JP2011509526A - プラズマ処理装置及び方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011509526A JP2011509526A JP2010542183A JP2010542183A JP2011509526A JP 2011509526 A JP2011509526 A JP 2011509526A JP 2010542183 A JP2010542183 A JP 2010542183A JP 2010542183 A JP2010542183 A JP 2010542183A JP 2011509526 A JP2011509526 A JP 2011509526A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- source
- chamber
- plasma
- plasma processing
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】被処理体に対する工程が行われる内部空間を提供するチャンバと、前記内部空間に電界を形成し、前記内部空間に供給されたソースガスからプラズマを生成するプラズマソースとを含み、前記プラズマソースは、前記チャンバの上面を被覆するように配置される上部ソースと、前記チャンバの側部を被覆するように配置され、前記チャンバの一側から前記チャンバの他側に向かって電流が流れる側部ソースとを含むことを特徴とするプラズマ処理装置を構成する。
【選択図】図１
【選択図】図１
Description
本発明は、プラズマ処理装置及び方法に関するもので、より詳細には、プラズマを用いてチャンバ内の被処理体を処理する方法に関するものである。
半導体装置は、シリコン基板上に多数の層を有しており、これら層は、蒸着工程を通して基板上に蒸着される。このような蒸着工程は、いくつかの重要な問題を有しており、これら問題は、蒸着された各膜を評価し、蒸着方法を選択するにおいて重要である。
第一の問題は、蒸着された膜の質である。これは、組成、汚染度、損失度及び機械的・電気的特性を意味する。各膜の組成は蒸着条件によって変化可能であり、これは、特定の組成を得るために非常に重要である。
第二の問題は、基板を横切る均一な厚さである。特に、段差が形成された非平面形状のパターン上部に蒸着された膜の厚さが非常に重要である。蒸着された膜の厚さが均一であるかどうかは、段差部分に蒸着された最小厚さをパターンの上部面に蒸着された厚さで割った値として定義されるステップカバレッジを通して判断することができる。
蒸着と関連した他の問題は、空間充填である。これは、各金属ライン間を酸化膜を含む絶縁膜で充填するギャップフィリングを含む。ギャップは、各金属ラインを物理的及び電気的に絶縁させるために提供される。
これら問題のうち均一度は、蒸着工程と関連した重要な問題のうち一つであり、不均一な膜は、金属配線上で高い電気抵抗をもたらし、機械的な破損の可能性を増加させる。
第一の問題は、蒸着された膜の質である。これは、組成、汚染度、損失度及び機械的・電気的特性を意味する。各膜の組成は蒸着条件によって変化可能であり、これは、特定の組成を得るために非常に重要である。
第二の問題は、基板を横切る均一な厚さである。特に、段差が形成された非平面形状のパターン上部に蒸着された膜の厚さが非常に重要である。蒸着された膜の厚さが均一であるかどうかは、段差部分に蒸着された最小厚さをパターンの上部面に蒸着された厚さで割った値として定義されるステップカバレッジを通して判断することができる。
蒸着と関連した他の問題は、空間充填である。これは、各金属ライン間を酸化膜を含む絶縁膜で充填するギャップフィリングを含む。ギャップは、各金属ラインを物理的及び電気的に絶縁させるために提供される。
これら問題のうち均一度は、蒸着工程と関連した重要な問題のうち一つであり、不均一な膜は、金属配線上で高い電気抵抗をもたらし、機械的な破損の可能性を増加させる。
したがって本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、工程均一度を確保することができるプラズマ処理装置及び方法を提供する。
本発明の一態様によれば、上記のおよび他の目的は、被処理体に対する工程が行われる内部空間を提供するチャンバと、前記内部空間に電界を形成し、前記内部空間に供給されたソースガスからプラズマを生成するプラズマソースと、を含み、前記プラズマソースは、前記チャンバの上面を被覆するように配置される上部ソースと、前記チャンバの側部を被覆するように配置され、前記チャンバの一側から前記チャンバの他側に向かって電流が流れる側部ソースと、を含むプラズマ処理装置によって達成される。
前記上部ソースは、前記チャンバ上部の中心から所定の曲率を有して前記チャンバ上部の縁部に向かって延長される。
前記上部ソースは、前記チャンバ上部の中心から所定の曲率を有して前記チャンバ上部の縁部に向かって延長される中央ソースと、前記中央ソースの端から前記チャンバ上部の縁部に向かって半径方向に延長される縁部ソースと、を含むことができる。
前記上部ソースは、前記チャンバ上部の中心から所定の曲率を有して前記チャンバ上部の縁部に向かって延長される中央ソースと、前記中央ソースの端から延長され、所定の半径を有する円弧形状の円形ソースと、前記円形ソースの端から前記チャンバ上部の縁部に向かって半径方向に延長される縁部ソースと、を含むことができる。
前記上部ソースは、第１の上部ソースと、前記第１の上部ソースと略同一形状を有し、前記第１の上部ソースと所定の位相差を有する第２の上部ソースと、前記第１及び第２の上部ソースと略同一形状を有し、前記第２の上部ソースと所定の位相差を有する第３の上部ソースと、を含むことができる。
前記側部ソースは、前記チャンバの上部から前記チャンバの下部に向かって下方傾斜するように延長され、前記電流が前記チャンバの上部から前記チャンバの下部に向かって流れる下降ソースと、前記チャンバの下部から前記チャンバの上部に向かって上方傾斜するように延長され、前記電流が前記チャンバの下部から前記チャンバの上部に向かって流れる上昇ソースと、を含むことができる。
前記側部ソースは、前記一側から前記他側に向かって延長される前記チャンバの上側ソースと、前記一側から前記他側に向かって延長され、前記上部ソースの下部に位置する下側ソースと、前記チャンバの上部から前記チャンバの下部に向かって延長され、前記上側ソースの一端に連結され、前記チャンバの上部から前記チャンバの下部に向かって電流が流れる下降ソースと、前記チャンバの下部から前記チャンバの上部に向かって延長され、前記下側ソースの一端に連結され、前記チャンバの下部から前記チャンバの上部に向かって電流が流れる上昇ソースと、を含むことができる。
前記側部ソースは、第１の側部ソースと、前記第１の上部ソースと略同一形状を有し、前記第１の上部ソースと所定の位相差を有する第２の上部ソースと、前記第１及び第２の上部ソースと略同一形状を有し、前記第２の上部ソースと所定の位相差を有する第３の上部ソースと、を含むことができる。
前記プラズマソースはコイルである。
また、前記装置は、前記上部ソースに連結され、高周波を有する前記電流を前記上部ソースに供給する高周波電源と、前記高周波電源と前記上部ソースとの間に位置する整合器と、をさらに含むことができる。
前記チャンバは、前記被処理体が置かれる支持部材が提供され、前記プラズマによって工程が行われる工程チャンバと、前記工程チャンバの上部に提供され、前記プラズマソースによって前記プラズマが生成される生成チャンバと、を備えており、前記プラズマソースは、前記生成チャンバの上部及び側部に提供される。
本発明によれば、プラズマソースに電流を供給することによってチャンバの内部空間にプラズマを生成し、生成されたプラズマを用いて前記チャンバの内部に提供された被処理体を 処理する方法において、前記プラズマソースは、前記チャンバの上部に提供された上部ソースと、前記チャンバの側部を取り囲むように配置された側部ソースと、を含むことができる。
前記側部ソースを通して前記チャンバの一側から前記チャンバの他側に向かって前記電流を供給し、前記電流は、前記チャンバの上部から前記チャンバの下部を経て前記チャンバの上部に流れることができる。
前記上部ソースは、前記チャンバ上部の中心から所定の曲率を有して前記チャンバ上部の縁部に向かって延長される。
前記上部ソースは、前記チャンバ上部の中心から所定の曲率を有して前記チャンバ上部の縁部に向かって延長される中央ソースと、前記中央ソースの端から前記チャンバ上部の縁部に向かって半径方向に延長される縁部ソースと、を含むことができる。
前記上部ソースは、前記チャンバ上部の中心から所定の曲率を有して前記チャンバ上部の縁部に向かって延長される中央ソースと、前記中央ソースの端から延長され、所定の半径を有する円弧形状の円形ソースと、前記円形ソースの端から前記チャンバ上部の縁部に向かって半径方向に延長される縁部ソースと、を含むことができる。
前記上部ソースは、第１の上部ソースと、前記第１の上部ソースと略同一形状を有し、前記第１の上部ソースと所定の位相差を有する第２の上部ソースと、前記第１及び第２の上部ソースと略同一形状を有し、前記第２の上部ソースと所定の位相差を有する第３の上部ソースと、を含むことができる。
前記側部ソースは、前記チャンバの上部から前記チャンバの下部に向かって下方傾斜するように延長され、前記電流が前記チャンバの上部から前記チャンバの下部に向かって流れる下降ソースと、前記チャンバの下部から前記チャンバの上部に向かって上方傾斜するように延長され、前記電流が前記チャンバの下部から前記チャンバの上部に向かって流れる上昇ソースと、を含むことができる。
前記側部ソースは、前記一側から前記他側に向かって延長される前記チャンバの上側ソースと、前記一側から前記他側に向かって延長され、前記上部ソースの下部に位置する下側ソースと、前記チャンバの上部から前記チャンバの下部に向かって延長され、前記上側ソースの一端に連結され、前記チャンバの上部から前記チャンバの下部に向かって電流が流れる下降ソースと、前記チャンバの下部から前記チャンバの上部に向かって延長され、前記下側ソースの一端に連結され、前記チャンバの下部から前記チャンバの上部に向かって電流が流れる上昇ソースと、を含むことができる。
前記側部ソースは、第１の側部ソースと、前記第１の上部ソースと略同一形状を有し、前記第１の上部ソースと所定の位相差を有する第２の上部ソースと、前記第１及び第２の上部ソースと略同一形状を有し、前記第２の上部ソースと所定の位相差を有する第３の上部ソースと、を含むことができる。
前記プラズマソースはコイルである。
また、前記装置は、前記上部ソースに連結され、高周波を有する前記電流を前記上部ソースに供給する高周波電源と、前記高周波電源と前記上部ソースとの間に位置する整合器と、をさらに含むことができる。
前記チャンバは、前記被処理体が置かれる支持部材が提供され、前記プラズマによって工程が行われる工程チャンバと、前記工程チャンバの上部に提供され、前記プラズマソースによって前記プラズマが生成される生成チャンバと、を備えており、前記プラズマソースは、前記生成チャンバの上部及び側部に提供される。
本発明によれば、プラズマソースに電流を供給することによってチャンバの内部空間にプラズマを生成し、生成されたプラズマを用いて前記チャンバの内部に提供された被処理体を 処理する方法において、前記プラズマソースは、前記チャンバの上部に提供された上部ソースと、前記チャンバの側部を取り囲むように配置された側部ソースと、を含むことができる。
前記側部ソースを通して前記チャンバの一側から前記チャンバの他側に向かって前記電流を供給し、前記電流は、前記チャンバの上部から前記チャンバの下部を経て前記チャンバの上部に流れることができる。
本発明によれば、チャンバ内に均一な密度を有するプラズマを生成することができる。また、プラズマを用いる被処理体に対する工程均一度を確保することができる。
本発明の上記および他の目的、特徴および他の利点は添付の図面を参照しつつ以下で詳細に説明することでより明確に理解されるであろう。
本発明に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
図１の上部ソースを示す図である。
図１の上部ソースを示す図である。
図１の上部ソースを示す図である。
図１の側部ソースを示す図である。
図１の側部ソースを示す図である。
図１の側部ソースを示す図である。
図１のプラズマソースの内部を示す図である。
図１の上部ソースに連結されるコネクタを示す図である。
以下、本発明の好適な各実施例を添付の図１〜図９を参照してより詳細に説明する。当該発明の属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明の範囲および精神を逸脱することなく本発明の各実施例は、多様な形態で変形、や追加、あるいは置換が可能であることが容易に理解できよう。これらの実施携帯は例示目的のために示されたものであり、本発明の範囲を限定するものではない。したがって、図面に示した各要素の形状は、より明確な説明を強調するために誇張されることがある。
一方、以下では、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式のプラズマ工程を例に挙げて説明するが、本発明は、多様なプラズマ工程に応用可能である。また、以下では、基板を例に挙げて説明するが、本発明は多様な被処理体に応用可能である。
一方、以下では、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式のプラズマ工程を例に挙げて説明するが、本発明は、多様なプラズマ工程に応用可能である。また、以下では、基板を例に挙げて説明するが、本発明は多様な被処理体に応用可能である。
図１は、本発明に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
プラズマ処理装置は、基板Ｗに対する工程が行われる内部空間を提供するチャンバ１０を含む。チャンバ１０は、工程チャンバ１２と生成チャンバ１４に区分され、工程チャンバ１２内では基板に対する工程が行われ、生成チャンバ１４では、外部から供給されたソースガスからプラズマが生成される。
工程チャンバ１２内には支持プレート２０が設置され、支持プレート２０上には基板Ｗが置かれる。基板Ｗは、工程チャンバ１２の一側に形成された入口１２ａを介して工程チャンバ１２の内部に投入され、投入された基板は支持プレート上に置かれる。また、支持プレート２０は、静電気チャック（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｃｈｕｃｋ、Ｅ―ｃｈｕｃｋ）であり、支持プレート２０上に置かれた基板の温度を精密に制御するために別途のヘリウム（Ｈｅ）後面冷却システム（図示せず）を備えることができる。
生成チャンバ１４の上部面及び外周面にはプラズマソース１６が提供される。プラズマソース１６は、生成チャンバ１４の上部面に配置される上部ソース１００と、生成チャンバ１４の外周面に配置される側部ソース２００と、を備えている。上部ソース１００は、入力ライン１６ａを介して高周波電源（ＲＦ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）に連結され、上部ソース１００と高周波電源との間には整合器１８が提供される。側部ソース２００は上部ソース１００に連結され、高周波電源を通して高周波電流を供給すれば、供給された高周波電流は、上部ソース１００を経て下部ソース２００に供給される。上部ソース１００及び下部ソース２００は、高周波電流を磁場に変換し、チャンバ１０の内部に供給されたソースガスからプラズマを生成する。
工程チャンバ１２の一側には排気ライン３４が連結され、排気ライン３４上にはポンプ３４ａが連結される。チャンバ１０の内部で生成されたプラズマ及び反応副産物などは、排気ライン３４を介してチャンバ１０の外部に排出され、ポンプ３４ａはこれらを強制排出する。チャンバ１０内部のプラズマ及び反応副産物などは、排気プレート３２を介して排気ライン３４に流入する。排気プレート３２は、支持プレート２０の外側に支持プレート２０と略並んで配置される。チャンバ１０内部のプラズマ及び反応副産物などは、排気プレート３２に形成された各排気ホール３２ａを介して排気ライン３４に流入する。
図２〜図４は、図１の上部ソース１００を示す図である。
図２〜図４に示すように、上部ソース１００は、第１の上部ソース１２０、第２の上部ソース１４０及び第３の上部ソース１６０を含む。第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０は、略同一形状を有し、等角をなすように配置される。したがって、第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０は、互いに略同一の位相差（θ＝６０゜）を有する。
図２は、本発明の一実施例に係る上部ソース１００を示す図である。図２に示すように、第１の上部ソース１２０は、生成チャンバ１４の上部面中心から所定の曲率（曲率半径＝ｒ１）を有して生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって延長される。曲率半径によって第１の上部ソース１２０の長さは変更可能であり、作業者は、工程によって曲率半径を変更することができる。上述した入力ライン１６ａは、生成チャンバ１４の上部面中心に位置する第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０の一端に連結される。したがって、上部ソース１００に供給された高周波電流は、第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０を通して時計方向に回転する渦巻き形状に生成チャンバ１４の上部面中心から生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって伝達される。
図３は、本発明の他の実施例に係る上部ソース１００を示す図である。
図３に示すように、第１の上部ソース１２０は、第１の中央ソース１２２及び第１の縁部ソース１２４を含む。第１の中央ソース１２２は、生成チャンバ１４の上部面中心から所定の曲率（曲率半径＝ｒ２）を有して生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって延長される。第１の縁部ソース１２４は、第１の中央ソース１２２の端から生成チャンバ１４上部面の縁部に向かって半径方向に延長される。曲率半径及び第１の縁部ソース１２４の長さによって第１の上部ソース１２０の長さは変更可能であり、作業者は、工程によって曲率半径を変更することができる。上述した入力ライン１６ａは、生成チャンバ１４の上部面中心に位置する第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０の一端に連結される。したがって、上部ソース１００に供給された高周波電流は、第１〜第３の中央ソース１２２、１４２、１６２を通して時計方向に回転する渦巻き形状に生成チャンバ１４の上部面中心から生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって伝達され、その後、第１〜第３の縁部ソース１２４、１４４、１６４を通して生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって放射状に伝達される。
図４は、本発明の更に他の実施例に係る上部ソース１００を示す図である。図４に示すように、第１の上部ソース１２０は、第１の中央ソース１２２、第１の円形ソース１２４及び第１の縁部ソース１２６を含む。第１の中央ソース１２２は、生成チャンバ１４の上部面中心から生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって半径方向に延長される。第１の円形ソース１２４は、第１の中央ソース１２２の端から延長され、第１の中央ソース１２２の長さに対応する半径（ｒ３）を有する円弧形状に形成される。第１の縁部ソース１２６は、第１の円形ソース１２４の端から生成チャンバ１４上部面の縁部に向かって半径方向に延長される。一方、第１の中央ソース１２２の長さ（ｒ３）によって第１の上部ソース１２０の長さは変更可能であり、作業者は、工程によって曲率半径を変更することができる。上述した入力ライン１６ａは、生成チャンバ１４の上部面中心に位置する第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０の一端に連結される。したがって、上部ソース１００に供給された高周波電流は、第１〜第３の中央ソース１２２、１４２、１６２を通して生成チャンバ１４の上部面中心から生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって伝達され、その後、第１〜第３の円形ソース１２４、１４４、１６４を通して所定の角度（θ）だけ回転した後、第１〜第３の縁部ソース１２６、１４６、１６６を通して生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって放射状に伝達される。
以上説明した上部ソース１００は、生成チャンバ１４上部面の半径方向によって均一な密度を有するプラズマを生成チャンバ１４内に生成する。側部ソース２００は、生成チャンバ１４の外周面に配置されるので、側部ソース２００によって生成されたプラズマの密度は、生成チャンバ１４の外周面に近づくほど高くなり、生成チャンバ１４の外周面から遠ざかるほど低くなる。上部ソース１００は、生成チャンバ１４上部面の中心から生成チャンバ１４上部面の縁部に達するように配置されるので、上部ソース１００によって生成されたプラズマの密度は、生成チャンバ１４上部面の半径方向によって均一な密度を有する。一方、図２〜図４に示した第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０は相互に絶縁される。
図５〜図７は、図１の側部ソース２００を示す図である。図５〜図７に示した生成チャンバ１４は、図１に示した生成チャンバ１４の外周面を展開した図であって、図５〜図７に示した側部ソース２００は、生成チャンバ１４の外周面上に配置されている。図５〜図７に示すように、側部ソース２００は、第１の側部ソース２２０、第２の側部ソース２４０及び第３の側部ソース２６０を含み、第１〜第３の側部ソース２２０、２４０、２６０は、略同一の位相差（θ＝６０゜）を有し、第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０の端に一端がそれぞれ連結される。第１〜第３の側部ソース２２０、２４０、２６０は、略同一形状を有し、第１〜第３の側部ソース２２０、２４０、２６０上には、生成チャンバ１４の一側から他側に向かって高周波電流が流れる。本実施例では、第１〜第３の側部ソース２２０、２４０、２６０上に同一方向の高周波電流が流れると説明しているが、これと異なり、互いに異なる方向の高周波電流が流れることもある。
図５は、本発明の一実施例に係る上部ソース１００を示す図である。
図５に示すように、第１の側部ソース２２０は、第１の下降ソース２２２及び第１の上昇ソース２２４を含む。第１の下降ソース２２２は、第１の上部ソース１２０の端に一端が連結され、生成チャンバ１４の上部から下部に向かって下方傾斜するように延長される。第１の上昇ソース２２４は、第１の下降ソース２２２の端に一端が連結され、生成チャンバ１４の下部から上部に向かって上方傾斜するように延長される。図５に示した第１の側部ソース２２０は、一つの第１の下降ソース２２２及び一つの第１の上昇ソース２２４を備えているが、これと異なり、複数の第１の下降ソース２２２と複数の第１の上昇ソース２２４を交互に備えることもできる。 上述したように、第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０を通して生成チャンバ１４の上部面中心から生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって伝達された高周波電流は、第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０にそれぞれ連結された第１〜第３の側部ソース２２０、２４０、２６０に供給される。その後、高周波電流は、第１〜第３の下降ソース２２２、２４２、２６２を通して生成チャンバ１４の上部から下部に向かって流れ、第１〜第３の上昇ソース２２４、２４４、２６４を通して生成チャンバ１４の下部から上部に向かって流れる。
図６は、本発明の他の実施例に係る上部ソース１００を示す図である。図６に示すように、第１の側部ソース２２０は、第１の上側ソース２２２ａ、第１の下側ソース２２２ｂ、第１の下降ソース２２４ａ及び第１の上昇ソース２２４ｂを含む。第１の上側ソース２２２ａは、第１の上部ソース１２０の端に一端が連結され、生成チャンバ１４の一側から他側に向かって生成チャンバ１４の上部面と略並んで延長される。第１の下側ソース２２２ｂは、第１の上側ソース２２２ａと略並んで生成チャンバ１４の一側から他側に向かって延長される。第１の上側ソース２２２ａと第１の下側ソース２２２ｂは、第１の上側ソース２２２ａから下方傾斜するように延長された第１の下降ソース２２４ａ、及び第１の下側ソース２２２ｂから上方傾斜するように延長された第１の上昇ソース２２４ｂを通して連結される。図５に示した第１の側部ソース２２０とは異なり、複数の第１の上側ソース２２２ａ、第１の下側ソース２２２ｂ、第１の下降ソース２２４ａ及び第１の上昇ソース２２４ｂを交互に備えることもできる。
上述したように、第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０を通して生成チャンバ１４の上部面中心から生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって伝達された高周波電流は、第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０にそれぞれ連結された第１〜第３の側部ソース２２０、２４０、２６０に供給される。その後、高周波電流は、第１〜第３の上側ソース２２２ａ、２４２ａ、２６２ａを通して生成チャンバ１４の一側から他側に向かって流れ、第１〜第３の下降ソース２２４ａ、２４４ａ、２６４ａを通して生成チャンバ１４の上部から下部に向かって流れる。その後、高周波電流は、第１〜第３の下側ソース２２２ｂ、２４２ｂ、２６２ｂを通して生成チャンバ１４の一側から他側に向かって流れ、第１〜第３の上昇ソース２２４ｂ、２４４ｂ、２６４ｂを通して生成チャンバ１４の下部から上部に向かって流れる。
以上説明した側部ソース１００は、生成チャンバ１４の上下方向によって均一な密度を有するプラズマを生成チャンバ１４内に生成する。側部ソース１００に沿って流れる高周波電流は、生成チャンバ１４の外周面に沿って生成チャンバ１４の上部及び下部に交互に流れるので、高周波電流によって生成された磁場は、生成チャンバ１４の上下方向に対して均一であり、これと同様に、磁場によって生成されたプラズマも、生成チャンバ１４の上下方向に対して均一な密度を有する。一方、図５〜図７に示した第１〜第３の側部ソース２２０、２４０、２６０は相互に絶縁される。
図８は、図１のプラズマソース１６の内部を示す図である。プラズマソース１６内には高周波電流が流れるので、これによって、プラズマソース１６の温度が上昇するようになる。したがって、プラズマソース１６の温度を調節するためにプラズマソース１６の内部に冷媒を供給することができ、冷却器（ｃｈｉｌｌｅｒ）（図示せず）を通して冷媒を所定の温度に調節することができる。
図９は、図１の上部ソース１００に連結されるコネクタ１７を示す図である。コネクタ１７は、上部コネクタ１７ａ及び複数の下部コネクタ１７ｂを備えている。上部コネクタ１７ａには入力ライン１６ａが連結され、下部コネクタ１７ｂには第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０がそれぞれ連結される。
以上、本発明を好適な各実施例を通して詳細に説明したが、これと異なる形態の実施例も可能である。したがって、以下に記載された特許請求の範囲の技術的思想と範囲は、好適な各実施例に限定されるものでない。
プラズマ処理装置は、基板Ｗに対する工程が行われる内部空間を提供するチャンバ１０を含む。チャンバ１０は、工程チャンバ１２と生成チャンバ１４に区分され、工程チャンバ１２内では基板に対する工程が行われ、生成チャンバ１４では、外部から供給されたソースガスからプラズマが生成される。
工程チャンバ１２内には支持プレート２０が設置され、支持プレート２０上には基板Ｗが置かれる。基板Ｗは、工程チャンバ１２の一側に形成された入口１２ａを介して工程チャンバ１２の内部に投入され、投入された基板は支持プレート上に置かれる。また、支持プレート２０は、静電気チャック（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｃｈｕｃｋ、Ｅ―ｃｈｕｃｋ）であり、支持プレート２０上に置かれた基板の温度を精密に制御するために別途のヘリウム（Ｈｅ）後面冷却システム（図示せず）を備えることができる。
生成チャンバ１４の上部面及び外周面にはプラズマソース１６が提供される。プラズマソース１６は、生成チャンバ１４の上部面に配置される上部ソース１００と、生成チャンバ１４の外周面に配置される側部ソース２００と、を備えている。上部ソース１００は、入力ライン１６ａを介して高周波電源（ＲＦ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）に連結され、上部ソース１００と高周波電源との間には整合器１８が提供される。側部ソース２００は上部ソース１００に連結され、高周波電源を通して高周波電流を供給すれば、供給された高周波電流は、上部ソース１００を経て下部ソース２００に供給される。上部ソース１００及び下部ソース２００は、高周波電流を磁場に変換し、チャンバ１０の内部に供給されたソースガスからプラズマを生成する。
工程チャンバ１２の一側には排気ライン３４が連結され、排気ライン３４上にはポンプ３４ａが連結される。チャンバ１０の内部で生成されたプラズマ及び反応副産物などは、排気ライン３４を介してチャンバ１０の外部に排出され、ポンプ３４ａはこれらを強制排出する。チャンバ１０内部のプラズマ及び反応副産物などは、排気プレート３２を介して排気ライン３４に流入する。排気プレート３２は、支持プレート２０の外側に支持プレート２０と略並んで配置される。チャンバ１０内部のプラズマ及び反応副産物などは、排気プレート３２に形成された各排気ホール３２ａを介して排気ライン３４に流入する。
図２〜図４は、図１の上部ソース１００を示す図である。
図２〜図４に示すように、上部ソース１００は、第１の上部ソース１２０、第２の上部ソース１４０及び第３の上部ソース１６０を含む。第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０は、略同一形状を有し、等角をなすように配置される。したがって、第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０は、互いに略同一の位相差（θ＝６０゜）を有する。
図２は、本発明の一実施例に係る上部ソース１００を示す図である。図２に示すように、第１の上部ソース１２０は、生成チャンバ１４の上部面中心から所定の曲率（曲率半径＝ｒ１）を有して生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって延長される。曲率半径によって第１の上部ソース１２０の長さは変更可能であり、作業者は、工程によって曲率半径を変更することができる。上述した入力ライン１６ａは、生成チャンバ１４の上部面中心に位置する第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０の一端に連結される。したがって、上部ソース１００に供給された高周波電流は、第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０を通して時計方向に回転する渦巻き形状に生成チャンバ１４の上部面中心から生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって伝達される。
図３は、本発明の他の実施例に係る上部ソース１００を示す図である。
図３に示すように、第１の上部ソース１２０は、第１の中央ソース１２２及び第１の縁部ソース１２４を含む。第１の中央ソース１２２は、生成チャンバ１４の上部面中心から所定の曲率（曲率半径＝ｒ２）を有して生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって延長される。第１の縁部ソース１２４は、第１の中央ソース１２２の端から生成チャンバ１４上部面の縁部に向かって半径方向に延長される。曲率半径及び第１の縁部ソース１２４の長さによって第１の上部ソース１２０の長さは変更可能であり、作業者は、工程によって曲率半径を変更することができる。上述した入力ライン１６ａは、生成チャンバ１４の上部面中心に位置する第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０の一端に連結される。したがって、上部ソース１００に供給された高周波電流は、第１〜第３の中央ソース１２２、１４２、１６２を通して時計方向に回転する渦巻き形状に生成チャンバ１４の上部面中心から生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって伝達され、その後、第１〜第３の縁部ソース１２４、１４４、１６４を通して生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって放射状に伝達される。
図４は、本発明の更に他の実施例に係る上部ソース１００を示す図である。図４に示すように、第１の上部ソース１２０は、第１の中央ソース１２２、第１の円形ソース１２４及び第１の縁部ソース１２６を含む。第１の中央ソース１２２は、生成チャンバ１４の上部面中心から生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって半径方向に延長される。第１の円形ソース１２４は、第１の中央ソース１２２の端から延長され、第１の中央ソース１２２の長さに対応する半径（ｒ３）を有する円弧形状に形成される。第１の縁部ソース１２６は、第１の円形ソース１２４の端から生成チャンバ１４上部面の縁部に向かって半径方向に延長される。一方、第１の中央ソース１２２の長さ（ｒ３）によって第１の上部ソース１２０の長さは変更可能であり、作業者は、工程によって曲率半径を変更することができる。上述した入力ライン１６ａは、生成チャンバ１４の上部面中心に位置する第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０の一端に連結される。したがって、上部ソース１００に供給された高周波電流は、第１〜第３の中央ソース１２２、１４２、１６２を通して生成チャンバ１４の上部面中心から生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって伝達され、その後、第１〜第３の円形ソース１２４、１４４、１６４を通して所定の角度（θ）だけ回転した後、第１〜第３の縁部ソース１２６、１４６、１６６を通して生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって放射状に伝達される。
以上説明した上部ソース１００は、生成チャンバ１４上部面の半径方向によって均一な密度を有するプラズマを生成チャンバ１４内に生成する。側部ソース２００は、生成チャンバ１４の外周面に配置されるので、側部ソース２００によって生成されたプラズマの密度は、生成チャンバ１４の外周面に近づくほど高くなり、生成チャンバ１４の外周面から遠ざかるほど低くなる。上部ソース１００は、生成チャンバ１４上部面の中心から生成チャンバ１４上部面の縁部に達するように配置されるので、上部ソース１００によって生成されたプラズマの密度は、生成チャンバ１４上部面の半径方向によって均一な密度を有する。一方、図２〜図４に示した第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０は相互に絶縁される。
図５〜図７は、図１の側部ソース２００を示す図である。図５〜図７に示した生成チャンバ１４は、図１に示した生成チャンバ１４の外周面を展開した図であって、図５〜図７に示した側部ソース２００は、生成チャンバ１４の外周面上に配置されている。図５〜図７に示すように、側部ソース２００は、第１の側部ソース２２０、第２の側部ソース２４０及び第３の側部ソース２６０を含み、第１〜第３の側部ソース２２０、２４０、２６０は、略同一の位相差（θ＝６０゜）を有し、第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０の端に一端がそれぞれ連結される。第１〜第３の側部ソース２２０、２４０、２６０は、略同一形状を有し、第１〜第３の側部ソース２２０、２４０、２６０上には、生成チャンバ１４の一側から他側に向かって高周波電流が流れる。本実施例では、第１〜第３の側部ソース２２０、２４０、２６０上に同一方向の高周波電流が流れると説明しているが、これと異なり、互いに異なる方向の高周波電流が流れることもある。
図５は、本発明の一実施例に係る上部ソース１００を示す図である。
図５に示すように、第１の側部ソース２２０は、第１の下降ソース２２２及び第１の上昇ソース２２４を含む。第１の下降ソース２２２は、第１の上部ソース１２０の端に一端が連結され、生成チャンバ１４の上部から下部に向かって下方傾斜するように延長される。第１の上昇ソース２２４は、第１の下降ソース２２２の端に一端が連結され、生成チャンバ１４の下部から上部に向かって上方傾斜するように延長される。図５に示した第１の側部ソース２２０は、一つの第１の下降ソース２２２及び一つの第１の上昇ソース２２４を備えているが、これと異なり、複数の第１の下降ソース２２２と複数の第１の上昇ソース２２４を交互に備えることもできる。 上述したように、第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０を通して生成チャンバ１４の上部面中心から生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって伝達された高周波電流は、第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０にそれぞれ連結された第１〜第３の側部ソース２２０、２４０、２６０に供給される。その後、高周波電流は、第１〜第３の下降ソース２２２、２４２、２６２を通して生成チャンバ１４の上部から下部に向かって流れ、第１〜第３の上昇ソース２２４、２４４、２６４を通して生成チャンバ１４の下部から上部に向かって流れる。
図６は、本発明の他の実施例に係る上部ソース１００を示す図である。図６に示すように、第１の側部ソース２２０は、第１の上側ソース２２２ａ、第１の下側ソース２２２ｂ、第１の下降ソース２２４ａ及び第１の上昇ソース２２４ｂを含む。第１の上側ソース２２２ａは、第１の上部ソース１２０の端に一端が連結され、生成チャンバ１４の一側から他側に向かって生成チャンバ１４の上部面と略並んで延長される。第１の下側ソース２２２ｂは、第１の上側ソース２２２ａと略並んで生成チャンバ１４の一側から他側に向かって延長される。第１の上側ソース２２２ａと第１の下側ソース２２２ｂは、第１の上側ソース２２２ａから下方傾斜するように延長された第１の下降ソース２２４ａ、及び第１の下側ソース２２２ｂから上方傾斜するように延長された第１の上昇ソース２２４ｂを通して連結される。図５に示した第１の側部ソース２２０とは異なり、複数の第１の上側ソース２２２ａ、第１の下側ソース２２２ｂ、第１の下降ソース２２４ａ及び第１の上昇ソース２２４ｂを交互に備えることもできる。
上述したように、第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０を通して生成チャンバ１４の上部面中心から生成チャンバ１４の上部面縁部に向かって伝達された高周波電流は、第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０にそれぞれ連結された第１〜第３の側部ソース２２０、２４０、２６０に供給される。その後、高周波電流は、第１〜第３の上側ソース２２２ａ、２４２ａ、２６２ａを通して生成チャンバ１４の一側から他側に向かって流れ、第１〜第３の下降ソース２２４ａ、２４４ａ、２６４ａを通して生成チャンバ１４の上部から下部に向かって流れる。その後、高周波電流は、第１〜第３の下側ソース２２２ｂ、２４２ｂ、２６２ｂを通して生成チャンバ１４の一側から他側に向かって流れ、第１〜第３の上昇ソース２２４ｂ、２４４ｂ、２６４ｂを通して生成チャンバ１４の下部から上部に向かって流れる。
以上説明した側部ソース１００は、生成チャンバ１４の上下方向によって均一な密度を有するプラズマを生成チャンバ１４内に生成する。側部ソース１００に沿って流れる高周波電流は、生成チャンバ１４の外周面に沿って生成チャンバ１４の上部及び下部に交互に流れるので、高周波電流によって生成された磁場は、生成チャンバ１４の上下方向に対して均一であり、これと同様に、磁場によって生成されたプラズマも、生成チャンバ１４の上下方向に対して均一な密度を有する。一方、図５〜図７に示した第１〜第３の側部ソース２２０、２４０、２６０は相互に絶縁される。
図８は、図１のプラズマソース１６の内部を示す図である。プラズマソース１６内には高周波電流が流れるので、これによって、プラズマソース１６の温度が上昇するようになる。したがって、プラズマソース１６の温度を調節するためにプラズマソース１６の内部に冷媒を供給することができ、冷却器（ｃｈｉｌｌｅｒ）（図示せず）を通して冷媒を所定の温度に調節することができる。
図９は、図１の上部ソース１００に連結されるコネクタ１７を示す図である。コネクタ１７は、上部コネクタ１７ａ及び複数の下部コネクタ１７ｂを備えている。上部コネクタ１７ａには入力ライン１６ａが連結され、下部コネクタ１７ｂには第１〜第３の上部ソース１２０、１４０、１６０がそれぞれ連結される。
以上、本発明を好適な各実施例を通して詳細に説明したが、これと異なる形態の実施例も可能である。したがって、以下に記載された特許請求の範囲の技術的思想と範囲は、好適な各実施例に限定されるものでない。
１０ チャンバ
１２ 工程チャンバ
１４ 生成チャンバ
１６ プラズマソース
２０ 支持プレート
３０ 排気ユニット
１００ 上部ソース
２００ 側部ソース
１２ 工程チャンバ
１４ 生成チャンバ
１６ プラズマソース
２０ 支持プレート
３０ 排気ユニット
１００ 上部ソース
２００ 側部ソース
Claims (13)
- 被処理体に対する工程が行われる内部空間を提供するチャンバと、
前記内部空間に電界を形成し、前記内部空間に供給されたソースガスからプラズマを生成するプラズマソースと、を含み、
前記プラズマソースは、
前記チャンバの上面を被覆するよう配置される上部ソースと、
前記チャンバの側部を被覆するように配置され、前記チャンバの一側から前記チャンバの他側に向かって電流が流れる側部ソースと、を含むことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記上部ソースは、前記チャンバ上部の中心から所定の曲率を有して前記チャンバ上部の縁部に向かって延長されることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記上部ソースは、
前記チャンバ上部の中心から所定の曲率を有して前記チャンバ上面の縁部に向かって延長される中央ソースと、
前記中央ソースの端から前記チャンバ上部に向かって半径方向に延長される縁部ソースと、を含むことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。 - 前記上部ソースは、
前記チャンバ上部の中心から所定の曲率を有して前記チャンバ上面の縁部に向かって延長される中央ソースと、
前記中央ソースの端から延長され、所定の半径を有する円弧形状の円形ソースと、
前記円形ソースの端から前記チャンバの縁部に向かって半径方向に延長される縁部ソースと、を含むことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。 - 前記上部ソースは、第１の上部ソースと、前記第１の上部ソースと略同一形状を有し、前記第１の上部ソースと所定の位相差を有する第２の上部ソースと、前記第１及び第２の上部ソースと略同一形状を有し、前記第２の上部ソースと所定の位相差を有する第３の上部ソースと、を含むことを特徴とする、請求項１から４のうちいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記側部ソースは、
前記チャンバの上部から前記チャンバの下部に向かって下方傾斜するように延長され、電流が前記チャンバの上部から前記チャンバの下部に向かって流れる下降ソースと、
前記チャンバの下部から前記チャンバの上部に向かって上方傾斜するように延長され、前記電流が前記チャンバの下部から前記チャンバの上部に向かって流れる上昇ソースと、を含むことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。 - 前記側部ソースは、
前記一側から前記他側に向かって延長される前記チャンバの上側ソースと、
前記一側から前記他側に向かって延長され、前記上部ソースの下部に位置する下側ソースと、
前記チャンバの上部から前記チャンバの下部に向かって延長され、前記上側ソースの一端に連結され、前記チャンバの上部から前記チャンバの下部に向かって電流が流れる下降ソースと、
前記チャンバの下部から前記チャンバの上部に向かって延長され、前記下側ソースの一端に連結され、前記チャンバの下部から前記チャンバの上部に向かって電流が流れる上昇ソースと、を含むことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。 - 前記側部ソースは、第１の側部ソースと、前記第１の上部ソースと略同一形状を有し、前記第１の上部ソースと所定の位相差を有する第２の上部ソースと、前記第１及び第２の上部ソースと略同一形状を有し、前記第２の上部ソースと所定の位相差を有する第３の上部ソースと、を含むことを特徴とする、請求項６又は７に記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマソースはコイルであることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記装置は、
前記上部ソースに連結され、高周波を有する前記電流を前記上部ソースに供給する高周波電源と、
前記高周波電源と前記上部ソースとの間に位置する整合器と、をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。 - 前記チャンバは、
前記被処理体が置かれる支持部材が提供され、前記プラズマによって工程が行われる工程チャンバと、
前記工程チャンバの上部に提供され、前記プラズマソースによって前記プラズマが生成される生成チャンバと、を備えており、
前記プラズマソースは、前記生成チャンバの上部及び側部に提供されることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。 - プラズマソースに電流を供給することによってチャンバの内部空間にプラズマを生成し、生成されたプラズマを用いて前記チャンバの内部に提供された被処理体を処理する方法において、
前記プラズマソースは、前記チャンバの上部に提供された上部ソースと、前記チャンバの側部を被覆するように配置された側部ソースと、を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記側部ソースを通して前記チャンバの一側から前記チャンバの他側に向かって前記電流を供給し、前記電流は、前記チャンバの上部から前記チャンバの下部を経て前記チャンバの上部に流れることを特徴とする、請求項１２に記載のプラズマ処理方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080004550A KR100963299B1 (ko) | 2008-01-15 | 2008-01-15 | 플라즈마 처리장치 및 방법 |
| PCT/KR2009/000224 WO2009091195A2 (en) | 2008-01-15 | 2009-01-15 | Plasma processing apparatus and method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011509526A true JP2011509526A (ja) | 2011-03-24 |
Family
ID=40885802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010542183A Pending JP2011509526A (ja) | 2008-01-15 | 2009-01-15 | プラズマ処理装置及び方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100276393A1 (ja) |
| JP (1) | JP2011509526A (ja) |
| KR (1) | KR100963299B1 (ja) |
| CN (1) | CN101911254A (ja) |
| WO (1) | WO2009091195A2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018524767A (ja) * | 2015-06-15 | 2018-08-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Ｂｃｄおよびエッチング深さ特性を改善するためのソースｒｆ電力分割内側コイル |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101551199B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2015-09-10 | 주식회사 유진테크 | 사이클릭 박막 증착 방법 및 반도체 제조 방법, 그리고 반도체 소자 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10125663A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-05-15 | Applied Materials Inc | 共通のｒｆ端子を有する対称並列多重コイルを備えた誘導結合型プラズマリアクタ |
| JPH10189296A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-07-21 | Applied Materials Inc | 平行板電極プラズマリアクタ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100528253B1 (ko) * | 2003-07-07 | 2005-11-15 | 어댑티브프라즈마테크놀로지 주식회사 | 낮은 이온 플럭스와 높은 임피던스를 갖는 플라즈마 소스및 이를 채용한 플라즈마 챔버 |
| KR100716720B1 (ko) * | 2004-10-13 | 2007-05-09 | 에이피티씨 주식회사 | 비원형의 플라즈마 소스코일 |
-
2008
- 2008-01-15 KR KR1020080004550A patent/KR100963299B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-01-15 US US12/811,720 patent/US20100276393A1/en not_active Abandoned
- 2009-01-15 WO PCT/KR2009/000224 patent/WO2009091195A2/en active Application Filing
- 2009-01-15 JP JP2010542183A patent/JP2011509526A/ja active Pending
- 2009-01-15 CN CN2009801022289A patent/CN101911254A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10125663A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-05-15 | Applied Materials Inc | 共通のｒｆ端子を有する対称並列多重コイルを備えた誘導結合型プラズマリアクタ |
| JPH10189296A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-07-21 | Applied Materials Inc | 平行板電極プラズマリアクタ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018524767A (ja) * | 2015-06-15 | 2018-08-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Ｂｃｄおよびエッチング深さ特性を改善するためのソースｒｆ電力分割内側コイル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2009091195A3 (en) | 2009-09-17 |
| US20100276393A1 (en) | 2010-11-04 |
| KR100963299B1 (ko) | 2010-06-11 |
| KR20090078626A (ko) | 2009-07-20 |
| WO2009091195A2 (en) | 2009-07-23 |
| CN101911254A (zh) | 2010-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102644272B1 (ko) | 정전척 어셈블리 | |
| US20190066978A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR102374521B1 (ko) | 재치대 및 플라즈마 처리 장치 | |
| KR101209536B1 (ko) | 플라즈마의 한정을 전기적으로 강화시키는 방법 | |
| JP5668925B2 (ja) | シャワーヘッドおよびこれを含む基板処理装置、並びにシャワーヘッドを用いてプラズマを供給する方法 | |
| TW201841254A (zh) | 基板處理裝置及用以處理基板之方法 | |
| JP6219229B2 (ja) | ヒータ給電機構 | |
| JP2010538488A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR101003382B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 및 방법 | |
| JP5660332B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマアンテナ | |
| WO2011102083A1 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP2011509526A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
| US10784090B2 (en) | Plasma processing device and semiconductor device production method | |
| JP6570971B2 (ja) | プラズマ処理装置およびフォーカスリング | |
| JP6454488B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP5064085B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US20230360889A1 (en) | Apparatus for Edge Control During Plasma Processing | |
| JP3814267B2 (ja) | 給電装置及びこれを有する半導体製造装置 | |
| JP2008166418A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| TW202336810A (zh) | 電漿處理裝置 | |
| JP2006140534A (ja) | 給電アンテナ及びこれを有する半導体製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110421 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120110 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120410 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120417 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120710 |