JP2011250372A - パッケージの製造方法、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計 - Google Patents

Abstract

【課題】貫通電極における空隙の発生を抑制すること。
【解決手段】互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、複数の基板のうち、第１基板４０を厚さ方向に貫通し、キャビティの内側とパッケージの外側とを導通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、貫通電極形成工程は、第１基板４０に凹部３０、３１を形成する凹部形成工程と、凹部３０、３１に導電部材９を配置する導電部材配置工程と、導電部材９の周囲の凹部３０、３１に充填材６ａを充填する充填工程と、充填材６ａを乾燥させる乾燥工程と、を有し、充填工程中に、または充填工程と乾燥工程との間に、充填材６ａに超音波Ｓを印加するパッケージの製造方法を提供する。
【選択図】図１２

Description

本発明は、パッケージの製造方法、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計に関する。

近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等として水晶等を利用した圧電振動子が用いられている。この種の圧電振動子の１つとして、表面実装型で２層構造タイプの構成が知られている。この圧電振動子は、互いに接合されたベース基板およびリッド基板と、両基板の間に形成されたキャビティ内に収容された圧電振動片と、を備えている。
このような２層構造タイプの圧電振動子として、ベース基板に形成された貫通電極により、圧電振動片とベース基板に形成された外部電極とを導通させた構成が知られている（特許文献１参照）。
ところで、特許文献１には、金属からなるピン部材を導電材料として用いて貫通電極を形成する方法が記載されている。この方法は、後にベース基板となるベース基板用ウエハに貫通孔を形成した後に加熱して、熱軟化状態にあるうちに貫通孔にピン部材を打ち込むものである。

特開２００２−１２４８４５号公報

しかしながら、前記従来の貫通電極の形成方法では、ピン部材と貫通孔との間隙を完全に塞ぐのが困難である。したがって、キャビティ内の気密性を確保できないおそれがある。また、ベース基板用ウエハは多数の貫通孔を有している。したがって、ベース基板用ウエハが熱軟化状態にあるうちに、全ての貫通孔にピン部材を打ち込むのは多大な工数を要する。

上記の問題を解決するために、平板状の土台部から立設された導電性の芯材部と、ペースト状のガラスフリットと、を用いて貫通電極を形成する方法が提案されている。この方法では、まず、ベース基板用ウエハの第１面側から貫通孔内に芯材部を挿入する。その後、貫通孔と芯材部との間隙に、ベース基板用ウエハの第１面とは反対の第２面側からガラスフリットを充填する。ガラスフリットは主に粉末状のガラス粒子と溶媒である有機溶剤とで構成される。そして、充填したガラスフリットを焼成して貫通孔、芯材部およびガラスフリットを一体化させた後、土台部を研磨して除去することにより貫通電極を形成する。
なお、ベース基板用ウエハに貫通孔を形成する金型には抜きテーパが必要となるため、貫通孔は、第１面側から第２面側に向けて漸次拡径するテーパ状となっている。

ここで、前記貫通電極の形成方法では、貫通孔内に充填されたガラスフリットを焼成する前に乾燥させることが考えられる。この場合、ガラスフリットに含まれる有機成分が蒸発してガラスフリット内部にガスが発生する。このガスが、ガラスフリットの露出部分から外部に放出されることで、ガラスフリットの表面に凹部が形成されることとなる。そこで、この凹部に再度ガラスフリットを充填する。

以上により、貫通孔内に充填されたガラスフリットの焼成前に、ガラスフリットに含まれる有機成分を予め蒸発させておくことが可能になり、焼成後に貫通電極表面に凹部が形成されるのを抑制することができる。
なお、ガラスフリットの充填回数を減らすためには、ガラスフリットの乾燥時の凹み量を抑制する必要がある。そのためには、ガラスフリット中の有機溶剤の含有比率を小さくすることが考えられる。この場合、ガラス粒子の含有比率が大きくなり、ガラスフリットの粘度が高くなる。

しかしながら、以上のような貫通電極の形成方法には、以下に示す問題がある。
すなわち、ベース基板用ウエハの第２面側からガラスフリットを充填すると、ベース基板用ウエハの第１面側の貫通孔内にガラスフリットが充填されにくく、気泡（空気）が残存してしまうおそれがある。特に、貫通孔が第１面側から第２面側に向けて漸次拡径するテーパ状となっていると、貫通孔の第２面側部分よりも小径な第１面側部分に気泡が残存し易い。
また、ガラスフリットの充填回数を減らすために、ガラス粒子の含有比率が大きいガラスフリットを用いた場合には、ガラスフリットの粘度が高くなる。そのため、前述のように貫通孔内に残存した気泡が、ガラスフリットから放出され難く貫通孔内に残存する可能性が高くなる。

以上より、前述した貫通電極の形成方法では、ガラスフリットが充填された貫通孔内に気泡が残留して、ガラスフリット焼成後のガラス内部に空隙が形成されるおそれがある。
すると、この空隙により、貫通孔および芯材部と焼成後のガラスとが密着できず、キャビティ内の気密性が損なわれるおそれがある。また、この空隙により、土台部を除去して貫通電極を形成したときに、貫通電極表面に凹部が形成される。そして、凹部上に電極膜を成膜すると、凹部の周縁部の膜厚が薄くなって電極膜が断切れを起こし、貫通電極の確実な導通が確保できなくなるおそれがある。さらに、ガラス内に空隙があることでパッケージの強度が確保できないおそれがある。

本発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、貫通電極における空隙の発生を抑制することができるパッケージの製造方法を提供することである。

前記課題を解決するために、本発明は以下の手段を提案している。
本発明に係るパッケージの製造方法は、互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、前記複数の基板のうち、第１基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記パッケージの外側とを導通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、前記貫通電極形成工程は、前記第１基板に凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部に導電部材を配置する導電部材配置工程と、前記導電部材の周囲の前記凹部に充填材を充填する充填工程と、前記充填材を乾燥させる乾燥工程と、を有し、前記充填工程中に、または前記充填工程と前記乾燥工程との間に、前記充填材に超音波を印加することを特徴とする。

この発明によれば、充填工程中に、または充填工程と乾燥工程との間に、充填材に超音波を印加するので、超音波によって凹部内の充填材を振動させることで、充填材を流動させて凹部内の空隙に流入させることができる。またこのとき、超音波によって振動させられた充填材が発熱するので、充填材の粘度が低下して充填材が流動し易くなり、充填材を円滑に流動させて凹部内の空隙に効果的に流入させることができる。
以上より、充填材を流動させて凹部内の空隙に流入させ、充填材を凹部内の隅々まで行きわたらせることが可能になり、貫通電極における空隙の発生を抑制することができる。
また、このように貫通電極における空隙の発生を抑制することができるので、貫通電極の導通不良が抑制されるとともに強度が高められ、かつキャビティ内の気密が維持された高品質なパッケージを製造することができる。

また、前述したように充填材を流動させて凹部内の空隙に流入させることができるので、溶質または分散質の含有比率が大きく粘度が高い充填材を用いても、充填材を凹部内の隅々まで行きわたらせることができる。したがって、充填材中の溶質または分散質の含有比率を大きくすることで、乾燥工程時の充填材の凹み量を抑制することが可能になり、充填工程の反復を抑制することができる。また、このように充填工程の反復を抑制することができるので、凹部の充填に必要な充填材の使用量を抑制することができる。
以上より、パッケージ製造の低コスト化を図ることができる。

また、前記充填工程の際、大気圧未満の圧力下で前記充填材を前記凹部に充填しても良い。

この場合、充填工程の際、大気圧未満の圧力下で充填材を凹部に充填するので、充填材が脱気され、充填材中の気泡を除去することができる。また、このように充填工程を大気圧未満の圧力下で行うことで、大気圧下で行う場合に比べて、凹部内に存在する空気を少なくすることができる。
以上より、大気圧下で充填工程を行う場合に比べて、充填材を凹部内にスムーズに充填することが可能になり、充填材を凹部内の隅々まで確実に行きわたらせることができる。

また、本発明に係る圧電振動子の製造方法は、前記パッケージの製造方法を実施する工程と、前記電子部品としての圧電振動片を前記貫通電極に実装しつつ前記キャビティの内部に配置する工程とを有することを特徴とする。

この発明によれば、高品質化を図ることができるパッケージの製造方法を採用しているので、高品質な圧電振動子を提供することができる。

また、本発明に係る発振器は、前記圧電振動子の製造方法で製造された圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明に係る電子機器は、前記圧電振動子の製造方法で製造された圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明に係る電波時計は、前記圧電振動子の製造方法で製造された圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする。

本発明に係る発振器、電子機器および電波時計によれば、高品質な圧電振動子を用いているため、高品質化を図ることができる。

本発明に係るパッケージの製造方法によれば、貫通電極における空隙の発生を抑制することができる。
また、本発明に係る圧電振動子の製造方法によれば、高品質な圧電振動子を提供することができる。
さらに、本発明に係る発振器、電子機器および電波時計によれば、高品質化を図ることができる。

本発明の一実施形態に係る圧電振動子を示す外観斜視図である。 図１に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態の平面図である。 図２のＡ−Ａ線における断面図である。 図１に示す圧電振動子の分解斜視図である。 圧電振動片の平面図である。 圧電振動片の底面図である。 図５のＢ−Ｂ線における断面図である。 本発明の一実施形態に係る圧電振動子の製造方法のフローチャートである。 ウエハ体の分解斜視図である。 鋲体配置工程を表す説明図である。 貼付工程を表す説明図である。 充填工程を表す説明図である。 充填工程を表す説明図である。 発振器の一実施形態を示す構成図である。 電子機器の一実施形態を示す構成図である。 電波時計の一実施形態を示す構成図である。 本発明の一実施形態に係る圧電振動子の製造方法の変形例のフローチャートである。

以下、本発明の一実施形態につき図面を参照して説明する。
（圧電振動子）
図１から図４に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、互いに接合された複数の基板２、３の間に形成されたキャビティＣ内に、電子部品としての圧電振動片４が封入されたパッケージ５を備える表面実装型の構成とされている。パッケージ５は、ベース基板（第１基板）２とリッド基板３とで２層に積層された箱状に形成されている。なお、図４においては、図面を見易くするために後述する励振電極１５、引き出し電極１９、２０、マウント電極１６、１７及び重り金属膜２１の図示を省略している。

図５から図７に示すように、圧電振動片４は、水晶やタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。

この圧電振動片４は、平行に配置された一対の振動腕部１０、１１と、一対の振動腕部１０、１１の基端側を一体的に固定する基部１２と、一対の振動腕部１０、１１の外表面上に形成されて一対の振動腕部１０、１１を振動させる第１の励振電極１３と第２の励振電極１４とからなる励振電極１５と、第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４に電気的に接続されたマウント電極１６、１７とを有している。
また、本実施形態の圧電振動片４は、一対の振動腕部１０、１１の両主面上に、振動腕部１０、１１の長手方向に沿ってそれぞれ形成された溝部１８を備えている。この溝部１８は、振動腕部１０、１１の基端側から略中間付近まで形成されている。

励振電極１３、１４は、図５および図６に示すように、一対の振動腕部１０、１１の主面上に形成される。励振電極１３、１４は、例えば、クロム（Ｃｒ）等の単層の導電性膜により形成される。第１の励振電極１３と第２の励振電極１４とからなる励振電極１５は、一対の振動腕部１０、１１を互いに接近または離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極であり、一対の振動腕部１０、１１の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。具体的には、第１の励振電極１３が、一方の振動腕部１０の溝部１８上と他方の振動腕部１１の両側面上とに主に形成され、第２の励振電極１４が、一方の振動腕部１０の両側面上と他方の振動腕部１１の溝部１８上とに主に形成されている。

また、第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４は、基部１２の両主面上において、それぞれ引き出し電極１９、２０を介してマウント電極１６、１７に電気的に接続されている。そして圧電振動片４は、このマウント電極１６、１７を介して電圧が印加されるようになっている。
なお、マウント電極１６、１７及び引き出し電極１９、２０は、例えばクロム（Ｃｒ）と金（Ａｕ）との積層膜であり、水晶と密着性の良いクロム膜を下地として成膜した後に、表面に金の薄膜を施したものである。

また、一対の振動腕部１０、１１の先端には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整（周波数調整）を行うための重り金属膜２１が被膜されている。なお、この重り金属膜２１は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜２１ａと、微小に調整する際に使用される微調膜２１ｂとに分かれている。これら粗調膜２１ａ及び微調膜２１ｂを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部１０、１１の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができる。

このように構成された圧電振動片４は、図３および図４に示すように、金等のバンプＢを利用して、ベース基板２の内面（上面）にバンプ接合されている。より具体的には、ベース基板２の内面にパターニングされた後述する引き回し電極３６、３７上に形成された２つのバンプＢ上に、一対のマウント電極１６、１７がそれぞれ接触した状態でバンプ接合されている。

リッド基板３は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、図１、図３および図４に示すように、板状に形成されている。そして、ベース基板２が接合される接合面側には、圧電振動片４が収まる矩形状の凹部３ａが形成されている。この凹部３ａは、両基板２、３が重ね合わされたときに、圧電振動片４を収容するキャビティＣとなるキャビティ用の凹部である。

また、図３に示すように、リッド基板３のベース基板２との接合面には、陽極接合用の接合膜３５が形成されている。接合膜３５は、例えばアルミニウム等の導電性材料からなり、スパッタやＣＶＤ等の成膜方法により形成される。なお、凹部３ａの内面全体に形成してもよい。これにより、接合膜３５のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。
そして、リッド基板３は、凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態で、接合膜３５を介してベース基板２に陽極接合されている。

ベース基板２は、リッド基板３と同様に、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板であり、図１から図４に示すように、板状に形成されている。
図３に示すように、このベース基板２には、ベース基板２を貫通する一対の貫通孔３０、３１が形成されている。貫通孔３０は、ベース基板２の内面から外面（下面）に向けて漸次拡径する逆テーパ状に形成されている。図２に示すように、本実施形態の貫通孔３０、３１は、マウントされた圧電振動片４の基部１２側に対応した位置に一方の貫通孔３０が形成され、振動腕部１０、１１の先端側に対応した位置に他方の貫通孔３１が形成されている。

そして図３に示すように、これら一対の貫通孔３０、３１には、貫通孔３０、３１を埋めるように一対の貫通電極３２、３３が形成されている。これら貫通電極３２、３３は、ベース基板２を厚さ方向に貫通し、キャビティＣの内側と圧電振動子１の外側とを導通する。また貫通電極３２、３３は、焼成によって貫通孔３０、３１に対して一体的に固定された筒体６及び芯材部７によって形成されたものであり、貫通孔３０、３１を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持しているとともに、後述する外部電極３８、３９と引き回し電極３６、３７とを導通させる役割を担っている。

筒体６は、後述するペースト状のガラスフリット６ａ（図１２参照）が焼成されたものである。筒体６は、両端が平坦で且つベース基板２と略同じ厚みの円筒状に形成されている。そして、筒体６の中心には、芯材部７が筒体６を貫通するように配されている。筒体６および芯材部７は、貫通孔３０、３１内に埋め込まれた状態で焼成されており、貫通孔３０、３１に対して強固に固着されている。

芯材部７は、ステンレスや銀、Ｎｉ合金、アルミ等の金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体６と同様に両端が平坦で、且つベース基板２の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。この芯材部７は、筒体６の略中心６ｃに位置しており、筒体６の焼成によって筒体６に対して強固に固着されている。なお、貫通電極３２、３３は、導電性の芯材部７を通して電気導通性が確保されている。また、芯材部７を形成する金属材料としては、例えば、鉄（Ｆｅ）を５８重量パーセント含有し、Ｎｉを４２重量パーセント含有する合金（４２アロイ）も採用することができる。

また図４に示すように、一対の引き回し電極３６、３７は、一対の貫通電極３２、３３のうち、一方の貫通電極３２と圧電振動片４の一方のマウント電極１６とを電気的に接続するとともに、他方の貫通電極３３と圧電振動片４の他方のマウント電極１７とを電気的に接続するようにパターニングされている。
より詳しく説明すると、一方の引き回し電極３６は、圧電振動片４の基部１２の真下に位置するように一方の貫通電極３２の真上に形成されている。また、他方の引き回し電極３７は、一方の引き回し電極３６に隣接した位置から、振動腕部１０、１１に沿って前記振動腕部１０、１１の先端側に引き回しされた後、他方の貫通電極３３の真上に位置するように形成されている。

そして、これら一対の引き回し電極３６、３７上にそれぞれバンプＢが形成されており、バンプＢを利用して圧電振動片４がマウントされている。これにより、圧電振動片４の一方のマウント電極１６が、一方の引き回し電極３６を介して一方の貫通電極３２に導通し、他方のマウント電極１７が、他方の引き回し電極３７を介して他方の貫通電極３３に導通するようになっている。

また、ベース基板２の外面には、図１、図３および図４に示すように、一対の貫通電極３２、３３に対してそれぞれ電気的に接続される外部電極３８、３９が形成されている。つまり、一方の外部電極３８は、一方の貫通電極３２及び一方の引き回し電極３６を介して圧電振動片４の第１の励振電極１３に電気的に接続されている。また、他方の外部電極３９は、他方の貫通電極３３及び他方の引き回し電極３７を介して、圧電振動片４の第２の励振電極１４に電気的に接続されている。

このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極３８、３９に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片４の第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４からなる励振電極１５に電圧を印加することで、一対の振動腕部１０、１１を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部１０、１１の振動を利用して、時刻源や制御信号のタイミング源、リファレンス信号源等として利用することができる。

（圧電振動子の製造方法）
次に、本実施形態における圧電振動子の製造方法（パッケージの製造方法）について、図８に示すフローチャートに基づいて説明する。
初めに、圧電振動片作製工程Ｓ１０を行って図５から図７に示す圧電振動片４を作製する。具体的には、まず水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハとする。続いて、このウエハをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、その後ポリッシュ等の鏡面研磨加工を行って、所定の厚みのウエハとする。続いて、ウエハに洗浄等の適切な処理を施した後、ウエハをフォトリソグラフィ技術によって圧電振動片４の外形形状でパターニングするとともに、金属膜の成膜及びパターニングを行って、励振電極１５、引き出し電極１９、２０、マウント電極１６、１７、重り金属膜２１を形成する。これにより、複数の圧電振動片４を作製することができる。

また、圧電振動片４を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。これは、重り金属膜２１の粗調膜２１ａにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、重量を変化させることで行う。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。

次に図９に示すように、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、後にリッド基板３（図３参照）となるリッド基板用ウエハ５０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第１のウエハ作製工程Ｓ２０を行う。具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ５０を形成する（Ｓ２１）。次いで、リッド基板用ウエハ５０の接合面に、エッチング等により行列方向にキャビティ用の凹部３ａを複数形成する凹部形成工程Ｓ２２を行う。次に、ベース基板用ウエハ４０との接合面を研磨する接合面研磨工程Ｓ２３を行う。

次に、ベース基板用ウエハ４０との接合面に接合膜３５を形成する接合膜形成工程Ｓ２４を行う。接合膜３５は、ベース基板用ウエハ４０との接合面に加えて、凹部３ａの内面全体に形成してもよい。これにより、接合膜３５のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。接合膜３５の形成は、スパッタやＣＶＤ等の成膜方法によって行うことができる。なお、接合膜形成工程Ｓ２４の前に接合面研磨工程Ｓ２３を行っているので、接合膜３５の表面の平面度が確保され、ベース基板用ウエハ４０との安定した接合を実現することができる。
以上で第１のウエハ作製工程Ｓ２０が終了する。

次に、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、後にベース基板２（図３参照）となるベース基板用ウエハ（第１基板）４０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第２のウエハ作製工程Ｓ３０を行う。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する（Ｓ３１）。

次に図３に示すように、ベース基板用ウエハ４０に貫通電極３２、３３を形成する貫通電極形成工程Ｓ３２を行う。以下に、貫通電極形成工程Ｓ３２について詳細を説明する。

貫通電極形成工程Ｓ３２では、まず図１０に示すように、例えばサンドブラスト法等により、ベース基板用ウエハ４０に貫通孔３０、３１を形成する貫通孔形成工程（凹部形成工程）Ｓ３２Ａを行う。このとき本実施形態では、ベース基板用ウエハ４０の内面（第１面）４０ａ側から、内面４０ａとは反対の外面（第２面）４０ｂ側に向けて漸次拡径する逆テーパ状に貫通孔３０、３１を形成する。なお、ベース基板用ウエハ４０の外面４０ｂおよび内面４０ａはそれぞれ、後のベース基板２の外面および内面となる。

次いで、芯材部７と、表面に芯材部７が立設された土台部８と、を備える導電性の鋲体（導電部材）９を、貫通孔３０、３１に配置する鋲体配置工程（導電部材配置工程）Ｓ３２Ｂを行う。なお図示の例では、鋲体９の芯材部７は、円柱状に形成されるとともに、土台部８は円盤状に形成されており、芯材部７は、土台部８の表面の中央部に土台部８の法線方向に沿って立設されている。
この工程では、ベース基板用ウエハ４０の内面４０ａ側から鋲体９の芯材部７を貫通孔３０、３１内に挿入するとともに、土台部８の表面をベース基板用ウエハ４０の内面４０ａに当接させる。なお芯材部７の先端は、貫通孔３０、３１内に位置しており、芯材部７は、ベース基板用ウエハ４０から外面４０ｂ側に張り出していない。

次いで図１１に示すように、鋲体９の土台部８を覆うように、ベース基板用ウエハ４０の内面４０ａにラミネート材７０を貼付する貼付工程Ｓ３２Ｃを行う。このとき、例えばラミネート材７０を、ベース基板用ウエハ４０の内面４０ａの全面にわたって貼付する。これにより、ベース基板用ウエハ４０の内面４０ａに土台部８の表面を強く押し当てることができる。
なおラミネート材７０としては、例えば、紙製のテープ本体にアクリル系などの熱可塑性粘着剤が塗布されたもの等を採用することができる。

次いで図１２に示すように、芯材部７の周囲の貫通孔３０、３１にペースト状のガラスフリット６ａを充填する充填工程Ｓ３２Ｄを行う。このとき本実施形態では、真空スクリーン印刷機８０を用いて、大気圧未満の圧力下でガラスフリット６ａを貫通孔３０、３１に充填する。ここで真空スクリーン印刷機８０は、図示しないチャンバーを備えており、このチャンバー内には、ベース基板用ウエハ４０が載置される超音波ステージ８１と、ガラスフリット６ａを貫通孔３０、３１内に充填するスキージ８２と、が設けられている。なおガラスフリット６ａは、例えば、主に粉末状のガラス粒子（溶質、分散質）と、有機溶剤と、バインダと、で構成されている。

この充填工程Ｓ３２Ｄでは、まず、ラミネート材７０が貼付されたベース基板用ウエハ４０を、前記チャンバー内の超音波ステージ８１上に配置し、このチャンバー内を大気圧未満の圧力下（例えば、０．１〜１００ｔｏｒｒ）に減圧する。次いで、ガラスフリット６ａをベース基板用ウエハ４０の外面４０ｂ側から塗布する。このとき、貫通孔３０、３１内にガラスフリット６ａが充填されるように多めに塗布し、貫通孔３０、３１内からガラスフリット６ａを溢れ出させ、貫通孔３０、３１内だけでなくベース基板用ウエハ４０の外面４０ｂ上にも塗布する。

次いで、ベース基板用ウエハ４０の外面４０ｂ上でスキージ８２を走査させることで、スキージ８２によってガラスフリット６ａを貫通孔３０、３１内に押し流すように流動させ、ガラスフリット６ａを貫通孔３０、３１内に充填する。このとき、ラミネート材７０によって、ベース基板用ウエハ４０の内面４０ａに土台部８の表面が強く押し当てられているので、ベース基板用ウエハ４０の内面４０ａ側からガラスフリット６ａが漏出するのを抑制することができる。

なおこの充填工程Ｓ３２Ｄでは、スキージ８２を、ベース基板用ウエハ４０において貫通孔３０、３１が形成された領域上で、複数回、多方向に走査させても良い。また、スキージ８２の先端をベース基板用ウエハ４０の外面４０ｂに押し当てて、ベース基板用ウエハ４０上の余分なガラスフリット６ａを除去しながらスキージ８２を走査させても良い。

そして本実施形態では、この充填工程Ｓ３２Ｄ中に、貫通孔３０、３１内のガラスフリット６ａに超音波Ｓを印加する。図示の例では、真空スクリーン印刷機８０には、超音波ステージ８１に超音波Ｓを印加する図示しない印加手段が備えられており、この印加手段が、超音波ステージ８１、ラミネート材７０、鋲体９を介してガラスフリット６ａに超音波Ｓを印加する。この超音波Ｓは、例えば、振幅が５〜５０μｍ、振動数が１０〜１００ｋＨｚとなっている。

すると、超音波Ｓによって貫通孔３０、３１内のガラスフリット６ａが振動させられることとなる。このように貫通孔３０、３１内のガラスフリット６ａを振動させることで、ガラスフリット６ａを流動させて貫通孔３０、３１内の空隙６ｂに流入させることができる。またこのとき、超音波Ｓによって振動させられたガラスフリット６ａが発熱するので、ガラスフリット６ａの粘度が低下してガラスフリット６ａが流動し易くなり、ガラスフリット６ａを円滑に流動させて貫通孔３０、３１内の空隙６ｂに効果的に流入させることができる。

なお超音波Ｓは、例えば、ガラスフリット６ａを塗布して以降、印加し続けても良いし、スキージ８２を走査させながら印加しても良いし、スキージ８２を複数回走査させる場合には、スキージ８２の走査と走査との間に印加しても良い。

次いで、ガラスフリット６ａを乾燥させる乾燥工程Ｓ３２Ｅを行う。このとき例えば、ベース基板用ウエハ４０を前記チャンバーから取り出し、図示しない恒温槽内に搬送した後、８５℃程度の雰囲気下に３０分程度保持することでガラスフリット６ａを仮乾燥する。一般に、ガラス粒子の溶融温度は約４００℃から５００℃程度であり、仮乾燥時の温度である８５℃よりもはるかに高い。したがって、仮乾燥時にガラスフリット６ａは溶融しない。一方、ガラスフリット６ａの有機溶剤の沸点は８５℃よりも低い。したがって、仮乾燥時に有機溶剤はある程度蒸発してガスとなる。このガスは、ガラスフリット６ａの外部に放出される。

ここで乾燥工程Ｓ３２Ｅの後に、貫通孔３０、３１に充填されたガラスフリット６ａの外面４０ｂ側の表面が大きく凹むことがある。この場合、この凹みを埋め込むように、前記充填工程Ｓ３２Ｄおよび前記乾燥工程Ｓ３２Ｅを反復しても良い。
また乾燥工程Ｓ３２Ｅの後に、ベース基板用ウエハ４０の外面４０ｂ上にガラスフリット６ａが残存していることがある。この場合、外面４０ｂ上のガラスフリット６ａは後述する焼成後の研磨工程Ｓ３２Ｈによって除去されるため、別途ガラスフリット６ａを除去する工程を行なう必要はない。但し、別途ガラスフリット６ａを除去する工程を追加することで、後述する焼成工程Ｓ３２Ｆにおいて、ガラスフリット６ａの焼成時間を短縮できるとともに、研磨工程Ｓ３２Ｈの研磨に要する時間も短縮することができる。

以上のようにして貫通孔３０、３１内にガラスフリット６ａが充填された後、図１３に示すように、ガラスフリット６ａを焼成して硬化させる焼成工程Ｓ３２Ｆを行う。焼成工程Ｓ３２Ｆでは、貫通孔３０、３１に充填したガラスフリット６ａを所定の温度（例えば、６１０℃）で焼成して硬化させる。この焼成工程Ｓ３２Ｆを行うことで、貫通孔３０、３１および芯材部７にガラスフリット６ａが強固に固着して筒体６となり、貫通電極３２、３３が形成される。
ここで本実施形態では、焼成工程Ｓ３２Ｆ前に、乾燥工程Ｓ３２Ｅを行っているので、ガラスフリット６ａに含まれる有機溶剤を予め蒸発させておくことが可能になり、焼成工程Ｓ３２Ｆ後に貫通電極３２、３３（筒体６）表面に凹部が形成されるのを抑制することができる。

続いて、ベース基板ウエハ４０の内面４０ａからラミネート材７０を剥離する剥離工程Ｓ３２Ｇを行う。このとき、前記焼成工程Ｓ３２Ｆにおいてラミネート材７０に塗布された熱可塑性粘着剤の粘着力が低下しているため、容易にラミネート材７０を剥離することができる。

最後に、ベース基板用ウエハ４０および鋲体９の土台部８を研磨する研磨工程Ｓ３２Ｈを行う。具体的には、ベース基板用ウエハ４０の外面４０ｂ側を研磨し、芯材部７の先端を露出させるとともに、鋲体９の土台部８を研磨して除去する。その結果、図３に示すように、筒体６と芯材部７とが一体的に固定された貫通電極３２、３３を複数得ることができる。
以上で貫通電極形成工程Ｓ３２が終了する。

次に図９に示すように、引き回し電極形成工程Ｓ３３として、貫通電極３２、３３にそれぞれ電気的に接続された引き回し電極３６、３７を複数形成する。そして、引き回し電極３６、３７上に、それぞれ金等からなる尖塔形状のバンプＢを形成する。なお、図９では、図面の見易さのためバンプＢの図示を省略している。この時点で第２のウエハ作製工程が終了する。

次に、ベース基板用ウエハ４０の引き回し電極３６、３７上に、バンプＢを介して圧電振動片４を接合する実装工程Ｓ４０を行い、その後、ベース基板用ウエハ４０に対してリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる重ね合わせ工程Ｓ５０を行う。

そして、重ね合わせ工程Ｓ５０の後、重ね合わせた２枚のウエハを図示しない陽極接合装置に入れ、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合し、ウエハ体６０を形成する接合工程Ｓ６０を行う。ところで、陽極接合を行う際、図３に示すように、ベース基板用ウエハ４０に形成された貫通孔３０、３１は、貫通電極３２、３３によって完全に塞がれているため、キャビティＣ内の真空状態が貫通孔３０、３１を通じて損なわれることがない。しかも、焼成によって筒体６と芯材部７とが一体的に固定されているとともに、これらが貫通孔３０、３１に対して強固に固着されているため、キャビティＣ内の真空状態を確実に維持することができる。

そして、上述した陽極接合が終了した後、ベース基板用ウエハ４０の外面４０ｂに導電性材料をパターニングして、一対の貫通電極３２、３３にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極３８、３９（図３参照）を複数形成する外部電極形成工程Ｓ７０を行う。

次に、ウエハ体６０の状態で、キャビティＣ内に封止された個々の圧電振動片４の周波数を微調整して所定の範囲内に収める微調工程を行う（Ｓ８０）。
周波数の微調が終了後、接合されたウエハ体６０を切断線Ｍに沿って切断して小片化する切断工程を行う（Ｓ９０）。
その後、内部の電気特性検査（Ｓ１００）を行うことで、圧電振動子１の製造が終了する。

以上説明したように、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法によれば、充填工程Ｓ３２Ｄ中に、ガラスフリット６ａに超音波Ｓを印加するので、ガラスフリット６ａを流動させて貫通孔３０、３１内の空隙に流入させ、ガラスフリット６ａを貫通孔３０、３１内の隅々まで行きわたらせることが可能になり、貫通電極３２、３３における空隙の発生を抑制することができる。
また、このように貫通電極３２、３３における空隙の発生を抑制することができるので、貫通電極３２、３３の導通不良が抑制されるとともに強度が高められ、かつキャビティＣ内の気密が維持された高品質なパッケージ５および圧電振動子１を製造することができる。

また、充填工程Ｓ３２Ｄの際、大気圧未満の圧力下でガラスフリット６ａを貫通孔３０、３１に充填するので、ガラスフリット６ａが脱気され、ガラスフリット６ａ中の気泡を除去することができる。また、このように充填工程Ｓ３２Ｄを大気圧未満の圧力下で行うことで、大気圧下で行う場合に比べて、貫通孔３０、３１内に存在する空気を少なくすることができる。
以上より、大気圧下で充填工程Ｓ３２Ｄを行う場合に比べて、ガラスフリット６ａを貫通孔３０、３１内にスムーズに充填することが可能になり、ガラスフリット６ａを貫通孔３０、３１内の隅々まで確実に行きわたらせることができる。

また、前述したようにガラスフリット６ａを流動させて貫通孔３０、３１内の空隙に流入させることができるので、ガラス粒子の含有比率が大きく粘度が高いガラスフリット６ａを用いても、ガラスフリット６ａを貫通孔３０、３１内の隅々まで行きわたらせることができる。したがって、ガラスフリット６ａ中のガラス粒子の含有比率を大きくすることで、乾燥工程Ｓ３２Ｅ時のガラスフリット６ａの凹み量を抑制することが可能になり、充填工程Ｓ３２Ｄの反復を抑制することができる。また、このように充填工程Ｓ３２Ｄの反復を抑制することができるので、貫通孔３０、３１の充填に必要なガラスフリット６ａの使用量を抑制することができる。
以上より、パッケージ５製造の低コスト化を図ることができる。

なお本実施形態に係る圧電振動子の製造方法によれば、例えば、ガラスフリット６ａとして、ガラス粒子の含有比率が約９２〜９３重量％で、かつ粘度が約１２０Ｐａ・ｓの構成を採用しても、貫通電極３２、３３における空隙の発生が抑制されたことが確認された。ここで従来では、ガラスフリット６ａとして、ガラス粒子の含有比率が約８８重量％で、かつ粘度が約６０Ｐａ・ｓの構成を採用していたため、本実施形態では、粘度が２倍のガラスフリット６ａを採用可能であることが確認された。

（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図１４を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１１０は、図１４に示すように、圧電振動子１を、集積回路１１１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１１０は、コンデンサ等の電子素子部品１１２が実装された基板１１３を備えている。基板１１３には、発振器用の前記集積回路１１１が実装されており、この集積回路１１１の近傍に、圧電振動子１の圧電振動片４が実装されている。これら電子素子部品１１２、集積回路１１１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。

このように構成された発振器１１０において、圧電振動子１に電圧を印加すると、圧電振動子１内の圧電振動片４が振動する。この振動は、圧電振動片４が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１１１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１１１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１１１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。

このような本実施形態の発振器１１０によれば、高品質な圧電振動子１を備えているので、高品質化を図ることができる。

（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図１５を参照して説明する。なお電子機器として、前述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１２０を例にして説明する。
始めに本実施形態の携帯情報機器１２０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。

次に、本実施形態の携帯情報機器１２０の構成について説明する。この携帯情報機器１２０は、図１５に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１２１とを備えている。電源部１２１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１２１には、各種制御を行う制御部１２２と、時刻等のカウントを行う計時部１２３と、外部との通信を行う通信部１２４と、各種情報を表示する表示部１２５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１２６とが並列に接続されている。そして、電源部１２１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。

制御部１２２は、各機能部を制御して音声データの送信や受信、現在時刻の計測、表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１２２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、該ＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、該ＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。

計時部１２３は、発振回路やレジスタ回路、カウンタ回路、インターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片４が振動し、該振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１２２と信号の送受信が行われ、表示部１２５に、現在時刻や現在日付、カレンダー情報等が表示される。

通信部１２４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１２７、音声処理部１２８、切替部１２９、増幅部１３０、音声入出力部１３１、電話番号入力部１３２、着信音発生部１３３及び呼制御メモリ部１３４を備えている。
無線部１２７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１３５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１２８は、無線部１２７又は増幅部１３０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部１３０は、音声処理部１２８又は音声入出力部１３１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１３１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。

また、着信音発生部１３３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１２９は、着信時に限って、音声処理部１２８に接続されている増幅部１３０を着信音発生部１３３に切り替えることによって、着信音発生部１３３において生成された着信音が増幅部１３０を介して音声入出力部１３１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１３４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１３２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。

電圧検出部１２６は、電源部１２１によって制御部１２２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１２２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１２４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１２６から電圧降下の通知を受けた制御部１２２は、無線部１２７、音声処理部１２８、切替部１２９及び着信音発生部１３３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１２７の動作停止は、必須となる。更に、表示部１２５に、通信部１２４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。

すなわち、電圧検出部１２６と制御部１２２とによって、通信部１２４の動作を禁止し、その旨を表示部１２５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１２５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。
なお、通信部１２４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１３６を備えることで、通信部１２４の機能をより確実に停止することができる。

本実施形態の携帯情報機器１２０によれば、高品質な圧電振動子１を備えているので、高品質化を図ることができる。

（電波時計）
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図１６を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１４０は、図１６に示すように、フィルタ部１４１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、前述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。

以下、電波時計１４０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１４２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１４３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１４１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、前記搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１４８、１４９をそれぞれ備えている。

更に、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１４４により検波復調される。
続いて、波形整形回路１４５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１４６でカウントされる。ＣＰＵ１４６では、現在の年や積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１４８に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１４８、１４９は、前述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。

なお、前述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１４０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。

本実施形態の電波時計１４０によれば、高品質な圧電振動子１を備えているので、高品質化を図ることができる。

なお、本発明の技術的範囲は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、前記実施形態では、リッド基板用ウエハ５０に接合膜３５を形成したが、これとは逆に、ベース基板用ウエハ４０の内面４０ａに接合膜３５を形成してもよい。この場合は、引き回し電極３６、３７と接合膜３５とが接触しないように、ベース基板用ウエハ４０におけるリッド基板用ウエハ５０との接合面のみに形成することが好ましい。

また前記実施形態では、貫通孔３０、３１内に充填される充填材がペースト状の前記ガラスフリットであるものとしたが、これに限られるものではない。例えば、導電性のペースト（例えば銀ペーストなど）であっても良い。

また前記実施形態では、充填工程Ｓ３２Ｄ中に、ガラスフリット６ａに超音波Ｓを印加するものとしたが、これに代えて図１７に示すように、充填工程Ｓ３２Ｄと乾燥工程Ｓ３２Ｅとの間に、貫通孔３０、３１内のガラスフリット６ａに超音波Ｓを印加する印加工程Ｓ３２Ｉを有していても良い。
また前記実施形態では、貼付工程Ｓ３２Ｃを行うものとしたが、行わなくても良い。

また前記実施形態では、貫通電極形成工程Ｓ３２は、貫通孔形成工程Ｓ３２Ａを有しているものとしたが、これに代えて、ベース基板用ウエハ４０の内面４０ａに非貫通の有底凹部を形成する有底凹部形成工程（凹部形成工程）を有していても良い。この場合、鋲体９に代えて、例えば導電性のピン部材を採用し、鋲体配置工程Ｓ３２Ｂに代えて、ベース基板用ウエハ４０の内面４０ａ側から前記有底凹部に前記ピン部材を挿入するピン部材配置工程（導電部材配置工程）を有していることが好ましい。またこの場合、研磨工程Ｓ３２Ｈの際、ベース基板用ウエハ４０の内面４０ａ側および外面４０ｂ側をそれぞれ研磨し、前記ピン部材の両端を露出させることが好ましい。

また前記実施形態では、本発明に係るパッケージの製造方法を使用しつつ、パッケージ５の内部に圧電振動片４を封入して圧電振動子１を製造したが、パッケージ５の内部に圧電振動片４以外の電子部品を封入して、圧電振動子以外のデバイスを製造することも可能である。
さらに前記実施形態では、ベース基板２とリッド基板３との間にキャビティＣを形成した２層構造タイプの圧電振動子１に本発明を適用した場合について説明したが、これに限らず、圧電基板をベース基板とリッド基板とで上下から挟み込むように接合した３層構造タイプの圧電振動子に適用しても構わない。

その他、本発明の趣旨に逸脱しない範囲で、前記実施形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能であり、また、前記した変形例を適宜組み合わせてもよい。

１ 圧電振動子
２ ベース基板（第１基板）
３ リッド基板（基板）
４ 圧電振動片（電子部品）
５ パッケージ
６ａ ガラスフリット（充填材）
９ 鋲体（導電部材）
３０、３１ 貫通孔（凹部）
３２、３３ 貫通電極
４０ ベース基板用ウエハ（第１基板）
４０ａ 内面（第１面）
４０ｂ 外面（第２面）
１１０ 発振器
１２０ 携帯情報機器（電子機器）
１４０ 電波時計
Ｃ キャビティ
Ｓ 超音波

Claims (6)

1. 互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、
   前記複数の基板のうち、第１基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記パッケージの外側とを導通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、
   前記貫通電極形成工程は、
   前記第１基板に凹部を形成する凹部形成工程と、
   前記凹部に導電部材を配置する導電部材配置工程と、
   前記導電部材の周囲の前記凹部に充填材を充填する充填工程と、
   前記充填材を乾燥させる乾燥工程と、
   を有し、
   前記充填工程中に、または前記充填工程と前記乾燥工程との間に、前記充填材に超音波を印加することを特徴とするパッケージの製造方法。
2. 請求項１記載のパッケージの製造方法であって、
   前記充填工程の際、大気圧未満の圧力下で前記充填材を前記凹部に充填することを特徴とするパッケージの製造方法。
3. 請求項１又は２に記載のパッケージの製造方法を実施する工程と、前記電子部品としての圧電振動片を前記貫通電極に実装しつつ前記キャビティの内部に配置する工程とを有することを特徴とする圧電振動子の製造方法。
4. 請求項３に記載の方法で製造された圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
5. 請求項３に記載の方法で製造された圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
6. 請求項３に記載の方法で製造された圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。

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