JP2011233754A - 発光素子及び発光素子の製造方法 - Google Patents
発光素子及び発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011233754A JP2011233754A JP2010103522A JP2010103522A JP2011233754A JP 2011233754 A JP2011233754 A JP 2011233754A JP 2010103522 A JP2010103522 A JP 2010103522A JP 2010103522 A JP2010103522 A JP 2010103522A JP 2011233754 A JP2011233754 A JP 2011233754A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- substrate
- light emitting
- emitting element
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明に係る発光素子1は、基板10と、基板10の上に設けられ、活性層15を有する化合物半導体層11と、化合物半導体層11の上に設けられ、化合物半導体層11の表面から放射される活性層14からの光を基板10に水平な方向に向けて反射する反射部20とを備える。
【選択図】図1
Description
サイドエミッタ型の発光素子において、基板と、前記基板の上に設けられ、活性層を有する化合物半導体層と、前記化合物半導体層の上に設けられ、前記化合物半導体層の表面から放射される前記活性層からの光を前記基板に水平な方向に向けて反射する反射部とを備える発光素子が提供される。
図1は、本発明の実施の形態に係る発光素子の斜視図の一例を示す。
基板10は、III−V族化合物半導体であるGaAsから構成することができる。また、化合物半導体層11は、基板10上に設けられる第1導電型のクラッド層としてのn型クラッド層12と、n型クラッド層12上に設けられる活性層14と、活性層14上に設けられる第2導電型のクラッド層としてのp型クラッド層16と、p型クラッド層16上に設けられるp型コンタクト層18とを有する。化合物半導体層11は、例えば、基板10がGaAs系の化合物半導体から形成される場合、(AlxGa1−x)yIn1−yP系(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1)の化合物半導体から形成することができる。
反射部20は、化合物半導体層11の上に設けられる。そして、反射部20は、化合物半導体層11の表面から放射される活性層14からの光を基板10に水平な方向に向けて反射する。すなわち、反射部20は、活性層14又は基板10に垂直な方向、つまり、基板10の表面の法線方向に放射された光を、活性層14又は基板10に水平な方向に向けて反射させる。更に、反射部20は、反射部20の4つの側面のうちの一つの側面に光取出口としての開口200を有する。反射部20で反射された光は、開口200から発光素子1の外部に放射される。
金属多層膜30は、化合物半導体層11の表面に設けられる。本実施の形態において金属多層膜30は、p型コンタクト層18の表面の一部に設けられる。具体的に、金属多層膜30は、p型コンタクト層18の表面に、発光素子1の上下方向にて、凹部210に対応する領域を露出させる形状(例えば、平面視にて馬蹄形状)を有して設けられる。金属多層膜30は、例えば、p型コンタクト層18に接触するオーミックコンタクト電極としてのオーミックコンタクト層と、オーミックコンタクト層上に設けられる拡散防止バリア層と、拡散防止バリア層上に設けられ、Au層24に接合する接合層とを含んで構成することができる。
裏面電極40は、基板10の裏面、すなわち、基板10の化合物半導体層11が設けられる面の反対側の面に設けられる。裏面電極40は、基板10にオーミック接触する材料(例えば、合金を含む金属材料)から構成することができる。また、表面電極50は、反射部20の凹部210が設けられている側の反対側の表面に設けられる。
図2の(a)及び(b)は、本発明の実施の形態に係る発光素子の製造工程の一部の概要を示す。また、図3は、図2の(b)の平面視による発光素子の製造工程の一部を示す。
本実施の形態に係る発光素子1は、当該発光素子1自体に反射部20を備えており、反射部20の開口200から発光素子1の側方に光が放射されるので、発光素子1単体でサイドエミッタ型の光放射パターンを有することができる。これにより、従来のようなリフレクタを用いずにサイドエミッタ型の光放射パターンを有する発光素子1を実現できるので、発光素子1自体、及び発光素子1を用いる機器の小型化に資することができる。
5 ステム
7 Auワイヤ
10 基板
11 化合物半導体層
12 n型クラッド層
14 活性層
16 p型クラッド層
18 p型コンタクト層
20 反射部
22 銅板
24 Au膜
30 金属多層膜
30a 露出領域
40 裏面電極
50 表面電極
200 開口
210 凹部
210a 湾曲部
Claims (5)
- 基板と、
前記基板の上に設けられ、活性層を有する化合物半導体層と、
前記化合物半導体層の上に設けられ、前記化合物半導体層の表面から放射される前記活性層からの光を前記基板に水平な方向に向けて反射する反射部と
を備える発光素子。 - 前記反射部が、前記反射部の側面に開口を有し、前記反射部で反射された光が前記開口から外部に放射される請求項1に記載の発光素子。
- 前記反射部が、前記活性層への電流を注入する電極である請求項2に記載の発光素子。
- 前記反射部が、前記化合物半導体層側に凹部を有し、前記凹部の端に外部に開放されている前記開口が形成される請求項3に記載の発光素子。
- 基板と、前記基板の上に設けられ、活性層を有する化合物半導体層とを有する半導体基板を準備する半導体基板準備工程と、
凹部を有する反射部を準備する反射部準備工程と、
前記凹部を前記半導体基板側に向けて前記反射部と前記半導体基板とを貼り合わせ、前記半導体基板と前記反射部とを一体化させる貼り合わせ工程と
を備える発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010103522A JP5206729B2 (ja) | 2010-04-28 | 2010-04-28 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010103522A JP5206729B2 (ja) | 2010-04-28 | 2010-04-28 | 発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011233754A true JP2011233754A (ja) | 2011-11-17 |
JP5206729B2 JP5206729B2 (ja) | 2013-06-12 |
Family
ID=45322777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010103522A Expired - Fee Related JP5206729B2 (ja) | 2010-04-28 | 2010-04-28 | 発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5206729B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10125959A (ja) * | 1996-10-22 | 1998-05-15 | Sharp Corp | サイド発光型チップled |
JP2000315825A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Rohm Co Ltd | チップ型半導体発光素子 |
JP2005223082A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオードチップ |
JP2006148132A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 側発光デバイス及びそれを光源として使用するバックライトユニット、並びにそれを採用した液晶表示装置 |
JP2006339651A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 側面発光型ledパッケージおよびその製造方法 |
JP2007042938A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 光学装置 |
-
2010
- 2010-04-28 JP JP2010103522A patent/JP5206729B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10125959A (ja) * | 1996-10-22 | 1998-05-15 | Sharp Corp | サイド発光型チップled |
JP2000315825A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Rohm Co Ltd | チップ型半導体発光素子 |
JP2005223082A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオードチップ |
JP2006148132A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 側発光デバイス及びそれを光源として使用するバックライトユニット、並びにそれを採用した液晶表示装置 |
JP2006339651A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 側面発光型ledパッケージおよびその製造方法 |
JP2007042938A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 光学装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5206729B2 (ja) | 2013-06-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20240042166A1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
KR101627010B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
JP4770785B2 (ja) | 発光ダイオード | |
JP5304662B2 (ja) | 発光素子 | |
US7319247B2 (en) | Light emitting-diode chip and a method for producing same | |
JP4907842B2 (ja) | 平面全方位リフレクタを有する発光ダイオード | |
TWI478389B (zh) | 發光二極體及其製造方法 | |
JP4974867B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
US9117972B2 (en) | Group III nitride semiconductor light-emitting device | |
US7683385B2 (en) | Facet extraction LED and method for manufacturing the same | |
WO2013061735A1 (ja) | 発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオードランプ及び照明装置 | |
JP2005150675A (ja) | 半導体発光ダイオードとその製造方法 | |
JP2012054422A (ja) | 発光ダイオード | |
US20140183588A1 (en) | Light-emitting diode and method of manufacturing same | |
EP2228840B1 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and lighting system | |
JP4957130B2 (ja) | 発光ダイオード | |
JP2013026451A (ja) | 半導体発光素子 | |
TW200845425A (en) | Semiconductor light emitting element | |
KR20120136814A (ko) | 발광 소자 패키지 | |
JP2010098068A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法、並びにランプ | |
JP5729328B2 (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP2007067198A (ja) | 発光素子 | |
TW201541663A (zh) | 點光源發光二極體 | |
US20210143306A1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
TW202218180A (zh) | 紅外led元件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120622 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120911 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120921 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130122 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130204 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160301 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |