JP2011222644A - 電子回路ユニット - Google Patents

Abstract

【課題】簡単な構成にて、接続端子の幅及び間隔を縮小せずとも、且つ、スルーホールの孔径を縮小せずとも、シールド性能が向上した電子回路ユニットを提供する。
【解決手段】電子回路ユニットの回路基板１２は、絶縁基板３６の面上に設けられ、絶縁層３２の開口３４にて表出する複数の外側接続ランド２８及び内側接続ランド３０を含む。外側接続ランド２８は、複数の内側接続ランド３０を囲むように配置され、外側接続ランド２８同士は、外側接続ランド２８と一体に設けられた連結ランド３８によって相互に接続され、連結ランド３８は絶縁層３２によって覆われている。
【選択図】図４

Description

本発明は電子回路ユニットに係わり、より詳しくは、金属製のシールドカバーを有する電子回路ユニットに関する。

電子回路ユニットには、基板の一方の面上に搭載された電子部品が、金属製のシールドカバーによって覆われているものがある。シールドカバーは、基板に半田を用いて固定され、外部からのノイズの侵入を防ぐとともに、外部への電磁波の放射を防止する。

例えば特許文献１が開示する電子回路ユニットでは、電子部品及びシールドカバーは、基板に設けられたスルーホールを通じて、基板の他方の面に設けられたＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）のハンダボールに電気的に接続される。より詳しくは、シールド性能を高めるために、シールドカバーは、基板の外周側のスルーホールを通じて、同じく基板の外周側に位置するＢＧＡのハンダボールに電気的に接続される。

特開平８−６４９８３号公報

特許文献１が開示するシールドカバー付き電子回路ユニットにおいて、シールド性能を向上するには、ハンダボールの直径を小さくするとともに、ハンダボール同士の間隔を狭くすることが考えられる。また、ＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）の場合には、ランドの幅を小さくするとともに、ランド同士の間隔を狭くすることが考えられる。つまり、ＢＧＡ及びＬＧＡの場合、シールド性能を向上するために、接続端子の幅及び間隔を縮小することが考えられる。

しかしながら、接続端子の幅及び間隔を縮小する場合、新たに設計をし、製造方法を確立し、そして、動作を検証する必要がある。このため、接続端子の幅及び間隔を縮小することは、煩雑であるとともにコストがかかる。
また、接続端子の幅及び間隔を縮小すると、接続端子の各々に対応して設けられたスルーホールの孔径も小さくする必要がある。スルーホールは、銅張基板にドリルを用いて形成されるが、ドリルを用いる場合、スルーホールの孔径を更に縮小することは困難である。

このため、スルーホールの孔径を更に縮小するには、銅張基板を用いるのではなく、ビルドアップ工法によって基板を製造し、エッチング技術を用いてスルーホールを形成することが必要になる。しかしながら、ビルドアップ工法の工程数は多く、ビルドアップ工法を採用した場合、銅張基板を用いる場合に比べて、製造コストが増加してしまう。

本発明は上記した事情に鑑みてなされ、その目的とするところは、簡単な構成にて、接続端子の幅及び間隔を縮小せずとも、且つ、スルーホールの孔径を縮小せずとも、シールド性能が向上した電子回路ユニットを提供することにある。

上記の課題を解決するため、本発明は以下の解決手段を採用する。
解決手段１：本発明の一態様によれば、外部基板に半田を用いて実装される電子回路ユニットにおいて、実装面及びグリッド面を有する回路基板と、前記回路基板の実装面上に配置された電子部品と、前記回路基板の実装面上に前記電子部品を覆うように配置された金属製のシールドカバーとを備え、前記回路基板は、前記実装面側に位置する第１の面、前記グリッド面側に位置する第２の面、及び、前記第１の面と前記第２の面との間を延びる複数のスルーホールを有する絶縁基板と、前記絶縁基板のスルーホールの壁面に形成されたビア導体層と、前記第２の面上に設けられ、複数の開口を有する絶縁層と、前記第２の面上に設けられ、前記絶縁層の開口にて表出するとともに前記ビア導体層を介して前記シールドカバーと電気的に接続される複数の外側接続ランドと、前記第２の面上に設けられ、前記絶縁層の開口にて表出するとともに前記ビア導体層を介して前記電子部品と電気的に接続された複数の内側接続ランドとを含み、前記外側接続ランドは、複数の前記内側接続ランドを囲むように配置され、前記外側接続ランド同士は、前記外側接続ランドと一体に設けられた連結ランドによって相互に接続され、前記連結ランドは前記絶縁層によって覆われていることを特徴とする電子回路ユニットが提供される。

解決手段１の電子回路ユニットでは、外側接続ランドの間に連結ランドを配置することによって、外側接続ランド及び連結ランドが一連の導体からなるシールドを構成する。シールドは内側接続ランドを囲んでおり、外側接続ランドの幅及び間隔を縮小せずとも、且つ、スルーホールの孔径を縮小せずとも、シールドによってシールド性能が向上する。

一方、連結ランドを絶縁層によって覆うことによって、外部基板に電子回路ユニットを半田付けするときに、連結ランドに半田が付着することはない。このため、連結ランドを設けたとしても、外側接続ランドに常に所定量の半田が付与され、外側接続ランドが外部基板に強固に接続される。

解決手段２：好ましくは、前記連結ランドによって接続される前記外側接続ランド同士が離間する方向と直交する方向でみて、前記連結ランドの長さは前記外側接続ランドの長さよりも短い。

解決手段２の電子回路ユニットでは、外側接続ランド同士が離間する方向と直交する方向でみて、連結ランドの長さを、外側接続ランドの長さよりも短くしたことにより、外部基板に外側接続ランドを半田付けするとき、外側接続ランドから連結ランドに逃げる熱の量が抑制される。このため、連結ランドを設けたとしても、外側接続ランドが外部基板に強固に接続される。

解決手段３：好ましくは、前記スルーホールは、前記外側接続ランド及び前記連結ランドの一つ一つに対応して設けられ、前記外側接続ランド及び前記連結ランドの各々は、前記スルーホールのうち対応する一つのスルーホールの壁面に設けられた前記ビア導体層に電気的に接続されている。

解決手段３の電子回路ユニットでは、外側接続ランド及び連結ランドの１つ１つに対応してスルーホールが設けられ、連結ランドに対応する分だけ、スルーホールの数が増えている。スルーホールの壁面にはビア導体層が設けられており、連結ランドに対応してスルーホールの個数が増えた分だけ、シールド性能が更に向上する。

解決手段４：好ましくは、前記外側接続ランド及び前記連結ランドのうち一方に電気的に接続されたビア導体層が設けられたスルーホールは、前記絶縁基板の外縁に沿って一列に配置されている。

解決手段４の電子回路ユニットでは、外側接続ランド及び連結ランドに電気的に接続されるビア導体層が設けられたスルーホールが一列に配列されることで、ビア導体層同士が近接して配置され、シールド性能が一層高くなる。

解決手段５：好ましくは、前記ビア導体層の内側に充填材が充填され、前記外側接続ランド及び前記連結ランドの各々は、前記スルーホールのうち対応する一つのスルーホールの開口を覆っている。

解決手段５の電子回路ユニットでは、スルーホールのビア導体層の内側には充填材が充填され、外側接続ランド及び連結ランドがスルーホールの開口上に形成されることで、スルーホールの密度を高めることができる。
このため、この電子回路ユニットにおいては、シールド性能がより一層向上する。
一方、スルーホールのビア導体層の内側に充填材が充填されたことで、外側接続ランドを外部基板に半田付けするときに、スルーホールのビア導体層の内側に半田が逃げることもない。
このため、この電子回路ユニットは、外部基板に確実に強固に固定される。

解決手段６：電子回路ユニットは、好ましくは、前記第１の面上に設けられたカバー用接続パターンを備え、前記カバー用接続パターンは、前記スルーホールのうち、前記グリッド面側の開口が前記外側接続ランド及び前記連結ランドのうち一方によって覆われたスルーホールの前記実装面側の開口を覆い、前記カバーは前記カバー用接続パターンに電気的に接続されている。

解決手段６の電子回路ユニットでは、シールドカバーがカバー用接続パターンに電気的に接続されることで、シールド性能が確実に向上する。

本発明によれば、簡単な構成にて、接続端子の幅及び間隔を縮小せずとも、且つ、スルーホールの孔径を縮小せずとも、シールド性能が向上した電子回路ユニットが提供される。

本発明の一実施形態に係る電子回路ユニットを概略的に示す斜視図である。 図１の電子回路ユニットをシールドカバーを外した状態で示す斜視図である。 図１の電子回路ユニットのグリッド面側を概略的に示す斜視図である。 図３の領域ＩＶを概略的に拡大して示す部分拡大図である。 図１の電子回路ユニットに適用された回路基板の製造方法の概略的な手順を説明するためのフローチャートである。 ドリル加工処理が施された両面銅張基板を概略的に示す斜視図である。 図６中の線ＶＩＩに沿う部分断面図である。 スルーホールメッキ処理が施された両面銅張基板の図７に相当する部分断面図である。 スルーホール樹脂充填処理が施された両面銅張基板の図７に相当する部分断面図である。 全面メッキ処理が施された両面銅張基板を概略的に示す斜視図である。 図１０中の線ＸＩに沿う部分断面図である。 導体パターン形成処理が施された両面銅張基板を概略的に示す斜視図である。 ソルダーレジスト層形成処理が施された両面銅張基板を概略的に示す斜視図である。 図１３中の線ＸＩＶに沿う部分断面図である。 図１の電子回路ユニットに適用された回路基板をソルダーレジスト層を除いて概略的に示す斜視図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係る電子回路ユニット１０を概略的に示す斜視図である。
電子回路ユニット１０は、高周波信号を処理するのに適し、或いは、高周波信号が処理される環境での使用に適する電子機器である。電子回路ユニット１０は、例えば、テレビ放送又はケーブルテレビ放送の信号を復調する機能を有するテレビチューナであり、テレビ又はＳＴＢ（セットトップボックス）に内蔵される。

電子回路ユニット１０は回路基板１２を有し、回路基板１２の一方の面である実装面１４には、金属製のシールドカバー１６が取り付けられている。シールドカバー１６は、回路基板１２の厚さ方向にて薄い扁平な直方体形状を有し、実装面１４に向けて開口している。シールドカバー１６は、実装面１４側の四隅に一体に形成された突起１８を有し、突起１８は、回路基板１２の四隅に形成された貫通孔２０に挿入されている。

突起１８が回路基板１２の貫通孔２０に挿入された状態にて、シールドカバー１６の四角形の開口縁は、回路基板１２の実装面１４に殆ど隙間なく対向するか、若しくは、当接している。なおシールドカバー１６は、例えば金属板をプレス加工することによって製造することができる。

図２は、シールドカバー１６が取り外された状態の電子回路ユニット１０を概略的に示す斜視図である。回路基板１２の実装面１４には、電子部品として半導体部品（集積回路部品）２２やコンデンサ等が配置されている。半導体部品２２を含め、電子部品は表面実装部品（ＳＭＤ）であり、表面実装技術（ＳＭＴ）を用いて実装されている。

具体的には、半導体部品２２としては、ベアチップや、半導体チップを樹脂でモールドして形成されたパッケージを用いることができる。このような半導体部品２２として、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）パッケージ、及び、ＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）パッケージ等を用いることができる。
なお、実装面１４に配置された電子部品は、実装面１４に設けられた図示しない接続端子に、例えばリフロー処理によって半田付けされている。

一方、回路基板１２の実装面１４には、実装面１４の四角形の外縁に沿って、所定の幅を有する環状のシールドパターン２４が設けられている。シールドパターン２４は導体からなり、例えば、銅箔等をエッチングして形成される。シールドパターン２４は、平面でみたときに、実装面１４上の電子部品を囲んでいる。

シールドカバー１６の開口縁は、シールドパターン２４に当接若しくは殆ど隙間無く対向しており、シールドカバー１６の開口縁は、シールドパターン２４に対し、複数箇所半田付けされている。なお、シールドカバー１６の開口縁の全域が、シールドパターン２４に対し半田付けされていてもよい。

図３は、図１の電子回路ユニット１０を裏側からみたときの概略的な斜視図である。回路基板１２の実装面１４とは逆の面であるグリッド面２６には、テレビ又はＳＴＢのマザーボード（外部基板）に電気的にそれぞれ接続される複数の外部接続端子が設けられている。

外部接続端子は、所定厚さの層状をなし、平面でみたとき、いずれも長方形形状を有し、所定の間隔を存して配列されている。外部接続端子のうち、グリッド面２６の４つの外縁に沿って環状に配列された外側接続ランド２８は、シールドパターン２４を介してシールドカバー１６に電気的に接続されている。そして、外部接続端子のうち、外側接続ランド２８の内側に位置する内側接続ランド３０は、実装面１４上の半導体部品２２等の電子部品に電気的に接続されている。

一方、外側接続ランド２８は、外部基板のグランド端子に半田を用いて接続される。また、内側接続ランド３０は、外部基板の信号端子に半田を用いて接続される。半田を用いた電子回路ユニット１０と外部基板との接続は、例えばリフロー処理によって行われる。
なお、グリッド面２６において、外側接続ランド２８及び内側接続ランド３０以外の領域は、ソルダーレジスト層３２によって形成されている。

図４は、図３中の領域ＩＶを拡大して、グリッド面２６の微細な構造を概略的に示す部分拡大図である。図４に示したように、ソルダーレジスト層３２は複数の長方形の開口３４を有し、開口３４は、外側接続ランド２８及び内側接続ランド３０の一つ一つに対応して設けられている。
そして、外側接続ランド２８及び内側接続ランド３０は、ソルダーレジスト層３２の開口３４内に位置し、表出している。

ここで、回路基板１２は、絶縁基板３６を有し、絶縁基板３６のグリッド面２６側の面上に、外側接続ランド２８及び内側接続ランド３０は形成されている。そして、外側接続ランド２８同士は、外側接続ランド２８と一体の連結ランド３８によって相互に接続されている。連結ランド３８は、外側接続ランド２８と同一層内に設けられ、外側接続ランド２８と同じ厚さを有する。

外側接続ランド２８は、長辺が互いに平行になるように間隔を存して配列されている。連結ランド３８は、外側接続ランド２８の長辺間を延び、平面でみて、四角形状を有する。好ましくは、外側接続ランド２８の長辺の長さは、外側接続ランド２８の長辺の方向での連結ランド３８の長さよりも長い。
連結ランド３８は、ソルダーレジスト層３２によって覆われており、換言すれば、ソルダーレジスト層３２によって、一連の導体が外側接続ランド２８と連結ランド３８とに区画されている。

一方、絶縁基板３６には、複数のスルーホール４０が形成され、各スルーホール４０は絶縁基板３６を厚さ方向に真っ直ぐに貫通している。スルーホールの直径（孔径）は、例えば０．３ｍｍ以上である。
スルーホール４０は、外側接続ランド２８、内側接続ランド３０及び連結ランド３８の一つ一つに対応して設けられている。好ましくは、グリッド面２６側のスルーホール４０の開口は、外側接続ランド２８、内側接続ランド３０及び連結ランド３８によってそれぞれ覆われている。そのために、外側接続ランド２８、内側接続ランド３０及び連結ランド３８の各々の短辺は、スルーホール４０の直径よりも僅かに大きい。

また、外側接続ランド２８及び連結ランド３８に対応するスルーホール４０は、グリッド面２６の外縁に沿うように、例えば０．５ｍｍ以上の間隔を存して一列に配列されている。
そして、外側接続ランド２８及び連結ランド３８に対応するスルーホール４０の実装面１４側の開口は、シールドパターン２４によって覆われている。従って、外側接続ランド２８及び連結ランド３８は、ビア導体層５４を介して、シールドパターン２４及びシールドカバー１６に電気的に接続されている。

以下、上述した回路基板１２の製造方法について図５乃至図１４を参照して説明する。図５は、回路基板１２の製造方法の手順を概略的に示すフローチャートであり、図６乃至図１４は、図５のフローチャートの各ステップを説明するための斜視図又は部分断面図である。

ステップＳ１０：材料として、例えば両面銅張基板５０を用意し、用意した両面銅張基板５０に、図６及び図７に示したように、ドリル加工処理を施して貫通孔２０及びスルーホール４０を形成する。なお、両面銅張基板５０は、絶縁基板３６、及び、絶縁基板３６の両面に張られた銅箔５２からなる。
ステップＳ１２：ステップＳ１０の後、スルーホールめっき処理として、両面銅張基板５０に無電解めっき及び電解めっきを順次施す。図８に示したように、スルーホールめっき処理によって、スルーホール４０の壁面を覆うビア導体層５４が形成される。

ステップＳ１４：ステップＳ１２の後、スルーホール樹脂充填処理として、図９に示したように、ビア導体層５４の内側に樹脂を充填し、樹脂プラグ５６を形成する。
ステップＳ１６：ステップＳ１４の後、全面めっき処理として、両面銅張基板５０の全面にめっき処理を施す。これにより、図１０及び図１１に示したように、スルーホール４０及び樹脂プラグ５６がめっき層５８によって覆われる。

ステップＳ１８：ステップＳ１６の後、導体パターン形成処理として、所定パターンのエッチングレジスト膜を形成し、エッチングレジスト膜で覆われていない絶縁基板３６の両面上のめっき層５８及び銅箔５２等の導体をエッチングによって除去する。そしてエッチング後、エッチングレジスト膜を除去する。

これにより、図１２に示したように、外側接続ランド２８、内側接続ランド３０及び連結ランド３８が形成される。つまり、外側接続ランド２８、内側接続ランド３０及び連結ランド３８の各々は、めっき層５８及び銅箔５２等の導体からなる。なお、導体としては、例えば銅等を用いることができる。

ステップＳ２０：ステップＳ１８の後、グリッド面２６側の絶縁基板３６の面に、ソルダーレジストパターン形成処理として、図１３及び図１４に示したように、ソルダーレジスト層３２が形成される。ソルダーレジスト層３２は、フォトリソグラフィ、印刷又はスプレーを用いて形成することができる。
ステップＳ２２：ステップＳ２０の後、ダイシング処理によって両面銅張基板５０が、複数の回路基板１２に分割され、回路基板１２が製造される。

上述した一実施形態の電子回路ユニット１０では、外側接続ランド２８の間に連結ランド３８を配置することによって、図１５に示したように、外側接続ランド２８及び連結ランド３８が、一連の導体からなるシールド６０を構成する。シールド６０は内側接続ランド３０を囲んでおり、外側接続ランド２８の幅及び間隔を縮小せずとも、且つ、スルーホール４０の孔径を縮小せずとも、シールド６０によってシールド性能が向上する。
なお、図１５は、ソルダーレジスト層３２を除いた状態で、回路基板１２のグリッド面２６側を示す斜視図である。図１５では、説明のため、シールド６０が黒塗りにて示されている。

一方、連結ランド３８をソルダーレジスト層３２によって覆うことによって、外部基板に電子回路ユニット１０を半田付けするときに、連結ランド３８に半田が付着することはない。このため、連結ランド３８を設けたとしても、外側接続ランド２８に常に所定量の半田が付与され、外側接続ランド２８が外部基板に強固に接続される。

上述した一実施形態の電子回路ユニット１０では、外側接続ランド２８の長辺に沿う方向での連結ランド３８の長さを、外側接続ランド２８の一の辺及び他の辺よりも短くしたことにより、外部基板に外側接続ランド２８を半田付けするとき、外側接続ランド２８から連結ランド３８に逃げる熱の量が抑制される。このため、連結ランド３８を設けたとしても、外側接続ランド２８が外部基板に強固に接続される。

上述した一実施形態の電子回路ユニット１０では、外側接続ランド２８及び連結ランド３８の１つ１つに対応してスルーホール４０が設けられ、連結ランド３８に対応する分だけ、スルーホール４０の個数が増えている。スルーホール４０の壁面にはビア導体層５４が設けられており、連結ランド３８に対応してスルーホール４０の個数が増えた分だけ、シールド性能が更に向上する。

上述した一実施形態の電子回路ユニット１０では、スルーホール４０のビア導体層５４の内側には樹脂プラグ５６が充填され、外側接続ランド２８及び連結ランド３８がスルーホール４０の開口上に形成されることで、スルーホール４０の密度を高めることができる。
このため、この電子回路ユニット１０においては、シールド性能がより一層向上する。

一方、スルーホール４０のビア導体層５４の内側に樹脂プラグ５６が充填されたことで、外側接続ランド２８を外部基板に半田付けするときに、スルーホール４０のビア導体層５４の内側に半田が逃げることもない。
このため、この電子回路ユニット１０は、外部基板に確実に強固に固定される。

上述した一実施形態の電子回路ユニット１０では、外側接続ランド２８及び連結ランド３８に電気的に接続されるビア導体層５４が設けられたスルーホール４０が一列に配列されることで、ビア導体層５４同士が近接して配置され、シールド性能が一層高くなる。

上述した一実施形態の電子回路ユニット１０では、シールドカバー１６が実装面１４に設けられたシールドパターン２４に電気的に接続されることで、シールド性能が確実に向上する。

本発明は、上述した一実施形態に限定されることはなく、上述した一実施形態に変更を加えた形態も含む。特に、図示とともに示した構成や製造方法は、いずれも好ましい例であり、本発明の実施に際してこれらを適宜変更可能であることはいうまでもない。

例えば、上述した一実施形態において、外側接続ランド２８及び内側接続ランド３０の形状は長方形に限定されることはない。また、内側接続ランド３０は、外側接続ランド２８によって囲まれていればよく、内側接続ランド３０の数や配置は、特に限定されることはない。
また、上述した一実施形態において、ビア導体層５４の内側に樹脂プラグ５６が充填されていたが、導電性の樹脂又は金属が充填されていてもよい。

更に、外側接続ランド２８及び内側接続ランド３０上に半田ボールを設け、半田ボールを介して、電子回路ユニット１０を外部基板に接続可能にしてもよい。
最後に本発明は、テレビチューナ以外の電子回路ユニットにも適用可能であるのは勿論である。

１０ 電子回路ユニット
１２ 回路基板
１４ 実装面
１６ シールドカバー
２２ 半導体部品（電子部品）
２４ シールドパターン（シールドカバー用接続パターン）
２６ グリッド面
２８ 外側接続ランド（接続端子）
３０ 内側接続ランド（接続端子）
３２ ソルダーレジスト層（絶縁層）
３４ 開口
３６ 絶縁基板
３８ 連結ランド
４０ スルーホール
５０ 両面銅張基板
５２ 銅箔
５４ ビア導体層
５６ 樹脂プラグ（充填材）
５８ めっき層

Claims (6)

1. 外部基板に半田を用いて実装される電子回路ユニットにおいて、
   実装面及びグリッド面を有する回路基板と、
   前記回路基板の実装面上に配置された電子部品と、
   前記回路基板の実装面上に前記電子部品を覆うように配置された金属製のシールドカバーとを備え、
   前記回路基板は、
   前記実装面側に位置する第１の面、前記グリッド面側に位置する第２の面、及び、前記第１の面と前記第２の面との間を延びる複数のスルーホールを有する絶縁基板と、
   前記絶縁基板のスルーホールの壁面に形成されたビア導体層と、
   前記第２の面上に設けられ、複数の開口を有する絶縁層と、
   前記第２の面上に設けられ、前記絶縁層の開口にて表出するとともに前記ビア導体層を介して前記シールドカバーと電気的に接続される複数の外側接続ランドと、
   前記第２の面上に設けられ、前記絶縁層の開口にて表出するとともに前記ビア導体層を介して前記電子部品と電気的に接続された複数の内側接続ランドとを含み、
   前記外側接続ランドは、複数の前記内側接続ランドを囲むように配置され、
   前記外側接続ランド同士は、前記外側接続ランドと一体に設けられた連結ランドによって相互に接続され、
   前記連結ランドは前記絶縁層によって覆われている
   ことを特徴とする電子回路ユニット。
2. 請求項１に記載の電子回路ユニットにおいて、
   前記連結ランドによって接続される前記外側接続ランド同士が離間する方向と直交する方向でみて、前記連結ランドの長さは前記外側接続ランドの長さよりも短い
   ことを特徴とする電子回路ユニット。
3. 請求項１又は２に記載の電子回路ユニットにおいて、
   前記スルーホールは、前記外側接続ランド及び前記連結ランドの一つ一つに対応して設けられ、
   前記外側接続ランド及び前記連結ランドの各々は、前記スルーホールのうち対応する一つのスルーホールの壁面に設けられた前記ビア導体層に電気的に接続されている
   ことを特徴とする電子回路ユニット。
4. 請求項３に記載の電子回路ユニットにおいて、
   前記外側接続ランド及び前記連結ランドのうち一方に電気的に接続されたビア導体層が設けられたスルーホールは、前記絶縁基板の外縁に沿って一列に配置されている
   ことを特徴とする電子回路ユニット。
5. 請求項４に記載の電子回路ユニットにおいて、
   前記ビア導体層の内側に充填材が充填され、
   前記外側接続ランド及び前記連結ランドの各々は、前記スルーホールのうち対応する一つのスルーホールの開口を覆っている
   ことを特徴とする電子回路ユニット。
6. 請求項５に記載の電子回路ユニットにおいて、
   前記第１の面上に設けられたカバー用接続パターンを備え、
   前記カバー用接続パターンは、前記スルーホールのうち、前記グリッド面側の開口が前記外側接続ランド及び前記連結ランドのうち一方によって覆われたスルーホールの前記実装面側の開口を覆い、
   前記カバーは前記カバー用接続パターンに電気的に接続されている
   ことを特徴とする電子回路ユニット。
   

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