JP2011216659A - R−Fe−B系永久磁石 - Google Patents

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Abstract

【課題】高保磁力を有する安価なR−Fe−B系永久磁石を提供する。
【解決手段】粉砕されたR−Fe−B系磁石の微粉末に対して、Si−(OR)(式中、Rは炭素数2〜6のアルキル基のいずれかであり、直鎖でも分枝でも良い。xは任意の整数である。)で示される有機金属化合物が添加された有機金属化合物溶液を加え、磁石粒子表面に対して均一に有機金属化合物を付着させる。その後、圧粉成形した成形体を水素雰囲気において200℃〜900℃で数時間保持することにより水素中仮焼処理を行う。その後、800℃〜1180℃で焼成を行うことによって、R(Fe,(Co),Si)14B主相とR−Fe(Co)−Si粒界相を含み、Bリッチ相を含まない組織構成とする永久磁石1を製造する。
【選択図】図3

Description

本発明は、添加元素としてSiを含んだR−Fe−B系永久磁石に関する。
従来のR−Fe−B系永久磁石、例えば特許第1431617号公報、特許第1655487号公報に記載されているR−Fe−B系永久磁石は、高い磁気特性を有するために様々な分野で用いられるようになってきた。Rとしては、NdやPr元素が中心に用いられているが、そのままでは温度特性に難があるため、Rの一部をDyやTbで置換することにより室温の保磁力を大きくする方法が採られている(特許第1802487号公報等)。
R−Fe−B系永久磁石は、RFe14Bの硬磁性相を主相とし、この主相結晶粒のまわりを粒界部が取り囲んだ組織を有している。粒界部はRリッチ相(80〜98原子%のRを含む相)、R1+εFe(R=Ndの場合、ε=0.1)もしくはRFeなる組成で表されるいわゆるBリッチ相からなり、この他製造工程上避けることのできない酸化物相、炭化物相などが含まれている。
また、各種元素の添加により、更にRM、RM、R(Mは添加元素)などの化合物相が形成されることも知られている。
Nd磁石への添加元素としてよく用いられるものの一つにSiが挙げられる(特許第2138001号公報、特許第1683213号公報、特許第1737613号公報、特許第2610798号公報、特開昭60−159152号公報、特開昭60−106108号公報等)。この場合、添加の目的は主に、温度特性や耐酸化性の改善におかれている。
しかし、従来、Nd磁石へのSi添加は、微量添加の場合は上記の改善程度があまり大きくなく、逆に1%以上の添加ではBrやiHcなどの磁気特性が低下してしまうことが知られていた。
特許第1431617号公報 特許第1655487号公報 特許第1683213号公報 特許第1737613号公報 特許第1802487号公報 特許第2138001号公報 特許第2610798号公報 特開昭60−106108号公報 特開昭60−159152号公報
保磁力を高くするために重希土類元素を用いた場合、DyやTb等の重希土類元素は、軽希土類元素に比べて地殻中の含有率が低く、Ndに比べて原料単価が非常に高い。Dy,Tbの添加量とともに保磁力は大きくなるが、同時に原料コストも増大することになる。また、今後磁石市場が更に拡大すれば、Dy,Tb等を高濃度に含んだ磁石は供給不足に陥る可能性があり、問題とされている。
従って、別の面から高保磁力化の方法としてDyやTb以外の添加物も検討されている。しかし、保磁力増大効果の報告がされているV,Mo,Ga等はいずれもレアメタルに属し、Dyを代替するメリットが少ないのが現状である。また、今後、高温使用に対応したR−Fe−B系磁石が大きな市場を獲得するためには、Dy添加量を極力抑制した上で、保磁力を増大させる新しい方法又は磁石組成の開発が必要である。
本発明は、上記事情を改善するもので、高保磁力を有する安価なR−Fe−B系永久磁石を提供することを目的とする。
前記目的を達成するため本願の請求項1に係るR−Fe−B系永久磁石は、原子百分率で12%〜17%のR(RはYを含む希土類元素のうち少なくとも2種以上で、かつNd及びPrを必須とする)、0.1%〜3.0%のSi、5.0%〜5.9%のB、10%以下のCo及び残部Fe(但し、Feは3原子%以下の置換量でAl,Ti,V,Cr,Mn,Ni,Cu,Zn,Ga,Ge,Zr,Nb,Mo,In,Sn,Sb,Hf,Ta,W,Pt,Au,Hg,Pb,Biから選ばれる1種以上の元素で置換されていてもよい)の組成を有し、R(Fe,(Co),Si)14B金属間化合物を主相とする、少なくとも10kOe以上の保磁力を有するR−Fe−B系永久磁石において、Bリッチ相を含まず、かつ原子百分率で25%〜35%のR、2%〜8%のSi、8%以下のCo、残部FeからなるR−Fe(Co)−Si粒界相を体積率で少なくとも磁石全体の1%以上有し、磁石原料を磁石粉末に粉砕する工程と、前記粉砕された磁石粉末に以下の構造式Si−(OR)(式中、Rは炭素数2〜6のアルキル基のいずれかであり、直鎖でも分枝でも良い。xは任意の整数である。)で表わされる有機金属化合物を添加することにより、前記磁石粉末の粒子表面に前記有機金属化合物を付着させる工程と、前記有機金属化合物が粒子表面に付着された前記磁石粉末を成形することにより成形体を形成する工程と、前記成形体を焼結する工程と、により製造されることを特徴とする。
また、請求項2に係るR−Fe−B系永久磁石は、請求項1に記載のR−Fe−B系永久磁石において、Rリッチ相を含み、R−Fe(Co)−Si粒界相の体積率がRリッチ相の体積率よりも大きいことを特徴とする。
また、請求項3に係るR−Fe−B系永久磁石は、請求項1又は請求項2に記載のR−Fe−B系永久磁石において、磁石組織中にR−Si化合物相を含まないことを特徴とする。
更に、請求項4に係るR−Fe−B系永久磁石は、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のR−Fe−B系永久磁石において、Rの一部としてDy及び/又はTbを含み、磁石におけるDy及びTbを合わせた濃度(原子百分率)をDとしたとき、磁石の保磁力iHcが少なくとも(10+5×D)kOe以上であることを特徴とする。
前記構成を有する請求項1に記載のR−Fe−B系永久磁石によれば、R−Fe−B系永久磁石の組織構成を、R(Fe,(Co),Si)14B主相とR−Fe(Co)−Si粒界相を含み、Bリッチ相を含まない組織構成とすることによって、10kOe以上の保磁力を有する磁石を得ることができると共に、重希土類元素の含有量を従来の磁石よりも減らすことができる。
また、Siを含む有機金属化合物を磁石粉末に添加することにより、有機金属化合物に含まれるSiを焼結前に予め磁石の粒界に対して偏在配置することが可能となる。従って、R−Fe(Co)−Si粒界相を均一に分散することが可能となる。
また、請求項2に記載のR−Fe−B系永久磁石によれば、R−Fe(Co)−Si粒界相の体積率がRリッチ相の体積率よりも大きいので、保磁力の向上を図ることが可能となる。
また、請求項3に記載のR−Fe−B系永久磁石によれば、磁石組織中にR−Si化合物相を含まないので、保磁力が低下することが無い。
更に、請求項4に記載のR−Fe−B系永久磁石によれば、Rの一部としてDy及び/又はTbを含み、磁石におけるDy及びTbを合わせた濃度(原子百分率)をDとしたとき、磁石の保磁力iHcが少なくとも(10+5×D)kOe以上であるので、従来のR−Fe−B系磁石と比べて同量のDy,Tb添加で大幅に保磁力を向上させることが可能となる。
本発明に係る永久磁石を示した全体図である。 本発明に係る永久磁石の粒界付近を拡大して示した模式図である。 本発明に係る永久磁石の第1の製造方法における製造工程を示した説明図である。 本発明に係る永久磁石の第2の製造方法における製造工程を示した説明図である。
以下、本発明に係る永久磁石及び永久磁石の製造方法について具体化した実施形態について以下に図面を参照しつつ詳細に説明する。
[永久磁石の構成]
先ず、本発明に係る永久磁石1の構成について説明する。図1は本発明に係る永久磁石1を示した全体図である。尚、図1に示す永久磁石1は円柱形状を備えるが、永久磁石1の形状は成形に用いるキャビティの形状によって変化する。
本発明に係る永久磁石1としてはR−Fe−B系磁石を用いる。まず、永久磁石1の磁石組成について説明すると、原子百分率で12〜17%のR、0.1〜3%のSi、5〜5.9%のB、10%以下のCo及び残部Feからなる組成を有する。
ここで、RはYを含む希土類元素のうち少なくとも2種以上を含有し、かつNd及びPrを必須とする。Ndのみの場合は、Prを含む場合に比べ減磁曲線の角形性が劣り、保磁力も十分でない。一方、Prのみでは、工程中の酸化・発熱などが生じ、取扱いが難しいという問題があり、またPr量が多い場合は高温時の保磁力低下が大きいという問題もある。実用的には、Ndを主体とし、PrはRの半分以下が好ましい。また、さらなる高保磁力を目的として、Rの一部としてDy又はTbなどの元素を含ませることが好ましい。
この場合、Rは原子百分率で12%未満では、磁石の保磁力が極端に低下し、17%を超えると残留磁束密度Brが低下する。Siが0.1%未満では、R−Fe(Co)−Si粒界相存在比が少ないためにiHcが十分でなく、3%を超えるとR−Si化合物相が残ったままであったり、主相に含まれるSi量が増加したりして磁気特性が低下する。この点からSi量は特に0.2〜2.0%、更に好ましくは0.2〜1.0%であることが望ましい。更に、本発明では、後述のようにSiを粉砕対象とする磁石原料に予め含めるのではなく、Si−(OR)(式中、Rは炭素数2〜6のアルキル基のいずれかであり、直鎖でも分枝でも良い。xは任意の整数である。)で表わされるSiを含む有機金属化合物(例えば、ケイ素エトキシド、ケイ素イソポロポキシド)を有機溶媒に添加し、湿式状態で磁石粉末に混合することにより、Siを磁石粉末に対して添加する。
また、B量は5.9%を超えるとR−Fe(Co)−Si粒界相が形成されず、5%未満では主相の体積率が減少して磁気特性が低下する。特にBの5.9%という上限値は重要な要素である。Bがこれより多い場合は、先にも述べたように、R−Fe(Co)−Si粒界相が形成されず、具体的には、主相であるR(Fe,(Co),Si)14B相(組成を原子百分率に直すとRが11.76原子%、(Fe,(Co),Si)が82.35原子%、Bが5.88原子%となる)以外にBを高濃度に含有した何らかの相が存在することを意味し、多くの場合には、R1+εFe(R=Ndの場合、ε=0.1)やRFeなる組成で表されるBリッチ相が形成される。本発明者らが検討した結果では、このBリッチ相が組織内に存在するときにはR−Fe(Co)−Si粒界相が形成されず、本発明の目的とする磁石とならない。このためBは5〜5.9原子%とし、更に5.1〜5.8原子%、特に5.2〜5.7原子%であることが一層好ましい。
組成の残部はFeからなるが、一部を製造上不可避の混入物あるいは磁気特性向上のための添加物としてAl,Ti,V,Cr,Mn,Ni,Cu,Zn,Ga,Ge,Zr,Nb,Mo,In,Sn,Sb,Hf,Ta,W,Pt,Au,Hg,Pb,Biなどの元素で置換してもよい。この時の置換量は、磁気特性が低下しないように全て合わせて3原子%以下が望ましい。
更に、キュリー温度及び耐食性の向上を目的として、Feの10原子%以下をCoで置換してもよいが、10原子%を超えるCo置換は、iHcの大幅な低下を招くので好ましくない。
また、本発明の磁石は、酸素含有量が少ないほうが望ましいが、製造工程上、混入が不可避であり、1重量%程度まで許容するものとする。実際には、5000ppm以下が好ましい。その他、不純物としては、H,C,N,F,Mg,P,S,Cl,Ca等の元素を1000ppm以下含むことを許容するが、これら元素も少ないほうがより好ましい。
また、本発明に係る永久磁石1は、図2に示すように、永久磁石1は磁化作用に寄与する磁性相であるR(Fe,(Co),Si)14B相(主相)11と、R−Fe(Co)−Si粒界相12とが共存する合金である。図2は永久磁石1を構成する主相11及びR−Fe(Co)−Si粒界相12を拡大して示した図である。
尚、R−Fe(Co)−Si粒界相12は、体積率で1%以上存在するものとする。1%未満の時は、R−Fe(Co)−Si粒界相12の及ぼす効果が磁気特性に反映されず、十分に高いiHcが得られないためである。このR−Fe(Co)−Si粒界相12は、より好ましくは体積率で1〜20%、更に好ましくは1〜10%であることが望ましい。
このR−Fe(Co)−Si粒界相12は、I4/mcmなる結晶構造をもつ金属間化合物相であると考えられるが、EPMAなどの分析手法を用いて定量分析すると、測定誤差を含めて25〜35原子%R、2〜8原子%Si、0〜8原子%Co、残部Feなる範囲にある。このとき主相のSi濃度はR−Fe(Co)−Si粒界相12のSiの濃度より低く、0.01〜1.5原子%の範囲にあることが望ましい。
なお、磁石組成としてCoを含まない場合もあるが、このとき当然ながら、主相11及びR−Fe(Co)−Si粒界相12にはCoが含まれないものとする。
更に、本発明において、Bリッチ相は含まれないが、Rリッチ相、酸化物相、炭化物相などの相や空孔部など、更にCoを含む場合はRCo相などがR−Fe(Co)−Si粒界相12と同時に存在しうる。但し、保磁力の向上を効果的に行うには、R−Fe(Co)−Si粒界相12の体積率がRリッチ相の体積率より高いことが好ましい。また、酸化物相、炭化物相や空孔部は、組織中にできるだけ少ない方が望ましい。
Ti,V,Zr,Nb,Mo,Hf,Ta,WなどのIVa〜VIa族元素を添加した場合は、これらの元素がBを含んだ化合物相を形成する傾向を示すが、例えばTiB相、ZrB相、NbFeB相やVFeB相、MoFeB相などのように、R元素が構成元素にない場合は、これらの相が組織内に形成されても問題ない。但し、これらの相の存在比は、Brの大幅な低下を避けるために3体積%以下が好ましい。
以上の組織構成を有した本発明の磁石は、磁気特性として少なくとも10kOe以上の保磁力を有するものである。Brも10kG以上、好ましい場合には12kG以上の特性を有するとよい。Rの一部としてDy,Tbを含有する場合は、更に大きなiHcが得られ、磁石におけるDy及びTbを合わせた濃度(原子百分率)をDとしたとき、iHcは(10+5×D)kOe以上となる。これは従来のR−Fe−B系磁石と比べて同量のDy,Tb添加で大幅にiHcが増加している。
ここで、本発明ではSiの添加は、Siを粉砕対象とする磁石原料に予め含めるのではなく、後述のように粉砕された磁石粉末を成形する前にSiを含む有機金属化合物が添加されることにより行われる。具体的には、Siを含む有機金属化合物が添加されることによって、湿式分散により磁石粒子の粒子表面に該有機金属化合物中のSiが均一付着される。その状態で磁石粉末を焼結することによって、磁石粒子の粒子表面に均一付着された該有機金属化合物中のSiによりR−Fe(Co)−Si粒界相12が形成される。
また、本発明では、特に後述のようにSi−(OR)(式中、Rは炭素数2〜6のアルキル基のいずれかであり、直鎖でも分枝でも良い。xは任意の整数である。)で表わされるSiを含む有機金属化合物(例えば、ケイ素エトキシド、ケイ素イソポロポキシド)を有機溶媒に添加し、湿式状態で磁石粉末に混合する。それにより、Siを含む有機金属化合物を有機溶媒中で分散させ、磁石粒子の粒子表面にSiを含む有機金属化合物を効率よく付着することが可能となる。
ここで、上記Si−(OR)(式中、Rは炭素数2〜6のアルキル基のいずれかであり、直鎖でも分枝でも良い。xは任意の整数である。)の構造式を満たす有機金属化合物として金属アルコキシドがある。金属アルコキシドは、一般式M−(OR)(M:金属元素、R:有機基、n:金属又は半金属の価数)で表される。また、金属アルコキシドを形成する金属又は半金属としては、W、Mo、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Ir、Fe、Co、Ni、Si、Cu、Zn、Cd、Al、Ga、In、Ge、Sb、Y、lanthanideなどが挙げられる。但し、本発明では特に、Siを用いる。
また、アルコキシドの種類は特に限定されることなく、例えば、メトキシド、エトキシド、プロポキシド、イソプロポキシド、ブトキシド、炭素数4以上のアルコキシド等が挙げられる。但し、本発明では後述のように低温分解で残炭を抑制する目的から、低分子量のものを用いる。また、炭素数1のメトキシドについては分解し易く、取扱いが困難であるので、特に炭素数が2〜6のアルコキシドであるエトキシド、メトキシド、イソプロポキシド、プロポキシド、ブトキシドなどを用いることが好ましい。
[永久磁石の製造方法1]
次に、本発明に係る永久磁石1の第1の製造方法について図3を用いて説明する。図3は本発明に係る永久磁石1の第1の製造方法における製造工程を示した説明図である。
先ず、上述した組成割合を満たす分率のR−Fe(Co)−B(例えば、原子百分率でNd:15.6%、Fe:75.2wt%、Co:3.7%、B:5.5%)からなる、インゴットを製造する。また、保磁力向上のためにDyやTbを少量含めても良い。その後、インゴットをスタンプミルやクラッシャー等によって200μm程度の大きさに粗粉砕する。若しくは、インゴットを溶解し、ストリップキャスト法でフレークを作製し、水素解砕法で粗粉化する。
次いで、粗粉砕した磁石粉末を、(a)酸素含有量が実質的に0%の窒素ガス、Arガス、Heガスなど不活性ガスからなる雰囲気中、又は(b)酸素含有量が0.0001〜0.5%の窒素ガス、Arガス、Heガスなど不活性ガスからなる雰囲気中で、ジェットミル41により微粉砕し、所定サイズ以下(例えば0.1μm〜5.0μm)の平均粒径を有する微粉末とする。尚、酸素濃度が実質的に0%とは、酸素濃度が完全に0%である場合に限定されず、微粉の表面にごく僅かに酸化被膜を形成する程度の量の酸素を含有しても良いことを意味する。
一方で、ジェットミル41で微粉砕された微粉末に添加する有機金属化合物溶液を作製する。ここで、有機金属化合物溶液には予めSiを含む有機金属化合物を添加し、溶解させる。尚、溶解させる有機金属化合物としては、Si−(OR)(式中、Rは炭素数2〜6のアルキル基のいずれかであり、直鎖でも分枝でも良い。xは任意の整数である。)に該当する有機金属化合物(例えば、例えば、ケイ素エトキシド、ケイ素イソポロポキシド)を用いる。また、溶解させるSiを含む有機金属化合物の量は特に制限されないが、上述したように焼結後の磁石に対するSiの含有量が原子百分率で0.2〜2.0%、更に好ましくは0.2〜1.0%となる量とするのが好ましい。
続いて、ジェットミル41にて分級された微粉末に対して上記有機金属化合物溶液を添加する。それによって、磁石原料の微粉末と有機金属化合物溶液とが混合されたスラリー42を生成する。尚、有機金属化合物溶液の添加は、窒素ガス、Arガス、Heガスなど不活性ガスからなる雰囲気で行う。
その後、生成したスラリー42を成形前に真空乾燥などで事前に乾燥させ、乾燥した磁石粉末43を取り出す。その後、乾燥した磁石粉末を成形装置50により所定形状に圧粉成形する。尚、圧粉成形には、上記の乾燥した微粉末をキャビティに充填する乾式法と、溶媒などでスラリー状にしてからキャビティに充填する湿式法があるが、本発明では乾式法を用いる場合を例示する。また、有機金属化合物溶液は成形後の焼成段階で揮発させることも可能である。
図3に示すように、成形装置50は、円筒状のモールド51と、モールド51に対して上下方向に摺動する下パンチ52と、同じくモールド51に対して上下方向に摺動する上パンチ53とを有し、これらに囲まれた空間がキャビティ54を構成する。
また、成形装置50には一対の磁界発生コイル55、56がキャビティ54の上下位置に配置されており、磁力線をキャビティ54に充填された磁石粉末43に印加する。印加させる磁場は例えば1MA/mとする。
そして、圧粉成形を行う際には、先ず乾燥した磁石粉末43をキャビティ54に充填する。その後、下パンチ52及び上パンチ53を駆動し、キャビティ54に充填された磁石粉末43に対して矢印61方向に圧力を加え、成形する。また、加圧と同時にキャビティ54に充填された磁石粉末43に対して、加圧方向と平行な矢印62方向に磁界発生コイル55、56によってパルス磁場を印加する。それによって、所望の方向に磁場を配向させる。尚、磁場を配向させる方向は、磁石粉末43から成形される永久磁石1に求められる磁場方向を考慮して決定する必要がある。
また、湿式法を用いる場合には、キャビティ54に磁場を印加しながらスラリーを注入し、注入途中又は注入終了後に、当初の磁場より強い磁場を印加して湿式成形しても良い。また、加圧方向に対して印加方向が垂直となるように磁界発生コイル55、56を配置しても良い。
次に、圧粉成形により成形された成形体71を水素雰囲気において200℃〜900℃、より好ましくは400℃〜900℃(例えば600℃)で数時間(例えば5時間)保持することにより水素中仮焼処理を行う。仮焼中の水素の供給量は5L/minとする。この水素中仮焼処理では、有機金属化合物を熱分解させて、仮焼体中の炭素量を低減させる所謂脱カーボンが行われる。また、水素中仮焼処理は、仮焼体中の炭素量が1000ppm以下、より好ましくは500ppm以下とする条件で行うこととする。それによって、その後の焼結処理で永久磁石1全体を緻密に焼結させることが可能となり、残留磁束密度や保磁力を低下させることが無い。
ここで、上述した水素中仮焼処理によって仮焼された成形体71には、NdHが存在し、酸素と結び付きやすくなる問題があるが、第1の製造方法では、成形体71は水素仮焼後に外気と触れさせることなく、後述の真空焼成に移るため脱水素工程は不要となる。焼成中に成形体中の水素は抜けることとなる。
続いて、水素中仮焼処理によって仮焼された成形体71を焼結する焼結処理を行う。焼結処理では、所定の昇温速度で800℃〜1180℃程度まで昇温し、2時間程度保持する。この間は真空焼成となるが真空度としては10−4Torr以下とすることが好ましい。その後冷却し、再び600℃で2時間熱処理を行う。そして、焼結の結果、永久磁石1が製造される。
[永久磁石の製造方法2]
次に、本発明に係る永久磁石1の他の製造方法である第2の製造方法について図4を用いて説明する。図4は本発明に係る永久磁石1の第2の製造方法における製造工程を示した説明図である。
尚、スラリー42を生成するまでの工程は、図3を用いて既に説明した第1の製造方法における製造工程と同様であるので説明は省略する。
先ず、生成したスラリー42を成形前に真空乾燥などで事前に乾燥させ、乾燥した磁石粉末43を取り出す。その後、乾燥した磁石粉末43を水素雰囲気において200℃〜900℃、より好ましくは400℃〜900℃(例えば600℃)で数時間(例えば5時間)保持することにより水素中仮焼処理を行う。仮焼中の水素の供給量は5L/minとする。この水素中仮焼処理では、有機金属化合物を熱分解させて、仮焼体中の炭素量を低減させる所謂脱カーボンが行われる。また、水素中仮焼処理は、仮焼体中の炭素量が1000ppm以下、より好ましくは500ppm以下とする条件で行うこととする。それによって、その後の焼結処理で永久磁石1全体を緻密に焼結させることが可能となり、残留磁束密度や保磁力を低下させることが無い。
次に、水素中仮焼処理によって仮焼された粉末状の仮焼体82を真空雰囲気で200℃〜600℃、より好ましくは400℃〜600℃で1〜3時間保持することにより脱水素処理を行う。尚、真空度としては0.1Torr以下とすることが好ましい。
ここで、上述した水素中仮焼処理によって仮焼された仮焼体82には、NdHが存在し、酸素と結び付きやすくなる問題がある。
そこで、上記脱水素処理では、水素中仮焼処理によって生成された仮焼体82中のNdH(活性度大)を、NdH(活性度大)→NdH(活性度小)へと段階的に変化させることによって、水素仮焼中処理により活性化された仮焼体82の活性度を低下させる。それによって、水素中仮焼処理によって仮焼された仮焼体82をその後に大気中へと移動させた場合であっても、Ndが酸素と結び付くことを防止し、残留磁束密度や保磁力を低下させることが無い。
その後、脱水素処理が行われた粉末状の仮焼体82を成形装置50により所定形状に圧粉成形する。成形装置50の詳細については図3を用いて既に説明した第1の製造方法における製造工程と同様であるので説明は省略する。
その後、成形された仮焼体82を焼結する焼結処理を行う。焼結処理では、所定の昇温速度で800℃〜1180℃程度まで昇温し、2時間程度保持する。この間は真空焼成となるが真空度としては10−4Torr以下とすることが好ましい。その後冷却し、再び600℃で2時間熱処理を行う。そして、焼結の結果、永久磁石1が製造される。
尚、上述した第2の製造方法では、粉末状の磁石粒子に対して水素中仮焼処理を行うので、成形後の磁石粒子に対して水素中仮焼処理を行う前記第1の製造方法と比較して、有機金属化合物の熱分解を磁石粒子全体に対してより容易に行うことができる利点がある。即ち、前記第1の製造方法と比較して仮焼体中の炭素量をより確実に低減させることが可能となる。
一方、第1の製造方法では、成形体71は水素仮焼後に外気と触れさせることなく、後述の真空焼成に移るため脱水素工程は不要となる。従って、前記第2の製造方法と比較して製造工程を簡略化することが可能となる。但し、前記第2の製造方法においても、水素仮焼後に外気と触れさせることがなく焼成を行う場合には、脱水素工程は不要となる。
以上説明したように、本実施形態に係る永久磁石1及び永久磁石1の製造方法では、粉砕されたR−Fe−B系磁石の微粉末に対して、Si−(OR)(式中、Rは炭素数2〜6のアルキル基のいずれかであり、直鎖でも分枝でも良い。xは任意の整数である。)で示される有機金属化合物が添加された有機金属化合物溶液を加え、磁石粒子表面に対して均一に有機金属化合物を付着させる。その後、圧粉成形した成形体を水素雰囲気において200℃〜900℃で数時間保持することにより水素中仮焼処理を行う。その後、800℃〜1180℃で焼成を行うことによって永久磁石1を製造する。それにより、有機金属化合物に含まれるSiを焼結前に予め磁石の粒界に対して偏在配置することが可能となる。従って、Siを予め磁石原料に含有した状態で粉砕、焼結を行う場合と比較して、R−Fe(Co)−Si粒界相を均一に分散することが可能となる。
また、R−Fe−B系永久磁石の組織構成を、R(Fe,(Co),Si)14B主相とR−Fe(Co)−Si粒界相を含み、Bリッチ相を含まない組織構成とすることによって、10kOe以上の保磁力を有する磁石を得ることができると共に、重希土類元素の含有量を従来の磁石よりも減らすことができる。
また、R−Fe(Co)−Si粒界相の体積率がRリッチ相の体積率よりも大きいので、保磁力の向上を図ることが可能となる。
また、磁石組織中にR−Si化合物相を含まないので、保磁力が低下することが無い。
更に、Rの一部としてDy及び/又はTbを含み、磁石におけるDy及びTbを合わせた濃度(原子百分率)をDとしたとき、磁石の保磁力iHcが少なくとも(10+5×D)kOe以上であるので、従来のR−Fe−B系磁石と比べて同量のDy,Tb添加で大幅に保磁力を向上させることが可能となる。
また、有機金属化合物が添加された磁石を、焼結前に水素雰囲気で仮焼することにより、有機金属化合物を熱分解させて磁石粒子中に含有する炭素を予め焼失(炭素量を低減)させることができ、焼結工程でカーバイドがほとんど形成されることがない。その結果、焼結後の磁石の主相と粒界相との間に空隙を生じさせることなく、また、磁石全体を緻密に焼結することが可能となり、保磁力が低下することを防止できる。また、焼結後の磁石の主相内にαFeが析出することなく、磁石特性を大きく低下させることがない。
尚、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることは勿論である。
また、磁石粉末の粉砕条件、混練条件、仮焼条件、焼結条件などは上記実施例に記載した条件に限られるものではない。
また、水素中仮焼処理や脱水素工程については省略しても良い。
また、上述した製造方法では、Siについて、磁石粉末にSi−(OR)で示される有機金属化合物を添加することによって添加する構成としているが、一部については予めインゴットに含める構成としても良い。
1 永久磁石
11 R(Fe,(Co),Si)14B相(主相)
12 R−Fe(Co)−Si粒界相

Claims (4)

  1. 原子百分率で12%〜17%のR(RはYを含む希土類元素のうち少なくとも2種以上で、かつNd及びPrを必須とする)、0.1%〜3.0%のSi、5.0%〜5.9%のB、10%以下のCo及び残部Fe(但し、Feは3原子%以下の置換量でAl,Ti,V,Cr,Mn,Ni,Cu,Zn,Ga,Ge,Zr,Nb,Mo,In,Sn,Sb,Hf,Ta,W,Pt,Au,Hg,Pb,Biから選ばれる1種以上の元素で置換されていてもよい)の組成を有し、R(Fe,(Co),Si)14B金属間化合物を主相とする、少なくとも10kOe以上の保磁力を有するR−Fe−B系永久磁石において、
    Bリッチ相を含まず、かつ原子百分率で25%〜35%のR、2%〜8%のSi、8%以下のCo、残部FeからなるR−Fe(Co)−Si粒界相を体積率で少なくとも磁石全体の1%以上有し、
    磁石原料を磁石粉末に粉砕する工程と、
    前記粉砕された磁石粉末に以下の構造式
    Si−(OR)
    (式中、Rは炭素数2〜6のアルキル基のいずれかであり、直鎖でも分枝でも良い。xは任意の整数である。)
    で表わされる有機金属化合物を添加することにより、前記磁石粉末の粒子表面に前記有機金属化合物を付着させる工程と、
    前記有機金属化合物が粒子表面に付着された前記磁石粉末を成形することにより成形体を形成する工程と、
    前記成形体を焼結する工程と、により製造されることを特徴とするR−Fe−B系永久磁石。
  2. Rリッチ相を含み、R−Fe(Co)−Si粒界相の体積率がRリッチ相の体積率よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のR−Fe−B系永久磁石。
  3. 磁石組織中にR−Si化合物相を含まないことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のR−Fe−B系永久磁石。
  4. Rの一部としてDy及び/又はTbを含み、磁石におけるDy及びTbを合わせた濃度(原子百分率)をDとしたとき、磁石の保磁力iHcが少なくとも(10+5×D)kOe以上であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のR−Fe−B系永久磁石。
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