JP2011242350A - 半導体試験装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電圧印加電流測定時において、測定手法を変更することなく、従来の測定に加えて、１つのＤＣモジュールでの連続的な電流波形も測定することが可能な半導体試験装置を実現する。
【解決手段】被試験対象デバイスに電源電圧を供給すると共に被試験対象デバイスに流れる電流に応じた変換信号を出力するＤＣモジュールを複数有し、各ＤＣモジュールからの変換信号をマルチプレクサを切り替えて選択し、選択した変換信号をＡ／Ｄ変換器に与え、このＡ／Ｄ変換器を用いて電流を測定する半導体試験装置において、複数のＤＣモジュールからの変換信号がそれぞれ入力され、複数のＤＣモジュールのうちいずれか１つのＤＣモジュールからの変換信号を全ての出力端子に分配して出力する接続状態、または、複数のＤＣモジュールからのそれぞれの変換信号を各出力端子からそれぞれ出力する接続状態をとるスイッチ部を備える。
【選択図】 図１

Description

本発明は、被試験対象デバイス（以下、ＤＵＴ（Device Under Test）という）に電源電圧を供給すると共にＤＵＴに流れる電流に応じた変換信号を出力するＤＣモジュールを複数有し、各ＤＣモジュールからの変換信号をマルチプレクサを切り替えて選択し、選択した変換信号をＡ／Ｄ変換器に与え、Ａ／Ｄ変換器を用いて電流を測定する半導体試験装置に関し、詳しくは、電圧印加電流測定時において、測定手法を変更することなく、従来の測定に加えて、１つのＤＣモジュールでの連続的な電流波形も測定することが可能な半導体試験装置に関するものである。

図５は、従来の半導体試験装置の一例を示した構成図である。
図５において、ＤＵＴ５０Ａ〜ＤＵＴ５０Ｄは、それぞれ被試験対象デバイスである。ＤＣモジュールＡ〜ＤＣモジュールＤは、ＤＵＴに電源電圧を供給するモジュールで、電圧印加電流測定機能をそれぞれ有している。

ＤＣモジュールＡは、Ｄ／Ａ変換器１Ａ、抵抗２Ａ、抵抗３Ａ、増幅器４Ａ、増幅器５Ａ、抵抗６Ａ、増幅器７Ａ、リレー８Ａ、リレー９Ａを有している。Ｄ／Ａ変換器１Ａの出力端子は、抵抗２Ａの一端に接続され、抵抗２Ａの他端は、抵抗３Ａの一端および増幅器５Ａの反転入力端子にそれぞれ接続される。増幅器５Ａの非反転入力端子は、共通電位に接続され、増幅器５Ａの出力端子は、抵抗６Ａの一端および増幅器７Ａの非反転入力端子にそれぞれ接続される。

抵抗６Ａの他端は、増幅器７Ａの反転入力端子およびリレー９Ａの一端にそれぞれ接続され、リレー９Ａの他端は、ＤＵＴ５０Ａの電源端子に接続される。ＤＵＴ５０Ａの電源端子は、リレー８Ａの一端に接続され、リレー８Ａの他端は、増幅器４Ａの非反転入力端子に接続される。増幅器４Ａの反転入力端子は、増幅器４Ａの出力端子および抵抗３Ａの他端にそれぞれ接続される。

ＤＣモジュールＡは、ＤＵＴ５０Ａに電源電圧を供給すると共にＤＵＴ５０Ａに流れる電流を抵抗６Ａで電圧に変換し、この変換した電圧を増幅器７Ａから変換信号として出力する。ＤＣモジュールＢ〜ＤＣモジュールＤは、ＤＣモジュールＡと同じ構成のため、説明を省略する。

マルチプレクサ１０は、ＤＣモジュールＡからの変換信号、ＤＣモジュールＢからの変換信号、ＤＣモジュールＣからの変換信号およびＤＣモジュールＤからの変換信号がそれぞれ入力され、このうちの１つを選択して出力する。Ａ／Ｄ変換器１１は、マルチプレクサ１０で選択されたＤＣモジュールＡ〜ＤＣモジュールＤのいずれかの変換信号が入力され、この変換信号のアナログ電圧をデジタルデータに変換して出力する。演算制御部１２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やメモリ等から構成され、Ａ／Ｄ変換器１１からのデジタルデータに基づいてＤＵＴに流れる電流を演算で求める。

このような半導体試験装置の動作を説明する。
演算制御部１２は、ＤＵＴの試験の手順が記載されたテストプログラムに基づいて、ＤＵＴ５０Ａに供給する電源電圧の電圧値をＤ／Ａ変換器１Ａに設定する。同様に、演算制御部１２は、ＤＵＴ５０Ｂに供給する電源電圧の電圧値をＤ／Ａ変換器１Ｂに、ＤＵＴ５０Ｃに供給する電源電圧の電圧値をＤ／Ａ変換器１Ｃに、ＤＵＴ５０Ｄに供給する電源電圧の電圧値をＤ／Ａ変換器１Ｄにそれぞれ設定する。

Ｄ／Ａ変換器１Ａは、演算制御部１２により設定された電圧値を出力する。Ｄ／Ａ変換器１Ａからの出力は、抵抗２Ａ、増幅器５Ａ、抵抗６Ａ、リレー９Ａを経由してＤＵＴ５０Ａへ印加される。一方、ＤＵＴ５０Ａに印加された電圧値は、リレー８Ａ、増幅器４Ａ、抵抗３Ａを介してフィードバックされ、ＤＵＴ５０Ａには常に設定電圧が印加されるようになっている。そして、ＤＣモジュールＡからＤＵＴ５０Ａに流れる電流は、抵抗６Ａで電圧に変換される。増幅器７Ａは、抵抗６Ａの両端電圧を増幅して変換信号として出力する。ＤＣモジュールＢ〜ＤＣモジュールＤも同様に、変換信号を出力する。

演算制御部１２は、マルチプレクサ１０にＤＣモジュールＡからの変換信号（入力端子ａ）を選択させる。Ａ／Ｄ変換器１１は、マルチプレクサ１０の出力、すなわち、ＤＣモジュールＡからの変換信号のアナログ電圧をデジタルデータに変換して出力する。演算制御部１２は、Ａ／Ｄ変換器１１からのデジタルデータに基づいてＤＵＴ５０Ａに流れる電流を演算で求める。

次に、演算制御部１２は、マルチプレクサ１０にＤＣモジュールＢからの変換信号（入力端子ｂ）を選択させる。Ａ／Ｄ変換器１１は、マルチプレクサ１０の出力、すなわち、ＤＣモジュールＢからの変換信号のアナログ電圧をデジタルデータに変換して出力する。演算制御部１２は、Ａ／Ｄ変換器１１からのデジタルデータに基づいてＤＵＴ５０Ｂに流れる電流を演算で求める。

次に、演算制御部１２は、マルチプレクサ１０にＤＣモジュールＣからの変換信号（入力端子ｃ）を選択させる。Ａ／Ｄ変換器１１は、マルチプレクサ１０の出力、すなわち、ＤＣモジュールＣからの変換信号のアナログ電圧をデジタルデータに変換して出力する。演算制御部１２は、Ａ／Ｄ変換器１１からのデジタルデータに基づいてＤＵＴ５０Ｃに流れる電流を演算で求める。

最後に、演算制御部１２は、マルチプレクサ１０にＤＣモジュールＤからの変換信号（入力端子ｄ）を選択させる。Ａ／Ｄ変換器１１は、マルチプレクサ１０の出力、すなわち、ＤＣモジュールＤからの変換信号のアナログ電圧をデジタルデータに変換して出力する。演算制御部１２は、Ａ／Ｄ変換器１１からのデジタルデータに基づいてＤＵＴ５０Ｄに流れる電流を演算で求める。

このように、ＤＣモジュールＡ〜ＤＣモジュールＤが、ＤＵＴ５０Ａ〜ＤＵＴ５０Ｄに電源電圧を供給し、その時に流れる電流を電圧に変換して出力する。そして、演算制御部１２が、マルチプレクサ１０を制御してＤＣモジュールＡ〜ＤＣモジュールＤからの変換信号を順次選択させ、Ａ／Ｄ変換器１１で変換したデジタルデータに基づいてＤＵＴ５０Ａ〜ＤＵＴ５０Ｄに流れる電流を演算で順次求める。

特許文献１には、安定した一定の電圧をＤＵＴに印加することができ、発熱を抑えることにより高密度実装が可能であり、更には小型化及び低コスト化を実現することができる直流試験装置、及び当該装置を備える半導体試験装置が記載されている。

特開２００９−１１５５０６号公報

しかし、図５に示す従来例では、１つのＡＤＣ１１で複数のＤＣモジュールＡ〜ＤＣモジュールＤからの変換信号を測定する構成になっており、電圧印加電流測定時において、１つのＤＣモジュールに対しての測定間隔が長く、ＤＵＴに流れる電流の電流波形の立ち上がりや立ち下がりの変化を連続的に測定することができないという問題があった。

そこで本発明の目的は、電圧印加電流測定時において、測定手法を変更することなく、従来の測定に加えて、１つのＤＣモジュールでの連続的な電流波形も測定することが可能な半導体試験装置を実現することにある。

請求項１記載の発明は、
被試験対象デバイスに電源電圧を供給すると共に前記被試験対象デバイスに流れる電流に応じた変換信号を出力するＤＣモジュールを複数有し、各ＤＣモジュールからの前記変換信号をマルチプレクサを切り替えて選択し、選択した前記変換信号をＡ／Ｄ変換器に与え、このＡ／Ｄ変換器を用いて前記電流を測定する半導体試験装置において、
前記複数のＤＣモジュールからの前記変換信号がそれぞれ入力され、前記複数のＤＣモジュールのうちいずれか１つのＤＣモジュールからの前記変換信号を全ての出力端子に分配して出力する接続状態、または、前記複数のＤＣモジュールからのそれぞれの前記変換信号を各出力端子からそれぞれ出力する接続状態をとるスイッチ部を備えたことを特徴とするものである。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、
前記スイッチ部は、
前記ＤＣモジュールからの前記変換信号を出力端子にそのまま出力する接続状態をとる第１のスイッチと、前記１つのＤＣモジュールからの前記変換信号を出力端子に分配する接続状態をとる第２のスイッチとの組が前記ＤＣモジュール毎に有していることを特徴とするものである。
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の発明において、
前記マルチプレクサは複数設けられると共に各マルチプレクサ毎に前記Ａ／Ｄ変換器が対応して設けられ、前記複数のマルチプレクサ間で切り替えタイミングをずらし、各マルチプレクサは異なるタイミングで対応する前記Ａ／Ｄ変換器に前記変換信号を与えることを特徴とするものである。

本発明によれば、以下のような効果がある。
請求項１によれば、被試験対象デバイスに電源電圧を供給すると共に前記被試験対象デバイスに流れる電流に応じた変換信号を出力するＤＣモジュールを複数有し、各ＤＣモジュールからの前記変換信号をマルチプレクサを切り替えて選択し、選択した前記変換信号をＡ／Ｄ変換器に与え、このＡ／Ｄ変換器を用いて前記電流を測定する半導体試験装置において、前記複数のＤＣモジュールからの前記変換信号がそれぞれ入力され、前記複数のＤＣモジュールのうちいずれか１つのＤＣモジュールからの前記変換信号を全ての出力端子に分配して出力する接続状態、または、前記複数のＤＣモジュールからのそれぞれの前記変換信号を各出力端子からそれぞれ出力する接続状態をとるスイッチ部を備えたことにより、マルチプレクサの切り替えタイミングに合わせてＡ／Ｄ変換器を用いて測定するので、測定手法を変更することなく、１つのＤＣモジュールでの連続的な電流波形も測定することができると共に従来の測定をすることができる。

また、請求項３によれば、請求項１または２記載の発明において、前記マルチプレクサは複数設けられると共に各マルチプレクサ毎に前記Ａ／Ｄ変換器が対応して設けられ、前記複数のマルチプレクサ間で切り替えタイミングをずらし、各マルチプレクサは異なるタイミングで対応する前記Ａ／Ｄ変換器に前記変換信号を与えることにより、測定間隔が短くなるので、電流波形を高分解能で測定することができる。

本発明の半導体試験装置の第１の実施例を示した構成図である。 各ＤＣモジュールからの変換信号を測定する場合を示した構成図である。 本発明の半導体試験装置の第２の実施例を示した構成図である。 ＤＵＴに流れる電流を測定する時の測定タイミングを説明する説明図である。 従来の半導体試験装置の一例を示した構成図である。

以下、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。
［第１の実施例］
図１は、本発明の半導体試験装置の第１の実施例を示した構成図である。ここで、図５と同一のものは同一符号を付し、説明を省略する。図１において、図５に示す構成と異なる点は、スイッチ部１３が新たに設けられている点である。

スイッチ部１３は、ＤＣモジュールＡ〜ＤＣモジュールＤからの変換信号がそれぞれ入力され、これらＤＣモジュールのうちいずれか１つのＤＣモジュールからの変換信号を全ての出力端子に分配して出力する接続状態をとる。また、従来と同様に、複数のＤＣモジュールからのそれぞれの変換信号を各出力端子からそれぞれ出力する接続状態をとる。

スイッチ部１３は、ＤＣモジュールからの変換信号を出力端子にそのまま出力する接続状態をとる第１のスイッチと、１つのＤＣモジュールからの変換信号を出力端子に分配する接続状態をとる第２のスイッチとの組がＤＣモジュール毎に有している。例えば、ＤＣモジュールＡに関しては、第１のスイッチに相当するのがスイッチ１３Ａ１で、第２のスイッチに相当するのがスイッチ１３Ａ２である。ＤＣモジュールＢ〜ＤＣモジュールＤに関しても同様となる。

このような半導体試験装置の動作を説明する。
ＤＣモジュールＡ〜ＤＣモジュールＤが、各ＤＵＴへ電源電圧を供給し、その時に流れる電流を電圧に変換した変換信号を出力するまでは、図５に示す従来例と同じため、説明を省略する。

まず、ＤＣモジュールＡからＤＵＴ５０Ａへ電源電圧を供給した時に流れる電流の電流波形を測定する場合について説明する。この場合、図１に示すように、演算制御部１２は、スイッチ部１３のスイッチ１３Ａ１、１３Ａ２、１３Ｂ２、１３Ｃ２および１３Ｄ２をオン（閉成）させ、スイッチ１３Ｂ１、１３Ｃ１および１３Ｄ１をオフ（開放）させる。このようにすることで、スイッチ部１３は、ＤＣモジュールＡからの変換信号を全ての出力端子に分配して出力する。

演算制御部１２は、マルチプレクサ１０に入力端子ａを選択させる。Ａ／Ｄ変換器１１は、マルチプレクサ１０の出力、すなわち、ＤＣモジュールＡからの変換信号のアナログ電圧をデジタルデータに変換して出力する。演算制御部１２は、Ａ／Ｄ変換器１１からのデジタルデータに基づいてＤＵＴ５０Ａに流れる電流を演算で求める。

以下同様に、演算制御部１２は、マルチプレクサ１０に入力端子をｂ→ｃ→ｄと順次選択させる。マルチプレクサ１０の選択が切り替わる度に、Ａ／Ｄ変換器１１は、マルチプレクサ１０の出力をデジタルデータに変換して出力し、演算制御部１２は、Ａ／Ｄ変換器１１からのデジタルデータに基づいてＤＵＴ５０Ａに流れる電流を演算で求める。

また、ＤＣモジュールＢからＤＵＴ５０Ｂへ電源電圧を供給した時に流れる電流の電流波形を測定する場合には、演算制御部１２は、スイッチ部１３のスイッチ１３Ａ２、１３Ｂ１、１３Ｂ２、１３Ｃ２および１３Ｄ２をオン（閉成）させ、スイッチ１３Ａ１、１３Ｃ１および１３Ｄ１をオフ（開放）させる。

そして、ＤＣモジュールＡの場合と同様に、演算制御部１２は、マルチプレクサ１０に入力端子をａ→ｂ→ｃ→ｄと順次選択させる。マルチプレクサ１０の選択が切り替わる度に、Ａ／Ｄ変換器１１は、マルチプレクサ１０の出力をデジタルデータに変換して出力し、演算制御部１２は、Ａ／Ｄ変換器１１からのデジタルデータに基づいてＤＵＴ５０Ｂに流れる電流を演算で求める。

また、ＤＣモジュールＣからＤＵＴ５０Ｃへ電源電圧を供給した時に流れる電流の電流波形を測定する場合には、演算制御部１２は、スイッチ部１３のスイッチ１３Ａ２、１３Ｂ２、１３Ｃ１、１３Ｃ２および１３Ｄ２をオン（閉成）させ、スイッチ１３Ａ１、１３Ｂ１および１３Ｄ１をオフ（開放）させる。そして、ＤＣモジュールＡの場合と同様に、測定してＤＵＴ５０Ｃに流れる電流を演算で求める。

最後に、ＤＣモジュールＤからＤＵＴ５０Ｄへ電源電圧を供給した時に流れる電流の電流波形を測定する場合には、演算制御部１２は、スイッチ部１３のスイッチ１３Ａ２、１３Ｂ２、１３Ｃ２、１３Ｄ１および１３Ｄ２をオン（閉成）させ、スイッチ１３Ａ１、１３Ｂ１および１３Ｃ１をオフ（開放）させる。そして、ＤＣモジュールＡの場合と同様に、測定してＤＵＴ５０Ｄに流れる電流を演算で求める。

一方、図５に示す従来例のようにＤＣモジュールＡ〜ＤＣモジュールＤからの変換信号をマルチプレクサ１０で切り替えてそれぞれ測定する場合には、演算制御部１２が、スイッチ部１３のスイッチ１３Ａ１、１３Ｂ１、１３Ｃ１および１３Ｄ１をオン（閉成）させ、スイッチ１３Ａ２、１３Ｂ２、１３Ｃ２および１３Ｄ２をオフ（開放）させることにより、従来例と同じ測定が可能になる（図２参照）。

このように、ＤＣモジュールＡ〜ＤＣモジュールＤとマルチプレクサ１０の間にスイッチ部１３を設け、スイッチ部１３が各ＤＣモジュールのうちいずれか１つのＤＣモジュールからの変換信号を全ての出力端子に分配してマルチプレクサ１０へ出力することにより、マルチプレクサ１０の切り替えタイミングに合わせてＡ／Ｄ変換器１１を用いて測定するので、測定手法を変更することなく、１つのＤＣモジュールでの連続的な電流波形も測定することができる。

また、スイッチ部１３が、各ＤＣモジュールからのそれぞれの変換信号を出力端子からマルチプレクサ１０へそれぞれ出力することもできるので、図５に示すような従来の測定をすることができる。

［第２の実施例］
図３は、本発明の半導体試験装置の第２の実施例を示した構成図である。ここで、図１と同一のものは同一符号を付し、説明を省略する。図３において、図１に示す構成と異なる点は、スイッチ部１３の代わりにスイッチ部１４が設けられている点、マルチプレクサ１５およびＡ／Ｄ変換器１６が新たに設けられている点、演算制御部１２の代わりに演算制御部１７が設けられている点である。

スイッチ部１４は、スイッチ部１３と同様の機能を有しており、異なる点は入出力のチャネル数が８チャネルになっている点である（スイッチ部１３は４チャネル）。スイッチ部１４は、ＤＣモジュールＡ〜ＤＣモジュールＤからの変換信号と他のＤＣモジュールからの変換信号がそれぞれ入力され、これらＤＣモジュールのうちいずれか１つのＤＣモジュールからの変換信号を全ての出力端子に分配してマルチプレクサ１０およびマルチプレクサ１５へ出力する接続状態をとる。

また、従来と同様に、スイッチ部１４は、ＤＣモジュールＡ〜ＤＣモジュールＤからのそれぞれの変換信号を出力端子からマルチプレクサ１０へそれぞれ出力し、他のＤＣモジュールからのそれぞれの変換信号を出力端子からマルチプレクサ１５へそれぞれ出力する接続状態をとる。

スイッチ部１４は、スイッチ部１３と同様に、ＤＣモジュールからの変換信号を出力端子にそのまま出力する第１のスイッチと、１つのＤＣモジュールからの変換信号を出力端子に分配する第２のスイッチとの組がＤＣモジュール毎に有している。例えば、ＤＣモジュールＡに関しては、第１のスイッチに相当するのがスイッチ１４Ａ１で、第２のスイッチに相当するのがスイッチ１４Ａ２である。ＤＣモジュールＢ〜ＤＣモジュールＤおよび他のＤＣモジュールに関しても同様となる。

マルチプレクサ１５は、マルチプレクサ１０と同様に、スイッチ部１４を介してＤＣモジュールＡ〜ＤＣモジュールＤまたは他のＤＣモジュールからの変換信号が入力され、これら変換信号の中から１つを選択して出力する。Ａ／Ｄ変換器１６は、マルチプレクサ１５で選択されたＤＣモジュールＡ〜ＤＣモジュールＤまたは他のＤＣモジュールのいずれかの変換信号が入力され、この変換信号のアナログ電圧をデジタルデータに変換して出力する。演算制御部１７は、演算制御部１２と同様に、ＣＰＵやメモリ等から構成され、Ａ／Ｄ変換器１１およびＡ／Ｄ変換器１６からのデジタルデータに基づいてＤＵＴに流れる電流を演算で求める。

このような半導体試験装置の動作を図４を用いて説明する。
図４は、ＤＵＴに流れる電流を測定する時の測定タイミングを説明する説明図である。ＤＣモジュールＡ〜ＤＣモジュールＤおよび他のＤＣモジュールが、各ＤＵＴへ電源電圧を供給し、その時に流れる電流を電圧に変換した変換信号を出力するまでは、図５に示す従来例と同じため、説明を省略する。

まず、ＤＣモジュールＡからＤＵＴ５０Ａへ電源電圧を供給した時に流れる電流の電流波形を測定する場合について説明する。この場合、図３に示すように、演算制御部１７は、スイッチ部１４のスイッチ１４Ａ１、１４Ａ２、１４Ｂ２、１４Ｃ２、１４Ｄ２、１４Ｅ２、１４Ｆ２、１４Ｇ２および１４Ｈ２をオン（閉成）させ、スイッチ１４Ｂ１、１４Ｃ１、１４Ｄ１、１４Ｅ１、１４Ｆ１、１４Ｇ１および１４Ｈ１をオフ（開放）させる。このようにすることで、スイッチ部１４は、ＤＣモジュールＡからの変換信号を全ての出力端子に分配して出力する。

演算制御部１７は、マルチプレクサ１０およびマルチプレクサ１５にそれぞれ入力端子ａを選択させる。Ａ／Ｄ変換器１１は、マルチプレクサ１０の出力、すなわち、ＤＣモジュールＡからの変換信号のアナログ電圧をデジタルデータに変換して出力する。Ａ／Ｄ変換器１６は、マルチプレクサ１５の出力、すなわち、ＤＣモジュールＡからの変換信号のアナログ電圧をデジタルデータに変換して出力する。演算制御部１７は、Ａ／Ｄ変換器１１およびＡ／Ｄ変換器１６からのデジタルデータに基づいてＤＵＴ５０Ａに流れる電流を演算で求める。

以下同様に、演算制御部１７は、マルチプレクサ１０およびマルチプレクサ１５に入力端子をｂ→ｃ→ｄと順次選択させる。マルチプレクサ１０の選択が切り替わる度に、Ａ／Ｄ変換器１１は、マルチプレクサ１０の出力をデジタルデータに変換して出力し、マルチプレクサ１５の選択が切り替わる度に、Ａ／Ｄ変換器１６は、マルチプレクサ１５の出力をデジタルデータに変換して出力する。演算制御部１７は、Ａ／Ｄ変換器１１およびＡ／Ｄ変換器１６からのデジタルデータに基づいてＤＵＴ５０Ａに流れる電流を演算で求める。

この一連の測定において、図４に示すように、マルチプレクサ１０とマルチプレクサ１５の切り替えるタイミングをずらして（マルチプレクサ１０とマルチプレクサ１５の切り替えを交互に行って）測定する。具体的には、マルチプレクサ１０の切り替えの間にマルチプレクサ１５が選択した変換信号を測定し、マルチプレクサ１５の切り替えの間にマルチプレクサ１０が選択した変換信号を測定する。

また、演算制御部１７は、Ａ／Ｄ変換器１１またはＡ／Ｄ変換器１６からデジタルデータが入力される度に電流を演算で求める。図４に示す例では、Ａ／Ｄ変換器１１とＡ／Ｄ変換器１６からのデジタルデータが交互に入力され、その度に電流を演算で求める。

ＤＣモジュールＢからＤＵＴ５０Ｂへ電源電圧を供給した時に流れる電流の電流波形を測定する場合には、演算制御部１７は、スイッチ部１４のスイッチ１４Ａ２、１４Ｂ１、１４Ｂ２、１４Ｃ２、１４Ｄ２、１４Ｅ２、１４Ｆ２、１４Ｇ２および１４Ｈ２をオン（閉成）させ、スイッチ１４Ａ１、１４Ｃ１、１４Ｄ１、１４Ｅ１、１４Ｆ１、１４Ｇ１および１４Ｈ１をオフ（開放）させる。

そして、ＤＣモジュールＡの場合と同様に、演算制御部１７は、マルチプレクサ１０およびマルチプレクサ１５に入力端子をａ→ｂ→ｃ→ｄと順次選択させる。マルチプレクサ１０の選択が切り替わる度に、Ａ／Ｄ変換器１１は、マルチプレクサ１０の出力をデジタルデータに変換して出力し、マルチプレクサ１５の選択が切り替わる度に、Ａ／Ｄ変換器１６は、マルチプレクサ１５の出力をデジタルデータに変換して出力する。演算制御部１７は、Ａ／Ｄ変換器１１およびＡ／Ｄ変換器１６からのデジタルデータに基づいてＤＵＴ５０Ｂに流れる電流を演算で求める。

また、ＤＣモジュールＣからＤＵＴ５０Ｃへ電源電圧を供給した時に流れる電流の電流波形を測定する場合には、演算制御部１７は、スイッチ部１４のスイッチ１４Ａ２、１４Ｂ２、１４Ｃ１、１４Ｃ２、１４Ｄ２、１４Ｅ２、１４Ｆ２、１４Ｇ２および１４Ｈ２をオン（閉成）させ、スイッチ１４Ａ１、１４Ｂ１、１４Ｄ１、１４Ｅ１、１４Ｆ１、１４Ｇ１および１４Ｈ１をオフ（開放）させる。そして、ＤＣモジュールＡの場合と同様に、測定してＤＵＴ５０Ｃに流れる電流を演算で求める。

同様に、ＤＣモジュールＤからＤＵＴ５０Ｄへ電源電圧を供給した時に流れる電流の電流波形を測定する場合には、演算制御部１７は、スイッチ部１４のスイッチ１４Ａ２、１４Ｂ２、１４Ｃ２、１４Ｄ１、１４Ｄ２、１４Ｅ２、１４Ｆ２、１４Ｇ２および１４Ｈ２をオン（閉成）させ、スイッチ１４Ａ１、１４Ｂ１、１４Ｃ１、１４Ｅ１、１４Ｆ１、１４Ｇ１および１４Ｈ１をオフ（開放）させる。そして、ＤＣモジュールＡの場合と同様に、測定してＤＵＴ５０Ｄに流れる電流を演算で求める。

一方、ＤＣモジュールＡ〜ＤＣモジュールＤおよび他のＤＣモジュールからの変換信号をマルチプレクサ１０およびマルチプレクサ１５で切り替えてそれぞれ測定する場合には、演算制御部１７が、スイッチ部１４のスイッチ１４Ａ１、１４Ｂ１、１４Ｃ１、１４Ｄ１、１４Ｅ１、１４Ｆ１、１４Ｇ１および１４Ｈ１をオン（閉成）させ、スイッチ１４Ａ２、１４Ｂ２、１４Ｃ２、１４Ｄ２、、１４Ｅ２、１４Ｆ２、１４Ｇ２および１４Ｈ２をオフ（開放）させる。

このように、ＤＣモジュールＡ〜ＤＣモジュールＤとマルチプレクサ１０の間および他のＤＣモジュールとマルチプレクサ１５の間にスイッチ部１４を設け、スイッチ部１４が各ＤＣモジュールのうちいずれか１つのＤＣモジュールからの変換信号を全ての出力端子に分配してマルチプレクサ１０およびマルチプレクサ１５へ出力することにより、マルチプレクサ１０またはマルチプレクサ１５の切り替えタイミングに合わせてＡ／Ｄ変換器１１またはＡ／Ｄ変換器１６を用いて測定するので、測定手法を変更することなく、１つのＤＣモジュールでの連続的な電流波形も測定することができる。

また、スイッチ部１４が、各ＤＣモジュールからのそれぞれの変換信号を出力端子からマルチプレクサ１０およびマルチプレクサ１５へそれぞれ出力することもできるので、図５に示すような従来の測定をすることができる。

さらに、マルチプレクサ１０とマルチプレクサ１５の切り替えるタイミングをずらして（マルチプレクサ１０とマルチプレクサ１５の切り替えを交互に行って）測定することにより、図１に示す第１の実施例と比較して、測定間隔が短くなるので、電流波形を高分解能で測定することができる。

なお、本発明はこれに限定されるものではなく、以下に示すようなものでもよい。
図４に示す実施例において、マルチプレクサ１０とマルチプレクサ１５の切り替えタイミングが均等な時間間隔で交互に切り替えている構成を示したが、必ずしも切り替えタイミングが均等な時間間隔である必要は無く、各マルチプレクサが異なるタイミングで対応するＡ／Ｄ変換器に変換信号を与えるようにすればよい。

１０，１５ マルチプレクサ
１１，１６ Ａ／Ｄ変換器
１３，１４ スイッチ部
１３Ａ１，１３Ａ２〜１３Ｄ１，１３Ｄ２ スイッチ
１４Ａ１，１４Ａ２〜１４Ｈ１，１４Ｈ２ スイッチ
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ ＤＣモジュール

Claims (3)

1. 被試験対象デバイスに電源電圧を供給すると共に前記被試験対象デバイスに流れる電流に応じた変換信号を出力するＤＣモジュールを複数有し、各ＤＣモジュールからの前記変換信号をマルチプレクサを切り替えて選択し、選択した前記変換信号をＡ／Ｄ変換器に与え、このＡ／Ｄ変換器を用いて前記電流を測定する半導体試験装置において、
   前記複数のＤＣモジュールからの前記変換信号がそれぞれ入力され、前記複数のＤＣモジュールのうちいずれか１つのＤＣモジュールからの前記変換信号を全ての出力端子に分配して出力する接続状態、または、前記複数のＤＣモジュールからのそれぞれの前記変換信号を各出力端子からそれぞれ出力する接続状態をとるスイッチ部を備えたことを特徴とする半導体試験装置。
2. 前記スイッチ部は、
   前記ＤＣモジュールからの前記変換信号を出力端子にそのまま出力する接続状態をとる第１のスイッチと、前記１つのＤＣモジュールからの前記変換信号を出力端子に分配する接続状態をとる第２のスイッチとの組が前記ＤＣモジュール毎に有していることを特徴とする請求項１記載の半導体試験装置。
3. 前記マルチプレクサは複数設けられると共に各マルチプレクサ毎に前記Ａ／Ｄ変換器が対応して設けられ、前記複数のマルチプレクサ間で切り替えタイミングをずらし、各マルチプレクサは異なるタイミングで対応する前記Ａ／Ｄ変換器に前記変換信号を与えることを特徴とする請求項１または２記載の半導体試験装置。

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