JP2011151758A - パッケージの製造方法、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡便に効率良くパッケージを製造すること。
【解決手段】第1基板40の一方の面40a上の外周部R2を覆う被覆治具70を配置し、被覆治具70の治具開口部71を通して孔形成領域R1を露出させる治具配置工程と、貫通電極の少なくとも一部を構成する充填材6aを孔部30、31に充填する充填工程と、を有し、充填工程は、メタルマスク84を被覆治具70上に配置し、治具開口部71と、メタルマスク84のマスク開口部83とを通して孔形成領域R1を露出させるメタルマスク配置工程と、第1基板40の一方の面40aに充填材6aを塗布し、スキージ82を用いて孔部30、31内に充填材6aを充填する本充填工程と、を有し、充填工程を複数回繰り返すとともに、2回目以降の充填工程におけるメタルマスク配置工程では、直前のメタルマスク配置工程よりもマスク開口部83が大径のメタルマスク84を用いるパッケージの製造方法を提供する。
【選択図】図13
【解決手段】第1基板40の一方の面40a上の外周部R2を覆う被覆治具70を配置し、被覆治具70の治具開口部71を通して孔形成領域R1を露出させる治具配置工程と、貫通電極の少なくとも一部を構成する充填材6aを孔部30、31に充填する充填工程と、を有し、充填工程は、メタルマスク84を被覆治具70上に配置し、治具開口部71と、メタルマスク84のマスク開口部83とを通して孔形成領域R1を露出させるメタルマスク配置工程と、第1基板40の一方の面40aに充填材6aを塗布し、スキージ82を用いて孔部30、31内に充填材6aを充填する本充填工程と、を有し、充填工程を複数回繰り返すとともに、2回目以降の充填工程におけるメタルマスク配置工程では、直前のメタルマスク配置工程よりもマスク開口部83が大径のメタルマスク84を用いるパッケージの製造方法を提供する。
【選択図】図13
Description
本発明は、パッケージの製造方法、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計に関する。
近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等として水晶等を利用した圧電振動子が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その1つとして、表面実装型の圧電振動子が知られている。この種の圧電振動子として、一般的に圧電振動片が形成された圧電基板を、ベース基板とリッド基板とで上下から挟み込むように接合した3層構造タイプのものが知られている。この場合、圧電振動片は、ベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ(密閉室)内に収容されている。
また、近年では、上述した3層構造タイプのものではなく、2層構造タイプのものも開発されている。このタイプの圧電振動子は、ベース基板とリッド基板とが直接接合されることで2層構造になっており、両基板の間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が収容されている。この2層構造タイプの圧電振動子は、3層構造のものに比べて薄型化を図ることができる等の点において優れており、好適に使用されている。
このような2層構造タイプの圧電振動子の1つとして、ガラス製のベース基板に形成された貫通孔に、銀ペーストなどの導電部材を充填し焼成することで貫通電極を形成し、圧電振動片(水晶振動子)と、ベース基板の外側に設けられた外部電極とを電気的に接続したものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、銀ペーストによって形成された貫通電極では、焼成により銀ペースト中の樹脂などの有機物が除去されて体積が減少するので、貫通電極の表面に凹部が生じたり、貫通電極に穴が開いたりすることがあった。そして、この貫通電極の凹部や穴がキャビティ内の気密性の低下や、圧電振動片と外部電極との導電性の悪化の原因となることがあった。
そこで、最近では、金属材料からなる金属ピンを用いて貫通電極を形成する方法が開発されている。この方法では、まず、ベース基板に形成された貫通孔に金属ピンを挿通して、貫通孔にガラスフリットを充填し、ガラスフリットを焼成してベース基板と金属ピンとを一体化させている。貫通電極に金属ピンを使用することにより、安定した導電性を確保することができる。
ここで前述した製造方法では、ガラスフリットの充填を以下に示す方法で行っている。
すなわち、まず、ペースト状のガラスフリットを塗布するための開口部が形成されたメタルマスクを、ベース基板の上面に配置する。これにより、ベース基板の外周部が、メタルマスクで覆われるとともに、貫通孔が形成されたベース基板の中央部が、メタルマスクの開口部を通して露出される。
次に、ベース基板の上面にガラスフリットを塗布し、スキージを用いてガラスフリットを貫通孔内に充填する。ここで、ベース基板の外周部がメタルマスクで覆われているので、ガラスフリットがベース基板の上面から側面に伝ってしまうことが抑制される。
その後、メタルマスクを取り除き、ガラスフリットを仮乾燥させる。これにより、ガラスフリット内の有機物のバインダが除去されてガラスフリットの体積が減少することとなり、ガラスフリットの表面に凹部が形成される。そこで、この凹部にガラスフリットを充填すべく、上記作業を繰り返し行う。この結果、ガラスフリットを貫通孔内に確実に充填することができる。
すなわち、まず、ペースト状のガラスフリットを塗布するための開口部が形成されたメタルマスクを、ベース基板の上面に配置する。これにより、ベース基板の外周部が、メタルマスクで覆われるとともに、貫通孔が形成されたベース基板の中央部が、メタルマスクの開口部を通して露出される。
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その後、メタルマスクを取り除き、ガラスフリットを仮乾燥させる。これにより、ガラスフリット内の有機物のバインダが除去されてガラスフリットの体積が減少することとなり、ガラスフリットの表面に凹部が形成される。そこで、この凹部にガラスフリットを充填すべく、上記作業を繰り返し行う。この結果、ガラスフリットを貫通孔内に確実に充填することができる。
しかしながら、前述したガラスフリットの充填方法では、ガラスフリットの充填を繰り返すたびに、ベース基板上にガラスフリットの残渣が発生する。ここで、ガラスフリットの残渣を放置しておくと、ガラスフリットを繰り返し充填するためにベース基板上に再びメタルマスクを配置するときに、メタルマスクとベース基板との間に残渣が挟まり隙間が形成されることとなる。このようにメタルマスクとベース基板との間に隙間があいた状態でガラスフリットを充填すると、前記隙間にガラスフリットが入り込み、ガラスフリットがベース基板の側面に伝ってしまうおそれがある。そのため、ガラスフリットの充填を繰り返すたびにガラスフリットの残渣を削り取って(スクライブして)除去する必要があり、手間がかかるという問題があった。
本発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、簡便に効率良くパッケージを製造することができるパッケージの製造方法、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計を提供することである。
前記課題を解決するために、本発明は以下の手段を提案している。
本発明に係るパッケージの製造方法は、互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、前記複数の基板のうち、第1基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記パッケージの外側とを導通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、前記貫通電極形成工程は、前記第1基板の中央部に位置する孔形成領域に、前記第1基板の少なくとも一方の面側に開口する孔部を形成する孔部形成工程と、前記第1基板の前記一方の面上の外周部を覆う被覆治具を配置し、前記被覆治具に形成された治具開口部を通して前記孔形成領域を露出させる治具配置工程と、前記貫通電極の少なくとも一部を構成する充填材を前記孔部に充填する充填工程と、を有し、前記充填工程は、メタルマスクを前記被覆治具上に配置し、前記治具開口部と、前記メタルマスクに形成されたマスク開口部とを通して前記孔形成領域を露出させるメタルマスク配置工程と、前記第1基板の前記一方の面に前記充填材を塗布し、スキージを用いて前記孔部内に前記充填材を充填する本充填工程と、前記メタルマスクを取り除くメタルマスク除去工程と、前記充填材を乾燥させる乾燥工程と、を有し、前記充填工程を複数回繰り返すとともに、2回目以降の前記充填工程における前記メタルマスク配置工程では、直前の前記メタルマスク配置工程よりもマスク開口部が大径のメタルマスクを用いることを特徴とする。
本発明に係るパッケージの製造方法は、互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、前記複数の基板のうち、第1基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記パッケージの外側とを導通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、前記貫通電極形成工程は、前記第1基板の中央部に位置する孔形成領域に、前記第1基板の少なくとも一方の面側に開口する孔部を形成する孔部形成工程と、前記第1基板の前記一方の面上の外周部を覆う被覆治具を配置し、前記被覆治具に形成された治具開口部を通して前記孔形成領域を露出させる治具配置工程と、前記貫通電極の少なくとも一部を構成する充填材を前記孔部に充填する充填工程と、を有し、前記充填工程は、メタルマスクを前記被覆治具上に配置し、前記治具開口部と、前記メタルマスクに形成されたマスク開口部とを通して前記孔形成領域を露出させるメタルマスク配置工程と、前記第1基板の前記一方の面に前記充填材を塗布し、スキージを用いて前記孔部内に前記充填材を充填する本充填工程と、前記メタルマスクを取り除くメタルマスク除去工程と、前記充填材を乾燥させる乾燥工程と、を有し、前記充填工程を複数回繰り返すとともに、2回目以降の前記充填工程における前記メタルマスク配置工程では、直前の前記メタルマスク配置工程よりもマスク開口部が大径のメタルマスクを用いることを特徴とする。
この発明によれば、2回目以降の充填工程におけるメタルマスク配置工程で、直前のメタルマスク配置工程よりもマスク開口部が大径のメタルマスクを用いる。したがって、2回目以降の充填工程におけるメタルマスク配置工程時に、直前の充填工程で形成された充填材の残渣をマスク開口部内に位置させて平面視で外側から囲うようにメタルマスクを配置することができる。これにより、充填材の充填を繰り返すたびに充填材の残渣を除去する必要が無く、簡便に効率良くパッケージを製造することができる。
また、メタルマスク配置工程の際、メタルマスクを被覆治具上に配置しているので、第1基板の孔形成領域の大きさを確保しつつ、充填工程を繰り返すたびにマスク開口部を容易に大径化することができる。すなわち、第1基板の孔形成領域の大きさを確保すると、第1基板の孔形成領域から外周縁までの大きさが小さくなる。そのため、例えば、被覆治具を介さずにメタルマスクを第1基板の一方の面上に直接配置する場合に、第1基板の孔形成領域の大きさを確保すると、第1基板の孔形成領域から外周縁までの範囲内でマスク開口部を徐々に大径化することが困難となる。
なお、貫通電極形成工程の際、第1基板として、切断して小片化することで複数の第1基板となる第1基板用ウエハを用いる場合、第1基板用ウエハの孔形成領域の大きさを確保することで、1つの第1基板用ウエハからの第1基板の取り個数を増加させることができる。
なお、貫通電極形成工程の際、第1基板として、切断して小片化することで複数の第1基板となる第1基板用ウエハを用いる場合、第1基板用ウエハの孔形成領域の大きさを確保することで、1つの第1基板用ウエハからの第1基板の取り個数を増加させることができる。
また、充填工程の際、第1基板の外周部が被覆治具により覆われているので、充填工程を繰り返すたびにマスク開口部を大径化しても、第1基板の外周部を被覆治具によって確実に覆い続けることができる。
また、前記マスク開口部は、前記治具開口部より大径であっても良い。
この場合、マスク開口部が、治具開口部より大径なので、メタルマスク配置工程でメタルマスクを被覆治具上に配置する際、治具開口部とマスク開口部とを通して第1基板の孔形成領域が露出されるように、メタルマスクを容易に位置決めすることができる。
また、前記治具配置工程の際、前記第1基板の前記一方の面上に前記被覆治具を配置するとともに、前記第1基板の他方の面側に、前記被覆治具との間で前記第1基板を厚さ方向に挟み込む固定治具を配置しても良い。
この場合、治具配置工程の際、被覆治具と固定治具とで第1基板を厚さ方向に挟み込むので、被覆治具を第1基板に確実に固定することができる。
また、被覆治具と固定治具との間で第1基板を厚さ方向に挟み込むので、被覆治具と第1基板との間に隙間があいてしまうのを確実に防ぐことが可能になり、充填材が被覆治具と第1基板との間に入り込んでしまうのを確実に抑制することができる。
また、被覆治具と固定治具との間で第1基板を厚さ方向に挟み込むので、被覆治具と第1基板との間に隙間があいてしまうのを確実に防ぐことが可能になり、充填材が被覆治具と第1基板との間に入り込んでしまうのを確実に抑制することができる。
また、前記孔部形成工程の際、前記孔部を、前記第1基板を厚さ方向に貫通するように形成し、前記貫通電極形成工程は、前記孔部形成工程の後に、前記貫通電極の一部を構成する芯材部と、表面に前記芯材部が立設された土台部とを備える導電性の鋲体の前記芯材部を、前記第1基板の他方の面側から前記孔部内に挿入する鋲体配置工程を有し、前記治具配置工程の際、前記固定治具で前記土台部を前記第1基板の前記他方の面に押し付けながら、前記固定治具と前記被覆治具との間で前記第1基板を厚さ方向に挟み込んでも良い。
この場合、治具配置工程の際、固定治具で土台部を第1基板の他方の面に押し付けるので、孔部の他方の面側の開口を土台部により閉塞することが可能になり、充填工程の際、充填材が孔部から他方側に漏出するのを抑制することができる。
また、固定治具で土台部を第1基板の他方の面に押し付けながら、固定治具と被覆治具との間で第1基板を厚さ方向に挟み込むので、固定治具を配置するだけで、固定治具の強固な固定と、充填材の孔部からの漏出の抑制とを両立することが可能になり、極めて簡便に効率良くパッケージを製造することができる。
また、固定治具で土台部を第1基板の他方の面に押し付けながら、固定治具と被覆治具との間で第1基板を厚さ方向に挟み込むので、固定治具を配置するだけで、固定治具の強固な固定と、充填材の孔部からの漏出の抑制とを両立することが可能になり、極めて簡便に効率良くパッケージを製造することができる。
また、前記貫通電極形成工程は、前記治具配置工程の前に、前記被覆治具上の前記充填材の残渣を、前記被覆治具を洗浄して除去する治具洗浄工程を有していても良い。
この場合、治具配置工程の前に治具洗浄工程を行っているので、メタルマスクと被覆治具との間に充填材の残渣を起因とした隙間が形成されることがない。
またこのように、治具配置工程の前に治具洗浄工程を行うことで、被覆治具を繰り返し使用することができる。
また、治具洗浄工程の際、被覆治具を洗浄して残渣を除去しているので、例えば残渣を削り取って(スクライブして)除去する場合に比べて、簡便に行うことができる。
またこのように、治具配置工程の前に治具洗浄工程を行うことで、被覆治具を繰り返し使用することができる。
また、治具洗浄工程の際、被覆治具を洗浄して残渣を除去しているので、例えば残渣を削り取って(スクライブして)除去する場合に比べて、簡便に行うことができる。
また、本発明に係る圧電振動子の製造方法は、前記パッケージの製造方法を実施する工程と、前記電子部品としての圧電振動片を前記貫通電極に実装しつつ前記キャビティの内部に配置する工程とを有することを特徴とする。
この発明によれば、簡便に効率良く製造することができるパッケージの製造方法を採用しているので、低コストな圧電振動子を提供することができる。
また、本発明に係る発振器は、前記圧電振動子の製造方法で製造された圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明に係る電子機器は、前記圧電振動子の製造方法で製造された圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明に係る電波時計は、前記圧電振動子の製造方法で製造された圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明に係る電子機器は、前記圧電振動子の製造方法で製造された圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明に係る電波時計は、前記圧電振動子の製造方法で製造された圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明に係る発振器、電子機器および電波時計によれば、低コストな圧電振動子を用いているため、低コスト化を図ることができる。
本発明によれば、簡便に効率良くパッケージを製造することができる。
以下、本発明の一実施形態につき図面を参照して説明する。
(圧電振動子)
図1から図4に示すように、本実施形態の圧電振動子1は、互いに接合された複数の基板2、3の間に形成されたキャビティC内に、電子部品としての圧電振動片4が封入されたパッケージ5を備える表面実装型の構成とされている。パッケージ5は、ベース基板(第1基板)2とリッド基板3とで2層に積層された箱状に形成されている。なお、図4においては、図面を見易くするために後述する励振電極15、引き出し電極19、20、マウント電極16、17及び重り金属膜21の図示を省略している。
(圧電振動子)
図1から図4に示すように、本実施形態の圧電振動子1は、互いに接合された複数の基板2、3の間に形成されたキャビティC内に、電子部品としての圧電振動片4が封入されたパッケージ5を備える表面実装型の構成とされている。パッケージ5は、ベース基板(第1基板)2とリッド基板3とで2層に積層された箱状に形成されている。なお、図4においては、図面を見易くするために後述する励振電極15、引き出し電極19、20、マウント電極16、17及び重り金属膜21の図示を省略している。
図5から図7に示すように、圧電振動片4は、水晶やタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
この圧電振動片4は、平行に配置された一対の振動腕部10、11と、一対の振動腕部10、11の基端側を一体的に固定する基部12と、一対の振動腕部10、11の外表面上に形成されて一対の振動腕部10、11を振動させる第1の励振電極13と第2の励振電極14とからなる励振電極15と、第1の励振電極13及び第2の励振電極14に電気的に接続されたマウント電極16、17とを有している。
また、本実施形態の圧電振動片4は、一対の振動腕部10、11の両主面上に、振動腕部10、11の長手方向に沿ってそれぞれ形成された溝部18を備えている。この溝部18は、振動腕部10、11の基端側から略中間付近まで形成されている。
また、本実施形態の圧電振動片4は、一対の振動腕部10、11の両主面上に、振動腕部10、11の長手方向に沿ってそれぞれ形成された溝部18を備えている。この溝部18は、振動腕部10、11の基端側から略中間付近まで形成されている。
励振電極13、14は、図5および図6に示すように、一対の振動腕部10、11の主面上に形成される。励振電極13、14は、例えば、クロム(Cr)等の単層の導電性膜により形成される。第1の励振電極13と第2の励振電極14とからなる励振電極15は、一対の振動腕部10、11を互いに接近または離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極であり、一対の振動腕部10、11の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。具体的には、第1の励振電極13が、一方の振動腕部10の溝部18上と他方の振動腕部11の両側面上とに主に形成され、第2の励振電極14が、一方の振動腕部10の両側面上と他方の振動腕部11の溝部18上とに主に形成されている。
また、第1の励振電極13及び第2の励振電極14は、基部12の両主面上において、それぞれ引き出し電極19、20を介してマウント電極16、17に電気的に接続されている。そして圧電振動片4は、このマウント電極16、17を介して電圧が印加されるようになっている。
なお、マウント電極16、17及び引き出し電極19、20は、クロム(Cr)と金(Au)との積層膜であり、水晶と密着性の良いクロム膜を下地として成膜した後に、表面に金の薄膜を施したものである。
なお、マウント電極16、17及び引き出し電極19、20は、クロム(Cr)と金(Au)との積層膜であり、水晶と密着性の良いクロム膜を下地として成膜した後に、表面に金の薄膜を施したものである。
また、一対の振動腕部10、11の先端には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整(周波数調整)を行うための重り金属膜21が被膜されている。なお、この重り金属膜21は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜21aと、微小に調整する際に使用される微調膜21bとに分かれている。これら粗調膜21a及び微調膜21bを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部10、11の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができる。
このように構成された圧電振動片4は、図3および図4に示すように、金等のバンプBを利用して、ベース基板2の内面(上面)にバンプ接合されている。より具体的には、ベース基板2の内面にパターニングされた後述する引き回し電極36、37上に形成された2つのバンプB上に、一対のマウント電極16、17がそれぞれ接触した状態でバンプ接合されている。
リッド基板3は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、図1、図3および図4に示すように、板状に形成されている。そして、ベース基板2が接合される接合面側には、圧電振動片4が収まる矩形状の凹部3aが形成されている。この凹部3aは、両基板2、3が重ね合わされたときに、圧電振動片4を収容するキャビティCとなるキャビティ用の凹部である。そして、リッド基板3は、この凹部3aをベース基板2側に対向させた状態でベース基板2に対して陽極接合されている。
また、図3に示すように、リッド基板3のベース基板2との接合面には、陽極接合用の接合膜35が形成されている。接合膜35は、例えばアルミニウム等の導電性材料からなり、スパッタやCVD等の成膜方法により形成される。なお、凹部3aの内面全体に形成してもよい。これにより、接合膜35のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。
そして、リッド基板3は、この凹部3aをベース基板2側に対向させた状態で、接合膜35を介してベース基板2に陽極接合されている。
そして、リッド基板3は、この凹部3aをベース基板2側に対向させた状態で、接合膜35を介してベース基板2に陽極接合されている。
ベース基板2は、リッド基板3と同様に、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板であり、図1から図4に示すように、板状に形成されている。
このベース基板2には、ベース基板2を貫通する一対の貫通孔30、31が形成されている。本実施形態の貫通孔30、31は、マウントされた圧電振動片4の基部12側に対応した位置に一方の貫通孔30が形成され、振動腕部10、11の先端側に対応した位置に他方の貫通孔31が形成されている。
このベース基板2には、ベース基板2を貫通する一対の貫通孔30、31が形成されている。本実施形態の貫通孔30、31は、マウントされた圧電振動片4の基部12側に対応した位置に一方の貫通孔30が形成され、振動腕部10、11の先端側に対応した位置に他方の貫通孔31が形成されている。
そして、これら一対の貫通孔30、31には、これら貫通孔30、31を埋めるように形成された一対の貫通電極32、33が形成されている。これら貫通電極32、33は、図3に示すように、焼成によって貫通孔30、31に対して一体的に固定された筒体6及び芯材部7によって形成されたものであり、貫通孔30、31を完全に塞いでキャビティC内の気密を維持しているとともに、後述する外部電極38、39と引き回し電極36、37とを導通させる役割を担っている。
筒体6は、後述するペースト状のガラスフリット6a(図11参照)が焼成されたものである。筒体6は、両端が平坦で且つベース基板2と略同じ厚みの円筒状に形成されている。そして、筒体6の中心には、芯材部7が筒体6を貫通するように配されている。筒体6および芯材部7は、貫通孔30、31内に埋め込まれた状態で焼成されており、貫通孔30、31に対して強固に固着されている。
芯材部7は、ステンレスや銀、アルミ等の金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体6と同様に両端が平坦で、且つベース基板2の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。この芯材部7は、筒体6の略中心6cに位置しており、筒体6の焼成によって筒体6に対して強固に固着されている。なお、貫通電極32、33は、導電性の芯材部7を通して電気導通性が確保されている。
また、一対の引き回し電極36、37は、一対の貫通電極32、33のうち、一方の貫通電極32と圧電振動片4の一方のマウント電極16とを電気的に接続するとともに、他方の貫通電極33と圧電振動片4の他方のマウント電極17とを電気的に接続するようにパターニングされている。
より詳しく説明すると、一方の引き回し電極36は、圧電振動片4の基部12の真下に位置するように一方の貫通電極32の真上に形成されている。また、他方の引き回し電極37は、一方の引き回し電極36に隣接した位置から、振動腕部10、11に沿って前記振動腕部10、11の先端側に引き回しされた後、他方の貫通電極33の真上に位置するように形成されている。
そして、これら一対の引き回し電極36、37上にそれぞれバンプBが形成されており、バンプBを利用して圧電振動片4がマウントされている。これにより、圧電振動片4の一方のマウント電極16が、一方の引き回し電極36を介して一方の貫通電極32に導通し、他方のマウント電極17が、他方の引き回し電極37を介して他方の貫通電極33に導通するようになっている。
また、ベース基板2の外面(下面)には、図1、図3および図4に示すように、一対の貫通電極32、33に対してそれぞれ電気的に接続される外部電極38、39が形成されている。つまり、一方の外部電極38は、一方の貫通電極32及び一方の引き回し電極36を介して圧電振動片4の第1の励振電極13に電気的に接続されている。また、他方の外部電極39は、他方の貫通電極33及び他方の引き回し電極37を介して、圧電振動片4の第2の励振電極14に電気的に接続されている。
このように構成された圧電振動子1を作動させる場合には、ベース基板2に形成された外部電極38、39に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片4の第1の励振電極13及び第2の励振電極14からなる励振電極15に電圧を印加することで、一対の振動腕部10、11を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部10、11の振動を利用して、時刻源や制御信号のタイミング源、リファレンス信号源等として利用することができる。
(圧電振動子の製造方法)
次に、本実施形態における圧電振動子1の製造方法について、図8に示すフローチャートに基づいて説明する。
初めに、圧電振動片作製工程S10を行って図5から図7に示す圧電振動片4を作製する。具体的には、まず水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハとする。続いて、このウエハをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、その後ポリッシュ等の鏡面研磨加工を行って、所定の厚みのウエハとする。続いて、ウエハに洗浄等の適切な処理を施した後、ウエハをフォトリソグラフィ技術によって圧電振動片4の外形形状でパターニングするとともに、金属膜の成膜及びパターニングを行って、励振電極15、引き出し電極19、20、マウント電極16、17、重り金属膜21を形成する。これにより、複数の圧電振動片4を作製することができる。
次に、本実施形態における圧電振動子1の製造方法について、図8に示すフローチャートに基づいて説明する。
初めに、圧電振動片作製工程S10を行って図5から図7に示す圧電振動片4を作製する。具体的には、まず水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハとする。続いて、このウエハをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、その後ポリッシュ等の鏡面研磨加工を行って、所定の厚みのウエハとする。続いて、ウエハに洗浄等の適切な処理を施した後、ウエハをフォトリソグラフィ技術によって圧電振動片4の外形形状でパターニングするとともに、金属膜の成膜及びパターニングを行って、励振電極15、引き出し電極19、20、マウント電極16、17、重り金属膜21を形成する。これにより、複数の圧電振動片4を作製することができる。
また、圧電振動片4を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。これは、重り金属膜21の粗調膜21aにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、重量を変化させることで行う。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。
次に図9に示すように、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、後にリッド基板3(図3参照)となるリッド基板用ウエハ50を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第1のウエハ作製工程S20を行う。具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ50を形成する(S21)。次いで、リッド基板用ウエハ50の接合面に、エッチング等により行列方向にキャビティ用の凹部3aを複数形成する凹部形成工程S22を行う。次に、ベース基板用ウエハ40との接合面を研磨する接合面研磨工程S23を行う。
次に、ベース基板用ウエハ40との接合面に接合膜35を形成する接合膜形成工程S24を行う。接合膜35は、ベース基板用ウエハ40との接合面に加えて、凹部3aの内面全体に形成してもよい。これにより、接合膜35のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。接合膜35の形成は、スパッタやCVD等の成膜方法によって行うことができる。なお、接合膜形成工程S24の前に接合面研磨工程S23を行っているので、接合膜35の表面の平面度が確保され、ベース基板用ウエハ40との安定した接合を実現することができる。
次に、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、後にベース基板2(図3参照)となるベース基板用ウエハ40を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第2のウエハ作製工程S30を行う。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ40を形成する(S31)。
次に、図3に示すように、ベース基板2を厚さ方向に貫通し、キャビティCの内側と圧電振動子1の外側とを導通する貫通電極32、33を形成する貫通電極形成工程S32を行う。以下に、貫通電極形成工程S32について詳細を説明する。
貫通電極形成工程S32では、まず図10に示すように、ベース基板用ウエハ40の中央部に位置する孔形成領域R1に、ベース基板用ウエハ40の厚さ方向に貫通する貫通孔(孔部)30、31を形成する貫通孔形成工程(孔部形成工程)S32Aを行う。この際、例えば、サンドブラスト法等により貫通孔30、31を形成する。
なお図10では、図面を見易くするために、貫通孔30、31の数を省略するとともに、大きさ等を誇張して図示しており、貫通孔30、31の数や大きさ等は図示の例に限られない。また図示の例では、貫通孔30、31は、ベース基板用ウエハ40の外面(一方の面)40aから内面(他方の面)40bに向かって漸次径が縮径した断面テーパ形状となっているが、ベース基板用ウエハ40を真っ直ぐに貫通するでも構わない。なお、ベース基板用ウエハ40の外面40aおよび内面40bはそれぞれ、後のベース基板2の外面および内面となる。
次いで、貫通電極32、33の一部を構成する芯材部7を貫通孔30、31内に配置する芯材部配置工程S32Bを行う。このとき本実施形態では、芯材部7と、表面に芯材部7が立設された土台部8とを備える導電性の鋲体9を用いて、この鋲体9の芯材部7を、ベース基板用ウエハ40の内面40b側から貫通孔30、31内に挿入する。なお図示の例では、土台部8がベース基板用ウエハ40の内面40bに当接した状態で、芯材部7の先端が貫通孔30、31内に位置しており、ベース基板用ウエハ40の外面40aよりも外側に突出していない。
続いて、ベース基板用ウエハ40の外面40a上の外周部R2を覆う被覆治具70を配置し、被覆治具70に形成された治具開口部71を通して孔形成領域R1を露出させる治具配置工程S32Cを行う。このとき本実施形態では、ベース基板用ウエハ40の外面40a上に被覆治具70を配置するとともに、ベース基板用ウエハ40の内面40b側に、被覆治具70との間でベース基板用ウエハ40を厚さ方向に挟み込む固定治具72を配置する。
本実施形態では、被覆治具70は、背低の有頂筒状に形成されており、被覆治具70の天壁部73の中央部には治具開口部71が形成されるとともに、被覆治具70の周壁部74の内径はベース基板用ウエハ40の外径よりも大きくなっている。天壁部73の厚さは、例えば50μm〜100μmとなっている。固定治具72の平面視形状は、被覆治具70の天壁部73の平面視形状と同形同大な平板部材とされ、図示しない固定部材によって周壁部74の下端部に着脱可能に固定され、周壁部74の下端部を閉塞している。なお、被覆治具70および固定治具72は、例えば金属材料、好ましくはアルミニウムや鉄などで形成されている。
そして、治具配置工程S32Cでは、固定治具72で鋲体9の土台部8をベース基板用ウエハ40の内面40bに押し付けながら、固定治具72と被覆治具70の天壁部73との間でベース基板用ウエハ40を厚さ方向に挟み込んでいる。
そして、治具配置工程S32Cでは、固定治具72で鋲体9の土台部8をベース基板用ウエハ40の内面40bに押し付けながら、固定治具72と被覆治具70の天壁部73との間でベース基板用ウエハ40を厚さ方向に挟み込んでいる。
続いて図11に示すように、貫通電極32、33の少なくとも一部を構成するガラスフリット(充填材)6aを貫通孔30、31に充填する充填工程S32Dを行う。なおこの充填工程S32Dは、ベース基板用ウエハ40を図示しない真空チャンバー内に投入し、減圧雰囲気下で行っても良い。
充填工程S32Dでは、まず第1メタルマスク80を被覆治具70上に配置し、治具開口部71とメタルマスク80に形成されたマスク開口部81とを通してベース基板用ウエハ40の孔形成領域R1を露出させる第1メタルマスク配置工程S321を行う。この際、第1メタルマスク80と被覆治具70とを互いに密接させる。
充填工程S32Dでは、まず第1メタルマスク80を被覆治具70上に配置し、治具開口部71とメタルマスク80に形成されたマスク開口部81とを通してベース基板用ウエハ40の孔形成領域R1を露出させる第1メタルマスク配置工程S321を行う。この際、第1メタルマスク80と被覆治具70とを互いに密接させる。
ここで本実施形態では、第1メタルマスク80は、例えば、厚さが50μm程度とされ、ベース基板用ウエハ40の外面40a全体を覆うようにステンレスで形成された平板部材である。第1メタルマスク80のマスク開口部81は、第1メタルマスク80の中央部に形成されるとともに、治具開口部71より大径となっている。
続いて図11に示すように、ベース基板用ウエハ40の外面40aにガラスフリット6aを塗布し、スキージ82を用いて貫通孔30、31内にガラスフリット6aを充填するガラスフリット充填工程(本充填工程)S322を行う。ここで、スキージ82は、ウレタンゴム等の可撓性を具備する軟質部材で形成されるとともに、マスク開口部81の開口幅よりも広幅となっている。
この工程では、まず、ベース基板用ウエハ40の孔形成領域R1にガラスフリット6aを塗付する。本実施形態では、ガラスフリット6aをベース基板用ウエハ40の外面40a側(図示の例では第1メタルマスク80上)に配するとともに、スキージ82を第1メタルマスク80に押圧しながらマスク開口部81上で移動させる。このとき、スキージ82を、移動方向に交差する方向にマスク開口部81を跨らせた状態で移動させることで、スキージ82の先端82aがマスク開口部81内および治具開口部71内に撓むこととなる。したがって、ガラスフリット6aが、スキージ82によってベース基板用ウエハ40側に押圧されながら孔形成領域R1で引き延ばされる。これにより、ガラスフリット6aが、マスク開口部81および治具開口部71を介してベース基板用ウエハ40の孔形成領域R1に塗布され、貫通孔30、31内に充填される。
次に、孔形成領域R1の外面40aに塗布された余分なガラスフリット6aを除去する。本実施形態では、ガラスフリット6aの塗付と同様に、スキージ82を第1メタルマスク80に押圧しながらマスク開口部81上で移動させ、スキージ82の先端82aをマスク開口部81内および治具開口部71内に撓ませる。この際、スキージ82の先端82aが、ベース基板用ウエハ40の孔形成領域R1の外面40aに当接するようにスキージ82を押圧することで、孔形成領域R1の外面40a上のガラスフリット6aをスキージ82によって削いで掬い取ることができる。これにより、貫通孔30、31内にガラスフリット6aを充填させつつ、余分なガラスフリット6aを除去することができる。
以上でガラスフリット充填工程S322が終了する。なお、ガラスフリット6aの塗布と除去とでは、用いるスキージ82や、スキージ82を移動させる方向などがそれぞれ異なっていても良い。また、ガラスフリット充填工程S322は、上記方法に限られない。
ここで図12に示すように、ベース基板用ウエハ40の外面40aや、被覆治具70上には、スキージ82が撓んでも当接し難い部分(例えば、治具開口部71の側面とベース基板用ウエハ40の外面40aとで形成される隅部など)がある。この部分のガラスフリット6aは、スキージ82では除去しきれないため、ガラスフリット残渣6bとして残存する。
続いて、第1メタルマスク80を取り除く第1メタルマスク除去工程S323を行った後、ガラスフリット6aを乾燥させるガラスフリット乾燥工程(乾燥工程)S324を行う。なお、ガラスフリット乾燥工程S324に際し、例えば、被覆治具70および固定治具72に挟まれたベース基板用ウエハ40ごと乾燥炉の中に入れても良い。
これにより、貫通孔30、31内に充填されたガラスフリット6aや、ベース基板用ウエハ40の外面40aおよび被覆治具70上のガラスフリット残渣6bが乾燥した状態となり、充填工程S32Dが終了する。
これにより、貫通孔30、31内に充填されたガラスフリット6aや、ベース基板用ウエハ40の外面40aおよび被覆治具70上のガラスフリット残渣6bが乾燥した状態となり、充填工程S32Dが終了する。
ここで図12に示すように、ガラスフリット乾燥工程S324を行うと、例えばガラスフリット6a内の有機物のバインダが除去されることで、貫通孔30、31内に充填されたガラスフリット6aの表面に凹部6dが生ずる。そこで図8に示すように、この凹部6dにガラスフリット6aを充填すべく、充填工程を複数回繰返し行う(S32D、S32E)。そして、2回目以降の充填工程S32Eにおけるメタルマスク配置工程S325では、直前のメタルマスク配置工程S321よりもマスク開口部83が大径のメタルマスク84を用いる。
なお本実施形態では、充填工程を2回繰り返す(S32D、S32E)。2回目の充填工程S32Eについては、1回目の充填工程S32Dと同様の部分については説明を省略し、異なる点についてのみ説明する。
なお本実施形態では、充填工程を2回繰り返す(S32D、S32E)。2回目の充填工程S32Eについては、1回目の充填工程S32Dと同様の部分については説明を省略し、異なる点についてのみ説明する。
2回目の充填工程S32Eでは、図13に示すように、第2メタルマスク配置工程S325の際、マスク開口部83の内径bが、1回目の充填工程S32Dにおける第1メタルマスク配置工程S321で用いた第1メタルマスク80のマスク開口部81の内径aよりも大きい第2メタルマスク84を用いる。これにより、第2メタルマスク配置工程S325時に、1回目の充填工程S32Dで形成されたガラスペースト残渣6bをマスク開口部83内に位置させて平面視で外側から囲うように第2メタルマスク84を配置することができる。
そして、ガラスフリット充填工程S326で、貫通孔30、31内のガラスフリット6aの表面に形成された凹部6dに、スキージ82を用いてガラスフリット6aを充填した後、図14に示すように、第2メタルマスク除去工程S327で第2メタルマスク84を取り除き、その後、ガラスフリット乾燥工程S328でガラスフリット6aを乾燥させる。
以上で2回目の充填工程S32Eが終了する。なお、2回目の充填工程S32E後にも貫通孔30、31内のガラスフリット6aに凹部6dが生じる場合、充填工程をさらに繰り返しても良い。
以上で2回目の充填工程S32Eが終了する。なお、2回目の充填工程S32E後にも貫通孔30、31内のガラスフリット6aに凹部6dが生じる場合、充填工程をさらに繰り返しても良い。
続いて、図15に示すように、被覆治具70および固定治具72をベース基板用ウエハ40から取り外す治具外し工程S32Fを行った後、ベース基板用ウエハ40の外面40a上のガラスフリット残渣6bを削り取る残渣除去工程S32Gを行い、その後、貫通孔30、31内に充填されたガラスフリット6aを焼成して硬化させる焼成工程S32Hを行う。焼成工程S32Hでは、貫通孔30、31に充填したガラスフリット6aを所定の温度で焼成して硬化させる。この焼成工程S32Hを行うことで、図16に示すように、貫通孔30、31および芯材部7にガラスフリット6aが強固に固着して筒体6となり、貫通電極32、33が形成される。
最後に、ベース基板用ウエハ40および鋲体9の土台部8を研磨する研磨工程S32Iを行う。具体的には、芯材部7の先端が露出するまでベース基板用ウエハ40の外面40a側を研磨するとともに、鋲体9の土台部8を研磨して除去する。その結果、図3に示すように、筒体6と芯材部7とが一体的に固定された貫通電極32、33を複数得ることができる。
以上で貫通電極形成工程S32が終了する。
以上で貫通電極形成工程S32が終了する。
次に図9に示すように、引き回し電極形成工程S33として、貫通電極にそれぞれ電気的に接続された引き回し電極36、37を複数形成する。そして、引き回し電極36、37上に、それぞれ金等からなる尖塔形状のバンプを形成する。なお、図9では、図面の見易さのためバンプの図示を省略している。この時点で第2のウエハ作製工程S30が終了する。
次に、図9に示すように、ベース基板用ウエハ40の引き回し電極36、37上に、バンプBを介して圧電振動片4を接合する実装工程S40を行い、その後、ベース基板用ウエハ40に対してリッド基板用ウエハ50を重ね合わせる重ね合わせ工程S50を行う。
そして、重ね合わせ工程S50の後、重ね合わせた2枚のウエハを図示しない陽極接合装置に入れ、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合し、ウエハ体60を形成する接合工程S60を行う。ところで、陽極接合を行う際、図3に示すように、ベース基板用ウエハ40に形成された貫通孔30、31は、貫通電極32、33によって完全に塞がれているため、キャビティC内の真空状態が貫通孔30、31を通じて損なわれることがない。しかも、焼成によって筒体6と芯材部7とが一体的に固定されているとともに、これらが貫通孔30、31に対して強固に固着されているため、キャビティC内の真空状態を確実に維持することができる。
そして、上述した陽極接合が終了した後、ベース基板用ウエハ40の外面40aに導電性材料をパターニングして、一対の貫通電極32、33にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極38、39(図3参照)を複数形成する外部電極形成工程S70を行う。
次に、ウエハ体60の状態で、キャビティC内に封止された個々の圧電振動子1の周波数を微調整して所定の範囲内に収める微調工程を行う(S80)。
周波数の微調が終了後、接合されたウエハ体60を切断線Mに沿って切断して小片化する切断工程を行う(S90)。
その後、内部の電気特性検査(S100)を行うことで、圧電振動子1の製造が終了する。
周波数の微調が終了後、接合されたウエハ体60を切断線Mに沿って切断して小片化する切断工程を行う(S90)。
その後、内部の電気特性検査(S100)を行うことで、圧電振動子1の製造が終了する。
以上説明したように、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法によれば、2回目以降の充填工程S32Eにおけるメタルマスク配置工程S325で、直前のメタルマスク配置工程S321よりもマスク開口部83が大径のメタルマスク84を用いる。したがって、2回目以降の充填工程S32Eにおけるメタルマスク配置工程S325時に、直前の充填工程S32Dで形成されたガラスフリット6aの残渣6bをマスク開口部83内に位置させて平面視で外側から囲うようにメタルマスク84を配置することができる。これにより、ガラスフリット6aの充填を繰り返すたびにガラスフリット6aの残渣6bを除去する必要が無く、簡便に効率良く圧電振動子1(パッケージ5)を製造することが可能になり、圧電振動子1(パッケージ5)の低コスト化を図ることができる。
また、メタルマスク配置工程S321、S325の際、メタルマスク80、84を被覆治具70上に配置しているので、ベース基板用ウエハ40の孔形成領域R1の大きさを確保しつつ、充填工程S32D、S32Eを繰り返すたびにマスク開口部81、83を容易に大径化することができる。すなわち、ベース基板用ウエハ40の孔形成領域R1の大きさを確保すると、ベース基板用ウエハ40の孔形成領域R1から外周縁までの大きさが小さくなる。そのため、例えば、被覆治具70を介さずにメタルマスク80、84をベース基板用ウエハ40の外面40a上に直接配置する場合に、ベース基板用ウエハ40の孔形成領域R1の大きさを確保すると、ベース基板用ウエハ40の孔形成領域R1から外周縁までの範囲内でマスク開口部81、83を徐々に大径化することが困難となる。
また本実施形態のように、切断して小片化することで複数のベース基板2となるベース基板用ウエハ40を用いて圧電振動子1(パッケージ5)を製造する場合、ベース基板用ウエハ40の孔形成領域R1の大きさを確保することで、1つのベース基板用ウエハ40からのベース基板2の取り個数を増加させることができる。
また本実施形態のように、切断して小片化することで複数のベース基板2となるベース基板用ウエハ40を用いて圧電振動子1(パッケージ5)を製造する場合、ベース基板用ウエハ40の孔形成領域R1の大きさを確保することで、1つのベース基板用ウエハ40からのベース基板2の取り個数を増加させることができる。
また、充填工程S32D、S32Eの際、ベース基板用ウエハ40の外周部R2が被覆治具70により覆われているので、充填工程S32D、S32Eを繰り返すたびにマスク開口部81、83を大径化しても、ベース基板用ウエハ40の外周部R2を被覆治具70によって確実に覆い続けることができる。
また、マスク開口部81、83が、治具開口部71より大径なので、メタルマスク配置工程S321、S325でメタルマスク80、84を被覆治具70上に配置する際、治具開口部71とマスク開口部81、83とを通してベース基板用ウエハ40の孔形成領域R1が露出されるように、メタルマスク80、84を容易に位置決めすることができる。
また、治具配置工程S32Cの際、被覆治具70と固定治具72とでベース基板用ウエハ40を厚さ方向に挟み込むので、被覆治具70をベース基板用ウエハ40に確実に固定することができる。
また、被覆治具70と固定治具72との間でベース基板用ウエハ40を厚さ方向に挟み込むので、被覆治具70とベース基板用ウエハ40との間に隙間があいてしまうのを確実に防ぐことが可能になり、ガラスフリット6aが被覆治具70とベース基板用ウエハ40との間に入り込んでしまうのを確実に抑制することができる。
また、被覆治具70と固定治具72との間でベース基板用ウエハ40を厚さ方向に挟み込むので、被覆治具70とベース基板用ウエハ40との間に隙間があいてしまうのを確実に防ぐことが可能になり、ガラスフリット6aが被覆治具70とベース基板用ウエハ40との間に入り込んでしまうのを確実に抑制することができる。
(発振器)
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図17を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器110は、図17に示すように、圧電振動子1を、集積回路111に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器110は、コンデンサ等の電子素子部品112が実装された基板113を備えている。基板113には、発振器用の前記集積回路111が実装されており、この集積回路111の近傍に、圧電振動子1の圧電振動片4が実装されている。これら電子素子部品112、集積回路111及び圧電振動子1は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図17を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器110は、図17に示すように、圧電振動子1を、集積回路111に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器110は、コンデンサ等の電子素子部品112が実装された基板113を備えている。基板113には、発振器用の前記集積回路111が実装されており、この集積回路111の近傍に、圧電振動子1の圧電振動片4が実装されている。これら電子素子部品112、集積回路111及び圧電振動子1は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
このように構成された発振器110において、圧電振動子1に電圧を印加すると、圧電振動子1内の圧電振動片4が振動する。この振動は、圧電振動片4が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路111に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路111によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子1が発振子として機能する。
また、集積回路111の構成を、例えば、RTC(リアルタイムクロック)モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
また、集積回路111の構成を、例えば、RTC(リアルタイムクロック)モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
このような本実施形態の発振器110によれば、低コストな圧電振動子1を備えているので、低コスト化を図ることができる。
(電子機器)
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図18を参照して説明する。なお電子機器として、前述した圧電振動子1を有する携帯情報機器120を例にして説明する。
始めに本実施形態の携帯情報機器120は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図18を参照して説明する。なお電子機器として、前述した圧電振動子1を有する携帯情報機器120を例にして説明する。
始めに本実施形態の携帯情報機器120は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
次に、本実施形態の携帯情報機器120の構成について説明する。この携帯情報機器120は、図18に示すように、圧電振動子1と、電力を供給するための電源部121とを備えている。電源部121は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部121には、各種制御を行う制御部122と、時刻等のカウントを行う計時部123と、外部との通信を行う通信部124と、各種情報を表示する表示部125と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部126とが並列に接続されている。そして、電源部121によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。
制御部122は、各機能部を制御して音声データの送信や受信、現在時刻の計測、表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部122は、予めプログラムが書き込まれたROMと、該ROMに書き込まれたプログラムを読み出して実行するCPUと、該CPUのワークエリアとして使用されるRAM等とを備えている。
計時部123は、発振回路やレジスタ回路、カウンタ回路、インターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子1とを備えている。圧電振動子1に電圧を印加すると圧電振動片4が振動し、該振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部122と信号の送受信が行われ、表示部125に、現在時刻や現在日付、カレンダー情報等が表示される。
通信部124は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部127、音声処理部128、切替部129、増幅部130、音声入出力部131、電話番号入力部132、着信音発生部133及び呼制御メモリ部134を備えている。
無線部127は、音声データ等の各種データを、アンテナ135を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部128は、無線部127又は増幅部130から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部130は、音声処理部128又は音声入出力部131から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部131は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
無線部127は、音声データ等の各種データを、アンテナ135を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部128は、無線部127又は増幅部130から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部130は、音声処理部128又は音声入出力部131から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部131は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
また、着信音発生部133は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部129は、着信時に限って、音声処理部128に接続されている増幅部130を着信音発生部133に切り替えることによって、着信音発生部133において生成された着信音が増幅部130を介して音声入出力部131に出力される。
なお、呼制御メモリ部134は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部132は、例えば、0から9の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
なお、呼制御メモリ部134は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部132は、例えば、0から9の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
電圧検出部126は、電源部121によって制御部122等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部122に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部124を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、3V程度となる。電圧検出部126から電圧降下の通知を受けた制御部122は、無線部127、音声処理部128、切替部129及び着信音発生部133の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部127の動作停止は、必須となる。更に、表示部125に、通信部124が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。
すなわち、電圧検出部126と制御部122とによって、通信部124の動作を禁止し、その旨を表示部125に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部125の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×(バツ)印を付けるようにしても良い。
なお、通信部124の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部136を備えることで、通信部124の機能をより確実に停止することができる。
なお、通信部124の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部136を備えることで、通信部124の機能をより確実に停止することができる。
本実施形態の携帯情報機器120によれば、低コストな圧電振動子1を備えているので、低コスト化を図ることができる。
(電波時計)
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図19を参照して説明する。
本実施形態の電波時計140は、図19に示すように、フィルタ部141に電気的に接続された圧電振動子1を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県(40kHz)と佐賀県(60kHz)とに、標準の電波を送信する送信所(送信局)があり、それぞれ標準電波を送信している。40kHz若しくは60kHzのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、前述した2つの送信所で日本国内を全て網羅している。
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図19を参照して説明する。
本実施形態の電波時計140は、図19に示すように、フィルタ部141に電気的に接続された圧電振動子1を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県(40kHz)と佐賀県(60kHz)とに、標準の電波を送信する送信所(送信局)があり、それぞれ標準電波を送信している。40kHz若しくは60kHzのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、前述した2つの送信所で日本国内を全て網羅している。
以下、電波時計140の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ142は、40kHz若しくは60kHzの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、40kHz若しくは60kHzの搬送波にAM変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ143によって増幅され、複数の圧電振動子1を有するフィルタ部141によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子1は、前記搬送周波数と同一の40kHz及び60kHzの共振周波数を有する水晶振動子部148、149をそれぞれ備えている。
アンテナ142は、40kHz若しくは60kHzの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、40kHz若しくは60kHzの搬送波にAM変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ143によって増幅され、複数の圧電振動子1を有するフィルタ部141によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子1は、前記搬送周波数と同一の40kHz及び60kHzの共振周波数を有する水晶振動子部148、149をそれぞれ備えている。
更に、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路144により検波復調される。
続いて、波形整形回路145を介してタイムコードが取り出され、CPU146でカウントされる。CPU146では、現在の年や積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、RTC148に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、40kHz若しくは60kHzであるから、水晶振動子部148、149は、前述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
続いて、波形整形回路145を介してタイムコードが取り出され、CPU146でカウントされる。CPU146では、現在の年や積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、RTC148に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、40kHz若しくは60kHzであるから、水晶振動子部148、149は、前述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
なお、前述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは77.5KHzの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計140を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子1を必要とする。
本実施形態の電波時計140によれば、低コストな圧電振動子1を備えているので、低コスト化を図ることができる。
なお、本発明の技術的範囲は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、貫通電極形成工程S32は、治具配置工程S32Cの前に、被覆治具70上のガラスフリット6aの残渣6bを、被覆治具70を洗浄して除去する治具洗浄工程を有していても良い。この工程では、例えば、被覆治具70を有機溶剤に浸漬して超音波洗浄することで、ガラスフリット6aの残渣6bを除去する。
この場合、治具配置工程S32Cの前に治具洗浄工程を行っているので、メタルマスク80、84と被覆治具70との間にガラスフリット6aの残渣6bを起因とした隙間が形成されることがない。
またこのように、治具配置工程S32Cの前に治具洗浄工程を行うことで、被覆治具70を繰り返し使用することができる。
また、治具洗浄工程の際、被覆治具70を洗浄して残渣6bを除去しているので、例えば残渣6bを削り取って(スクライブして)除去する場合に比べて、簡便に行うことができる。
例えば、貫通電極形成工程S32は、治具配置工程S32Cの前に、被覆治具70上のガラスフリット6aの残渣6bを、被覆治具70を洗浄して除去する治具洗浄工程を有していても良い。この工程では、例えば、被覆治具70を有機溶剤に浸漬して超音波洗浄することで、ガラスフリット6aの残渣6bを除去する。
この場合、治具配置工程S32Cの前に治具洗浄工程を行っているので、メタルマスク80、84と被覆治具70との間にガラスフリット6aの残渣6bを起因とした隙間が形成されることがない。
またこのように、治具配置工程S32Cの前に治具洗浄工程を行うことで、被覆治具70を繰り返し使用することができる。
また、治具洗浄工程の際、被覆治具70を洗浄して残渣6bを除去しているので、例えば残渣6bを削り取って(スクライブして)除去する場合に比べて、簡便に行うことができる。
また前記実施形態では、第1メタルマスク80のマスク開口部81は、治具開口部71より大径となっているものとしたが、これに限られない。例えば、第1メタルマスク80のマスク開口部81が治具開口部71と同径であっても良い。
また前記実施形態では、治具配置工程S32Cの際、被覆治具70と固定治具72とを配置するものとしたが、固定治具72はなくても良い。
また前記実施形態では、治具配置工程S32Cの際、被覆治具70と固定治具72とを配置するものとしたが、固定治具72はなくても良い。
また前記実施形態では、芯材部配置工程S32Bの際、鋲体9を用いて芯材部7を貫通孔30、31内に挿入するものとしたが、これに限られるものではない。例えば、土台部8に立設されていない芯材部7を用いても良い。
また前記実施形態では、貫通孔30、31内に充填される充填材がペースト状のガラスフリット6aであるものとしたが、これに限られるものではない。例えば、導電性のペースト(例えば銀ペーストなど)であっても良く、この場合、芯材部配置工程S32Bがなくても良い。
また前記実施形態では、貫通孔30、31内に充填される充填材がペースト状のガラスフリット6aであるものとしたが、これに限られるものではない。例えば、導電性のペースト(例えば銀ペーストなど)であっても良く、この場合、芯材部配置工程S32Bがなくても良い。
さらに前記実施形態では、貫通電極形成工程S32が、孔形成領域R1に貫通孔30、31を形成する貫通孔形成工程32Aを有するものとしたが、これに代えて、孔形成領域R1に、ベース基板用ウエハ40の外面40a側に開口する凹部(孔部)を形成する凹部形成工程を有していても良い。この場合、例えば、研磨工程S32Iにおいて、ベース基板用ウエハ40の内面40b側を、芯材部7が露出するまで研磨すれば良い。
また前記実施形態では、リッド基板用ウエハ50に接合膜35を形成したが、これとは逆に、ベース基板用ウエハ40の内面40bに接合膜35を形成してもよい。この場合は、引き回し電極36、37と接合膜35とが接触しないように、ベース基板用ウエハ40におけるリッド基板用ウエハ50との接合面のみに形成することが好ましい。
また前記実施形態では、本発明に係るパッケージの製造方法を使用しつつ、パッケージ5の内部に圧電振動片4を封入して圧電振動子1を製造したが、パッケージ5の内部に圧電振動片4以外の電子部品を封入して、圧電振動子以外のデバイスを製造することも可能である。
さらに前記実施形態では、ベース基板2とリッド基板3との間にキャビティCを形成した2層構造タイプの圧電振動子1に本発明を適用した場合について説明したが、これに限らず、圧電基板をベース基板とリッド基板とで上下から挟み込むように接合した3層構造タイプの圧電振動子に適用しても構わない。
さらに前記実施形態では、ベース基板2とリッド基板3との間にキャビティCを形成した2層構造タイプの圧電振動子1に本発明を適用した場合について説明したが、これに限らず、圧電基板をベース基板とリッド基板とで上下から挟み込むように接合した3層構造タイプの圧電振動子に適用しても構わない。
その他、本発明の趣旨に逸脱しない範囲で、前記実施形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能であり、また、前記した変形例を適宜組み合わせてもよい。
1 圧電振動子
2 ベース基板(第1基板)
3 リッド基板(基板)
4 圧電振動片(電子部品)
6a ガラスフリット(充填材)
6b 残渣
7 芯材部
8 土台部
9 鋲体
30、31 貫通孔(孔部)
32、33 貫通電極
40 ベース基板用ウエハ(第1基板)
40a 外面(一方の面)
40b 内面(他方の面)
70 被覆治具
71 治具開口部
72 固定治具
80、84 メタルマスク
81、83 マスク開口部
82 スキージ
110 発振器
120 携帯情報機器(電子機器)
140 電波時計
C キャビティ
R1 孔形成領域
R2 外周部
2 ベース基板(第1基板)
3 リッド基板(基板)
4 圧電振動片(電子部品)
6a ガラスフリット(充填材)
6b 残渣
7 芯材部
8 土台部
9 鋲体
30、31 貫通孔(孔部)
32、33 貫通電極
40 ベース基板用ウエハ(第1基板)
40a 外面(一方の面)
40b 内面(他方の面)
70 被覆治具
71 治具開口部
72 固定治具
80、84 メタルマスク
81、83 マスク開口部
82 スキージ
110 発振器
120 携帯情報機器(電子機器)
140 電波時計
C キャビティ
R1 孔形成領域
R2 外周部
Claims (9)
- 互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、
前記複数の基板のうち、第1基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記パッケージの外側とを導通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、
前記貫通電極形成工程は、
前記第1基板の中央部に位置する孔形成領域に、前記第1基板の少なくとも一方の面側に開口する孔部を形成する孔部形成工程と、
前記第1基板の前記一方の面上の外周部を覆う被覆治具を配置し、前記被覆治具に形成された治具開口部を通して前記孔形成領域を露出させる治具配置工程と、
前記貫通電極の少なくとも一部を構成する充填材を前記孔部に充填する充填工程と、
を有し、
前記充填工程は、
メタルマスクを前記被覆治具上に配置し、前記治具開口部と、前記メタルマスクに形成されたマスク開口部とを通して前記孔形成領域を露出させるメタルマスク配置工程と、
前記第1基板の前記一方の面に前記充填材を塗布し、スキージを用いて前記孔部内に前記充填材を充填する本充填工程と、
前記メタルマスクを取り除くメタルマスク除去工程と、
前記充填材を乾燥させる乾燥工程と、
を有し、
前記充填工程を複数回繰り返すとともに、2回目以降の前記充填工程における前記メタルマスク配置工程では、直前の前記メタルマスク配置工程よりもマスク開口部が大径のメタルマスクを用いることを特徴とするパッケージの製造方法。 - 請求項1記載のパッケージの製造方法であって、
前記マスク開口部は、前記治具開口部より大径であることを特徴とするパッケージの製造方法。 - 請求項1又は2に記載のパッケージの製造方法であって、
前記治具配置工程の際、前記第1基板の前記一方の面上に前記被覆治具を配置するとともに、前記第1基板の他方の面側に、前記被覆治具との間で前記第1基板を厚さ方向に挟み込む固定治具を配置することを特徴とするパッケージの製造方法。 - 請求項3記載のパッケージの製造方法であって、
前記孔部形成工程の際、前記孔部を、前記第1基板を厚さ方向に貫通するように形成し、
前記貫通電極形成工程は、前記孔部形成工程の後に、前記貫通電極の一部を構成する芯材部と、表面に前記芯材部が立設された土台部とを備える導電性の鋲体の前記芯材部を、前記第1基板の他方の面側から前記孔部内に挿入する鋲体配置工程を有し、
前記治具配置工程の際、前記固定治具で前記土台部を前記第1基板の前記他方の面に押し付けながら、前記固定治具と前記被覆治具との間で前記第1基板を厚さ方向に挟み込むことを特徴とするパッケージの製造方法。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載のパッケージの製造方法であって、
前記貫通電極形成工程は、前記治具配置工程の前に、前記被覆治具上の前記充填材の残渣を、前記被覆治具を洗浄して除去する治具洗浄工程を有していることを特徴とするパッケージの製造方法。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載のパッケージの製造方法を実施する工程と、前記電子部品としての圧電振動片を前記貫通電極に実装しつつ前記キャビティの内部に配置する工程とを有することを特徴とする圧電振動子の製造方法。
- 請求項6に記載の方法で製造された圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
- 請求項6に記載の方法で製造された圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
- 請求項6に記載の方法で製造された圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。
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