JP2011216704A - Adhesive tape for semiconductor wafer processing - Google Patents

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Akira Akutsu
晃 阿久津
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive tape for semiconductor wafer processing that reduces the occurrence of chipping caused during dicing.SOLUTION: The adhesive tape for semiconductor wafer processing having an adhesive layer formed on a base film is characterized in that the base film has a nonhydrogenated resin layer containing a nonhydrogenated styrene-isoprene-styrene block copolymer or nonhydrogenated styrene-butadiene-styrene block copolymer.

Description

本発明は半導体ウェハ加工用粘着テープに関し、さらに詳しくは、半導体ウェハを小片に切断分離する際に発生するチップの欠けもしくはヒビ(以後、チッピングと記載)を低減することができる半導体ウェハ加工用粘着テープに関する。   The present invention relates to an adhesive tape for processing semiconductor wafers, and more specifically, an adhesive for processing semiconductor wafers that can reduce chipping or cracking (hereinafter referred to as chipping) that occurs when a semiconductor wafer is cut and separated into small pieces. Regarding tape.

IC、LSIなどの半導体装置の製造工程においては、シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウェハを小片に切断分離(ダイシング)する工程の後、ピックアップ工程に供される。一般的な半導体ウェハのダイシング工程及びピックアップ工程について図3に示した断面図を参照しながら説明する。   In a manufacturing process of a semiconductor device such as an IC or LSI, the semiconductor wafer such as silicon or gallium arsenide is cut and separated (diced) into small pieces and then subjected to a pickup process. A general semiconductor wafer dicing step and pick-up step will be described with reference to the cross-sectional view shown in FIG.

まず、両端がホルダー21に固定されている、基材フィルム上に粘着剤を塗布した粘着テープ23に、半導体ウェハ25を貼着し(図3(a))、ダイシングによりウェハを素子小片(チップ)27に分割する(図3(b))。次いで、素子小片27をピックアップするために、粘着テープ23を持ち上げる方向(図中A方向)にエキスパンダー29を突き上げ、ホルダー21の外側に向かう方向(図中B方向)に粘着テープ23をエキスパンドして素子小片27間の間隔を拡張し(図3(c))、真空チャック31により全ての素子小片27のピックアップもしくは一部の素子小片27のピックアップを行う(図3(d))。   First, a semiconductor wafer 25 is attached to an adhesive tape 23 in which both ends are fixed to a holder 21 and an adhesive is applied on a base film (FIG. 3A), and the wafer is divided into small pieces (chips) by dicing. ) 27 (FIG. 3B). Next, in order to pick up the element piece 27, the expander 29 is pushed up in the direction in which the adhesive tape 23 is lifted (A direction in the figure), and the adhesive tape 23 is expanded in the direction toward the outside of the holder 21 (B direction in the figure). The space between the element small pieces 27 is expanded (FIG. 3C), and all of the element small pieces 27 or a part of the element small pieces 27 are picked up by the vacuum chuck 31 (FIG. 3D).

従来、半導体ウェハのダイシング工程からピックアップ工程に至る工程では、基材フィルムに粘着剤を塗布した粘着テープが用いられてきた。このような粘着テープにおいて、エキスパンド性を考慮して、比較的軟質な樹脂からなる基材が用いられており、たとえばポリ塩化ビニルフィルムやポリエチレン系フィルムが用いられることがある。   Conventionally, in a process from a dicing process of a semiconductor wafer to a pickup process, an adhesive tape in which an adhesive is applied to a base film has been used. In such an adhesive tape, in consideration of expandability, a base material made of a relatively soft resin is used. For example, a polyvinyl chloride film or a polyethylene film may be used.

ダイシング時には、チッピングと呼ばれるチップの欠け・ヒビが生じ、大きさは100μm以上となることは珍しくなく、回路面にチッピングが達すると回路そのものの性能に支障を来たすこともある。また、ピックアップ工程の際にチッピングにより生じたチップの破片が他のチップ表面に付着し、回路そのものを破壊することがある。   During dicing, chipping or cracking called chipping occurs, and it is not uncommon for the size to be 100 μm or more. When chipping reaches the circuit surface, the performance of the circuit itself may be hindered. In addition, chip fragments generated by chipping during the pick-up process may adhere to the surface of another chip and destroy the circuit itself.

チッピングはダイシング時のブレードと呼ばれる回転刃により、切削中のチップが振動してしまい、チップとブレードの接触により生じる。従って、粘着テープの代わりにワックスでウェハを完全に固定し、振動が起こらないようにする方法もある(特許文献1を参照)。しかし、製造工程のように繰り返しダイシングを行う場合はワックスによる固定・除去が手間となってしまい、現実的ではない。また、ワックスが完全に除去できない場合はウェハの汚染として残るため、汚染物質を極度に嫌う電子機器においては、適用が難しい。   Chipping is caused by contact between the tip and the blade due to vibration of the tip being cut by a rotary blade called a blade during dicing. Therefore, there is a method in which the wafer is completely fixed with wax instead of the adhesive tape so that vibration does not occur (see Patent Document 1). However, when dicing is repeatedly performed as in the manufacturing process, fixing and removing with wax becomes troublesome, which is not realistic. In addition, when the wax cannot be completely removed, it remains as contamination of the wafer, so that it is difficult to apply to an electronic device that is extremely disliked of the contaminant.

また、半導体ウェハのダイシング工程において、切断の際にチップの欠けが発生しにくいダイシングフィルムを提供するため、スチレン−イソプレン共重合体水素添加物100重量部に対して、スチレン−ブタジエン共重合体水素添加物、ポリプロピレン系樹脂、又はこれらの混合物を5〜100重量部混合した樹脂組成物を含む層を、少なくとも1層有するダイシング用基材フィルムなどが開示されている(特許文献2を参照)。しかし、チップ欠けの防止効果は十分なものではなかった。   Further, in order to provide a dicing film in which chips are not easily chipped during cutting in the dicing process of a semiconductor wafer, the styrene-butadiene copolymer hydrogen is used with respect to 100 parts by weight of the styrene-isoprene copolymer hydrogenated product. A substrate film for dicing having at least one layer containing an additive, a polypropylene resin, or a resin composition obtained by mixing 5 to 100 parts by weight of a mixture thereof is disclosed (see Patent Document 2). However, the chip chip prevention effect was not sufficient.

特開平7−169718号公報JP-A-7-169718 特開2009−004568号公報JP 2009-004568 A

本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決しようとするものであり、ダイシング時に発生するチッピングの発生を低減できる半導体ウェハ加工用粘着テープを提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer that can reduce the occurrence of chipping during dicing.

本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、半導体ウェハ加工用粘着テープに未水添の熱可塑性エラストマー樹脂組成物を含有した基材フィルムを適用することで、上記課題を解決できることを見出した。本発明は上述の知見に基づきなされたものである。   As a result of intensive studies on the above problems, the present inventors have found that the above problems can be solved by applying a base film containing an unhydrogenated thermoplastic elastomer resin composition to an adhesive tape for processing semiconductor wafers. It was. The present invention has been made based on the above findings.

すなわち本発明は、以下の発明を提供するものである。
(1)基材フィルム上に粘着剤層を有してなる半導体ウェハ加工用粘着テープにおいて、前記基材フィルムが、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体未水添物またはスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体未水添物を含有する未水添樹脂層を有することを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープ。
(2)前記基材フィルムは、複数の層が積層してなり、前記複数の層のうち1層が前記未水添樹脂層であることを特徴とする(1)に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
(3)前記基材フィルムは、前記複数の層に、第1の外層と第2の外層とを含み、前記未水添樹脂層が、前記第1の外層と前記第2の外層との間にあることを特徴とする(2)に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
(4)前記未水添樹脂層の厚さが前記基材フィルムの総厚さに対して50%以上であることを特徴とする(2)または(3)に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
(5)前記未水添樹脂層において、前記スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体未水添物または前記スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体未水添物の含有量が、前記未水添樹脂層を構成する樹脂に対して10〜75wt%であることを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
(6)前記複数の層のうち、前記未水添樹脂層でない層のうち少なくとも一層が、スチレン−水添イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−水添ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−水添イソプレン/ブタジエン−スチレンブロック共重合体の群から選ばれる少なくとも1つの共重合体を含有することを特徴とする(2)または(3)に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
(7)前記粘着剤層を形成する粘着剤がアクリル系粘着剤であることを特徴とする(1)〜(6)のいずれかに記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
That is, the present invention provides the following inventions.
(1) In a pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer having an adhesive layer on a base film, the base film is a non-hydrogenated styrene-isoprene-styrene block copolymer or a styrene-butadiene-styrene block. A pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer, comprising an unhydrogenated resin layer containing an unhydrogenated copolymer.
(2) The base film is formed by laminating a plurality of layers, and one of the plurality of layers is the non-hydrogenated resin layer. Adhesive tape.
(3) The base film includes, in the plurality of layers, a first outer layer and a second outer layer, and the unhydrogenated resin layer is between the first outer layer and the second outer layer. (2) The adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to (2).
(4) The pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to (2) or (3), wherein the thickness of the unhydrogenated resin layer is 50% or more with respect to the total thickness of the base film. .
(5) In the unhydrogenated resin layer, the content of the unhydrogenated styrene-isoprene-styrene block copolymer or the unhydrogenated styrene-butadiene-styrene block copolymer The pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to any one of (1) to (4), wherein the pressure-sensitive adhesive tape is 10 to 75 wt% with respect to the resin constituting the layer.
(6) Among the plurality of layers, at least one of the non-hydrogenated resin layers is a styrene-hydrogenated isoprene-styrene block copolymer, a styrene-hydrogenated butadiene-styrene block copolymer, or a styrene- The pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to (2) or (3), comprising at least one copolymer selected from the group of hydrogenated isoprene / butadiene-styrene block copolymers.
(7) The adhesive tape for semiconductor wafer processing according to any one of (1) to (6), wherein the adhesive forming the adhesive layer is an acrylic adhesive.

本発明に係る半導体ウェハ加工用粘着テープにより、ウェハの加工において、チッピングを大幅に減少することが可能である。   With the pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to the present invention, it is possible to greatly reduce chipping in the processing of the wafer.

本発明に係る半導体ウェハ加工用粘着テープ1を示す断面図。Sectional drawing which shows the adhesive tape 1 for semiconductor wafer processing which concerns on this invention. (a)、(b)本発明に係る半導体ウェハ加工用粘着テープ13、17を示す断面図。(A), (b) Sectional drawing which shows the adhesive tapes 13 and 17 for semiconductor wafer processing concerning this invention. (a)〜(d)半導体ウェハのダイシング工程及びピックアップ工程を説明する断面図。(A)-(d) Sectional drawing explaining the dicing process and pick-up process of a semiconductor wafer. 未水添及び水添スチレン系熱可塑性エラストマー樹脂の損失係数を示す図。The figure which shows the loss coefficient of an unhydrogenated and hydrogenated styrene-type thermoplastic elastomer resin.

(半導体ウェハ加工用粘着テープ)
本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープ1は、図1の断面図で示すように、基材フィルム3と基材フィルム3上に形成された粘着剤層5とからなるものである。通常、粘着剤層5の表面は使用されるまで任意の剥離ライナー7が貼付され保護されている。本発明において、粘着テープ1は、粘着シートでもあり、いわゆるダイシングテープを含むものである。本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープ1は、基材フィルム3が、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体未水添物もしくはスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体未水添物を含有する未水添樹脂層を有することを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープである。なお、各図において、同一の符号は同じものを意味し、一部の図面について、その説明を省略している。また、各構成要素の大きさは模式的なもので、実際の縮尺を示すものではない。
(Semiconductor wafer processing adhesive tape)
The adhesive tape 1 for processing a semiconductor wafer according to the present invention comprises a base film 3 and an adhesive layer 5 formed on the base film 3 as shown in the sectional view of FIG. Usually, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 5 is protected by applying an optional release liner 7 until it is used. In this invention, the adhesive tape 1 is also an adhesive sheet and contains what is called a dicing tape. In the pressure-sensitive adhesive tape 1 for processing a semiconductor wafer according to the present invention, the substrate film 3 contains a non-hydrogenated styrene-isoprene-styrene block copolymer or a non-hydrogenated styrene-butadiene-styrene block copolymer. A pressure-sensitive adhesive tape for processing semiconductor wafers, comprising an additive resin layer. In each figure, the same reference sign means the same thing, and explanation of some drawings is omitted. Moreover, the size of each component is schematic and does not indicate the actual scale.

また、基材フィルム3に伸張可能なフィルムを介在させると、例えば基材フィルム3の粘着剤層が設けられない側に伸張可能なフィルムを積層すると、エキスパンドを容易に行えるようになる。このような樹脂としては、具体的には、低密度ポリエチレン(LDPE)、直鎖低密度ポリエチレン(LLDPE)、エチレン・プロピレン共重合体、プロピレン共重合体、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体加硫物、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸メチル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エチル共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、エチレン−塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリウレタン、ポリアミド、アイオノマー、ニトリルゴム、ブチルゴム、スチレンイソプレンゴム、スチレンブタジエンゴム、天然ゴムおよびその水添加物または変性物等からなるフィルムなどが用いられる。また、これら伸張可能なフィルムは、これらの樹脂の2種以上を配合または積層して組み合わせて用いることもできる。   Further, when a stretchable film is interposed in the base film 3, for example, when the stretchable film is laminated on the side where the adhesive layer of the base film 3 is not provided, the expansion can be easily performed. Specific examples of such resins include low density polyethylene (LDPE), linear low density polyethylene (LLDPE), ethylene / propylene copolymer, propylene copolymer, and ethylene-propylene-diene copolymer vulcanization. , Polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid methyl copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ethyl copolymer Polymer, polyvinyl chloride, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, ethylene-vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polyurethane, polyamide, ionomer, nitrile rubber, butyl rubber, styrene isoprene rubber, styrene butadiene rubber, natural rubber and the like Films made of water additives or modified products It is used. These stretchable films can be used by combining or laminating two or more of these resins.

チッピングは、ダイシング加工時のブレードと呼ばれる回転刃により引き起こされるものであるが、その原因について本発明者等が鋭意検討したところ、そのブレードの回転により、切削中のチップが振動してしまい、チップとブレードが接触することにより生じることを見出した。   Chipping is caused by a rotary blade called a blade at the time of dicing, and the inventors of the present invention diligently studied the cause of the chipping, and the chip during cutting vibrates due to the rotation of the blade. And the blade was found to come into contact.

そこで、本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープは、ダイシング加工時に発生するチップの振動を減衰させるため、制振特性を持たせることで、チッピングを防ぐものである。制振特性とは、振動エネルギーを熱エネルギーに変換することで、振動を低減する特性である。制振特性を評価する際の指標として損失係数(Tanδ)があり、この損失係数は動的粘弾性の測定にて算出される。   Therefore, the pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to the present invention prevents chipping by providing a vibration damping characteristic in order to attenuate chip vibration generated during dicing. The vibration damping characteristic is a characteristic that reduces vibration by converting vibration energy into heat energy. There is a loss factor (Tanδ) as an index for evaluating the vibration damping characteristics, and this loss factor is calculated by measuring dynamic viscoelasticity.

ここで一般的な動的粘弾性の測定方法について説明すると、当該方法は、試験体に周期的な微小歪を与え、それに対する応答を測定する方法であり、この方法を用いることにより、試験体における弾性要素と粘性要素の両方の要素をどの程度有するのか知ることができる。試験体が完全な弾性体であれば、それに対する応答は同位相で現れ、貯蔵弾性率と、損失弾性率の比で求められる損失係数は零となる。しかし粘性要素が存在すると、応答に遅れが生じ、損失係数は、正の値をとる。
貯蔵弾性率は弾性要素に起因して現れ、弾性要素は応力印加によって変形した際、それに対する応答を受け、力学的エネルギーが保存される性質を有するのに対し、損失弾性率は粘性要素に起因して現れ、応力印加によって変形した際、印加した応力に応じた力学的エネルギーは熱として消費される性質を有する。
本発明においては、ダイシング加工時に応力はブレードの回転から与えられるが、半導体ウェハ加工用粘着テープの損失係数が特定の値以上であれば、その応力に対する変形の回復に対応するチップの振動を抑制できるため、チッピングを低減することができる。
Here, a general method for measuring dynamic viscoelasticity will be described. This method is a method in which a periodic micro-strain is given to a test specimen and the response to the micro-strain is measured. It is possible to know how much both elastic and viscous elements are included. If the test body is a perfect elastic body, the response to it appears in the same phase, and the loss coefficient determined by the ratio of the storage elastic modulus and the loss elastic modulus becomes zero. However, if there is a viscous element, a delay occurs in the response, and the loss coefficient takes a positive value.
The storage elastic modulus appears due to the elastic element, and when the elastic element is deformed by applying stress, it receives a response to it and has the property of conserving mechanical energy, whereas the loss elastic modulus is attributed to the viscous element When it is deformed by stress application, mechanical energy corresponding to the applied stress has a property of being consumed as heat.
In the present invention, the stress is given from the rotation of the blade during dicing, but if the loss coefficient of the adhesive tape for semiconductor wafer processing is greater than a specific value, the vibration of the chip corresponding to the recovery of deformation against the stress is suppressed. Therefore, chipping can be reduced.

ブレードによるダイシング時には、回転するブレードとウェハとの接触により発熱する。ブレードの回転数は通常、25000〜55000rpmであり、その値を周波数に換算すると400〜900Hzとなる。通常発熱を抑制するために、ダイシング時には15〜25℃の冷却水がその接触部分に流され、導体ウェハ加工用粘着テープはほぼ一定温度(例えば、23℃)で保たれる。温度23℃で周波数400〜900Hzにおける半導体ウェハ加工用粘着テープの損失係数の最小値が0.20以上とすることにより、ダイシング時に発生したチップの振動を減衰させ、チッピングを防ぐことができる。   When dicing with the blade, heat is generated by contact between the rotating blade and the wafer. The rotation speed of the blade is normally 25000-55000 rpm, and when the value is converted into a frequency, it becomes 400-900 Hz. In order to suppress normal heat generation, cooling water of 15 to 25 ° C. is flowed to the contact portion during dicing, and the conductive wafer processing adhesive tape is kept at a substantially constant temperature (for example, 23 ° C.). By setting the minimum loss coefficient of the adhesive tape for semiconductor wafer processing at a temperature of 23 ° C. and a frequency of 400 to 900 Hz to 0.20 or more, chip vibration generated during dicing can be attenuated and chipping can be prevented.

(未水添樹脂層)
本発明に係る半導体ウェハ加工用粘着テープ13、17を示す断面図である図2において、未水添樹脂層11としては、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体未水添物、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体未水添物単独またはスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体未水添物もしくはスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体未水添物と他の樹脂とのブレンドから構成されることが望ましい。
(Unhydrogenated resin layer)
In FIG. 2 which is a cross-sectional view showing pressure-sensitive adhesive tapes 13 and 17 for processing a semiconductor wafer according to the present invention, the unhydrogenated resin layer 11 includes an unhydrogenated styrene-isoprene-styrene block copolymer, styrene-butadiene- It is composed of a non-hydrogenated styrene block copolymer alone or a blend of styrene-isoprene-styrene block copolymer unhydrogenated or styrene-butadiene-styrene block copolymer unhydrogenated with another resin. Is desirable.

これらの未水添物とブレンドする他の樹脂としては、ポリプロピレン、低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、エチレン−αオレフィン共重合体である直鎖状低密度ポリエチレン若しくは超低密度ポリエチレンであってα−オレフィンがプロピレン、ブテン−1、オクテン−1、4メチルペンテン−1、ヘキセン−1、オクテン−1である樹脂、スチレン系共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体(以下、「EVA」という)、エチレン−メチルアクリレート共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−ブチルアクリレート共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体(以下、「EMMA」という)、エチレン−メタクリル酸共重合体(以下、「EMAA」という)、エチレン−エチルメタクリレート共重合体又はこれらの樹脂の混合物が挙げられる。   Other resins blended with these unhydrogenated products include polypropylene, low density polyethylene, medium density polyethylene, linear low density polyethylene which is an ethylene-α olefin copolymer, or ultra low density polyethylene, α- Resins whose olefins are propylene, butene-1, octene-1, 4methylpentene-1, hexene-1 and octene-1, styrene copolymers, ethylene-vinyl acetate copolymers (hereinafter referred to as "EVA") , Ethylene-methyl acrylate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-butyl acrylate copolymer, ethylene-methyl methacrylate copolymer (hereinafter referred to as “EMMA”), ethylene-methacrylic acid copolymer (hereinafter referred to as “EMMA”). , "EMAA"), ethylene-ethyl methacrylate copolymer Body or a mixture of these resins.

本発明においては、基材フィルム3が有する未水添樹脂層11に含有される、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体未水添物もしくはスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体未水添物は、構造中に二重結合を多く含有することに起因してゴム弾性を有するため損失係数が高く、チッピング低減に効果が高い。   In the present invention, the unhydrogenated styrene-isoprene-styrene block copolymer or the unhydrogenated styrene-butadiene-styrene block copolymer contained in the unhydrogenated resin layer 11 of the base film 3 is Since the structure has rubber elasticity due to the inclusion of many double bonds in the structure, it has a high loss factor and is highly effective in reducing chipping.

本発明の未水添樹脂層11で用いられるスチレン系ブロック共重合体(スチレン系熱可塑性エラストマー樹脂)の未水添物は、スチレン単位からなる重合体ブロックとイソプレン単位もしくはブタジエン単位からなる重合体ブロックからなるブロック共重合体であり、イソプレン単位もしくはブタジエン単位に基づく炭素−炭素二重結合が未水添であるものが用いられる。なお、水添とは、不飽和結合を水素により還元反応する水素添加反応(水素化)のことである。   The unhydrogenated styrene block copolymer (styrene thermoplastic elastomer resin) used in the unhydrogenated resin layer 11 of the present invention is a polymer block composed of styrene units and a polymer composed of isoprene units or butadiene units. A block copolymer composed of blocks in which a carbon-carbon double bond based on an isoprene unit or a butadiene unit is not hydrogenated is used. Hydrogenation is a hydrogenation reaction (hydrogenation) in which an unsaturated bond is reduced with hydrogen.

また、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体未水添物、もしくはスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体未水添物中のスチレン単位の含有率は、好ましくは5〜40重量%であり、より好ましくは5〜25重量%である。これは、5重量%未満では、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、もしくはスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体を安定して重合できなくなる場合があり、また40重量%を超えると、硬くて脆くなる場合があるからである。なお、共重合体の剛性を小さくすることで、押出加工性が良好となり、厚さムラを一層低減することができる。   The content of styrene units in the unhydrogenated styrene-isoprene-styrene block copolymer or unhydrogenated styrene-butadiene-styrene block copolymer is preferably 5 to 40% by weight, and more Preferably it is 5 to 25% by weight. If the content is less than 5% by weight, the styrene-isoprene-styrene block copolymer or the styrene-butadiene-styrene block copolymer may not be stably polymerized. This is because it may become brittle. Note that, by reducing the rigidity of the copolymer, the extrusion processability is improved, and the thickness unevenness can be further reduced.

また、本発明におけるスチレン系ブロック共重合体未水添物(スチレン系熱可塑性エラストマー未水添物)を配合する部数は、未水添樹脂層11を構成する樹脂中、10〜75wt%であることが好ましい。本発明におけるスチレン系ブロック共重合体未水添物の含有量が少なすぎると、十分な制振性が得られず、チッピング抑制効果が小さい場合がある。また、スチレン系ブロック共重合体未水添物の含有量が多すぎると、フィルム自体が軟らかくなりすぎ、ハンドリングやカッティング性が悪化する。   Further, the number of parts of the styrene block copolymer unhydrogenated product (styrene-based thermoplastic elastomer unhydrogenated product) in the present invention is 10 to 75 wt% in the resin constituting the unhydrogenated resin layer 11. It is preferable. If the content of the unhydrogenated styrenic block copolymer in the present invention is too small, sufficient vibration damping properties may not be obtained, and the chipping suppression effect may be small. Moreover, when there is too much content of a styrene-type block copolymer unhydrogenated film, the film itself will become too soft and handling and cutting property will deteriorate.

従来のスチレン系熱可塑性エラストマー樹脂の使用例では、スチレン系熱可塑性エラストマー樹脂として水素を添加したものが用いられている。水素を添加する理由は、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体もしくはスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の、イソプレンもしくはブタジエン中の二重結合の存在により起こる大気中の酸素などによる酸化劣化等に起因して、樹脂がもろくなるのを防止させ、耐候性を向上させるためである。   In the conventional use example of the styrene thermoplastic elastomer resin, a styrene thermoplastic elastomer resin to which hydrogen is added is used. The reason for adding hydrogen is due to oxidative degradation of styrene-isoprene-styrene block copolymer or styrene-butadiene-styrene block copolymer due to oxygen in the atmosphere caused by the presence of double bonds in isoprene or butadiene. This is for preventing the resin from becoming brittle and improving the weather resistance.

水素添加を行うことで前記スチレン系熱可塑性エラストマー樹脂組成物の耐候性は改善されるが、構造中の二重結合が還元されることでゴム弾性が低下し、未水添のスチレン系熱可塑性エラストマー樹脂組成物と比較して、損失係数のピーク温度が低下する。そのため、スチレン系熱可塑性エラストマー水添物は、半導体ウェハ加工用粘着テープを使用する23℃付近の領域での環境下におけるチッピング性能の改善には効果が薄い。   Although the weather resistance of the styrene-based thermoplastic elastomer resin composition is improved by hydrogenation, the rubber elasticity is reduced by reducing double bonds in the structure, and unhydrogenated styrene-based thermoplastics. Compared to the elastomer resin composition, the peak temperature of the loss coefficient is lowered. Therefore, the styrene-based thermoplastic elastomer hydrogenated product is less effective in improving the chipping performance under the environment in the region near 23 ° C. using the semiconductor wafer processing adhesive tape.

また、粘着テープ1は、図2(a)に示す粘着テープ13のように、基材フィルム3を未水添樹脂層11と外層15を用いて構成し、未水添樹脂層11の上に粘着剤層5を設けてもよいし、図2(b)に示す粘着テープ17のように、未水添樹脂層11を第1の外層15a及び第2の外層15bで挟んで基材フィルム3を構成してもよい。   Moreover, the adhesive tape 1 comprises the base film 3 using the unhydrogenated resin layer 11 and the outer layer 15 like the adhesive tape 13 shown in FIG. The pressure-sensitive adhesive layer 5 may be provided, or the base film 3 with the unhydrogenated resin layer 11 sandwiched between the first outer layer 15a and the second outer layer 15b as in the pressure-sensitive adhesive tape 17 shown in FIG. May be configured.

特に、図2(b)に示すように、半導体ウェハ加工用粘着テープ17において、基材フィルム3を少なくとも未水添樹脂層11とその両面の第1の外層15aと第2の外層15bの3層以上の樹脂層で構成することで、外層15の樹脂層により、未水添樹脂層11の未水添のスチレン系熱可塑性エラストマー樹脂が大気中の酸素と暴露する部分を保護し、二重結合の存在により起こる酸化劣化等に起因してもろくなるのを防止し、耐候性に優れ、且つチッピング性能に優れた半導体ウェハ加工用粘着テープを提供することができる。   In particular, as shown in FIG. 2B, in the adhesive tape 17 for processing a semiconductor wafer, the base film 3 is composed of at least the unhydrogenated resin layer 11 and the first outer layer 15a and the second outer layer 15b on both sides thereof. By constituting the resin layer of at least one layer, the resin layer of the outer layer 15 protects the portion of the unhydrogenated resin layer 11 where the unhydrogenated styrenic thermoplastic elastomer resin is exposed to oxygen in the atmosphere. It is possible to provide a pressure-sensitive adhesive tape for processing semiconductor wafers which prevents brittleness due to oxidative deterioration caused by the presence of bonds, has excellent weather resistance, and has excellent chipping performance.

(外層)
外層15の構成樹脂は、例えばスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体未水添物もしくはスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体未水添物と相溶性のある樹脂で、ゴム弾性を有する熱可塑性樹脂からなることが好ましい。このような熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリプロピレン、低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、エチレン−αオレフィン共重合体である直鎖状低密度ポリエチレン若しくは超低密度ポリエチレンであってα−オレフィンがプロピレン、ブテン−1、オクテン−1、4メチルペンテン−1、ヘキセン−1、オクテン−1である樹脂、スチレン系共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)、エチレン−メチルアクリレート共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−ブチルアクリレート共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体(EMMA)、エチレン−メタクリル酸共重合体(EMAA)、エチレン−エチルメタクリレート共重合体又はこれらの樹脂の混合物であってもよい。特に好ましくは、スチレン系共重合体として、スチレン−水添イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−水添ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−水添イソプレン/ブタジエン−スチレンブロック共重合体またはこれらの共重合体の混合物、さらには、これらの共重合体と上述の熱可塑性樹脂の混合物である。これらの共重合体を、上述の熱可塑性樹脂と混合する場合は、これらの共重合体の含有量が、外層15を構成する樹脂に対して10〜75wt%であることが好ましい。これらの共重合体を適用することで、未水添樹脂層の未水添熱可塑性エラストマー樹脂層との相溶性に優れ、未水添樹脂層が大気中の酸素により劣化することを防ぎ、ひいてはチッピング性能に優れた半導体ウェハ加工用粘着テープを提供することができる。
(Outer layer)
The constituent resin of the outer layer 15 is, for example, a resin compatible with an unhydrogenated styrene-isoprene-styrene block copolymer or an unhydrogenated styrene-butadiene-styrene block copolymer, and a thermoplastic resin having rubber elasticity. Preferably it consists of. As such a thermoplastic resin, for example, polypropylene, low density polyethylene, medium density polyethylene, linear low density polyethylene which is an ethylene-α olefin copolymer or ultra low density polyethylene, and α-olefin is propylene, Butene-1, octene-1, 4methylpentene-1, hexene-1, octene-1 resin, styrene copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ethylene-methyl acrylate copolymer, Of ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-butyl acrylate copolymer, ethylene-methyl methacrylate copolymer (EMMA), ethylene-methacrylic acid copolymer (EMAA), ethylene-ethyl methacrylate copolymer, or these resins It may be a mixture. Particularly preferably, as the styrene-based copolymer, a styrene-hydrogenated isoprene-styrene block copolymer, a styrene-hydrogenated butadiene-styrene block copolymer, a styrene-hydrogenated isoprene / butadiene-styrene block copolymer, or these And a copolymer of these copolymers and the above-mentioned thermoplastic resin. When these copolymers are mixed with the above-described thermoplastic resin, the content of these copolymers is preferably 10 to 75 wt% with respect to the resin constituting the outer layer 15. By applying these copolymers, the unhydrogenated resin layer is excellent in compatibility with the unhydrogenated thermoplastic elastomer resin layer, and the unhydrogenated resin layer is prevented from being deteriorated by oxygen in the atmosphere. An adhesive tape for processing a semiconductor wafer excellent in chipping performance can be provided.

未水添樹脂層11の厚さは、基材フィルム3全体の厚さに対して50%以上であり、好ましくは70%以上である。このような層厚とすることにより、刃先がテープ内に食い込み易くなるため、非常に容易にカットできるようになる。カットし易くなることにより、カットミスが減り歩留まりが向上するに加え、ライン速度をアップでき生産性を大幅に改善できる。未水添樹脂層11の厚さが、基材フィルム3全体の厚さに対して50%未満の場合、刃先がテープ内に食い込みにくくなるため、カットミスが発生する。半導体製造ラインにおいては、ウェハへのテープ貼合、テープカット、ダイシングなどの各工程への移行の大部分が全自動で行われており、カットミスが発生すると工程がストップすることとなり,生産歩留まりが悪化する。なお、未水添樹脂層11の厚さは、好ましくは30〜100μmであり、より好ましくは45〜90μmであり、さらに好ましくは50〜80μmである。   The thickness of the unhydrogenated resin layer 11 is 50% or more, preferably 70% or more with respect to the thickness of the entire base film 3. By setting it as such layer thickness, since a blade edge | tip becomes easy to bite in in a tape, it comes to be able to cut very easily. By making it easy to cut, in addition to reducing cut mistakes and improving yield, the line speed can be increased and productivity can be greatly improved. When the thickness of the unhydrogenated resin layer 11 is less than 50% with respect to the entire thickness of the base film 3, the cutting edge is difficult to bite into the tape, so that a cut mistake occurs. In the semiconductor production line, most of the transition to each process such as tape bonding, tape cutting, dicing, etc. is performed fully automatically. If a cut error occurs, the process is stopped and the production yield is increased. Gets worse. In addition, the thickness of the unhydrogenated resin layer 11 is preferably 30 to 100 μm, more preferably 45 to 90 μm, and still more preferably 50 to 80 μm.

さらに、基材フィルムを構成する層のうち、粘着剤層5と接する面には、密着性を向上するために、コロナ処理を施したりプライマー等の他の層を設けたりしてもよい。また、基材フィルム3の厚さは特に制限されないが、好ましくは30〜200μm、特に好ましくは50〜100μmである。   Further, among the layers constituting the base film, the surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layer 5 may be subjected to corona treatment or other layers such as a primer in order to improve adhesion. The thickness of the base film 3 is not particularly limited, but is preferably 30 to 200 μm, particularly preferably 50 to 100 μm.

(粘着剤層)
粘着剤層5は、従来公知の種々の粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系等をベースポリマーとした粘着剤が用いられる。粘着剤層5の厚さは、好ましくは5〜20μmであり、より好ましくは8〜12μmである。
(Adhesive layer)
The pressure-sensitive adhesive layer 5 can be formed of various conventionally known pressure-sensitive adhesives. Such an adhesive is not limited at all, but for example, an adhesive having a base polymer such as rubber, acrylic, silicone or polyvinyl ether is used. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 5 is preferably 5 to 20 μm, more preferably 8 to 12 μm.

これらのベースポリマーに凝集力を付加するために架橋剤を配合することができる。架橋剤としては、ベースポリマーに対応して、例えばイソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン樹脂などが挙げられる。さらに粘着剤には、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、各種添加成分を含有させることができる。   In order to add cohesion to these base polymers, a crosslinking agent can be blended. Examples of the crosslinking agent include an isocyanate-based crosslinking agent, an epoxy-based crosslinking agent, a metal chelate-based crosslinking agent, an aziridine-based crosslinking agent, and an amine resin corresponding to the base polymer. Further, the pressure-sensitive adhesive can contain various additive components as desired within the range in which the object of the present invention is not impaired.

また、放射線硬化型や加熱発泡型の粘着剤も用いることができる。放射線硬化型の粘着剤としては、紫外線、電子線等で硬化し、剥離時には剥離しやすくなる粘着剤を使用することができ、加熱発泡型の粘着剤としては、加熱により発泡剤や膨張剤により剥離しやすくなる粘着剤を使用することができる。さらに、粘着剤としてはダイシング・ダイボンディング兼用可能な接着剤であってもよい。放射線硬化型粘着剤としては、たとえば、特公平1−56112号公報、特開平7−135189号公報等に記載のものが好ましく使用されるがこれらに限定されることはない。本発明においては、紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。その場合には、放射線により硬化し三次元網状化する性質を有すればよく、例えば通常のゴム系あるいはアクリル系の感圧性ベース樹脂(ポリマー)に対して、分子中に少なくとも2個の光重合性炭素−炭素二重結合を有する低分子量化合物(以下、光重合性化合物という)および光重合開始剤が配合されてなるものが使用される。   A radiation-curing type or heat-foaming type pressure-sensitive adhesive can also be used. As the radiation curable adhesive, an adhesive that is cured by ultraviolet rays, electron beams, etc., and can be easily peeled off at the time of peeling can be used. An adhesive that easily peels can be used. Further, the adhesive may be an adhesive that can be used for dicing and die bonding. As the radiation curable pressure-sensitive adhesive, for example, those described in JP-B-1-56112 and JP-A-7-135189 are preferably used, but are not limited thereto. In the present invention, it is preferable to use an ultraviolet curable adhesive. In that case, it is only necessary to have a property of being cured by radiation to form a three-dimensional network. For example, at least two photopolymerizations in a molecule relative to a normal rubber-based or acrylic pressure-sensitive base resin (polymer). A compound comprising a low molecular weight compound having a reactive carbon-carbon double bond (hereinafter referred to as a photopolymerizable compound) and a photopolymerization initiator is used.

上記のゴム系あるいはアクリル系のベース樹脂は、天然ゴム、各種の合成ゴムなどのゴム系ポリマー、あるいはポリ(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸アルキルエステルとこれと共重合可能な他の不飽和単量体との共重合物などのアクリル系ポリマーが使用される。   The above rubber-based or acrylic base resins are natural rubber, rubber polymers such as various synthetic rubbers, or poly (meth) acrylic acid alkyl esters, (meth) acrylic acid alkyl esters, (meth) acrylic acid alkyl esters. And an acrylic polymer such as a copolymer of the above and other unsaturated monomer copolymerizable therewith.

また上記の粘着剤中に、イソシアネート系硬化剤を混合することにより、初期の接着力を任意の値に設定することができる。このような硬化剤としては、具体的には多価イソシアネート化合物、たとえば2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、1,3−キシリレンジイソシアネート、1,4−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−2,4’−ジイソシアネート、3−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−4,4’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−2,4’−ジイソシアネート、リジンイソシアネートなどが用いられる。
紫外線硬化型粘着剤の場合には、粘着剤中に光重合開始剤を混入することにより、紫外線照射による重合硬化時間ならびに紫外線照射量を少なくなることができる。
Moreover, an initial stage adhesive force can be set to arbitrary values by mixing an isocyanate type hardening | curing agent in said adhesive. Specific examples of such a curing agent include polyvalent isocyanate compounds such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane. -4,4'-diisocyanate, diphenylmethane-2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, Lysine isocyanate and the like are used.
In the case of an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive, by mixing a photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive, it is possible to reduce the polymerization curing time and the amount of ultraviolet irradiation by ultraviolet irradiation.

このような光重合開始剤としては、具体的には、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが挙げられる。   Specific examples of such a photopolymerization initiator include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β-chloranthraquinone and the like can be mentioned.

(剥離ライナー)
本発明の半導体ウェハ加工用テープは通常、粘着剤層に剥離ライナー7が積層されたものとして供給され、使用時には剥離ライナー7を剥がして使用する。剥離ライナー7としては、紙にシリコーンオイル若しくはワックスを含浸させたもの、又は離型プラスチックフィルムなどが好適に用いられる。また、この剥離ライナー7の厚さは、ロール巻きに支障のない厚さであればよく、例えば5〜300μm程度であり、好ましくは20〜50μmである。
(Release liner)
The tape for processing a semiconductor wafer of the present invention is usually supplied as a release liner 7 laminated on an adhesive layer, and the release liner 7 is peeled off before use. As the release liner 7, paper impregnated with silicone oil or wax, or a release plastic film is preferably used. Moreover, the thickness of this release liner 7 should just be thickness which does not have trouble in roll winding, for example, is about 5-300 micrometers, Preferably it is 20-50 micrometers.

本発明によれば、半導体ウェハ加工用粘着テープの基材フィルムに、23℃の領域付近で損失係数に優れた未水添の熱可塑性エラストマー樹脂を適用することで、チッピング性能に優れた半導体ウェハ加工用粘着テープを提供することができる。   According to the present invention, an unhydrogenated thermoplastic elastomer resin having an excellent loss factor in the vicinity of a region of 23 ° C. is applied to a base film of an adhesive tape for processing a semiconductor wafer, thereby providing a semiconductor wafer having excellent chipping performance. An adhesive tape for processing can be provided.

また、本発明によれば、未水添樹脂を含む未水添樹脂層を、未水添樹脂を含まない第1の外層と第2の外層により挟み込むことにより、大気中の酸素による未水素添加スチレン系熱可塑性エラストマー樹脂の二重結合の反応を抑制し、耐候性に優れた半導体ウェハ加工用粘着テープを提供することができる。   Further, according to the present invention, an unhydrogenated resin layer containing an unhydrogenated resin is sandwiched between a first outer layer and a second outer layer that do not contain an unhydrogenated resin, whereby unhydrogenated by oxygen in the atmosphere. It is possible to provide a pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer that suppresses a double bond reaction of a styrene-based thermoplastic elastomer resin and has excellent weather resistance.

以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例で各特性は次のように試験し、評価した。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further in detail based on an Example, this invention is not limited to these Examples. In the following examples, each characteristic was tested and evaluated as follows.

(未水添樹脂・水添樹脂の損失係数の測定)
下記の未水添樹脂と水添樹脂を用いて、基材を構成する樹脂の損失係数を測定した。
未水添樹脂:スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体未水添物;株式会社クラレ製 ハイブラー5125
水添樹脂:スチレン−水添イソプレン−スチレンブロック共重合体;株式会社クラレ製 ハイブラー7125
(Measurement of loss factor of unhydrogenated resin / hydrogenated resin)
Using the following unhydrogenated resin and hydrogenated resin, the loss factor of the resin constituting the substrate was measured.
Unhydrogenated resin: styrene-isoprene-styrene block copolymer unhydrogenated product; Kuraray Co., Ltd. Highbler 5125
Hydrogenated resin: styrene-hydrogenated isoprene-styrene block copolymer; Hibler 7125 manufactured by Kuraray Co., Ltd.

これらの樹脂を、熱プレスにより、シート状に成形後、レオバイブロン動的粘弾性測定装置DDV−III(AND社製)を用い、昇温速度3℃/min、周波数110Hz時の−100℃〜50℃での温度分散時の損失係数を測定した。
上記樹脂のシート形状での損失係数測定の結果を図4に示す。
These resins are molded into a sheet shape by hot pressing, and then a rheovibron dynamic viscoelasticity measuring device DDV-III (manufactured by AND) is used, and the temperature rising rate is 3 ° C./min, and the frequency is −100 ° C. to 50 ° C. The loss coefficient at the time of temperature dispersion at ° C was measured.
The result of the loss factor measurement in the sheet form of the resin is shown in FIG.

図4に示すように、未水添スチレン系熱可塑性エラストマー樹脂の損失係数は、水添スチレン系熱可塑性エラストマー樹脂に比べ高温側の15〜30℃付近で高い値を示す結果となる。特に、半導体ウェハ加工用粘着テープを使用する23℃付近の領域の環境下において未水添スチレン系熱可塑性エラストマー樹脂は水添スチレン系熱可塑性エラストマー樹脂に比べ優れた損失係数を示す。そのため、半導体ウェハ加工用粘着テープを作成するうえで、未水添のスチレン系熱可塑性エラストマー樹脂を用いることができれば、チッピング性に優れる性能を有することができる。   As shown in FIG. 4, the loss factor of the unhydrogenated styrene thermoplastic elastomer resin is higher than that of the hydrogenated styrene thermoplastic elastomer resin at a temperature around 15 to 30 ° C. In particular, unhydrogenated styrene-based thermoplastic elastomer resin exhibits an excellent loss factor as compared with hydrogenated styrene-based thermoplastic elastomer resin in an environment in the vicinity of 23 ° C. using an adhesive tape for processing semiconductor wafers. For this reason, if an unhydrogenated styrene-based thermoplastic elastomer resin can be used in producing an adhesive tape for processing semiconductor wafers, it can have excellent chipping performance.

(半導体ウェハ加工用粘着テープの作製と評価)
下記の要領で作成した実施例及び比較例の半導体ウェハ加工用粘着テープを用いてチッピング性、損失係数、エキスパンド性、カッティング性、耐候性の各評価を行った。
(Production and evaluation of adhesive tape for semiconductor wafer processing)
Each evaluation of a chipping property, a loss factor, an expandability, cutting property, and a weather resistance was performed using the adhesive tape for semiconductor wafer processing of the Example and comparative example created in the following way.

なお、本実施例・比較例においては、図2(b)のように、中間層(実施例の場合は未水添樹脂層)を、第1の外層と第2の外層で挟み、第2の外層の上に粘着剤層を形成している。   In this example / comparative example, as shown in FIG. 2B, the intermediate layer (non-hydrogenated resin layer in the example) is sandwiched between the first outer layer and the second outer layer, and the second layer An adhesive layer is formed on the outer layer.

半導体ウェハ加工用粘着テープは表1に示したような各層構成の基材フィルムを、押し出し機を用いて樹脂単体またはニーダー練りブレンド組成物(共)押出加工により作成した。得られた基材フィルムの厚みはすべて100μmである。得られた基材フィルムの粘着剤塗布側にコロナ処理をして、乾燥後の粘着剤層の厚さが10μmとなるように粘着剤を塗工し、半導体ウェハ加工用粘着テープを作成した。この粘着テープの各評価を評価方法に従って試験した。その結果を表1に示す。なお、表1内の括弧内の数字は樹脂の配合割合のwt%を意味し、PP(50)+SIS(50)とは、PPとSISをそれぞれ50wt%の割合で混合したことを意味する。   The adhesive tape for processing a semiconductor wafer was prepared by extruding a base material film having each layer structure as shown in Table 1 with a resin alone or a kneader kneaded blend composition (co) using an extruder. The thickness of the obtained base film is all 100 μm. The obtained base film was subjected to corona treatment on the pressure-sensitive adhesive application side, and the pressure-sensitive adhesive was applied so that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer after drying was 10 μm, thereby preparing a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor wafer processing. Each evaluation of this adhesive tape was tested according to the evaluation method. The results are shown in Table 1. In addition, the number in the parenthesis in Table 1 means wt% of the blending ratio of the resin, and PP (50) + SIS (50) means that PP and SIS are mixed at a ratio of 50 wt%.

この実施例および比較例で用いた基材構成樹脂、粘着剤は以下のとおりである。
(基材構成樹脂)
SIS:スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体未水添物;
株式会社クラレ製 ハイブラー5125
SEPS:スチレン−水添イソプレン−スチレンブロック共重合体;
株式会社クラレ製 ハイブラー7125
SBS:スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体未水添物;
クレイトンポリマージャパン株式会社製 クレイトンD
SEBS:スチレン−水添ブタジエン−スチレンブロック共重合体;
クレイトンポリマージャパン株式会社製 クレイトンG
PP:ホモポリプロピレン;宇部興産社製 J−105G
PE:低密度ポリエチレン;東ソー製 ペトロセン205
EVA:エチレン-酢酸ビニル共重合体;宇部興産社製 V212
EMAA:エチレン-メタアクリル酸エチル共重合体;三井デュポンポリケミカル社製 ニュクレルN1214
The base material constituting resin and the pressure-sensitive adhesive used in this example and comparative example are as follows.
(Substrate constituent resin)
SIS: unhydrogenated styrene-isoprene-styrene block copolymer;
Kuraray Co., Ltd. Highblur 5125
SEPS: styrene-hydrogenated isoprene-styrene block copolymer;
Made by Kuraray Co., Ltd.
SBS: styrene-butadiene-styrene block copolymer unhydrogenated product;
Clayton D made by Kraton Polymer Japan Co., Ltd.
SEBS: styrene-hydrogenated butadiene-styrene block copolymer;
Clayton G made by Kraton Polymer Japan Co., Ltd.
PP: Homo polypropylene; J-105G manufactured by Ube Industries
PE: Low-density polyethylene; Tosoh Petrocene 205
EVA: ethylene-vinyl acetate copolymer; manufactured by Ube Industries, Ltd. V212
EMAA: Ethylene-ethyl methacrylate copolymer; Nukurel N1214 manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd.

(粘着剤)
アクリル系ベースポリマー(2−エチルヘキシルアクリレート、メチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレートからなる共重合体、重量平均分子量20万、ガラス転移点=−35℃)100質量部にポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン社製、商品名コロネートL)3質量部、光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物としてテトラメチロールメタンテトラアクリレート10質量部、光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン1質量部を添加し、混合して得た。
(Adhesive)
Polyisocyanate compound (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) in 100 parts by mass of acrylic base polymer (copolymer comprising 2-ethylhexyl acrylate, methyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, weight average molecular weight 200,000, glass transition point = −35 ° C.) , Trade name Coronate L) 3 parts by mass, 10 parts by mass of tetramethylolmethane tetraacrylate as a compound having a photopolymerizable carbon-carbon double bond, 1 part by mass of α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone as a photopolymerization initiator, Obtained by mixing.

(耐候性試験)
実施例及び比較例の半導体加工用粘着テープから、幅25mm×長さ100mmの試験片を切り出し、23℃、湿度50%の一定環境下の暗所に放置し、一定期間後目視観察を行い、下記の基準で評価した。
◎:3ヶ月経過後も黄変なし
○:1〜3ヶ月以内に黄変あり
×:1ヶ月以内に黄変あり
(Weather resistance test)
A test piece having a width of 25 mm and a length of 100 mm was cut out from the adhesive tape for semiconductor processing of the examples and comparative examples, left in a dark environment at a constant environment of 23 ° C. and a humidity of 50%, and visually observed after a certain period of time. Evaluation was made according to the following criteria.
◎: No yellowing after 3 months ○: Yellowing within 1-3 months ×: Yellowing within 1 month

(カッティング性試験)
テープを円形にカットする際、使い古しの刃先の丸くなったロータリーカッターを用い、滑らかにカットできるかを測定した。
◎:全周にわたり、完全にカットできた
○:2/3以上カットできた
△:1/3以上が未カット部分であった
×:カットできなかった
(Cutting test)
When cutting the tape into a circle, a rotary cutter with a rounded edge was used to measure whether the tape could be cut smoothly.
◎: Completely cut over the entire circumference ○: 2/3 or more could be cut Δ: 1/3 or more was an uncut portion ×: Could not be cut

(エキスパンド性試験)
実施例及び比較例の半導体加工用粘着テープに6インチウェハをマウントし、ダイシングを行った(チップサイズは5mm角)。紫外線照射(500mJ/m)後、テープをダイボンダー(NECマシナリー製、CPS−100FM、商品名)で固定リングを10mm引き下げてチップ間幅を測定した。
◎:300um〜
○:100〜300um
△:50〜100um
×:50um以下
(Expandability test)
A 6-inch wafer was mounted on the semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tapes of Examples and Comparative Examples, and dicing was performed (chip size is 5 mm square). After UV irradiation (500 mJ / m 2 ), the width of the chip was measured by pulling down the fixing ring by 10 mm with a die bonder (manufactured by NEC Machinery, CPS-100FM, trade name).
: 300um ~
○: 100 to 300 um
Δ: 50 to 100 um
×: 50 um or less

(テープの損失係数測定)
実施例および比較例の半導体ウェハ加工用粘着テープから、幅5mm×長さ10mmの試験片を切り出した。その試験片を動的粘弾性測定装置(ユービーエム社製、Rheogel−E4000)の支持用治具に固定し、温度23℃、周波数400〜900Hzで測定し、その範囲内での損失係数の最小値を得た。
(Measurement of loss factor of tape)
A test piece having a width of 5 mm and a length of 10 mm was cut out from the adhesive tape for processing a semiconductor wafer in Examples and Comparative Examples. The test piece is fixed to a supporting jig of a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (Rheogel-E4000, manufactured by UBM), measured at a temperature of 23 ° C. and a frequency of 400 to 900 Hz, and the loss coefficient within the range is minimized. Got the value.

(チッピング性評価)
実施例及び比較例の半導体ウェハ加工用粘着テープに、直径6インチ、厚さ350μmの表面金蒸着ウェハを貼合し、ダイシング装置(DISCO社製、DAD−340)を使用してチップサイズが5mm角となるようにダイシングを行った。ダイシング条件は、回転丸刃回転数:40000rpm、切削速度:100mm/s、切削水流量は20mLである。また、ダイシングの際、回転丸刃が粘着テープに切り込む深さは30μmとなるように行った。
ダイシング後、UV照射を実施し(500mJ/m)、1枚のウェハからランダムに50チップ取り出し、チップ裏面(粘着面)の各辺における最大のチッピング値を顕微鏡(100〜200倍)で測定し、全値の平均を算出した。
(Chipability evaluation)
A surface gold vapor-deposited wafer having a diameter of 6 inches and a thickness of 350 μm is bonded to the adhesive tape for processing semiconductor wafers in Examples and Comparative Examples, and a chip size is 5 mm using a dicing apparatus (manufactured by DISCO, DAD-340). Dicing was performed so as to form corners. The dicing conditions are: a rotating round blade rotation speed: 40000 rpm, a cutting speed: 100 mm / s, and a cutting water flow rate of 20 mL. Moreover, the depth which a rotary round blade cuts into an adhesive tape in the case of dicing was performed so that it might be set to 30 micrometers.
After dicing, UV irradiation is performed (500 mJ / m 2 ), 50 chips are randomly taken out from one wafer, and the maximum chipping value on each side of the chip back surface (adhesive surface) is measured with a microscope (100 to 200 times). The average of all values was calculated.

(総合評価)
耐候性、カッティング性、エキスパンド性、損失係数およびチッピング性を考慮して総合評価とした。
◎:良好
○:合格
△:製品として使えるレベル
×:不合格
(Comprehensive evaluation)
A comprehensive evaluation was made in consideration of weather resistance, cutting properties, expandability, loss factor and chipping properties.
◎: Good ○: Pass △: Level that can be used as a product ×: Fail

Figure 2011216704
Figure 2011216704

いずれの実施例からも明らかなように、基材フィルムの中間層に損失係数の優れる未水添のスチレン系熱可塑性エラストマー樹脂であるSISまたはSBSを含有させることで、比較例に対して良好なチッピング性能を示し、耐候性、カッティング性、エキスパンド性、チッピング性能というダイシングテープとして有効な半導体ウェハ加工用粘着テープを得ることができた。   As is clear from any of the examples, the inclusion of SIS or SBS, which is an unhydrogenated styrenic thermoplastic elastomer resin having an excellent loss factor, in the intermediate layer of the base film is superior to the comparative example. An adhesive tape for processing semiconductor wafers that exhibits chipping performance and is effective as a dicing tape with weatherability, cutting performance, expandability, and chipping performance could be obtained.

また、比較例4、実施例4、実施例3を比べると、未水添樹脂層の厚さが、基材フィルムの総厚さに対して50%以上であることが好ましいことが分かる。
また、比較例5、実施例5、実施例2、実施例3、実施例6、比較例6を比べると、SISまたはSBSの含有量が、未水添樹脂層を構成する樹脂に対して、10〜75wt%であることが好ましいことが分かる。
Further, when Comparative Example 4, Example 4, and Example 3 are compared, it can be seen that the thickness of the unhydrogenated resin layer is preferably 50% or more with respect to the total thickness of the base film.
Further, when Comparative Example 5, Example 5, Example 2, Example 3, Example 6, and Comparative Example 6 are compared, the content of SIS or SBS is relative to the resin constituting the unhydrogenated resin layer. It turns out that it is preferable that it is 10-75 wt%.

1………半導体ウェハ加工用粘着テープ
3………基材フィルム
5………粘着剤層
7………剥離ライナー
11………未水添樹脂層
13………半導体ウェハ加工用粘着テープ
15………外層
17………半導体ウェハ加工用粘着テープ
21………ホルダー
23………粘着テープ
25………半導体ウェハ
27………素子小片(半導体チップ)
29………エキスパンダー
31………真空チャック
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ......... Adhesive tape for semiconductor wafer processing 3 ......... Base film 5 ......... Adhesive layer 7 ......... Release liner 11 ......... Unhydrogenated resin layer 13 ......... Adhesive tape for semiconductor wafer processing 15 ……… Outer layer 17 ……… Semiconductor wafer processing adhesive tape 21 ……… Holder 23 ……… Adhesive tape 25 ……… Semiconductor wafer 27 ……… Element chip (semiconductor chip)
29 ……… Expander 31 ……… Vacuum chuck

Claims (7)

基材フィルム上に粘着剤層を有してなる半導体ウェハ加工用粘着テープにおいて、前記基材フィルムが、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体未水添物またはスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体未水添物を含有する未水添樹脂層を有することを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープ。   In a pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer having a pressure-sensitive adhesive layer on a base film, the base film is a non-hydrogenated styrene-isoprene-styrene block copolymer or a styrene-butadiene-styrene block copolymer. A pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer, comprising an unhydrogenated resin layer containing an unhydrogenated product. 前記基材フィルムは、複数の層が積層してなり、
前記複数の層のうち1層が前記未水添樹脂層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
The base film is formed by laminating a plurality of layers,
The pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to claim 1, wherein one of the plurality of layers is the non-hydrogenated resin layer.
前記基材フィルムは、前記複数の層に、第1の外層と第2の外層とを含み、
前記未水添樹脂層が、前記第1の外層と前記第2の外層との間にあることを特徴とする請求項2に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
The base film includes a first outer layer and a second outer layer in the plurality of layers,
The pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to claim 2, wherein the non-hydrogenated resin layer is located between the first outer layer and the second outer layer.
前記未水添樹脂層の厚さが前記基材フィルムの総厚さに対して50%以上であることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。   The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor wafer processing according to claim 2 or 3, wherein the thickness of the unhydrogenated resin layer is 50% or more with respect to the total thickness of the base film. 前記未水添樹脂層において、前記スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体未水添物または前記スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体未水添物の含有量が、前記未水添樹脂層を構成する樹脂に対して10〜75wt%であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。   In the unhydrogenated resin layer, the content of the unhydrogenated styrene-isoprene-styrene block copolymer or the unhydrogenated styrene-butadiene-styrene block copolymer constitutes the unhydrogenated resin layer. The pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive tape is 10 to 75 wt% with respect to the resin to be processed. 前記複数の層のうち、前記未水添樹脂層でない層のうち少なくとも一層が、スチレン−水添イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−水添ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−水添イソプレン/ブタジエン−スチレンブロック共重合体の群から選ばれる少なくとも1つの共重合体を含有することを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。   Among the plurality of layers, at least one of the non-hydrogenated resin layers is a styrene-hydrogenated isoprene-styrene block copolymer, a styrene-hydrogenated butadiene-styrene block copolymer, or a styrene-hydrogenated isoprene. 4. The pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to claim 2 or 3, comprising at least one copolymer selected from the group of / butadiene-styrene block copolymers. 前記粘着剤層を形成する粘着剤がアクリル系粘着剤であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。   The pressure-sensitive adhesive tape for forming a semiconductor wafer according to any one of claims 1 to 6, wherein the pressure-sensitive adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer is an acrylic pressure-sensitive adhesive.
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