JP2011188180A

JP2011188180A - 擬似大型撮像素子の製造方法および製造装置

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Publication number: JP2011188180A
Application number: JP2010050469A
Authority: JP
Inventors: Yuzo Ikeda; 祐三池田
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 2010-03-08
Filing date: 2010-03-08
Publication date: 2011-09-22

Abstract

【課題】複数の撮像素子を配列・搭載して疑似的に大型撮像素子を形成する際に、撮像素子毎に反りの具合が異なることにより、形成された大型撮像素子の撮像面の高さが大きくばらつく。
【解決手段】撮像素子３の撮像面の複数点の高さを計測し、それに基づいて撮像素子の反りやうねりの平均化された仮想平面ＶＰを算出する。撮像素子３を、その仮想平面が設定された搭載高さＳＨとなるように、実装基板１上に接合部材（接着剤等）２を介して搭載する。
【選択図】図７

Description

本発明は、擬似大型撮像素子の製造方法と製造装置に関し、より詳しくは実装基板上に複数の撮像素子を組み合わせ実装して一つの大型撮像素子を擬似的に形成する擬似大型撮像素子の製造方法およびその製造装置に関するものである。

人工衛星の地表をスキャンする光学センサや密着型ラインセンサなどに用いられる大型撮像素子は、１チップの撮像素子にて構成することは技術的に困難であるので、複数の撮像素子をマトリクス状ないしライン状に配置して擬似的に一つの撮像素子を構成することが行なわれている（例えば、特許文献１、２参照）。

図１２は、撮像素子の実装基板上への従来の搭載方法を示す説明図である。図１２に示されるように、実装基板１上に接合部材２を介して撮像素子３を搭載する。その際に、撮像素子３の撮像面に形成された認識マーク３ａの高さが設定搭載高さＳＨと一致するようになされる。１個目の撮像素子の搭載が完了したら、２個目の撮像素子を６軸ステージ１０４にて把持し、１個目の撮像素子の場合と同様に、その認識マーク３ａの高さが設定搭載高さＳＨとなるように、２個目の撮像素子３の搭載が行なわれる。以下、同様の方法を繰り返して擬似的に大型撮像素子を作製する。

特開２０００−２７８６０５号公報特開２００３−１６３７９６号公報

撮像素子は、チップが大型化しかつ薄型化が進行したことにより大きな反りやうねりが発生するようになってきている。ところが、従来の擬似大型撮像素子の製造方法では、撮像素子がその撮像面に持つ位置認識用の認識マークの高さから算出した平面を撮像面としてこれを実装基板上に予め設定された搭載高さに合わせて搭載していたため、例えば図１２に示すように、一つの撮像素子が上に凸に反っており他の撮像素子が下に凸に反っていた場合、撮像面の高さのばらつきが大きくなってしまい、撮像性能が悪化してしまう。
ここで、上記の不都合に対処する方法として、撮像素子の撮像面にある、素材に由来する反りやうねり等の許容値を小さくして反りやうねりの少ない撮像素子のみを使用する方法や反りやうねりを矯正する方法などがあり得るが、第１の方法は素子の歩留まりの低下を招き、第２の方法は製造工数増加と製造日数長期化を招き、いずれの方法も製造コストの増加要因となる。
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解決することであって、その目的は、格別な製造コストの増加を招くことなく撮像性能の高い擬似大型撮像素子を提供できるようにすることである。

上記の目的を達成するため、本発明によれば、実装基板上に複数の撮像素子を組み合わせ実装して一つの大型撮像素子を擬似的に形成する擬似大型撮像素子の製造方法において、撮像素子が実装基板の所定の位置上に位置するように撮像素子を保持する第１の工程と、実装基板上に保持された撮像素子の複数の表面高さを計測する第２の工程と、前工程の計測結果に基づいて反りやうねりの平均化された当該撮像素子の撮像面を示す仮想平面を求める第３の工程と、求められた仮想平面が実装基板上の所定の平面高さとなるように当該撮像素子を実装基板上に搭載する第４の工程と、を有する擬似大型撮像素子の製造方法
、が提供される。

また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、実装基板上に複数の撮像素子を組み合わせ実装して一つの大型撮像素子を擬似的に形成する擬似大型撮像素子の製造装置において、撮像素子を保持しつつその位置および傾きを任意に調整可能な撮像素子搭載部と、前記撮像素子搭載部に保持された撮像素子の撮像面若しくはそれと等価な面の形状情報を取得することができるカメラを備えた計測部と、前記計測部によって取得された撮像素子の撮像面の情報に基づいて撮像素子の撮像面の反り・うねりの平均化された撮像素子の仮想表面を算出する演算部と、撮像素子の実装基板上での取り付け位置を記憶する記憶部と、を備えた擬似大型撮像素子の製造装置、が提供される。

本発明によれば、各撮像素子の撮像面高さを概略揃えることができるので、撮像性能の向上を実現した擬似的な大型撮像素子を提供することができる。
そして、本発明によれば、撮像素子の撮像面にある、素材に由来する反りやうねり等の許容値を大きくすることで、撮像素子の矯正や厳格な品質管理を除外することができ、撮像素子の製作コスト削減と製作納期短縮を実現することができ、低コストの疑似大型撮像素子を短納期で提供することができる。

本発明の第１の実施の形態の製造方法を行なうための実装装置。本発明の第１の実施の形態の製造方法を示すフローチャート。本発明における撮像素子の撮像面の仮想平面の説明図。本発明の第１の実施の形態の製造方法のＳｔｅｐ２の動作を示す説明図。本発明の第１の実施の形態の製造方法のＳｔｅｐ３の動作を示す説明図。本発明の第１の実施の形態の製造方法のＳｔｅｐ４の動作を示す説明図。本発明の第１の実施の形態の製造方法のＳｔｅｐ６の動作を示す説明図。本発明の第１の実施の形態の製造方法のＳｔｅｐ６’の動作を示す説明図。本発明の第２の実施の形態の製造方法を示すフローチャート。本発明の第３の実施の形態の製造方法を行なうための実装装置。本発明の第３の実施の形態の製造方法を示すフローチャート。従来の製造方法の説明図。

次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態の製造方法を実施するための製造装置を示す構成図であり、図２は、第１の実施の形態の製造方法を示すフローチャートである。
図１に示されるように、本実施の形態の行なわれる製造装置は、機構部１００、制御部２００、真空発生源３００から構成される。機構部１００は、メインベース１０１上に構成される。すなわち、メインベース１０１上には基板ステージ１０２、搭載ステージ１０３、計測部支持部１０６が設置されている。

基板ステージ１０２は、撮像素子を搭載する実装基板１を把持する基板固定部１０２ａと、搭載前の撮像素子が一時設置される素子供給部１０２ｂとを有し、ＸＹステージ（図示なし）上に搭載されている。基板ステージ１０２は、ＸＹ方向に移動して実装基板１の認識マークおよび素子供給部１０２ｂにある撮像素子の認識マークをカメラ直下に位置させる。
搭載ステージ１０３には、撮像素子３を把持する吸着・把持部１０５と、吸着・把持部１０５を駆動する６軸ステージ１０４が設置されている。
計測支持部１０６には、実装基板１の認識マークおよび撮像素子３の認識マーク３ａを撮影するカメラ１０８と、撮像素子３の各部の位置（高さ）を計測するレーザ変位計１０７が搭載されている。撮像素子３の各部の位置の計測は、撮像素子３の撮像面の位置を計測することが好ましいが、これができない状況にあるときはこれに代え撮像面と等価とみなし得る面（例えば撮像素子裏面）を計測することもある。

制御部２００は、カメラ画像や各種情報を表示する表示部２０１と、カメラで撮影した画像から認識マークを認識する画像認識部２０２と、画像認識結果およびレーザ変位計の計測結果から撮像素子の姿勢や撮像面の仮想平面を算出する演算部２０３と、演算部で行った計算結果、カメラ画像、基板ステージおよび搭載ステージの移動量等を蓄積する記憶部２０４と、パラメータ等を入力する入力部２０５を備える。
ここで、撮像面の仮想平面について説明する。撮像素子が反りやうねりが発生することにより撮像面にもそれに倣った反りやうねりが発生することになるが、その反りやうねりが均された平面が仮想平面である。この仮想平面は、計測値の平均をとることによりあるいは計測値に最小二乗法を適用するなどの方法により算出されるものである。これを図３を用いて説明すると、撮像素子の撮像面３ｂが図３（ａ）の実線で示されるとすると、撮像面３ｂ上の計測値（計測基準高さＲＨからの高さ）は例えば×印の計測点３ｂ_１、３ｂ_２、３ｂ_３において得られる。仮想平面ＶＰは、図３（ｂ）に示すように、３ｂ_１、３ｂ_２、３ｂ_３での計測値と仮想平面との距離（差）がｈ_１、ｈ_２、ｈ_３で与えられるとき、その和が０となるように、あるいは距離の二乗の和が最小となるように定められるものである。
真空発生源３００は、搭載ステージ１０３の吸着・把持部１０５に接続されていて、撮像素子３を吸着・保持するために用いられる。

次に、図１〜８を参照して第１の実施の形態の製造方法について説明する。図４〜８は、各工程での動作説明図である。撮像素子を実装基板上に搭載するに際して、まず、実装基板および素子供給部にある撮像素子の認識マークを認識し、実装基板上の撮像素子の搭載位置を算出し、吸着・把持部が素子供給部にある撮像素子を把持するのであるが、ここまでの工程は図２には示されていない。なお、図２のフローは一つの撮像素子の搭載の工程を示すものであり、図２に示す工程を実装基板上に搭載される撮像素子の個数分の回数が繰り返されて一つの大型撮像素子が形成される。

Ｓｔｅｐ１では、レーザ変位計１０７により、撮像素子３の撮像面または撮像面に準ずる基準面（以下、単に撮像面と記す）の計測基準高さＲＨからの高さをＸ軸方向、Ｙ軸方向についてそれぞれ２点ずつ計測する。この測定は撮像素子の外周に近い位置にて行なう。計測点の内１点はＸ軸方向とＹ軸方向に共通であってもよい。ここで、計測基準高さＲＨは、実装基板１の表面に平行でその表面から一定の高さの平面を意味している。
Ｓｔｅｐ２では、Ｓｔｅｐ１の計測結果から、計測基準高さ平面に対する撮像面の傾きΔθｘおよびΔθｙを式（１）および式（２）より算出し、ΔθｘおよびΔθｙが０になるように撮像素子の姿勢を６軸ステージにより変化させる（図４）。Ｘ軸方向とＹ軸方向について同様の傾き調整を行なっているため、図４では、Δθｘ、Δθｙにおけるｘ、ｙの添え字が省略されている。
Δθｘ＝ｔａｎ^−１［(ｐ３−ｐ４)／Ｌｐ２］・・・（１）
Δθｙ＝ｔａｎ^−１［(ｐ１−ｐ２)／Ｌｐ１］・・・（２）
ここで、測定点１、２は、Ｙ軸方向についての測定点であり、測定点３、４は、Ｘ軸方向についての測定点である。また、
Δθｘ：計測基準高さ平面に対する撮像面のＸ軸方向の傾き
Δθｙ：計測基準高さ平面に対する撮像面のＹ軸方向の傾き
ｐ１：測定点１の計測基準高さからの高さ
ｐ２：測定点２の計測基準高さからの高さ
ｐ３：測定点３の計測基準高さからの高さ
ｐ４：測定点４の計測基準高さからの高さ
Ｌｐ１：測定点１と測定点２の距離
Ｌｐ２：測定点３と測定点４の距離
である。

Ｓｔｅｐ３では、図５に示すように、レーザ変位計により、撮像面の基準面からの高さをＸ軸方向およびＹ軸方向について計測する。レーザ変位計により計測する間隔は任意であるが、可能な限り細分化して計測点を増加させれば撮像面の反り量を精度のよく得ることができる。しかしながら、計測する間隔を細分化すると計測にかかる時間が増大するため製造にかかる時間から計測時間にあてられる時間を算出し、計測する間隔を予め適切に設定しておく必要がある。
Ｓｔｅｐ４では、Ｓｔｅｐ３で計測した結果から、撮像面の仮想平面を算出する（図６）。本実施の形態では、計測間隔ΔＬでＸ軸方向およびＹ軸方向に撮像面のｎx、ｎy点を計測した後、撮像面のＸ軸方向およびＹ軸方向の平均高さｈxave、ｈyaveを求め〔式（３）、（４）〕、更に式（５）から求まる平均高さｈaveを撮像面の平均高さとし、この平均高さの基準高さ平面と平行な面を撮像面の仮想平面としている。
ｈxave＝（ｈx1＋ｈx2＋ｈx3＋…＋ｈxn）/ｎx …（３）
ｈyave＝（ｈy1＋ｈy2＋ｈy3＋…＋ｈyn）/ｎy …（４）
ｈave＝（ｈxave＋ｈyave）/２ …（５）
なお、上記では、Ｘ軸方向の平均値とｈxaveとＹ軸方向の平均値ｈyaveとの平均値を取ることにより平均高さｈaveを求めていたが、式（６）のように、全ての測定値の単純平均から平均高さｈaveを求めてもよい。
ｈave＝（ｈx1＋ｈx2＋…＋ｈxn＋ｈy1＋ｈy2＋…＋ｈyn）/（ｎx＋ｎy） …（６）
また、Ｘ軸方向に複数列に撮像面の高さを測定し（すなわち、全面的に撮像面の高さを測定し）、その測定値の単純平均から平均高さｈaveを求めてもよい。

Ｓｔｅｐ５では、何個目の撮像素子を搭載しようとしているのかの判断を行なう。１個目の搭載であった場合、Ｓｔｅｐ６を経てＳｔｅｐ７を、２個目以降の搭載であった場合、Ｓｔｅｐ６’を経てＳｔｅｐ７を、それぞれ行なう。
Ｓｔｅｐ６では、吸着・把持部で把持している撮像素子の撮像面の仮想平面が予め設定した設定搭載高さＳＨに合うように、６軸ステージで撮像素子を実装基板に搭載する（図７）。ここで、設定搭載高さＳＨは、実装基板１の表面に平行でその表面から一定の高さの平面を意味している。
Ｓｔｅｐ６’では、吸着・把持部で把持している撮像素子の撮像面の仮想平面が１個目に搭載した撮像素子の仮想平面に合うように、６軸ステージで撮像素子を実装基板に搭載する（図８）。仮に、１個目に搭載した撮像素子の仮想平面が設定した搭載高さと異なっていた場合でも、基準となるのは１個目に搭載した撮像素子の仮想平面である。
Ｓｔｅｐ７では、搭載した撮像素子の仮想平面の姿勢および高さを、制御部の記憶部に記録する。
以上のＳｔｅｐ１〜Ｓｔｅｐ７の過程を実装基板上に搭載すべき撮像素子の個数分だけ行なう。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。本実施の形態において用いられる実装装置は、図１に示される第１の実施の形態において用いたものと同様であるので図示およびその詳細な説明は省略する。図９は、本発明の第２の実施の形態を示すフローチャートである。
Ｓｔｅｐ１では、レーザ変位計により、撮像面の計測基準高さからの高さをｎ個測定する。ｎ個の測定点は、一直線上に載ることがなくかつ撮像素子の全面に散らばるように選択される。
Ｓｔｅｐ２では、Ｓｔｅｐ１の計測結果に対し、式（７）〜（９）に示すように最小二乗法を適用して仮想表面を算出する。ここで、式（７）が求めるべき仮想表面を表す式である。
Ｚ＝ａＸ＋ｂＹ＋ｃ …（７）
Ｄ＝Σ(Ｚｉ−ａＸｉ−ｂＹｉ−ｃ)^２ …（８）
∂Ｄ/∂ａ＝∂Ｄ/∂ｂ＝∂Ｄ/∂ｃ＝０ …（９）
ここに、
ｉ＝１、２、…、ｎ
Ｘｉ＝計測点ｉのＸ座標
Ｙｉ＝計測点ｉのＹ座標
Ｚｉ＝計測点ｉのＺ座標
である。
なお、上記算出式の具体的な解法については、例えば、愛知県工業技術センター研究報告第３７号（２００１）「干渉計の参照平面誤差補正による高精度な平面度評価の一手法」などに詳しい。

Ｓｔｅｐ３では、何個目の撮像素子を搭載しようとしているのかの判断を行なう。１個目の搭載であった場合、Ｓｔｅｐ４、Ｓｔｅｐ５を経てＳｔｅｐ６を、２個目以降の搭載であった場合、Ｓｔｅｐ４’、Ｓｔｅｐ５’を経てＳｔｅｐ６を、それぞれ行なう。
Ｓｔｅｐ４では、Ｓｔｅｐ２で算出した吸着・把持部で把持している撮像素子の撮像面の仮想平面が、設定搭載高さＳＨの平面と合致するように、６軸ステージでXθ軸およびYθ軸について撮像素子の姿勢を補正する。
Ｓｔｅｐ４’では、Ｓｔｅｐ２で算出した吸着・把持部で把持している撮像素子の撮像面の仮想平面が、１個目に搭載した撮像素子の仮想平面に合うように、６軸ステージでXθ軸およびYθ軸について撮像素子の姿勢を補正する。仮に１個目に搭載した撮像素子の仮想平面が設定搭載高さＳＨの平面と平行となっていない場合でも、基準となるのは１個目に搭載した撮像素子の仮想平面である。
Ｓｔｅｐ５では、吸着・把持部で把持している撮像素子の撮像面の仮想平面が設定搭載高さＳＨに合うように、６軸ステージで撮像素子を実装基板に搭載する。
Ｓｔｅｐ５’では、吸着・把持部で把持している撮像素子の撮像面の仮想平面が１個目に搭載した撮像素子の仮想平面に合うように、６軸ステージで撮像素子を実装基板に搭載する。
Ｓｔｅｐ６では、搭載した撮像素子の仮想平面の姿勢および高さを、制御部の記憶部に記録する。

［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。図１０は、本実施の形態の行われる実装装置の構成図であり、図１１は、第３の実施の形態の製造方法を示すフローチャートである。
図１０に示される実装装置の図１に示される装置との違いは、図１の装置において装備されていたレーザ変位計が本実施の形態の装置においては省略されていることである。よって、図１０については、図１の装置と同等の部位には同一の参照記号を付し、装置についての詳しい説明は省略する。

本第３の実施の形態では、カメラによる撮影結果から撮像素子の撮像面の各部の高さを計測するので、構成機器の削減によるコスト低減という効果は期待できるが、撮像面を精度よく計測するためには撮影回数を増加させる必要があり、認識画像または画像認識結果の結合機能の追加や、算出時間の増加による動作時間の増加がデメリットとなる。
Ｓｔｅｐ１では、６軸ステージ１０４によりカメラ１０８を撮像素子３の所定の位置上に移動させる。
Ｓｔｅｐ２では、カメラ１０８により撮像素子の所定の位置を撮影する。
Ｓｔｅｐ３では、第１回目の撮影ではその画像を記録し、２回目以降の撮影ではそれまでの記録画像との合成が行われ、その合成画像が記録される。
Ｓｔｅｐ４では、撮像素子の撮像面が全面的に撮影されたかの判断を行なう。全面的に撮影されていない場合、Ｓｔｅｐ１に戻り、撮影が終了していた場合、Ｓｔｅｐ５に移行する。
Ｓｔｅｐ５では、Ｓｔｅｐ４にて合成された画像に処理を加えて撮像面の反りやうねりの平均化された仮想平面を算出する。

Ｓｔｅｐ６では、何個目の撮像素子を搭載しようとしているのかの判断を行なう。１個目の搭載であった場合、Ｓｔｅｐ７、Ｓｔｅｐ８を経てＳｔｅｐ９を、２個目以降の搭載であった場合、Ｓｔｅｐ７’、Ｓｔｅｐ８’を経てＳｔｅｐ９を、それぞれ行なう。

Ｓｔｅｐ７では、Ｓｔｅｐ５で算出した吸着・把持部で把持している撮像素子の撮像面の仮想平面が、設定基準高さＳＨの平面と合致するように、６軸ステージでXθ軸およびYθ軸について撮像素子の姿勢を補正する。
Ｓｔｅｐ７’では、Ｓｔｅｐ５で算出した吸着・把持部で把持している撮像素子の撮像面の仮想平面が、１個目に搭載した撮像素子の仮想平面に合うように、６軸ステージでXθ軸およびYθ軸について撮像素子の姿勢を補正する。仮に１個目に搭載した撮像素子の仮想平面が設定基準高さＳＨの平面と平行となっていない場合でも、基準となるのは１個目に搭載した撮像素子の仮想平面である。
Ｓｔｅｐ８では、吸着・把持部で把持している撮像素子の撮像面の仮想平面が設定搭載高さＳＨに合うように、６軸ステージで撮像素子を実装基板に搭載する。
Ｓｔｅｐ８’では、吸着・把持部で把持している撮像素子の撮像面の仮想平面が１個目に搭載した撮像素子の仮想平面に合うように、６軸ステージで撮像素子を実装基板に搭載する。
Ｓｔｅｐ９では、搭載した撮像素子の仮想平面の姿勢および高さを、制御部の記憶部に記録する。

第３の実施の形態の実装方法は、次のように変更してもよい。異なるカメラ位置にて撮影された複数の合成画像を作成し、これに基づいて撮像素子の複数の撮像面の高さを算出し、その複数のデータに対して第２の実施の形態の製造方法で用いた最小二乗法を適用して仮想平面を求める。また、第２、第３の実施の形態では、撮像素子の撮像面をＸθ軸およびＹθ軸方向に合致させているが、例えば長辺が短辺と比較して極端に長く短辺の精度がある程度無視できる撮像素子等、実装する撮像素子や要求される実装精度によりＸθ軸のみ、あるいは、Ｙθ軸のみ合致させることも可能である。この場合、６軸ステージではなく５軸ステージで代用することが可能となり、仮想平面の算出式はＸ軸あるいはＹ軸のみの直線近似式となる。

１実装基板
２接合部材
３撮像素子
３ａ認識マーク
３ｂ撮像面
３ｂ_１、３ｂ_２、３ｂ_３計測点
１００機構部
１０１メインベース
１０２基板ステージ
１０２ａ基板固定部
１０２ｂ素子供給部
１０３搭載ステージ
１０４６軸ステージ
１０５吸着・保持部
１０６計測部支持部
１０７レーザ変位計
１０８カメラ
２００制御部
２０１表示部
２０２画像認識部
２０３演算部
２０４記憶部
２０５入力部
３００真空発生源
ＲＨ計測基準高さ
ＳＨ設定搭載高さ
ＶＰ仮想平面

Claims

実装基板上に複数の撮像素子を組み合わせ実装して一つの大型撮像素子を擬似的に形成する擬似大型撮像素子の製造方法において、撮像素子が実装基板の所定の位置上に位置するように撮像素子を保持する第１の工程と、実装基板上に保持された撮像素子の複数の表面高さを計測する第２の工程と、前工程の計測結果に基づいて反りやうねりの平均化された当該撮像素子の撮像面を示す仮想平面を求める第３の工程と、求められた仮想平面が実装基板上の所定の平面高さとなるように当該撮像素子を実装基板上に搭載する第４の工程と、を有する擬似大型撮像素子の製造方法。
実装基板上に１個目の撮像素子を実装する場合には、前記所定の平面高さは予め設定された搭載高さであり、当該実装基板上に２個目以降の撮像素子を実装する場合には、前記所定の平面高さは１個目の撮像素子の仮想平面の高さであることを特徴とする請求項１に記載の擬似大型撮像素子の製造方法。
前記第１の工程と前記第２の工程との間に、実装基板上の撮像素子の周辺部の複数の表面高さを計測する計測工程と、前記計測工程の計測結果に基づいて当該撮像素子の傾きを求める算出工程と、当該撮像素子の傾きを補正して当該撮像素子の撮像面が実装基板面と平行となるにする傾き補正工程と、が付加されることを特徴とする請求項１または２に記載の擬似大型撮像素子の製造方法。
前記第３の工程においては、前記第２の工程の計測結果の平均値に基づいて、若しくは、前記第２の工程の計測結果に最小二乗法を適用して仮想平面を求めることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の擬似大型撮像素子の製造方法。
実装基板上に複数の撮像素子を組み合わせ実装して一つの大型撮像素子を擬似的に形成する擬似大型撮像素子の製造装置において、撮像素子を保持しつつその位置および傾きを任意に調整可能な撮像素子搭載部と、前記撮像素子搭載部に保持された撮像素子の撮像面若しくはそれと等価な面の形状情報を取得することができるカメラを備えた計測部と、前記計測部によって取得された撮像素子の撮像面の情報に基づいて撮像素子の撮像面の反り・うねりの平均化された撮像素子の仮想表面を算出する演算部と、撮像素子の実装基板上での取り付け位置を記憶する記憶部と、を備えた擬似大型撮像素子の製造装置。
前記撮像素子搭載部には、撮像素子を吸着・保持する吸着・保持部と、前記吸着・保持部が保持された６軸ステージとを備えることを特徴とする請求項５に記載の擬似大型撮像素子の製造装置。
前記計測部には、カメラの外に撮像素子の撮像面若しくはこれと等価な面の高さ情報を取得することのできるレーザ変位計が備えられていることを特徴とする請求項５または６に記載の擬似大型撮像素子の製造装置。