JP2011508716A - フラーレンおよびその誘導体、ならびに有機光起電装置に適したフラーレンを作製する改良された方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、参照によりその全体が本明細書に組み入れられる2007年12月21日に出願されたLairdらの米国特許仮出願第61/016,420号の優先権を主張する。
有機光起電(OPV)装置にとってよりよい材料およびプロセスを提供する必要性が存在する。これは、一部において、現行の高い燃料価格および不安定な燃料供給によって駆り立てられている。OPV装置は、旧来のシリコンデバイスを超える向上を提供することができる。これについては、例えばPerlin, John 「The Silicon Solar Cell Turns 50」NREL 2004(非特許文献1)を参照されたい。また、Dennler et al., 「Flexible Conjugated Polymer-Based Plastic Solar Cells: From Basics to Applications」 Proceedings of the IEEE, vol. 93, no. 8, August 2005, 1429-1439(非特許文献2)も参照されたい。地球の気象の変化も動機となる要因である。例えばポリチオフェンを含む共役ポリマー、または導電性ポリマーをC60フラーレンと組み合わせてOPV装置における有用な活性材料を提供できることは公知であるが、装置効率および他の重要なPVパラメータを向上させる必要も依然としてある。特に、レジオレギュラーポリチオフェンは、太陽電池用途のための新規の形態に適用されうるそれらのナノスケールの形態に起因して、特に重要である。
本明細書において、とりわけ、組成物、混合物、装置、作製する方法、および使用する方法が提供される。
F*-(R)n
によって表される少なくとも1つのフラーレン誘導体、ならびにその溶媒和化合物、塩、および混合物を含む組成物が提供され、
式中、nは少なくとも1であり、
F*は、6員環および5員環を含む表面を有するフラーレンを含み、かつ
Rは、置換されていてもよい不飽和または飽和の炭素環式または複素環式の少なくとも1つの第1の環を含み、該第1の環はフラーレンに直接結合している。
F*-(R)n
によって表されるフラーレン誘導体、ならびにその溶媒和化合物、塩、および混合物を含み、
式中、nは少なくとも1であり、
F*は、6員環および5員環を含む表面を有するフラーレンを含み、かつ
Rは、置換されていてもよい不飽和または飽和の炭素環式または複素環式の少なくとも1つの第1の環を含み、該第1の環はフラーレンに直接結合している。
F*-(R)n
によって表されるフラーレン誘導体、ならびにその溶媒和化合物、塩、および混合物を含み、
式中、nは少なくとも1であり、
F*は、6員環および5員環を含む表面を有するフラーレンを含み、かつ
Rは、置換されていてもよい不飽和または飽和の炭素環式または複素環式の少なくとも1つの第1の環を含み、該第1の環はフラーレンに直接結合している。
(i)少なくとも1つのp型材料を提供する工程、
(ii)少なくとも1つのn型材料を提供する工程であって、該n型材料が、
F*-(R)n
によって表されるフラーレン誘導体、ならびにその溶媒和化合物、塩、および混合物を含み、
式中、nが少なくとも1であり、
F*が、6員環および5員環を含む表面を有するフラーレンを含み、かつ
Rが、置換されていてもよい不飽和または飽和の炭素環式または複素環式の少なくとも1つの第1の環を含み、該第1の環はフラーレンに直接結合している、
工程、ならびに
(iii)少なくとも1つの溶媒をさらに含む混合物を形成させるように、p型材料とn型材料とを組み合わせる工程
を含む、混合物を含む組成物を作製する方法が含まれる。
序文および定義
2006年6月13日に出願された米国特許仮出願第60/812,961号、2007年12月21日に出願された米国特許仮出願第61/016,420号、および通常の米国特許出願第11/743,587号はそれぞれ、参照によりその全体が本明細書に組み入れられる。
実施例および図面を含めて参照により本明細書に組み入れられるWilliamsらの米国特許出願公開第2006/0076050号、「Heteroatomic Regioregular poly(3-Substitutedthiophenes) for Photovoltaic Cells」(Plextronics)。
実施例および図面を含めて参照により本明細書に組み入れられる米国特許出願公開第2006/0237695号(Plextronics)、「Copolymers of Soluble poly(thiophenes) with Improved Electronic Performance」。
Louwetらの米国特許第7,147,936号。
アノードおよびカソードを含む電極は、光起電装置における技術分野において公知である。これについては、例えば先に挙げたHoppeらの論文を参照されたい。公知の電極材料を使用できる。透明導電酸化物を使用することができる。透明度は特定の用途に適合させることができる。例えば、アノードは、基板上に支持されるITOを含むインジウムスズ酸化物であってもよい。基板は硬質または軟質であってもよい。
活性層は少なくとも1つのp型材料を含むことができ、また、フラーレン誘導体n型材料を様々なp型材料と組み合わせて使用することができる。本発明の幾つかの態様の利点は、フラーレンを誘導体化するために使用される置換基を、計算されたLUMOレベルまたは計算された電子親和力に基づいて選択できるという点である。これらの態様における目的は、活性層内でのフォトキャリア生成を依然として維持しつつ、n型のLUMOレベルとp型のHOMOレベルとの間の差を最大にできるようにすることである。
活性層は、少なくとも1つのフラーレン構造を含むn型材料を含むことができる。フラーレンは当技術分野において公知である。フラーレンは、球状カーボン化合物として記述することができる。例えば、フラーレン表面は、当技術分野において公知のように[6,6]結合および[6,5]結合を示すことができる。フラーレンは、6員環および5員環を含む表面を有しうる。フラーレンは例えばC60、C70、またはC84であってもよく、かつ誘導体基(derivative group)を介して更なる炭素原子を付加することができる。これについては、例えば、フラーレン命名法および合成、誘導体化、還元反応(第2章)、求核付加(第3章)、付加環化(第4章)、水素化(第5章)、ラジカル付加(第6章)、遷移金属錯体形成(第7章)、酸化および求電子試薬との反応(第8章)、ハロゲン化(第9章)、位置化学(第10章)、クラスタ改質(第11章)、ヘテロフラーレン(第12章)、および高フラーレン(第13章)に関する教示を含む、参照により本明細書に組み入れられるHirsch, A.;Brettreich, M., Fullerenes: Chemistry and Reactions, Wiley-VCH Verlag, Weinheim, 2005を参照されたい。本明細書において記載される方法は、フラーレン誘導体および付加物を合成するために使用できる。
F*-(R)n
式中、nは少なくとも1であり、
Fは、6員環および5員環を含む表面を有する球状フラーレンであり、かつ
Rは、置換されていてもよい不飽和または飽和の炭素環式または複素環式の少なくとも1つの第1の環を含み、該第1の環はフラーレンに直接結合している。
フラーレンがフラーレン誘導体を形成するように反応する条件の下で、多くの反応生成物を生成することができる。下流の処理工程でこれらの反応生成物のサブセットだけを利用することが望ましい場合、それらは1つまたは複数の分離方法を用いて単離することができる。適当な分離方法の一例はクロマトグラフィーである。
特許請求の本発明を使用する装置は、例えば基板上でアノード材料としてITOを使用して作製されうる。他のアノード材料としては、例えば、Auなどの金属、カーボンナノチューブ、単層または多層導電性酸化物、および他の透明導電性酸化物を含むことができる。アノードの抵抗率は、例えば15Ω/sq以下、25以下、50以下、または、100以下、または200以下、または250以下に維持することができる。基板は、例えば、ガラス、プラスチック(PTFE、ポリシロキサン、熱可塑性物質、PET、PENなど)、金属(Al、Au、Ag)、金属箔、金属酸化物(TiOx、ZnOx)およびSiなどの半導体であってもよい。デバイス層堆積前に、当技術分野において公知の技術を使用して、基板上のITOを洗浄することができる。例えば、スピンキャスティング、インクジェット、ドクターブレーディング、スプレーキャスティング、ディップコーティング、蒸着、または任意の他の公知の堆積方法を使用して、任意の正孔注入層(HIL)を加えることができる。HILは、例えば、PEDOT、PEDOT/PSSまたはTBD、またはNPB、またはPlexcore HIL (Plextronics、ペンシルベニア州のピッツバーグ)であってもよい。
活性層は、p-n複合体であってもよく、例えば、バルクヘテロ接合を含むヘテロ接合を形成することができる。これについては、例えば、Dennler et al.,「Flexible Conjugated Polymer-Based Plastic Solar Cells: From Basics to Applications,」 Proceedings of the IEEE, vol. 93, no. 8, August 2005, 1429-1439におけるバルクヘテロ接合のナノスケール相分離の説明を参照されたい。条件および材料は、良好な膜形成、低い粗さ(例えば1nm RMS)を提供するように選択することができ、また別個の観察可能な相分離特性を得ることができる。本発明は、AFMによって測定される約5〜50nmのスケールで相分離領域を有しうる。表面粗さおよび相挙動を測定するためにAFM解析を使用できる。一般に、相分離領域は望ましくなく、ドナーおよびアクセプターの両方が活性層中に均一かつ連続的に分布されるようにする。
公知の太陽電池は、当技術分野において公知の方法によって、例えばJsc(mA/cm2)およびVoc(V)および曲線因子(fill factor)(FF)および電力変換効率(%、PCE)を含めて測定することができる。これについては、前述したHoppeの論文および本明細書に挙げた引用参考文献を参照されたい。
以下の引用参考文献は、本明細書において記載される様々な態様を実施するために必要に応じて使用することもでき、参照により本明細書に組み入れられる。
全体が参照により組み入れられる、Lairdらの、2006年6月13日付で出願された米国特許仮出願第60/812,961号に記述されているように16種のさらなる態様を提供する。
第1の電極、
第2の電極、
第1の電極と第2の電極との間に配置され、少なくとも1つのポリチオフェンと、電子求引基を含む少なくとも1つのフラーレン誘導体とを含む、少なくとも1つの活性層
を含む、光起電装置が含まれる。
第1の電極、
第2の電極、
第1の電極と第2の電極との間に配置され、少なくとも1つのポリチオフェンと、C70フラーレンまたはC84フラーレンである少なくとも1つのフラーレン誘導体とを含む、少なくとも1つの活性層
を含む、光起電装置が含まれる。
第1の電極、
第2の電極、
第1の電極と第2の電極との間に配置され、少なくとも1つのポリチオフェンと、C70フラーレンである少なくとも1つのフラーレン誘導体とを含む、少なくとも1つの活性層
を含む、光起電装置が含まれる。
第1の電極、
第2の電極、
第1の電極と第2の電極との間に配置され、少なくとも1つのポリチオフェンと、C84フラーレンである少なくとも1つのフラーレン誘導体とを含む、少なくとも1つの活性層
を含む、光起電装置が含まれる。
第1の電極、
第2の電極、
第1の電極と第2の電極との間に配置され、少なくとも1つのポリチオフェンと、誘導体化されていないC70フラーレンとを含む、少なくとも1つの活性層
を含む、光起電装置が含まれる。
第1の電極、
第2の電極、
第1の電極と第2の電極との間に配置され、少なくとも1つのポリチオフェンと、誘導体化されていないC84フラーレンとを含む、少なくとも1つの活性層
を含む、光起電装置が含まれる。
第1の電極、
第2の電極、
第1の電極と第2の電極との間に配置され、少なくとも1つのポリチオフェンと、o-キノジメタン誘導体基を含む少なくとも1つのフラーレン誘導体とを含む、少なくとも1つの活性層
を含む、光起電装置が含まれる。
全体が参照により組み入れられる、Lairdらの、2007年12月21日付で出願された米国特許仮出願第61/016,420号に記述されているように76種のさらなる態様を提供する。
上記の態様を、フラーレン誘導体生成の改良された方法にさらに供することができる。
C60インデン付加物は、開始点として、引用参考文献(Puplovskis, et al., 「New Route for [60]Fullerene Functionalization in [4+2] Cycloaddition Reaction Using Indene.」 Tetrahedron Lett. 1997, 38, 285-288)の記載を使用して合成した。C60を、約6mg mL-1の濃度のo-ジクロロベンゼン中で溶解した。インデンをC60に対して12倍モル過剰に加え、また結果として得られた混合物を一晩中還流した。溶媒の大部分を減圧下で蒸発させた。エタノールを加えた後に沈殿が生じた。結果として得られた固体を、乾燥させ、トルエン中で再び溶解し、その後、330nmで作動する可変波長検出器を備えるAgilent 1100シリーズ機器上に装着されたCosmosil Buckyprep分析カラム(250×4.6mm、Nacalai Tesque, Inc.)を使用した高圧液体クロマトグラフィーによって分析した。溶出のために1ml min-1の流量のトルエンを使用した。約5.4分の溶出時間のピークおよび4分付近の一群のピークは、C60インデンモノ付加物およびビス付加物のそれぞれに起因するものであった。4分付近の非常に近い溶出時間を伴う幾つかのピークの存在は、幾つかの異性体の存在と一致する。C60PCBMなどの他のフラーレン誘導体を用いて、官能性をもたせていないC60の溶出時間よりも短い溶出時間(約8.1分)が既に観察されている。複数の付加は、溶出時間の更なる減少をもたらすことが分かった。フラッシュクロマトグラフィーによる精製のため、ペンタブロモベンジル官能性をもたせたシリカ相を使用した。精製のために、純粋なトルエンおよびトルエン/シクロヘキサン混合物を使用した。収集された部分のHPLC分析は、C60インデンモノ付加物に関して純度98.5%を示し、また、異なるビス付加物の混合物に関して約95%の純度を示した。
C60インデン付加物において展開された手順に続いて、C70インデンモノ付加物を合成した。C70をo-ジクロロベンゼン中で溶解した。12倍モル過剰でのインデンの付加の後、8時間にわたって還流を維持した。減圧下での体積の減少およびエタノールの付加の後、固体を回収し、乾燥させ、トルエン中で再び溶解した。前述したのと同じ手順を使用するHPLC分析は、おそらくC60付加物合成と比べて減少した反応時間に起因して、主にモノ付加物の存在を示した。フラッシュクロマトグラフィーを用いた精製は、98.6%の純度のC70モノ付加物の分離をもたらした。対応するHPLCクロマトグラムが以下で与えられる。C70ケージ上の異なる付加部位を表す2つの主要な異性体が識別された。
手順A:
1 Lの平底三つ口フラスコを用いてC60 5 gをo-ジクロロベンゼン500 mLに溶解した。26倍過剰のインデンを添加し、混合物を不活性ガス(アルゴン)雰囲気中で65時間還流した。冷却した後に、5倍過剰のメタノールを添加し、生成物混合物を沈殿させ、孔径1 μmのろ紙を用いてろ過により回収した。メタノールですすぎ、ホットプレート上で乾燥させた後に、得られた固体をシクロヘキサン-トルエン混合物(体積で7:1)に溶解した。UV-Vis検出を330 nmで行いかつ溶出用のトルエンとともにCosmosil Buckyprep分析カラム(4.6×250 mm)を用いる高圧液体クロマトグラフィー(HPLC)による分析から、以下の組成が示された: C60: < 1%、C60(C9H8): 3%、C60(C9H8)2: 43%、C60(C9H8)3: 49%およびC60(C9H8)4: 4%。シリカゲル60 (230〜400メッシュ、Alfa Aesar)および溶出用にシクロヘキサン-トルエン混合物(体積で7:1)を用いた中圧(10 psig)下でのフラッシュクロマトグラフィー分離後にC60(C9H8)3 1.5 gを回収した。6種のC60(C9H8)3異性体の分離は、さらに小さな粒径のシリカゲル(400〜600メッシュ)および溶出用にシクロヘキサン-トルエン混合物(体積で9:1)を用いることによって達成することができた。
C60 5 gを、約600倍過剰のインデンに相当する、インデン500 mLに溶解した。混合物を不活性ガス(アルゴン)下150℃で18時間撹拌した。完了後、得られた溶液の体積を真空下で約200 mLまで減らし、トルエン800 mLを添加した。この混合物を、ゆっくりとメタノール5 Lを添加しながら撹拌すると、沈殿が進行的に起きた。得られた沈殿物を、1 μmのろ紙を用いてろ過し、メタノールですすぎ、ホットプレート上で乾燥させた。得られた固体をシクロヘキサン-トルエン混合物(体積で3:1)に溶解した。UV-Vis検出を330 nmで行いかつ溶出用のトルエンとともにCosmosil Buckyprep分析カラム(4.6×250 mm)を用いる高圧液体クロマトグラフィー(HPLC)による分析から、以下の組成が示された: C60/C60(C9H8): 1%、C60(C9H8)2: 5%、C60(C9H8)3: 48%、C60(C9H8)4: 38%およびC60(C9H8)5/C60(C9H8)6: 7%。シリカゲル60 (230〜400メッシュ、Alfa Aesar)および溶出用にシクロヘキサン-トルエン混合物(体積で3:1)を用いた中圧(10 psig)下でのフラッシュクロマトグラフィー分離後にC60(C9H8)3の大部分を回収した。観察された6種のC60(C9H8)3異性体の分離は、さらに小さな粒径のシリカゲル(400〜600メッシュ)および溶出用にシクロヘキサン-トルエン混合物(体積で9:1)を用いることによって達成された。
1 Lの平底三つ口フラスコを用いてC60 5 gを、約600倍過剰のインデンに相当する、インデン500 mLに溶解した。混合物を不活性ガス(アルゴン)下で18時間還流(181℃)した。完了後、得られた溶液の体積を真空下で約200 mLまで減らし、トルエン800 mLを添加した。この混合物を、ゆっくりとメタノール5 Lを添加しながら撹拌すると、沈殿が進行的に起きた。得られた沈殿物を、1 μmのろ紙を用いてろ過し、メタノールですすぎ、ホットプレート上で乾燥させた。得られた固体をシクロヘキサン-トルエン混合物(体積で3:1)に溶解した。UV-Vis検出を330 nmで行いかつ溶出用のトルエンとともにCosmosil Buckyprep分析カラム(4.6×250 mm)を用いる高圧液体クロマトグラフィー(HPLC)による分析から、以下の組成が示された: C60/C60(C9H8): <1%、C60(C9H8)2: 3%、C60(C9H8)3: 27%、C60(C9H8)4: 50%およびC60(C9H8)5/C60(C9H8)6: 19%。シリカゲル60 (230〜400メッシュ、Alfa Aesar)および溶出用にシクロヘキサン-トルエン混合物(体積で3:1)を用いた中圧(3〜5 atm)下でのフラッシュクロマトグラフィー分離後にC60(C9H8)4 900 mgを回収した。C60(C9H8)4異性体間の分離は、さらに小さな粒径のシリカゲル(400〜600メッシュ)および溶出用にシクロヘキサン-トルエン混合物(体積で9:1)を用いてフラッシュクロマトグラフィーにより達成することができる。
1 Lの平底三つ口フラスコを用いてC60 5 gを、約600倍過剰のインデンに相当する、インデン500 mLに溶解した。混合物を不活性ガス(アルゴン)下で18時間還流(181℃)した。完了後、得られた溶液の体積を真空下で約200 mLまで減らし、トルエン800 mLを添加した。この混合物を、ゆっくりとメタノール5 Lを添加しながら撹拌すると、沈殿が進行的に起きた。得られた沈殿物を、1 μmのろ紙を用いてろ過し、メタノールですすぎ、ホットプレート上で乾燥させた。得られた固体をシクロヘキサン-トルエン混合物(体積で3:1)に溶解した。UV-Vis検出を330 nmで行いかつ溶出用のトルエンとともにCosmosil Buckyprep分析カラム(4.6×250 mm)を用いる高圧液体クロマトグラフィー(HPLC)による分析から、以下の組成が示された: C60/C60(C9H8): <1%、C60(C9H8)2: 3%、C60(C9H8)3: 27%、C60(C9H8)4: 50%およびC60(C9H8)5/C60(C9H8)6: 19%。シリカゲル60 (230〜400メッシュ、Alfa Aesar)および溶出用にシクロヘキサン-トルエン混合物(体積で3:1)を用いた中圧(3〜5 atm)下でのフラッシュクロマトグラフィー分離後にC60(C9H8)5とC60(C9H8)6との混合物を回収した。C60(C9H8)5およびC60(C9H8)6間の分離は、さらに小さな粒径のシリカゲル(400〜600メッシュ)および溶出用にシクロヘキサン-トルエン混合物(体積で9:1)を用いてフラッシュクロマトグラフィーにより達成することができる。
丸底フラスコにC60 2.00 g (2.76 mmol)およびo-ジクロロベンゼン120 mLを添加した。完全に溶解するまでこれを窒素下で撹拌した。この溶液に市販の1,2-ビス(3-インデニル)エタン0.788 g (3.04 mmol)を添加し、得られた混合物を終夜窒素下で撹拌かつ加熱還流し、冷却させた。
Loewe, et al., Adv. Mater. 1999, 11, 250-253に記載されるように、2,5-ジブロモ-ドデシルチオフェンの代わりに2,5-ジブロモ-3-ヘキシルチオフェンを使用し、0.01eqの代わりに0.0028eqのNi(dppp)Cl2を使用して、Plexcore P3HTを調製した。クロロホルムを用いてGPCによって測定された分子量は69,000, 1.35PDIであった。
(i)Thin Film Devices(カリフォルニア州のアナハイムにある)から購入したガラス基板上にパターン化されたインジウムスズ酸化物(ITO、アノード、60Ω/平方)と、(ii)HC Starkから購入したPEDOT/PSS(AI4083)を含むHILの薄層(30nm厚)と、(iii)メタノフラーレン[6,6]-フェニルC61-酪酸メチルエステル(PCBM)(マサチューセッツ州のウェストウッドにあるNano-Cから購入した)、C60インデンモノ付加物、またはC60インデンビス付加物(前記実施例に記載するように調製したフラーレン付加物)であるn型とブレンドされた(実施例7に記載するように調製した)Plexcore P3HTを含む100nm活性層と、(iv)Ca/Al二層カソードとを含む、光起電装置を調製した。
Claims (97)
- インデンまたは置換インデンの他にはいずれの溶媒も実質的に存在しない状態で、少なくとも1つのフラーレンをインデン、少なくとも1つの置換インデン、またはそれらの組み合わせと反応させる工程
を含む方法。 - 少なくとも1つのフラーレンをインデンと反応させる工程を含む、請求項1記載の方法。
- 反応させる工程が、インデンまたは置換インデンの他にはいずれの溶媒も全く存在しない状態で行われる、請求項1記載の方法。
- 少なくとも2つのフラーレンを反応させる工程を含む、請求項1記載の方法。
- フラーレンが、C60フラーレン、C70フラーレン、またはそれらの組み合わせである、請求項1記載の方法。
- フラーレンが少なくともC60フラーレンを含む、請求項1記載の方法。
- フラーレンが、少なくともC60フラーレンとC70フラーレンとの混合物を含む、請求項1記載の方法。
- 少なくとも1つのフラーレンがフラーレン誘導体を含む、請求項1記載の方法。
- 少なくとも1つのフラーレンが、少なくとも第1のフラーレンと少なくとも第2のフラーレンとの混合物を含み、かつ反応工程の後に、第1のフラーレンおよび第2のフラーレンが、反応された状態のまま分離工程に供される、請求項1記載の方法。
- 反応させる工程がインデン-フラーレン反応生成物の混合物をもたらし、主反応生成物がビス置換インデン-フラーレン誘導体、トリス置換インデン-フラーレン誘導体、またはテトラ置換インデン-フラーレン誘導体である、請求項1記載の方法。
- 反応させる工程がインデン-フラーレン反応生成物の混合物をもたらし、主反応生成物がペンタ置換インデン-フラーレン誘導体またはヘキサ置換インデン-フラーレン誘導体である、請求項1記載の方法。
- 反応させる工程がインデン-フラーレン反応生成物の混合物をもたらし、主反応生成物がビス置換インデン-フラーレン誘導体である、請求項1記載の方法。
- 反応させる工程がインデン-フラーレン反応生成物の混合物をもたらし、主反応生成物がトリス置換インデン-フラーレン誘導体である、請求項1記載の方法。
- 反応させる工程がインデン-フラーレン反応生成物の混合物をもたらし、主反応生成物がテトラ置換インデン-フラーレン誘導体である、請求項1記載の方法。
- 任意のさらなる溶媒の量が、インデンもしくは置換インデン、またはそれらの組み合わせの量に対して約20vol%未満である、請求項1記載の方法。
- 任意のさらなる溶媒の量が、インデンもしくは置換インデン、またはそれらの組み合わせの量に対して約5vol%未満である、請求項1記載の方法。
- 反応が約48時間またはそれ以下の間行われる、請求項1記載の方法。
- 反応が約24時間またはそれ以下の間行われる、請求項1記載の方法。
- 反応の開始時に、フラーレンのモル量に対するインデン、置換インデン、またはそれらの組み合わせのモル量が少なくとも約300である、請求項1記載の方法。
- 反応の開始時に、フラーレンのモル量に対するインデン、置換インデン、またはそれらの組み合わせのモル量が少なくとも約500である、請求項1記載の方法。
- 反応の開始時に、フラーレンのモル量に対するインデン、置換インデン、またはそれらの組み合わせのモル量が少なくとも約600である、請求項1記載の方法。
- 反応が少なくとも150℃の温度で行われる、請求項1記載の方法。
- 反応が少なくとも180℃の温度で行われる、請求項1記載の方法。
- 反応が少なくとも1.2気圧の圧力で行われる、請求項1記載の方法。
- 反応が少なくとも5気圧の圧力で行われる、請求項1記載の方法。
- フラーレン1つにつき少なくとも4つのインデンまたは置換インデンを含むインデン-フラーレン誘導体を単離する工程をさらに含む、請求項1記載の方法。
- フラーレン1つにつき少なくとも5つのインデンまたは置換インデンを含むインデン-フラーレン誘導体を単離する工程をさらに含む、請求項1記載の方法。
- インデンまたは置換インデンを除去する工程をさらに含み、かつインデンにより誘導体化されたフラーレンを沈殿させる工程をさらに含む、請求項1記載の方法。
- 反応工程の後に反応生成物が形成され、かつこの生成物から抽出物が取り出されて、残留の反応生成物が得られ、かつ残留の反応生成物がさらなる反応に供される、請求項1記載の方法。
- インデンまたは置換インデンを除去する工程をさらに含み、かつインデンにより誘導体化されたフラーレンを沈殿させる工程をさらに含む方法であって、フラーレンがC60フラーレンまたはC70フラーレンであり、反応させる工程が24時間またはそれ以下の間行われ、反応させる工程が少なくとも約150℃の温度で行われ、かつ反応の開始時に、フラーレンのモル量に対するインデン、置換インデン、またはそれらの組み合わせのモル量が少なくとも約500である、請求項1記載の方法。
- 最も豊富な反応生成物がビス誘導体、トリス誘導体、テトラ誘導体、ペンタ誘導体、またはヘキサ誘導体となる反応条件の下で、インデン、置換インデン、またはそれらの組み合わせを少なくとも1つのフラーレンと反応させる工程
を含む方法。 - 反応させる工程がインデンにより行われ、かつフラーレンが、C60もしくはC70、またはそれらの組み合わせを含む、請求項31記載の方法。
- インデンまたは置換インデンの他には、実質的に溶媒が使用されない、請求項31記載の方法。
- 最も豊富な反応生成物が、未反応のフラーレンおよびフラーレン反応生成物の全量に対して、少なくとも40wt%で存在する、請求項31記載の方法。
- 最も豊富な反応生成物が、未反応のフラーレンおよびフラーレン反応生成物の全量に対して、少なくとも50wt%で存在する、請求項31記載の方法。
- 反応の開始時に、フラーレンのモル量に対するインデン、置換インデン、またはそれらの組み合わせのモル量が少なくとも約300である、請求項31記載の方法。
- 反応が少なくとも約150℃の温度で行われる、請求項31記載の方法。
- 反応が少なくとも約1.2気圧の圧力で行われる、請求項31記載の方法。
- 最も豊富な反応生成物がトリス誘導体である、請求項31記載の方法。
- 最も豊富な反応生成物がテトラ誘導体である、請求項31記載の方法。
- インデンの他にはいずれの溶媒も実質的に存在しない状態で、少なくとも1つのC60フラーレンをインデンと反応させる工程
を含む方法。 - 反応生成物がフラーレン-インデン誘導体の混合物であり、かつ精製された主要な反応生成物がトリス誘導体である、請求項41記載の方法。
- 反応生成物がフラーレン-インデン誘導体の混合物であり、かつ主要な反応生成物がテトラ誘導体である、請求項41記載の方法。
- 反応生成物が、精製されたフラーレン-インデン誘導体の混合物および単離されたペンタ誘導体である、請求項41記載の方法。
- 反応生成物が、精製されたフラーレン-インデン誘導体の混合物および単離されたヘキサ誘導体である、請求項41記載の方法。
- 反応生成物が、未反応のフラーレンおよびフラーレン反応生成物の全量に対して少なくとも40wt%の収率で単離されうる少なくとも1つの生成物を含む、請求項41記載の方法。
- 反応生成物が、未反応のフラーレンおよびフラーレン反応生成物の全量に対して少なくとも50wt%の収率で単離されうる少なくとも1つの生成物を含む、請求項41記載の方法。
- 反応生成物が、未反応のフラーレンおよびフラーレン反応生成物の全量に対して少なくとも60wt%の収率で単離されうる少なくとも1つの生成物を含む、請求項41記載の方法。
- フラーレンのモル量に対するインデン、置換インデン、またはそれらの組み合わせのモル量が少なくとも約500である、請求項41記載の方法。
- 反応が少なくとも150℃の温度で行われる、請求項41記載の方法。
- 下記式中、nが少なくとも1であり、
F*が、6員環および5員環を含む表面を有するフラーレンを含み、かつ
Rが、置換されていてもよい不飽和または飽和の炭素環式または複素環式の少なくとも1つの第1の環を含み、該第1の環がフラーレンに直接結合している、
F*-(R)n
によって表される少なくとも1つのフラーレン誘導体、ならびにその溶媒和化合物、塩、および混合物
を含む組成物。 - 第1の環が置換されている、請求項51記載の組成物。
- 第1の環が置換されていない、請求項51記載の組成物。
- 第1の環が不飽和環である、請求項51記載の組成物。
- 第1の環が飽和環である、請求項51記載の組成物。
- 第1の環が炭素環である、請求項51記載の組成物。
- 第1の環が複素環である、請求項51記載の組成物。
- 第1の環が、置換されていてもよい4員環、5員環、または6員環である、請求項51記載の組成物。
- 環が、置換されていてもよい5員環である、請求項51記載の組成物。
- Rが、第1の環に結合しているかまたは融合している第2の環をさらに含む、請求項51記載の組成物。
- Rが、第1の環に融合している置換されていてもよい第2の環をさらに含む、請求項51記載の組成物。
- Rが、アリール基でありかつ第1の環に融合している置換されていてもよい第2の環をさらに含む、請求項51記載の組成物。
- Rが、置換されていてもよいインデン、置換されていてもよいナフチル、置換されていてもよいフェニル、置換されていてもよいピリジニル、置換されていてもよいキノリニル、置換されていてもよいシクロヘキシル、または置換されていてもよいシクロペンチルである、請求項51記載の組成物。
- Rが、インデン、ナフチル、フェニル、ピリジニル、キノリニル、シクロヘキシル、またはシクロペンチルである、請求項51記載の組成物。
- Rが、置換されていてもよいインデンである、請求項51記載の組成物。
- Rがインデンである、請求項51記載の組成物。
- nが1〜6である、請求項51記載の組成物。
- nが1〜6であり、かつRがインデンまたは置換インデンである、請求項51記載の組成物。
- nが1〜3である、請求項51記載の組成物。
- Rがインデンであり、かつnが1である、請求項51記載の組成物。
- Rがインデンであり、かつnが2である、請求項51記載の組成物。
- Rがインデンであり、かつnが3である、請求項51記載の組成物。
- Rがインデンであり、かつnが4である、請求項51記載の組成物。
- Rがインデンであり、かつnが5である、請求項51記載の組成物。
- Rがインデンであり、かつnが6である、請求項51記載の組成物。
- Rがインデンであり、nが1〜20である、請求項51記載の組成物。
- Rがインデンであり、nが1〜10である、請求項51記載の組成物。
- 第1の環が、ヒドロキシ、アシル、アシルアミノ、アシルオキシ、アルキル、置換アルキル、アルコキシ、置換アルコキシ、アルケニル、置換アルケニル、アルキニル、置換アルキニル、アミノ、置換アミノ、アミノアシル、アリール、置換アリール、アリールオキシ、置換アリールオキシ、シクロアルコキシ、置換シクロアルコキシ、カルボキシル、カルボキシルエステル、シアノ、チオール、チオアルキル、置換チオアルキル、チオアリール、置換チオアリール、チオヘテロアリール、置換チオヘテロアリール、チオシクロアルキル、置換チオシクロアルキル、チオ複素環、置換チオ複素環、シクロアルキル、置換シクロアルキル、ハロ、ニトロ、ヘテロアリール、置換ヘテロアリール、複素環、置換複素環、ヘテロアリールオキシ、置換ヘテロアリールオキシ、ヘテロシクリルオキシ、もしくは置換ヘテロシクリルオキシまたはそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも1つの置換基で置換されていてもよい、請求項51記載の組成物。
- Rが、[4+2]付加環化によってフラーレンに共有結合している、請求項51記載の組成物。
- Rが、1つまたは2つの共有結合によってフラーレンに共有結合している、請求項51記載の組成物。
- Rが、2つの結合によってフラーレンに共有結合している、請求項51記載の組成物。
- Rが、2つの炭素間結合によってフラーレンに共有結合している、請求項51記載の組成物。
- Rが、フラーレン[6,6]位置で2つの炭素間結合によってフラーレンに共有結合している、請求項51記載の組成物。
- フラーレンが、C60、C70、もしくはC84フラーレン、またはそれらの組み合わせを含む、請求項51記載の組成物。
- フラーレンが炭素のみを含む、請求項51記載の組成物。
- フラーレンが、Rの他にフラーレンに結合している少なくとも1つの誘導体基(derivative group)を含む、請求項51記載の組成物。
- 少なくとも95wt%のフラーレン誘導体を含む、請求項51記載の組成物。
- 少なくとも98wt%のフラーレン誘導体を含む、請求項51記載の組成物。
- 少なくとも99wt%のフラーレン誘導体を含む、請求項51記載の組成物。
- 請求項51記載のフラーレン誘導体を作製する方法であって、該誘導体が、誘導体化合物の他には溶媒が実質的に存在しない状態でフラーレンを誘導体化合物と反応させる工程によって調製される、方法。
- 誘導体化合物がインデンまたは置換インデンである、請求項90記載の方法。
- 請求項51記載のフラーレン誘導体を作製する方法であって、該誘導体が、少なくとも1つのさらなる溶媒の存在下で少なくとも1つのフラーレンを誘導体化合物と反応させる工程によって調製され、誘導体化合物の体積量が、さらなる溶媒の体積量よりも大きい、方法。
- 誘導体化合物がインデンまたは置換インデンである、請求項92記載の方法。
- 少なくとも1つのさらなる溶媒の存在下で、少なくとも1つのフラーレンをインデン、少なくとも1つの置換インデン、またはそれらの組み合わせと反応させる工程を含む方法であって、インデン、置換インデン、またはそれらの組み合わせの体積量が、さらなる溶媒の体積量よりも大きい、方法。
- 請求項51記載のフラーレン誘導体を作製する方法であって、該誘導体が、少なくとも1つのさらなる溶媒の存在下で少なくとも1つのフラーレンを誘導体化合物と反応させる工程によって調製され、誘導体化合物の体積量が、さらなる溶媒のモル量よりも大きい、方法。
- 誘導体化合物がインデンまたは置換インデンである、請求項92記載の方法。
- 少なくとも1つのさらなる溶媒の存在下で、少なくとも1つのフラーレンをインデン、少なくとも1つの置換インデン、またはそれらの組み合わせと反応させる工程を含む方法であって、インデン、置換インデン、またはそれらの組み合わせの体積量が、さらなる溶媒のモル量よりも大きい、方法。
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