JP2011254026A - Method of producing composite and composite - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of producing a composite having highly reliable fine wiring of small arithmetic average roughness (Ra) and vias formed in a resin layer of the composite, and to provide the composite.SOLUTION: The method of producing a composite having a resin layer and a conductor layer includes (A) a step for preparing the resin layer on a substrate, (B) a step for forming a resist layer on the resin layer, (C) a step for forming a groove in a surface of the resin layer by irradiating the surface of the resin layer with a laser beam through the resist layer, (D) a step for forming a conductor on the surface of the resin layer, and (E) a step for peeling the resist layer.

Description

本発明は、複合体の製造方法及び複合体に関するものである。   The present invention relates to a method for producing a composite and a composite.

近年、電子機器の高機能化、軽量化、小型化、薄型化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、高密度実装化が進んでいる。これらの電子機器に使用されるプリント配線板の回路配線は高密度化する傾向にあり、ビルドアップした多層配線構造が採用されている。   In recent years, with the demand for higher functionality, lighter weight, smaller size, and thinner electronic devices, high-density integration and high-density mounting of electronic components are progressing. Circuit wiring of printed wiring boards used in these electronic devices tends to have a higher density, and a built-up multilayer wiring structure is employed.

樹脂層を介して回路配線層間を接続する方法として、例えば樹脂層に層間接続用のビアを形成する方法がある(例えば、特許文献1参照)。ビアを形成するには、炭酸ガスレーザー、YAGレーザー、エキシマレーザー等のレーザーを樹脂層に照射し開口後、導電性樹脂の充填やめっきによって回路配線層間を接続する。この場合、樹脂層中の無機充填材の影響や樹脂のレーザー波長の吸収性から、ビア内部の樹脂面の凹凸が大きくなるためビアを形成する際の精度に問題があり、20μm以下のビアを形成するのが難しかった。   As a method of connecting circuit wiring layers through a resin layer, for example, there is a method of forming an interlayer connection via in the resin layer (see, for example, Patent Document 1). In order to form a via, a laser such as a carbon dioxide laser, a YAG laser, or an excimer laser is irradiated on the resin layer, and after opening, the circuit wiring layers are connected by filling with conductive resin or plating. In this case, due to the influence of the inorganic filler in the resin layer and the absorption of the laser wavelength of the resin, the unevenness of the resin surface inside the via increases, so there is a problem in the accuracy when forming the via. It was difficult to form.

また、回路配線パターンを形成する方法として、一般的には銅箔をエッチングする手法(サブトラクティブ法)がある。サブトラクティブ法で形成される回路厚みは、使用する銅箔の厚みで規定されるという特徴があり、回路幅の精度は、エッチング液の反応特性及び使用するエッチング装置の能力に依存する。そのため、サブトラクティブ法は、極薄金属箔を用いる一部の用途を除くと、一般的には高密度化に不向きとされている。   Further, as a method of forming a circuit wiring pattern, there is generally a method (subtractive method) of etching a copper foil. The circuit thickness formed by the subtractive method is characterized by the thickness of the copper foil to be used, and the accuracy of the circuit width depends on the reaction characteristics of the etching solution and the ability of the etching apparatus to be used. For this reason, the subtractive method is generally not suitable for increasing the density, except for some applications using ultrathin metal foils.

一方、ビルドアップ基板や多層配線板の製造に一般的に適用されている工法にセミアディティブ法がある。この工法では、樹脂表面をデスミア処理して表面を粗化し、パラジウム触媒を利用した無電解銅めっき層を表面に形成し、さらに該銅めっき層上に感光性レジストを形成して、露光・現像などのプロセスを経由してパターニングを行った後、電解銅めっきで回路パターンを形成し、最後にレジストを剥離し無電解銅めっき層をクイックエッチングで除去して微細配線を形成する方法である(例えば、特許文献2参照)。この方法で微細配線を形成する場合、レジストの露光・現像精度や配線間のパラジウム触媒残渣によるめっき異常析出などの問題があり、回路幅/回路間幅(L/S)が10μm/10μm以下で微細配線を形成することは困難である。   On the other hand, there is a semi-additive method as a method generally applied to the manufacture of build-up substrates and multilayer wiring boards. In this method, the resin surface is desmeared to roughen the surface, an electroless copper plating layer using a palladium catalyst is formed on the surface, a photosensitive resist is formed on the copper plating layer, and exposure / development is performed. After patterning through a process such as the above, a circuit pattern is formed by electrolytic copper plating, and finally the resist is peeled off and the electroless copper plating layer is removed by quick etching to form a fine wiring ( For example, see Patent Document 2). When fine wiring is formed by this method, there are problems such as exposure / development accuracy of resist and abnormal plating deposition due to palladium catalyst residue between wiring, and the circuit width / inter-circuit width (L / S) is 10 μm / 10 μm or less. It is difficult to form fine wiring.

また、サブトラクティブ法、及び、セミアディティブ法では樹脂層表面に凸型の配線が形成される。ビルドアップ基板や多層配線板においては、この後の工程に樹脂層を積層する工程が含まれるが、樹脂組成によっては樹脂の埋め込み性の問題が生じる。特に回路幅/回路間幅(L/S)が10μm/10μm以下の微細配線領域では、樹脂の埋め込み性が悪くなると絶縁信頼性を確保するのが困難となる。   In the subtractive method and the semi-additive method, convex wiring is formed on the surface of the resin layer. In a build-up board or a multilayer wiring board, a process of laminating a resin layer is included in the subsequent process, but depending on the resin composition, a problem of resin embedding occurs. In particular, in a fine wiring region having a circuit width / inter-circuit width (L / S) of 10 μm / 10 μm or less, it becomes difficult to ensure insulation reliability when the resin embedding property deteriorates.

また、スクライブやプラズマなどによって樹脂層に溝を形成し、樹脂表面をデスミア処理して表面を粗化し、パラジウム触媒を利用した無電解銅めっき層を表面に形成後、電解銅めっきで導体を形成し、最後に溝部分以外の導体めっきをエッチングで除去して回路を形成する方法がある(例えば、特許文献3、4参照)。この場合、樹脂層の溝側壁面の凹凸が大きくため溝を形成する際の精度に問題があり、回路幅/回路間幅(L/S)が10μm/10μm以下の微細配線を形成するのが難しかった。   Also, grooves are formed in the resin layer by scribing or plasma, the resin surface is desmeared to roughen the surface, an electroless copper plating layer using a palladium catalyst is formed on the surface, and then a conductor is formed by electrolytic copper plating Finally, there is a method of forming a circuit by removing conductor plating other than the groove portion by etching (see, for example, Patent Documents 3 and 4). In this case, since the unevenness of the groove side wall surface of the resin layer is large, there is a problem in accuracy in forming the groove, and it is necessary to form fine wiring having a circuit width / inter-circuit width (L / S) of 10 μm / 10 μm or less. was difficult.

特開2008−274210号公報JP 2008-274210 A 特開平8−64930号公報JP-A-8-64930 特開平10−4253号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-4253 特開2006−41029号公報JP 2006-41029 A

本発明は、複合体の樹脂層に形成された高信頼性、算術平均粗さ(Ra)が小さい微細配線及びビアを有する複合体の製造方法及び複合体を提供するものである。   The present invention provides a method for producing a composite and a composite having fine wiring and vias formed on a resin layer of the composite and having high reliability and small arithmetic average roughness (Ra).

このような目的は、下記[1]〜[8]に記載の本発明により達成される。
[1]樹脂層と導体層とを含む複合体を製造する方法であって、
(A)基板上に樹脂層を準備する工程と、
(B)樹脂層上にレジスト層を形成する工程と、
(C)レジスト層を介してレーザー光を照射することによって樹脂層表面に溝を形成する工程と、
(D)前記樹脂層表面に導体回路を形成する工程と、
(E)レジスト層を剥離する工程と、
を含むことを特徴とする複合体の製造方法。
[2]前記工程(D)は、無電解めっきにより導体回路を形成する工程である[1]に記載の複合体の製造方法。
[3]前記工程(D)または前記工程(E)の後に、さらに(F)電解めっきにより導体回路を形成する工程を含むことを特徴とする[1]または[2]に記載の複合体の製造方法。
[4]前記工程(D)、前記工程(E)または前記工程(F)の後に、さらに(G)クイックエッチングをする工程を含む[1]ないし[3]のいずれか一に記載の複合体の製造方法。
[5]前記工程(C)と前記工程(D)との間に、プラズマ又は薬液によってデスミア処理する工程を含む[1]ないし[4]のいずれか一に記載の複合体の製造方法。
[6]前記レーザー光は、エキシマレーザーまたはYAGレーザーである[1]ないし[5]のいずれかに一に記載の複合体の製造方法。
[7]前記レジスト層がドライフィルムを前記樹脂層上にラミネートにより重ね合わせ、露光することによって形成する[1]ないし[6]のいずれか一に記載の複合体の製造方法。
[8] [1]ないし[7]のいずれか一に記載の製造方法で作製された複合体。
Such an object is achieved by the present invention described in the following [1] to [8].
[1] A method for producing a composite comprising a resin layer and a conductor layer,
(A) preparing a resin layer on the substrate;
(B) forming a resist layer on the resin layer;
(C) forming a groove on the resin layer surface by irradiating a laser beam through the resist layer;
(D) forming a conductor circuit on the resin layer surface;
(E) peeling the resist layer;
The manufacturing method of the composite_body | complex characterized by including.
[2] The method for producing a composite according to [1], wherein the step (D) is a step of forming a conductor circuit by electroless plating.
[3] The composite according to [1] or [2], further comprising (F) a step of forming a conductor circuit by electrolytic plating after the step (D) or the step (E). Production method.
[4] The composite according to any one of [1] to [3], further including (G) a quick etching step after the step (D), the step (E) or the step (F). Manufacturing method.
[5] The method for producing a complex according to any one of [1] to [4], including a step of performing desmear treatment with plasma or a chemical solution between the step (C) and the step (D).
[6] The method for producing a complex according to any one of [1] to [5], wherein the laser beam is an excimer laser or a YAG laser.
[7] The method for producing a composite according to any one of [1] to [6], wherein the resist layer is formed by laminating a dry film on the resin layer by lamination and exposing.
[8] A composite produced by the production method according to any one of [1] to [7].

本発明に従うと、複合体の樹脂層に形成された高信頼性、算術平均粗さ(Ra)が小さい微細配線及びビアを有する複合体を得ることができる。   According to the present invention, it is possible to obtain a composite having fine wiring and vias with high reliability and small arithmetic average roughness (Ra) formed in the resin layer of the composite.

本発明に係る樹脂層と導体層とを含む複合体において、溝を形成し導体層を形成することで微細配線を製造する方法の一例について示した模式図である。It is the schematic diagram shown about the example of the method of manufacturing a fine wiring by forming a groove | channel and forming a conductor layer in the composite_body | complex containing the resin layer and conductor layer which concern on this invention. 本発明に係る樹脂層と導体層とを含む複合体において、ビアを製造する方法の一例について示した模式図である。It is the schematic diagram shown about an example of the method of manufacturing a via | veer in the composite_body | complex containing the resin layer and conductor layer which concern on this invention.

本発明の複合体の製造方法は、樹脂層と導体層とを含む複合体を製造する方法であって、(A)基板上に樹脂層を準備する工程と、(B)樹脂層上にレジスト層を形成する工程と、(C)レジスト層を介してレーザー光を照射することによって樹脂層にビア及び/または樹脂層表面に溝を形成する工程と、(D)前記樹脂層表面に導体を形成する工程と、(E)レジスト層を剥離する工程と、を含むことを特徴とする。これにより、工程(D)のあとにエッチング液によって導体の一部を除去し、樹脂層のビア及び/または前記樹脂層表面の溝部分のみに導体層を形成する工程や処理時間を大幅に省略することができ、また、複合体の樹脂層に形成された高密度、高信頼性、高周波対応の微細配線及びビアを有する複合体を得ることができる。以下に本発明の複合体の製造方法及び複合体について詳細に説明する。   The manufacturing method of the composite of the present invention is a method of manufacturing a composite including a resin layer and a conductor layer, and includes (A) a step of preparing a resin layer on a substrate, and (B) a resist on the resin layer. Forming a layer; (C) forming a via and / or a groove in the resin layer surface by irradiating a laser beam through the resist layer; and (D) providing a conductor on the resin layer surface. And (E) a step of peeling the resist layer. As a result, after the step (D), a part of the conductor is removed with an etching solution, and the process and the processing time for forming the conductor layer only in the via of the resin layer and / or the groove portion on the surface of the resin layer are largely omitted. In addition, it is possible to obtain a composite having high density, high reliability, high frequency compatible fine wiring and vias formed in the resin layer of the composite. The production method and composite of the composite of the present invention will be described in detail below.

まず、本発明の複合体の製造方法について、図を用いて説明する。図1、2は、本発明に係る樹脂層と導体層とを含む複合体を製造する方法の一例について示した模式図である。本発明の複合体の製造方法は、樹脂層2と導体層91とを含む複合体の製造方法であって、(A)コア基板1上に樹脂層2を準備し、(B)樹脂層2上にレジスト層10を形成する工程と、(C)レジスト層10を介してレーザー光3を照射することによって樹脂層2の表面に溝60を形成する工程(図1(a)、(b)、及び/または樹脂層2にビア61を形成する工程(図2(a)、(b)))と、(D)樹脂層2の表面に導体90を形成する工程と(図1(c)、(d)、図2(c)、(d))、(E)レジスト層10を剥離する工程(図1(e)、図2(e))と、を含むものとすることができる。   First, the manufacturing method of the composite_body | complex of this invention is demonstrated using figures. 1 and 2 are schematic views showing an example of a method for producing a composite including a resin layer and a conductor layer according to the present invention. The method for producing a composite according to the present invention is a method for producing a composite including a resin layer 2 and a conductor layer 91. (A) A resin layer 2 is prepared on a core substrate 1, and (B) a resin layer 2 is prepared. A step of forming a resist layer 10 thereon, and a step (C) of forming a groove 60 on the surface of the resin layer 2 by irradiating the laser beam 3 through the resist layer 10 (FIGS. 1A and 1B). And / or a step of forming a via 61 in the resin layer 2 (FIGS. 2A and 2B), and a step of forming a conductor 90 on the surface of the resin layer 2 (FIG. 1C). , (D), FIG. 2 (c), (d)), and (E) a step of removing the resist layer 10 (FIG. 1 (e), FIG. 2 (e)).

工程(A)では、レジスト層10として、ドライフィルムをラミネートによって樹脂層2の表面にレジスト層10を形成し露光する方法、液状レジストを樹脂層2に塗布し露光する方法などが挙げられる。これらを用いることによって、レーザー光の吸収率が良好であるため効果的にレーザー光での加工性が向上し、また樹脂層2からの剥離性を向上することができる。 In the step (A), examples of the resist layer 10 include a method of forming a resist layer 10 on the surface of the resin layer 2 by laminating a dry film and exposing, a method of applying a liquid resist to the resin layer 2 and exposing, and the like. By using these, since the absorption rate of the laser beam is good, the processability with the laser beam is effectively improved, and the peelability from the resin layer 2 can be improved.

工程(C)では、レーザー光3がエキシマレーザー又はYAGレーザーであることが好ましい。これらのレーザーを使用することにより、精度・形状がよく、微細なビアや溝の形成が可能となる。特に限定はされないが、エキシマレーザーのレーザー波長は、193nm、248nm、308nmであることがより好ましく、193nm、248nmであることが特に好ましい。これにより、精度・形状がよく、微細なビアや溝の形成ができる作用を効果的に発現させることができる。YAGレーザーの波長は355nmであることが好ましい。他の波長では樹脂層2を構成する樹脂組成物やレジスト層10がレーザー光3を吸収せず、ビアや溝が形成できない可能性がある。レーザー光3はマスク4を介してレジスト層10及び樹脂層2に照射される。   In the step (C), the laser beam 3 is preferably an excimer laser or a YAG laser. By using these lasers, it is possible to form fine vias and grooves with good accuracy and shape. Although not particularly limited, the laser wavelength of the excimer laser is more preferably 193 nm, 248 nm, and 308 nm, and particularly preferably 193 nm and 248 nm. Thereby, the precision and shape are good, and the effect | action which can form a fine via | veer and a groove | channel can be expressed effectively. The wavelength of the YAG laser is preferably 355 nm. At other wavelengths, the resin composition constituting the resin layer 2 or the resist layer 10 may not absorb the laser light 3 and a via or groove may not be formed. The laser beam 3 is applied to the resist layer 10 and the resin layer 2 through the mask 4.

本発明の複合体の製造方法では、工程(C)と工程(D)の間に、プラズマ又は薬液によってデスミアする工程を含むことが好ましい。これにより、レーザー光3によるビア61や溝60の形成時に、ビア61や溝60の側壁面に残留した炭化物を除き、電気信頼性の高いビア形成が可能となる。   In the manufacturing method of the composite_body | complex of this invention, it is preferable to include the process of desmearing with a plasma or a chemical | medical solution between a process (C) and a process (D). As a result, when the via 61 or the groove 60 is formed by the laser light 3, it is possible to form a via with high electrical reliability except for the carbide remaining on the side wall surface of the via 61 or the groove 60.

特に限定されないが、プラズマによるデスミアは、窒素プラズマ、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ、四フッ化メタンプラズマ、もしくはこれらの混合ガスのプラズマを使用することができる。また、プラズマの処理条件としては、プラズマ工程後の樹脂層2の表面の算術平均粗さ(Ra)が、0.05μm以上、0.25μm以下となる条件であり、同時に、ビア61や溝60の側壁面の残留した炭化物を十分に除ききる条件であることが好ましい。これにより、絶縁信頼性が高く、信号応答性に優れたビアや溝形成が可能となる。1GHzを超える高周波数領域において、その表皮効果による伝送損失を低減でき、さらにビアや溝内のめっき付き不良や層間接続不良を低減することができる。また、特に限定はされないが、プラズマ条件をプラズマ工程後の算術平均粗さ(Ra)が、0.05μm以上、0.20μm以下となる条件とするのがより好ましく、0.05μm以上、0.15μm以下となる条件とするのが特に好ましい。これにより、絶縁信頼性や信号応答性を高め、伝送損失を低減し、さらにビアや溝内のめっき付き不良や層間接続不良を低減することができる作用を効果的に発現させることができる。   The plasma desmear is not particularly limited, and nitrogen plasma, oxygen plasma, argon plasma, tetrafluoromethane plasma, or a mixed gas plasma thereof can be used. Further, the plasma processing conditions are such that the arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the resin layer 2 after the plasma process is 0.05 μm or more and 0.25 μm or less, and at the same time, the via 61 and the groove 60. It is preferable that the conditions are sufficient to completely remove the remaining carbide on the side wall surface. This makes it possible to form vias and grooves with high insulation reliability and excellent signal response. In a high frequency region exceeding 1 GHz, transmission loss due to the skin effect can be reduced, and further, defective plating with vias and grooves and interlayer connection failures can be reduced. Although not particularly limited, it is more preferable that the plasma conditions be such that the arithmetic average roughness (Ra) after the plasma step is 0.05 μm or more and 0.20 μm or less. It is particularly preferable that the conditions be 15 μm or less. Thereby, insulation reliability and signal responsiveness can be improved, transmission loss can be reduced, and an effect that can reduce plating defects and interlayer connection defects in vias and grooves can be effectively exhibited.

特に限定されないが、薬液によるデスミアは、過マンガン酸塩、重クロム酸等を使用することができる。また、デスミアの処理条件としては、デスミア工程後の樹脂層2の表面の算術平均粗さ(Ra)が、0.05μm以上、0.25μm以下となる条件であり、同時に、ビア61や溝60の側壁面の残留した炭化物を十分に除ききる条件であることが好ましい。これにより、絶縁信頼性が高く、信号応答性、さらにビアや溝内のめっき付き不良や層間接続不良を低減に優れたビアや溝形成が可能となる。1GHzを超える高周波数領域において、その表皮効果による伝送損失を低減できる。また、特に限定はされないが、デスミア条件をデスミア工程後の算術平均粗さ(Ra)が、0.05μm以上、0.20μm以下となる条件とするのがより好ましく、0.05μm以上、0.15μm以下となる条件とするのが特に好ましい。これにより、絶縁信頼性や信号応答性を高め、伝送損失を低減し、さらにビアや溝内のめっき付き不良や層間接続不良を低減する作用を効果的に発現させることができる。   Although it does not specifically limit, permanganate, dichromic acid, etc. can be used for the desmear by a chemical | medical solution. Further, the desmear treatment conditions are such that the arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the resin layer 2 after the desmear process is 0.05 μm or more and 0.25 μm or less. It is preferable that the conditions are sufficient to completely remove the remaining carbide on the side wall surface. This makes it possible to form vias and grooves with high insulation reliability, excellent signal responsiveness, and excellent reduction in plating defects and interlayer connection defects in vias and grooves. In a high frequency region exceeding 1 GHz, transmission loss due to the skin effect can be reduced. Although not particularly limited, it is more preferable that the desmear condition is such that the arithmetic average roughness (Ra) after the desmear process is 0.05 μm or more and 0.20 μm or less. It is particularly preferable that the conditions be 15 μm or less. Thereby, insulation reliability and signal responsiveness can be improved, transmission loss can be reduced, and the effect of reducing plating defects and interlayer connection defects in vias and grooves can be effectively exhibited.

プラズマ又は薬液によるデスミア工程が不十分で炭化物がビアや溝の側壁面に残留した場合、複合体の絶縁信頼性が低下する恐れがある。プラズマ又は薬液によるデスミア工程が過度となると、導体層91と接するビアや溝内の樹脂層2の表面の算術平均粗さ(Ra)が粗くなり、導体層91の表面凹凸により、表皮効果による配線の信号応答性が悪化したり、また、ビアや溝内のめっき付き不良や層間接続不良が発生する恐れがある。   If the desmear process with plasma or chemicals is insufficient and carbides remain on the side walls of the vias and grooves, the insulation reliability of the composite may be reduced. If the desmear process with plasma or chemical solution is excessive, the arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the resin layer 2 in the vias and grooves that are in contact with the conductor layer 91 becomes rough. Signal responsiveness may deteriorate, plating defects in vias and grooves, and interlayer connection failures may occur.

本発明の工程(D)では、樹脂層2をプラズマ又は薬液によってデスミアする工程後、樹脂層2の表面に導体を形成する。導体を形成するには、イオンプレーティングや薬液によるめっき層を形成する方法があるが、薬液を用いる場合には、少なくとも無電解めっきによってめっき層を形成する。   In the step (D) of the present invention, a conductor is formed on the surface of the resin layer 2 after the step of desmearing the resin layer 2 with plasma or a chemical solution. In order to form a conductor, there is a method of forming a plating layer by ion plating or a chemical solution. When using a chemical solution, the plating layer is formed at least by electroless plating.

本発明の工程(D)では、樹脂層2の表面に導体を形成する方法の一例として、無電解めっきによって、樹脂層2の表面に無電解めっき層7を形成する。 In the step (D) of the present invention, as an example of a method for forming a conductor on the surface of the resin layer 2, the electroless plating layer 7 is formed on the surface of the resin layer 2 by electroless plating.

無電解めっき層7の金属の種類は、特に限定されないが、銅やニッケル等が好ましい。これらの金属では樹脂層2と無電解めっき層7の密着が良好である。無電解めっき層7の厚さも特に限定されないが、0.1〜5μm程度とすることが好ましい。さらに無電解めっき後に、熱風乾燥装置にて150℃〜200℃で10分〜120分の熱処理を行うことにより、樹脂層2と無電解めっき層7との密着をより良好にすることができる。   The type of metal of the electroless plating layer 7 is not particularly limited, but copper, nickel and the like are preferable. With these metals, the adhesion between the resin layer 2 and the electroless plating layer 7 is good. The thickness of the electroless plating layer 7 is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to 5 μm. Furthermore, the adhesion between the resin layer 2 and the electroless plating layer 7 can be improved by performing a heat treatment at 150 ° C. to 200 ° C. for 10 minutes to 120 minutes after the electroless plating.

工程(E)では、レジスト層10を剥離する。これにより、ビア61や溝60のみに選択的に導体を残すことができ、過剰のエッチング液の使用や、作業効率を大幅に改善することができる。レジスト層10を配置せずにめっきを行った場合、ビア61や溝60以外の樹脂層2の表面にも導体が形成されるため、ビア61や溝60以外の樹脂層2の表面を露出させるための過剰エッチングが必要となる。   In the step (E), the resist layer 10 is peeled off. As a result, the conductor can be selectively left only in the via 61 and the groove 60, and the use of excess etching solution and work efficiency can be greatly improved. When plating is performed without arranging the resist layer 10, a conductor is also formed on the surface of the resin layer 2 other than the via 61 and the groove 60, so that the surface of the resin layer 2 other than the via 61 and the groove 60 is exposed. For this reason, excessive etching is required.

本発明の複合体の製造方法では、工程(D)または工程(E)の後に、電解めっきでさらに電解めっき層80を形成する工程(F)を含むことが好ましい。この工程ではレーザー光3により形成されたビア61や溝60を電解めっき層80で埋めることができる。工程(F)によって無電解めっき層7上に電解めっき層80が形成され、無電解めっき層70と電解めっき層80からなる導体90が形成される。   In the manufacturing method of the composite_body | complex of this invention, it is preferable to include the process (F) which forms the electroplating layer 80 further by electrolytic plating after a process (D) or a process (E). In this step, the via 61 and the groove 60 formed by the laser beam 3 can be filled with the electrolytic plating layer 80. In the step (F), the electrolytic plating layer 80 is formed on the electroless plating layer 7, and the conductor 90 composed of the electroless plating layer 70 and the electrolytic plating layer 80 is formed.

電解めっきには硫酸銅電解めっきが使用できる。また、特に限定されないが、めっき液中にはレベラー剤、ポリマー、ブライトナー剤等の添加剤が含まれることが好ましい。これにより、樹脂層2に形成されたビア61やビア60に対して優先的にめっきが析出し電解めっき層80で埋められる。電解めっき層の厚みは、特に限定されないが、樹脂層2の表面から5〜25μm程度とするのが好ましい。これにより、ビア61を介して導体層間を接続できたり、溝60に微細配線を形成することができる。 For the electrolytic plating, copper sulfate electrolytic plating can be used. Moreover, although not specifically limited, it is preferable that additives, such as a leveler agent, a polymer, and a brightener agent, are contained in a plating solution. Accordingly, plating is preferentially deposited on the via 61 and the via 60 formed in the resin layer 2 and is filled with the electrolytic plating layer 80. The thickness of the electrolytic plating layer is not particularly limited, but is preferably about 5 to 25 μm from the surface of the resin layer 2. As a result, the conductor layers can be connected via the vias 61, and fine wiring can be formed in the grooves 60.

本発明の製造方法は、工程(D)、工程(E)、または工程(F)の後に、クイックエッチングをする工程(G)を含むことが好ましい。これにより、樹脂層2とレジスト層10の界面に染み込んだめっき液によって形成された微量の導体90の一部を除去することができるため、高密度、高信頼性、高周波対応の微細配線及びビアを形成することができる。通常、エッチング工程では、エッチング速度の速い薬液を使用するため、エッチング処理時間を短くすることができる反面、微細な回路作製や均一で平坦なエッチングが困難であるが、クイックエッチングでは、エッチング速度の遅い薬液を使用するため、微細な回路作製や、均一で平坦なエッチングが容易となる。工程(G)によって無電解めっき層71と電解めっき層81によって形成された導体層91が形成される。   It is preferable that the manufacturing method of this invention includes the process (G) which performs quick etching after a process (D), a process (E), or a process (F). Thereby, a part of a small amount of the conductor 90 formed by the plating solution soaked into the interface between the resin layer 2 and the resist layer 10 can be removed, so that fine wiring and vias for high density, high reliability, and high frequency can be used. Can be formed. Usually, in the etching process, a chemical solution having a high etching rate is used, so that the etching processing time can be shortened. On the other hand, it is difficult to produce a fine circuit or to perform uniform and flat etching. Since a slow chemical solution is used, fine circuit fabrication and uniform and flat etching are facilitated. The conductor layer 91 formed by the electroless plating layer 71 and the electrolytic plating layer 81 is formed by the step (G).

本発明の製造方法は、工程(D)、工程(E)、工程(F)または工程(G)の後に、樹脂層2及び導体層91の上に別の樹脂層を形成する工程(H)を含むことができる。この場合、導体層91の表面をCZ処理や黒化処理によって粗化することが好ましい。これにより導体層91と別の樹脂層との密着強度が高まり耐熱性が向上する。   In the production method of the present invention, the step (H) of forming another resin layer on the resin layer 2 and the conductor layer 91 after the step (D), the step (E), the step (F) or the step (G). Can be included. In this case, it is preferable to roughen the surface of the conductor layer 91 by CZ treatment or blackening treatment. Thereby, the adhesive strength between the conductor layer 91 and another resin layer is increased, and the heat resistance is improved.

樹脂層2及び導体層91の上に別の樹脂層を形成することで、複合体の配線となる各導体層が樹脂層で覆われビア間の絶縁性が確保される。特に限定はされないが、樹脂層2及び導体層91の上に別の樹脂層を形成する手法としては、真空加圧式ラミネーター装置、平板プレス装置等を用いる方法が挙げられる。   By forming another resin layer on the resin layer 2 and the conductor layer 91, each conductor layer serving as the wiring of the composite is covered with the resin layer, and insulation between the vias is ensured. Although not particularly limited, examples of a method for forming another resin layer on the resin layer 2 and the conductor layer 91 include a method using a vacuum pressure laminator device, a flat plate press device, and the like.

こうして、工程(A)、(B)、(C)、(D)、(E)、(F)、(G)、(H)を繰り返すことで電気信頼性、信号応答性、ビアや溝内のめっき付き性や層間接続性に優れた多層の複合体を作製することが可能である。   Thus, by repeating steps (A), (B), (C), (D), (E), (F), (G), (H), electrical reliability, signal responsiveness, vias and grooves It is possible to produce a multilayer composite having excellent plating properties and interlayer connectivity.

次に、本発明の複合体について説明する。本発明の複合体は、樹脂層と導体層とを含む。複合体としては例えば、ウェハー表面に形成された樹脂層と導体層、金属基板上に形成された樹脂層と導体層、プリント配線板上に形成された樹脂層(例えばビルドアップ層)と導体層等が挙げられる。   Next, the composite of the present invention will be described. The composite of the present invention includes a resin layer and a conductor layer. Examples of the composite include a resin layer and a conductor layer formed on the wafer surface, a resin layer and a conductor layer formed on a metal substrate, and a resin layer (for example, a build-up layer) and a conductor layer formed on a printed wiring board. Etc.

本発明の複合体の樹脂層には、ビアが形成される。ビアの直径は1μm以上、25μmであることが好ましい。これにより、複合体の高密度化、高実装化、微細配線化が可能となる。また、特に限定はされないが、ビアの直径は、20μm以下が好ましく、さらに、18μm以下であることが好ましく、さらには15μm以下であることが特に好ましい。これにより、高密度化、高実装化、微細配線化の作用を効果的に発現させることができる。 Vias are formed in the resin layer of the composite of the present invention. The diameter of the via is preferably 1 μm or more and 25 μm. Thereby, it is possible to increase the density of the composite, increase the mounting, and make the fine wiring. Further, although not particularly limited, the diameter of the via is preferably 20 μm or less, more preferably 18 μm or less, and particularly preferably 15 μm or less. Thereby, the effect | action of high density, high mounting, and fine wiring can be expressed effectively.

ビアの直径が上記下限値未満であると、レーザー光で樹脂層にビアを形成できない箇所や接続不良が生じたり、めっき液の循環が悪化してめっきによる導体の形成ができなくなる場合があり、回路配線層間を接続できなくなるおそれがある。また、半田耐熱試験、冷熱サイクル試験等において、ビアの導体と樹脂との界面で剥離が生じるおそれがある。また、上記上限値を超えると、レーザー光でビアを形成した際のビア形状がいびつになったり(真円度の悪化)、樹脂にクラックが入るおそれや、樹脂に熱が加わり過ぎることでビア間の絶縁信頼性が低下するおそれがある。また、複合体の高密度化、高実装化、微細配線化が困難になる。 If the diameter of the via is less than the above lower limit value, a location where a via cannot be formed in the resin layer with a laser beam or a connection failure may occur, or the circulation of the plating solution may deteriorate and the formation of a conductor by plating may not be possible. There is a possibility that the circuit wiring layers cannot be connected. Further, in a solder heat test, a thermal cycle test, etc., there is a possibility that peeling occurs at the interface between the via conductor and the resin. Also, if the upper limit is exceeded, the via shape when the via is formed with laser light becomes distorted (decrease in roundness), cracks may occur in the resin, and the heat is excessively applied to the resin. Insulation reliability may be reduced. In addition, it is difficult to increase the density of the composite, increase the mounting, and make fine wiring.

本発明の複合体は、少なくともビア内部の樹脂表面の算術平均粗さ(Ra)が、0.05μm以上、0.25μm以下であることが好ましい。これにより、ビアの樹脂表面の凹凸が小さくなり、1GHzを超える高周波数領域において、その表皮効果による伝送損失を低減でき、またビア内のめっき付き不良や層間接続不良を低減することができる。また、特に限定はされないが、算術平均粗さ(Ra)は、0.05μm以上、0.2μm以下であることがより好ましく、0.05μm以上、0.15μm以下であることが特に好ましい。これにより高周波数領域における伝送損失の低減や、ビア内のめっき付き不良や層間接続不良を低減する作用を効果的に発現させることができる。   In the composite of the present invention, it is preferable that at least the arithmetic average roughness (Ra) of the resin surface inside the via is 0.05 μm or more and 0.25 μm or less. Thereby, the unevenness of the resin surface of the via is reduced, and transmission loss due to the skin effect can be reduced in a high frequency region exceeding 1 GHz, and plating defects and interlayer connection failures in the via can be reduced. Although not particularly limited, the arithmetic average roughness (Ra) is more preferably 0.05 μm or more and 0.2 μm or less, and particularly preferably 0.05 μm or more and 0.15 μm or less. As a result, it is possible to effectively exhibit the effects of reducing transmission loss in the high frequency region and reducing plating defects and interlayer connection defects in vias.

ビア内部の樹脂表面の算術平均粗さ(Ra)が上記下限値未満であると、半田耐熱試験、冷熱サイクル試験等において、ビアの導体と樹脂との界面で剥離が生じるおそれがあり、上記上限値を超えると、高速信号伝達に支障をきたし電気信頼性を害するおそれがあり、またビア内のめっき付き不良や層間接続不良を生じるおそれがある。   If the arithmetic average roughness (Ra) of the resin surface inside the via is less than the above lower limit value, peeling may occur at the interface between the via conductor and the resin in a solder heat resistance test, a thermal cycle test, etc. If the value is exceeded, high-speed signal transmission may be hindered, electrical reliability may be impaired, and plating defects in the vias or interlayer connection failures may occur.

本発明の複合体の微細配線を形成する溝部分における導体層の最大幅が1μm以上、10μm以下であることが好ましい。これにより、複合体の高密度化、高実装化が可能になる。また、特に限定はされないが、溝部分における導体層の最大幅は、8μm以下であることがより好ましく、6μm以下であることがさらに好ましく、4μm以下であることが特に好ましい。これにより高密度化、高実装化の作用を効果的に発現させることができる。   It is preferable that the maximum width of the conductor layer in the groove portion forming the fine wiring of the composite of the present invention is 1 μm or more and 10 μm or less. This makes it possible to increase the density and mount of the composite. Although not particularly limited, the maximum width of the conductor layer in the groove portion is more preferably 8 μm or less, further preferably 6 μm or less, and particularly preferably 4 μm or less. As a result, the effects of higher density and higher mounting can be effectively expressed.

溝部分における導体層の最大幅が上記下限値未満であると、レーザー光で樹脂層に溝を形成できない箇所が生じたり、めっきによる導体層が形成できなくなったりする場合があり、導体層が断線するおそれがある。また、半田耐熱試験、冷熱サイクル試験等において、導体層の剥離が生じるおそれがある。また、上記上限値を超えると、レーザー光で溝を形成する時間がかかるため作業性が低下する。また、複合体の高密度化、高実装化、微細配線化が困難になる。   If the maximum width of the conductor layer in the groove portion is less than the above lower limit value, there may be a place where the groove cannot be formed in the resin layer with laser light, or the conductor layer may not be formed by plating, and the conductor layer is disconnected. There is a risk. Moreover, there is a possibility that the conductor layer may be peeled off in a solder heat test, a cooling / heating cycle test, or the like. Moreover, when it exceeds the said upper limit, since it takes time to form a groove | channel with a laser beam, workability | operativity will fall. In addition, it is difficult to increase the density of the composite, increase the mounting, and make fine wiring.

本発明の複合体は、少なくとも導体層と接する溝内部の樹脂層表面の算術平均粗さ(Ra)が、0.05μm以上、0.25μm以下であることが好ましい。これにより、導体層の表面凹凸が小さくなり、1GHzを超える高周波数領域において、その表皮効果による伝送損失を低減や溝内部のめっき付き不良や導体層の接続不良を低減することができる。また、特に限定はされないが、算術平均粗さ(Ra)は、0.05μm以上、0.2μm以下であることがより好ましく、0.05μm以上、0.15μm以下であることが特に好ましい。これにより高周波数領域における伝送損失の低減や、溝内部のめっき付き不良や導体層の接続不良を低減する作用を効果的に発現させることができる。   The composite of the present invention preferably has an arithmetic average roughness (Ra) of at least the surface of the resin layer in the groove in contact with the conductor layer of 0.05 μm or more and 0.25 μm or less. Thereby, the surface unevenness | corrugation of a conductor layer becomes small and can reduce the transmission loss by the skin effect in the high frequency area | region exceeding 1 GHz, the poor plating with a groove | channel inside, and the poor connection of a conductor layer. Although not particularly limited, the arithmetic average roughness (Ra) is more preferably 0.05 μm or more and 0.2 μm or less, and particularly preferably 0.05 μm or more and 0.15 μm or less. As a result, the effect of reducing transmission loss in the high frequency region, reducing plating defects inside the groove, and poor connection of the conductor layer can be effectively expressed.

導体層と接する溝内部の樹脂層表面の算術平均粗さ(Ra)が上記下限値未満であると、半田耐熱試験、冷熱サイクル試験等において、導体層の剥離が生じるおそれがあり、上記上限値を超えると、高速信号伝達に支障をきたし、電気信頼性を害するおそれや、溝内部のめっき付き不良や導体層の接続不良を生じるおそれがある。   If the arithmetic average roughness (Ra) of the resin layer surface inside the groove in contact with the conductor layer is less than the lower limit, the conductor layer may be peeled off in the solder heat resistance test, the cooling cycle test, etc. Exceeding this may hinder high-speed signal transmission, may impair electrical reliability, and may cause defective plating inside the groove and poor connection of the conductor layer.

算術平均粗さ(Ra)は、JIS B0601で定義されているものである。樹脂層に形成された溝表面の算術平均粗さ(Ra)の測定は、JIS B0651に準じて行うことができ、例えばVeeco社製WYKO NT1100を用いて測定することもできる。   The arithmetic average roughness (Ra) is defined by JIS B0601. The arithmetic mean roughness (Ra) of the groove surface formed in the resin layer can be measured according to JIS B0651, and for example, it can be measured using WYKO NT1100 manufactured by Veeco.

次に、樹脂層に用いられる樹脂組成物について説明する。樹脂層を構成する樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成されていることが好ましい。これにより、樹脂層の耐熱性を向上させることができる。 Next, the resin composition used for the resin layer will be described. It is preferable that the resin composition which comprises a resin layer is comprised with the resin composition containing a thermosetting resin. Thereby, the heat resistance of the resin layer can be improved.

熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールAエポキシ樹脂、ビスフェノールFエポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア(尿素)樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、トリアジン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、シアネート樹脂等が挙げられる。これらの中でも、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂およびベンゾシクロブテン樹脂の中から選ばれる1種以上の樹脂が好ましく、特にシアネート樹脂が好ましい。これにより、樹脂層の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、樹脂層の電気特性(低誘電率、低誘電正接)、機機械強度、レーザー加工性、特にエキシマレーザーやYAGレーザー加工性等にも優れる。 Examples of thermosetting resins include novolak type phenolic resins such as phenol novolak resin, cresol novolak resin, bisphenol A novolak resin, unmodified resol phenol resin, oil-modified resol phenol resin modified with tung oil, linseed oil, walnut oil, and the like. Phenol resin such as resol type phenol resin, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol Z type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin Bisphenol epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, cresol novolac epoxy resin novolac epoxy resin, biphenyl epoxy resin, bif Nylaralkyl type epoxy resin, aryl alkylene type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, phenoxy type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, norbornene type epoxy resin, adamantane type epoxy resin, fluorene type epoxy resin, etc. Resin having triazine ring such as epoxy resin, urea (urea) resin, melamine resin, unsaturated polyester resin, bismaleimide resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyurethane resin, diallyl phthalate resin, silicone resin, benzoxazine ring Examples thereof include resins, triazine resins, benzocyclobutene resins, and cyanate resins. Among these, one or more resins selected from epoxy resins, phenol resins, cyanate resins, and benzocyclobutene resins are preferable, and cyanate resins are particularly preferable. Thereby, the thermal expansion coefficient of the resin layer can be reduced. Furthermore, the resin layer is excellent in electrical characteristics (low dielectric constant, low dielectric loss tangent), mechanical strength, laser workability, particularly excimer laser and YAG laser workability.

シアネート樹脂としては、具体的にはノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂、ナフトールアラルキル型シアネート樹脂、ビフェニルアラルキル型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。ノボラック型シアネート樹脂は、樹脂層の熱膨張係数を小さくすることができ、樹脂層の機機械強度、電気特性(低誘電率、低誘電正接)にも優れる。また、ナフトールアラルキル型シアネート樹脂、ビフェニルアラルキル型シアネート樹脂も低線膨張、低吸水性、機械強度に優れるため好ましく使うことができる。   Specific examples of the cyanate resin include novolak type cyanate resin, bisphenol A type cyanate resin, bisphenol E type cyanate resin, tetramethylbisphenol F type cyanate resin and the like, bisphenol type cyanate resins, naphthol aralkyl type cyanate resins, and biphenyl aralkyl type cyanate. Examples thereof include resins. Among these, novolac type cyanate resin is preferable. The novolac-type cyanate resin can reduce the thermal expansion coefficient of the resin layer, and is excellent in mechanical and mechanical strength and electrical characteristics (low dielectric constant, low dielectric loss tangent) of the resin layer. Naphthol aralkyl-type cyanate resins and biphenyl aralkyl-type cyanate resins can also be preferably used because they are excellent in low linear expansion, low water absorption, and mechanical strength.

シアネート樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量500〜4,500が好ましく、特に600〜3,000が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると樹脂層を構成する硬化物の機械的強度が低下する場合があり、さらに樹脂層を作製した場合にタック性が生じ、樹脂の転写が生じたりする場合がある。また、重量平均分子量が前記上現値を超えると硬化反応が速くなり、基板(特に回路基板)とした場合に、成形不良が生じたり、層間ピール強度が低下したりする場合がある。尚、シアネート樹脂等の重量平均分子量は、例えばGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質:ポリスチレン換算)で測定することができる。   The weight average molecular weight of the cyanate resin is not particularly limited, but a weight average molecular weight of 500 to 4,500 is preferable, and 600 to 3,000 is particularly preferable. When the weight average molecular weight is less than the lower limit, the mechanical strength of the cured product constituting the resin layer may be reduced. Further, when the resin layer is produced, tackiness may occur and transfer of the resin may occur. There is. In addition, when the weight average molecular weight exceeds the above-described actual value, the curing reaction is accelerated, and when a substrate (particularly, a circuit substrate) is formed, molding defects may occur or the interlayer peel strength may be reduced. In addition, weight average molecular weights, such as cyanate resin, can be measured by GPC (gel permeation chromatography, standard substance: polystyrene conversion), for example.

また、特に限定されないが、シアネート樹脂はその誘導体も含め、1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。   Further, although not particularly limited, cyanate resins including derivatives thereof can be used alone, or two or more having different weight average molecular weights can be used in combination, or one or two or more thereof. A prepolymer can also be used in combination.

上記熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の5〜50重量%が好ましく、特に10〜40重量%が好ましい。含有量が下限値未満であると樹脂層を形成するのが困難となる場合があり、上限値を超えると樹脂層の強度が低下する場合がある。   Although content of the said thermosetting resin is not specifically limited, 5 to 50 weight% of the whole resin composition is preferable, and 10 to 40 weight% is especially preferable. If the content is less than the lower limit, it may be difficult to form the resin layer, and if the content exceeds the upper limit, the strength of the resin layer may be reduced.

熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂(特にノボラック型シアネート樹脂)を用いる場合は、エポキシ樹脂(実質的にハロゲン原子を含まない)を併用することが好ましい。   When a cyanate resin (especially a novolac-type cyanate resin) is used as the thermosetting resin, it is preferable to use an epoxy resin (substantially free of halogen atoms) in combination.

上記エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂として、これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。   Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol Z type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, and bisphenol M type epoxy resin. Bisphenol type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, novolac type epoxy resin such as cresol novolac epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, xylylene type epoxy resin, arylalkylene type epoxy resin such as biphenyl aralkyl type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, Naphthol aralkyl epoxy resin, anthracene epoxy resin, phenoxy epoxy resin, dicyclopentadiene epoxy resin, nor Runen type epoxy resins, adamantane type epoxy resins and fluorene type epoxy resins and the like. As the epoxy resin, one of these can be used alone, or two or more having different weight average molecular weights are used in combination, or one or two or more thereof and a prepolymer thereof are used in combination. You can also.

これらエポキシ樹脂の中でも特にアリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性および難燃性を向上させることができる。アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールアルキレン基を有するエポキシ樹脂をいう。例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。また、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂も低線膨張、低吸水性、機械強度に優れるため好ましく使うことができる。   Among these epoxy resins, aryl alkylene type epoxy resins are particularly preferable. Thereby, moisture absorption solder heat resistance and a flame retardance can be improved. The aryl alkylene type epoxy resin refers to an epoxy resin having one or more aryl alkylene groups in a repeating unit. For example, a xylylene type epoxy resin, a biphenyl dimethylene type epoxy resin, etc. are mentioned. Among these, a biphenyl dimethylene type epoxy resin is preferable. A naphthol aralkyl epoxy resin can also be preferably used because of its low linear expansion, low water absorption, and excellent mechanical strength.

エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の1〜55重量%が好ましく、特に5〜40重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとシアネート樹脂の反応性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したりする場合があり、前記上限値を超えると低熱膨張性、耐熱性が低下する場合がある。   Although content of an epoxy resin is not specifically limited, 1 to 55 weight% of the whole resin composition is preferable, and 5 to 40 weight% is especially preferable. If the content is less than the lower limit, the reactivity of the cyanate resin may decrease, or the moisture resistance of the resulting product may decrease. If the content exceeds the upper limit, the low thermal expansion and heat resistance will decrease. There is a case.

エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量500〜20,000が好ましく、特に800〜15,000が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると樹脂層の表面にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えると半田耐熱性が低下する場合がある。重量平均分子量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばGPCで測定することができる。   The weight average molecular weight of the epoxy resin is not particularly limited, but a weight average molecular weight of 500 to 20,000 is preferable, and 800 to 15,000 is particularly preferable. If the weight average molecular weight is less than the lower limit, tackiness may occur on the surface of the resin layer, and if it exceeds the upper limit, solder heat resistance may be reduced. By setting the weight average molecular weight within the above range, it is possible to achieve an excellent balance of these characteristics. The weight average molecular weight of an epoxy resin can be measured by GPC, for example.

本発明の複合体の樹脂層を構成する樹脂組成物は、無機充填材を含むことができる。樹脂層を構成する樹脂組成物中に含むことができる無機充填材の平均粒径としては、0.05μm以上、0.5μm以下であることが好ましい。これにより、絶縁信頼性が高く、信号応答性に優れた微細配線形成が可能となる。また、特に限定はされないが、無機充填材の平均粒径は0.05μm以上、0.45μm以下がより好ましく、0.05μm以上、0.40μm以下が特に好ましい。これにより絶縁信頼性、信号応答性、ビアや溝内のめっき付き性や層間接続信頼性を高める作用を効果的に発現させることができる。   The resin composition which comprises the resin layer of the composite_body | complex of this invention can contain an inorganic filler. The average particle size of the inorganic filler that can be included in the resin composition constituting the resin layer is preferably 0.05 μm or more and 0.5 μm or less. Thereby, it is possible to form a fine wiring with high insulation reliability and excellent signal response. Further, although not particularly limited, the average particle size of the inorganic filler is more preferably 0.05 μm or more and 0.45 μm or less, and particularly preferably 0.05 μm or more and 0.40 μm or less. Thereby, the effect | action which improves insulation reliability, signal responsiveness, the plating property in a via | veer and a groove | channel, and interlayer connection reliability can be expressed effectively.

無機充填材の平均粒子径の測定は、例えばレーザー回折散乱法により測定することができる。無機充填材を水中で超音波により分散させ、レーザー回折式粒度分布測定装置(HORIBA製、LA−500)により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒子径とすることで測定することができる。具体的には、無機充填材の平均粒子径はD50で規定される。   The average particle diameter of the inorganic filler can be measured, for example, by a laser diffraction scattering method. The inorganic filler is dispersed in water by ultrasonic waves, and the particle size distribution of the inorganic filler is created on a volume basis by a laser diffraction type particle size distribution measuring device (manufactured by HORIBA, LA-500). It can be measured by doing. Specifically, the average particle diameter of the inorganic filler is defined by D50.

樹脂層を構成する樹脂組成物中に含むことができる無機充填材の最大粒径としては、2.0μm以下であることが好ましい。これにより、絶縁信頼性が高く、信号応答性に優れた微細配線形成が可能となる。また、特に限定はされないが、無機充填材の最大粒径は1.8μm以下がより好ましく、1.5μm以下が特に好ましい。これにより絶縁信頼性、信号応答性、ビアや溝内のめっき付き性や層間接続信頼性を高める作用を効果的に発現させることができる。   The maximum particle size of the inorganic filler that can be included in the resin composition constituting the resin layer is preferably 2.0 μm or less. Thereby, it is possible to form a fine wiring with high insulation reliability and excellent signal response. Although not particularly limited, the maximum particle size of the inorganic filler is more preferably 1.8 μm or less, and particularly preferably 1.5 μm or less. Thereby, the effect | action which improves insulation reliability, signal responsiveness, the plating property in a via | veer and a groove | channel, and interlayer connection reliability can be expressed effectively.

樹脂層を構成する樹脂組成物中に含むことができる無機充填材の平均粒径が上記上限値を上回るか、もしくは無機充填材の最大粒径が上記上限値を上回ると、無機充填材がレーザー加工を阻害し、樹脂層に溝を形成できない箇所が生じたり、ビア形状がいびつになったり樹脂にクラックが入るおそれがあり、粗粒フィラーの脱落による絶縁信頼性やめっき付き性が低下するおそれがある。さらにはレーザー光でビアや溝を形成する時間が長くなるため、作業性が低下する可能性が生じる。また、レーザー加工後に溝側壁面に残留した無機充填材により、めっき後の導体層の表面凹凸が大きくなる。これにより、配線やビア形状の精度が悪くなり、高密度プリント配線板においては絶縁信頼性を害する場合がある。さらには1GHzを超える高周波数領域においては表皮効果により信号応答性を害する場合がある。   When the average particle size of the inorganic filler that can be included in the resin composition constituting the resin layer exceeds the above upper limit value, or when the maximum particle size of the inorganic filler exceeds the upper limit value, the inorganic filler becomes a laser. There is a risk that the processing may be hindered and there may be places where grooves cannot be formed in the resin layer, the via shape may become distorted, or cracks may occur in the resin, and the insulation reliability and plating performance may be reduced due to the drop of coarse filler. There is. Furthermore, since the time for forming vias and grooves with laser light becomes longer, workability may be reduced. Moreover, the surface unevenness | corrugation of the conductor layer after plating becomes large with the inorganic filler which remained on the groove | channel side wall surface after laser processing. As a result, the accuracy of the wiring and via shape deteriorates, and the insulation reliability may be impaired in a high-density printed wiring board. Furthermore, in a high frequency region exceeding 1 GHz, signal responsiveness may be impaired due to the skin effect.

樹脂層を構成する樹脂組成物中に含むことができる無機充填材の平均粒径が上記下限値未満となると、樹脂組成物の熱膨張係数・弾性率の物理的性質を低下させ、半導体素子搭載時の実装信頼性を害するおそれがあり、また樹脂組成物中の無機充填材の分散性の低下や、凝集の発生が生じたり、樹脂組成物のBステージ状態における柔軟性の低下による樹脂フィルム化が困難になるおそれがある。   When the average particle size of the inorganic filler that can be included in the resin composition constituting the resin layer is less than the above lower limit, the physical properties of the thermal expansion coefficient and elastic modulus of the resin composition are lowered, and the semiconductor element mounting There is a possibility that the mounting reliability at the time may be harmed, and the resin film is formed by a decrease in the dispersibility of the inorganic filler in the resin composition, the occurrence of aggregation, or a decrease in the flexibility of the resin composition in the B-stage state. May become difficult.

樹脂層を構成する樹脂組成物中に含むことができる無機充填材としては、特に限定はされないが、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ベーマイト、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。無機充填材として、これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用したりすることもできる。これらの中でも特に、低熱膨張性、難燃性、及び弾性率に優れる点から、シリカが好ましく、溶融シリカがより好ましい。これらの中でもその形状は球状シリカが好ましい。   The inorganic filler that can be included in the resin composition constituting the resin layer is not particularly limited. For example, silicates such as talc, fired clay, unfired clay, mica, glass, titanium oxide, alumina, Oxides such as silica and fused silica, carbonates such as calcium carbonate, magnesium carbonate and hydrotalcite, hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, boehmite and calcium hydroxide, barium sulfate, calcium sulfate and calcium sulfite Sulfates or sulfites such as zinc borate, barium metaborate, borate such as aluminum borate, calcium borate, sodium borate, nitrides such as aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride, carbon nitride, titanium Examples thereof include titanates such as strontium acid and barium titanate. As the inorganic filler, one of these can be used alone, or two or more can be used in combination. Among these, silica is preferable and fused silica is more preferable in terms of excellent low thermal expansion, flame retardancy, and elastic modulus. Among these, the shape is preferably spherical silica.

また、樹脂層を構成する樹脂組成物には、必要に応じて、製膜性樹脂、硬化促進剤、カップリング剤、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤等の上記成分以外の添加物を添加しても良い。 In addition, the resin composition constituting the resin layer includes, as necessary, a film-forming resin, a curing accelerator, a coupling agent, a pigment, a dye, an antifoaming agent, a leveling agent, an ultraviolet absorber, a foaming agent, an oxidation agent. You may add additives other than the said components, such as an inhibitor, a flame retardant, and an ion-trapping agent.

次に本発明の複合体に樹脂層を形成する方法について説明する。特に限定はされないが一例としてプリント配線板に樹脂層を形成させる方法について説明する。プリント配線板に樹脂層を形成させる方法としては特に限定されないが、例えば、樹脂層を構成する樹脂組成物を溶剤などに溶解、分散させて樹脂ワニスを調製して、各種コーター装置を用いて樹脂ワニスをキャリアフィルム等に塗工した後、これを乾燥する方法、スプレー装置を用いて、樹脂ワニスをキャリアフィルムに噴霧塗工した後、これを乾燥する方法等でキャリアフィルム付き樹脂シートを得る方法が挙げられる。これらの中でも、グラビアコーター、コンマコーター、ダイコーターなどの各種コーター装置を用いて、樹脂ワニスをキャリアフィルム等に塗工した後、これを乾燥する方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な樹脂層の厚みを有するキャリアフィルム付き樹脂シートを効率よく製造することができる。   Next, a method for forming a resin layer on the composite of the present invention will be described. Although not particularly limited, a method of forming a resin layer on a printed wiring board will be described as an example. The method for forming the resin layer on the printed wiring board is not particularly limited. For example, a resin varnish is prepared by dissolving and dispersing the resin composition constituting the resin layer in a solvent or the like, and using various coater devices A method of drying a varnish after applying it to a carrier film, etc., and a method of obtaining a resin sheet with a carrier film by spraying a resin varnish onto a carrier film using a spray device and then drying it. Is mentioned. Among these, it is preferable to apply a resin varnish to a carrier film or the like using various coater apparatuses such as a gravure coater, a comma coater, and a die coater and then dry the resin varnish. Thereby, the resin sheet with a carrier film which has no void and has a uniform thickness of the resin layer can be efficiently produced.

得られたキャリアフィルム付き樹脂シートを例えばラミネーター、真空プレス機などを用いて基板に熱圧着することで、樹脂層を形成することができる。また、基板に直接樹脂ワニスをコーティングすることでも樹脂層を形成することができる。プリント配線板以外にも、例えば、ウェハー上に樹脂層を形成する際についても、上記のようにキャリアフィルム付き樹脂シートを作製して熱圧着する方法や、樹脂ワニスをコーティングする方法により樹脂層を形成することができる。   A resin layer can be formed by thermocompression-bonding the obtained resin sheet with a carrier film to a substrate using, for example, a laminator or a vacuum press machine. The resin layer can also be formed by coating the substrate with a resin varnish directly. In addition to the printed wiring board, for example, when forming a resin layer on a wafer, the resin layer is formed by a method of producing a resin sheet with a carrier film and thermocompression bonding as described above, or a method of coating a resin varnish. Can be formed.

樹脂ワニスに用いられる溶媒は、樹脂組成物中の樹脂成分に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系等が挙げられる。上記樹脂ワニス中の固形分含有量としては特に限定されないが、30〜80重量%が好ましく、特に40〜70重量%が好ましい。   The solvent used in the resin varnish desirably exhibits good solubility in the resin component in the resin composition, but a poor solvent may be used within a range that does not adversely affect the resin varnish. Examples of the solvent exhibiting good solubility include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, cellosolve and carbitol. Although it does not specifically limit as solid content in the said resin varnish, 30 to 80 weight% is preferable and especially 40 to 70 weight% is preferable.

次に、本発明の複合体のビア形状について説明する。ビアの断面形状は略台形状であることが好ましい。これにより、信号応答性や接続信頼性、めっき付き性に優れたビアを形成することが可能となる。   Next, the via shape of the composite of the present invention will be described. The cross-sectional shape of the via is preferably substantially trapezoidal. This makes it possible to form vias with excellent signal response, connection reliability, and plating performance.

また、本発明の複合体の溝部分からなる導体層の断面形状は略台形状、蒲鉾状又は三角形であることが好ましい。これにより、信号応答性に優れた微細配線形成が可能となる。   Moreover, it is preferable that the cross-sectional shape of the conductor layer which consists of the groove part of the composite_body | complex of this invention is substantially trapezoid shape, bowl shape, or a triangle. As a result, it is possible to form fine wiring with excellent signal response.

以下、本発明を実施例及び比較例により説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。   Hereinafter, although an example and a comparative example explain the present invention, the present invention is not limited to this.

<実施例1>
ノボラック型シアネート樹脂(ロンザジャパン株式会社製、プリマセットPT−30、重量平均分子量約700)20重量部、メトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製、EXA−7320)35重量部、フェノキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製、jER4275)5重量部、イミダゾール化合物(四国化成工業株式社製、キュアゾール1B2PZ(1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール))0.2重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。無機充填材/球状溶融シリカ(電気化学工業株式会社製、SFP−20M)を積層型カートリッジフィルター(住友スリーエム株式会社製)を用いて最大粒子径2.0μmを上回る粒子を濾過分離し、平均粒子径が0.4μmとなった無機充填材/球状溶融シリカ40重量部を添加した。カップリング剤/エポキシシランカップリング剤(GE東芝シリコーン株式会社製、A−187)0.2重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて10分間攪拌して、固形分50重量%の樹脂ワニスを調製した。
<Example 1>
20 parts by weight of novolak-type cyanate resin (Lonza Japan Co., Ltd., Primaset PT-30, weight average molecular weight of about 700), 35 weights of methoxynaphthalenedi-methylene type epoxy resin (Dainippon Ink and Chemicals, EXA-7320) Parts, 5 parts by weight of a phenoxy resin (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., jER4275), 0.2 parts by weight of an imidazole compound (manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd., Curazole 1B2PZ (1-benzyl-2-phenylimidazole)) are dissolved in methyl ethyl ketone, Dispersed. An inorganic filler / spherical fused silica (SFP-20M, manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.) is filtered and separated using a laminated cartridge filter (manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), and particles having a maximum particle size of 2.0 μm are separated by filtration. 40 parts by weight of an inorganic filler / spherical fused silica having a diameter of 0.4 μm was added. A resin having a solid content of 50% by weight by adding 0.2 parts by weight of a coupling agent / epoxysilane coupling agent (GE-Toshiba Silicone Co., Ltd., A-187) and stirring for 10 minutes using a high-speed stirring device. A varnish was prepared.

上記で得られた樹脂ワニスを、厚さ38μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱樹脂株式会社製)の片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後の樹脂フィルムの厚さが20μmとなるように塗工し、これを160℃の乾燥装置で10分間乾燥して、キャリアフィルム付き樹脂シートを作製した。   The resin varnish obtained above was applied to one side of a 38 μm thick polyethylene terephthalate film (Mitsubishi Resin Co., Ltd.) using a comma coater so that the thickness of the resin film after drying would be 20 μm. And this was dried for 10 minutes with a 160 degreeC drying apparatus, and the resin sheet with a carrier film was produced.

このキャリアフィルム付き樹脂シートを両面導体層付きコア基板の表裏に重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度100℃、圧力1MPaにて真空加熱加圧成形させ、その後、熱風乾燥装置にて180℃で45分間加熱硬化行い樹脂層付き基板を得た。   This resin sheet with a carrier film is superimposed on the front and back of a core substrate with a double-sided conductor layer, and this is vacuum-heated and pressure-molded at a temperature of 100 ° C. and a pressure of 1 MPa using a vacuum-pressure laminator, and then dried with hot air The substrate was heat-cured at 180 ° C. for 45 minutes with an apparatus to obtain a substrate with a resin layer.

なお、両面導体層付きコア基板としては、下記のものを使用した。
・樹脂層:ハロゲンフリー、コア基板厚さ0.4mm
・導体層:銅箔厚み18μm、回路幅/回路間幅(L/S)=120/180μm、クリアランスホール1mmφ、3mmφ、スリット2mm
In addition, the following were used as a core substrate with a double-sided conductor layer.
・ Resin layer: Halogen free, core substrate thickness 0.4mm
Conductor layer: copper foil thickness 18 μm, circuit width / inter-circuit width (L / S) = 120/180 μm, clearance holes 1 mmφ, 3 mmφ, slit 2 mm

キャリアフィルムを剥離後、樹脂層表面にドライフィルム(旭化成製UFG−255)をロールラミネーターによりラミネートし、上記ドライフィルムを露光(平行光露光機:小野測器製EV−0800、露光条件:露光量140mJ、ホールドタイム15分)を行いレジスト層を形成した。   After peeling off the carrier film, a dry film (UFG-255 manufactured by Asahi Kasei) is laminated on the surface of the resin layer using a roll laminator, and the dry film is exposed (parallel light exposure machine: EV-0800 manufactured by Ono Sokki, exposure condition: exposure amount) 140 mJ, hold time 15 minutes) to form a resist layer.

(1)ビアの形成
193nm(ArF)の波長を有するエキシマレーザー(ビーム株式会社製、ATLEX−300SI)を用いて樹脂層付き基板の樹脂層に直径25μmのビアを0.1mm間隔で形成した。
加工条件は以下の通りに設定した。
マスク径:200μm
周波数:100Hz
エネルギー:100mJ/cm2
ショット数:90
(2)溝の形成
微細配線となる溝の形成には、同様に193nm(ArF)の波長を有するエキシマレーザー(ビーム株式会社製、ATLEX−300SI)を用いて樹脂層付き基板の樹脂層に幅10μm、長さ50μmの溝を形成し、これを繰り返すことで幅10μm、最小溝間幅10μmの溝を形成し、ビアと接続させた。
加工条件は以下の通りに設定した。
マスク:100μm×500μm
周波数:00Hz
エネルギー:500mJ/cm2
ショット数:80
(1) Formation of vias Vias having a diameter of 25 μm were formed on the resin layer of the substrate with a resin layer at intervals of 0.1 mm using an excimer laser (ATLEX-300SI, manufactured by Beam Co., Ltd.) having a wavelength of 193 nm (ArF).
The processing conditions were set as follows.
Mask diameter: 200 μm
Frequency: 100Hz
Energy: 100mJ / cm 2
Number of shots: 90
(2) Formation of groove To form a groove to be a fine wiring, similarly, an excimer laser having a wavelength of 193 nm (ArF) (ATLEX-300SI, manufactured by Beam Co., Ltd.) is used. A groove having a length of 10 μm and a length of 50 μm was formed. By repeating this, a groove having a width of 10 μm and a minimum inter-groove width of 10 μm was formed and connected to the via.
The processing conditions were set as follows.
Mask: 100 μm × 500 μm
Frequency: 00Hz
Energy: 500mJ / cm 2
Number of shots: 80

ビアと溝を形成した樹脂層付き基板をレジスト層付きのままで、60℃の膨潤液(アトテックジャパン株式会社製、スウェリングディップ セキュリガント P500)に10分間浸漬し、さらに80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン株式会社製、コンセントレート コンパクト CP)に20分浸漬後、中和してデスミア処理を行った。   The substrate with the resin layer in which the via and the groove are formed is left with the resist layer, and is immersed in a swelling liquid at 60 ° C. (Swelling Dip Securigant P500, manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) for 10 minutes, and further permanganic acid at 80 ° C. After dipping in a potassium aqueous solution (Atotech Japan Co., Ltd., Concentrate Compact CP) for 20 minutes, it was neutralized and desmeared.

次に、脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅めっき層約0.2μmを形成させた。   Next, after the steps of degreasing, applying a catalyst, and activating, an electroless copper plating layer of about 0.2 μm was formed.

次に、無電解銅めっき層を電極として電解銅めっき(奥野製薬工業株式会社製、トップルチナα)を3A/dmで行って、樹脂表層上の高さまで導体を形成した。 Next, electroless copper plating (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd., Top Lucina α) was performed at 3 A / dm 2 using the electroless copper plating layer as an electrode to form a conductor up to the height on the resin surface layer.

次に、レジスト層を剥離(剥離液:三菱ガス化学製R−100、剥離時間:240秒)後、ビア及び溝との際部分の樹脂表層に存在する導体をクイックエッチング処理(株式会社荏原電産社製 SACプロセス、エッチング速度約0.7μm/min、処理時間約4分)を行うことにより除去し、導体の形状を整えると共にビア及び微細配線間の絶縁を確保した。次に絶縁樹脂層を温度200℃、60分間で完全硬化させた。   Next, after stripping the resist layer (stripping solution: R-100, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., stripping time: 240 seconds), the conductor existing on the resin surface layer at the boundary between the via and the groove is subjected to a quick etching treatment (Kashihara Densha Co., Ltd.) SAC process manufactured by Sangyo Co., Ltd., etching rate of about 0.7 μm / min, processing time of about 4 minutes) was performed, the shape of the conductor was adjusted, and insulation between the via and the fine wiring was ensured. Next, the insulating resin layer was completely cured at a temperature of 200 ° C. for 60 minutes.

最後に回路表面にソルダーレジスト(太陽インキ製造株式会社製、PSR4000/AUS703)を形成し、4層プリント配線板を作製した。   Finally, a solder resist (manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd., PSR4000 / AUS703) was formed on the circuit surface to produce a four-layer printed wiring board.

<実施例2>
ビア形成時のマスク径を150μmにした以外は実施例1と同様にして4層プリント配線板を作製した。
<Example 2>
A four-layer printed wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that the mask diameter during via formation was 150 μm.

<実施例3>
ビア形成時のマスク径を100μmにした以外は実施例1と同様にして4層プリント配線板を作製した。
<Example 3>
A four-layer printed wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that the mask diameter during via formation was set to 100 μm.

<実施例4>
ビア形成時のマスク径を50μmにした以外は実施例1と同様にして4層プリント配線板を作製した。
<Example 4>
A four-layer printed wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that the mask diameter during via formation was 50 μm.

<実施例5>
248nm(KrF)の波長を有するエキシマレーザーを用いた以外は実施例1と同様にして4層プリント配線板を作製した。
<Example 5>
A four-layer printed wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that an excimer laser having a wavelength of 248 nm (KrF) was used.

<実施例6>
355nmの波長を有するYAGレーザー(日立ビアメカニクス株式会社製、LU−2G121/2C)を用いた以外は実施例1と同様にして4層プリント配線板を作製した。
<Example 6>
A four-layer printed wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that a YAG laser having a wavelength of 355 nm (LU-2G121 / 2C, manufactured by Hitachi Via Mechanics Co., Ltd.) was used.

<比較例1>
エポキシ樹脂系のビルドアップ材(味の素株式会社製、GX−13、充填材の最大粒子径2.5μm)を両面導体層付きコア基板の表裏に重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度100℃、圧力1MPaにて真空加熱加圧成形させ、キャリアフィルムを剥離後、熱風乾燥装置にて180℃で45分間加熱硬化行い樹脂層付き基板を得た。
<Comparative Example 1>
An epoxy resin buildup material (manufactured by Ajinomoto Co., Inc., GX-13, maximum particle diameter of filler 2.5 μm) is superimposed on the front and back of the core substrate with a double-sided conductor layer, and this is used with a vacuum pressure laminator device Then, vacuum heating and pressing were performed at a temperature of 100 ° C. and a pressure of 1 MPa, and the carrier film was peeled off.

なお、両面導体層付きコア基板としては、下記のものを使用した。
・樹脂層:ハロゲンフリー、コア基板厚さ0.4mm
・導体層:銅箔厚み18μm、回路幅/回路間幅(L/S)=120/180μm、クリアランスホール1mmφ、3mmφ、スリット2mm
In addition, the following were used as a core substrate with a double-sided conductor layer.
・ Resin layer: Halogen free, core substrate thickness 0.4mm
Conductor layer: copper foil thickness 18 μm, circuit width / inter-circuit width (L / S) = 120/180 μm, clearance holes 1 mmφ, 3 mmφ, slit 2 mm

(1)ビアの形成
193nm(ArF)の波長を有するエキシマレーザー(ビーム株式会社製、ATLEX−300SI)を用いて樹脂層付き基板の樹脂層に直径25μmのビアを0.1mm間隔で形成した。
加工条件は以下の通りに設定した。
マスク径:200μm
周波数:100Hz
エネルギー:100mJ/cm2
ショット数:90
(1) Formation of vias Vias having a diameter of 25 μm were formed on the resin layer of the substrate with a resin layer at intervals of 0.1 mm using an excimer laser (ATLEX-300SI, manufactured by Beam Co., Ltd.) having a wavelength of 193 nm (ArF).
The processing conditions were set as follows.
Mask diameter: 200 μm
Frequency: 100Hz
Energy: 100mJ / cm 2
Number of shots: 90

(2)溝の形成
微細配線となる溝の形成には、同様に193nm(ArF)の波長を有するエキシマレーザー(ビーム株式会社製、ATLEX−300SI)を用いて樹脂層付き基板の樹脂層に幅10μm、長さ50μmの溝を形成し、これを繰り返すことで幅10μm、最小溝間幅10μmの溝を形成し、ビアと接続させた。
加工条件は以下の通りに設定した。
マスク:100μm×500μm
周波数:100Hz
エネルギー:500mJ/cm2
ショット数:80
(2) Formation of groove To form a groove to be a fine wiring, similarly, an excimer laser having a wavelength of 193 nm (ArF) (ATLEX-300SI, manufactured by Beam Co., Ltd.) is used. A groove having a length of 10 μm and a length of 50 μm was formed. By repeating this, a groove having a width of 10 μm and a minimum inter-groove width of 10 μm was formed and connected to the via.
The processing conditions were set as follows.
Mask: 100 μm × 500 μm
Frequency: 100Hz
Energy: 500mJ / cm 2
Number of shots: 80

ビアと溝を形成した樹脂層付き基板を60℃の膨潤液(アトテックジャパン株式会社製、スウェリングディップ セキュリガント P500)に10分間浸漬し、さらに80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン株式会社製、コンセントレート コンパクト CP)に20分浸漬後、中和してデスミア処理を行った。   The substrate with a resin layer in which vias and grooves are formed is immersed in a swelling solution at 60 ° C. (Swelling Dip Securigant P500, manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) for 10 minutes, and further an aqueous potassium permanganate solution at 80 ° C. (Atotech Japan Co., Ltd.). Manufactured, manufactured by Concentrate Compact CP) for 20 minutes, neutralized and desmeared.

次に、脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅めっき層約0.2μmを形成させた。   Next, after the steps of degreasing, applying a catalyst, and activating, an electroless copper plating layer of about 0.2 μm was formed.

次に、無電解銅めっき層を電極として電解銅めっき(奥野製薬工業株式会社製、トップルチナα)を3A/dmで30分行って、樹脂表層での厚さが約30μmとなるように導体を形成した。 Next, electrolytic copper plating (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd., Top Lucina α) is performed at 3 A / dm 2 for 30 minutes using the electroless copper plating layer as an electrode, so that the thickness of the resin surface layer is about 30 μm. Formed.

次に、樹脂表層での厚さが約30μmで存在する導体をエッチング処理(三菱瓦斯化学株式会社製、CPE−750、エッチング速度約4.5μm/min.、処理時間約7分)で除去し、ビア及び微細配線間の絶縁を確保した。次に絶縁樹脂層を温度200℃、60分間で完全硬化させた。   Next, the conductor existing in the resin surface layer with a thickness of about 30 μm is removed by an etching process (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., CPE-750, an etching rate of about 4.5 μm / min, a processing time of about 7 minutes). Insulation between via and fine wiring was ensured. Next, the insulating resin layer was completely cured at a temperature of 200 ° C. for 60 minutes.

最後に回路表面にソルダーレジスト(太陽インキ製造株式会社製、PSR4000/AUS703)を形成し、4層プリント配線板を作製した。   Finally, a solder resist (manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd., PSR4000 / AUS703) was formed on the circuit surface to produce a four-layer printed wiring board.

<比較例2>
355nmの波長を有するYAGレーザーを用いた以外は比較例1と同様にして4層プリント配線板を作製した。
<Comparative example 2>
A four-layer printed wiring board was produced in the same manner as in Comparative Example 1 except that a YAG laser having a wavelength of 355 nm was used.

<比較例3>
実施例1で作製した樹脂ワニスを用いて、比較例1と同様にして4層プリント配線板を作製した。尚、比較例1の作業工程において、エッチング処理(三菱瓦斯化学株式会社製、CPE−750、エッチング速度約4.5μm/min、処理時間約7分)の代わりに、実施例1と比較するため、クイックエッチング処理(株式会社荏原電産社製 SACプロセス、エッチング速度約0.7μm/min、処理時間約4分)を行った。
<Comparative Example 3>
Using the resin varnish produced in Example 1, a 4-layer printed wiring board was produced in the same manner as in Comparative Example 1. In addition, in order to compare with Example 1 instead of an etching process (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. make, CPE-750, an etching rate of about 4.5 micrometer / min, processing time about 7 minutes) in the work process of the comparative example 1. Then, a quick etching process (SAC process manufactured by Ebara Densan Co., Ltd., etching rate: about 0.7 μm / min, processing time: about 4 minutes) was performed.

評価方法は以下の通りである。結果を表1、及び表2に示した。 The evaluation method is as follows. The results are shown in Tables 1 and 2.

1.ビアのトップ径
デスミア処理しレジスト層を剥離後の樹脂層のビア上面を走査型電子顕微鏡(SEM)にて観察し、ビアのトップ径を測定した。
1. Via Top Diameter The top surface of the via of the resin layer after desmear treatment and peeling of the resist layer was observed with a scanning electron microscope (SEM), and the top diameter of the via was measured.

2.ビア内の樹脂表面の算術平均粗さ(Ra)
4層プリント配線板のビア断面を縦に切断し、導体層をエッチング除去後、ビア内の樹脂表面をJIS B0651に準じて、Veeco社製WYKO NT1100を用いて測定を行った。
2. Arithmetic average roughness (Ra) of resin surface in via
After cutting the via cross section of the four-layer printed wiring board vertically and removing the conductor layer by etching, the resin surface in the via was measured using WYKO NT1100 manufactured by Veeco in accordance with JIS B0651.

3.溝内の樹脂表面粗さ(Ra)
4層プリント配線板の微細配線の断面を縦に切断し、導体層をエッチング除去後、溝内の樹脂表面をJIS B0651に準じて、Veeco社製WYKO NT1100を用いて測定を行った。
3. Resin surface roughness in the groove (Ra)
The cross section of the fine wiring of the four-layer printed wiring board was cut vertically, the conductor layer was removed by etching, and the resin surface in the groove was measured using WYKO NT1100 manufactured by Veeco in accordance with JIS B0651.

4.溝の最大幅
4層プリント配線板の微細配線の断面を縦に切断し、光学顕微鏡で溝内の最大幅を測定した。
4). Maximum width of groove The cross section of the fine wiring of the four-layer printed wiring board was cut vertically, and the maximum width in the groove was measured with an optical microscope.

5.溝の断面形状
4層プリント配線板の微細配線の断面を縦に切断し、光学顕微鏡で溝内の形状を観察した。
5). Cross-sectional shape of groove The cross-section of the fine wiring of the four-layer printed wiring board was cut vertically, and the shape in the groove was observed with an optical microscope.

6.接続信頼性試験
ビア壁間距離0.1mmの4層プリント配線板を、135℃、85%RH、印加電圧50Vの条件下で200h処理しながら、ビア間の絶縁抵抗値をモニターした。
各符号は以下の通りである。
○:1.0×10Ω以上
×:1.0×10Ω未満
6). Connection reliability test The insulation resistance value between vias was monitored while treating a 4-layer printed wiring board having a distance between via walls of 0.1 mm under conditions of 135 ° C., 85% RH, and applied voltage 50 V for 200 hours.
Each code is as follows.
○: 1.0 × 10 9 Ω or more ×: Less than 1.0 × 10 9 Ω

7.めっき付き性
4層プリント配線板のビア断面を切断し、切断面を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察し、ビア内のめっき付き性を調べた。各符号は以下の通りである。
○:ビア内にめっきが隙間なく充填され実用上問題なし。
×:ビア内にめっきに一部マイクロボイドがあり実用上問題あり。
7). Plating property The cross section of the via of the four-layer printed wiring board was cut, and the cut surface was observed with a scanning electron microscope (SEM) to examine the plating property in the via. Each code is as follows.
○: Plating is filled in the via without any gap, and there is no practical problem.
X: Plating has some micro voids in the via, and there is a practical problem.

表1から明らかなように、実施例1〜6は、従来のエッチング処理工程を省略しクイックエッチング処理のみで作業を簡素化でき、またビアの直径が25μm以下、微細配線の溝の最大幅が10μm以下で形成が可能であるため高密度の複合体を作製することができ、かつ樹脂層平均粗さ(Ra)が0.05μm以上、0.25μm以下であるため信号応答性、高周波対応及び絶縁信頼性、さらにビアや微細配線内のめっき付き不良や層間接続不良を低減することができる作用に優れる良好なビアや微細配線が形成できた。   As is apparent from Table 1, Examples 1 to 6 can simplify the work by omitting the conventional etching process and only the quick etching process, and the via diameter is 25 μm or less, and the maximum width of the groove of the fine wiring is Since it can be formed at 10 μm or less, a high-density composite can be produced, and since the average roughness (Ra) of the resin layer is 0.05 μm or more and 0.25 μm or less, signal response, high frequency response and A good via and fine wiring excellent in the insulation reliability and the effect of reducing defects in plating and interlayer connection in the via and fine wiring could be formed.

本発明に従うと、複合体の樹脂層表面に形成された高密着、高信頼性、高周波対応、ビアや微細配線内のめっき付き性や層間接続性に優れたビアを有する複合体を得ることができるため、とりわけ、回路幅/回路間幅(L/S)が10μm/10μm以下の微細配線を有する例えばプリント配線板に好適に用いることができる。   According to the present invention, it is possible to obtain a composite having a via formed on the surface of the resin layer of the composite, having high adhesion, high reliability, high frequency response, vias and vias having fine plating in a fine wiring and excellent interlaminar connectivity. Therefore, in particular, it can be suitably used for, for example, a printed wiring board having fine wiring with a circuit width / inter-circuit width (L / S) of 10 μm / 10 μm or less.

1 コア基板
10 レジスト層
2 樹脂層
3 レーザー光
4 マスク
5 導体層
60 溝
61 ビア
7 無電解めっき層
70 無電解めっき層
71 無電解めっき層
80 電解めっき層
81 電解めっき層
90 導体
91 導体層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Core substrate 10 Resist layer 2 Resin layer 3 Laser beam 4 Mask 5 Conductor layer 60 Groove 61 Via 7 Electroless plating layer 70 Electroless plating layer 71 Electroless plating layer 80 Electrolytic plating layer 81 Electrolytic plating layer 90 Conductor 91 Conductive layer

Claims (8)

樹脂層と導体層とを含む複合体を製造する方法であって、
(A)基板上に樹脂層を準備する工程と、
(B)樹脂層上にレジスト層を形成する工程と、
(C)レジスト層を介してレーザー光を照射することによって樹脂層表面に溝を形成する工程と、
(D)前記樹脂層表面に導体回路を形成する工程と、
(E)レジスト層を剥離する工程と、
を含むことを特徴とする複合体の製造方法。
A method for producing a composite comprising a resin layer and a conductor layer,
(A) preparing a resin layer on the substrate;
(B) forming a resist layer on the resin layer;
(C) forming a groove on the resin layer surface by irradiating a laser beam through the resist layer;
(D) forming a conductor circuit on the resin layer surface;
(E) peeling the resist layer;
The manufacturing method of the composite_body | complex characterized by including.
前記工程(D)は、無電解めっきにより導体回路を形成する工程である請求項1に記載の複合体の製造方法。 The method for producing a composite according to claim 1, wherein the step (D) is a step of forming a conductor circuit by electroless plating. 前記工程(D)または前記工程(E)の後に、さらに(F)電解めっきにより導体回路を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の複合体の製造方法。   The method for producing a composite according to claim 1 or 2, further comprising (F) a step of forming a conductor circuit by electrolytic plating after the step (D) or the step (E). 前記工程(D)、前記工程(E)または前記工程(F)の後に、さらに(G)クイックエッチングをする工程を含む請求項1ないし3のいずれかに記載の複合体の製造方法。 The manufacturing method of the composite_body | complex in any one of Claim 1 thru | or 3 including the process of performing (G) quick etching further after the said process (D), the said process (E), or the said process (F). 前記工程(C)と前記工程(D)との間に、プラズマ又は薬液によってデスミア処理する工程を含む請求項1ないし4のいずれかに記載の複合体の製造方法。   The manufacturing method of the composite_body | complex in any one of Claim 1 thru | or 4 including the process of performing a desmear process with a plasma or a chemical | medical solution between the said process (C) and the said process (D). 前記レーザー光は、エキシマレーザーまたはYAGレーザーである請求項1ないし5のいずれかに記載の複合体の製造方法。   6. The method for producing a composite according to claim 1, wherein the laser beam is an excimer laser or a YAG laser. 前記レジスト層がドライフィルムを前記樹脂層上にラミネートにより重ね合わせ、露光することによって形成する請求項1ないし6のいずれかに記載の複合体の製造方法。   The method for producing a composite according to claim 1, wherein the resist layer is formed by laminating a dry film on the resin layer by lamination and exposing. 請求項1ないし7のいずれかに記載の製造方法で作製された複合体。   A composite produced by the production method according to claim 1.
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