1ないし3倍の範囲のピッチで配置され、
各投影レンズ系は、前記ターゲット面上に前記荷電粒子の小ビームの少なくとも1つを縮小し、集束するように設けられ、
各投影レンズ系は、使用時に、前記ピッチの1ないし5倍の範囲の有効焦点距離を有し、少なくとも25倍だけ前記荷電粒子の小ビームを縮小する、投影レンズ構成体。 - 少なくとも数万の投影レンズ系のアレイを有する請求項1の投影レンズ構成体。
- 前記投影レンズ系の前記焦点距離は、使用時に、1mm未満である請求項1又は2の投影レンズ構成体。
- 少なくとも3つのプレートを有する請求項1ないし3のいずれか1の投影レンズ構成体。
- 前記プレートは、最も厚い前記プレートの厚さと同じオーダの距離だけ隔てられている請求項1ないし4のいずれか1の投影レンズ構成体。
- 前記投影レンズ系のアレイの前記ピッチは、50ないし500マイクロメートルの範囲にある請求項1ないし5のいずれか1の投影レンズ構成体。
- 前記投影レンズは、静電レンズを有し、各プレートは、前記静電レンズを形成するための電極を有し、使用時に、25ないし50kV/mmの範囲にある電場が、この投影レンズ構成体の電極間に発生される請求項1ないし6のいずれか1の投影レンズ構成体。
- 第1のプレートと、
前記第1のプレートの下流側の第2のプレートと、
前記第2のプレートの下流側の第3のプレートとを有し、
これらプレートの前記アパーチャは、各プレートの対応するアパーチャが互いにほぼアライメントされ、
前記第3のプレートは、使用時に、前記ターゲットとほぼ同じ電位で保持される電極を有する請求項1ないし7のいずれか1の投影レンズ構成体。 - 第1のプレートと、
前記第1のプレートの下流側の第2のプレートと、
前記第2のプレートの下流側の第3のプレートと、を有し、
これらプレートの前記アパーチャは、各プレートの対応するアパーチャが互いにほぼアライメントされ、
各プレートは、電極を有し、使用時に、前記第1のプレートと第2のプレートとの間の電圧差は、前記第2のプレートと第3のプレートとの間の電圧差よりも小さい請求項1ないし8のいずれか1の投影レンズ構成体。 - 第1のプレートと、
前記第1のプレートの下流側の第2のプレートと、
前記第2のプレートの下流側の第3のプレートと、を有し、
これらプレートの前記アパーチャは、各プレートの対応するアパーチャが互いにほぼアライメントされ、
各プレートは、電極を有し、使用時に、前記第2及び第3のプレートの電極の電圧は、3ないし6kVの範囲にある請求項1ないし9のいずれか1の投影レンズ構成体。 - 第1のプレートと、
前記第1のプレートの下流側の第2のプレートと、
前記第2のプレートの下流側の第3のプレートと、を有し、
これらプレートの前記アパーチャは、各プレートの対応するアパーチャが互いにほぼアライメントされ、
前記第1のプレートと第2のプレートとは、100ないし200マイクロメートル離れて配置され、
前記第2のプレートと第3のプレートとは、150ないし250マイクロメートル離れて配置され、
使用時に、前記投影レンズ系の前記有効焦点距離は、前記ターゲットから50ないし200マイクロメートルのところに配置されている請求項1ないし10のいずれか1の投影レンズ構成体。 - 請求項1ないし11のいずれか1の投影レンズ構成体を具備し、荷電粒子マルチ小ビームシステムに装着可能なエンドモジュール。
- 前記投影レンズ構成体の上流側に位置されたビーム停止アレイをさらに具備し、
前記ビーム停止アレイは、中に形成されたアパーチャのアレイを含むプレートを有し、
前記ビーム停止アレイのアパーチャは、前記投影レンズ系とほぼアライメントされ、
前記ビーム停止アレイのアパーチャの直径は、5ないし20μmの範囲にある請求項12のエンドモジュール。 - 前記ビーム停止アレイと前記投影レンズ構成体との間の距離は、5mm未満である請求項13のエンドモジュール。
- 荷電粒子のビームを発生させるための荷電粒子源と、
前記ビームをコリメートするためのコリメータと、
前記コリメートされたビームから複数の小ビームを発生させるためのアパーチャアレイと、
前記小ビームを集束させるための集光アレイと、
前記集光アレイの焦点面にほぼ配置され、前記小ビームの偏向を与えるための複数の偏向器を有するビームブランカアレイと、
請求項12ないし14のいずれか1のエンドモジュールとを具備する荷電粒子マルチ小ビームシステム。
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JP6014342B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2016-10-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
US11348756B2 (en) | 2012-05-14 | 2022-05-31 | Asml Netherlands B.V. | Aberration correction in charged particle system |
US10586625B2 (en) | 2012-05-14 | 2020-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Vacuum chamber arrangement for charged particle beam generator |
JP6239596B2 (ja) | 2012-05-14 | 2017-11-29 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 荷電粒子リソグラフィシステムおよびビーム発生器 |
NL2010759C2 (en) | 2012-05-14 | 2015-08-25 | Mapper Lithography Ip Bv | Modulation device and power supply arrangement. |
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JP3796317B2 (ja) * | 1996-06-12 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法 |
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JP2003331774A (ja) * | 2002-05-16 | 2003-11-21 | Toshiba Corp | 電子ビーム装置およびその装置を用いたデバイス製造方法 |
KR101061407B1 (ko) * | 2002-10-30 | 2011-09-01 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 전자 빔 노출 시스템 |
JP2005032837A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Canon Inc | 荷電粒子描画方法及び該方法を用いたデバイス製造方法 |
GB0425290D0 (en) * | 2004-11-17 | 2004-12-15 | Eastham Derek A | Focussing masks |
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