JP2011194442A - レーザ溶接装置及びレーザ溶接方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】大出力レーザを用いた溶接においてプルームが激しく発生するような条件であっても、溶込み深さの増加と溶け込み深さの安定化を図ることのできるレーザ溶接装置及びレーザ溶接方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射によって材料表面にキーホールを形成し溶接を行うレーザ溶接装置であって、レーザを集光して前記材料に照射するための溶接ヘッドと、前記材料の溶接部に、酸化を防止するためのシールドガスを供給するシールドガス供給機構と、前記溶接ヘッドと前記シールドガス供給機構との間に設けられた吸引口からプルームを吸引する吸引機構と、プルームの状態を検出するためのプルーム検知機構と、前記検知機構による検知結果に応じて前記吸引機構による吸引量を変更する制御手段とを具備する。
【選択図】図1
【解決手段】レーザ照射によって材料表面にキーホールを形成し溶接を行うレーザ溶接装置であって、レーザを集光して前記材料に照射するための溶接ヘッドと、前記材料の溶接部に、酸化を防止するためのシールドガスを供給するシールドガス供給機構と、前記溶接ヘッドと前記シールドガス供給機構との間に設けられた吸引口からプルームを吸引する吸引機構と、プルームの状態を検出するためのプルーム検知機構と、前記検知機構による検知結果に応じて前記吸引機構による吸引量を変更する制御手段とを具備する。
【選択図】図1
Description
本発明は、レーザ溶接装置及びレーザ溶接方法に関する。
従来のレーザ溶接装置の構成例を図6に示す。図6に示すように、レーザ溶接装置の溶接ヘッド1内にはレンズ2が設けられている。そして、光ファイバー3によって溶接ヘッド1内に導かれたレーザ4は、レンズ2によって集光され、材料20の表面に照射される。これによって、材料20を加熱、溶融して溶接を行う。
レンズ2で集光されたレーザ4は、1mm以下のスポットに集光されるため、非常に高いエネルギー密度で材料20の表面に照射される。そのため、レーザ照射部は材料20の沸点まで加熱されて激しい蒸発が起こり、その反発力でキーホール21と呼ばれる空洞を形成して、深い溶込み深さの溶接が実現される。
近年、10kW以上の大出力レーザが普及し始め、さらに深い溶込みが得られる溶接の実用化が見込まれている。このような大出力レーザを用いた場合、材料20の激しい蒸発に伴って、プルーム23やスパッター粒子24が大量に発生する。このようなプルーム23やスパッター粒子24によって溶接ヘッド1が損傷を受けないように、通常は、レーザ4の照射方向に直交する向きにジェットガス5を噴出するジェットガス供給器6を設け、ジェットガス5によってプルーム23及びスパッター粒子24が溶接ヘッド1に付着することを防止している。
さらに、溶接品質を確保するために、溶接部22を大気から保護できるように、シールドガスノズル7からシールドガス8を溶接部22の表面に供給して、溶接部22の表面酸化を防止している。
上述のように、大出力レーザを用いた溶接では、プルーム23及びスパッター粒子24への対策と溶接部22のシールドという処置がなされている。しかしながら、このような構成のレーザ溶接装置では、大きく成長したプルーム23の中をレーザ4が通過するため、プルーム23によるレーザ4の吸収や屈折が起こり、深い溶込みを得ることが困難となり、溶込み深さの変動も発生する。
上記の問題を解決する一つの方法として、プルームを吸引する吸引装置を設けることが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
しかしながら、例えば、プルームを吸引する吸引装置の吸引量を過大にすると、溶接部の表面酸化を防止するシールドガスまで吸引してしまい、溶接部の表面酸化が発生する可能性がある。一方、大出力レーザを用いた溶接等では、プルームが激しく発生する場合があり、このようなプルームを確実に除去することは容易ではない。このため、プルームによるレーザの吸収や屈折が起こり、深い溶込みを得ることが困難となるとともに溶込み深さが変動してしまうという問題があった。
本発明は、上記従来の事情に対処してなされたものであり、大出力レーザを用いた溶接においてプルームが激しく発生するような条件であっても、溶込み深さの増加と溶け込み深さの安定化を図ることのできるレーザ溶接装置及びレーザ溶接方法を提供しようとするものである。
本発明のレーザ溶接装置の一態様は、レーザ照射によって材料表面にキーホールを形成し溶接を行うレーザ溶接装置であって、レーザを集光して前記材料に照射するための溶接ヘッドと、前記材料の溶接部に、酸化を防止するためのシールドガスを供給するシールドガス供給機構と、前記溶接ヘッドと前記シールドガス供給機構との間に設けられた吸引口からプルームを吸引する吸引機構と、プルームの状態を検出するためのプルーム検知機構と、前記プルーム検知機構による検知結果に応じて前記吸引機構による吸引量を変更する制御手段とを具備することを特徴とする。
本発明のレーザ溶接方法の一態様は、レーザ照射によって材料表面にキーホールを形成し溶接を行うレーザ溶接方法であって、前記レーザを集光して前記材料表面に照射する工程と、前記材料から発生するプルームを吸引機構によって吸引する吸引工程と、前記材料から発生するプルームの状態を検出するプルーム検知工程と、前記プルーム検知工程による検知結果に応じて前記吸引機構による吸引量を変更する工程とを具備することを特徴とする。
本発明によれば、大出力レーザを用いた溶接においてプルームが激しく発生するような条件であっても、溶込み深さの増加と溶け込み深さの安定化を図ることのできるレーザ溶接装置及びレーザ溶接方法を提供することができる。
以下、本発明の詳細を、図面を参照して実施形態について説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係るレーザ溶接装置の構成を模式的に示す図である。図1に示すように、レーザ溶接装置100は、溶接ヘッド1を具備しており、この溶接ヘッド1内にはレンズ2が設けられている。また、溶接ヘッド1には、図示しないレーザ光源からのレーザ4を導入するための光ファイバー3が接続されている。光ファイバー3によって溶接ヘッド1内に導かれたレーザ4は、レンズ2によって集光され、材料20の表面に照射される。これによって、材料20を加熱し、溶融して溶接を行う。
レンズ2で集光されたレーザ4は、1mm以下のスポットに集光されるため、非常に高いエネルギー密度で材料20の表面に照射される。そのため、レーザ照射部は材料20の沸点まで加熱されて激しい蒸発が起こり、その反発力でキーホール21と呼ばれる空洞を形成して、深い溶込み深さの溶接が実現される。
溶接ヘッド1の先端部(図1中下側端部)には、レーザ4の光軸と直交する方向にジェットガス5を噴出すジェットガス供給器6が設けられている。この溶接ヘッド1は、図1中下側端部のレーザ4の射出部1aが、材料20の表面から、所定距離、例えば300mm程度離れた位置にセットされる。
一方、上記溶接ヘッド1よりも材料20に近接した位置に、溶接部22の表面に不活性ガス等のシールドガス8を供給するシールドガスノズル7(噴射口7a)が配設されている。この第1の実施形態では、シールドガスノズル7は、溶接部22に対して、斜め上方からシールドガスを供給するようになっている。このシールドガスノズル7から供給されるシールドガス8によって溶接部22を大気から保護し、溶接部22の表面酸化を防止するようになっている。
さらに、溶接ヘッド1と、シールドガスノズル7との間には、プルーム23を吸引するための吸引ノズル10が設けられている。すなわち、この吸引ノズル10は、その先端に開口する吸引口10aから周囲の雰囲気とともにプルーム23を吸引するようになっており、この吸引口10aの位置が、溶接ヘッド1の先端(射出部1a)と、シールドガスノズル7の噴射口7aとの間に位置するように配設されている。なお、吸引ノズル10は、吸引量を調節可能とされた吸引装置11に接続されており、プルーム23とともに、スパッター粒子も吸引する。
吸引ノズル10の溶接ヘッド1側(図1中上側)の部位には、プルーム23の状態を検出するためのプルーム検知機構12が設けられている。プルーム検知機構12としては、例えば、光センサー又は温度センサー等を使用することができ、本実施形態では、CCDカメラによって構成されている。このプルーム検知機構12によって、吸引ノズル10より溶接ヘッド1側の空間にプルーム23が存在するか否か、及びプルーム23の量を検出できるようになっている。なお、プルーム23は、オレンジ色等に発光するので、その発光の強度及び発光している領域の面積等によって画像解析により、プルーム23の量を検出することができる。
本実施形態では、吸引ノズル10の溶接ヘッド1とは反対側(材料20側)の部位に、プルーム23の状態を検出するための第2プルーム検知機構13が設けられている。この第2プルーム検知機構13としては、例えば、光センサー又は温度センサー等を使用することができ、本実施形態では、CCDカメラによって構成されている。この第2プルーム検知機構13によって、吸引ノズル10より材料20側の空間にプルーム23が存在するか否か及びプルーム23の量を検出できるようになっている。
プルーム検知機構12及び第2プルーム検知機構13の検出信号は、制御部14に入力される。制御部14では、第2プルーム検知機構13からの検出信号によって、吸引ノズル10より材料20側の空間にプルーム23の存在が検知されると、吸引装置11を駆動して吸引ノズル10からの吸引を開始する。この吸引装置11の駆動を開始する際の吸引量は、所定の吸引量、例えば最小吸引量に設定される。
このように、吸引ノズル10からの吸引を行っている際に、第2プルーム検知機構13によってプルーム23が検知され、プルーム検知機構12によってプルーム23が検知されない場合は、略全てのプルーム23が吸引ノズル10によって吸引され、吸引ノズル10より溶接ヘッド1側の空間に、プルーム23が存在しない(又はプルーム23が非常に少ない)状態となっていることを示している。
また、上記の状態において、制御部14は、プルーム検知機構12からの検出信号によって、吸引ノズル10より溶接ヘッド1側の空間にプルーム23の存在が検知されると、吸引装置11による吸引量を増加させて吸引ノズル10からの吸引量を増加させる。この吸引量の増加は、プルーム検知機構12によってプルーム23が検知されなくなるまで行う。これによって、プルーム23の発生量が増加した場合に、吸引しきれなかったプルーム23を吸引して除去することができる。なお、吸引装置11による吸引量を増加させた後、第2プルーム検知機構13によってプルーム23の発生量の低下が検知された場合は、吸引装置11による吸引量を減少させて、吸引量増加前の元の状態に戻してもよい。
以上のとおり、第1実施形態のレーザ溶接装置100では、溶接部22からから発生するプルーム23を大きく成長させずに途中で吸引することによって、レーザ4がプルーム23内を通過する距離を短くし、プルーム23によるレーザ4の吸収を低減することができる。また、プルーム23の吸引状態を常時監視しながら、溶接中常に適切なプルーム吸引を実現することができるので、プルーム23の状態変化によるレーザ吸収率の変化を低減することができ、材料20に到達するレーザ4の出力を安定化することができる。これによって、溶接部22の溶込み深さが深くなるとともに、深さの変動を小さくすることが可能となる。
なお、上記の第1実施形態のレーザ溶接装置100では、吸引ノズル10の部分に、プルーム検知機構12及び第2プルーム検知機構13を配設した場合について説明したが、プルーム検知機構の配置場所は、吸引ノズル10の部分に限らず他の部位であってもよい。また、第2プルーム検知機構13は、必ずしも必要ではなく、レーザ溶接装置100の駆動時には、常に吸引ノズル10からの吸引を行うようにしてもよい。
次に、図2を参照して、第2実施形態に係るレーザ溶接装置100aについて説明する。なお、この第2実施形態に係るレーザ溶接装置100aにおいて、図1に示した第1実施形態に係るレーザ溶接装置100と同一の部分には、同一の符号を付して、重複した説明は省略する。
この第2実施形態のレーザ溶接装置100aでは、シールドガスノズル7の部分に、溶接部22の表面を観察するための溶接部監視機構として、CCDカメラ15が設けられており、溶接ビード表面の酸化状態を色彩で判断し、酸化しているか否かを検知することができるようになっている。
また、吸引ノズル10には、吸引ノズル10を移動させるための駆動機構16が設けられており、図中矢印で示すように、吸引ノズル10を、溶接ヘッド1側及び材料20側(図2の上下方向)に移動させることができるようになっている。
上記構成の第2実施形態のレーザ溶接装置100aでは、第1実施形態のレーザ溶接装置100と同様に、制御部14aが、プルーム検知機構12及び第2プルーム検知機構13の検出信号に基づいて吸引装置11の駆動を制御する。これとともに、CCDカメラ15からの検出信号に基づいて吸引ノズル駆動機構16を駆動し、吸引ノズル10の位置を制御する。
すなわち、CCDカメラ15からの検出信号により、溶接部22の表面が酸化していることが検出された場合は、吸引ノズル駆動機構16を駆動して、吸引ノズル10の位置を溶接ヘッド1側に移動させ、シールドガスノズル7から遠ざける。これによって、シールドガスノズル7から溶接部22に供給されるシールドガス8が、吸引ノズル10によって吸引されてしまうことを抑制し、溶接部22が確実にシールドガス8によって覆われた状態としてシールド効果を高め、溶接部22の酸化を抑制する。
以上のとおり、第2実施形態のレーザ溶接装置100aでは、第1実施形態のレーザ溶接装置100と同様な効果を奏することができるとともに、溶接部22のシールド状態も安定化させることができ、溶接部22の表面の酸化を防止して、高品質な溶接を実現することができる。
次に、図3を参照して第3実施形態に係るレーザ溶接装置100bの構成について説明する。なお、この第3実施形態に係るレーザ溶接装置100bにおいて、図1に示した第1実施形態に係るレーザ溶接装置100と同一の部分には、同一の符号を付して、重複した説明は省略する。
この第3実施形態のレーザ溶接装置100bでは、プルーム23を吸引するための吸引ノズル30が、中央部にレーザ4を通過させるための開口31を有し、この開口31の周囲の環状の領域に複数の吸引口32が形成された構造となっている。これらの吸引口32は、開口31内の側壁面と、開口31外側の図3中の下側面に形成されている。なお、図3中の下側面に形成された吸引口32は、図4に示すように、同心円状に形成されたスリット32aから構成してもよく、図5に示すように、複数の円孔32bから構成してもよい。
また、シールドガス8を供給するためのシールドガスノズル40も、上記吸引ノズル30と同様に構成されており、中央部にレーザ4を通過させるための開口41を有し、この開口41の周囲の環状の領域に複数のガス噴出口42が形成された構造となっている。これらの噴出口42は、開口41の外側の図3中の下側面にのみ形成されている。噴出口42も、図4に示すように、同心円状に形成されたスリット42aから構成してもよく、図5に示すように、複数の円孔42bから構成してもよい。
上記構成の第3実施形態のレーザ溶接装置100bでは、第1実施形態のレーザ溶接装置100と同様に、制御部14が、プルーム検知機構12及び第2プルーム検知機構13の検出信号に基づいて吸引装置11の駆動を制御する。これによって、第1実施形態のレーザ溶接装置100と同様な効果を奏することができる。
さらに、第3実施形態のレーザ溶接装置100bでは、吸引ノズル30が、レーザ4の周囲の環状の領域から、プルーム23を吸引するようになっており、かつ、シールドガスノズル40も、レーザ4の周囲の環状の領域から、シールドガス8を供給するようになっている。したがって、溶接方向による方向性がなくなり、溶接方向が変化しても、プルーム23の吸引の状態及び溶接部22のシールドの状態を、常に一定の状態に保つことができ、深い溶込みが安定して得られ、さらに、溶接部表面の酸化を防止して高品質な溶接を実現することができる。
なお、本発明は、上記の各実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは、勿論である。
1……溶接ヘッド、2……レンズ、3……光ファイバー、4……レーザ、5……ジェットガス、6……ジェットガス供給器、7……シールドガスノズル、8……シールドガス、10……吸引ノズル、11……吸引装置、12……プルーム検知機構、13……第2プルーム検知機構、14……制御部、20……材料、21……キーホール、22……溶接部、23……プルーム。
Claims (7)
- レーザ照射によって材料表面にキーホールを形成し溶接を行うレーザ溶接装置であって、
レーザを集光して前記材料に照射するための溶接ヘッドと、
前記材料の溶接部に、酸化を防止するためのシールドガスを供給するシールドガス供給機構と、
前記溶接ヘッドと前記シールドガス供給機構との間に設けられた吸引口からプルームを吸引する吸引機構と、
プルームの状態を検出するためのプルーム検知機構と、
前記プルーム検知機構による検知結果に応じて前記吸引機構による吸引量を変更する制御手段と
を具備することを特徴とするレーザ溶接装置。 - 請求項1記載のレーザ溶接装置であって、
前記プルーム検知機構は、前記吸引口より前記溶接ヘッド側の空間のプルームを検出し、
前記制御手段は、前記プルーム検知機構によってプルームが検出された場合は、前記吸引機構による吸引量を増加させる
ことを特徴とするレーザ溶接装置。 - 請求項2記載のレーザ溶接装置であって、
前記吸引口と前記材料との間の空間のプルームを検出する第2のプルーム検知機構をさらに具備する
ことを特徴とするレーザ溶接装置。 - 請求項1〜3いずれか1項記載のレーザ溶接装置であって、
前記プルーム検知機構が、光センサー又は温度センサーから構成されている
ことを特徴とするレーザ溶接装置。 - 請求項1〜4いずれか1項記載のレーザ溶接装置であって、
前記材料の溶接部表面の酸化の有無を検出する溶接部監視機構と、
前記溶接部監視機構の検出結果に応じて前記吸引口の位置を移動させる駆動装置と
をさらに具備することを特徴とするレーザ溶接装置。 - 請求項1〜4いずれか1項記載のレーザ溶接装置であって、
前記シールドガス供給機構は、前記溶接ヘッドからのレーザを通過させる開口の周囲の環状の領域に設けられたシールドガス噴出口からシールドガスを供給するよう構成され、
前記吸引機構は、前記溶接ヘッドからのレーザを通過させる開口の周囲の環状の領域に設けられた前記吸引口から吸引するよう構成されている
ことを特徴とするレーザ溶接装置。 - レーザ照射によって材料表面にキーホールを形成し溶接を行うレーザ溶接方法であって、
前記レーザを集光して前記材料表面に照射する工程と、
前記材料から発生するプルームを吸引機構によって吸引する吸引工程と、
前記材料から発生するプルームの状態を検出するプルーム検知工程と、
前記プルーム検知工程による検知結果に応じて前記吸引機構による吸引量を変更する工程と
を具備することを特徴とするレーザ溶接方法。
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JP2010064541A JP2011194442A (ja) | 2010-03-19 | 2010-03-19 | レーザ溶接装置及びレーザ溶接方法 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102941412A (zh) * | 2012-10-15 | 2013-02-27 | 华中科技大学 | 一种激光焊接焊缝孔洞控制方法及装置 |
CN105499804A (zh) * | 2016-01-18 | 2016-04-20 | 华中科技大学 | 一种激光焊接过程中焊缝内部孔洞的控制方法及控制装置 |
JP6014741B1 (ja) * | 2015-11-11 | 2016-10-25 | 株式会社アフレアー | 加工機用の集塵装置およびレーザ加工機 |
FR3134735A1 (fr) * | 2022-04-20 | 2023-10-27 | Societe D'assemblage Par Faisceaux D'electrons Et Laser | Machine laser comprenant deux buses et procédé de fabrication associé |
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