JP2011205096A - ポリシリコン、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む基体を研磨する方法 - Google Patents
ポリシリコン、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む基体を研磨する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011205096A JP2011205096A JP2011052897A JP2011052897A JP2011205096A JP 2011205096 A JP2011205096 A JP 2011205096A JP 2011052897 A JP2011052897 A JP 2011052897A JP 2011052897 A JP2011052897 A JP 2011052897A JP 2011205096 A JP2011205096 A JP 2011205096A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chemical mechanical
- mechanical polishing
- polysilicon
- removal rate
- polishing composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 0 OP(**N(*N(**(*P(O)(O)=O)*P(O)(O)=O)*P(O)(O)=O)*P(O)(O)=O)(O)=O Chemical compound OP(**N(*N(**(*P(O)(O)=O)*P(O)(O)=O)*P(O)(O)=O)*P(O)(O)=O)(O)=O 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Abstract
【解決手段】ポリシリコン、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む基体に対して、アリール環に結合したアルキル基を有する疎水性部分と4〜100個の炭素原子を有する非イオン性非環式親水性部分とを有するアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物、水、研磨剤、並びにジエチレントリアミンペンタキスを含む化学機械研磨組成物で研磨する。
【選択図】なし
Description
本発明は、ポリシリコン、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む基体を提供し;アリール環に結合したアルキル基を有する疎水性部分と4〜100個の炭素原子を有する非イオン性非環式親水性部分とを有するアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物、水、研磨剤、並びに式I
本発明は、ポリシリコン、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む基体を提供し;下記式
を有するアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物、水、研磨剤、並びにジエチレントリアミンペンタキス(メチルホスホン酸)を当初成分として含む(好ましくは、これらから本質的になる)化学機械研磨組成物を提供し;化学機械研磨パッドに研磨面を提供し;基体に対して研磨面を動かし;化学機械研磨組成物を研磨面上に分配し;基体の少なくとも一部分を摩耗させて、基体を研磨し;ポリシリコンの少なくとも幾分かが基体から除去され;酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも幾分かが基体から除去され;並びに、化学機械研磨組成物が無機酸で調節されて2〜5の研磨pHを示す;ことを含む、基体を化学機械研磨する方法も提供する。
((A0−A)/A0)×100≧50
式中、Aは、式Iの物質と併用したアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物を含む本発明の方法において使用される化学機械研磨組成物についてのポリシリコン除去速度(Å/分単位)であり;A0は、この式Iの物質およびアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物が化学機械研磨組成物に存在しないことを除いて同じ条件下で得られたポリシリコン除去速度(Å/分単位)である。
(((B0−B)の絶対値)/B0)×100≦20
式中、Bは、式Iの物質と併用したアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物を含む本発明の方法において使用される化学機械研磨組成物についてのポリシリコン除去速度(Å/分単位)であり;B0は、式Iの物質が化学機械研磨組成物に存在しないことを除いて同じ条件下で得られたポリシリコン除去速度である。
化学機械研磨組成物
試験された化学機械研磨組成物(CMPC)は表1に記載される。化学機械研磨組成物Aは比較配合物であり、これは請求項に特定される発明の範囲内にはない。
Я:使用された式Iの物質はジエチレントリアミンペンタキス(メチルホスホン酸)であった。
£:実施例において使用された研磨剤は、AZエレクトロニックマテリアルズ(Electronic Materials)によって製造され、ザダウケミカルカンパニーから入手可能なクレボソール(Klebosol登録商標)PL1598B25コロイダルシリカであった。
¥:組成物pHは必要に応じてHNO3またはKOHを使用して調節された。
研磨試験
200mmブランケットウェハ、具体的には(A)TEOS誘電体ウェハ;(B)Si3N4誘電体ウェハ;(C)非晶質ポリシリコン誘電体ウェハ;(D)および結晶質ポリシリコン誘電体ウェハを使用して、表1に記載された化学機械研磨組成物A、1および2が試験された。ポリウレタン含浸不織サブパッドおよびポリマー中空コア微小球体を含むポリウレタン研磨層を含む研磨パッド(すなわち、ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズCMPインコーポレイテッドから市販されているIC1010商標研磨パッド)を使用して、実施例における全てのブランケットウェハを研磨するために、アプライドマテリアルズミラ(Mirra登録商標)CMP研磨プラットフォームが使用された。全ての実施例において使用された研磨条件は、93rpmのプラテン速度;87rpmのキャリア速度;200ml/分の研磨媒体流速;および20.7kPaのダウンフォースであった。それぞれの研磨実験についての除去速度は表2に提供される。この除去速度は研磨前膜厚および研磨後膜厚から計算されたことに留意されたい。具体的には、除去速度はKLA−Tencorから入手可能なSpectraFX200光学薄膜計測システムを用いて決定された。
研磨試験
200mmブランケットウェハ、具体的には(A)TEOS誘電体ウェハ;(B)Si3N4誘電体ウェハ;および(C)非晶質ポリシリコン誘電体ウェハを使用して、表1に記載された化学機械研磨組成物3が試験された。ポリウレタン含浸不織サブパッドおよびポリマー中空コア微小球体を含むポリウレタン研磨層を含む研磨パッド(すなわち、ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズCMPインコーポレイテッドから市販されているIC1010商標研磨パッド)を使用して、実施例における全てのブランケットウェハを研磨するために、ストラスバーグ エヌスパイア(Strasbaugh nSpire商標)CMPシステムモデル6ECロータリー型研磨プラットフォームが使用された。全ての実施例において使用された研磨条件は、93rpmのプラテン速度;87rpmのキャリア速度;200ml/分の研磨媒体流速;および20.7kPaのダウンフォースであった。それぞれの研磨実験についての除去速度は表3に提供される。この除去速度は研磨前膜厚および研磨後膜厚から計算されたことに留意されたい。具体的には、除去速度はKLA−Tencorから入手可能なSpectraFX200光学薄膜計測システムを用いて決定された。
Claims (10)
- ポリシリコン、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む基体を提供し;
アリール環に結合したアルキル基を有する疎水性部分と4〜100個の炭素原子を有する非イオン性非環式親水性部分とを有するアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物、水、研磨剤、並びに式I
化学機械研磨パッドに研磨面を提供し;
基体に対して研磨面を動かし;
化学機械研磨組成物を研磨面上に分配し;
基体の少なくとも一部分を摩耗させて、基体を研磨し;
ポリシリコンの少なくとも幾分かが基体から除去され;並びに、
酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも幾分かが基体から除去される;
ことを含む、基体を化学機械研磨する方法。 - 化学機械研磨組成物が5以上:1の酸化ケイ素:ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項1に記載の方法。
- 化学機械研磨組成物が、200mm研磨装置において、93回転/分のプラテン速度、87回転/分のキャリア速度、200ml/分の化学機械研磨組成物流速、3psiの名目ダウンフォースで、500Å/分以上の酸化ケイ素除去速度を示し;ポリウレタン含浸不織サブパッドおよびポリマー中空コア微小球体を含むポリウレタン研磨層を化学機械研磨パッドが含む、請求項2に記載の方法。
- ポリシリコンが非晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が5以上:1の酸化ケイ素:非晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項3に記載の方法。
- ポリシリコンが結晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が10以上:1の酸化ケイ素:結晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項3に記載の方法。
- 化学機械研磨組成物が5以上:1の窒化ケイ素:ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項1に記載の方法。
- 化学機械研磨組成物が、200mm研磨装置において、93回転/分のプラテン速度、87回転/分のキャリア速度、200ml/分の化学機械研磨組成物流速、3psiの名目ダウンフォースで、500Å/分以上の窒化ケイ素除去速度を示し;ポリウレタン含浸不織サブパッドおよびポリマー中空コア微小球体を含むポリウレタン研磨層を化学機械研磨パッドが含む、請求項6に記載の方法。
- ポリシリコンが非晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が5以上:1の窒化ケイ素:非晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項7に記載の方法。
- ポリシリコンが結晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が10以上:1の窒化ケイ素:結晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項7に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/724685 | 2010-03-16 | ||
US12/724,685 US8491808B2 (en) | 2010-03-16 | 2010-03-16 | Method of polishing a substrate comprising polysilicon, silicon oxide and silicon nitride |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011205096A true JP2011205096A (ja) | 2011-10-13 |
JP2011205096A5 JP2011205096A5 (ja) | 2014-04-17 |
JP5957777B2 JP5957777B2 (ja) | 2016-07-27 |
Family
ID=44558416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011052897A Expired - Fee Related JP5957777B2 (ja) | 2010-03-16 | 2011-03-10 | ポリシリコン、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む基体を研磨する方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8491808B2 (ja) |
JP (1) | JP5957777B2 (ja) |
KR (1) | KR101672811B1 (ja) |
CN (1) | CN102199399B (ja) |
DE (1) | DE102011013981A1 (ja) |
FR (1) | FR2957548B1 (ja) |
TW (1) | TWI500750B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020026473A (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びその製造方法並びに研磨方法並びに基板の製造方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8492277B2 (en) * | 2010-03-16 | 2013-07-23 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc | Method of polishing a substrate comprising polysilicon and at least one of silicon oxide and silicon nitride |
US8496843B2 (en) * | 2010-03-16 | 2013-07-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of polishing a substrate comprising polysilicon and at least one of silicon oxide and silicon nitride |
EP2613910A4 (en) * | 2010-09-08 | 2017-12-13 | Basf Se | Process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric films and polysilicon and/or silicon nitride films |
KR101340551B1 (ko) * | 2010-12-31 | 2013-12-11 | 제일모직주식회사 | 질화규소를 선택적으로 연마하는 cmp 슬러리 조성물 |
US9303187B2 (en) * | 2013-07-22 | 2016-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for CMP of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon materials |
CN107030583A (zh) * | 2017-03-21 | 2017-08-11 | 天津华海清科机电科技有限公司 | 硅衬底片抛光方法和装置 |
US20190085205A1 (en) * | 2017-09-15 | 2019-03-21 | Cabot Microelectronics Corporation | NITRIDE INHIBITORS FOR HIGH SELECTIVITY OF TiN-SiN CMP APPLICATIONS |
CN109971356A (zh) | 2017-12-27 | 2019-07-05 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
US10759970B2 (en) * | 2018-12-19 | 2020-09-01 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions and methods of using same |
US10763119B2 (en) * | 2018-12-19 | 2020-09-01 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions and methods of using same |
US11680186B2 (en) | 2020-11-06 | 2023-06-20 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions and methods of using same |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005101545A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-04-14 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 半導体層を研磨するための組成物 |
JP2005347737A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-12-15 | Nissan Chem Ind Ltd | シリコンウェハー用研磨組成物 |
JP2009290126A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Fujifilm Corp | 研磨液及び研磨方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3457107A (en) * | 1965-07-20 | 1969-07-22 | Diversey Corp | Method and composition for chemically polishing metals |
US4283321A (en) | 1979-10-03 | 1981-08-11 | Gaf Corporation | Alkyl aryl ethyleneoxy sulfonate surfactants for vinyl acetate polymerization |
KR100378180B1 (ko) * | 2000-05-22 | 2003-03-29 | 삼성전자주식회사 | 화학기계적 연마 공정용 슬러리 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법 |
US6743683B2 (en) * | 2001-12-04 | 2004-06-01 | Intel Corporation | Polysilicon opening polish |
US7201647B2 (en) * | 2002-06-07 | 2007-04-10 | Praxair Technology, Inc. | Subpad having robust, sealed edges |
US7247566B2 (en) * | 2003-10-23 | 2007-07-24 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | CMP method for copper, tungsten, titanium, polysilicon, and other substrates using organosulfonic acids as oxidizers |
KR100795364B1 (ko) * | 2004-02-10 | 2008-01-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판용 세정액 조성물, 이를 이용한 세정 방법 및도전성 구조물의 제조 방법 |
KR100591719B1 (ko) * | 2004-11-09 | 2006-06-22 | 삼성전자주식회사 | 에피텍셜 콘택 플러그 제조방법, 그 제조 방법을 이용한반도체 장치 제조 방법 및 그 제조 방법을 이용한 더블스택형 트랜지스터 제조 방법 |
US7790618B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-09-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Selective slurry for chemical mechanical polishing |
US20070077865A1 (en) | 2005-10-04 | 2007-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for controlling polysilicon removal |
US8017524B2 (en) * | 2008-05-23 | 2011-09-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Stable, high rate silicon slurry |
JP5467804B2 (ja) * | 2008-07-11 | 2014-04-09 | 富士フイルム株式会社 | 窒化ケイ素用研磨液及び研磨方法 |
US8119529B2 (en) * | 2009-04-29 | 2012-02-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method for chemical mechanical polishing a substrate |
US8496843B2 (en) * | 2010-03-16 | 2013-07-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of polishing a substrate comprising polysilicon and at least one of silicon oxide and silicon nitride |
US8492277B2 (en) * | 2010-03-16 | 2013-07-23 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc | Method of polishing a substrate comprising polysilicon and at least one of silicon oxide and silicon nitride |
-
2010
- 2010-03-16 US US12/724,685 patent/US8491808B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-10 JP JP2011052897A patent/JP5957777B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-14 TW TW100108481A patent/TWI500750B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-03-15 KR KR1020110022824A patent/KR101672811B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-15 DE DE102011013981.8A patent/DE102011013981A1/de not_active Withdrawn
- 2011-03-16 CN CN201110072210.8A patent/CN102199399B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-16 FR FR1152170A patent/FR2957548B1/fr not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005101545A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-04-14 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 半導体層を研磨するための組成物 |
JP2005347737A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-12-15 | Nissan Chem Ind Ltd | シリコンウェハー用研磨組成物 |
JP2009290126A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Fujifilm Corp | 研磨液及び研磨方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020026473A (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びその製造方法並びに研磨方法並びに基板の製造方法 |
JP7120846B2 (ja) | 2018-08-10 | 2022-08-17 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びその製造方法並びに研磨方法並びに基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102199399B (zh) | 2014-04-02 |
TW201139636A (en) | 2011-11-16 |
CN102199399A (zh) | 2011-09-28 |
FR2957548A1 (fr) | 2011-09-23 |
KR20110104443A (ko) | 2011-09-22 |
DE102011013981A1 (de) | 2014-02-13 |
KR101672811B1 (ko) | 2016-11-04 |
JP5957777B2 (ja) | 2016-07-27 |
TWI500750B (zh) | 2015-09-21 |
US20110230048A1 (en) | 2011-09-22 |
US8491808B2 (en) | 2013-07-23 |
FR2957548B1 (fr) | 2015-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5957777B2 (ja) | ポリシリコン、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む基体を研磨する方法 | |
JP6246263B2 (ja) | 酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも1種とポリシリコンとを含む基体を研磨する方法 | |
KR102427996B1 (ko) | 화학적 기계 연마 조성물 및 텅스텐의 연마 방법 | |
JP5861906B2 (ja) | 酸化ケイ素除去を増大させるように適合した研磨組成物で基体を化学機械研磨する方法 | |
US8865013B2 (en) | Method for chemical mechanical polishing tungsten | |
JP2011139030A (ja) | ケミカルメカニカル研磨組成物及びそれに関連する方法 | |
JP6002983B2 (ja) | 調整可能な絶縁体研磨選択比を有するスラリー組成物及び基板研磨方法 | |
JP5957778B2 (ja) | 酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも1種とポリシリコンとを含む基体を研磨する方法 | |
KR102005254B1 (ko) | 기판의 폴리싱 방법 | |
TWI518157B (zh) | 具有可調介電質研磨選擇性之漿液組成物及研磨基板之方法 | |
KR20200036749A (ko) | 화학 기계적 연마 조성물, 및 실리콘 질화물 위의 실리콘 이산화물을 연마하는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140227 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150407 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160405 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160603 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5957777 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |