JP2011500498A - ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの層を張り合わせる方法 - Google Patents

Abstract

ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの層を張り合わせる方法である。この方法は、ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの第１層を提供し、この第１層のガラス、ガラスセラミック、またはセラミックが、電磁放射線感応性である、または、その上に電磁放射線サセプタを配置して有するものである工程、ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの第２層を第１層に積層する工程、および、この積層物に電磁放射線を照射して第１および第２層を張り合わせる工程、を含む。いくつかの例において、マイクロ波を電磁放射線として用いる。

Description

関連出願の説明

本出願は、参照によってここに引用する、２００７年１０月１７日に出願された米国特許出願第１１／９７５，００６号の優先権の利益を主張するものである。

本発明は、ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの層の電磁放射線を用いた張り合わせに関する。

ガラスの強度や耐破砕性などの機械的特性を向上させるため、ガラスを張り合わせることがある。張り合わせガラスは、自動車用および航空機用の窓ガラス、防弾ガラス、またその他のガラス強化および／または耐破砕性を必要とする用途に有用である。

従来の張り合わせガラスには、１つまたは複数のガラス層と、ポリマー含有中間層とを含むものがある。このポリマーはポリビニルブチラール（ＰＶＢ）を含むことが多いが、ポリカーボネート、ウレタン、エポキシ、およびアクリルなど、その他の適切なポリマーも含むものでもよい。ガラスの張り合わせ処理は、典型的には一対のガラス層の間にポリマー中間層を挟持する工程を含む。この挟持させたサンドイッチ状のものは、その後空気や水分を除去するために真空吸引され、押圧および加熱される。この処理は、高温（８０〜１４０℃）および高圧（４〜２０ＭＰａ）で長時間を要する可能性がある。亀裂や応力集中が生じることを避けるため、張り合わせ体はその後ゆっくり冷却しなければならない。結果として、従来の張り合わせ処理は時間がかかり、かつ必要な押圧装置、吸引装置、およびオートクレーブの準備にかなりの設備投資を必要とし得る。

近年、ポリマー中間層をガラスシート間に含む張り合わせガラスを製造するために、マイクロ波放射線が用いられている。この放射線を用いてポリマー中間層を軟化し、ガラスシートを接合する。マイクロ波放射線は、高周波のマイクロ波を方向付け可能なビームの形で有利に作り出すジャイロトロンによって生成することができる。ジャイロトロンの出力は、出力周波数約２０〜３００ＧＨｚで１メガワットを超える可能性がある。このようなエネルギーによれば、周辺部分を著しく加熱することなく、物体の標的部分で高熱流束（最大で１５ｋＷ／ｃｍ²まで）を作り出すことができる。エネルギー吸収はマイクロ波周波数、その材料の誘電率、材料の損失率、および局所電場の二乗、に比例する。

ジャイロトロン放射による方法は、少なくとも２つのガラス層のサンドイッチ構造をポリマー中間層で隔てて組み立てる工程、このサンドイッチ構造を真空に曝す工程、サンドイッチ構造を照射すると同時に押圧する工程、およびサンドイッチ構造を冷却して張り合わせガラスを製造する工程を含む。ガラス層はポリマー中間層に比べると極めて低い損失率を有している。このためガラスはエネルギーをほとんど吸収しない。ポリマー中間層は放射線を吸収して軟化すなわち溶融し、実質的にガラス層を加熱することなく接合する。ジャイロトロンによる方法は、エネルギー消費削減と処理能力向上を約束する。この方法では張り合わせの生成にポリマー中間層が必須である。

ポリマー中間層を利用する張り合わせ方法は、いかなるものにも問題が存在する。ポリマーは本質的にガラス層よりも弱く、熱に対する耐性が低く、変色し易く、またさまざまな程度の不透明度を有し易い傾向にある。ポリマーはまた、加熱中に揮発性ガスを放出して泡立ちを生じさせる可能性がある。透明製品における泡立ちは、著しい欠陥であり、強度を低下させたり層間剥離を生じさせたりし得る。処理時間を延長させることにより、封入されたガスを張り合わせ体から拡散させて、あるいはポリマー膜内に溶解させて、泡立ちを減少させることができる。高表面積を有するあるいは複数の張り合わせ体を含む張り合わせ体では、泡立ちを減少させるために必要な時間は長くなる。

これまでに、ガラス層間の空間を増加させたり、低粘度の中間層を用いたり、中間層の厚さを変化させたり、一方向弁を通して中間層内に樹脂を押し入れたり、さらに真空で圧縮したりすることにより泡立ちを減少させる試みが行われてきたが、十分に効果的なものはない。また、ポリマー中間層は張り合わせガラスの物理的および光学的特性に悪影響を与えることもあり得る。

ガラス層の張り合わせは、ポリマー中間層を含まずにガラス層を溶融が起こるまで加熱することにより行われてきた。残念なことに、一般的なガラスでは溶融に要する温度が約７００℃を超えることが多く、特定の特殊ガラスではそれ以上にもなる。このような温度でガラスを加熱すると、必要なエネルギー、および張り合わせガラスの加熱および冷却に要するサイクルタイムが明らかに増加する。両方の要因共に製造コストを増加させる。

代替として、全てガラスの張り合わせ体が、第１のガラス層の表面上にシロキサン分子を塗布することにより作られてきた。第２のガラス層は、第１のガラス層に接して配置される。加熱および押圧して、ポリマー中間層を用いることなく層を接合させる。推定するに、シロキサンが凝集してガラス層を接合させる。欠点として、ガラス層の表面は極めて滑らかである必要があり、シロキサンは比較的高価であり、かつガラスは未だ少なくとも約２００℃まで加熱される。

ポリマー中間層を必要とすることなく、エネルギー消費を減少させるとともに迅速に処理できる張り合わせガラスに対する要望が存在する。いくつかの事例では、バルクガラスをほとんど加熱せずにガラス層間の界面を迅速に加熱することがさらに望ましい。

本発明はガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの層を張り合わせる方法を含み、
ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの第１層を提供し、この第１層のガラス、ガラスセラミック、またはセラミックが、電磁放射線感応性である、または、その上に電磁放射線サセプタを配置して有するものである工程、
ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの第２層を第１層に積層する工程、および、
この積層物に電磁放射線を照射して第１および第２層を張り合わせる工程、
を含む。

ポリマー中間層を必要とすることなしに、この張り合わせ体は改良された高温性能、光学特性、および強度を保有し得る。有利なことに、本発明はさらにエネルギー消費を削減し、生産性を向上させることができる。

本発明の一実施の形態により照射される、水平に積層されたガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの層の２層積層物を示す図 本発明の一実施の形態により照射される、垂直に積層されたガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの層の２層積層物を示す図 本発明の一実施の形態により照射される、ガラス層の２層積層物を示す図 本発明の一実施の形態により照射される、ガラス層の３層積層物を示す図

本発明はガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの層を張り合わせる方法を含み、
ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの第１層を提供し、この第１層のガラス、ガラスセラミック、またはセラミックが、電磁放射線感応性である、または、その上に電磁放射線サセプタを配置して有するものである工程、
ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの第２層を第１層に積層する工程、および、
この積層物に電磁放射線を照射して第１および第２層を張り合わせる工程、
を含む。

本発明の一実施の形態において、第１層のガラス、ガラスセラミック、またはセラミックは、その組成により電磁放射線感応性である。この実施形態では、ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックが電磁放射線を吸収し、少なくともその層の界面を軟化させて張り合わせ体を形成する。電磁放射線感応性であるガラス、ガラスセラミック、およびセラミックの例として、照射中の誘電正接tanδが０．０２以上のもの、例えば、０．１以上のもの、あるいは１．０以上のものが挙げられる。

誘電損失角の正接、tanδは、誘電損失を材料の誘電率で割ったものに等しい。従って、誘電損失はtanδに比例する。電磁放射線感応性であるガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの誘電損失は、照射する周波数範囲に亘って高いことが好ましい。吸収されたエネルギーの少なくとも一部は熱に変換され、第１層の、第２層の、または両方の層のガラス、ガラスセラミック、またはセラミックを軟化させて張り合わせを引き起こす。種々の材料のtanδ値は、文献、例えばA.R. Von Hippel著、Dielectric Materials and Applications（John Wiley & Sons, NY (1995)）から入手することができる。

一実施の形態において、第１層はガラスである。アルカリ含有ガラス、特にリチウムまたはナトリウムを含むアルカリ含有ガラスや、極めて分極性の高い陽イオンや陰イオンを含むガラスが電磁放射線感応性である。混合イオンのガラスも考えられるが、あまり好ましくない。電場中で分極する分極性陽イオンおよび陰イオンとして、チタン酸バリウム、ハロゲン陰イオン、酸素負イオン、および、例えば銀、アルミニウム、マグネシウム、ロジウム陽イオンのような金属陽イオン、などの化合物が挙げられる。過アルカリガラスや比較的低水準のアルカリ土類陽イオンを含むガラスなどの弱い構造のガラスも電磁放射線感応性である。

別の実施形態において、第１層はガラスセラミックである。ガラスセラミックはガラスの失透を制御して製造され、ガラス残余と２０〜９８ｖｏｌ％の結晶相を含み得る。ガラスセラミックは高強度であるため特に適している。ガラスセラミックには、霞石（例えば、ナトリウムアルミノケイ酸塩）やルチル（例えば、ＴｉＯ₂）相などの極めて放射線感応性が高い結晶相を含み得るという利点がある。さらに別の実施形態において、第１層はセラミックである。セラミックの一例としては、コージライトが挙げられる。

電磁放射線感応性であることに加え、または電磁放射線感応性であることの代替として、第１層のガラス、ガラスセラミック、またはセラミックは、その上に電磁放射線サセプタを配置して有してもよい。この実施形態では、電磁放射線サセプタが電磁放射線を吸収し、それにより熱を生成して、２層の界面で少なくとも１つの層を軟化しまたはその軟化を増大させて２つの層を接合する。

一実施の形態において、第１層のガラス、ガラスセラミック、またはセラミックは電磁放射線感応性であり、かつその上に電磁放射線サセプタを配置して有していない。別の実施形態において、第１層のガラス、ガラスセラミック、またはセラミックは電磁放射線感応性でないが、その上に電磁放射線サセプタを配置して有している。別の実施形態では、第１層のガラス、ガラスセラミック、またはセラミックは電磁放射線感応性であり、さらにその上に電磁放射線サセプタを配置して有している。

電磁放射線サセプタの例としては、照射中の誘電正接tanδが０．０５以上のもの、例えば、０．０５から１００のもの、例えば０．０５から５０、または５０から１００のものが挙げられる。放射線サセプタは、例えば、積層物中で第１層のガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの表面に配置されてガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの第２層と接している、連続的または非連続的な層でもよい。サセプタ層は、ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの層に噴射したものでもよいし、その中に拡散したものでもよく、イオン交換されたものでもよいし、そうでなければその上に配置したものでもよい。

放射線サセプタの具体例としては、酸化スズ、アンチモン酸化スズ、酸化亜鉛、カーボンナノチューブ、アルカリまたはアルカリ土類金属、チタニアが挙げられ、さらに、導電性金属、半導体、および、高濃度のイオン空孔を有するガラス、を含む誘電体が挙げられる。用途によって、サセプタは、透明なものから実質的に不透明なものにまで及ぶ。

本発明の方法は、第１層にガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの第２層を積層する工程を含む。第２層のガラス、ガラスセラミック、およびセラミックの例としては、第１層に対して上述したものが含まれる。第１層、第２層、または両方の層はシート状でもよい。各シートは、例えば、実質的に同じ厚さを有したものでもよい。第１層に第２層を積層する工程には、任意の手法により各層の表面を互いに接触させる工程が含まれる。このため積層する工程には、各層の表面を水平に配置して一方の層が他方の層の上になるように層を積層する工程と、各層の表面を垂直に配置して互いに隣接するように層を積層する工程が含まれる。図１Ａは、各層の表面を水平に配置した状態での第１層（１）の第２層（８）への積層を示している。図１Ｂは、各層の表面を垂直に配置した状態での第１層（１）の第２層（８）への積層を示している。層を積層する工程には、固定されている第２層に第１層を接触させる工程や、固定されている第１層に第２層を接触させる工程も含まれる。

一実施の形態において、ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの第２層は電磁放射線感応性であるか、またはその上に電磁放射線サセプタを配置して有している。電磁放射線サセプタの例としては、第１層に対して上述したものが含まれる。この実施形態では、ガラス、ガラスセラミック、またはセラミック、および／またはサセプタが電磁放射線を吸収し、その２層の界面で少なくとも第２層を軟化させて張り合わせ体を形成する。これは第１層の軟化と同時に行われてもよい。別の実施形態において、ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの第２層は電磁放射線感応性でなく、かつ電磁放射線サセプタをその上に配置して有していない。この実施形態では、第１層のガラス、ガラスセラミック、またはセラミックのみが軟化してもよいし、または、第２層のガラス、ガラスセラミック、またはセラミックが、第１層、または第１層上に配置されたサセプタ、から熱を吸収したときに軟化してもよい。

一実施の形態において、第２層はガラスである。別の実施形態において、第２層はガラスセラミックである。さらに別の実施形態において、第２層はセラミックである。ある実施形態では第１および第２層の両方がガラスであり、他の実施形態では第１および第２層の両方がガラスセラミックであり、またそれ以外の実施形態では第１および第２層の両方がセラミックである。これ以外の実施形態では、一方の層がガラスであり他方の層がガラスセラミックまたはセラミックである。さらに別の実施形態では、一方の層がガラスセラミックであり他方の層がガラスまたはセラミックである。従って、本発明は、例えばシリカ、ソーダ石灰、パイレックス（登録商標）、スピネルガラスセラミック、β石英ガラスセラミック、コージライトガラス、ＬＣＤ型ガラス、サファイア、透明フリット、および国際公開第２００３／０３７８１２号パンフレットに開示されているような加水分解された表面を有するガラスを含む、幅広い種類のガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの張り合わせに適用できる。

本発明の方法は、第１および第２層の積層物を電磁放射線で照射して第１および第２層を張り合わせる工程を含む。一実施の形態では、３ＭＨｚから３００ＧＨｚ、例えば２０ＧＨｚから３００ＧＨｚ、または２８ＧＨｚから２００ＧＨｚ、あるいは８０ＧＨｚから２００ＧＨｚの周波数の電磁放射線をこの積層物に照射する。この電磁照射にはマイクロ波および高周波の照射が含まれる。一実施の形態では、ジャイロトロンを用いて積層物を照射する。ジャイロトロンによれば、従来のマイクロ波源よりもマイクロ波放射線の方向および制御を正確なものとすることができる。

積層物への照射は、例えば、第１および第２層の界面のみに向けられたものでもよい。例えば、エネルギーを積層物の片側から他方へと進む直線として導入してもよいし、その表面全体に亘ってラスターされる（rastered）点または容積として導入してもよいし、そのエネルギーは空洞または前室内に含有された事実上マルチモードまたはシングルモードのものでもよいし、またはそのエネルギーは集束されて層を通って層間の界面および領域に導入されるものでもよい。さらに、本発明の一実施の形態は、積層物の全体積を照射する工程を含む。

必要に応じて、積層物を照射中に押圧および／または真空吸引してもよい。押圧および真空吸引により、張り合わせガラスの光学的および機械的欠陥を減少させることができる。方向性のある圧力を加えることにより、所望の残留応力分布、例えば、内部張力／外部圧縮もまた得ることができる。照射中、積層物に対して少なくとも１３ｋＰａ、例えば少なくとも１ＭＰａの圧力を加えて照射を行ってもよいし、または照射中、積層物に対して２５０ｍｍＨｇ（３３．３３ｋＰａ）よりも低い、例えば１００ｍＨｇ（１３．３３ｋＰａ）よりも低い真空を適用して照射を行ってもよい。

層の接合を促進させるために、すなわち例えば、ガラス、ガラスセラミック、またはセラミック、あるいは電磁放射線サセプタの誘電正接tanδを増加させて照射時のより効果的な接合を可能とするために、照射前および／または照射中に従来の技術を用いて、この層状構造を必要に応じて加熱してもよい。tanδは温度と共に増加することが多いため、層状構造の穏やかな加熱でエネルギー吸収は著しく増加し得る。ガラスの軟化点より高い温度で加熱すると、典型的にtanδは劇的に増加する。加熱および放射は従来の加熱技術を用いたハイブリッド熱源で成すことができ、随時電磁放射線を適用している間バルク材を加熱することができる。

積層物の張り合わせは任意の適切な装置の内部で行ってもよい。一実施の形態において、この装置は炉を備え、出入口に真空封止を有する真空チャンバ、チャンバから空気を吸引するためにこのチャンバに接続された真空ポンプ、および入口封止から出口封止へとガラスシートを搬送し、かつチャンバ内で張り合わされるシートを熱処理用に配置する貫通コンベア、を必要に応じて含んでいる。接合するための熱は、シートを接合するためにガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの積層物の選択領域に亘って電磁放射線の分布を制御することができるデバイスにより、チャンバ内に供給することができる。シートを真空チャンバの中および外へと移動させるために、入口および出口の真空封止それぞれに対して、引込みおよび送出しのブリッジコンベアを提供してもよい。

張り合わされた積層物の第１または第２層に対し、上述と同様の技術を用いてさらに層を張り合わせてもよい。層は連続して接合してもよく、あるいは複数の層を同時に接合することもできる。同時に接合することができる層の数は、採用した照射波長や層状構造の光学特性、例えば、層間反射に依存する。横切るエネルギー、および軸方向の結合エネルギーの両方を、層にエネルギーを分布させるために、また接合を促進させるために用いることができる。

本発明の方法によれば、２層間にポリマー中間層を用いることなく、第２層に第１層を直接張り合わせることができる。しかしながら、本発明の方法は、第１および第２層を張り合わせて一緒にするために用いられるものであれば、この２層の一方または両方の他の面上に、ポリマー中間層を使用するような従来の技術により、あらかじめ他の材料が張り合わされていてもよい。

実施例１： ポリマー中間層を用いない、１つのＩＴＯサセプタ被覆スライドガラスの直接別のスライドガラスとの電磁エネルギー支援接合
片面が酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）で被覆されたスライドガラス（４）（Delta Technology製：ＣＧ−９０ＩＮ−Ｓ１１５、研磨フロートガラス、２５×７５×１．１ｍｍ、ＳｉＯ₂不動態化かつＩＴＯ被覆、Ｒｓ＝７０〜１００オーム、切断エッジ）と、１つの従来のスライドガラス（２）：コーニング２９４７、マイクロスライド（Micro Slide）、２５×７５×１．１ｍｍ、を図２に示すように一緒に積層した。ＩＴＯ膜（６）を電磁エネルギーのサセプタとして用いた。サンプルアセンブリを溝付き繊維板絶縁体ブロック：Ｒａｔｈ ＫＶＳ １２４ボード内に設置した。サンプル上面を別の繊維板絶縁体ブロックで覆った。繊維板アセンブリをマイクロ波オーブン（パナソニック、ＮＮ−Ｔ７９０ＳＡＦ、マルチモード、最大出力１３００Ｗ）内に１００％パワーで持続時間を変化させて設置した。

この積層物を３つの異なる暴露時間の間、２．４５ＧＨｚ、１３００Ｗのマルチモードマイクロ波エネルギーに暴露した。第１の事例では、サンプルをマイクロ波場に４５秒間暴露した。ガラスアセンブリは接合せず、冷却中に亀裂が生じた。第２の事例では、サンプルをマイクロ波場に６０秒間暴露した。サンプルはその中央部で部分的に接合し（全表面積の〜２５％）、冷却中に亀裂が生じた。第３の事例では、サンプルをマイクロ波場に９０秒間暴露した。ガラスアセンブリは接合し、上面および底面は絶縁体の構造パターンを有した。このことはサンプルが軟化点に達したことを示し、亀裂はなかった。この処理後の温度管理（遅い冷却速度）によって亀裂は減少した。

実施例２： ポリマー中間層を用いない、片面がＩＴＯサセプタで被覆された２つのスライドガラス間に挟まれたスライドガラスの電磁エネルギー支援接合
１つの従来のスライドガラス（２）を２つのＩＴＯ被覆スライドガラス（４）（Delta Technology製：ＣＧ−９０ＩＮ−Ｓ１１５、研磨フロートガラス、２５×７５×１．１ｍｍ、ＳｉＯ₂不動態化かつＩＴＯ被覆、Ｒｓ＝７０〜１００オーム、切断エッジ）間に挟持させた。この積層物を図３に示す。ＩＴＯ膜（６）を電磁エネルギーのサセプタとして用いた。２つのＩＴＯ被覆面は挟持されている従来のスライドガラス方向に向けた。

この積層物に２．４５ＧＨｚ、１３００Ｗのマルチモードマイクロ波エネルギーを照射し、１２０秒間暴露した。ガラスアセンブリは接合し、上面および底面は絶縁体の構造パターンを有した。このことはサンプルが軟化点に達したことを示し、亀裂はなかった。この処理後の温度管理（遅い冷却速度）によって亀裂は減少した。

比較例： ポリウレタン中間層を用いた、一方がＩＴＯサセプタで被覆された２つのスライドガラスの電磁エネルギー支援接合
スライドガラスの片面を酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）で被覆した（Delta Technology製：ＣＧ−６１ＩＮ−Ｓ１１５、研磨フロートガラス、２５×７５×１．１ｍｍ、ＳｉＯ₂不動態化かつＩＴＯ被覆、Ｒｓ＝１５〜２５オーム、切断エッジ）。このＩＴＯ膜を電磁エネルギーのサセプタとして用いた。１０×２８×０．６７ｍｍ厚のポリウレタン片（Deerfield、Ａ４７００）を、従来のスライドガラス：コーニング２９４７、マイクロスライド（Micro Slide）、２５×７５×１．１ｍｍと、ＩＴＯで被覆されているスライドとの間に挟持し、被覆面は挟持されているポリウレタンシート方向に向けた。

サンプルアセンブリを溝付き繊維板絶縁体ブロック：Ｒａｔｈ ＫＶＳ １２４ボード内に設置した。サンプル上面を別の繊維板絶縁体ブロックで覆った。繊維板アセンブリをマイクロ波オーブン（パナソニック、ＮＮ−Ｔ７９０ＳＡＦ、マルチモード、最大出力１３００Ｗ）内に設置し、３つの異なる持続時間で、サンプルを２．４５ＧＨｚ、６５０Ｗのマルチモードマイクロ波エネルギーに５０％パワーで暴露した。

第１の事例では、サンプルをマイクロ波場に２０秒間暴露し、５秒間中断し、２０秒間再開し、もう一度５秒間中断し、そして２０秒間再開した。サンプルにガラスの亀裂はなく、小さな気泡がポリウレタン片周辺に認められた。第２の事例では、サンプルをマイクロ波場に３０秒間暴露し、５秒間中断し、さらに３０秒間再開した。サンプルに２つのエッジ亀裂が生じ、また閉じ込められた気泡が多く認められた。燃焼した茶色いポリウレタン材料がスライドガラスから流出しているのが見られた。第３の事例では、サンプルをマイクロ波場に６０秒間暴露し、運転を停止した。サンプルに多くのエッジ亀裂が生じ、また閉じ込められた気泡が多く認められた。燃焼した茶色いポリウレタン材料がスライドガラスから流出しているのが見られた。

本発明の範囲内において、多くの改変および変形が可能である。このため、以下の請求項の範囲内において、本発明は具体的に記述したもの以外の手法でも実施できることを理解されたい。本発明については、ここまで特定の好ましい実施形態に関して説明してきたが、本発明のさまざまな変形、改変、および追加例が通常の当業者には明らかになるであろう。このような全ての変形、改変、および追加例は、ここに添付される請求項の範囲内に包含されると意図されている。

１ 第１層
２ 従来のスライドガラス
４ ＩＴＯ被覆スライドガラス
６ ＩＴＯ膜
８ 第２層

Claims (10)

1. ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの層を張り合わせる方法であって、
   ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの第１層を提供し、該第１層のガラス、ガラスセラミック、またはセラミックが、電磁放射線感応性である、または、その上に電磁放射線サセプタを配置して有するものである工程、
   ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの第２層を前記第１層に積層する工程、および、
   該積層物に電磁放射線を照射して前記第１および第２層を張り合わせる工程、
   を含むことを特徴とする方法。
2. 前記第１層の前記ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックが、電磁放射線感応性であることを特徴とする請求項１記載の方法。
3. 前記第１層の前記ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの照射中の誘電正接tanδが、０．０２以上であることを特徴とする請求項２記載の方法。
4. 前記第１層の前記ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックが、その上に電磁放射線サセプタを配置して有していることを特徴とする請求項１記載の方法。
5. 前記サセプタの照射中の誘電正接tanδが、０．０５以上であることを特徴とする請求項４記載の方法。
6. 前記サセプタが、前記積層物中で前記第１層の前記ガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの表面上に配置され、かつガラス、ガラスセラミック、またはセラミックの前記第２層と接しているサセプタ層であることを特徴とする請求項４記載の方法。
7. 前記サセプタ層が、酸化インジウムスズ、アンチモン酸化スズ、酸化亜鉛、カーボンナノチューブ、アルカリまたはアルカリ土類金属、またはチタニアを含むことを特徴とする請求項６記載の方法。
8. 前記積層物に３ＭＨｚから３００ＧＨｚの周波数の電磁放射線を照射する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
9. 照射中に、前記積層物に少なくとも１３ｋＰａの圧力を加える工程を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
10. 照射中に、前記積層物に２５０ｍｍＨｇ（約３３．３３ｋＰａ）よりも低い真空を適用する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。

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