JP2011192686A5 - - Google Patents
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- 電極を有する半導体素子と、
導体と、
前記半導体素子の電極と、前記導体とを接合する導電性の接合材とを備えた半導体装置において、
前記導体は複数の導線が編まれた編み線状導体であり、
前記編み線状導体がCuもしくは電気抵抗率2.7×10 -8 Ω・m未満のCu合金からなる導線と、当該CuまたはCu合金よりも線膨張係数が低い低熱膨張率材料からなる導線とを編みこんで形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１において、
前記低熱膨張率材料が、インバー、Mo、Wの少なくとも１つであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１または請求項２において、
前記CuまたはCu合金の表面に、Ni、Ni-P、Ni-Bめっきの少なくとも１つがなされていることを特徴とする半導体装置。 - 電極を有する半導体素子と、
導体と、
前記半導体素子の電極と、前記導体とを接合する導電性の接合材とを備えた半導体装置において、
前記導体は複数の導線が編まれた編み線状導体であり、
前記編み線状導体が、Cuもしくは電気抵抗率2.7×10 -8 Ω・m未満のCu合金からなる線を有し、
前記CuまたはCu合金の表面に、Ni、Ni-P、Ni-Bめっきの少なくとも１つがなされていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記編み線状導体の前記導電性接合材に接続される部分は、編まれていないことを特徴とする半導体装置。 - 請求項１から６のいずれかにおいて、
前記導電性接合材が、Sn系鉛フリーはんだであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１から６のいずれかにおいて、
編み線状導体を接続する導電性接合材が純Snはんだ、またはSn-Cu共晶はんだであることを特徴とする半導体装置。
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