JP2011222624A - Substrate and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば、パワーLSI、LED等の電子部品を実装するための基板及びその基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a substrate for mounting electronic components such as power LSIs and LEDs and a method for manufacturing the substrate.
従来より、パワーLSI、LED等の電子部品を実装した基板として、例えば、特許文献1に開示されたものがある。
特許文献1の半導体装置は、半導体素子が形成された半導体チップと、主面側に半導体チップを実装するための実装部材群とを備えた半導体装置であって、実装部材群は、無機絶縁性材料により構成されている放熱基板と、放熱基板の主面側に搭載された金属板と、放熱基板の裏面側に互いに離間して固定された複数のフィン状部材とを有したものである。即ち、特許文献1の半導体装置は、放熱基板に放熱部材であるフィンが別途取り付けられたものである。
Conventionally, as a substrate on which electronic components such as a power LSI and an LED are mounted, for example, there is one disclosed in
The semiconductor device of
また、電子部品の実装方法として特許文献2に示すものがある。
特許文献2の実装方法では、基板の一方の面に位置決め部位を備えた部品を搭載すること、基板の他方の面に放熱手段を設けること、基板を貫通して、部品の適所と前記放熱手段とを伝熱性の接続手段で接続することを行っている。即ち、特許文献2の実装方法でも、部品を実装していない他方の面に放熱手段を取り付けている。
Moreover, there exists a thing shown in
In the mounting method of
特許文献1や特許文献2に示したように、電子部品を実装する基板にフィンなどの放熱部材を取り付けることは従来より行われており、基板に放熱部材を取り付ける場合には、基板と放熱部材との間にグリース等を介在させる構造(以降、放熱構造ということがある)としているのが一般的である。
従来のような放熱構造では、基板と放熱部材とが互いに位置ズレが生じる場合がある。また、基板と放熱部材との間にグリースを介在させる際に、グリース中にボイドが形成し易く、ボイドが形成されてしまうと、グリースの熱伝導率の向上を図ったとしても、期待した効果が得られない場合がある。
As shown in
In a conventional heat dissipation structure, the substrate and the heat dissipation member may be misaligned with each other. In addition, when grease is interposed between the substrate and the heat radiating member, voids are easily formed in the grease. If voids are formed, the expected effect even if the thermal conductivity of the grease is improved. May not be obtained.
加えて、放熱構造では、高温で長時間使用した場合、グリースと基板との界面、グリースと放熱部材との界面が剥離が生じる可能性があるし、グリス自体の熱伝導性も金属などに比べて悪く熱抵抗となり得る。
そこで、本発明は、上記問題点に鑑み、グリースなどの中間部材を用いて放熱部材を基板に取り付けなくても基板の放熱性を向上させることができる基板及び基板の製造方法を提供することを目的とする。
In addition, in the heat dissipation structure, when used for a long time at a high temperature, the interface between the grease and the substrate and the interface between the grease and the heat dissipation member may be peeled off. It can be a bad heat resistance.
Therefore, in view of the above problems, the present invention provides a substrate and a substrate manufacturing method that can improve the heat dissipation of the substrate without using an intermediate member such as grease to attach the heat dissipation member to the substrate. Objective.
前記目的を達成するために、本発明は、次の手段を講じた。
即ち、本発明における課題解決のための技術的手段は、電子部品を実装する基板本体と、前記基板本体の放熱を促進する放熱促進部とを有し、前記基板本体と前記放熱促進部とが一体成形されている点にある。
前記基板本体の外面に前記放熱促進部が形成されていることが好ましい。
In order to achieve the above object, the present invention has taken the following measures.
That is, the technical means for solving the problem in the present invention includes a substrate body on which electronic components are mounted, and a heat radiation promoting portion that promotes heat radiation of the substrate body, and the substrate body and the heat radiation promoting portion include It is in the point of being integrally molded.
It is preferable that the heat radiation promoting portion is formed on the outer surface of the substrate body.
前記基板本体の表面が前記電子部品が実装される部分とされ、前記基板本体の裏面が前記放熱促進部が形成される部分とされていることが好ましい。
前記基板本体の内部に前記放熱促進部が設けられ、この放熱促進部は、基板本体を冷却するための冷却媒体が通る冷却流路とされていることが好ましい。
前記基板を製造する方法であっては、前記基板本体と放熱促進部とを粉末射出成形により一体成形することが好ましい。
It is preferable that the surface of the substrate body is a portion on which the electronic component is mounted, and the back surface of the substrate body is a portion on which the heat dissipation promoting portion is formed.
It is preferable that the heat dissipation promoting part is provided inside the substrate body, and the heat dissipation promoting part is a cooling flow path through which a cooling medium for cooling the substrate body passes.
In the method for manufacturing the substrate, it is preferable that the substrate body and the heat dissipation promoting portion are integrally formed by powder injection molding.
前記粉末射出成形においては、窒化アルミ、アルミナ、炭化ケイ素の少なくとも1種類以上からなる材料を用いることをことが好ましい。
前記窒化アルミは、イットリア、カルシア、マグネシアの少なくとも1種以上を添加したものであることが好ましい。
前記粉末射出成形において用いる有機バインダーは、ポリスチレン、ポリブチルメタクリレート、ポリオキシメチレン、ポリプロピレン、スチレン・アクリル共重合体、アモルファスポリオレフィン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・メチルアクリレート共重合体、エチレン・エチルアクリレート共重合体、、エチレン・ブチルアクリレート共重合体、エチレングリシジルメタクリレート共重合体より選ばれる少なくとも一種以上からなる樹脂、並びに脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、高級脂肪酸、フタル酸エステル、アジピン酸エステル、パラフィンワックス、マイクロクリスタリンワックス、ポリエチレンワックス、ポリプロピレンワックス、カルナバワックス、モンタン系ワックス、ウレタン化ワックス、無水マレイン酸変性ワックスより選ばれる一種以上からなる有機化合物であることが好ましい。
In the powder injection molding, it is preferable to use a material composed of at least one of aluminum nitride, alumina, and silicon carbide.
The aluminum nitride is preferably one added with at least one of yttria, calcia, and magnesia.
The organic binder used in the powder injection molding is polystyrene, polybutyl methacrylate, polyoxymethylene, polypropylene, styrene / acrylic copolymer, amorphous polyolefin, ethylene / vinyl acetate copolymer, ethylene / methyl acrylate copolymer, ethylene / Resin comprising at least one selected from ethyl acrylate copolymer, ethylene / butyl acrylate copolymer, ethylene glycidyl methacrylate copolymer, fatty acid ester, fatty acid amide, higher fatty acid, phthalic acid ester, adipic acid ester, paraffin Wax, microcrystalline wax, polyethylene wax, polypropylene wax, carnauba wax, montan wax, urethanized wax, maleic anhydride modified It is preferably an organic compound consisting of one or more selected from wax.
本発明によれば、グリースなどの中間部材を用いて放熱部材を基板に取り付けなくても基板の放熱性を向上させることができる。 According to the present invention, the heat dissipation of the substrate can be improved without using an intermediate member such as grease to attach the heat dissipation member to the substrate.
以下、本発明の実施の形態を、図面に基づき説明する。
図1〜7は、本発明の基板を示したものである。
図1、2に示すように、本発明の基板1は、電子部品2を実装する基板本体3と、この基板本体3の熱を放出する放熱促進部4とを備えたものである。
従来では、基板本体3と放熱促進部4とを別体に形成していたが、本発明は、基板本体3と放熱促進部4とを一体化形成したことを特徴としたものである。また、基板1に実装する電子部品2は、特に限定されないが、発熱量が多いパワーLSI、LED等の電子部品2を実装する場合に適している。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
1 to 7 show a substrate of the present invention.
As shown in FIGS. 1 and 2, the
Conventionally, the
以下、本発明の基板1について詳しく説明する。なお、説明の便宜上、図1の左右方向を横方向、図1の上下方向を縦方向とする。
基板本体3は、詳細は後述するように、放熱性に優れたセラミックス等の材料により板状に形成されたものである。この基板本体3において、電子部品2を実装する一方の面(表面3a)には電子回路を構成する回路部5が設けられている。
Hereinafter, the
As will be described in detail later, the
この回路部5上に電子部品2が半田等により実装されている。回路部5は、例えば、絶縁性のフィルムに、銅、銀、タングステン、モリブデン等の導電性の材料から形成された回路パターンを印刷することにより構成されたものである。なお、回路部5は、基板本体3の表面に、直接、回路パターンを一体的に成形したものであってもよい。例えば、タングステン、モリブデンを用いて回路パターンを形成する場合には、基板本体3をセラミックス等にて形成する際に当該セラミックスとタングステン又はモリブデンとを焼結することにより回路パターンを一体成形することができる。
The
電子部品2を実装していない他方の面(裏面3b)には、放熱促進部4が形成されている。この放熱促進部4は、基板本体3と同じように放熱性に優れたセラミックス等の材料(例えば、基板本体3と同一材料)により形成されたものである。具体的には、この放熱促進部4は、基板本体3の裏面から外方(例えば、下方)に突出した複数のフィン7から構成されたものである。放熱促進部4を構成する各フィン7は、基板本体3の横方向に所定の間隔で配置されている。また、各フィン7は、基板本体3の縦方向又は横方向に延設して形成されている。
On the other surface (
なお、図1、2に示すように、各フィン7は、基板本体3の裏面3bから下方に突出しているが、これに代え、基板本体3の側面から左右方向に突出しても基板本体3の表面3aから上方に突出したものであってもよく、基板本体3の露出面(外面であって、表面、裏面、側面を含む)に設けるようにすればよい。さらに、基板本体3の表面3aにフィン7を設ける場合には、発熱量の多い電子部品2間に設けることが好ましい。放熱促進部4はピンであってもよい。
As shown in FIGS. 1 and 2, each
本発明によれば、基板本体3と放熱を促進する放熱促進部4とが一体形成され、その放熱促進部4は、基板本体3の外面に形成されていることから、従来のように、グリースなどの中間部材を用いて放熱部材を基板1に取り付けなくてもよく、基板1全体の放熱性を向上させることができる。
しかも、本発明の基板1では、基板本体3の表面3aが電子部品2が実装される部分とされ、基板本体3の裏面3bが放熱促進部4が形成される部分とされている。そのため、発熱量が多いパワーLSIやLEDを表面に実装した場合(片面実装の場合)、裏面側を放熱するための部分として有効利用することが可能となり、基板1の筐体への収まりも良く、この基板1を備えたモジュールをコンパクトにすることができる。
According to the present invention, the substrate
Moreover, in the
加えて、図3、4に示すように、基板本体3の内部にも放熱促進部4を設けることが好ましい。基板本体3の内部に設けられた放熱促進部4は、基板自体(基板本体3)を冷却するための冷却媒体が通る冷却流路9を有している。即ち、図3、4に示した基板1には、フィン7と冷却流路9とからなる放熱促進部4を有するものとなっている。
冷却流路9は、基板本体3の内部に冷却媒体が流れる孔を設けることにより構成されている。この冷却流路9は、平面視で、特に放熱量の多い電子部品2の下側を通過するように構成されていることが好ましい。言い換えるならば、電子部品2がパワーLSI、LED等であるとき、冷却流路9と電子部品2とが平面視でオーバラップするように、冷却流路9及び電子部品2が基板1に配置されることが好ましい。
In addition, as shown in FIGS. 3 and 4, it is preferable to provide a heat
The
冷却流路9の一方側は、冷却媒体を入れる注入口11とされ、この注入口11は、基板本体3の側面に設けられている。また、冷却流路9の他方側は冷却媒体を排出する排出口12とされ、この排出口12も基板本体3の側面に設けられている。注入口11や排出口12にパイプ等を接続すると共に、パイプと冷却媒体を循環させるポンプとを接続して、ポンプの動力により冷却媒体を循環させることが好ましい。
One side of the cooling
冷却媒体は、特に限定されないが、水、アルコール、フッ素系不活性等の液体並びに空気、窒素、アルゴン等の気体を用いることが好ましい。また、基板1に窒化アルミを用い、冷媒に水を用いた場合には、窒化アルミが耐水性に劣ることから、水が接する箇所を耐水性の高い酸化物セラミックスによりコーティングするか、蒸着もしくはメッキにより金属メッキを行っても良い。この場合、銅を用いると熱伝導性も損なわれず、放熱性を確保することができる。
Although the cooling medium is not particularly limited, it is preferable to use a liquid such as water, alcohol, fluorine-based inert gas, or a gas such as air, nitrogen, or argon. In addition, when aluminum nitride is used for the
図5に示すように、冷却流路9を基板本体3の内部に形成するにあたっては、基板本体3の表面側(電子部品2を実装する側)となる第1基板本体部13に、溝10aが形成されるように当該第1基板本体13を粉末射出成形により作成する。また、基板本体3の裏面側(電子部品2を実装しない側)となる第2基板本体部14に、溝10aと合わせることができるような溝10bが形成されるように当該第2基板本体14を粉末射出成形により作成する。
As shown in FIG. 5, in forming the
そして、基板本体3を形成する際に、第1基板本体部13の溝10aと、第2基板本体部14の溝10bとを合わせて、第1基板本体部13及び第2基板本体部14を焼結することにより、溝10aと溝10bとからなる冷却流路9を形成する。
なお、図6に示すように、冷却流路9、即ち、溝10aや溝10bを形成する際、冷却媒体の流れを阻害することによって抵抗となる抵抗部材15を設けるようにすることが好ましい。具体的には、抵抗部材15は、冷却流路9の内壁から内方へ突出する矩形状又は棒状等のものであって、冷却流路9に沿って複数設けられている。これにより、冷却媒体が冷却流路9内を流れた際に抵抗部材15に当たるため、乱流が生じることとなり、冷却効率を向上させることができる
図7は、冷却流路の変形例を示したものである。図7に示した矢印は、冷却媒体の流れを示したものである。
Then, when the
In addition, as shown in FIG. 6, when forming the
図7(a)に示すように、基板本体3内には、渦巻き状の冷却流路9aが形成されている。即ち、渦巻き状の冷却流路9aとは、基板本体3の中心部から次第に径外方向に延設される連続した円弧状の孔により構成されたものである。基板本体3の中心部側に位置する冷却流路9a内には複数の抵抗部材15が設けられている。なお、冷却流路9aの一方側が冷却媒体を注入する注入口11とされ、他方側が冷却媒体を排出する排出口12とされている。
As shown in FIG. 7A, a
図7(b)に示すように、基板本体3は内部が空間(空間部分)Sとなる箱状に形成されたもので、空間部分Sが冷却流路9bとされている。基板本体3の横方向の一方側に冷却流路9bの注入口11が形成され、横方向の他方側に冷却流路9bの排出口12が形成されている。空間部分の幅Dは、注入口11から排出口12に亘って一定となっている。
図7(c)に示すように、基板本体3は箱状に形成され、その内部には、複数の仕切板16(例えば、2枚)に仕切られた複数の空間部分(例えば、3つの空間部分S1、S2、S3)が形成されている。各仕切板16には仕切られた空間部分S1、S2、S3を連通させる連通孔17が設けられている。3つの空間部分S1、S2、S3及び連通孔17により冷却流路9cが形成されている。基板本体3の横方向の一方側に裏面3b側の空間部分S1と連通する注入口11が形成され、横方向の他方側に裏面3b側の空間部分S1と連通する排出口12が形成されている。空間部分の幅Dは、注入口11から排出口12に亘って次第に小さくなっている。表面3a側の空間部分S3には、複数の抵抗部材15が設けられている。
As shown in FIG. 7B, the
As shown in FIG. 7C, the
このような基板1は粉末射出成形により成形されている。即ち、基板本体3と放熱促進部4とは粉末射出成形により一体成形されている。
以下、基板1の製造方法について説明する。
基板本体3と放熱促進部4とを形成するにあたっては、放熱性の高いセラミックス材料が用いられる。この材料には窒化アルミ、炭化ケイ素、アルミナの少なくとも1種類以上を用いることが好適である。成形するにあたっては、平均粒子径0.1〜5μm程度の粉末状の材料を用いることが望ましい。窒化アルミには焼結助剤としてイットリアを用いる事が望ましく、カルシア及びマグネシアを焼結助剤に用いても良い。
Such a
Hereinafter, a method for manufacturing the
In forming the
炭化ケイ素を用いる場合は、炭化ケイ素に対して焼結助剤として窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭素及び金属シリコンの添加により、常圧での焼結が可能である。
粉末射出成形で用いられる有機バンダには熱可塑性樹脂、ワックス、滑剤、可塑剤等が用いられる。
熱可塑性樹脂(有機バインダ)にはポリスチレン、ポリブチルメタクリレート、ポリオキシメチレン、ポリプロピレン、スチレン・アクリル共重合体、アモルファスポリオレフィン7、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・メチルアクリレート共重合体、エチレン・エチルアクリレート共重合体、、エチレン・ブチルアクリレート共重合体、エチレングリシジルメタクリレート共重合体より選ばれる少なくとも一種以上からなる高分子化合物、ワックス、滑剤、可塑剤には脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、高級脂肪酸、フタル酸エステル、アジピン酸エステル、パラフィン7ワックス、マイクロクリスタリンワックス、ポリエチレンワックス、ポリプロピレンワックス、カルナバワックス、モンタン系ワックス、ウレタン化ワックス、無水マレイン酸変性ワックスより選ばれる一種以上からなる有機化合物を用いる。特に熱可塑性樹脂ではポリスチレン、ブチルメタクリレート、エチレン・酢酸ビニル共重合体並びにエチレン・ブチルアクリレート共重合体が望ましく、ワックス、可塑剤並びに滑剤にはパラフィン7ワックス、脂肪酸アミド並びにフタル酸エステルが望ましい。
When silicon carbide is used, sintering at normal pressure is possible by adding boron nitride, boron carbide, carbon and metal silicon as a sintering aid to silicon carbide.
Thermoplastic resins, waxes, lubricants, plasticizers, and the like are used for organic banders used in powder injection molding.
Thermoplastic resins (organic binders) include polystyrene, polybutyl methacrylate, polyoxymethylene, polypropylene, styrene / acrylic copolymer,
有機バインダの添加量は、粉末射出成形では用いるセラミックス材料に対して35〜60vol%が最適である。
セラミックスと熱可塑性樹脂及びワックス、滑剤、可塑剤とを混合分散して材料を混練する場合(混合分散を行う場合)には加熱混練機、多軸押出機および加熱ロール等を用いることが好ましい。材料を予め直径1〜5mm、長さ1〜10mm程度にペレット化して成形用の材料とすることが望ましい。その他、粉末射出成形は、一般的な方法により行う。
The addition amount of the organic binder is optimally 35-60 vol% with respect to the ceramic material used in the powder injection molding.
When kneading materials by mixing and dispersing ceramics, thermoplastic resin, wax, lubricant, and plasticizer (when mixing and dispersing), it is preferable to use a heating kneader, a multi-screw extruder, a heating roll, or the like. It is desirable to pelletize the material in advance to a diameter of about 1 to 5 mm and a length of about 1 to 10 mm to obtain a molding material. In addition, powder injection molding is performed by a general method.
基板本体3及び放熱促進部4とを成形するための成形体(元材料)に対して脱脂を行うには、使用する粉末状の材料に応じて、アルミナでは大気中で行い、窒化アルミでは窒素中で行う。また、炭化珪素では窒素中もしくは不活性ガス中が望ましい。
また、脱脂時のバインダの分解ガスをスムースに除去するために脱脂及び焼結時に幅5mm以下、高さ0.5mm以上、ピッチ間隔0.5mm以上の矩形形状を有するセラミックスプレートをセッターに用いることにより、脱脂時に生じるクラック、ボイド等の不具合を解消する。アルミナの場合用いるセラミックスプレートはアルミナ系セラミックスであり、窒化アルミでは窒化ホウ素、炭化珪素ではグラファイトが望ましい。
In order to degrease the molded body (original material) for molding the
In order to smoothly remove the decomposition gas of the binder during degreasing, a ceramic plate having a rectangular shape with a width of 5 mm or less, a height of 0.5 mm or more, and a pitch interval of 0.5 mm or more is used for the setter during degreasing and sintering. This eliminates defects such as cracks and voids that occur during degreasing. The ceramic plate used in the case of alumina is alumina ceramic, and boron nitride is preferable for aluminum nitride, and graphite is preferable for silicon carbide.
焼結には使用する粉末に合わせて空気、窒素、アルゴン、水素等のガス雰囲気下で行い、焼結密度を93%以上にして、内部に連続気孔が残留しないように焼結温度を適宜調整する。内部に連続気孔が残留すると用いる基板1の熱拡散が損なわれ、十分な冷却効果が得られない。
回路パターン(回路部5)は、上述したように、銅、銀、タングステン、モリブデン等の材料を用いて形成する。また、2つに分割した基板本体3を貼り合わせて冷却流路9を形成する場合には、(1)接着させる面を焼結の際の粒子間の拡散により界面を接着させる方法、(2)接着させる面に用いた粉末材料と同じセラミックス材料粉末をアクリル樹脂等とともに溶剤に分散させた材料を用いて、張り合わせる界面に塗布して乾燥させた後、脱脂焼結を行い、界面を接着させる方法、(3)上下を張り合わせた成形体を金型に挿入し界面部分を成形材料で成形を行った後、脱脂焼結工程において粒子間の拡散により界面を接着させる方法などがある。
Sintering is performed in a gas atmosphere such as air, nitrogen, argon, hydrogen, etc. according to the powder used, the sintering density is set to 93% or more, and the sintering temperature is adjusted appropriately so that no continuous pores remain inside. To do. If continuous pores remain inside, the thermal diffusion of the
As described above, the circuit pattern (circuit unit 5) is formed using a material such as copper, silver, tungsten, or molybdenum. Further, when the cooling
なお、図7に示すように、基板本体3に注入口11や排出口12に連通するノズル18を設ける場合には、ノズル18をネジにより基板本体3に締結させてもよい。また、基板本体3や放熱促進部4を作成する際にノズル18もあわせて形成して燒結させることで一体的に形成してもよい。ノズル18の温度が常時使用温度で100℃以下になる場合には、プラスチック材料を用いても良い。
As shown in FIG. 7, when the
なお、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
1 基板
2 電子部品
3 基板本体
3a 表面
3b 裏面
4 放熱促進部
5 回路部
7 フィン
9 冷却流路
9a 冷却流路
9b 冷却流路
9c 冷却流路
10a 溝
10b 溝
11 注入口
12 排出口
13 第1基板本体部
14 第2基板本体部
15 抵抗部材
16 仕切板
17 連通孔
D 幅
S 空間部分
S1 空間部分
S2 空間部分
S3 空間部分
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013088864A1 (en) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | 株式会社 豊田自動織機 | Semiconductor device |
JP2014036193A (en) * | 2012-08-10 | 2014-02-24 | Uacj Corp | Cooling plate and cooling device |
JP2015500561A (en) * | 2011-11-18 | 2015-01-05 | ルクスビュー テクノロジー コーポレイション | Microdevice transfer head heater assembly and method for transferring microdevice |
EP2947687A3 (en) * | 2014-05-19 | 2015-12-16 | Powersem GmbH | High performance semiconductor module |
WO2016148065A1 (en) * | 2015-03-13 | 2016-09-22 | 大沢健治 | Heat transfer device for cooling |
JP2017527123A (en) * | 2014-09-09 | 2017-09-14 | セラムテック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングCeramTec GmbH | Multi-layer cooling body |
JP2019207992A (en) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | 京セラ株式会社 | Package for mounting electrical element and electrical apparatus |
KR102330453B1 (en) * | 2020-11-06 | 2021-11-24 | 김인호 | Integrated degreasing and sintering device for oxidation prevention |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101848539B1 (en) * | 2011-11-15 | 2018-04-12 | 헨켈 아이피 앤드 홀딩 게엠베하 | Electronic devices assembled with thermally insulating layers |
KR101487147B1 (en) * | 2011-11-15 | 2015-01-28 | 헨켈 아이피 앤드 홀딩 게엠베하 | Electronic devices assembled with thermally insulating layers |
JP6025614B2 (en) * | 2013-03-04 | 2016-11-16 | 三菱電機株式会社 | Heat dissipating structure of heat generating component and audio device using the same |
TWI657132B (en) | 2013-12-19 | 2019-04-21 | 德商漢高智慧財產控股公司 | Compositions having a matrix and encapsulated phase change materials dispersed therein, and electronic devices assembled therewith |
CN112638029B (en) * | 2020-12-23 | 2022-07-22 | 华为数字能源技术有限公司 | Circuit board |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5878676U (en) * | 1981-11-20 | 1983-05-27 | 富士通株式会社 | Ceramic wiring device |
JPH10284808A (en) * | 1997-04-08 | 1998-10-23 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Circuit board |
JP2002026469A (en) * | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Circuit board having directly cooling structure |
JP2002121602A (en) * | 2000-07-25 | 2002-04-26 | Planet Polymer Technologies Inc | Powder injection molding of high density metal matrix composite material |
JP2002141164A (en) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Miyaden Co Ltd | Transistor inverter device for high-power and high- frequency induction heating |
JP2002329938A (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Kyocera Corp | Ceramic circuit board |
JP2003347600A (en) * | 2002-05-28 | 2003-12-05 | Matsushita Electric Works Ltd | Substrate for mounting led |
JP2005101164A (en) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Works Ltd | Circuit board and method of manufacturing the same |
JP2007205696A (en) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Tokyo Yogyo Co Ltd | Baking setter |
-
2010
- 2010-04-06 JP JP2010087839A patent/JP5713578B2/en active Active
-
2011
- 2011-01-06 WO PCT/JP2011/050106 patent/WO2011125344A1/en active Application Filing
- 2011-02-01 TW TW100103957A patent/TW201135881A/en unknown
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5878676U (en) * | 1981-11-20 | 1983-05-27 | 富士通株式会社 | Ceramic wiring device |
JPH10284808A (en) * | 1997-04-08 | 1998-10-23 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Circuit board |
JP2002026469A (en) * | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Circuit board having directly cooling structure |
JP2002121602A (en) * | 2000-07-25 | 2002-04-26 | Planet Polymer Technologies Inc | Powder injection molding of high density metal matrix composite material |
JP2002141164A (en) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Miyaden Co Ltd | Transistor inverter device for high-power and high- frequency induction heating |
JP2002329938A (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Kyocera Corp | Ceramic circuit board |
JP2003347600A (en) * | 2002-05-28 | 2003-12-05 | Matsushita Electric Works Ltd | Substrate for mounting led |
JP2005101164A (en) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Works Ltd | Circuit board and method of manufacturing the same |
JP2007205696A (en) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Tokyo Yogyo Co Ltd | Baking setter |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015500561A (en) * | 2011-11-18 | 2015-01-05 | ルクスビュー テクノロジー コーポレイション | Microdevice transfer head heater assembly and method for transferring microdevice |
WO2013088864A1 (en) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | 株式会社 豊田自動織機 | Semiconductor device |
JP2014036193A (en) * | 2012-08-10 | 2014-02-24 | Uacj Corp | Cooling plate and cooling device |
EP2947687A3 (en) * | 2014-05-19 | 2015-12-16 | Powersem GmbH | High performance semiconductor module |
JP2017527123A (en) * | 2014-09-09 | 2017-09-14 | セラムテック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングCeramTec GmbH | Multi-layer cooling body |
WO2016148065A1 (en) * | 2015-03-13 | 2016-09-22 | 大沢健治 | Heat transfer device for cooling |
JPWO2016148065A1 (en) * | 2015-03-13 | 2017-04-27 | 健治 大沢 | Cooling heat transfer device |
JP2019207992A (en) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | 京セラ株式会社 | Package for mounting electrical element and electrical apparatus |
JP7148276B2 (en) | 2018-05-30 | 2022-10-05 | 京セラ株式会社 | Light-emitting element mounting package and light-emitting device |
KR102330453B1 (en) * | 2020-11-06 | 2021-11-24 | 김인호 | Integrated degreasing and sintering device for oxidation prevention |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201135881A (en) | 2011-10-16 |
WO2011125344A1 (en) | 2011-10-13 |
JP5713578B2 (en) | 2015-05-07 |
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