JP2011199076A - パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、ナノインプリントリソグラフィにおいて、微細なパターンを形成可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】
本発明の一態様であるパターン形成方法は、(a)被エッチング層10上方に多孔質層11を形成する工程と、(b)前記多孔質層11上に被転写パターンを有する有機材13を形成する工程と、(c)前記被転写パターンを用いて、前記多孔質11よりエッチング耐性が高い転写酸化膜16に加工パターンを形成する工程と、(d)前記転写酸化膜16をマスクとして、前記被エッチング層10に前記加工パターンを形成する工程とを備えることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態を説明する前に、本発明者が本発明をなすに至った経緯について説明する。
[パターン形成方法]
本発明の第1の実施形態におけるパターン形成方法について、側壁加工技術でハーフピッチのパターンを形成する方法を例として、図1及び図2の工程断面図を用いて説明する。
以上より、本実施形態では、多孔質層12ではなく、転写酸化膜16を用いて加工パターンが転写された被エッチング層10を形成する。酸素ガスなどを用いて、第1被転写酸化膜11をドライエッチングすると、転写酸化膜16が第1被転写酸化膜11よりも先にエッチングされず、転写酸化膜16が残存する。
本実施形態では、側壁加工技術を用いて被エッチング層10にハーフピッチのパターンを形成するが、本変形例1では、側壁加工技術を使用せずに、被転写パターンと同一の加工パターンが転写された被エッチング層10にパターン形成してもよい。
次に、第2の実施形態におけるパターン形成方法について、図3の工程断面図を用いて説明する。なお、第2の実施形態に係るパターン形成方法は、第1の実施形態のパターン形成方法に対して、図3に示すように、転写酸化膜と同種の酸化膜22(酸化膜22を転写酸化膜ともいう)が予め第1被転写層21と多孔質層24との間に形成される点で異なる。以下、第1の実施形態のパターン形成方法と異なる方法について説明する。
図3に示すように、被エッチング層10上に、下層より順に第1被転写層21(例えば、カーボン層)、転写酸化膜22、被転写層(以下、第2被転写層という)23、多孔質層24が形成される。多孔質層24上に光硬化性の有機材25が塗布される。所望のテンプレート(図示略)を有機材25に圧着して、例えば紫外線を照射して有機材25を硬化させ、被転写パターンの有機材25を形成する。
以上より、本実施形態でも、第1の実施形態同様に、多孔質層24ではなく、転写酸化膜22を用いて加工パターンが転写された被エッチング層10を形成する。酸素ガスを用いて、第1被転写酸化膜21をドライエッチングすると、転写酸化膜22が第1被転写酸化膜21よりも先にエッチングされず、転写酸化膜22が残存する。
11 21…第1被転写層
12 24…多孔質層
13 25…有機材
14…テンプレート
15…紫外線
16 22…転写酸化膜
23…第2被転写層
Claims (3)
- (a)被エッチング層上方に多孔質層を形成する工程と、
(b)前記多孔質層上に被転写パターンを有する有機材を形成する工程と、
(c)前記被転写パターンを用いて、前記多孔質よりエッチング耐性が高い転写酸化膜に加工パターンを形成する工程と、
(d)前記転写酸化膜をマスクとして、前記被エッチング層に前記加工パターンを転写する工程とを備えることを特徴とするパターン形成方法。 - 前記(c)工程が、
(e)前記有機材をマスクとして、前記多孔質層に前記被転写パターンを形成する工程と、
(f)前記多孔質層上に、前記転写酸化膜を形成する工程と、
(g)前記多孔質層上面が露出するまで前記転写酸化膜をエッチバックする工程と、
(h)前記多孔質層を除去する工程と、
を備えることを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。 - 前記(a)工程が、
(i)被エッチング層上に前記転写酸化膜を形成する工程と、
(j)前記転写酸化膜上に前記多孔質層を形成する工程と、
を備え、
前記(c)工程が、
(k)前記多孔質層に前記被転写パターンを形成する工程と、
(l)前記転写酸化膜に前記被転写パターンと同一の前記加工パターンを形成する工程と、
を具備することを特徴する請求項1記載のパターン形成方法。
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