JP2011217356A - 固体電子撮像装置およびその動作制御方法 - Google Patents

Abstract

【目的】ローリング歪を軽減する。
【構成】奇数行のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷は，１行ずつ列方向に読み出され，奇数行画像４を表す。偶数行のフォトダイオード３に蓄積された信号電荷は１列ずつ行方向に読み出され，偶数行画像５を表す。被写体が水平方向に移動する場合には，偶数行画像５が選択される。被写体が垂直方向に移動する場合には，奇数行画像４が選択される。ローリング歪が軽減された画像が得られる。
【選択図】図１

Description

この発明は，固体電子撮像装置およびその動作制御方法に関する。

Ｃ−ＭＯＳセンサでは，フォトダイオードに蓄積された信号電荷を１行ごとに順に読み出すために，１行ごとに露光タイミングが異なる。このために，動きのある被写体を撮像すると，歪が生じることがある（いわゆるローリング歪）。このようなローリング歪を軽減するものが考えられている（特許文献１）。しかしながら，画像が得られるまでにタイムラグが生じてしまう。また，手振れがあってもローリング歪が発生するので，手振れに対する動き検出を行い，ローリング歪を軽減するものもある（特許文献２）。しかしながら，制御が複雑となる。

特開2006-54788号公報 特開2001-358999号公報

この発明は，比較的簡単にローリング歪を軽減することを目的とする。

この発明による固体電子撮像装置は，赤色，緑色もしくは青色またはシアン，マゼンタもしくはイエローの光成分を透過する特性を有するカラー・フィルタが受光面上に形成された光電変換素子が奇数行奇数列および偶数行偶数列または奇数行偶数列および偶数行奇数列に配列され，第４ｎ（ｎは０以上の整数）＋１行と第４ｎ＋２行において斜め方向の２つの光電変換素子に形成されているカラー・フィルタの特性と第４ｎ＋３行と第４ｎ＋４行において斜め方向の２つの光電変換素子に形成されているカラー・フィルタの特性とがそれぞれ同じであるＭＯＳセンサ，ならびに奇数行の光電変換素子に蓄積された信号電荷を１行ずつまたは１列ずつ順に読み出して第１の映像信号として出力し，偶数行の光電変換素子に蓄積された信号電荷を,奇数行の光電変換素子に蓄積された信号電荷の読み出しと異なるように１列ずつまたは１行ずつ順に読み出して第２の映像信号として出力するように上記ＭＯＳセンサを制御する読み出し制御手段を備えていることを特徴とする。

この発明は，上記固体電子撮像装置に適した動作制御方法も提供している。すなわち，この方法は，赤色，緑色もしくは青色またはシアン，マゼンタもしくはイエローの光成分を透過する特性を有するカラー・フィルタが受光面上に形成された光電変換素子が奇数行奇数列および偶数行偶数列または奇数行偶数列および偶数行奇数列に配列されたＭＯＳセンサにおいて，第４ｎ（ｎは０以上の整数）＋１行と第４ｎ＋２行において斜め方向の２つの光電変換素子に形成されているカラー・フィルタの特性と第４ｎ＋３行と第４ｎ＋４行において斜め方向の２つの光電変換素子に形成されているカラー・フィルタの特性とがそれぞれ同じであり，読み出し制御手段が，奇数行の光電変換素子に蓄積された信号電荷を１行ずつまたは１列ずつ順に読み出して第１の映像信号として出力し，偶数行の光電変換素子に蓄積された信号電荷を,奇数行の光電変換素子に蓄積された信号電荷の読み出しと異なるように１列ずつまたは１行ずつ順に読み出して第２の映像信号として出力するように上記ＭＯＳセンサを制御するものである。

この発明によると，第１の映像信号は，１行ずつまたは１列ずつ順に読み出された信号電荷にもとづくものである。ＭＯＳセンサから出力される第１の映像信号または第２の映像信号が１行ずつ順に読み出された信号電荷にもとづくものである場合には，垂直方向での露光開始時間の差は比較的大きいので，水平方向に動きのある被写体を撮像していた場合にはローリング歪が生じる。逆にＭＯＳセンサから出力される第１の映像信号または第２の映像信号が１列ずつ順に読み出された信号電荷にもとづくものである場合には，水平方向での露光開始時間の差は比較的大きいので，垂直方向に動きのある被写体を撮像していた場合にはローリング歪が生じる。垂直方向に動きのある被写体を撮像していた場合には１行ずつ順に読み出された信号電荷にもとづく映像信号を用い，水平方向に動きのある被写体を撮像していた場合には１列ずつ順に読み出された信号電荷にもとづく映像信号を用いることにより，ローリング歪が軽減された被写体像が得られる。

上記ＭＯＳセンサによって撮像される被写体の動き方向が水平方向か垂直方向かを検出する動き方向検出手段，および上記動き方向検出手段によって水平方向の動き方向と検出されたことに応じて，上記第１の映像信号または上記第２の映像信号のうち１列ずつ順に読み出された信号電荷にもとづいて得られる映像信号を選択し，上記動き方向検出手段によって垂直方向の動き方向と検出されたことに応じて，上記第１の映像信号または上記第２の映像信号のうち１行ずつ順に読み出された信号電荷にもとづいて得られる映像信号を選択する第１の選択手段をさらに備えてもよい。

上記動き方向検出手段によって検出された動き方向の動き量を検出する動き量検出手段，ならびに上記動き量検出手段によって検出された動き量および上記動き方向検出手段によって検出された動き方向に応じたリサイズ率で上記第１の選択手段によって選択された映像信号によって表される被写体像をリサイズする第１のリサイズ手段をさらに備えてもよい。

また，上記固体電子撮像装置のぶれ方向が水平方向か垂直方向かを検出するぶれ方向検出手段，および上記ぶれ方向検出手段によって水平方向のぶれ方向と検出されたことに応じて，上記第１の映像信号または上記第２の映像信号のうち１列ずつ順に読み出された信号電荷にもとづいて得られる映像信号を選択し，上記ぶれ方向検出手段によって垂直方向のぶれ方向と検出されたことに応じて，上記第１の映像信号または上記第２の映像信号のうち１行ずつ順に読み出された信号電荷にもとづいて得られる映像信号を選択する第２の選択手段をさらに備えてもよい。

さらに，上記ぶれ方向検出手段によって検出されたぶれ方向のぶれ量を検出するぶれ量検出手段，ならびに上記ぶれ量検出手段によって検出されたぶれ量および上記ぶれ方向検出手段によって検出されたぶれ方向に応じたリサイズ率で上記第２の選択手段によって選択された映像信号によって表される被写体像をリサイズする第２のリサイズ手段をさらに備えてもよい。

上記ＭＯＳセンサは，たとえばＣ−ＭＯＳセンサである。

（Ａ）はＣ−ＭＯＳセンサの模式図を，（Ｂ）は奇数行画像を，（Ｃ）は偶数行画像をそれぞれ示している。 奇数行画像の一例である。 偶数行画像の一例である。 奇数行画像の一例である。 偶数行画像の一例である。 Ｃ−ＭＯＳセンサの回路図である。 撮像装置の電気的構成を示すブロック図である。 被写体の一例である。 撮像装置の処理手順を示すフローチャートである。 撮像装置の電気的構成を示すブロック図である。 奇数行画像の一例である。 偶数行画像の一例である。 撮像装置の処理手順を示すフローチャートである。

図１（Ａ）は，この発明の実施例を示すもので，Ｃ−ＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）センサ40の一部分の模式図を示している。この実施例ではＣ−ＭＯＳセンサ40について述べるが，Ｃ−ＭＯＳセンサ40以外のＭＯＳセンサ（３ＭＯＳセンサ，ＬｉｖｅＭＯＳセンサ，ＮＭＯＳセンサなど）にも適用できる。

Ｃ−ＭＯＳセンサ40には，行方向および列方向に多数のフォトダイオード２および３が配列されている。奇数行に配列されているフォトダイオード２に符号「２」が付され，偶数行に配列されているフォトダイオード３に符号「３」が付されている。この実施例では，奇数行奇数列および偶数行偶数列にフォトダイオード２または３が配列されているが，奇数行偶数列および偶数行奇数列にフォトダイオード２または３が配列されるようにしてもよい。

フォトダイオード２または３の受光面上には，赤色成分，緑色成分または青色成分の光成分を透過する特性を有するカラー・フィルタが形成されている。赤色の光成分を透過するフィルタには「Ｒ」または「ｒ」の符号が付され，緑色の光成分を透過するフィルタには「Ｇ」または「ｇ」の符号が付され，青色の光成分を透過するフィルタには「Ｂ」または「ｂ」の符号が付されている。第４ｎ（ｎは０以上の整数）＋１行と第４ｎ＋２行とにおいて斜め方向の２つの光電変換素子に形成されているカラー・フィルタの特性と第４ｎ＋３行と第４ｎ＋４行とにおいて斜め方向の２つのフォトダイオード２および３に形成されているカラー・フィルタの特性とがそれぞれ同じである。赤色成分，緑色成分または青色成分の光成分を透過する特性を有するカラー・フィルタの代わりに，シアン成分，マゼンタ成分またはイエロー成分の光成分を透過する特性を有するカラー・フィルタを設けてもよい。そのような場合であっても，上述のように，斜め方向の２つの光電変換素子に形成されているカラー・フィルタの特性は同じものとされる。

この実施例では，奇数行のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷については，１行ずつ順に列方向に向かって読み出される。奇数行のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷にもとづいて被写体像（奇数行画像ということにする）が得られる。

図１（Ｂ）は，奇数行画像４の一部分を示している。奇数行画像４を構成する画素Ｐ１は，Ｃ−ＭＯＳセンサ40の奇数行のフォトダイオード２に対応している。フォトダイオード２に形成されているカラー・フィルタと奇数行画素Ｐ１との関係をわかりやすくするために，画素Ｐ１には対応するフォトダイオード２に形成されているカラー・フィルタの符号も付されている。

奇数行画像４は，奇数行のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷が１行ずつ順に列方向に向かって読み出されるから，下の行のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷ほど上の方の行のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷よりも読み出しタイミングが徐々に遅れる。しかしながら，右側の列のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングと左側の列のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングとはほぼ同じである。

また，この実施例では，偶数行のフォトダイオード３に蓄積された信号電荷については，１列ずつ順に行方向に向かって読み出される。偶数行のフォトダイオード３に蓄積された信号電荷にもとづいて被写体像（偶数行画像ということにする）が得られる。

図１（Ｃ）は，偶数行画像５の一部分を示している。偶数行画像５を構成する画素Ｐ２は，Ｃ−ＭＯＳセンサ40のフォトダイオード３に対応している。フォトダイオード３に形成されているカラー・フィルタと偶数行画素Ｐ２との関係をわかりやすくするために，画素Ｐ２には対応するフォトダイオード３に形成されているカラー・フィルタの符号も付されている。

偶数行画像５は，偶数行のフォトダイオード３に蓄積された信号電荷が１列ずつ順に行方向に向かって読み出されるから，右の列のフォトダイオード３に蓄積された信号電荷ほど左の列のフォトダイオード３に蓄積された信号電荷よりも読み出しタイミングが徐々に遅れる。しかしながら，上の行のフォトダイオード３に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングと下の行のフォトダイオード３に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングとは同じである。

上述したものとは逆に奇数行のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷を１列ずつ順に列方向に読み出し，偶数行のフォトダイオード３に蓄積された信号電荷を１行ずつ順に行方向に読み出してもよい。

図２は，奇数行画像の一例である。

奇数行画像４Ａは，水平方向に移動している被写体を表すものである。奇数行画像４Ａには，水平方向に移動している被写体を表す被写体像11が含まれている。上述したように，奇数行画像４Ａは，フォトダイオード２に蓄積された信号電荷を１行ずつ順に行方向に読み出して得られるものであるから，上側の行のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングよりも下側の行のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングの方が遅れる。このために，水平方向に移動している被写体を表す被写体像11は，奇数行画像４Ａではローリング歪が生じ，斜めにゆがんでしまう。

図３は，偶数行画像の一例である。

偶数行画像５Ａは，水平方向に移動している被写体を表すものである。偶数行画像５Ａには，水平方向に移動している被写体を表す被写体像12が含まれている。上述したように，偶数行画像５Ａは，フォトダイオード３に蓄積された信号電荷を１列ずつ順に列方向に読み出して得られるものであるから，上側の行のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングと下側の行のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングとは同じである。このために，水平方向に移動している被写体を表す被写体像12には，斜めのゆがみが含まれていない。

しかしながら，偶数行画像５Ａでは，左側の列のフォトダイオード３に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングよりも右側の列のフォトダイオード３に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングの方が遅れる。このために，水平方向に移動している被写体を表す被写体像12は，移動方向に応じて伸び縮みしてしまう。この実施例では，伸び縮みした量が動き方向および動き量に応じて補正される。

図４は，奇数行画像の他の一例である。

奇数行画像４Ｂは，垂直方向に移動している被写体を表すものである。奇数行画像４Ｂには，垂直方向に移動している被写体を表す被写体像13が含まれている。上述したように，奇数行画像４Ｂは，フォトダイオード２に蓄積された信号電荷を１行ずつ順に列方向に読み出して得られるものであるから，右側の列のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングと左側の列のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングとは同じである。このために垂直方向に移動する被写体を表す被写体像13では水平方向のゆがみは生じない。

しかしながら，奇数行画像４Ｂでは，上側の行のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングよりも下側の行のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングの方が遅れる。このために，垂直方向に移動している被写体を表す被写体像13は，移動方向（垂直方向）に応じて伸び縮みしてしまうので，伸び縮みした量が動き方向および動き量に応じて補正される。

図５は，偶数行画像の一例である。

偶数行画像５Ｂも，垂直方向に移動している被写体を表すものである。偶数行画像５Ｂには，垂直方向に移動している被写体を表す被写体像14が含まれている。上述したように，偶数行画像５Ｂは，フォトダイオード３に蓄積された信号電荷を１列ずつ順に列方向に読み出して得られるものであるから，垂直方向に移動している被写体を現す被写体像14には斜めのゆがみが生じてしまう。

この実施例では，水平方向に移動している被写体については奇数行画像を選択し，垂直方向に移動している被写体については偶数行画像を選択するものである。斜め方向のゆがみが含まれない画像が得られる。

図６は，Ｃ−ＭＯＳセンサ40の回路図である。

上述した奇数行のフォトダイオード２には，第１のＦＥＴ（Field effect transistor）21のソース端子が接続されている。第１のＦＥＴ21のゲート端子には，読み出しライン25が接続されている。第１のＦＥＴ21のドレイン端子には，第２のＦＥＴ22のソース端子および第３のＦＥＴ23のゲート端子が接続されている。第２のＦＥＴ22のゲート端子およびソース端子には，リセット・ライン24およびドレイン・ライン26がそれぞれ接続されている。第３のＦＥＴ23のドレイン端子およびソース端子には信号ライン27およびドレイン・ライン26が接続されている。これらのフォトダイオード２および第１から第３のＦＥＴ21から23が奇数行画像の１画素に対応する。これらのフォトダイオード２および第１から第３のＦＥＴ21から23のひとまとまりを，奇数行画素部20とする。

同様に，上述した偶数行のフォトダイオード３には，第１のＦＥＴ（Field effect transistor）31のソース端子が接続されている。第１のＦＥＴ31のゲート端子には，読み出しライン35が接続されている。第１のＦＥＴ31のドレイン端子には，第２のＦＥＴ32のソース端子および第３のＦＥＴ33のゲート端子が接続されている。第２のＦＥＴ32のゲート端子およびソース端子には，リセット・ライン34およびドレイン・ライン36がそれぞれ接続されている。第３のＦＥＴ33のドレイン端子およびソース端子には信号ライン37およびドレイン・ライン36が接続されている。これらのフォトダイオード３および第１から第３のＦＥＴ31から33が偶数行画像の１画素に対応する。これらのフォトダイオード３および第１から第３のＦＥＴ31から33のひとまとまりを，偶数行画素部30とする。

信号ライン27および37の一端には定電流源28および38が接続されている。

第１のシフト・レジスタ25Ａは，奇数行のフォトダイオード２への電荷の蓄積，排出を制御するもので，リセット・ライン24および読み出しライン25が接続されている。第１のシフト・レジスタ25Ａから１行ずつ順に行方向にリセット・ライン24および読み出しライン25にリセット・パルスおよび読み出しパルスが出力することにより，奇数行のフォトダイオード２に蓄積された不要電荷がドレインから掃き出される。第１のシフト・レジスタ25Ａから１行ずつ行方向に読み出しライン25に読み出しパルスが出力することにより，奇数行のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷が信号ライン27から奇数行画像を表す第１の映像信号として出力される。

第２のシフト・レジスタ35Ａは，偶数行のフォトダイオード３への電荷の蓄積，排出を制御するもので，リセット・ライン34および読み出しライン35が接続されている。第２のシフト・レジスタ35Ａから１行ずつ順に行方向にリセット・ライン34および読み出しライン35にリセット・パルスおよび読み出しパルスが出力することにより，偶数行のフォトダイオード３に蓄積された不要電荷がドレインから掃き出される。第２のシフト・レジスタ35Ａから１列ずつ列方向に読み出しライン35に読み出しパルスが出力することにより，偶数行のフォトダイオード３に蓄積された信号電荷が信号ライン37から偶数行画像を表す第２の映像信号として出力される。

第１の映像信号および第２の映像信号は，選択回路41に与えられる。水平方向に移動している被写体を撮像したときには，偶数行画像を表す第２の映像信号が選択回路41によって選択される。垂直方向に移動している被写体を撮像したときには，奇数行画像を表す第１の映像信号が選択回路41によって選択される。

図７は，撮像装置の電気的構成を示すブロック図である。

Ｃ−ＭＯＳセンサ40は，読み出し制御装置44によって読み出しが制御される。読み出し制御装置44からＣ−ＭＯＳセンサ40に読み出し制御パルスが与えられる。すると，その制御パルスは第１のシフト・レジスタ25Ａおよび第２のシフト・レジスタ35Ａに与えられて，奇数行画像を表す第１の映像信号および偶数行画像を表す第２の映像信号が選択回路41に入力する。

撮像装置には，動き方向／動き量検出装置42が含まれている。動き方向／動き量検出装置42によって被写体の動き方向および動き量が検出される。動き方向／動き量検出装置42には，被写体を撮像する撮像素子が含まれており，その撮像素子を用いてＣ−ＭＯＳセンサ40での撮像タイミングとほぼ同時のタイミングで２回撮像される。この２回の撮像により得られる２フレームの被写体像から被写体の動き方向および動き量が検出される。検出された動き方向を表すデータは選択回路41に入力し，動き量を表すデータはリサイズ装置43に入力する。

被写体が水平方向に移動している場合には偶数行画像を表す第２の映像信号が選択回路41によって選択され，被写体が垂直方向に移動している場合には奇数行画像を表す第１の映像信号が選択回路41によって選択される。選択回路41によって選択された映像信号は，リサイズ装置43に入力する。

リサイズ装置43は，入力する映像信号によって表される奇数行画像または偶数行画像を,与えられる動き量を表すデータにもとづいて垂直方向または水平方向に伸び縮みさせる補正を行うものである。被写体が水平方向に移動している場合において，右側に移動しているときには動き量は正の値となり，左側に移動しているときには動き量は負の値となる。動き量が正の値のときには，右側に移動している被写体像は縮んでいるから動き量に応じて伸びるように補正される。逆に左側に移動している被写体像は伸びているから動き量に応じて縮むように補正される。被写体が垂直方向に移動している場合において，下側に移動しているときには動き量は正の値となり，上側に移動しているときには動き量は負の値となる。動き量が正の値のときには，下側に移動している被写体像は縮んでいるから動き量に応じて伸びるように補正される。逆に上側に移動している被写体像は伸びているから動き量に応じて縮むように補正される。

リサイズ装置43において補正された映像信号が出力となる。

図８は，被写体の一例である。

被写体50には，右側に移動する動きの大きい被写体51と左側に移動する動きの小さい被写体52とが含まれている。このように被写体50の中に動きのある被写体51および52というように，動きのある被写体が複数含まれている場合には，動きの大きい被写体の動き量を補正するようにリサイズ処理される。また，動き量の大きい方の被写体の動き方向に対応した映像信号が選択回路41において選択される。

図９は，撮像装置の処理手順を示すフローチャートである。

Ｃ−ＭＯＳセンサ40によって被写体が撮像される（ステップ61）。上述のように，動き方向／動き量検出装置42によって，被写体の動き方向が検出される。被写体の動きがあれば（ステップ62でＹＥＳ），動き方向が，水平方向かどうかが確認される（ステップ63）。

動き方向が水平方向であれば（ステップ63でＹＥＳ），偶数行画像（第２の映像信号）が選択回路41によって選択される（ステップ64）。動き方向／動き量検出装置42によって被写体の動き量が算出される（ステップ65）。算出された動き量に応じて偶数行画像が水平方向にリサイズされる（ステップ66）。

動き方向が垂直方向であれば（ステップ63でＮＯ），奇数行画像（第１の映像信号）が選択回路41によって選択される（ステップ64）。動き方向／動き量検出装置42によって被写体の動き量が算出される（ステップ68）。算出された動き量に応じて奇数行画像が垂直方向にリサイズされる（ステップ69）。

リサイズされた偶数行画像または奇数行画像を表す映像信号（画像データ）がメモリ・カードなどの所定の記録媒体に記録される（ステップ70）。

図10から図13は，他の実施例を示している。この実施例は手振れを検出し，その手振れ方向および手振れ量に応じて，画像を補正するものである。

図10は，撮像装置の電気的構成を示すブロック図である。この図において，図７に示すものと同一物については同一符号を付して説明を省略する。

撮像装置には，手振れ検出装置46が設けられている。手振れ検出装置46は，撮像装置の手振れ方向および手振れ量を検出するものである。検出された手振れ方向を表すデータは選択回路41に入力し，手振れ量を表すデータはリサイズ装置43に入力する。

上述した動きのある被写体と同じように，水平方向の手振れの場合には偶数行画像を表す第２の映像信号が選択され，垂直方向の手振れの場合には奇数行画像を表す第１の映像信号が選択される。また，動き量に応じたリサイズによる補正と同様に手振れ量に応じてリサイズによる補正が行われる。

図11は，奇数行画像の一例である。

奇数行画像４Ｃは，水平方向の手振れがあった場合の被写体を表すものである。奇数行画像４Ｃには，水平方向の手振れによりゆがんだ被写体像71が含まれている。

図12は，偶数行画像の一例である。

偶数行画像５Ｃも，水平方向の手振れがあった場合の被写体を表すものである。上述したように，偶数行画像５Ｃは，フォトダイオード３に蓄積された信号電荷を１列ずつ順に列方向に読み出して得られるものであるから，上側の行のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングと下側の行のフォトダイオード２に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングとは同じである。このために，水平方向に手振れがあったとしても被写体像72には，斜めのゆがみが生じない。

しかしながら，水平方向の手振れがあった場合被写体像72は，手振れ方向に応じて伸び縮みしてしまう。この実施例では，伸び縮みした量が手振れ方向および手振れ量に応じて補正される。

図13は，撮像装置の処理手順を示すフローチャートである。この図において，図９に示す処理と同一の処理については同一符号を付して説明を省略する。

上述したのと同様に，被写体が撮像される（ステップ61）。手振れがあると（ステップ73でＹＥＳ），手振れ方向が，水平方向かどうかが判断される（ステップ74）。

手振れ方向が水平方向であると偶数行画像が選択される（ステップ64）。手振れ量が算出され（ステップ75），手振れ量および手振れ方向に応じたリサイズ処理が行われる（ステップ66）。このリサイズ処理は，上述したように，被写体の動き量および動き方向に応じたリサイズ処理と同様である。

手振れ方向が垂直方向であると奇数行画像が選択される（ステップ67）。奇数行画像が選択された場合も，手振れ量が算出され，算出された手振れ量および手振れ方向に応じたリサイズ処理が行われる（ステップ78，69）。

２，３ フォトダイオード（光電変換素子）
40 Ｃ−ＭＯＳセンサ
41 選択回路
42 動き方向／動き量検出装置
43 リサイズ装置
44 読み出し制御装置
Ｒ，Ｇ，Ｂ，ｒ，ｇ，ｂ カラー・フィルタ

Claims (7)

1. 赤色，緑色もしくは青色またはシアン，マゼンタもしくはイエローの光成分を透過する特性を有するカラー・フィルタが受光面上に形成された光電変換素子が奇数行奇数列および偶数行偶数列または奇数行偶数列および偶数行奇数列に配列され，第４ｎ（ｎは０以上の整数）＋１行と第４ｎ＋２行において斜め方向の２つの光電変換素子に形成されているカラー・フィルタの特性と第４ｎ＋３行と第４ｎ＋４行において斜め方向の２つの光電変換素子に形成されているカラー・フィルタの特性とがそれぞれ同じであるＭＯＳセンサ，ならびに
   奇数行の光電変換素子に蓄積された信号電荷を１行ずつまたは１列ずつ順に読み出して第１の映像信号として出力し，偶数行の光電変換素子に蓄積された信号電荷を,奇数行の光電変換素子に蓄積された信号電荷の読み出しと異なるように１列ずつまたは１行ずつ順に読み出して第２の映像信号として出力するように上記ＭＯＳセンサを制御する読み出し制御手段，
   を備えた固体電子撮像装置。
2. 上記ＭＯＳセンサによって撮像される被写体の動き方向が水平方向か垂直方向かを検出する動き方向検出手段，および
   上記動き方向検出手段によって水平方向の動き方向と検出されたことに応じて，上記第１の映像信号または上記第２の映像信号のうち１列ずつ順に読み出された信号電荷にもとづいて得られる映像信号を選択し，上記動き方向検出手段によって垂直方向の動き方向と検出されたことに応じて，上記第１の映像信号または上記第２の映像信号のうち１行ずつ順に読み出された信号電荷にもとづいて得られる映像信号を選択する第１の選択手段，
   をさらに備えた請求項１に記載の固体電子撮像装置。
3. 上記動き方向検出手段によって検出された動き方向の動き量を検出する動き量検出手段，ならびに
   上記動き量検出手段によって検出された動き量および上記動き方向検出手段によって検出された動き方向に応じたリサイズ率で上記第１の選択手段によって選択された映像信号によって表される被写体像をリサイズする第１のリサイズ手段，
   をさらに備えた請求項１または２に記載の固体電子撮像装置。
4. 上記固体電子撮像装置のぶれ方向が水平方向か垂直方向かを検出するぶれ方向検出手段，および
   上記ぶれ方向検出手段によって水平方向のぶれ方向と検出されたことに応じて，上記第１の映像信号または上記第２の映像信号のうち１列ずつ順に読み出された信号電荷にもとづいて得られる映像信号を選択し，上記ぶれ方向検出手段によって垂直方向のぶれ方向と検出されたことに応じて，上記第１の映像信号または上記第２の映像信号のうち１行ずつ順に読み出された信号電荷にもとづいて得られる映像信号を選択する第２の選択手段，
   をさらに備えた請求項１から３のうち，いずれか一項に記載の固体電子撮像装置。
5. 上記ぶれ方向検出手段によって検出されたぶれ方向のぶれ量を検出するぶれ量検出手段，ならびに
   上記ぶれ量検出手段によって検出されたぶれ量および上記ぶれ方向検出手段によって検出されたぶれ方向に応じたリサイズ率で上記第２の選択手段によって選択された映像信号によって表される被写体像をリサイズする第２のリサイズ手段，
   をさらに備えた請求項１から４のうち，いずれか一項に記載の固体電子撮像装置。
6. 上記ＭＯＳセンサがＣ−ＭＯＳセンサである，請求項１から５のうちいずれか一項に記載の固体電子撮像装置。
7. 赤色，緑色もしくは青色またはシアン，マゼンタもしくはイエローの光成分を透過する特性を有するカラー・フィルタが受光面上に形成された光電変換素子が奇数行奇数列および偶数行偶数列または奇数行偶数列および偶数行奇数列に配列されたＭＯＳセンサにおいて，第４ｎ（ｎは０以上の整数）＋１行と第４ｎ＋２行において斜め方向の２つの光電変換素子に形成されているカラー・フィルタの特性と第４ｎ＋３行と第４ｎ＋４行において斜め方向の２つの光電変換素子に形成されているカラー・フィルタの特性とがそれぞれ同じであり，
   読み出し制御手段が，奇数行の光電変換素子に蓄積された信号電荷を１行ずつまたは１列ずつ順に読み出して第１の映像信号として出力し，偶数行の光電変換素子に蓄積された信号電荷を,奇数行の光電変換素子に蓄積された信号電荷の読み出しと異なるように１列ずつまたは１行ずつ順に読み出して第２の映像信号として出力するように上記ＭＯＳセンサを制御する，
   固体電子撮像装置の動作制御方法。

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