JP2011188203A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路 Download PDF

Info

Publication number
JP2011188203A
JP2011188203A JP2010050785A JP2010050785A JP2011188203A JP 2011188203 A JP2011188203 A JP 2011188203A JP 2010050785 A JP2010050785 A JP 2010050785A JP 2010050785 A JP2010050785 A JP 2010050785A JP 2011188203 A JP2011188203 A JP 2011188203A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
error
circuit
signal
flip
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010050785A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5421152B2 (ja
Inventor
Koichi Nakamura
浩一 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Electronics Corp
Original Assignee
Renesas Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Electronics Corp filed Critical Renesas Electronics Corp
Priority to JP2010050785A priority Critical patent/JP5421152B2/ja
Priority to US13/040,501 priority patent/US8843800B2/en
Publication of JP2011188203A publication Critical patent/JP2011188203A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5421152B2 publication Critical patent/JP5421152B2/ja
Priority to US14/461,935 priority patent/US9665448B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/16Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
    • G06F11/18Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using passive fault-masking of the redundant circuits
    • G06F11/183Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using passive fault-masking of the redundant circuits by voting, the voting not being performed by the redundant components
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/007Fail-safe circuits
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/0703Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation
    • G06F11/0793Remedial or corrective actions
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M13/00Coding, decoding or code conversion, for error detection or error correction; Coding theory basic assumptions; Coding bounds; Error probability evaluation methods; Channel models; Simulation or testing of codes
    • H03M13/03Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words
    • H03M13/05Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words using block codes, i.e. a predetermined number of check bits joined to a predetermined number of information bits

Abstract

【課題】より信頼性の高い半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路は、入力信号DINを記憶保持する複数のフリップフロップF1と、複数のフリップフロップF1からの出力の多数決結果MJを出力する多数決回路7と、複数のフリップフロップF1の出力不一致を検出し、エラー信号を出力するエラー検出回路2と、エラー検出回路2からのエラー信号を監視する監視回路3と、を備え、監視回路3は、エラー検出回路2からのエラー信号をもとに、複数のフリップフロップF1のうち、出力不一致が発生しているフリップフロップF1に対して書き戻しを行うリフレッシュ動作を指示するとともに、リフレッシュ動作により書き戻らなかった場合には外部に通知を行うものである。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体集積回路に関し、特に詳しくは入力信号を記憶保持する複数の記憶素子と、この複数の記憶素子からの出力の多数決結果を出力する多数決回路とを備える半導体集積回路に関する。
2000年に機能安全規格IEC61508(電気・電子・プログラマブル電子安全関連システムの機能安全)が制定され、欧州では、自動車として認証を取得する前に、自動車等についてECUレベルの機能安全認証の取得を義務付けている。これは、自動車等について政府が事前に基準適合性を確認することを目的としたものである。
このような背景から、CPU(Central Processing Unit:中央処理装置)内においてメモリの制御や管理を行うMCU(Memory Control Unit)についても、IEC61508のサポートが要求されている。これに伴い、MCU中の各周辺回路に搭載されているレジスタの信頼性向上と機能安全に対応するべく、多数決回路などを用いたデジタル回路に使用される信号の信頼性向上が求められている。
デジタル回路が誤動作を起こす原因のひとつに、ソフトエラーがある。ソフトエラーとは、放射線(例えば、α線、中性子線など)が半導体集積回路に突入した場合に、半導体基板と放射線とが反応して電荷を発生させ、論理回路の出力素子に発生した電荷が収集されることで論理を反転させる異常である。ソフトエラーは、回路の縮退故障などの物理的な故障によるハードエラーとは異なり一時的なものであるため、再書込みによって正常に戻すことが可能である。
このソフトエラーの自動修復を行うための技術が特許文献1に開示されている。図9は、特許文献1に開示されたソフトエラー自動修復機能付メモリシステムの構成を示すブロック図である。
特許文献1のソフトエラー自動修復機能付メモリシステムは、図9に示すように、コンピュータプログラムやデータを記憶保持するメモリ装置80と、メモリ装置80にアクセスして計算・演算・制御などの処理を実施するCPU35と、CPU35に接続される無線I/F(Interface:インターフェース)40と、CPU35に接続された有線I/F50と、を備える制御装置90と、コンピュータプログラムやデータを保持し、これを要求により配信可能な機能を有する情報処理装置であるところのサーバー60と、から構成されている。
制御装置90の備えるメモリ装置80は、コンピュータプログラムやデータを記憶保持し、これらのデータをリード(読出し)/ライト(書込み)可能な、3個で一組のメモリ10(10−1、10−2、10−3)と、該メモリ10へのデータのリード/ライトを行うと共に、該メモリ10内に発生したソフトエラーなどの不具合の検出/修復を行うエラー検出制御回路20と、から構成されている。
図10は、図9のメモリ装置80の一例を示す詳細ブロック図である。なお、図10において図9に示す構成要素に対応するものは同一の参照数字または符号を付している。
図10において、先ず、3個で一組のメモリ10の各々は、ユーザデータ領域11(11−1、11−2、11−3)と冗長データ領域12(12−1、12−2、12−3)とに区分されている。ユーザデータ領域11は、本メモリ装置80を使用するユーザが自由にアクセス可能な領域であり、CPU35の制御により自由にデータをリード/ライト可能な領域である。データのリード/ライトの単位は、本メモリ装置80の使用形態に応じて、如何様な単位のデータでも良く、例えばバイト単位、ワード単位、或いはレコード単位(複数バイト或いは複数ワードから構成される記憶の単位)とする事が可能である。
次に、図9、図10に示したソフトエラー自動修復機能付メモリシステムの動作について以下に明記する。
制御装置90のCPU35は、メモリ10にメモリ装置80を使用するユーザのデータを書込む場合には、メモリ10の指定するアドレスに該データをライトするよう、メモリ装置80に対してライト要求を送出する。ライト要求は、本メモリ装置80の使用形態に応じて、バイト単位、ワード単位、或いはレコード単位の何れでも可能である。メモリ装置80は、バイト単位のライト要求であればバイト単位の冗長データを生成し、ワード単位のライト要求であればワード単位の冗長データを生成し、レコード単位の要求であればレコード単位の冗長データを生成するようになっている。
データのライト要求を受けたメモリ装置80は、該ライト要求をエラー検出制御回路20のメモリライト部21に送出し、メモリライト部21は、ライト要求されたデータをメモリ10−1のユーザデータ領域11−1内の該当アドレスにライトすると共に、該データの冗長データを自動的に生成し、該冗長データを冗長データ領域12−1の該当アドレス対応部分にライトし、蓄積する。そして、該データと該冗長データを、他の2つのメモリ10−2、10−3の該当アドレス対応部分にコピーして上書きする。そして、メモリライト部21は、3つのメモリ10(10−1、10−2、10−3)のデータのライトを終了した時点で、該3つのメモリ10内に記憶保持されたデータの一致性を確認して、データのライト終了通知をCPU35に対して送出する。
データのライト終了通知を受けたCPU35は、次にメモリ10にライトすべきデータが存在する場合には、該次のデータのライト要求をメモリ装置80に送出することにより、メモリ装置80は上述と同様の動作を行って、3つのメモリ10(10−1、10−2、10−3)内に同一のデータを記憶保持する。
次に、CPU35がメモリ10からデータを読み出す場合には、メモリ10のアドレスを指定したデータのリード要求を、メモリ装置80に送出する。
データのリード要求を受けたメモリ装置80は、該リード要求をエラー検出制御回路のメモリリード部22に送出し、メモリリード部22は、リード要求されたデータを、メモリ10−1のユーザデータ領域11−1内の該当アドレスからリードすると共に、該データの冗長データを冗長データ領域12−1の該当アドレス対応部分からリードする。そして、該データと該冗長データとから、該データにソフトエラー等の不具合が発生しているか否かの検査を行う。
検査の結果、該データにソフトエラー等の不具合が検出されなければ、該データにはエラーが無いので、これをリード終了通知と共にCPU35に送出する。
メモリリード部22による検査の結果、該データにソフトエラー等の不具合が検出された場合には、メモリリード部22は、該データのアドレスをエラー修復部23に通知する。
エラー修復部23は、該アドレスのデータを、既にリードを行ったメモリ10−1からでなく、メモリ10−2のユーザデータ領域11−2内の該当アドレスからリードすると共に、該データの冗長データを冗長データ領域12−2の該当アドレス対応部分からリードする。そして、該データと該冗長データとから、該データにソフトエラー等の不具合が発生しているか否かの検査を行う。検査の結果、該データに不具合が検出されなければ、該データ、すなわち、メモリ10−2からリードしたデータをメモリリード部22に送出し、メモリリード部22は該データをリード終了通知と共にCPU35に送出する。さらに、エラー修復部23は、メモリ10−2の該データと該冗長データを、メモリ10−1のユーザデータ領域11−1と冗長データ領域12−1とにライトし直すことにより、メモリ10−1の修復を行う。
エラー修復部23がメモリ10−2をリードした際、メモリ10−2からもエラーが検出された場合には、エラー修復部23は、該アドレスのデータを、既にリードを行ったメモリ10−1、10−2からではなく、メモリ10−3のユーザデータ領域11−3内の該当アドレスからリードすると共に、該データの冗長データを冗長データ領域12−3の該当アドレス対応部分からリードする。そして、該データと該冗長データとから、該データにソフトエラー等の不具合が発生しているか否かの検査を行う。検査の結果、該データに不具合が検出されなければ、該データ、すなわち、メモリ10−3からリードしたデータをメモリリード部22に送出し、メモリリード部22は該データをリード終了通知と共にCPU35に送出する。さらに、エラー修復部23は、メモリ10−3の該データと該冗長データをメモリ10−1及び10−2のユーザデータ領域11−1、11−2と冗長データ領域12−1、12−2とにライトし直すことにより、メモリ10−1、10−2の修復を行う。
エラー修復部23が、メモリ10−2及びメモリ10−3の両者からエラーを検出した場合には、エラー修復部23によるエラー修復は不可能である為、メモリリード部22に対してエラー修復不可能の旨を通知し、メモリリード部22は、エラー修復不可能通知をエラーの発生したアドレスと共にCPU35に対して送出する。
CPU35が、メモリリード部22からリード終了通知を受けた場合には、CPU35は、該リード終了通知と共に送出された該データすなわちエラーの無いデータを使用して、必要とする処理を実行する。
CPU35が、メモリリード部22からエラー修復不可能通知を受けた場合には、CPU35は、有線I/F50を起動してエラーの発生したデータのアドレス情報をサーバー60に送信するよう指示を行う。有線I/F50は、有線ネットワーク55を介してサーバー60に送出する。サーバー60は、該当アドレスにエラーが発生したことを履歴として記憶蓄積すると共に、該当アドレスのデータを自身が記憶保持している記憶装置から取り出し、これを有線ネットワーク55を介して配信し、通線I/F50に対して送出する。有線I/F50は、サーバー60から配信された該当データをCPU35に送出する。
サーバー60から配信された該当データを有線I/F50から受けたCPU35は、該当データをメモリ10の該当アドレスに再度ライトするよう、メモリ装置80に対してライト要求を送出する。メモリ装置80は上述した通常時のライト要求を受けたと同様の動作を行い、該当データをメモリ10(10−1、10−2、10−3の3つのメモリ)の該当アドレスにライトする。これにより、該当アドレスのデータは、元通りのエラー無いデータとして修復されることとなる。なお、CPU35がメモリ10に再ライトした該当データにつき、再度、有線I/F50を介してサーバー60への問合せを送出し、サーバー60から再度、該当データを配信させ、該当データの正当性をチェックさせるようにすることにより、データの修復の信頼性を一層高めることが可能となる。
特開2004−38468号公報
上述したように、特許文献1のソフトエラー自動修復機能付メモリ装置は、CPUとデータの記憶部としてのメモリ装置とを有する装置であって、メモリ装置が、データを記憶保持すると共にデータのリード/ライトが可能な3個一組のメモリと、CPUの制御によりメモリへのデータのリード/ライトを実行すると共に、メモリ内に発生したソフトエラーなどの不具合の検出/修復を行うエラー検出制御回路を備えた構成となっている。
しかしながら、特許文献1のエラー発生時の修復方法では、修正を行うタイミングがメモリのリード/ライト時のみとなっている。そのため、エラーの発生を逐次監視することが出来ないという課題があった。
また、3つのメモリのそれぞれにおいてデータと冗長データが一致していない場合、CPUがサーバーに命令を伝達してサーバーからリライト情報を入手後、メモリに再度、書込みを行うステップが必要である。そのため、3つのメモリに物理的要因によるハードエラーが発生した場合には、常に各メモリにおいてデータと冗長データの不一致が生じ、メモリへのリライトループが生じてしまう。そして、CPUでの割込みの優先順位が高く設定されていなければ、命令の待ち状態が生じてしまい、エラーが発生したことをサーバーに履歴として蓄積するものの、エラーの要因が何であるかの判定が出来ない。
本発明にかかる半導体集積回路は、入力信号を記憶保持する複数の記憶素子と、前記複数の記憶素子からの出力の多数決結果を出力する多数決回路と、前記複数の記憶素子の出力不一致を検出し、エラー信号を出力するエラー検出回路と、前記エラー検出回路からの前記エラー信号を監視する監視回路と、を備え、前記監視回路は、前記エラー信号をもとに、前記複数の記憶素子のうち、出力不一致が発生している記憶素子に対して書き戻しを行うリフレッシュ動作を指示するとともに、前記リフレッシュ動作により書き戻らなかった場合には外部に通知を行うものである。これにより、エラーの要因がハードエラーであった場合に、CPU動作に依存することなく、リフレッシュループが発生するのを防止できる。
本発明によれば、より信頼性の高い半導体集積回路を提供することができる。
実施の形態1に係る半導体集積回路の全体構成を示すブロック図である。 実施の形態1に係る半導体集積回路に用いられる監視回路の一例を示す回路図である。 実施の形態1に係る半導体集積回路に用いられるクロック制御回路の一例を示す回路図である。 実施の形態1に係る半導体集積回路のエラー検出方法の流れを示すフローチャートである。 実施の形態1に係る半導体集積回路のタイミングチャートである。 実施の形態1に係る半導体集積回路のタイミングチャートである。 実施の形態2に係る半導体集積回路の全体構成を示すブロック図である。 実施の形態2に係る半導体集積回路のエラー検出方法の流れを示すフローチャートである。 特許文献1に開示されたソフトエラー自動修復機能付メモリシステムの構成を示すブロック図である。 図9のメモリ装置80の一例を示す詳細ブロック図である。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。また、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略されている。尚、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、説明が省略されている。
実施の形態1.
始めに、本実施の形態に係る半導体集積回路の構成について、図1〜図3を用いて説明する。図1は、実施の形態1に係る半導体集積回路の全体構成を示すブロック図である。図2は、実施の形態1に係る半導体集積回路に用いられる監視回路の一例を示す回路図である。図3は、実施の形態1に係る半導体集積回路に用いられるクロック制御回路の一例を示す回路図である。
本実施の形態に係る半導体集積回路は、図1に示すように、3つのフリップフロップF11,F12,F13と、多数決回路7と、エラー検出回路2と、監視回路3と、クロック制御回路4と、3つのセレクタS1,S2,S3とを備えている。
フリップフロップF11,F12,F13(以下、各フリップフロップを区別しない場合は、単に、フリップフロップF1と称する)の入力端子は、セレクタS1,S2,S3(以下、各セレクタを区別しない場合は、単に、セレクタSと称する)の出力端子とそれぞれ接続されている。フリップフロップF11,F12,F13は、それぞれが記憶素子として機能する。セレクタS1,S2,S3からの出力信号B1,B2,B3のレベルが、3つのフリップフロップF11,F12,F13のそれぞれに格納される。
フリップフロップF11は、入力されるクロック信号CLK1に同期して、セレクタS1からの出力信号B1を遷移させて、出力信号B4として出力する。同様に、フリップフロップF12は、入力されるクロック信号CLK2に同期して、セレクタS2からの出力信号B2を遷移させて、出力信号B5として出力する。また、フリップフロップF13は、入力されるクロック信号CLK3に同期して、セレクタS3からの出力信号B3を遷移させて、出力信号B6として出力する。
3つのフリップフロップF11,F12,F13のそれぞれの出力端子は、多数決回路7とエラー検出回路2とに接続されている。すなわち、フリップフロップF11,F12,F13から出力される出力信号B4,B5,B6は、多数決回路7とエラー検出回路2とに入力される。
多数決回路7は、フリップフロップF11,F12,F13から出力される出力信号B4,B5,B6を相互に比較し、多数決論理に従って決定したデータを多数決結果MJとして出力する。すなわち、多数決回路7は、入力される3つの出力信号B4,B5,B6のうちの1つが不一致である場合、一致する残りの2つのデータを多数決結果MJとして出力する回路である。そして、多数決回路7の多数決結果MJが、出力信号DOUTとして、半導体集積回路の外部に出力される。
ここで、フリップフロップなどの記憶素子に関して、中性子線がウェルに当たった際に寄生バイポーラ動作が原因で隣接した3個までのセルにマルチエラーが発生することが知られている(信学技報ICD2003-24,「16.7fA/cell Tunnel-Leakage-Suppressed 16Mb SRAM for Handling Cosmic-Ray-Induced Multi-Errors」参照)。すなわち、マルチエラーを避けるためにはウェルを分離するか、少なくとも3セル分に相当する間隔を空ければ十分であることが分かっている。従って、本実施の形態では、多数決回路7に入力される3つ出力信号B4,B5,B6のうちの2つ以上(半数以上)がデータ反転しないように、3つのフリップフロップF11,F12,F13が、それぞれ、ウェルを分離するか、もしくは少なくとも3セル分に相当する間隔を空けて配置されている。これにより、多数決回路7に入力される3つ出力信号B4,B5,B6が、ソフトエラーによって同時に反転するマルチエラーを防止することができる。つまり、多数決回路7に入力されるフリップフロップF11,F12,F13からの出力信号B4,B5,B6のうち半数以上がソフトエラーによって同時にデータ反転することを防止できる。よって、多数決回路7の出力を常に正しい値に保つことができる。
エラー検出回路2は、3つのフリップフロップF11,F12,F13の出力不一致を検出することによってエラー発生とエラー発生元を通知する回路である。エラー検出回路2は、多数決回路7に入力される、フリップフロップF11,F12,F13からの出力信号B4,B5,B6を常時監視し、これらが一致しているか否かの判定を行う。すなわち、エラー検出回路2は、3つのフリップフロップF11,F12,F13のいずれかにエラーが発生して出力信号B4,B5,B6のいずれかが不一致となっているか否かを判定し、その判定結果に応じてエラー信号E1を出力する。また、エラー検出回路2は、このエラー信号E1とともに、エラー発生元のフリップフロップに対応したエラー信号E2a,E2b,E2cを出力する。
具体的には、エラー検出回路2は、出力信号B4、B5、B6に不一致が生じていることを検出すると、エラー信号E1をHighにする。このとき、出力信号B4のみが不一致の場合(すなわち、出力信号B4が出力信号B5,B6と一致しない場合)、エラー検出回路2は、エラー信号E2aをHighにする。同様に、出力信号B5のみが不一致の場合(すなわち、出力信号B5が出力信号B4,B6と一致しない場合)、エラー検出回路2は、エラー信号E2bをHighにする。また、出力信号B6のみが不一致の場合(すなわち、出力信号B6が出力信号B4,B5と一致しない場合)、エラー検出回路2は、エラー信号E2cをHighにする。
従って、3つのフリップフロップF11,F12,F13からの出力信号B4,B5,B6が一致している場合には、エラー検出回路2から出力されるエラー信号E1,E2a,E2b,E2cはLowとなる。エラーが発生して3つのフリップフロップF11,F12,F13からの出力信号B4,B5,B6が不一致となっている場合には、エラー信号E1がHighになるとともに、エラー信号E2a,E2b,E2cのうちのいずれか1つが、エラー発生元のフリップフロップに対応してHighになる。このエラー検出回路2は、例えば、組み合わせ回路のみで構成することができる。
エラー検出回路2から出力されるエラー信号E1,E2a,E2b,E2cは、監視回路3に入力される。監視回路3は、エラー検出回路2の出力であるエラー信号E1,E2a,E2b,E2cを監視し、これらの信号を元に、エラー通知信号ERROR1,ERROR2、及びセレクト信号SELECT1,SELECT2,SELECT3を生成する。監視回路3は、出力不一致が発生しているフリップフロップに対して書き戻しを行うリフレッシュ動作を指示するとともに、リフレッシュ動作で正しい値に書き戻らなかった場合には外部に通知を行う。
具体的には、監視回路3は、出力信号B4,B5,B6のうちの1つが他と不一致であることを通知するエラー信号E1を検知した場合に、エラーを検出したとして、エラー通知信号ERROR1をHighにする。すなわち、エラー通知信号ERROR1は、多数決回路7に使用する3つのフリップフロップF11,F12,F13の出力信号B4,B5,B6のうちの1つが他と不一致であることを監視回路3が検知した場合に、Highになる。さらに、監視回路3は、入力されるエラー信号E2a,E2b,E2cに応じて、エラー発生元のフリップフロップに対して正しい値に書き戻しするリフレッシュ動作を行うためのセレクト信号SELECT1,SELECT2,SELECT3(以下、各セレクト信号を区別しない場合は、単に、セレクト信号SELECTと称する)を出力する。
リフレッシュ動作によりエラー発生元のフリップフロップF1が正しい値に書き換えられた場合、監視回路3は、エラーの原因がソフトエラーであったと判断し、エラー通知信号ERROR1をLowにする。リフレッシュ動作によりエラー発生元のフリップフロップF1が正しい値に書き戻らなかった場合には、監視回路3は、エラーの原因がソフトエラーではなくハードエラーであると判断し、エラー通知信号ERROR2をHighにする。このように、監視回路3は、リフレッシュ動作後に再度エラー検出を行うことによって、エラーの原因がソフトエラーによるものなのか、ハードエラーによるものなのかを判定する。
すなわち、フリップフロップF11,F12,F13の出力信号B4,B5,B6が不一致の場合、監視回路3は、エラー検出を2回続けて行う。そして、監視回路3は、エラー検出回路2からのエラー信号E1を検出した回数に基づいて、エラーの原因を判定する。1回目のエラー検出にて、エラーを検出した場合にはエラー通知信号ERROR1=High、エラー通知信号ERROR2=Lowが出力され、2回目のエラー検出にて、再度エラーを検出した場合には、エラー通知信号ERROR1=High、エラー通知信号ERROR2=Highが出力される。なお、エラー通知信号ERROR1,ERROR2は、半導体集積回路から外部へ出力される信号である。また、監視回路3には、外部から入力されるリセット信号RST及び入力クロックCLK0が入力されるようになっている。
監視回路3は、例えば、図2に示すように、フリップフロップF61、F62、F7、F8、F9、F10を有する構成とすることができる。フリップフロップF61、F62は非同期信号であるエラー信号E1を同期化することを目的に用いられる。フリップフロップF61にはエラー信号E1が入力され、このフリップフロップF61からの出力信号がフリップフロップF62に入力される。フリップフロップF62の出力は、エラー通知信号ERROR1として外部にソフトエラーが発生した事を通知する。フリップフロップF7は、フリップフロップF62から出力されるエラー通知信号ERROR1に基づいて、出力信号B7を出力する。
フリップフロップF8は、エラー発生元のフリップフロップのリフレッシュ動作を行う際に訂正対象となるフリップフロップにクロックを入力する為のタイミングを、出力信号B8として生成している。フリップフロップF8は、フリップフロップF62からのエラー通知ERROR1と、フリップフロップF7からの出力信号B7とから生成される、コントロール信号CONTROLを元に、出力信号B8を出力する。そして、この出力信号B8と、エラー検出回路2から入力されるエラー信号E2a,E2b,E2cを元に、セレクト信号SELECT1,SELECT2,SELECT3のいずれかがHighになる。
フリップフロップF9は、リフレッシュ動作後にアクティブとなるリフレッシュ判定タイミング信号B9を生成する。フリップフロップF9は、フリップフロップF8からの出力信号B8に基づいて、リフレッシュ判定タイミング信号B9を生成する。フリップフロップF10は、ハードエラーによるエラー通知信号ERROR2信号を生成する。リフレッシュ判定タイミング信号B9がHighでかつ、エラー信号E1がHighの場合には、エラー発生元のフリップフロップが訂正できなかったため物理的な要因があると判定して、外部にエラー通知信号ERROR2を出力する。
このような構成により、監視回路3では、エラー検出回路2が検出したエラーに対して、リフレッシュ動作の制御と、外部への通知とを行う。ただし、それぞれの信号の初期値は、エラー通知信号ERROR1=Low、エラー通知信号ERROR2=Low、セレクト信号SELECT1=Low、セレクト信号SELECT2=Low、セレクト信号SELECT3=Lowとする。
監視回路3から出力されるセレクト信号SELECTは、セレクタSとクロック制御回路4とに入力される。このセレクト信号SELECTは、エラー発生元のフリップフロップに対して正しい値に書き戻しするリフレッシュ動作を行うためのセレクト信号として使用される。また、セレクト信号SELECTは、リフレッシュ動作を行う際のクロック入力イネーブル信号として使用される。
セレクタSには、監視回路からのセレクト信号と、外部からの入力信号DINと、多数決回路7からの多数決結果MJとが入力される。入力信号DINは、フリップフロップF1に値を書き込むために外部から入力される入力信号である。セレクタSは、入力されるセレクト信号SELECTに応じて、入力信号DINと多数決結果MJのどちらかを選択して出力する。セレクタSは、リフレッシュ動作時には、エラー発生元のフリップフロップに多数決回路7の多数決結果MJが入力する制御に切り替えを行う。
具体的には、セレクタS1は、セレクト信号SELECT1がLowのときには出力信号B1として入力信号DINを出力し、セレクト信号SELECT1がHighのときには出力信号B1として多数決結果MJを出力する。同様に、セレクタS2は、セレクト信号SELECT2がLowのときには出力信号B2として入力信号DINを出力し、セレクト信号SELECT2がHighのときには出力信号B2として多数決結果MJを出力する。また、セレクタS3は、セレクト信号SELECT3がLowのときには出力信号B3として入力信号DINを出力し、セレクト信号SELECT3がHighのときには出力信号B3として多数決結果MJを出力する。
クロック制御回路4は、3つのフリップフロップF11,F12,F13のライト/リライトする為のクロック制御を行う。クロック制御回路4は、監視回路3から入力されるセレクト信号SELECTと、外部から入力される書込み許可信号REG_WRと、外部から入力される入力クロックCLK0とを元に、クロック信号CLK1,CLK2,CLK3を生成する。なお、書込み許可信号REG_WRは、3つのフリップフロップF11,F12,F13への書込みを許可する信号である。
クロック制御回路4は、例えば、図3に示すように、3つのフリップフロップF41,F42,F43を有する。フリップフロップF41は、セレクト信号SELECT1又は書込み許可信号REG_WRが入力されると、入力される入力クロックCLK0に同期して、イネーブル信号EN1を出力する。このイネーブル信号EN1を元に、入力クロックCLK0に同期したクロック信号CLK1が生成される。
同様に、フリップフロップF42は、セレクト信号SELECT2又は書込み許可信号REG_WRが入力されると、入力される入力クロックCLK0に同期して、イネーブル信号EN2を出力する。このイネーブル信号EN2を元に、入力クロックCLK0に同期したクロック信号CLK2が生成される。また、フリップフロップF43は、セレクト信号SELECT3又は書込み許可信号REG_WRが入力されると、入力される入力クロックCLK0に同期して、イネーブル信号EN3を出力する。このイネーブル信号EN3を元に、入力クロックCLK0に同期したクロック信号CLK3が生成される。
次に、上記のように構成された半導体集積回路の動作について、図4を用いて説明をする。図4は、実施の形態1に係る半導体集積回路のエラー検出方法の流れを示すフローチャートである。
まず、初期状態では、セレクタS1,S2,S3に入力されるセレクト信号SELECT1、SELECT2,SELECT3がLowとなっており、セレクタS1、S2,S3から入力信号DINが選択されて出力信号B1,B2,B3として出力される状態となっている。入力信号DINを3つのフリップフロップF11,F12,F13に書込む場合には、フリップフロップへの書き込み許可信号REG_WRをCPUアクセスによりHighにして、クロック制御回路4からクロック信号CLK1,CLK2,CLK3を出力する。
クロック信号CLK1,CLK2,CLK3が入力されたフリップフロップF11,F12,F13には、セレクタS1,S2,S3からの出力信号B1,B2,B3が入力され、入力信号DINのレベルが格納される。このようにして、入力信号DINを3つのフリップフロップF11,F12,F13のそれぞれに入力する(ステップS401)。各フリップフロップF11,F12,F13からの出力信号B4,B5,B6が多数決回路7に入力されると、多数決回路7はそれらの多数決結果MJを出力する。そして、この多数決結果MJが外部に出力信号DOUTとして出力される。このように、同一のデータを3つのフリップフロップF1に書き込んでおき、多数決をとることにより、いずれかのデータが消失しても元のデータを正しく読み出すことができる。
エラー検出回路2は、各フリップフロップF11,F12,F13からの出力信号B4,B5,B6が入力されると、出力信号B4,B5,B6が一致しているか否かの判定を行う(ステップS402)。判定の結果、出力信号B4,B5,B6が一致している場合には、エラー検出回路2はエラー信号E1=Highを監視回路3に入力する(ステップS403)。これを受けた監視回路3は、フリップフロップF11,F12,F13にエラーが発生していないと判断し、エラー通知信号ERROR1,ERROR2=Low,セレクト信号SELECT1,SELECT2,SELECT3=Lowを出力する(ステップS404)。
ステップS402における判定の結果、出力信号B4,B5,B6が一致していない場合には、エラー検出回路2はエラー信号E1=Highを監視回路3に入力する(ステップS405)。また、エラー検出回路2は、不一致が生じている出力信号に応じたいずれかのエラー信号E2a,E2b,E2cをHighにし、監視回路3に入力する。監視回路3は、これらの信号を元に、エラー検出を行う。ここでは、例えば、エラー信号E1をもとに生成された、出力信号B7の否定とエラー通知信号ERROR1とがともにHighであるか否かを判定する(ステップS406)ことによって、エラー検出が行われる。
ステップS406のエラー検出では、監視回路3にて、最初はYesが判定される。そして、監視回路3は、フリップフロップF11,F12,F13にエラーが発生していると判断し、エラー通知信号ERROR1=High,エラー通知信号ERROR2=Low,エラー発生元のフリップフロップに対応したいずれかのセレクト信号SELECT=Highを出力する(ステップS407)。
このセレクト信号により、リフレッシュ動作が実行され、エラー発生元のフリップフロップの保持値の訂正が行われる(ステップS408)。具体的には、クロック制御回路4は、監視回路3から入力されるセレクト信号SELECTに対応して、クロック信号CLK1,CLK2,CLK3のいずれかを出力する。また、3つのセレクタSのうち、監視回路3からセレクト信号SELECT=Highが入力されたセレクタSは、フリップフロップF1への出力を多数決回路7からの多数決結果MJに切り替えを行う。このようにして、エラー発生元のフリップフロップF1は、データの書き直しを行う。
リフレッシュ動作後、エラー発生元のフリップフロップF1が正しい値に書き換えられているかどうかの確認のため、ステップS402が再度実行される。
リフレッシュ動作によりエラー発生元のフリップフロップF1が正しい値に書き換えられた場合、ステップS402の判定においてYesと判断される。そして、ステップS403にて、エラー検出回路2はエラー信号E1=Lowを監視回路3に入力する。その後、ステップS404にて、監視回路3は、フリップフロップF1にエラーが発生していないと判断し、エラー通知信号ERROR1,ERROR2=Low,セレクト信号SELECT1,SELECT2,SELECT3=Lowを出力する。
一方、リフレッシュ動作によりエラー発生元のフリップフロップF1が正しい値に書き戻らなかった場合には、ステップS402の判定においてNoと判断される。そして、ステップS405にて、エラー検出回路2はエラー信号E1=Highを監視回路3に入力する。次に、テップS406にて、出力信号B7の否定とエラー通知信号ERROR1とがともにHighであるか否かを再度判定する。すなわち、監視回路3は、エラー検出回路2から入力される信号を元に、再びエラー検出を行う。
ステップS406のエラー検出では、監視回路3にて、2回目はNoが判定される。そして、監視回路3は、フリップフロップF11,F12,F13のいずれかにハードエラーが発生していると判断し、エラー通知信号ERROR1,ERROR2=High,セレクト信号SELECT1,SELECT2,SELECT3=Lowを出力する(ステップS409)。このようにして、エラー通知信号ERROR2がHighとなって出力され、この信号をもとにリフレッシュ動作を停止させることができる。
図5及び図6は、実施の形態1に係る半導体集積回路のタイミングチャートである。図5は、リフレッシュ動作によりエラー発生元のフリップフロップが正しい値に訂正された場合の動作、図6は、リフレッシュ動作を行ってもエラー発生元のフリップフロップを正しい値に訂正できない場合の動作をそれぞれ示す。
図5及び図6に示す何れの場合の動作においても、まず、ステップS401にて入力信号DINを3つのフリップフロップF11,F12,F13のそれぞれに入力する。そして、ステップS402にて、エラー検出回路2が出力信号B4,B5,B6が一致しているか否かの判定を行う。このステップS402が、タイミングT0に対応している。次に、ステップS405にて、エラー信号E1=Highを監視回路に入力する。そして、ステップS406の監視回路3によるエラー検出にてYesと判断され、ステップS407が実行される。このステップS407がタイミングT1となる。その後、S408にてエラー発生元のフリップフロップF1へのリフレッシュ動作が実行される。このステップS408がタイミングT2となる。これにより、監視回路3から出力されるエラー通知信号ERROR1がHigh、エラー通知信号ERROR2がLowとなる。
次に、再びステップS402にて、エラー検出回路2が出力信号B4,B5,B6が一致しているか否かの判定を行う。この2回目のステップS402が、タイミングT3となる。ここで、図5に示す場合の動作では、リフレッシュ動作によりエラー発生元のフリップフロップが正しい値に訂正された場合の動作であり、エラー検出回路2からのエラー信号E1がHighからLowに変化する。そのため、ステップS403にて、エラー信号E1=Lowが監視回路3に入力され、ステップS404が実行される。これにより、監視回路3から出力されるエラー通知信号ERROR1がLow、エラー通知信号ERROR2がLowとなる。
一方、図6に示す場合の動作では、リフレッシュ動作を行ってもエラー発生元のフリップフロップを正しい値に訂正できない場合の動作であり、出力信号B4,B5,B6のうちの1つが他と不一致である状態が継続されるため、エラー検出回路2からのエラー信号E1がHighのままである。そのため、ステップS405にて、エラー信号E1=Highが監視回路3に入力される、そして、ステップS406の監視回路3によるエラー検出にてNoと判断され、ステップS409が実行される。これにより、監視回路3から出力されるエラー通知信号ERROR1がHigh、エラー通知信号ERROR2がHighとなる。
以上のように、本実施の形態では、エラー検出回路2にて多数決回路7に入力される3つのフリップフロップF1の出力不一致の検出を行い、出力不一致発生の場合には、監視回路3に通達し、正しい値に書き戻すためのリフレッシュ動作を行う。監視回路3は、リフレッシュ動作で正しい値に書き戻された場合には、発生したエラーがソフトエラーであったと判断する。リフレッシュ動作で正しい値に書き戻らなかった場合には、発生したエラーがハードエラーであると判断し、外部に通知を行う。これにより、監視回路3によりエラー発生要因の特定ができ、この情報をもとに、リフレッシュ動作を停止させることが可能である。このように、本実施の形態では、エラーの要因がハードエラーであった場合に、CPU動作に依存することなく、リフレッシュループ(リライトループ)が発生するのを防止できる。
また、多数決回路7に入力される3つのフリップフロップF1の出力は、エラー検出回路2にて常時監視を行っている。これにより、エラーの発生を逐次監視することができ、発生したソフトエラーの修正を常時行うことができる。さらに、3つのフリップフロップF1がそれぞれウェルを分離するか、もしくは少なくとも3セル分に相当する間隔を空けて配置されている。これにより、多数決回路7に入力される3つ出力信号B4,B5,B6が、ソフトエラーによって同時に反転するマルチエラーを防止することができる。よって、多数決回路7の出力を常に正しい値に保つことができる。従って、これらのことから、本実施の形態によれば、より信頼性の高い半導体集積回路及びそのエラー検出方法を提供することができる。
実施の形態2.
本実施の形態に係る半導体集積回路の構成について、図7を用いて説明する。図7は、実施の形態2に係る半導体集積回路の全体構成を示すブロック図である。実施の形態1では、監視回路3が、1つの多数決回路7に入力される、フリップフロップからの出力を監視する場合について説明を行ったが、本実施の形態では、複数の多数決回路7に入力される、フリップフロップからの出力を同時に監視するようにしたものである。
図7において、本実施の形態の監視回路3には、実施の形態1の監視回路3に、他の周辺回路5,6のエラー検出回路2からのエラー信号が新たに入力される構成になっている。具体的には、周辺回路5の図示しないエラー検出回路2からのエラー信号E3,E4a,E4b,E4cと、周辺回路6の図示しないエラー検出回路2からのエラー信号E5,E6a,E6b,E6cとが、監視回路3に入力される。また、監視回路3から、周辺回路5にセレクト信号SELECT4,SELECT5,SELECT6、周辺回路6にセレクト信号SELECT7,SELECT8,SELECT9が入力される。
監視回路3は、複数のエラー検出回路2からのエラー信号に基づいて、出力不一致が発生しているフリップフロップに対して書き戻しを行うリフレッシュ動作を指示するとともに、リフレッシュ動作で正しい値に書き戻らなかった場合には外部に通知を行う。すなわち、1つの監視回路3で、MCU内の他の周辺回路5,6に使用されている多数決回路7へ入力信号のうち1つが他と不一致かどうかをも監視することが出来る。それ以外の構成については実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。なお、図7では、2つの周辺回路5,6のみを図示しているが、周辺回路の数は2つに限るものではない。すなわち、多数決回路7を使用している複数の周辺回路への対応が可能である。
図8は、実施の形態2に係る半導体集積回路のエラー検出方法の流れを示すフローチャートである。図8に示すフローチャートは、図4で示した実施の形態1のフローチャートに、他の周辺回路でエラーが発生しているか否かを判定するステップS410と、監視回路3内部のエラー信号E1をHighにするステップ411とを新たに追加したものである。
具体的には、ステップS401にて入力信号DINを3つのフリップフロップF11,F12,F13のそれぞれに入力した後、ステップS402にて出力信号B4,B5,B6が一致しているか否かの判定をエラー検出回路2が行う。判定の結果、出力信号B4,B5,B6が一致している場合には、ステップS403にてエラー検出回路2はエラー信号E1=Lowを監視回路3に入力する。
ステップS403の後、本実施の形態では、MCU中の他の周辺回路5,6において多数決回路7への入力信号のうちの1つが他と不一致かどうかの確認を行う(ステップS410)。ステップS410における判定の結果、MCU中の他の周辺回路の多数決回路に入力される信号に不一致が生じていない場合にはNoと判断される。そして、ステップS404を実施し、他の周辺回路5,6の多数決回路7に入力される信号が一致していることを通知する。
ステップS410における判定の結果、MCU中の他の周辺回路5,6の多数決回路7に入力される信号に不一致が生じている場合にはYesと判断される。そして、監視回路3に入力されるエラー信号E1をHighにする制御を行う(ステップS411)。ステップS410及びステップS411により、他の周辺回路5,6で使用される多数決回路7に入力される信号に不一致が生じているかどうかを監視することが可能となる。その後、ステップS406を実施するが、ステップS406以降のフローは実施の形態1と同様であるため説明を省略する。
このように、本実施の形態では、監視回路3が、1つの多数決回路7入力される、フリップフロップF1からの出力を監視するだけでなく、複数の多数決回路7に入力される、フリップフロップからの出力をも同時に監視することができる。また、実施の形態1と同様の効果を奏することができる。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、上記実施の形態1,2では、3つのフリップフロップF1から出力される3つの出力信号B4,B5,B6を入力とする3ビット多数決回路7を用いた場合について例示的に説明をしたが、フリップフロップF1の数は3つに限るものではない。すなわち、本発明は、3つ以上の奇数個のフリップフロップF1から出力される出力信号を入力とする多数決回路7に対しても適用することができる。また、上記説明では、記憶素子としてフリップフロップF1を用いたが、メモリなど、リード/ライト可能な他の記憶素子を用いることももちろん可能である。
2 エラー検出回路、3 監視回路、4 クロック制御回路、
5、6 周辺回路、7 多数決回路、
10、10−1、10−2、10−3 メモリ、
11、11−1、11−2、11−3 ユーザデータ領域、
12、12−1、12−2、12−3 冗長データ領域、
20 エラー検出制御回路、21 メモリライト部、
22 メモリリード部、23 エラー修復部、
35 CPU、40 無線I/F、50 有線I/F、
55 有線ネットワーク、60 サーバー、
80 メモリ装置、90 制御装置、
B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7、B8 出力信号、
B9 リフレッシュ判定タイミング信号
CLK0 入力クロック、
CLK1,CLK2,CLK3 クロック信号、
CONTROL コントロール信号、
DIN 入力信号、DOUT 出力信号、
E1、E2a、E2b、E2c エラー信号、
E3、E4a、E4b、E4c エラー信号、
E5、E6a、E6b、E6c エラー信号、
EN1、EN2、EN3 イネーブル信号、
ERROR1、ERROR2 エラー通知信号、
F1、F7、F8、F9 フリップフロップ、
F11、F12、F13、 フリップフロップ、
F41、F42、F43、F61、F62 フリップフロップ、
MJ 多数決結果、REG_WR 書込み許可信号、
RST リセット信号、S、S1、S2、S3 セレクタ、
SELECT セレクト信号、
SELECT1、SELECT2、SELECT3 セレクト信号、
SELECT4、SELECT5、SELECT6 セレクト信号、
SELECT7、SELECT8、SELECT9 セレクト信号

Claims (5)

  1. 入力信号を記憶保持する複数の記憶素子と、
    前記複数の記憶素子からの出力の多数決結果を出力する多数決回路と、
    前記複数の記憶素子の出力不一致を検出し、エラー信号を出力するエラー検出回路と、
    前記エラー検出回路からの前記エラー信号を監視する監視回路と、を備え、
    前記監視回路は、前記エラー信号をもとに、前記複数の記憶素子のうち、出力不一致が発生している記憶素子に対して書き戻しを行うリフレッシュ動作を指示するとともに、前記リフレッシュ動作により書き戻らなかった場合には外部に通知を行う半導体集積回路。
  2. 前記エラー検出回路は、前記複数の記憶素子の出力を常時監視し、出力不一致が発生しているか否かの検出を行う請求項1に記載の半導体集積回路。
  3. 前記監視回路は、前記エラー信号を検出した回数に基づいて、不一致の要因がソフトエラーによるものなのか、ハードエラーによるものなのかを判定する請求項1又は2に記載の半導体集積回路。
  4. 前記複数の記憶素子は、それぞれ、ウェルを分離するか、もしくは少なくとも3セル分に相当する間隔を空けて配置されている請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体集積回路。
  5. 前記監視回路の出力により前記複数の記憶素子の入力を切替えるセレクタと、
    前記監視回路の出力により前記複数の記憶素子のそれぞれのクロックを制御するクロック制御回路と、をさらに備える請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体集積回路。
JP2010050785A 2010-03-08 2010-03-08 半導体集積回路 Active JP5421152B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010050785A JP5421152B2 (ja) 2010-03-08 2010-03-08 半導体集積回路
US13/040,501 US8843800B2 (en) 2010-03-08 2011-03-04 Semiconductor integrated circuit
US14/461,935 US9665448B2 (en) 2010-03-08 2014-08-18 Semiconductor integrated circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010050785A JP5421152B2 (ja) 2010-03-08 2010-03-08 半導体集積回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011188203A true JP2011188203A (ja) 2011-09-22
JP5421152B2 JP5421152B2 (ja) 2014-02-19

Family

ID=44532335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010050785A Active JP5421152B2 (ja) 2010-03-08 2010-03-08 半導体集積回路

Country Status (2)

Country Link
US (2) US8843800B2 (ja)
JP (1) JP5421152B2 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5699057B2 (ja) * 2011-08-24 2015-04-08 株式会社日立製作所 プログラマブルデバイス、プログラマブルデバイスのリコンフィグ方法および電子デバイス
US9990246B2 (en) * 2013-03-15 2018-06-05 Intel Corporation Memory system
US10567489B2 (en) * 2013-03-15 2020-02-18 Time Warner Cable Enterprises Llc System and method for seamless switching between data streams
KR20140134497A (ko) * 2013-05-14 2014-11-24 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 그것의 캐시 관리 방법
WO2015111176A1 (ja) * 2014-01-24 2015-07-30 株式会社日立製作所 プログラマブルデバイス、エラー保持システム、及び電子システム装置
FR3023038B1 (fr) * 2014-06-27 2016-07-22 Inria Inst Nat De Rech En Informatique Et En Automatique Procede de fabrication automatisee d'un circuit electronique adapte pour detecter ou masquer des fautes par redondance temporelle, programme d'ordinateur et circuit electronique associes
US10163508B2 (en) 2016-02-26 2018-12-25 Intel Corporation Supporting multiple memory types in a memory slot

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05265872A (ja) * 1992-03-17 1993-10-15 Fujitsu Ltd アクセス制御回路
JP2001290710A (ja) * 2000-04-10 2001-10-19 Toshiba Corp データエラー検出装置
JP2002185309A (ja) * 2000-12-18 2002-06-28 Hitachi Ltd データ保持回路および半導体装置並びに半導体装置の設計方法
JP2004038468A (ja) * 2002-07-02 2004-02-05 Nec Mobiling Ltd ソフトエラー自動修復機能付メモリ装置及びシステム並びにソフトエラー自動修復方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5812757A (en) * 1993-10-08 1998-09-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Processing board, a computer, and a fault recovery method for the computer
US20030228857A1 (en) * 2002-06-06 2003-12-11 Hitachi, Ltd. Optimum scan for fixed-wireless smart antennas
JP4237109B2 (ja) * 2004-06-18 2009-03-11 エルピーダメモリ株式会社 半導体記憶装置及びリフレッシュ周期制御方法
US7894282B2 (en) * 2005-11-29 2011-02-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Dynamic random access memory device and method of determining refresh cycle thereof
JP4512621B2 (ja) * 2007-08-06 2010-07-28 株式会社日立製作所 分散システム
US8032804B2 (en) * 2009-01-12 2011-10-04 Micron Technology, Inc. Systems and methods for monitoring a memory system
US8255773B2 (en) * 2009-06-29 2012-08-28 Sandisk Technologies Inc. System and method of tracking error data within a storage device
US8296604B1 (en) * 2009-10-12 2012-10-23 Xilinx, Inc. Method of and circuit for providing temporal redundancy for a hardware circuit

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05265872A (ja) * 1992-03-17 1993-10-15 Fujitsu Ltd アクセス制御回路
JP2001290710A (ja) * 2000-04-10 2001-10-19 Toshiba Corp データエラー検出装置
JP2002185309A (ja) * 2000-12-18 2002-06-28 Hitachi Ltd データ保持回路および半導体装置並びに半導体装置の設計方法
JP2004038468A (ja) * 2002-07-02 2004-02-05 Nec Mobiling Ltd ソフトエラー自動修復機能付メモリ装置及びシステム並びにソフトエラー自動修復方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9665448B2 (en) 2017-05-30
US20110219285A1 (en) 2011-09-08
US8843800B2 (en) 2014-09-23
JP5421152B2 (ja) 2014-02-19
US20140359403A1 (en) 2014-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5421152B2 (ja) 半導体集積回路
KR101374455B1 (ko) 메모리 에러와 리던던시
TWI269155B (en) Method and checker of checking for errors in an error correction code (ECC) protected mechanism and a computer system including the checker
WO2021169260A1 (zh) 一种系统板卡电源检测方法、装置、设备及存储介质
US10204698B2 (en) Method to dynamically inject errors in a repairable memory on silicon and a method to validate built-in-self-repair logic
US10761925B2 (en) Multi-channel network-on-a-chip
JP5506908B2 (ja) 集積回路における故障耐性
EP1416499B1 (en) Self-repairing built-in self test for linked list memories
US8862953B2 (en) Memory testing with selective use of an error correction code decoder
US20150318058A1 (en) Error injection and error counting during memory scrubbing operations
WO2015111176A1 (ja) プログラマブルデバイス、エラー保持システム、及び電子システム装置
US20200066367A1 (en) Memory device controller
Fiorin et al. Fault-tolerant network interfaces for networks-on-Chip
US9037948B2 (en) Error correction for memory systems
JP2010003355A (ja) 半導体装置
US8276108B2 (en) Circuit design apparatus and circuit design method
CN111880961A (zh) 用于透明寄存器数据错误检测和纠正的系统和方法
JP3139738B2 (ja) 論理回路
US20220398158A1 (en) Memory safety interface configuration
US9542266B2 (en) Semiconductor integrated circuit and method of processing in semiconductor integrated circuit
US20150279486A1 (en) System and method for adding error protection capability to a digital logic circuit
US9921906B2 (en) Performing a repair operation in arrays
US20140136910A1 (en) Data communication apparatus and control method
JP4497695B2 (ja) 半導体集積回路装置
JP2006011576A (ja) 高信頼性制御装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120808

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130823

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130827

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131011

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131105

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131121

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5421152

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350