JP2011216774A - 半導体用接着フィルム及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体素子と有機基板等の基板段差のある半導体素子搭載用支持部材とを埋め込み性不十分なく低温で接着することができ、耐リフロー性に優れた半導体用接着フィルムを提供すること。
【解決手段】（Ａ）アクリル酸エステル共重合体、（Ｂ）多官能エポキシ化合物、（Ｃ）硬化剤及び（Ｄ）硬化促進剤を含有する樹脂組成物で構成され、室温から１０℃／分で昇温した際の最低溶融粘度が８０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、かつ、該最低溶融粘度が１Ｐａ・ｓ以上、３００Ｐａ・ｓ以下の範囲であり、１７５℃、１時間加熱処理した後の１７５℃での弾性率が１０ＭＰａ以上である、ことを特徴とする半導体用接着フィルム。
【選択図】なし

Description

本発明は、半導体用接着フィルム及び半導体装置に関する。

近年、電子機器の高機能化等に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求がされるようになってきている。このような要求に対応するため、半導体装置の構造として、例えば、半導体素子の上にリードを接着するリード・オン・チップ（ＬＯＣ）構造の半導体装置（以下、「半導体パッケージ」又は「パッケージ」とも称す。）が採用されている。このＬＯＣ構造の半導体パッケージでは、半導体素子とリードフレームとを接合するため、その接合部での接着信頼性が半導体パッケージの信頼性に大きく影響している。

従来は、半導体用接着剤として、ペースト状の接着剤が用いられてきた。ところが、特に近年の半導体パッケージは半導体素子（以下、「チップ」とも称す。）の上にチップを多段で積層することでパッケージの小型化、薄型化、大容量化を実現している。こういったパッケージにおいてペースト状接着剤を用いた場合では、接着剤がチップからはみ出しワイヤーボンド時に不具合が発生したり、接着剤層の厚み制御が難しい等の問題が発生していた。このような問題を解決するためにフィルム状の接着剤が使用されるようになってきた。

こうしたなか、ＬＯＣ構造の半導体パッケージでは、ポリイミド樹脂を用いたホットメルト型の接着フィルムが用いられてきている（例えば、「特許文献１」参照。）。しかし、ホットメルト型の接着フィルムは、高温で接着する必要があるため、高密度化した半導体素子、リードフレームに熱損傷を与える場合があった。

また、半導体装置の高密度化、高集積化を実現するためにリードフレームに代わりビスマレイミド−トリアジン基板やポリイミド基板のような有機基板の使用が増加している。こうした有機基板の表面には、リードフレーム以上に表面の段差があり、この段差を埋める段差埋め込み性がフィルム状の接着剤使用時の課題点となっている。

特に、フラッシュメモリーで用いられるＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）等の半導体パッケージにおいては、多層化が進み、それに伴いフィルム状の接着剤に求められる要求も変化してきている。フィルム状の接着剤を用いた場合の段差埋め込みは、従来モールド材封入時の圧力を利用して行われることが多いが、この場合の接着剤層には、モールド材封入温度でのフロー性が要求される。しかし、チップの多段化が進み、ワイヤーボンド時や接着剤層硬化時の熱履歴が過剰にかかることで接着剤層の硬化が進行してしまい、モールド材封入時において基板段差の埋め込みを行えるだけの充分なフロー性を維持できていないという問題があった。またボイド巻き込み等の不具合が発生することもあった。更にフロー性が満足していても前記熱履歴で一部硬化してしまっているので、密着性が不足したりする問題もあり、硬化性と密着性の両立が課題となっている。

上記のような課題を解決するための別の対応策として、ワイヤーボンド前のダイボンド時に段差埋め込みを行うことも検討されている。ダイボンド時に段差埋め込みを行うためには、ダイボンド時の溶融粘度を下げる必要があり、この場合、その後でワイヤーボンドが打てるようにするためにワイヤーボンド前に接着剤の硬化を進めて粘度を高める必要があるが、この硬化に時間がかかり、生産性が低下する問題があった。

なお、本発明における硬化促進剤として用いられるホスホニウム化合物とシラン化合物
とからなる硬化促進剤は、半導体封止用のモールド材において硬化促進剤として使用されていたものの（特許文献２）、このホスホニウム化合物とシラン化合物とからなる硬化促進剤は、接着剤の硬化促進剤としては使用されていなかった。

特開平６−２６４０３５号公報 特開２００８−０７４９４１号公報

本発明の目的は、半導体素子と有機基板等の基板段差のある半導体素子搭載用支持部材とを埋め込み性不十分なく低温で接着することができ、耐リフロー性に優れた半導体用接着フィルムを提供することである。

本発明の半導体用接着フィルムは、（Ａ）アクリル酸エステル共重合体、（Ｂ）多官能エポキシ化合物、（Ｃ）硬化剤及び（Ｄ）硬化促進剤を含有する樹脂組成物で構成され、室温から１０℃／分で昇温した際の最低溶融粘度が８０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、かつ、該最低溶融粘度が１Ｐａ・ｓ以上、３００Ｐａ・ｓ以下の範囲であり、１７５℃、１時間加熱処理した後の１７５℃での弾性率が１０ＭＰａ以上である、ことを特徴とする。

本発明の半導体用接着フィルムは、前記半導体用接着フィルムを２５℃で１ヶ月保管した後においても、室温から１０℃／分で昇温した際の最低溶融粘度が８０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、かつ、該最低溶融粘度が１Ｐａ・ｓ以上、３００Ｐａ・ｓ以下の範囲であるものとすることができる。

本発明の半導体用接着フィルムは、前記（Ｄ）硬化促進剤がメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド、ジアセトンアルコールからなる群から選ばれる溶剤のいずれかに可溶な硬化促進剤であるものとすることができる。

本発明の半導体用接着フィルムは、前記（Ｄ）硬化促進剤がホスホニウム化合物とシラン化合物とからなる硬化促進剤を含むものとすることができる。

本発明の半導体用接着フィルムは、前記（Ｄ）硬化促進剤が下記一般式（１）で表されるホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物を含むものとすることができる。

（ただし、上記一般式（１）において、Ｐはリン原子を表し、Ｓｉは珪素原子を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪
族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｘ１は、基Ｙ１及びＹ２と結合する有機基である。式中Ｘ２は、基Ｙ３及びＹ４と結合する有機基である。Ｙ１及びＹ２は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ１及びＹ２が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ３及びＹ４はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ３及びＹ４が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ１、及びＸ２は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、及びＹ４は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。）

本発明の半導体用接着フィルムは、前記（Ｃ）硬化剤がフェノール系硬化剤であるものとすることができる。

本発明の半導体用接着フィルムは、前記フェノール系硬化剤が２５℃で液状のフェノール系硬化剤を含むものとすることができる。

本発明の半導体装置は、半導体素子搭載用支持部材上に、上述の半導体用接着フィルムの硬化物からなる接着剤層を介して、半導体素子が搭載されていることを特徴とする。

本発明の半導体装置は、リードフレーム又は有機基板上に、上述の半導体用接着フィルムの硬化物からなる接着剤層を介して、１つの半導体素子又は積層された２以上の半導体素子が搭載されていることを特徴とする。

本発明の半導体装置は、リードフレーム又は有機基板上に搭載された１つの半導体素子上又は積層された２以上の半導体素子上に、上述の半導体用接着フィルムの硬化物からなる接着剤層を介して、さらに半導体素子が搭載されていることを特徴とする。

本発明の半導体装置は、前記接着剤層の厚みが３μｍ以上、２００μｍ以下であるものとすることができる。

本発明によれば、半導体素子と有機基板等の基板段差のある半導体素子搭載用支持部材とを埋め込み性不十分なく低温で接着することができ、耐リフロー性に優れた半導体用接着フィルムを得ることができる。

本発明の半導体用接着フィルムは、（Ａ）アクリル酸エステル共重合体、（Ｂ）多官能エポキシ化合物、（Ｃ）硬化剤及び（Ｄ）硬化促進剤を含有する樹脂組成物で構成され、室温から１０℃／分で昇温した際の最低溶融粘度が８０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、かつ、該最低溶融粘度が１Ｐａ・ｓ以上、３００Ｐａ・ｓ以下の範囲であり、１７５℃、１時間加熱処理した後の１７５℃での弾性率が１０ＭＰａ以上である、ことを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、半導体素子搭載用支持部材上に、上述の半導体用接着フィルムの硬化物からなる接着剤層を介して、半導体素子が搭載されていることを特徴とする。以下、本発明の半導体用接着フィルム、半導体装置について詳細に説明する。

先ず、本発明の半導体用接着フィルムについて説明する。本発明の半導体用接着フィルムは、（Ａ）アクリル酸エステル共重合体、（Ｂ）多官能エポキシ化合物、（Ｃ）硬化剤及び（Ｄ）硬化促進剤を含有する樹脂組成物で構成される。本発明の半導体用接着フィルムを構成する樹脂組成物（以下、「接着フィルム樹脂組成物」とも称す。）に用いられる（Ａ）アクリル酸エステル共重合体とは、アクリル酸、メタクリル酸、これらのエステル、その他の誘導体をモノマーとして用いてなる共重合体のことを意味する。具体的なアク
リル系モノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等が挙げられる。アクリロニトリルのようなアクリル系モノマー以外の他のモノマーと、アクリル系モノマーとの共重合体も、本発明のアクリル酸エステル共重合体に含まれる。（Ａ）アクリル酸エステル共重合体は分子量が高いため、これを用いることで半導体用接着フィルムの膜強度を向上することができる。

また、本発明においては、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基、二トリル基等の官能基を有するアクリル酸エステル共重合体を用いることが好ましい。これにより、半導体素子等の被着体への密着性をより向上させることができる。官能基を有するアクリル酸エステル共重合体として、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、二トリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。

（Ａ）アクリル酸エステル共重合体として、より具体的には、エチルアクリレート、アクリロニトリル、グリシジルメタクリレートの共重合体；エチルアクリレート、ブチルアクリレート、アクリロニトリル、グリシジルメタクリレートの共重合体；エチルアクリレート、ブチルアクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、アクリル酸の共重合体などが挙げられる。これらは、単独で用いても２種以上を併用してもよい。

（Ａ）アクリル酸エステル共重合体にエポキシ基含有モノマーを用いた場合には、当該モノマーの配合量は、（Ａ）アクリル酸エステル共重合体全体の０．１〜３０質量％が好ましく、０．５〜２０質量％が更に好ましい。配合量が上記下限値以上であると密着性を向上する効果があり、上記上限値未満だと、ゲル化を防止できる効果がある。

また、アクリル酸エステル共重合体に水酸基、カルボキシル基含有モノマーを用いると、エポキシ系熱硬化樹脂との相溶性が良いため好ましい。当該モノマーの配合量は、（Ａ）アクリル酸エステル共重合体全体の０．１〜５質量％が好ましく、０．５〜３質量％が更に好ましい。配合量が上記下限値以上であると耐熱性を向上する効果があり、上記上限値未満だと、ゲル化を防止できる効果がある。

（Ａ）アクリル酸エステル共重合体の含有量については、特に限定されないが、接着フィルム樹脂組成物全体に対して３質量％以上、３０質量％以下が好ましく、５質量％以上、２０質量％以下がより好ましい。上記下限値以上であると、フィルムの膜強度を向上させることができる。また、上記上限値以下であると、マウント時の溶融粘度が高くなりすぎず、埋め込み性を確保することができる。

（Ａ）アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は、特に限定されないが、１０万以上が好ましく、特に１５万〜１００万が好ましい。重量平均分子量が上記範囲内であると、特に半導体用接着フィルムの製膜性を向上することができる。

本発明の接着フィルム樹脂組成物に用いられる（Ｂ）多官能エポキシ化合物とは、一分子内にエポキシ基が２個以上あるエポキシ化合物をいい、エポキシ基を含むモノマー、オリゴマー、及びポリマー全般を言う。例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独で用いても２種以上を併用してもよい。

これらの（Ｂ）多官能エポキシ化合物のうちでは、ダイシング性と埋め込み性の観点から、軟化点又は融点が５０〜１５０℃のエポキシ樹脂が好ましい。また、ピックアップ性の観点から、タックを低くできる非結晶性のエポキシ樹脂が好ましい。

本発明の接着フィルム樹脂組成物に用いられる（Ｃ）硬化剤とは、（Ｂ）多官能エポキシ化合物の硬化剤として作用するものである。本発明においては、フェノール系硬化剤が好ましい。具体的には、フェノール類とアルデヒド類又はケトン類との共縮反応物であるノボラック型フェノール樹脂；ビスフェノール類、フェノール類とジメトキシパラキシレン等の共縮反応物であるフェニレン又はジフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂等が含まれ、単核のレゾルシン、カテコール等も硬化反応を生じるならば使用できるが、「フェノール」の定義が一般に芳香環に結合する水素原子が水酸基で置換された化合物であることから、ナフトール等の縮合多環芳香族由来の水酸基含有化合物とカルボニル化合物の共縮反応物なども含まれる。これらは、単独で用いても２種以上を併用してもよい。これらのフェノール樹脂のうちでは、分子内の水酸基が少ないために硬化物の吸水率が小さく、分子が適度の屈曲性を有するために硬化反応における反応性も良く、又、低粘度化も可能であることから、特にフェノールアラルキル樹脂が好ましい。

ピックアップ性を考慮して非結晶性のエポキシ樹脂を用いる場合を含めて、ダイボンド時に有機基盤表面の段差埋め込みを行うという観点では、２５℃で液状のフェノール系硬化剤を含むことが好ましい。２５℃で液状のフェノール系硬化剤としては、例えば、ビス（モノまたはジｔ−ブチルフェノール）プロパン、メチレンビス（２−プロペニル）フェノール、プロピレンビス（２−プロペニル）フェノール、ビス[（２−プロペニルオキシ
）フェニル]メタン、ビス[（２−プロペニルオキシ）フェニル]プロパン、４,４'−（１
−メチルエチリデン）ビス[２−−（２−プロペニル）フェノール]、４,４'−（１−メチルエチリデン）ビス[２−（１−フェニルエチル）フェノール]、４,４'−（１−メチルエチリデン）ビス[２−メチルー６−ヒドロキシメチルフェノール]、４,４'−（１−メチルエチリデン）ビス[２−メチル−６−（２−プロペニル）フェノール]、４,４'−（１−メチルテトラデシリデン）ビスフェノールなどが挙げられる。

（Ｂ）多官能エポキシ化合物と（Ｃ）硬化剤とを合わせた合計の含有量は、特に限定されないが、接着フィルム樹脂組成物全体に対して５０質量％以上、９５質量％以下が好ましく、６０質量％以上、９０質量％以下がより好ましい。上記下限値以上であると、半導体用接着フィルムの耐熱性を向上させることができる。また、上記上限値以下であると、膜強度に必要なアクリル酸エステル共重合体の含有量を確保できるため、半導体用接着フィルムの膜強度を向上させることができる。

また、（Ｃ）硬化剤としてフェノール系硬化剤を用いる場合、（Ｂ）多官能エポキシ化合物と、フェノール系硬化剤との配合比率は、（Ｂ）多官能エポキシ化合物のエポキシ基１モルに対し、フェノール系硬化剤のフェノール性水酸基を０．５〜２モル程度、好ましくは、０．８〜１．２モル程度のモル比となるように調整することにより、硬化性、硬化物の耐熱性、電気特性等がより良好となる。

本発明の接着フィルム樹脂組成物に用いられる（Ｄ）硬化促進剤とは、（Ｂ）多官能エポキシ化合物と（Ｃ）硬化剤との架橋反応を促進する作用を有するほか、ダイボンド時における有機基盤表面の段差埋め込み性と、その後の硬化性とのバランスを制御できるものである。（Ｄ）硬化促進剤の具体例としては、有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物とからなる硬化促進剤などのリン原子含有硬化促進剤；１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、ベンジルジメチルアミン、２−メチルイミダゾールなどの窒素原子含有硬化促進剤が挙げられる。これらは、単独で用いても２
種以上を併用してもよい。

これらのうち、ダイボンド時における有機基盤表面の段差埋め込み性と、その後の硬化性とのバランスの観点からは、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物とからなる硬化促進剤などが好ましい。また、常温での長期保存性の観点からは、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物とからなる硬化促進剤などが好ましい。また、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド、ジアセトンアルコール等の溶剤に対する可溶性の観点からは、イミダゾール化合物、ホスホニウム化合物とシラン化合物とからなる硬化促進剤などが好ましい。これにより、硬化促進剤の凝集を抑制することができ、凝集物に起因する外観不良や、濾過した際の硬化促進剤量の実質的な減少に伴う硬化性の低下等の不具合を生じることがないため、半導体接着フィルムの薄膜化への対応が可能となる。

ホスホニウム化合物とシラン化合物とからなる硬化促進剤としては、例えば下記一般式（１）で表されるホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物などが挙げられる。

（ただし、上記一般式（１）において、Ｐはリン原子を表し、Ｓｉは珪素原子を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｘ１は、基Ｙ１及びＹ２と結合する有機基である。式中Ｘ２は、基Ｙ３及びＹ４と結合する有機基である。Ｙ１及びＹ２は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ１及びＹ２が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ３及びＹ４はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ３及びＹ４が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ１、及びＸ２は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、及びＹ４は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。）

一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基及びシクロヘキシル基などが挙げられ、これらの中でも、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基などの置換基を有する芳香族基もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。

また、一般式（１）において、Ｘ１は、Ｙ１及びＹ２と結合する有機基である。同様に、Ｘ２は、基Ｙ３及びＹ４と結合する有機基である。Ｙ１及びＹ２はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ１及びＹ２が珪素原子と結合してキ
レート構造を形成するものである。同様にＹ３及びＹ４はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ３及びＹ４が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基Ｘ１及びＸ２は互いに同一であっても異なっていてもよく、基Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、及びＹ４は互いに同一であっても異なっていてもよい。このような一般式（１）中の−Ｙ１−Ｘ１−Ｙ２−、及び−Ｙ３−Ｘ２−Ｙ４−で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものであり、プロトン供与体としては、例えば、カテコール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２’−ビフェノール、１，１’−ビ−２−ナフトール、サリチル酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、１，２−シクロヘキサンジオール、１，２−プロパンジオール及びグリセリンなどが挙げられるが、これらの中でも、カテコール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。

また、一般式（１）中のＺ１は、芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基及びオクチル基などの脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基及びビフェニル基などの芳香族炭化水素基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基及びビニル基などの反応性置換基などが挙げられるが、これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基及びビフェニル基が一般式（１）の熱安定性が向上するという点で、より好ましい。

ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物の製造方法としては、メタノールを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシランなどのシラン化合物、２，３−ジヒドロキシナフタレンなどのプロトン供与体を加えて溶かし、次に室温攪拌下ナトリウムメトキシド−メタノール溶液を滴下する。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイドなどのテトラ置換ホスホニウムハライドをメタノールに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出する。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が得られる。しかし、これに限定されるものではない。

（Ｄ）硬化促進剤の含有量は、特に限定されるものではないが、硬化性、保存性、他特性のバランスの観点から、（Ｂ）多官能エポキシ化合物、（Ｃ）硬化剤の合計１００質量部に対して、０．０１質量部以上、１０質量部以下程度であることが好ましく、０．１質量部以上、５質量部以下程度であることがより好ましい。

本発明の接着フィルム樹脂組成物には、必要に応じて（Ｅ）無機充填材を用いることができる。用いることができる（Ｅ）無機充填材としては、特に限定されるものではないが、当該分野で一般的に用いられる無機充填材を使用することができる。例えば、溶融シリカ、球状シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミなどが挙げられる。これらは、単独で用いても２種以上を併用してもよい。また、（Ｅ）無機充填材の粒径は、充填性の観点から、０．０１μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上、１０μｍ以下であることがより好ましい。

（Ｅ）無機充填材の含有量は、特に限定されないが、接着フィルム樹脂組成物全体に対して３質量％以上、８０質量％以下が好ましく、５質量％以上、３０質量％以下がより好ましい。上記下限値以上であると、熱線膨張率を半導体チップや金属又は有機基板に対して最適化することができ、半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、上記上限値以下であると、段差埋め込み性を向上させることができる。

本発明の接着フィルム樹脂組成物には、必要に応じて（Ｆ）カップリング剤を用いることができる。これにより樹脂と被着体と密着性、ならびに、樹脂と無機充填材との密着性を向上させることができる。カップリング剤としては、シラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが、中でもシラン系カップリング剤が好ましい。

（Ｆ）カップリング剤のより具体的な例としては、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。これらは、単独で用いても２種以上を併用してもよい。

（Ｆ）カップリング剤の含有量としては、特に限定されないが、接着フィルム樹脂組成物全体に対して０．１質量％以上、１０質量％以下であることが好ましく、０．３質量％以上、５質量％以下であることがより好ましい。（Ｆ）カップリング剤の含有量が上記下限値以上であると、密着性の向上効果を得ることができる。また、（Ｆ）カップリング剤の含有量が上記上限値以下であると、アウトガスやボイドの発生を抑えることができる。

本発明の接着フィルム樹脂組成物には、さらに、フィルムの可とう性を改善するために熱可塑性樹脂やエラストマー等を適宜配合してもよい。

本発明の半導体用接着フィルムは、上述の接着フィルム樹脂組成物で構成されるものであるが、室温から１０℃／分で昇温した際の最低溶融粘度が８０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、かつ、最低溶融粘度が１Ｐａ・ｓ以上、３００Ｐａ・ｓ以下の範囲であるものが好ましく、最低溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以上、２００Ｐａ・ｓ以下の範囲であることがより好ましい。これにより、リードフレーム又は有機基板上に、半導体用接着フィルムの硬化物からなる接着剤層を介して、半導体素子を搭載（ダイボンド）する際、又は、ワイヤボンディングに先立って行われる加熱処理時に、リードフレーム又は有機基板等の半導体素子搭載用支持部材表面の段差を確実に埋め込むことができる。このため、チップが多段化され、ワイヤーボンド時等に熱履歴が過剰にかかるＭＣＰ等の半導体パッケージにも適用が可能となる。

また、本発明の半導体用接着フィルムは、半導体用接着フィルムを２５℃で１ヶ月保管した後においても、室温から１０℃／分で昇温した際の最低溶融粘度が８０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、かつ、該最低溶融粘度が１Ｐａ・ｓ以上、３００Ｐａ・ｓ以下の範囲であることが好ましく、最低溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以上、２００Ｐａ・ｓ以下の範囲であることがより好ましい。これにより、室温で長期間保管された場合であっても、リードフレーム又は有機基板等の半導体素子搭載用支持部材表面の段差を確実に埋め込むことができる。

また、本発明の半導体用接着フィルムは、１７５℃、１時間加熱処理した後の１７５℃での弾性率が１０ＭＰａ以上であることが好ましく、２０ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。これにより、リードフレーム又は有機基板等の半導体素子搭載用支持部材上に
、半導体用接着フィルムの硬化物からなる接着剤層を介して、半導体素子を搭載（ダイボンド）した後、１７５℃で６０分程度の短時間加熱処理を行うことにより、後工程であるワイヤボンディングを確実に行うことができる。

なお、本発明の半導体用接着フィルムが、２５℃で１ヶ月保管した前後において、上記の最低溶融粘度発現温度、最低溶融粘度を満たし、かつ、加熱処理後の弾性率を満たすものとするためには、半導体用接着フィルムを構成する樹脂組成物の各成分である（Ａ）アクリル酸エステル共重合体、（Ｂ）多官能エポキシ化合物、（Ｃ）硬化剤及び（Ｄ）硬化促進剤の種類及び／又は配合量を適宜調整することにより調整することができる。特に、（Ｃ）硬化剤として２５℃で液状のフェノール系硬化剤を含むフェノール系硬化剤を用いること、（Ｄ）硬化促進剤としてホスホニウム化合物とシラン化合物とからなる硬化促進剤を用いること等により、容易に各パラメータを満たすものとすることができる。

次に、本発明の半導体用接着フィルムの製造方法について説明する。本発明の半導体用接着フィルムの製造方法は、例えば、上述の接着フィルム用樹脂組成物をメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド、ジアセトンアルコール等の溶剤に溶解して、ワニスの状態にした後、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いてキャリアフィルムに塗工し、乾燥させることで得られる。

半導体用接着フィルムの厚さは、特に限定されないが、３μｍ以上、１００μｍ以下が好ましく、５μｍ以上、７０μｍ以下がより好ましい。半導体用接着フィルムの厚さが上記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。また、チップが多段化されたＭＣＰ等の半導体パッケージに用いる場合には、３μｍ以上、４０μｍ以下が好ましく、５μｍ以上、２０μｍ以下がより好ましい。半導体用接着フィルムの厚さが上記範囲内であると、半導体パッケージ全体の厚みを抑えることができる。

次に、本発明の半導体装置の製造方法について説明する。本発明の半導体装置の製造方法は、まず、シリコンウエハーの裏面に本発明の半導体用接着フィルムを温和な条件で貼付した後、半導体用接着フィルム付きシリコンウエハーを、ダイシングフィルムに積層しダイシング装置上に固定し、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、半導体用接着フィルム付きシリコンウエハーを、個片単位に切断して個片ダイとした半導体用接着フィルム付き半導体チップを得る。

また本発明の半導体用接着フィルムはキャリアフィルムに塗工し乾燥した後、ダイシングテープに積層したあとシリコンウエハーを温和な条件で貼り付けし、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、半導体用接着フィルムつきシリコンウエハーを、個片単位に切断して個片ダイとした半導体用接着フィルム付き半導体チップを得ることもできる。

次に、個片ダイとした半導体用接着フィルム付き半導体チップの半導体チップを、半導体用接着フィルムを介して金属製のリードフレーム、又はガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板等の有機基板等の半導体搭載用支持部材上に接合する。

接合の条件としては、半導体チップとリードフレーム又は有機基板等の半導体搭載用支持部材とを半導体用接着フィルムを介して温度８０〜２００℃、時間０．１〜３０秒程度で圧着する。その後、温度８０〜２００℃で、１０〜１２０分間程度、加熱処理する。本発明においては、ワイヤボンディング前の、圧着及び加熱処理により、リードフレーム又は有機基板等の半導体搭載用支持部材表面の段差埋め込みが完了する。さらにその後、ワイヤボンディング、モールド材による封入を経て半導体パッケージを得ることができる。

なお、チップが多段化されたＭＣＰ等の半導体パッケージにおいては、半導体チップとリードフレーム又は有機基板等の半導体搭載用支持部材とを半導体用接着フィルムを介して接合したのち、さらにその上に半導体チップを、半導体用接着フィルムを介して接合を繰り返した後、加熱処理、ワイヤボンディング及びモールド材による封入を行って、半導体パッケージを得ることができる。

次に半導体装置について説明する。得られる半導体装置の形態としては、例えば、デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ（ＰＬＣＣ）、クワッド・フラット・パッケージ（ＱＦＰ）、ロー・プロファイル・クワッド・フラット・パッケージ（ＬＱＦＰ）、スモール・アウトライン・パッケージ（ＳＯＰ）、スモール・アウトライン・Ｊリード・パッケージ（ＳＯＪ）、薄型スモール・アウトライン・パッケージ（ＴＳＯＰ）、薄型クワッド・フラット・パッケージ（ＴＱＦＰ）、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）などが挙げられるが、これらに限定されない。

接合される半導体チップとしては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子などが挙げられるが、これらに限定されない。

以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。まず、半導体用接着剤の実施例および比較例について説明する。

１．半導体用接着フィルム樹脂ワニスの調製および半導体接着フィルムの製造
以下のようにして半導体用接着フィルム樹脂ワニスを調整し、半導体接着フィルムを製造した。

（実施例１）
（接着フィルム樹脂ワニスの調製）
（Ａ）アクリル酸エステル共重合体としてグリシジル基を含むアクリル酸エステル共重合体１（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５０，０００、グリシジル基含有モノマーの配合量：１質量％）１００質量部と、（Ｂ）多官能エポキシ化合物としてビフェニル型エポキシ樹脂（ＹＸ４０００、エポキシ当量１８６ｇ／ｅｑ、融点１０５℃、ＪＥＲ（株）製）３４０質量部と、（Ｃ）硬化剤としてノボラック型フェノール樹脂（ＰＲ−ＨＦ−３、水酸基当量１０５ｇ／ｅｑ、軟化点８０℃、住友ベークライト（株）製）１９０質量部と、（Ｄ）硬化促進剤としてメチルエチルケトン溶剤に可溶な下記式（２）で表される化合物を５質量部と、（Ｆ）カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）２質量部と、をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分４０％の樹脂ワニスを得た。

（半導体用接着フィルムの製造）
コンマコーターを用いて上述の樹脂ワニスを、キャリアフィルムであるポリエチレンテレフタレートフィルム（王子製紙社製、品番ＲＬ−０７、厚さ３８μｍ）に塗布した後、７０℃、１０分間乾燥して、キャリアフィルム付き厚さ２５μｍの半導体用接着フィルムを得た。

（実施例２）
樹脂ワニスを下記のとおりとした他は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを得た。
（Ａ）アクリル酸エステル共重合体としてグリシジル基を含むアクリル酸エステル共重合体１（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５０，０００、グリシジル基含有モノマーの配合量：１質量％）１００質量部と、（Ｂ）多官能エポキシ化合物としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、軟化点８０℃、日本化薬（株）製）３４０質量部と、（Ｃ）硬化剤としてノボラック型フェノール樹脂（ＰＲ−ＨＦ−３、水酸基当量１０５ｇ／ｅｑ、軟化点８０℃、住友ベークライト（株）製）１００質量部と、液状フェノール樹脂（ＭＥＨ−８０００Ｈ、水酸基当量１４１ｇ／ｅｑ、明和化成（株）製）１００質量部と、（Ｄ）硬化促進剤としてメチルエチルケトン溶剤に可溶な上記式（２）で表される化合物を６質量部と、（Ｆ）カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）２質量部と、をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分４０％の樹脂ワニスを得た。

（実施例３）
樹脂ワニスを下記のとおりとした他は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを得た。
（Ａ）アクリル酸エステル共重合体としてグリシジル基を含むアクリル酸エステル共重合体１（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５０，０００、グリシジル基含有モノマーの配合量：１質量％）１００質量部と、（Ｂ）多官能エポキシ化合物としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、軟化点８０℃、日本化薬（株）製）３４０質量部と、（Ｃ）硬化剤としてノボラック型フェノール樹脂（ＰＲ−ＨＦ−３、水酸基当量１０５ｇ／ｅｑ、軟化点８０℃、住友ベークライト（株）製）１００質量部と、液状フェノール樹脂（ＭＥＨ−８０００Ｈ、水酸基当量１４１ｇ／ｅｑ、明和化成（株）製）１００質量部と、（Ｄ）硬化促進剤としてメチルエチルケトン溶剤に可溶なイミダゾール化合物１（ＡＣ４Ｂ５０、ステラケミファ（株）製）６質量部と、（Ｆ）カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）２質量部と、をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分４０％の樹脂ワニスを得た。

（実施例４）
樹脂ワニスを下記のとおりとした他は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを得た。
（Ａ）アクリル酸エステル共重合体としてグリシジル基を含むアクリル酸エステル共重合体１（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５０，０００、グリシジル基含有モノマーの配合量：１質量％）１００質量部と、（Ｂ）多官能エポキシ化合物としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、軟化点８０℃、日本化薬（株）製）３４０質量部と、（Ｃ）硬化剤としてノボラック型フェノール樹脂（ＰＲ−ＨＦ−３、水酸基当量１０５ｇ／ｅｑ、軟化点８０℃、住友ベークライト（株）製）１００質量部と、液状フェノール樹脂（ＭＥＨ−８０００Ｈ、水酸基当量１４１ｇ／ｅｑ、明和化成（株）製）１００質量部と、（Ｄ）硬化促進剤としてメチルエチルケトン溶剤に可溶な上記式（２）で表さ
れる化合物を６質量部と、（Ｅ）無機充填材として球状シリカ（ＳＥ２０５０、粒径範囲０．１〜５μｍ、平均粒径０．５μｍ、（株）アドマテックス製）４０質量部と（Ｆ）カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）３質量部と、をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解・分散して樹脂固形分４０％の樹脂ワニスを得た。

（実施例５）
樹脂ワニスを下記のとおりとした他は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを得た。
（Ａ）アクリル酸エステル共重合体としてカルボキシル基を含むアクリル酸エステル共重合体２（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：８００，０００、カルボキシル基含有モノマーの配合量：２質量％）１００質量部と、（Ｂ）多官能エポキシ化合物としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、軟化点８０℃、日本化薬（株）製）３４０質量部と、（Ｃ）硬化剤としてノボラック型フェノール樹脂（ＰＲ−ＨＦ−３、水酸基当量１０５ｇ／ｅｑ、軟化点８０℃、住友ベークライト（株）製）１００質量部と、液状フェノール樹脂（ＭＥＨ−８０００Ｈ、水酸基当量１４１ｇ／ｅｑ、明和化成（株）製）１００質量部と、（Ｄ）硬化促進剤としてメチルエチルケトン溶剤に可溶な上記式（２）で表される化合物を６質量部と、（Ｅ）無機充填材として球状シリカ（ＳＥ２０５０、粒径範囲０．１〜５μｍ、平均粒径０．５μｍ、（株）アドマテックス製）４０質量部と（Ｆ）カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）３質量部と、をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解・分散して樹脂固形分４０％の樹脂ワニスを得た。

（比較例１）
樹脂ワニスを下記のとおりとした他は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを得た。
（Ａ）アクリル酸エステル共重合体としてグリシジル基を含むアクリル酸エステル共重合体１（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５０，０００、グリシジル基含有モノマーの配合量：１質量％）１００質量部と、（Ｂ）多官能エポキシ化合物としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、軟化点８０℃、日本化薬（株）製）７０質量部と、（Ｃ）硬化剤としてノボラック型フェノール樹脂（ＰＲ−ＨＦ−３、水酸基当量１０５ｇ／ｅｑ、軟化点８０℃、住友ベークライト（株）製）２０質量部と、液状フェノール樹脂（ＭＥＨ−８０００Ｈ、水酸基当量１４１ｇ／ｅｑ、明和化成（株）製）２０質量部と、（Ｄ）硬化促進剤としてメチルエチルケトン溶剤に可溶な上記式（２）で表される化合物を１質量部と、（Ｆ）カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．５質量部と、をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分４０％の樹脂ワニスを得た。

（比較例２）
樹脂ワニスを下記のとおりとした他は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを得た。
（Ａ）アクリル酸エステル共重合体としてグリシジル基を含むアクリル酸エステル共重合体３（ナガセケムテックス（株）製、グリシジルメタクリレート３質量％、エチルアクリレート３７質量％、ブチルアクリレート３５質量％、アクリロニトリル２５質量％からなる共重合体、重量平均分子量：２００，０００）１００質量部と、Ｂ）多官能エポキシ化合物として液状のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＹＤ−８１２５、エポキシ当量１７５ｇ／ｅｑ、東都化成（株）製）１２９質量部と、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＹＤＣＮ−７０３、エポキシ当量２１０ｇ／ｅｑ、軟化点８０℃、東都化成（株）製
）４３質量部と、（Ｃ）硬化剤としてノボラック型フェノール樹脂（ブライオーフェンＬＦ２８８２、水酸基当量１１８ｇ／ｅｑ、軟化点１０５℃、ＤＩＣ（株）製）１１４質量部と、（Ｄ）硬化促進剤としてメチルエチルケトン溶剤に不溶なイミダゾール化合物（２ＰＺ−ＣＮ、四国化成工業（株）製）１質量部と、をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分４０％の樹脂ワニスを得た。

実施例及び比較例で得られた半導体用接着フィルムおよび半導体装置に関して次の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。

（半導体用接着フィルムとしての評価）
１．最低溶融粘度
得られた半導体用接着フィルムについて、ＨＡＡＫＥ製ＲｈｅｏＳｔｒｅｓｓ ＲＳ１５０を用いて、室温から１０℃／分で昇温した際の最低溶融粘度発現温度及び最低溶融粘度を測定した。

２．保存性
得られた半導体用接着フィルムについて、２５℃で１ヶ月保管した後における、上記最低溶融粘度発現温度及び上記最低溶融粘度を、上記最低溶融粘度の測定と同様にして測定した。

３．ダイボンド時の埋め込み性
２５℃での１ヶ月保管を行う前、及び２５℃での１ヶ月保管を行った後のキャリアフィルム付き接着フィルムの接着フィルム側にガラスチップ（チップサイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ）を６０℃で貼り付けした後、キャリアフィルム剥離した接着フィルム付きガラスチップを平均５μｍの凹凸を有するビスマレイミド―トリアジン基板に１３０℃／１ＭＰａ／１ｓでダイボンドし、基板表面の凹凸の埋め込み性を観察した。埋め込み性は元のフィルムの面積のうち埋め込まれている面積の割合を百分率で評価した。
◎：埋め込み性が、９０％以上である
○：埋め込み性が、７０〜９０％未満である
△：埋め込み性が、５０〜７０％未満である
×：埋め込み性が、５０％未満である

４．加熱処理後の弾性率
得られた半導体用接着フィルムについて、１７５℃、１時間加熱処理した後、ティー・エイ・インスツルメント製ＲＳＡ−３を用いて、１７５℃での弾性率を測定した。

（半導体装置の製造）
得られたキャリアフィルム付き接着フィルムの接着フィルム側に５インチ１５０μｍウエハーの裏面を６０℃で貼り付けし、キャリアフィルム及び接着フィルム付きウエハーを得た。その後、キャリアフィルム及び接着フィルム付きウエハーのキャリアフィルム側が接するように、ダイシングフィルムにキャリアフィルム及び接着フィルム付きウエハーを貼り付けた。そして、ダイシングソーを用いて、接着フィルム及び半導体ウエハーをスピンドル回転数４０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで５ｍｍ×５ｍｍ角の半導体素子のサイズにダイシング（切断）して、個片化した。次に、ダイシングシート裏面から突上げしキャリアフィルムと接着フィルムとの層間で剥離し、接着フィルムが接合した半導体素子をビスマレイミド―トリアジン基板に、１３０℃、１ＭＰａ、１．０秒間圧着して、ダイボンディングし、１７５℃１時間で加熱した。その後、モールド樹脂での封止を行い、さらに１７５℃４時間でモールド樹脂を後硬化させて１０個の半導体装置を得た。

（半導体装置としての評価）
５．接着フィルムの初期接着性
上記半導体装置の製造において、接着フィルムが接合した半導体素子をビスマレイミド―トリアジン基板に、１３０℃、１ＭＰａ、１．０秒間圧着して、ダイボンディングし、そのまま（加熱処理前）の状態で半導体素子とビスマレイミド―トリアジン基板との剪断強度を測定し、ｎ＝１０の平均値を求めた。
◎：剪断強度が、１．０ＭＰａ以上である
○：剪断強度が、０．７５以上、かつ１．０ＭＰａ未満である
△：剪断強度が、０．５以上、かつ０．７５ＭＰａ未満である
×：剪断強度が、０．５ＭＰａ未満である

６．吸湿処理後の接着性
上記半導体装置の製造により得られた半導体装置を８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、半導体素子とビスマレイミド―トリアジン基板との剪断強度を測定し、ｎ＝１０の平均値を求めた。
◎：剪断強度が、１．０ＭＰａ以上である
○：剪断強度が、０．７５以上、かつ１．０ＭＰａ未満である
△：剪断強度が、０．５以上、かつ０．７５ＭＰａ未満である
×：剪断強度が、０．５ＭＰａ未満である
７．耐リフロー性
上記半導体装置の製造により得られた半導体装置１０個を、８５℃／６０％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、２６０℃のＩＲリフローを３回行い走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：クラックの発生が、１０個中１個も無し
○：クラックの発生が、１０個中３個以下有り
△：クラックの発生が、１０個中４個以上、９個以下有り
×：クラックの発生が、１０個中１０個有り

表１から明らかなように、実施例１〜５は、最低溶融粘度が低く、保存性も良好であり、その結果、ダイボンド時の埋め込み性が優れる結果となった。また、実施例１〜５は、１７５℃、１時間加熱処理した後の１７５℃での弾性率が充分に高いものであった。また、実施例１〜５は、初期及び吸湿後の接着性、耐リフロー性にも優れていた。

本発明によれば、半導体素子と有機基板等の基板段差のある半導体素子搭載用支持部材とを埋め込み性不十分なく低温で接着することができ、耐リフロー性に優れた半導体用接着フィルムを得ることができるため、高密度化、高集積化対応の半導体装置、とりわけ、チップが多段化されたＭＳＰ等の半導体パッケージに好適に用いることができる。

Claims (11)

1. （Ａ）アクリル酸エステル共重合体、（Ｂ）多官能エポキシ化合物、（Ｃ）硬化剤及び（Ｄ）硬化促進剤を含有する樹脂組成物で構成され、
   室温から１０℃／分で昇温した際の最低溶融粘度が８０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、かつ、該最低溶融粘度が１Ｐａ・ｓ以上、３００Ｐａ・ｓ以下の範囲であり、
   １７５℃、１時間加熱処理した後の１７５℃での弾性率が１０ＭＰａ以上である、
   ことを特徴とする半導体用接着フィルム。
2. 前記半導体用接着フィルムを２５℃で１ヶ月保管した後においても、室温から１０℃／分で昇温した際の最低溶融粘度が８０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、かつ、該最低溶融粘度が１Ｐａ・ｓ以上、３００Ｐａ・ｓ以下の範囲であることを特徴とする請求項１記載の半導体用接着フィルム。
3. 前記（Ｄ）硬化促進剤がメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド、ジアセトンアルコールからなる群から選ばれる溶剤のいずれかに可溶な硬化促進剤であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体用接着フィルム。
4. 前記（Ｄ）硬化促進剤がホスホニウム化合物とシラン化合物とからなる硬化促進剤を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体用接着フィルム。
5. 前記（Ｄ）硬化促進剤が下記一般式（１）で表されるホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物を含むことを特徴とする請求項４記載の半導体用接着フィルム。
   

   

   （ただし、上記一般式（１）において、Ｐはリン原子を表し、Ｓｉは珪素原子を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｘ１は、基Ｙ１及びＹ２と結合する有機基である。式中Ｘ２は、基Ｙ３及びＹ４と結合する有機基である。Ｙ１及びＹ２は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ１及びＹ２が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ３及びＹ４はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ３及びＹ４が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ１、及びＸ２は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、及びＹ４は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。）
6. 前記（Ｃ）硬化剤がフェノール系硬化剤であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の半導体用接着フィルム。
7. 前記フェノール系硬化剤が２５℃で液状のフェノール系硬化剤を含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体用接着フィルム。
8. 半導体素子搭載用支持部材上に、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の半導体用接着フィルムの硬化物からなる接着剤層を介して、半導体素子が搭載されていることを特徴とする半導体装置。
9. リードフレーム又は有機基板上に、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の半導体用接着フィルムの硬化物からなる接着剤層を介して、１つの半導体素子又は積層された２以上の半導体素子が搭載されていることを特徴とする半導体装置。
10. リードフレーム又は有機基板上に搭載された１つの半導体素子上又は積層された２以上の半導体素子上に、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の半導体用接着フィルムの硬化物からなる接着剤層を介して、さらに半導体素子が搭載されていることを特徴とする半導体装置。
11. 前記接着剤層の厚みが３μｍ以上、１００μｍ以下であることを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか１項に記載の半導体装置。