JP2011187999A - Multilayer wiring board - Google Patents

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義孝 福岡
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剛 戸井田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem that, although a multilayer wiring technology to connect layers using conductive bumps of B<SP>2</SP>it etc., used to be employed to manufacture a multilayer wiring board used to mount electronic components, the warpage of the substrate may cause a short circuit between multilayer wiring or a defect in connection between a conductive bump and wiring. <P>SOLUTION: The multilayer wiring board is coated with insulating varnish including an insulating filler to form an insulating coating. Even if the substrate is warped, insulation between multilayer wiring can be held and the stability of wiring connection is thereby enhanced to improve a manufacturing yield. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子部品を実装する多層配線板、及び、多層配線板の製造方法に関し、特に、導電性バンプからなるビアを備え、高密度配線が可能な多層配線板の製造方法に関する。   The present invention relates to a multilayer wiring board on which electronic components are mounted and a method for manufacturing the multilayer wiring board, and more particularly to a method for manufacturing a multilayer wiring board that includes vias made of conductive bumps and enables high-density wiring.

特許第3167840号公報Japanese Patent No. 3167840 特開2007-13208号公報JP 2007-13208 特開2006-183072号公報JP 2006-183072 JP 特開2002-353617号公報JP 2002-353617 A

近年、電子機器の小型軽量化、高速化、多機能化に伴い、電子機器に搭載される配線板においても高密度実装に対する要求が高まっている。係る要求に対応するため、複数の絶縁性基材と導電性パターンを交互に積み重ねて電子部品を実装する多層配線板の開発が進められている。
代表的な多層配線板の製造技術として、松下電子部品のALIVHや、東芝や大日本印刷のB2itが知られている。
ALIVH(Any Layer Interstitial Via Hole structure multi layered
printed wiring board)は、絶縁基材に層間接続穴を形成してから穴部を導電性材料で埋め込む技術である。最初に、プリプレグ(配線板の材料となる絶縁性基材シート)にレーザー光を照射し微細なビアホールを形成する。形成したビアホールを導電ペーストで充填してビア(層間接続部)を形成し、係るプリプレグ上に銅箔を積層熱プレスする。さらに、フォトリソグラフィー及びエッチングにより導電性パターンを形成して配線板部材とし、係る配線板部材を積層熱プレスして多層配線板を製造する。ALIVHは、ビアホール上に配線や電子部品を配置できるので、配線長の短縮や高密度実装が可能である。
しかし、ビアホールの数が増えるとレーザー光照射の加工時間が増え製造コストが高くなる、また、積層熱プレスで接着する銅箔のビアに対する密着強度が高くないので、落下試験の際にオープン不良が発生しやすく信頼性が低いという問題がある。
In recent years, as electronic devices have become smaller, lighter, faster, and more multifunctional, there has been an increasing demand for high-density mounting even on wiring boards mounted on electronic devices. In order to meet such demands, development of multilayer wiring boards for mounting electronic components by alternately stacking a plurality of insulating substrates and conductive patterns has been underway.
As representative multilayer wiring board manufacturing technologies, Matsushita Electronic Parts's ALIVH and Toshiba and Dai Nippon Printing's B 2 it are known.
ALIVH (Any Layer Interstitial Via Hole structure multi layered
The printed wiring board) is a technique in which an interlayer connection hole is formed in an insulating base material and then the hole is embedded with a conductive material. First, a fine via hole is formed by irradiating a prepreg (insulating base material sheet used as a wiring board material) with laser light. The formed via hole is filled with a conductive paste to form a via (interlayer connection portion), and a copper foil is laminated and hot-pressed on the prepreg. Furthermore, a conductive pattern is formed by photolithography and etching to form a wiring board member, and the wiring board member is laminated and hot pressed to manufacture a multilayer wiring board. ALIVH can arrange wiring and electronic parts on the via hole, so that the wiring length can be shortened and high-density mounting is possible.
However, as the number of via holes increases, the processing time of laser light irradiation increases and the manufacturing cost increases, and the adhesion strength of the copper foil bonded with the laminated hot press to the vias is not high, so open failures are not possible during the drop test. There is a problem that it is easy to occur and has low reliability.

B2it(Buried Bump Interconnection
Technology)は、導体板上に山形又は略円錐状の導電性バンプを形成してから絶縁性プリプレグ基材を加熱軟化させてプレス貫挿させ、導電性バンプからなるビアを形成する技術である。B2itに関連する技術が、特許文献1及び特許文献2に開示されている。
特許文献1には、山形の導体バンプを合成樹脂系支持体の厚さ方向に貫挿し層間配線を形成する技術が開示されている。
特許文献2には、導体板上に形成した略円錐状の導体バンプ上に未硬化の絶縁材料基材を配設・加圧して貫挿させ、導体板をパターニングして基板ユニットを作製し、係る基板ユニットを複数枚積層して、加圧加熱して硬化させる技術が開示されている。
B2itは、ALIVHと同様に、ビアホール上に窪みができず配線や電子部品を配置できるので、配線長の短縮や高密度実装が可能である。また、ALIVHと異なり、一括してビアを形成するので、ビアホールの数が増えても製造コストは増えない。導電性バンプは、プリプレグ積層前に印刷で銅箔上に形成されるので、銅箔に対する密着性も良いという長所がある。
一方、B2itには以下の問題点がある。
(1) 導電性バンプ貫挿時ならびに多層配線板形成の際の積層熱プレス時に、大きな圧力がアスペクト比の高い導電性バンプ及びプリプレグに加わる。現状でビアの面内密度は約30万個/m2であるが、将来は100万個/m2程度になると予想されている。この場合極めて大きな圧力が導電性バンプやプリプレグに加わるため、導電性バンプやプリプレグの破損による不良率が高くなる。従って、B2itでは、高密度化への対応が困難である。
(2) B2itでは、導電性バンプに機械的強度が必要であり、その外径を100μm以上にする必要がある。高密度実装を実現するため、導電性バンプの底面径は30μm〜50μmをターゲットとして微細化が進められている。しかし、B2itでは、バンプのアスペクト比が高く、かつプリプレグの薄膜化に限界があるために対応が困難である。
(3) 導電性バンプのアスペクト比(高さ/外径)を0.8〜1.0以上にしないと、導電性バンプがプリプレグを貫挿しない。また、プリプレグの一般的な材料であるガラスクロス含浸絶縁樹脂基材の厚さを薄くすることにも限界がある(〜30μm以上)。さらに、良好な導電性バンプの貫挿特性を得るにはプリプレグの厚さの約3倍の導電性バンプ高さが必要となる。そのため、上述の貫挿可能なアスペクトを確保すると、導電性バンプの底面径の微細化に限界(min. 72〜90μm)が発生する。その上、プリプレグの厚さ、プレス工程の温度についても、適切に調整しないと導電性バンプがプリプレグを貫挿しない。従って、B2itでは、導電性バンプ形成、貫挿工程、及び、積層熱プレス工程等の製造条件のマージンが小さく、歩留りが低いという問題がある。
(4) 外径が微細で高アスペクトの導電性バンプを印刷形成可能な導電ペーストの開発は困難を極める。
(5) 硬化前状態の絶縁性樹脂のプリプレグシートを加熱軟化させて突起状の導電性バンプに押圧して貫挿させる工程において、前記プリプレグシートはガラスクロス基材が繊維フィラメント束で縦横に織られた構造体になっているために、導電性バンプがフィラメント束の交差部に当たる場合とフィラメント束とフィラメント束との間に当たる場合とでは貫挿の抵抗差が大きく、抵抗の大きい部分ほど絶縁性樹脂プリプレグシートと導電性バンプとの界面部において、絶縁性樹脂および又はガラスクロスの破砕残部が生じてしまう。これらの絶縁性樹脂及び/又はガラスクロスの破砕残部は、後工程での導電性バンプと配線板の導体層との積層加圧にて、接触抵抗値の増大ないしは導通不良を起こし、配線板の歩留りを低下させていた。
B 2 it (Buried Bump Interconnection
Technology) is a technique for forming vias made of conductive bumps by forming conductive bumps having a mountain shape or a substantially conical shape on a conductive plate and then heat-softening the insulating prepreg base material to press through. Technologies related to B 2 it are disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2.
Patent Document 1 discloses a technique of forming an interlayer wiring by inserting a mountain-shaped conductor bump in the thickness direction of a synthetic resin support.
In Patent Document 2, an uncured insulating material base material is disposed on and pressed through a substantially conical conductor bump formed on a conductor plate, and the conductor plate is patterned to produce a substrate unit. A technique is disclosed in which a plurality of such substrate units are stacked and cured by pressurization and heating.
B 2 it, like ALIVH, does not have a depression on the via hole, and wiring and electronic parts can be placed, so that the wiring length can be reduced and high-density mounting can be achieved. Further, unlike ALIVH, vias are formed in a lump, so that the manufacturing cost does not increase even if the number of via holes increases. Since the conductive bump is formed on the copper foil by printing before the prepreg lamination, there is an advantage that the adhesiveness to the copper foil is good.
On the other hand, B 2 it has the following problems.
(1) A large pressure is applied to the conductive bumps and prepregs having a high aspect ratio during the insertion of the conductive bumps and during the laminated hot pressing for forming the multilayer wiring board. Currently, the in-plane density of vias is about 300,000 pieces / m 2 , but it is expected to be about 1 million pieces / m 2 in the future. In this case, an extremely large pressure is applied to the conductive bumps and prepregs, so that the defect rate due to breakage of the conductive bumps and prepregs increases. Therefore, B 2 it is difficult to cope with high density.
(2) In B 2 it, the conductive bumps must have mechanical strength, and the outer diameter must be 100 μm or more. In order to realize high-density mounting, miniaturization is progressing with the base diameter of the conductive bump being 30 μm to 50 μm. However, B 2 it is difficult to cope with because the bump has a high aspect ratio and there is a limit to thinning the prepreg.
(3) Unless the aspect ratio (height / outer diameter) of the conductive bump is 0.8 to 1.0 or more, the conductive bump does not penetrate the prepreg. In addition, there is a limit to reducing the thickness of the glass cloth-impregnated insulating resin base material, which is a general material of prepreg (up to 30 μm t ). Furthermore, to obtain good conductive bump penetration characteristics, a conductive bump height of about three times the prepreg thickness is required. For this reason, if the above-described aspect capable of being inserted is ensured, there is a limit (min. 72 to 90 μm) in miniaturization of the bottom diameter of the conductive bump. In addition, the conductive bumps do not penetrate the prepreg unless the thickness of the prepreg and the temperature of the pressing process are properly adjusted. Therefore, B 2 it has a problem that a margin for manufacturing conditions such as conductive bump formation, an insertion process, and a laminated hot pressing process is small and the yield is low.
(4) It is extremely difficult to develop a conductive paste capable of printing and forming high-aspect conductive bumps with a fine outer diameter.
(5) In the step of heat softening the pre-curing insulating resin prepreg sheet and pressing it into the projecting conductive bumps, the prepreg sheet is woven vertically and horizontally with a fiber filament bundle. Therefore, there is a large difference in penetration resistance when the conductive bump hits the intersection of the filament bundle and between the filament bundle and the filament bundle. At the interface between the resin prepreg sheet and the conductive bump, an insulating resin and / or a glass cloth crushing residue is generated. These insulating resin and / or glass cloth crushing residue causes an increase in contact resistance value or poor conduction due to lamination pressurization of the conductive bump and the conductive layer of the wiring board in the subsequent process, and Yield was lowered.

図14(a)乃至(d)は、従来のプリプレグシートをバンプで貫挿させるB2it方式の多層配線板部材の製造方法を示す工程順の断面図及び斜視図である。最初に、第一の導電性箔501上に、導電性ペーストの印刷工程によって、略円錐状の導電性バンプ502を形成し中間物とする(図14(a))。次に、係る中間物を、硬化前状態の絶縁性樹脂であるプリプレグシート503と対向させる(図14(b))。次に、加熱下でプリプレグシート503を溶融手前まで温度を上昇させて軟化させ、導電性バンプ502の先端部をプリプレグシート503から突出させる(図14(c))。次に、導電性バンプ502の頭出しを行ったプリプレグシート503の上に第二の導電性箔505を貼りつける(図14(d))。図14(e)は、係る方法で作製した多層配線板部材の導電性バンプ502の上部の水平断面図である。プリプレグシートに含まれるガラス繊維基材の破断屑508がバンプ面507内に残っていることが観察される。係る方法で作製した複数の多層配線板部材を積層し加圧して多層配線板が形成される。従来のB2it方式の多層配線板部材の製造方法では、破片屑がバンプ面内に残るため、層間配線の電気的接続不良が発生しやすいという問題があった。 14A to 14D are a cross-sectional view and a perspective view in the order of steps showing a method of manufacturing a B 2 it type multilayer wiring board member in which a conventional prepreg sheet is inserted through bumps. First, a substantially conical conductive bump 502 is formed on the first conductive foil 501 by a conductive paste printing process to form an intermediate (FIG. 14A). Next, the intermediate is opposed to the prepreg sheet 503 that is an insulating resin in a pre-curing state (FIG. 14B). Next, under heating, the temperature of the prepreg sheet 503 is raised to the point before melting and is softened, and the leading end portion of the conductive bump 502 is projected from the prepreg sheet 503 (FIG. 14C). Next, the second conductive foil 505 is attached on the prepreg sheet 503 on which the conductive bumps 502 have been cueed (FIG. 14D). FIG. 14E is a horizontal cross-sectional view of the upper part of the conductive bump 502 of the multilayer wiring board member produced by such a method. It is observed that the glass fiber base breakage 508 contained in the prepreg sheet remains in the bump surface 507. A plurality of multilayer wiring board members produced by such a method are stacked and pressed to form a multilayer wiring board. In the conventional method for manufacturing a B 2 it type multilayer wiring board member, there is a problem in that an electrical connection failure of an interlayer wiring is likely to occur because debris remains in the bump surface.

一方、特許文献4には、B2itのような貫挿法を用いずに導体バンプからなるビアを形成する従来技術として、第一の金属箔上に形成された導体バンプ群上にカーテンコーター法により絶縁性樹脂組成物を塗布し、さらに、第二の金属箔を重ねてプレスする方法が開示されている。絶縁性樹脂組成物を塗布する方法として、カーテンコーター法以外にも、スプレー法や熱軟化性のフィルム状にして導体バンプ上から被膜する方法が記載されている。特許文献4に開示された方法は、導体バンプに対し機械的圧力が加わらないために、上記のB2itにおける問題は回避できる。しかし、この方法は、高い粘度の絶縁性樹脂を、カーテンコート法では液体のまま、スプレー法では液滴状にして、導体バンプ上に塗布する方法であるため、導体バンプの先端部に絶縁性樹脂が付着しやすく、導体バンプと第二の金属箔との接触不良の発生率が高いという問題がある。また、熱軟化性のフィルムを導体バンプの上に被膜する場合は、導体バンプの先端部は露出しないので層間接続を形成できないという問題がある。 On the other hand, Patent Document 4 discloses a curtain coater on a conductor bump group formed on a first metal foil as a conventional technique for forming a via made of a conductor bump without using a penetration method such as B 2 it. A method is disclosed in which an insulating resin composition is applied by a method, and a second metal foil is stacked and pressed. As a method of applying the insulating resin composition, besides the curtain coater method, a spray method or a method of coating a conductive bump on a heat-softening film is described. The method disclosed in Patent Document 4 can avoid the above-mentioned problem in B 2 it because no mechanical pressure is applied to the conductor bumps. However, this method is a method in which an insulating resin having a high viscosity remains in a liquid state in the curtain coating method and is applied in the form of droplets in the spray method on the conductive bumps. There is a problem that the resin easily adheres and the incidence of contact failure between the conductor bump and the second metal foil is high. In addition, when a heat-softening film is coated on the conductor bump, there is a problem that an interlayer connection cannot be formed because the tip end portion of the conductor bump is not exposed.

さらに、従来の多層配線基板の製造方法の問題点として、コア基板のそりによる多層配線間の接続不良発生という問題があった。図8(b)及び(c)は、従来の多層配線の製造方法により配線間の接続不良が発生した場合の断面図である。図8(b)において、配線が表面に形成された第一のコア基板213と第二のコア基板208が絶縁性樹脂層211を介して互いに配線面が向き合うように積層されている。配線212と配線209の一部の領域は導電性バンプ210により電気的に接続されている。コア基板に大きなそりがある場合は、例えば、図8(b)に示すように、中央部で凸となるようなそりがある場合は、本来絶縁性樹脂層211により離間されているべき配線層が接触することにより配線ショートが発生している。一方、図8(c)に示すように、配線215と配線218が接触せず、絶縁性樹脂層217により絶縁されている場合は、本来電気的に接続すべき周辺部の導電性バンプ216と対向する配線が接触せず、配線オープンが発生している。従来の多層配線基板の製造方法では、基板のそりによる配線接続不良が発生するため、多層配線板の製造歩留りを十分高くすることができないという問題があった。   Further, as a problem of the conventional method for manufacturing a multilayer wiring board, there is a problem that a connection failure occurs between the multilayer wirings due to warpage of the core board. 8 (b) and 8 (c) are cross-sectional views in the case where a connection failure between the wirings occurs by the conventional multilayer wiring manufacturing method. In FIG. 8B, the first core substrate 213 and the second core substrate 208 on which the wiring is formed are laminated so that the wiring surfaces face each other with the insulating resin layer 211 interposed therebetween. A part of the wiring 212 and the wiring 209 is electrically connected by the conductive bump 210. When there is a large warp on the core substrate, for example, as shown in FIG. 8B, when there is a warp that is convex at the center, the wiring layer that should originally be separated by the insulating resin layer 211 Wiring short circuit has occurred due to contact. On the other hand, as shown in FIG. 8C, when the wiring 215 and the wiring 218 are not in contact with each other and are insulated by the insulating resin layer 217, the conductive bumps 216 in the peripheral portion to be originally electrically connected Opposite wiring does not touch and wiring open occurs. The conventional method for manufacturing a multilayer wiring board has a problem that the manufacturing yield of the multilayer wiring board cannot be sufficiently increased because wiring connection failure occurs due to warping of the board.

本発明は、微細化、高密度化及び薄型多層化が対応可能で、かつ、層間絶縁性も良好で、層間微細導電性バンプによる接続信頼性の高い配線板を供給可能で、かつ製造歩留りが高く、製造コストの低い多層配線板用の部材、及び多層配線板の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention can cope with miniaturization, high density and thin multi-layers, has good interlayer insulation, can supply a wiring board with high connection reliability by interlayer fine conductive bumps, and has a manufacturing yield. An object of the present invention is to provide a member for a multilayer wiring board that is high in manufacturing cost and a method for manufacturing the multilayer wiring board.

本発明(1)は、第一の導体層と第二の導体層の間に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群周囲に形成された短絡防止用の絶縁性フィラーを含む絶縁層とからなり、前記絶縁層が絶縁性フィラーを含む絶縁性樹脂配合液を用いて形成した層であり、前記絶縁性フィラーの平均粒径が、積層熱プレス後の前記導電性バンプ群の平均高さの20%以上、100%以下であり、前記絶縁性樹脂配合液中の前記絶縁性フィラーの混合比が1vol%以上、30vol%以下であり、前記絶縁性樹脂配合液の材料がオリゴフェニレンエーテル樹脂を含むことを特徴とする多層配線板である。
本発明(2)は、第一の導体層と第二の導体層の間に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群周囲に形成された短絡防止用の絶縁性フィラーを含む絶縁層とからなり、前記絶縁層が絶縁性フィラーを含む絶縁性樹脂配合液から生成したフィルムで形成した層であり、前記絶縁性フィラーの平均粒径が、積層熱プレス後の前記導電性バンプ群の平均高さの20%以上、100%以下であり、前記絶縁性樹脂配合液中の前記絶縁性フィラーの混合比が1vol%以上、30vol%以下であり、前記絶縁性樹脂配合液の材料がオリゴフェニレンエーテル樹脂を含むことを特徴とする多層配線板である。
本発明(3)は、前記絶縁層が、絶縁性フィラーを含む絶縁性樹脂配合液の樹脂を実質的に硬化反応させない条件で溶剤を揮発させて膜減りさせた後、硬化させて形成した層であることを特徴とする前記発明(1)又は前記発明(2)の多層配線板である。
本発明(4)は、前記絶縁性フィラーが、シリカ、シリコンカーバイド、アルミナ、窒化アルミ、ジルコニアビーズ、ガラスビーズ、アクリルビーズの中から選択された一つ又は複数の材料であることを特徴とする前記発明(1)乃至前記発明(3)の多層配線板である。
本発明(5)は、前記積層熱プレス後の前記導電性バンプ群の高さh2が、前記積層熱プレス後の前記絶縁層の厚さt3に対して、h2≧t3であることを特徴とする前記発明(1)乃至前記発明(4)の多層配線板である。
本発明(6)は、前記導電性バンプ群を構成する樹脂組成物が、熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を10wt%以上、30wt%以下の混合比で添加した材料からなることを特徴とする前記発明(1)乃至前記発明(5)の多層配線板である。
The present invention (1) includes an insulating bump containing a conductive bump group formed between a first conductor layer and a second conductor layer, and an insulating filler for preventing a short circuit formed around the conductive bump group. And the insulating layer is a layer formed using an insulating resin compound liquid containing an insulating filler, and the average particle size of the insulating filler is an average of the conductive bump group after the laminated heat press 20% or more and 100% or less of the height, the mixing ratio of the insulating filler in the insulating resin compounding liquid is 1 vol% or more and 30 vol% or less, and the material of the insulating resin compounding liquid is oligophenylene A multilayer wiring board comprising an ether resin.
The present invention (2) includes an insulating bump containing a conductive bump group formed between the first conductor layer and the second conductor layer, and an insulating filler for preventing a short circuit formed around the conductive bump group. And the insulating layer is a layer formed of a film formed from an insulating resin compounding liquid containing an insulating filler, and the conductive bump group after the laminated heat press has an average particle size of the insulating filler 20% or more and 100% or less of the average height, and the mixing ratio of the insulating filler in the insulating resin compounding liquid is 1 vol% or more and 30 vol% or less, and the material of the insulating resin compounding liquid is A multilayer wiring board comprising an oligophenylene ether resin.
In the present invention (3), the insulating layer is a layer formed by volatilizing the solvent and reducing the film under the condition that the resin of the insulating resin compounded liquid containing the insulating filler is not substantially cured and then cured. It is the multilayer wiring board of the said invention (1) or the said invention (2) characterized by the above-mentioned.
The present invention (4) is characterized in that the insulating filler is one or a plurality of materials selected from silica, silicon carbide, alumina, aluminum nitride, zirconia beads, glass beads, and acrylic beads. The multilayer wiring board according to any one of the inventions (1) to (3).
The present invention (5) is characterized in that a height h2 of the conductive bump group after the laminated hot pressing is h2 ≧ t3 with respect to a thickness t3 of the insulating layer after the laminated hot pressing. The multilayer wiring board according to any one of the inventions (1) to (4).
The present invention (6) is characterized in that the resin composition constituting the conductive bump group is made of a material in which a thermoplastic resin is added to a thermosetting resin at a mixing ratio of 10 wt% or more and 30 wt% or less. The multilayer wiring board according to any one of the inventions (1) to (5).

本発明によれば、
1.B2itと比較し、
導電性バンプ貫挿プロセスではなく、機械的圧力が部材に加わらないので、
・絶縁層を薄くでき、導電性バンプの高さを低くできる。また、導電性バンプのアスペクト比が小さくてもビアを形成できる。これにより、導電性バンプのサイズを小さくできる。その結果、外径が30〜50μmの導電性バンプを有する高密度多層配線板の製造が可能になる。将来、導電性バンプ密度が100万個/m2になった時にも対応可能である。
・導電性バンプのアスペクト比を高くする必要がないので、特殊な導電ペーストを用いなくても、或いは、導電性バンプ形成のためのペースト塗布工程を多数回繰り返さなくても導電性バンプの形成が可能である。そのため、材料コストや製造コストの低減が可能である。
・導電性バンプ、配線、絶縁性被膜の損傷による不良率が低減する。
・良好な層間接続を形成するのに必要な導電性バンプのアスペクト比が小さくても製造条件のマージンが広いので、製造歩留まりが向上する。
2.ALIVHと比較し、
・レーザー穴開け技術を用いていないので、穴部分の形状的不均一性を排除できる。レーザー穴開け法による形状的不均一性は、製造工程において、穴部分とビア導電剤との密着不良による配線板内への液体又は湿気の浸透を引き起こし、さまざまな欠陥の原因の一つとなる。それに対し、本発明の製造方法によれば、導電性バンプと絶縁性被膜の界面は、導電性バンプの周囲に低粘度の流動性樹脂を塗布して形成されるので、ビアに相当する導電性バンプと絶縁性被膜の密着性、配線板の信頼性は極めて高い。
・複数のビアを一括して作製する方式であるため、ビアの数が増えても製造コストは増えない。
3.スルーホールメッキ方式と比較し、ビアの空間利用効率が高く微細化に適している。層間接続穴を導電性部材で埋めた構造であるため、放熱効果が高く、高速CPUなど発熱量の多いデバイスの実装に好適である。凹みができないので、ビア上にも配線や他のビアを形成可能で、かつ、表層ビア上には部品を実装することも可能であり、実装密度向上に効果がある。
4.絶縁性樹脂組成物をカーテンコート法により塗布する方式と異なり、本発明の多層配線板に係る製造方法は、比較的低濃度の樹脂配合液の塗布により形成した被膜の膜厚を減少させて導電性バンプの頭出しを行う方式であるため、導電性バンプ先端部に絶縁性樹脂が残らない。そのため、確実な層間接続の形成、ビア抵抗の低減が可能である。
5.導電性バンプの上断面形状を中心角が180°以下のゆるやかな円弧としてもビアの形成が可能で、頭頂部の面積の小さい従来法で用いられている導電性バンプと異なりビアの断面積が大きい。また、ビアと配線の接触部における絶縁性物質の残留量を少なくすることができるので、ビアと配線の接触面積を大きくとれ、ビア抵抗の低減が可能である。
6.絶縁性未硬化被膜を備えた配線板部材を積層して多層配線板を製造するので、
・絶縁性被膜と導電性パターンとの密着強度が高くなり、配線が剥離しにくくなる。
・隣接する絶縁性被膜との密着強度が高くなり、強固な多層配線板の製造が可能になる。
・絶縁性被膜に柔軟性があり、下地に凹凸があっても被膜性が良く、表面が平坦になる。
・導電性バンプと接触する配線との密着強度が高くなり、ビア抵抗の低減が可能である。
7.厚膜プロセスと導電性薄膜のエッチングプロセスを組み合わせることにより、高密度多層配線板の製造コスト低減が可能である。
8.実装密度の高い多層配線板を提供することができ、電子機器の小型軽量化、多機能化に寄与する。
9.比誘電率、誘電損失の低い絶縁性材料により絶縁被膜を形成するので、電気信号伝搬特性に優れた実装配線板を作製できる。
10.低温の熱処理でも導電性の高い配線材料を用いて配線や導電性バンプを形成するので、配線膜厚を薄く、配線幅を細くしても、電気信号伝搬特性に優れた実装配線板を作製できる。
11.本発明の多層配線板に係る製造方法は、一括積層により多層配線板を製造できるので、順次積層により多層配線板を製造する方法と比較して、製造工程数が少なく製造コストの低減が可能であり、配線板部材に加わる熱履歴が少なく部材、及び、これらの部材により形成した多層配線板の信頼性が高い。
12.絶縁性被膜材料に絶縁性フィラーを分散することによりコア基板のそりに起因するショートやオープンなどの配線接続不良率を低減でき、製造歩留りの向上に効果がある。
According to the present invention,
1. Compared with B 2 it,
Since it is not a conductive bump penetration process, no mechanical pressure is applied to the member,
-The insulating layer can be made thin, and the height of the conductive bump can be lowered. Further, a via can be formed even if the conductive bump has a small aspect ratio. Thereby, the size of the conductive bump can be reduced. As a result, a high-density multilayer wiring board having conductive bumps with an outer diameter of 30 to 50 μm can be manufactured. In the future, it will be possible to handle when the density of conductive bumps reaches 1 million / m 2 .
・ Because there is no need to increase the aspect ratio of conductive bumps, conductive bumps can be formed without using special conductive paste or without repeating the paste coating process for forming conductive bumps many times. Is possible. Therefore, material cost and manufacturing cost can be reduced.
・ Defect rate due to damage to conductive bumps, wiring, and insulating film is reduced.
-Even if the aspect ratio of the conductive bumps necessary for forming a good interlayer connection is small, the manufacturing condition margin is wide, so that the manufacturing yield is improved.
2. Compared to ALIVH,
・ Because laser drilling technology is not used, the shape non-uniformity of the hole can be eliminated. The shape non-uniformity due to the laser drilling method causes the penetration of liquid or moisture into the wiring board due to poor adhesion between the hole portion and the via conductive agent in the manufacturing process, and is one of the causes of various defects. On the other hand, according to the manufacturing method of the present invention, the interface between the conductive bump and the insulating coating is formed by applying a low viscosity fluid resin around the conductive bump. The adhesion between the bump and the insulating coating and the reliability of the wiring board are extremely high.
・ Since this is a method of manufacturing a plurality of vias at once, the manufacturing cost does not increase even if the number of vias increases.
3. Compared with the through-hole plating method, the space utilization efficiency of vias is high and suitable for miniaturization. Due to the structure in which the interlayer connection hole is filled with a conductive member, it has a high heat dissipation effect and is suitable for mounting a device that generates a large amount of heat such as a high-speed CPU. Since there is no dent, wiring and other vias can be formed on the vias, and components can be mounted on the surface vias, which is effective in improving the mounting density.
4). Unlike the method in which the insulating resin composition is applied by the curtain coating method, the manufacturing method according to the multilayer wiring board of the present invention reduces the film thickness of the coating formed by applying a relatively low concentration resin compounding liquid and conducts electricity. In this method, the insulating bump does not remain at the tip of the conductive bump. Therefore, reliable interlayer connection can be formed and via resistance can be reduced.
5. Vias can be formed even if the upper cross-sectional shape of the conductive bumps is a gentle arc with a central angle of 180 ° or less. Unlike the conductive bumps used in conventional methods with a small area at the top, the cross-sectional area of the vias is small. large. Further, since the residual amount of the insulating material at the contact portion between the via and the wiring can be reduced, the contact area between the via and the wiring can be increased, and the via resistance can be reduced.
6). Since a multilayer wiring board is manufactured by laminating wiring board members having an insulating uncured coating,
-The adhesion strength between the insulating coating and the conductive pattern is increased, and the wiring is difficult to peel off.
-The adhesion strength between adjacent insulating coatings is increased, and a strong multilayer wiring board can be manufactured.
-The insulating film is flexible, and even if the ground is uneven, the film is good and the surface is flat.
-The adhesion strength with the wiring that contacts the conductive bump is increased, and the via resistance can be reduced.
7). By combining the thick film process and the conductive thin film etching process, the manufacturing cost of the high-density multilayer wiring board can be reduced.
8). A multilayer wiring board having a high mounting density can be provided, which contributes to the reduction in size and weight of electronic devices and the increase in functionality.
9. Since the insulating film is formed of an insulating material having a low relative dielectric constant and dielectric loss, a mounting wiring board having excellent electric signal propagation characteristics can be produced.
10. Since wiring and conductive bumps are formed using highly conductive wiring materials even at low temperature heat treatment, a mounting wiring board with excellent electrical signal propagation characteristics can be produced even if the wiring film thickness is thin and the wiring width is thin. .
11. Since the manufacturing method according to the multilayer wiring board of the present invention can manufacture a multilayer wiring board by batch lamination, the number of manufacturing steps can be reduced and the manufacturing cost can be reduced compared to the method of manufacturing a multilayer wiring board by sequential lamination. There is little heat history applied to the wiring board member, and the reliability of the member and the multilayer wiring board formed by these members are high.
12 Dispersing the insulating filler in the insulating coating material can reduce the rate of wiring connection failures such as shorts and opens caused by warping of the core substrate, and is effective in improving the manufacturing yield.

以下、本発明の最良形態について説明する。
(多層配線板部材、多層配線板、複合多層配線板)
多層配線板の製造においては、多層配線板を構成する部品である多層配線板部材(配線板用の部材、又は、単に、配線板部材)を形成してから、複数の係る多層配線板部材を積層し、加熱下でプレスして多層配線板を形成する。特に、本発明の技術により製造した導電性バンプ密度の高い多層配線板部材による表面回路層と導電性バンプ密度の低いコア基板を積層した多層配線板を複合多層配線板と呼ぶ。あるいは、コア基板を含む複合多層配線板を、単に、多層配線板と呼ぶ場合もある。コア基板は物理的剛性を担うと同時にそれほど微細ではない電源配線や接地配線などの回路を形成し、表面回路層は微細配線を形成する。表面回路層を構成する多層配線板部材の製造には本発明の技術を用いることにより、製造コストの低い厚膜プロセスと微細加工が可能な導電性薄膜のエッチングプロセスを組み合わせて実装密度の高い複合多層配線板を形成できる。
The best mode of the present invention will be described below.
(Multilayer wiring board members, multilayer wiring boards, composite multilayer wiring boards)
In the production of a multilayer wiring board, a multilayer wiring board member (a wiring board member or simply a wiring board member) which is a component constituting the multilayer wiring board is formed, and a plurality of such multilayer wiring board members are then formed. Laminate and press under heating to form a multilayer wiring board. In particular, a multilayer wiring board obtained by laminating a surface circuit layer made of a multilayer wiring board member having a high conductive bump density and a core substrate having a low conductive bump density manufactured by the technique of the present invention is called a composite multilayer wiring board. Alternatively, the composite multilayer wiring board including the core substrate may be simply referred to as a multilayer wiring board. The core substrate bears physical rigidity and at the same time forms circuits such as power wiring and ground wiring which are not so fine, and the surface circuit layer forms fine wiring. By using the technology of the present invention for the manufacture of multilayer wiring board members that constitute the surface circuit layer, a combination of a thick film process with a low manufacturing cost and an etching process of a conductive thin film capable of microfabrication is combined with a high mounting density. A multilayer wiring board can be formed.

(一括積層、順次積層、コア/コア積層)
配線を備えた多層配線板部材を形成してから、複数の多層配線板部材を一度に積層熱プレスして多層配線板を製造する方法、又は、複数の多層配線板部材とコア基板を一度に積層熱プレスして複合多層配線板を製造する方法を、一括積層と呼ぶ。一方、配線を備えた、又は、備えていない多層配線板部材を形成して、その上に導電性箔を貼り付け、エッチングにより配線を形成した後、次の多層配線板部材を載せて積層熱プレスを行う工程を順次繰り返すことにより、多層配線板又は複合多層配線板を製造する方法を、順次積層と呼ぶ。
一括積層は、工程数を少なくでき、製造コストの低減が可能である。また、配線板部材に加わる熱履歴が少なく部材、及び、これらの部材により形成した多層配線板の信頼性が高いという利点がある。従来のB2itでは、一括積層を行うことが困難であったが、本発明の技術では一括積層による多層配線板の製造が容易に実施可能である。
一方、順次積層は、配線パターンによるアライメントが不要で、導電性バンプのアライメントだけ行えばよいという利点があるが、積層する多層配線板部材ごとに、エッチングや積層熱プレスを行う必要があり、工程数増加により製造コストが高く、熱履歴が多くなるため部材の信頼性が低くなるという問題がある。
コア/コア積層は、コア基板とコア基板の間に1層の絶縁性被膜を配置し、導電性バンプによりコア基板間の電気的接続を行うものである。
本発明に係る多層配線板の製造方法は、その実施の形態の変形例として一括積層、順次積層、及び、コア/コア積層を含む。
(Batch lamination, sequential lamination, core / core lamination)
A method of manufacturing a multilayer wiring board by forming a multilayer wiring board member having wiring and then laminating and pressing a plurality of multilayer wiring board members at one time, or a plurality of multilayer wiring board members and a core substrate at a time A method of producing a composite multilayer wiring board by laminating and hot pressing is called batch lamination. On the other hand, a multilayer wiring board member with or without wiring is formed, a conductive foil is pasted thereon, a wiring is formed by etching, and then the next multilayer wiring board member is placed on the laminated heat. A method of manufacturing a multilayer wiring board or a composite multilayer wiring board by sequentially repeating the pressing process is called sequential lamination.
Batch stacking can reduce the number of processes and reduce manufacturing costs. In addition, there is an advantage that the reliability of a member having little heat history applied to the wiring board member and a multilayer wiring board formed by these members is high. With conventional B 2 it, it is difficult to perform batch lamination, but with the technique of the present invention, it is possible to easily manufacture a multilayer wiring board by batch lamination.
On the other hand, the sequential lamination has the advantage that alignment by the wiring pattern is unnecessary and only the alignment of the conductive bumps is required. However, it is necessary to perform etching or lamination heat press for each multilayer wiring board member to be laminated, There is a problem that the manufacturing cost is high due to the increase in the number and the thermal history is increased, so that the reliability of the member is lowered.
In the core / core lamination, a single insulating film is arranged between the core substrate and the core substrate is electrically connected by conductive bumps.
The method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention includes batch lamination, sequential lamination, and core / core lamination as modifications of the embodiment.

(配線板用の部材の製造方法)
本発明の実施の形態による配線板用の部材の製造方法は、略円錐台状、又は、略円柱状等の突起状導電性バンプを層間接続部材として用いる。また、支持部材上に高密度に形成された導電性バンプ(導電性バンプ群)の上及び周囲に絶縁性樹脂配合液を塗布して流動性被膜を形成する。その後、絶縁性樹脂配合液の樹脂を実質的に硬化反応させない条件で溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を固化、膜減りさせて、絶縁性被膜とする。
従来、導電性バンプの頭出しを行わないで多層配線板部材を積層プレスする場合は、層間の電気的接続がとれないと考えられていた。しかし、本願発明者等は、必ずしも、導電性バンプの頭出しを行わなくても、配線板を電気的に分離する絶縁性樹脂が未硬化被膜の状態で積層し、熱プレスを行うことで多層配線板や複合多層配線板を作製する場合は、層間の電気的接続が高い安定性でとれることを初めて見出した。係る方法で製造した多層配線板や複合多層配線板の電気的接続の信頼性が良好であることも確認された。また、本願発明に係る多層配線板は導電性バンプの頭出しを行う場合は、工程数は増えるものの、頭出しをしない場合と同様に、高密度実装に対応可能などの効果がある。頭出しをしない場合と比べ、配線間の導通安定性はさらに向上する。導電性バンプの頭出しを行う場合は、前記流動性被膜の溶剤の少なくとも一部を蒸発させ、前記絶縁性被膜の膜厚を減少させて、前記導電性バンプの先端部を前記絶縁性被膜上に突出させる工程が追加して行われる。導電性バンプ上に単に絶縁性樹脂配合液を薄く塗るだけでは導電性バンプの先端部に樹脂配合液が残るが、導電性バンプの高さよりも厚く樹脂配合液を塗布してから溶剤を蒸発させると、再現性よく導電性バンプの頭出しができる。
なお、本願明細書では、塗布後、膜厚減少前の絶縁性被膜を流動性被膜、膜厚減少後、硬化反応開始前の絶縁性被膜を絶縁性未硬化被膜と呼んで区別するものとする。
B2itのような貫挿により導電性バンプの先端を絶縁性被膜上に突出させる製造方法とは異なり、絶縁性被膜を導電性バンプ周りに形成する段階で、導電性バンプ及び絶縁性被膜に対し機械的圧力が加わらない。そのため、絶縁性被膜の機械的耐久性の点で導電性バンプの高密度化に対応可能である。また、導電性バンプの底面径を小さくすることが可能である。さらに、導電性バンプのアスペクト比を小さくすることが可能で、導電性バンプ形状の設計マージンや製造条件のマージンが大きくとれるので、多層配線板の製造歩留まりが向上する。
ここで、本発明の多層配線板用の部材は、溶剤に溶解した樹脂をバンプ群の周囲に流延させて十分に導電性バンプ周辺を濡らして乾燥・固化させた絶縁性未硬化被膜であることに特徴があるので、導電性バンプと樹脂は緊密な密着構造で出来上がっている。一方、従来の、たとえばB2itでの絶縁性樹脂は、一般にBステージといわれる溶剤の蒸発された固体シートで、かかる固体シートを熱で軟化させて導電性バンプに貫挿させる方法においては無理やりの破断での穿孔であるからバンプ周辺に隙間ができたりして、本発明に比べて導電性バンプと樹脂の密着信頼性は劣るものである。
(Manufacturing method of members for wiring boards)
In the method for manufacturing a wiring board member according to the embodiment of the present invention, a projecting conductive bump having a substantially truncated cone shape or a substantially cylindrical shape is used as an interlayer connection member. In addition, a fluid coating is formed by applying an insulating resin compound liquid on and around the conductive bumps (conductive bump group) formed on the support member at a high density. Thereafter, the solvent is volatilized under the condition that the resin of the insulating resin compounding liquid is not substantially cured and reacted to solidify and reduce the fluid film to obtain an insulating film.
Conventionally, when a multilayer wiring board member is laminated and pressed without cueing conductive bumps, it has been considered that electrical connection between layers cannot be obtained. However, the inventors of the present application do not necessarily cue the conductive bumps, and the insulating resin that electrically separates the wiring boards is laminated in an uncured film state and subjected to hot pressing to perform multilayer pressing. When producing a wiring board or a composite multilayer wiring board, it was found for the first time that electrical connection between layers can be obtained with high stability. It was also confirmed that the electrical connection reliability of the multilayer wiring board and the composite multilayer wiring board manufactured by such a method was good. The multilayer wiring board according to the present invention has an effect that can cope with high-density mounting, as in the case of not cueing, although the number of processes is increased when cueing conductive bumps. Compared to the case where cueing is not performed, the conduction stability between the wirings is further improved. When cueing the conductive bump, at least a part of the solvent of the fluid film is evaporated, the film thickness of the insulating film is reduced, and the tip of the conductive bump is placed on the insulating film. An additional step of projecting is performed. By simply applying a thin insulating resin compound solution on the conductive bump, the resin compound solution remains at the tip of the conductive bump, but after the resin compound solution is applied thicker than the conductive bump height, the solvent is evaporated. This makes it possible to cue conductive bumps with good reproducibility.
In the present specification, the insulating film after coating and before the film thickness reduction is called a fluid film, and the insulating film after the film thickness reduction and before the curing reaction is called an insulating uncured film. .
Unlike the manufacturing method in which the tip of the conductive bump protrudes on the insulating coating by insertion such as B 2 it, the conductive bump and the insulating coating are formed at the stage of forming the insulating coating around the conductive bump. No mechanical pressure is applied. Therefore, it is possible to cope with a high density of conductive bumps in terms of mechanical durability of the insulating coating. In addition, the bottom diameter of the conductive bump can be reduced. Furthermore, the aspect ratio of the conductive bumps can be reduced, and the design margin of the conductive bump shape and the margin of the manufacturing conditions can be increased, so that the manufacturing yield of the multilayer wiring board is improved.
Here, the member for the multilayer wiring board of the present invention is an insulating uncured film obtained by casting a resin dissolved in a solvent around the bump group and sufficiently wetting the periphery of the conductive bump to dry and solidify it. In particular, the conductive bumps and the resin have a close adhesion structure. On the other hand, a conventional insulating resin such as B 2 it is a solid sheet, which is generally called a B stage, where the solvent is evaporated, and it is difficult to force the solid sheet to be softened by heat and inserted into conductive bumps. Since there is a gap in the periphery of the bump because of the perforation of the fracture, the adhesion reliability between the conductive bump and the resin is inferior to that of the present invention.

(絶縁性フィラーの分散)
先に述べた基板のそりによる層間配線接続不良の問題を解決するために、本願発明者等は、多層基板の層間絶縁膜中に絶縁性のフィラーを分散させることが極めて有効であることを見出した。
本発明に係る多層配線板は、第一の導体層と第二の導体層の間に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群周囲に形成され、導通性安定化のための絶縁性フィラーを含む絶縁層とからなることを特徴とする。さらに、絶縁性フィラーの平均粒径は、積層熱プレス後の導電性バンプ群の平均高さの20%以上、100%以下の範囲であることが好ましい。
図8(a)は、本発明に係る多層配線基板の断面図である。コア基板201とコア基板207が絶縁性フィラー205を分散した絶縁性樹脂層204を介して積層されている。コア基板201側の配線とコア基板207側の配線が互いに向き合う側に配置され、一部の配線領域が導電性バンプ203を介して電気的に接続されている。コア基板には、例えば、中央部で突きだした形状の大きなそりがある。そのため、コア基板周辺部では、コア基板間の距離が大きいので、基板周辺部における層間接続をとるためには、コア基板を十分に近接させなければならない。この場合、絶縁性フィラーが分散されていない場合は、図8(b)に示すように、基板中央部の配線がショートしてしまうが、本発明に係る製造方法によれば、絶縁性樹脂層204に加圧に対する変形の少ないシリカなどの絶縁性フィラーを分散しているため、図8(a)に示すように、基板中央部においても配線のショートが発生しにくい。
以上の説明を行ったように、本発明に係る多層配線板は、短絡防止用の絶縁性フィラーを含む絶縁層を構成要素とすることを特徴とする。ここで言うところの「短絡防止用」とは、単に複数の導体間の短絡を防止することのみを意味するのではなく、多層配線板で層間の電気的接続に用いられる導電性バンプによる上下導通性に影響せず、短絡防止に絶縁層厚を確保する目的で用いることを意味する。
(Dispersion of insulating filler)
In order to solve the above-mentioned problem of the interlayer wiring connection failure due to the warp of the substrate, the present inventors have found that it is extremely effective to disperse the insulating filler in the interlayer insulating film of the multilayer substrate. It was.
A multilayer wiring board according to the present invention includes a conductive bump group formed between a first conductive layer and a second conductive layer, and an insulating layer formed around the conductive bump group to stabilize conductivity. And an insulating layer containing a conductive filler. Furthermore, the average particle diameter of the insulating filler is preferably in the range of 20% or more and 100% or less of the average height of the conductive bump group after the lamination hot pressing.
FIG. 8A is a cross-sectional view of a multilayer wiring board according to the present invention. The core substrate 201 and the core substrate 207 are laminated via an insulating resin layer 204 in which an insulating filler 205 is dispersed. The wiring on the core substrate 201 side and the wiring on the core substrate 207 side are arranged on opposite sides, and a part of the wiring region is electrically connected via the conductive bump 203. The core substrate has, for example, a large warp protruding at the center. For this reason, since the distance between the core substrates is large in the peripheral portion of the core substrate, the core substrate must be sufficiently close to make an interlayer connection in the peripheral portion of the substrate. In this case, when the insulating filler is not dispersed, the wiring at the center of the substrate is short-circuited as shown in FIG. 8B. However, according to the manufacturing method of the present invention, the insulating resin layer Since insulating fillers such as silica that are less deformed due to pressure are dispersed in 204, short-circuiting of wiring is less likely to occur at the center of the substrate as shown in FIG.
As described above, the multilayer wiring board according to the present invention includes an insulating layer containing an insulating filler for preventing a short circuit as a constituent element. The term "for short circuit prevention" as used herein does not only mean preventing short circuit between multiple conductors, but also vertical conduction by conductive bumps used for electrical connection between layers in a multilayer wiring board. This means that it is used for the purpose of securing the insulating layer thickness for preventing short circuit without affecting the property.

(薄膜プロセスと厚膜プロセス)
一般的に多層配線板の製造に用いられる加工技術は、薄膜プロセスと厚膜プロセスに分類される。
薄膜プロセスは、膜形成技術としては、蒸着、スパッター、CVD、PVD、めっき等、パターン形成技術としては、フォトリソグラフィー、ドライエッチング等の技術を用いるもので、真空プロセスやウェットプロセスを中心とする加工技術である。配線板又はプリント配線板と呼ばれる実装配線板では、一般的に、50μm/50μmレベル以下の微細な配線/スペース幅の加工には、セミアディティブ手法などの薄膜プロセスが用いられていた。微細なパターンの加工が可能であるが、製造コストが高いという問題がある。
これに対し、厚膜プロセスは、代表的にはスクリーン印刷などの印刷を中心とする加工技術で、ドライプロセスかつ大気下のプロセスである。厚膜プロセスは、薄膜プロセスに比べ製造コストを低減できるという特徴を持つ。
例えば、配線幅100μm以下の配線密度の高い多層配線板を作製するには、同時に層間接続ビアである突起状の導電性バンプの底面径を100μm以下とする必要がある。しかし、従来法である絶縁性樹脂のプリプレグシートを導電性バンプにて貫挿する製造方法では、プリプレグの厚さが現状では最低でも30μm以上であり、導電性バンプにてその厚さを安定して貫挿するには、導電性バンプの高さをプリプレグの厚さの約3倍以上にする必要性があり、導電性バンプ径の微細化には導電性バンプのアスペクト比を大きくせざるを得ず、100μmφ以下の微細な導電性バンプの形成は困難を極めた。従来、ビア径及び配線幅が100μm以下の高密度配線板を実現するには、製造コストや製造設備投資額の高価な、例えば、セミアディティブ法による微細配線パターンの形成、フォトビア法による微細ビアの形成、等の薄膜プロセスを用いるのが一般的であった。
(Thin film process and thick film process)
Processing techniques generally used for manufacturing a multilayer wiring board are classified into a thin film process and a thick film process.
The thin film process uses deposition, sputtering, CVD, PVD, plating, etc. as the film formation technology, and uses photolithography, dry etching, etc. as the pattern formation technology, and mainly processes such as vacuum processes and wet processes. Technology. In a mounting wiring board called a wiring board or a printed wiring board, a thin film process such as a semi-additive method is generally used for processing a fine wiring / space width of 50 μm / 50 μm level or less. Although a fine pattern can be processed, there is a problem that the manufacturing cost is high.
In contrast, the thick film process is typically a processing technique centered on printing such as screen printing, and is a dry process and an atmospheric process. The thick film process has a feature that the manufacturing cost can be reduced as compared with the thin film process.
For example, in order to produce a multilayer wiring board having a wiring density of 100 μm or less and a high wiring density, it is necessary to simultaneously make the bottom diameter of the protruding conductive bumps, which are interlayer connection vias, 100 μm or less. However, in the conventional manufacturing method in which an insulating resin prepreg sheet is inserted with conductive bumps, the thickness of the prepreg is at least 30 μm at present, and the thickness is stabilized with conductive bumps. Therefore, it is necessary to make the height of the conductive bumps about 3 times the thickness of the prepreg. The formation of fine conductive bumps of 100 μmφ or less was extremely difficult. Conventionally, in order to realize a high-density wiring board having a via diameter and a wiring width of 100 μm or less, manufacturing cost and manufacturing equipment investment are expensive. It has been common to use thin film processes such as formation.

(有機配線板)
一般的に多層配線板は、基板材料によって、有機配線板と無機配線板に分類される。本発明は、絶縁性基板の材料として有機材料を用いる有機配線板を対象とするものである。
(絶縁層、導体層に関する用語の定義)
本願明細書では、絶縁層に関する用語を以下のように定義する。
絶縁性樹脂を溶剤に溶解させた状態の液体を「絶縁性樹脂配合液」と呼ぶ。係る絶縁性樹脂配合液を部材上に塗布した後、溶剤を揮発させた膜を「絶縁性未硬化被膜」と呼ぶ。係る絶縁性未硬化被膜を加熱して、絶縁性未硬化被膜に含まれる樹脂を硬化反応させた膜を「絶縁性被膜」と呼ぶ。導体層又はコア基板に積層された状態の絶縁性被膜を「絶縁層」と呼ぶ。
また、「導体層」は、金属等の導電性の高い層のことであり、例えば、導体パターン層、べた層、導体パッド層を含む用語である。
(Organic wiring board)
In general, multilayer wiring boards are classified into organic wiring boards and inorganic wiring boards depending on the substrate material. The present invention is directed to an organic wiring board using an organic material as a material for an insulating substrate.
(Definition of terms related to insulation layers and conductor layers)
In the present specification, terms relating to the insulating layer are defined as follows.
A liquid in which the insulating resin is dissolved in a solvent is referred to as “insulating resin compounded liquid”. A film obtained by volatilizing the solvent after applying the insulating resin compound liquid on the member is referred to as an “insulating uncured film”. A film in which such an insulating uncured film is heated to cause a resin contained in the insulating uncured film to undergo a curing reaction is referred to as an “insulating film”. The insulating film laminated on the conductor layer or the core substrate is referred to as “insulating layer”.
The “conductor layer” is a highly conductive layer such as a metal, and is a term including, for example, a conductor pattern layer, a solid layer, and a conductor pad layer.

[本発明の実施の形態に係る多層配線板部材、及び、その製造方法]
(多層配線板部材の製造方法の第一の具体例)
図1(a)乃至(d)は、本発明の多層配線板部材の製造方法の実施の形態に係る第一の具体例を示す工程順断面図である。まず、銅箔などの導電性箔1を用意する(図1(a))。次に、導電性箔1の上の所定の位置に導電性バンプ2を形成する(図1(b))。導電性バンプ2の形状は、略円錐台状、又は、略円柱状など、底部の直径よりも先端部断面の直径が小さい形状とするのが好ましい。導電性バンプは、例えば、導電性ペーストのスクリーン印刷により形成する。導電性バンプ2の材料となる導電性ペーストとしては、例えば、液状樹脂の中に金属粒(銀、金、銅、ハンダなど)を分散させ、必要に応じ、揮発性の溶剤を混合させたものを用いる。導電性バンプは、所定の形状、所定の高さになるように、1回のスクリーン印刷で必要な高さが得られない場合には、複数回、必要に応じマスクの形状を変化させて繰り返し印刷を行ってもよい。次に、絶縁性フィラー4を分散した絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ2の上及び周囲に塗布し、流動性被膜3を形成する(図1(c))。次に、流動性被膜3を乾燥して溶剤を蒸発させ、絶縁性未硬化被膜5とし、多層配線板の部品となる配線板部材を完成する(図1(d))。図1(d)に示すように第一の具体例では、絶縁性未硬化被膜5の厚さは、導電性バンプ2の高さよりも厚くなっている。このことは、図1(d)の段階において、導電性バンプの頭出しが必ずしも必要がないことを示すものである。
[Multilayer Wiring Board Member According to Embodiment of the Present Invention, and Manufacturing Method Thereof]
(First specific example of manufacturing method of multilayer wiring board member)
1A to 1D are cross-sectional views in order of steps showing a first specific example according to an embodiment of a method for manufacturing a multilayer wiring board member of the present invention. First, a conductive foil 1 such as a copper foil is prepared (FIG. 1 (a)). Next, conductive bumps 2 are formed at predetermined positions on the conductive foil 1 (FIG. 1 (b)). The shape of the conductive bump 2 is preferably a shape such that the diameter of the cross section at the tip is smaller than the diameter of the bottom, such as a substantially truncated cone shape or a substantially cylindrical shape. The conductive bump is formed by screen printing of a conductive paste, for example. As the conductive paste used as the material of the conductive bump 2, for example, metal particles (silver, gold, copper, solder, etc.) are dispersed in a liquid resin, and a volatile solvent is mixed as necessary. Is used. If the required height is not obtained with a single screen printing so that the conductive bump has a predetermined shape and a predetermined height, the shape of the mask is changed multiple times as necessary. Printing may be performed. Next, the insulating resin compounded liquid in which the insulating filler 4 is dispersed is applied on and around the conductive bump 2 to form the fluid film 3 (FIG. 1 (c)). Next, the fluid film 3 is dried to evaporate the solvent to form an insulating uncured film 5 to complete a wiring board member that is a component of the multilayer wiring board (FIG. 1 (d)). As shown in FIG. 1 (d), in the first specific example, the insulating uncured coating 5 is thicker than the conductive bump 2. This indicates that it is not always necessary to cue the conductive bump at the stage of FIG.

(多層配線板部材の製造方法の第二の具体例)
図2(a)乃至(d)は、本発明の多層配線板部材の製造方法の実施の形態に係る第二の具体例を示す工程順断面図である。まず、銅箔などの導電性箔11を用意する(図2(a))。次に、導電性箔11の上の所定の位置に導電性バンプ12を形成する(図2(b))。導電性バンプ12の形状は、略円錐台状、又は、略円柱状など、底部の直径よりも先端部断面の直径が小さい形状とするのが好ましい。導電性バンプは、例えば、導電性ペーストのスクリーン印刷により形成する。導電性バンプ12の材料となる導電性ペーストとしては、例えば、液状樹脂の中に金属粒(銀、金、銅、ハンダなど)を分散させ、必要に応じ、揮発性の溶剤を混合させたものを用いる。導電性バンプは、所定の形状、所定の高さになるように、1回のスクリーン印刷で必要な高さが得られない場合には、複数回、必要に応じマスクの形状を変化させて繰り返し印刷を行ってもよい。次に、絶縁性フィラー14を分散した絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ2の上及び周囲に塗布し、流動性被膜13を形成する(図2(c))。次に、例えば、乾燥炉で加熱し、流動性被膜13に含まれる揮発成分を所定量蒸発させ、その膜厚を減少させ、絶縁性未硬化被膜15とし、多層配線板の部品となる配線板部材を完成する(図2(d))。この時、流動性被膜13の膜厚が減少し、導電性バンプ12の先端部が露出するように、絶縁性樹脂配合液に含まれる揮発成分の量や、加熱条件を調整する。
(Second specific example of manufacturing method of multilayer wiring board member)
2A to 2D are cross-sectional views in order of steps showing a second specific example according to the embodiment of the method for manufacturing a multilayer wiring board member of the present invention. First, a conductive foil 11 such as a copper foil is prepared (FIG. 2 (a)). Next, conductive bumps 12 are formed at predetermined positions on the conductive foil 11 (FIG. 2B). The shape of the conductive bump 12 is preferably a shape such that the diameter of the tip section is smaller than the diameter of the bottom, such as a substantially truncated cone shape or a substantially cylindrical shape. The conductive bump is formed by screen printing of a conductive paste, for example. As the conductive paste used as the material of the conductive bump 12, for example, metal particles (silver, gold, copper, solder, etc.) are dispersed in a liquid resin, and a volatile solvent is mixed as necessary. Is used. If the required height is not obtained with a single screen printing so that the conductive bump has a predetermined shape and a predetermined height, the shape of the mask is changed multiple times as necessary. Printing may be performed. Next, the insulating resin compound liquid in which the insulating filler 14 is dispersed is applied on and around the conductive bumps 2 to form the fluid film 13 (FIG. 2 (c)). Next, for example, by heating in a drying furnace, a predetermined amount of volatile components contained in the fluid film 13 is evaporated, the film thickness is reduced, and an insulating uncured film 15 is formed, which is a wiring board component of a multilayer wiring board The member is completed (FIG. 2 (d)). At this time, the amount of the volatile component contained in the insulating resin compounding liquid and the heating conditions are adjusted so that the film thickness of the fluid film 13 is reduced and the tip of the conductive bump 12 is exposed.

(多層配線板部材の製造方法の第三の具体例)
図3(a)乃至(j)は、本発明の多層配線板の製造方法の実施の形態に係る第三の具体例を示す工程順断面図である。まず、銅箔などの導電性箔21を用意する(図3(a))。次に、導電性箔21の上の所定の位置に導電性バンプ22を形成する(図3(b))。導電性バンプ22の形状は、略円錐台状、又は、略円柱状など、底部の直径よりも先端部断面の直径が小さい形状とするのが好ましい。導電性バンプは、例えば、導電性ペーストのスクリーン印刷により形成する。導電性バンプ22の材料となる導電性ペーストとしては、例えば液状樹脂の中に金属粒(銀、金、銅、ハンダなど)を分散させ、必要に応じ、揮発性の溶剤を混合させたものを用いる。導電性バンプは、所定の形状、所定の高さになるように、1回のスクリーン印刷で必要な高さが得られない場合には、複数回、必要に応じマスクの形状を変化させて繰り返し印刷を行ってもよい。次に、絶縁性フィラー24を分散した絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ22の上及び周囲に塗布し、流動性被膜23を形成する(図3(c))。次に、例えば、乾燥炉で加熱し、流動性被膜23に含まれる揮発成分を所定量蒸発させ、その膜厚を減少させ、絶縁性未硬化被膜25とする(図3(d))。この時、流動性被膜23の膜厚が減少し、導電性バンプ22の先端部が露出するように、絶縁性樹脂配合液に含まれる揮発成分の量や、加熱条件を調整する。膜厚減少工程における加熱により、絶縁性未硬化被膜23の流動性が変化し、絶縁性被膜25が形成される。絶縁性被膜25は、硬化反応が開始するが、完全硬化には至らない程度に加熱条件を調整するのが好ましい。これにより、絶縁性被膜を積層した時の密着性を劣化させずに、裏面に導電性パターンを形成する時の配線板の取り扱いが容易になる。次に、膜厚の減少した絶縁性被膜34と導電性バンプ22の上に、導電性バンプ22の先端部を陥没可能な有機樹脂フィルム、例えば、クレラップ、パイレン、ナイロン、PET、PPT、又は、PIからなる保護膜26をラミネートにより形成する(図3(e))。保護膜25は、後工程である裏面における導電性パターンの印刷時に導電性バンプ22を変形や損傷から保護する目的で形成する。次に、絶縁性被膜25の裏面の導電性箔21上に例えばフォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成する。次に、ウェットエッチングによりレジストパターンをマスクにして導電性箔21をエッチングし、レジストパターンを除去し、配線27を形成し、保護膜25を剥離する(図3(g))。次に、絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ22の上及び周囲に塗布し、流動性被膜28を形成する(図3(h))。次に、例えば、乾燥炉で加熱し、流動性被膜28に含まれる揮発成分を所定量蒸発させ、その膜厚を減少させ、絶縁性未硬化被膜29とし、配線板部材を完成する(図3(i))。絶縁性被膜29が未硬化被膜であるので、絶縁性被膜29に接して積層する部材との密着性が改善される。
(Third specific example of the method for producing a multilayer wiring board member)
3A to 3J are cross-sectional views in order of steps showing a third specific example according to the embodiment of the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention. First, a conductive foil 21 such as a copper foil is prepared (FIG. 3 (a)). Next, conductive bumps 22 are formed at predetermined positions on the conductive foil 21 (FIG. 3B). The shape of the conductive bump 22 is preferably a shape such that the diameter of the cross section at the tip is smaller than the diameter of the bottom, such as a substantially truncated cone shape or a substantially cylindrical shape. The conductive bump is formed by screen printing of a conductive paste, for example. The conductive paste used as the material of the conductive bump 22 is, for example, a material in which metal particles (silver, gold, copper, solder, etc.) are dispersed in a liquid resin and a volatile solvent is mixed as necessary. Use. If the required height is not obtained with a single screen printing so that the conductive bump has a predetermined shape and a predetermined height, the shape of the mask is changed multiple times as necessary. Printing may be performed. Next, the insulating resin compound liquid in which the insulating filler 24 is dispersed is applied on and around the conductive bumps 22 to form the fluid film 23 (FIG. 3C). Next, for example, heating is performed in a drying furnace to evaporate a predetermined amount of volatile components contained in the fluid film 23, thereby reducing the film thickness, thereby forming an insulating uncured film 25 (FIG. 3D). At this time, the amount of the volatile component contained in the insulating resin compounding liquid and the heating conditions are adjusted so that the film thickness of the fluid film 23 is reduced and the tip of the conductive bump 22 is exposed. The fluidity of the insulating uncured film 23 is changed by the heating in the film thickness reduction process, and the insulating film 25 is formed. It is preferable to adjust the heating conditions of the insulating coating 25 to such an extent that the curing reaction starts but does not lead to complete curing. This facilitates handling of the wiring board when forming the conductive pattern on the back surface without deteriorating the adhesion when the insulating coating is laminated. Next, an organic resin film that can sink the tip of the conductive bump 22 on the insulating coating 34 and the conductive bump 22 with a reduced film thickness, such as clerap, pyrene, nylon, PET, PPT, or A protective film 26 made of PI is formed by lamination (FIG. 3E). The protective film 25 is formed for the purpose of protecting the conductive bumps 22 from deformation and damage during the printing of the conductive pattern on the back surface, which is a subsequent process. Next, a resist pattern is formed on the conductive foil 21 on the back surface of the insulating coating 25 by, for example, a photolithography method. Next, the conductive foil 21 is etched by wet etching using the resist pattern as a mask, the resist pattern is removed, the wiring 27 is formed, and the protective film 25 is peeled off (FIG. 3G). Next, an insulating resin compounding liquid is applied on and around the conductive bumps 22 to form a fluid film 28 (FIG. 3 (h)). Next, for example, heating is performed in a drying furnace to evaporate a predetermined amount of volatile components contained in the fluid film 28, thereby reducing the film thickness to obtain an insulating uncured film 29, thereby completing the wiring board member (FIG. 3). (i)). Since the insulating coating 29 is an uncured coating, the adhesion with the member laminated in contact with the insulating coating 29 is improved.

[製造方法、材料等に関する詳細説明]
以下、本発明の実施の形態に係る多層配線板部材を構成する導電性バンプ、絶縁性被膜、配線に関する好適な製造方法、材料等について詳細に説明する。
[Detailed explanation about manufacturing methods, materials, etc.]
Hereinafter, a conductive bump, an insulating film, a suitable manufacturing method, a material, and the like related to the multilayer wiring board member according to the embodiment of the present invention will be described in detail.

[製造方法]
(導電性バンプの形成)
1.導電性ペーストの調整工程
導電性ペーストは、溶媒に樹脂組成物と導電性粒子を溶解又は分散させて調整したものを用いる。
2.導電性ペーストの印刷・乾燥・固化工程
導電性バンプは、例えば、スクリーン印刷法を用いて、所定のマスクを用い、導電性ペーストを配線板上あるいは支持基板上に印刷して形成する。所定の高さ及びアスペクト比の導電性バンプを形成するためには、必要に応じ異なるマスクを用いて、数回に分けて印刷を繰り返してもよい。
[Production method]
(Formation of conductive bumps)
1. Step of adjusting conductive paste The conductive paste is prepared by dissolving or dispersing the resin composition and conductive particles in a solvent.
2. Printing, drying, and solidifying process of conductive paste The conductive bumps are formed by printing a conductive paste on a wiring board or a support substrate using a predetermined mask, for example, using a screen printing method. In order to form conductive bumps having a predetermined height and aspect ratio, printing may be repeated several times using different masks as necessary.

(絶縁性被膜の形成)
1.絶縁性樹脂配合液の調製工程
熱硬化性樹脂組成物を、溶媒に溶解又は分散させて絶縁性樹脂配合液を調整する。溶媒としては、例えば、有機溶媒を用いる。有機溶媒としては、ケトン系溶媒、芳香族系溶媒が挙げられる。例えば、前者としては、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、後者としては、トルエン、キシレンが挙げられる。

同時に、絶縁性フィラーを溶媒中に分散させる。絶縁性フィラーは溶媒中に均一に分散させるのが好ましい。絶縁性フィラーの添加量は、絶縁性樹脂組成物に対し、10vol%以上とするのが好ましい。
溶媒の使用量については、溶媒の蒸発により導電性バンプの頭出しを適切に行うために、絶縁性樹脂配合液中の揮発成分の含有量が適正な範囲となるように調整するのが好ましい。例えば、N.V.(不揮発性樹脂成分の含有量)が10重量%〜80重量%の範囲となるように樹脂を溶媒で希釈するのが好ましい。また、絶縁性樹脂配合液の粘度は、100〜600mPa・Sの範囲とするのが好ましい。粘度が小さすぎると、樹脂配合液の塗布時に流れ出しが発生し、塗布できないという問題がある。粘度が大きすぎると、塗布表面の平坦性が悪くなるという問題がある。
本発明に係る多層配線板の絶縁性被膜の製造に用いるエポキシ樹脂及びオリゴフェニレンエーテル樹脂は、いずれも常温では固体で、100℃程度までの温度では熱軟化性を示す樹脂である。粉末又はフィルム状で固体の材料を溶媒に溶解又は分散して、必要に応じ加熱して樹脂配合液(液体)にする。樹脂配合液を基板に塗布した後、乾燥し常温に戻すと被膜(固体)に変化する。本発明に係る多層配線板の製造には、特に、乾燥・固化温度が60℃以上、160℃以下で完結できるような溶剤と樹脂の組み合わせを用いるのが好ましい。
2.絶縁性樹脂配合液のコーティング工程
得られた絶縁性樹脂配合液を、導電性バンプを有する支持体の上にコーティングし、絶縁性被膜を形成する。コーティング方法は特に限定されないが、例えば、ドクターブレード法、カーテンコート法、マイクログラビア法、スロットダイ法を用いるのが好ましい。また、コーティング工程における絶縁性被膜の厚さは、導電性バンプの高さよりも厚くコーティングするのが好ましい。導電性バンプの高さよりも厚くコーティングしてから、導電性バンプの高さより薄くなるまで絶縁性被膜を膜減りさせると、均一性、再現性よく導電性バンプの頭出しができる。
3.溶媒蒸発工程
溶媒蒸発工程は本発明に係る多層配線板部材を製造する上で必ずしも行う必要はないが、溶媒蒸発を行わない場合に比べ、より高い配線接続安定性を得ることが可能である。具体的には、コーティングした絶縁性被膜を、加熱、又は、自然乾燥させることにより、絶縁性被膜中の揮発成分を蒸発させ、膜厚を減少させる。溶剤の種類、乾燥機の排気風速、風量などによって所定の温度に対する処理時間は適宜調整する必要があるが、例えば、80〜120℃、1〜30分程度に設定する。
(Formation of insulating coating)
1. Preparation process of insulating resin compounding liquid A thermosetting resin composition is dissolved or dispersed in a solvent to prepare an insulating resin compounding liquid. For example, an organic solvent is used as the solvent. Examples of the organic solvent include ketone solvents and aromatic solvents. For example, the former includes methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, and the latter includes toluene and xylene.

At the same time, the insulating filler is dispersed in the solvent. It is preferable that the insulating filler is uniformly dispersed in the solvent. The addition amount of the insulating filler is preferably 10 vol% or more with respect to the insulating resin composition.
The amount of the solvent used is preferably adjusted so that the content of the volatile component in the insulating resin compounded liquid is within an appropriate range in order to appropriately cue the conductive bump by evaporation of the solvent. For example, it is preferable to dilute the resin with a solvent so that NV (content of the nonvolatile resin component) is in the range of 10 wt% to 80 wt%. Moreover, it is preferable that the viscosity of the insulating resin compounding liquid is in the range of 100 to 600 mPa · S. If the viscosity is too small, there is a problem in that flow out occurs at the time of application of the resin compounding liquid and the application cannot be performed. When the viscosity is too large, there is a problem that the flatness of the coated surface is deteriorated.
The epoxy resin and oligophenylene ether resin used for the production of the insulating coating of the multilayer wiring board according to the present invention are both resins that are solid at room temperature and exhibit heat softening properties at temperatures up to about 100 ° C. A solid material in the form of powder or film is dissolved or dispersed in a solvent and heated as necessary to obtain a resin compounded liquid (liquid). After the resin compounding solution is applied to the substrate, it is dried and returned to room temperature to change to a coating (solid). In the production of the multilayer wiring board according to the present invention, it is particularly preferable to use a combination of a solvent and a resin that can be completed when the drying / solidification temperature is 60 ° C. or higher and 160 ° C. or lower.
2. Coating process of insulating resin compounding liquid The obtained insulating resin compounding liquid is coated on a support having conductive bumps to form an insulating film. The coating method is not particularly limited, but for example, a doctor blade method, a curtain coating method, a micro gravure method, or a slot die method is preferably used. Moreover, it is preferable that the thickness of the insulating coating in the coating process is thicker than the height of the conductive bump. If the insulating coating is reduced to a thickness that is thinner than the height of the conductive bump after the coating is thicker than the height of the conductive bump, the conductive bump can be cued with good uniformity and reproducibility.
3. Solvent evaporation step The solvent evaporation step is not necessarily performed when the multilayer wiring board member according to the present invention is manufactured, but higher wiring connection stability can be obtained as compared with the case where the solvent evaporation is not performed. Specifically, the coated insulating film is heated or naturally dried to evaporate volatile components in the insulating film and reduce the film thickness. Although it is necessary to appropriately adjust the treatment time for a predetermined temperature depending on the type of solvent, the exhaust air speed of the dryer, the air volume, etc., for example, it is set to 80 to 120 ° C. and about 1 to 30 minutes.

(積層熱プレス)
一括積層の場合は、複数の配線板部材と必要に応じコア基板を位置合わせして積層した後、加熱下でプレスし、多層配線板を形成する。一方、順次積層の場合は、コア基板に対し、複数の配線板部材を一枚ごとに積層して熱プレスを行う。加熱条件は、多層配線板を構成する熱硬化性樹脂が耐熱温度以下で、かつ、完全硬化するように設定するのが好ましい。加熱プレスの条件は適宜設定することができる。絶縁性樹脂の硬化反応開始温度以下、かつ、熱溶融粘度が下がる温度以上とするのが好ましい。また、絶縁性フィラーが導電性バンプの上に存在した場合でも、積層熱プレスの工程で導電性バンプにクラックが生じず、電気的接続を十分確保できる条件とすることが好ましい。例えば、温度170〜210℃、実圧力5〜15kgf/cm2とすることができる。未硬化フィルムの最低溶融粘度を比較的高くすることができるため、加熱プレスにおいて樹脂流れがなく、硬化前後の厚みをほぼ一定にすることができ、かつ硬化後の厚みの均一性を良好にすることができる。
(Laminated heat press)
In the case of batch lamination, a plurality of wiring board members and a core substrate are aligned and laminated as necessary, and then pressed under heating to form a multilayer wiring board. On the other hand, in the case of sequential lamination, a plurality of wiring board members are laminated on the core substrate one by one and hot pressing is performed. The heating conditions are preferably set so that the thermosetting resin constituting the multilayer wiring board is not more than the heat resistant temperature and is completely cured. The conditions for the heating press can be set as appropriate. It is preferable to set the temperature to be equal to or lower than the curing reaction start temperature of the insulating resin and equal to or higher than the temperature at which the thermal melt viscosity decreases. Further, even when the insulating filler is present on the conductive bump, it is preferable that the conductive bump is not cracked in the step of laminating hot press and the electrical connection is sufficiently ensured. For example, the temperature may be 170 to 210 ° C. and the actual pressure may be 5 to 15 kgf / cm 2 . Since the minimum melt viscosity of the uncured film can be made relatively high, there is no resin flow in the hot press, the thickness before and after curing can be made almost constant, and the uniformity of thickness after curing is improved. be able to.

[材料]
(導電性バンプ材料)
導電性ペーストを構成する樹脂組成物としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂などの熱硬化性樹脂を用いるのが好ましい。熱硬化性樹脂は流動性があり成型が容易で、後工程で加熱して硬化させ機械的強度を持たせることができる。
樹脂組成物を溶解又は分散する溶媒としては、例えば、有機溶媒を用いる。有機溶媒としては、芳香族系溶媒、例えば、トルエン、キシレン、ケトン系溶媒が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンが挙げられる。
樹脂配合液中に分散する導電性粒子としては、Ag, Cu, Au,
Niのいずれか、又は、それらの少なくとも2種以上が混合されたもの、或いは、それらの化合物を用いるのが好ましい。
また、導電性バンプを構成する樹脂組成物は、前記熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を10wt%以上、30wt%以下の混合比で添加した材料を用いるのが好ましい。多層配線基板の積層熱プレス工程において導電性バンプにおけるクラック発生を抑制する効果がある。
[material]
(Conductive bump material)
As the resin composition constituting the conductive paste, for example, a thermosetting resin such as a phenol resin, an epoxy resin, or a melamine resin is preferably used. The thermosetting resin is fluid and easy to mold, and can be heated and cured in a later step to give mechanical strength.
As a solvent for dissolving or dispersing the resin composition, for example, an organic solvent is used. Examples of the organic solvent include aromatic solvents such as toluene, xylene, and ketone solvents. Examples of the ketone solvent include methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone.
The conductive particles dispersed in the resin compounding liquid include Ag, Cu, Au,
It is preferable to use any one of Ni, a mixture of at least two of them, or a compound thereof.
Moreover, it is preferable to use the material which added the thermoplastic resin to the said thermosetting resin by the mixing ratio of 10 wt% or more and 30 wt% or less for the resin composition which comprises an electroconductive bump. There is an effect of suppressing the generation of cracks in the conductive bumps in the multilayer hot pressing process of the multilayer wiring board.

(絶縁性被膜材料)
近年の高度情報化社会では、情報の高速・大容量伝送に向けて、電子機器の動作周波数の高速化が年々進んでいる。電子機器に搭載される多層配線板においても、配線板を構成する絶縁性被膜の材料として比誘電率や誘電損失の低い材料の使用が求められている。
さらに、電子機器の小型化、薄型化に伴い、配線板の薄型化が求められている。そのため絶縁性被膜の材料は、高い再現性で薄い絶縁性被膜の形成が可能な材料であることが好ましい。また、製造コスト低減のため、厚膜プロセスを用いる場合でも薄膜化が可能な材料の使用が好ましい。
本発明の多層配線板の製造における絶縁性部材の材料としては、比誘電率及び誘電正接の低い熱硬化性樹脂を用いるのが好ましく、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、オリゴフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテル樹脂、メラミン樹脂を用いるのが好ましい。
熱硬化性樹脂の硬化後の比誘電率は、5GHzにおいて2.0〜3.0の範囲であり、誘電正接が5GHzにおいて0.001〜0.005の範囲のいずれかを満たす材料を用いるのが好ましい。
(Insulating coating material)
In the advanced information society in recent years, the operating frequency of electronic devices has been increasing year by year for high-speed and large-capacity transmission of information. Also in multilayer wiring boards mounted on electronic devices, it is required to use materials having a low relative dielectric constant and dielectric loss as the material of the insulating film constituting the wiring boards.
Furthermore, with the miniaturization and thinning of electronic devices, thinning of wiring boards is required. Therefore, it is preferable that the material of the insulating coating is a material capable of forming a thin insulating coating with high reproducibility. In order to reduce manufacturing costs, it is preferable to use a material that can be thinned even when a thick film process is used.
As the material of the insulating member in the production of the multilayer wiring board of the present invention, it is preferable to use a thermosetting resin having a low relative dielectric constant and dielectric loss tangent, for example, epoxy resin, bismaleimide triazine resin, polyimide resin, acrylic resin. Phenol resin, oligophenylene ether resin, polyether resin, and melamine resin are preferably used.
The dielectric constant after curing of the thermosetting resin is in the range of 2.0 to 3.0 at 5 GHz, and a material satisfying any one of the range of 0.001 to 0.005 in dielectric loss tangent at 5 GHz Is preferred.

<エポキシ樹脂>
また、上記熱硬化性樹脂組成物としては、国際公開第2005/100435号に記載されたエポキシ樹脂組成物も好適に使用できる。具体的には、1つ以上のヒドロキシ基と2つ以上のエポキシ基とを有する重量平均分子量1,500〜70,000の直鎖状エポキシ樹脂(A)と、フェノール性ヒドロキシ基の少なくとも一部を脂肪酸でエステル化した変性フェノールノボラック(B)とを含有するエポキシ樹脂組成物であって、上記変性フェノールノボラック(B)の含有量が、上記直鎖状エポキシ樹脂(A)100重量部に対して30〜200重量部であるエポキシ樹脂組成物が、誘電特性(例えば、低誘電率、低誘電正接)に優れる点から好適に挙げられる。
直鎖状エポキシ樹脂(A)の重量平均分子量は、1,500〜70,000のである。
直鎖状エポキシ樹脂(A)の数平均分子量は、好ましくは3,700〜74,000、より好ましくは5,500〜26,000である。
直鎖状エポキシ樹脂(A)のエポキシ当量は、5000g/eq以上が好ましい。
なお、本明細書において、重量平均分子量および数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GPC)により、標準ポリスチレンによる検量線を用いた値とする。
直鎖状エポキシ樹脂(A)としては、重量平均分子量/数平均分子量が2〜3の範囲のものが特に好ましい。
直鎖状エポキシ樹脂(A)としては、具体的には、例えば、下記式(1)で示される化合物が好ましく、下記式(2)で示される化合物がより好ましい。

Figure 2011187999
上記式中、XおよびYは、それぞれ、単結合、炭素数1〜7の炭化水素基、−O−、−S−、−SO2−、−CO−または下記式で示される基である。XおよびYが複数ある場合は、それぞれ、同一であっても、異なっていてもよい。
Figure 2011187999
ここで、上記式中R2は、炭素数1〜10の炭化水素基またはハロゲン原子であり、R2が複数ある場合は、それぞれ、同一であっても、異なっていてもよい。R3は、水素原子、炭素数1〜10の炭化水素基またはハロゲン原子である。qは、0〜5の整数である。
上記式(1)〜(2)中、R1およびR4は、それぞれ、炭素数1〜10の炭化水素基またはハロゲン原子である。R1およびR4が複数ある場合は、それぞれ、同一であっても、異なっていてもよい。
pおよびsは、それぞれ、0〜4の整数であり、同一であっても、異なっていてもよい。
上記式(1)中、nは、平均値を表し、25〜500である。
上記式(2)中、tは、平均値を表し、10〜250である。
直鎖状エポキシ樹脂(A)は、上記式(1)において、pが0である、式(1′)で示される化合物であるのがより好ましい。
Figure 2011187999
上記式中、Xおよびnはそれぞれ上記式(1)中のXおよびnと同義である。
上述した直鎖状エポキシ樹脂(A)は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
上記フェノール性ヒドロキシ基の少なくとも一部を脂肪酸エステル化した変性フェノールノボラック(B)としては、例えば、下記式(3)で表される変性フェノールノボラックが好適に挙げられる。
Figure 2011187999
上記式(3)中、R5は、炭素数1〜5のアルキル基を表し、好ましくはメチル基であり、複数のR5は、同一であっても異なっていてもよい。
6は、炭素数1〜5のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、複数のR6は、同一であっても異なっていてもよい。
7は、炭素数1〜5のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、複数のR7は、同一であっても異なっていてもよい。
gは、0〜3の整数を表し、複数のgは、同一であっても異なっていてもよい。
hは、0〜3の整数を表し、複数のhは、同一であっても異なっていてもよい。
n:mは、1:1〜1.2:1であり、約1:1であることが好ましい。
nとmの合計としては、例えば2〜4とすることができる。
上記式(3)におけるn、mは、繰り返し単位の平均値であり、繰り返し単位の順序は限定されず、ブロックでもランダムでもよい。
変性フェノールノボラック(B)としては、好ましくは、下記式(3′)で表される変性フェノールノボラックが挙げられる。
Figure 2011187999
上記式(3′)中、R5、nおよびmは、それぞれ、上記式(3)のR5、nおよびmと同様である。
特に好ましくは、上記式(3′)においてR5がメチル基のアセチル化フェノールノボラックである。
これらの変性フェノールノボラックは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
上記(B)成分の含有量は、上記(A)成分100重量部に対して30〜200重量部であるのが好ましい。(B)成分の含有量がこの範囲であると、誘電特性、フィルム形成性、硬化反応性に優れる。上記(B)成分の含有量は、上記(A)成分100重量部に対して、50〜180重量部であるのがより好ましい。
上記エポキシ樹脂組成物は、更に、(C)イソシアネート化合物を含有するのが好ましい態様の1つである。エポキシ樹脂中にヒドロキシ基がある場合は、そのヒドロキシ基や、エポキシ樹脂が開環した際に生成するヒドロキシ基と、イソシアネート化合物中のイソシアネート基が反応して、ウレタン結合を形成し、硬化後のポリマーの架橋密度を上げ、分子の運動性を更に低下させるとともに、極性の大きいヒドロキシ基が減少するため、一層の比誘電率の低下、誘電正接の低下が可能になる。更に、エポキシ樹脂は分子間力が大きく、フィルム化する場合に均一な成膜が困難であり、かつフィルム化してもフィルム強度が弱く、フィルム形成時にクラックが入り易い傾向があるが、イソシアネート化合物を配合することによりこれらの欠点を除くことができる。
上記イソシアネート化合物としては、2個以上のイソシアネート基を有する化合物が挙げられる。例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロへキシルメタンジイソシアネート、テトラメチルキシリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、p−フェニレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、ダイマー酸ジイソシアネート、水素化キシリレンジイソシアネート、リシンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、トリ(イソシアネートフェニル)トリホスファート等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
これらの中でも、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネートが好ましい。
また、上記イソシアネート化合物には、イソシアネート化合物の一部が環化反応により、イソシアヌレート環を形成したプレポリマーを含むものとする。例えば、イソシアネート化合物の3量体を含むプレポリマーが挙げられる。
上記イソシアネート化合物は、特に、上述した直鎖状エポキシ樹脂(A)との組み合わせで使用することが好ましい。エポキシ樹脂の開環反応に伴う生成したヒドロキシ基とイソシアネート基との反応に加えて、直鎖状エポキシ樹脂(A)中にはヒドロキシ基が存在するため、このヒドロキシ基とイソシアネート基とが反応できるため、より大きな効果が得られる。
上記(C)成分の含有量は、上記(A)成分100重量部に対して100〜400重量部であるのが好ましく、300〜350重量部であるのがより好ましい。(C)成分の含有量がこの範囲であると、硬化する際に発泡が抑えられ均一なフィルムになりやすく、また、硬化後にクラックが生じにくく、誘電特性(例えば、低誘電率、低誘電正接)にも優れる。
上記エポキシ樹脂組成物は、更に、(D)ジビニルベンゼンを含有するのが好ましい態様の1つである。ジビニルベンゼンを含有すると、架橋成分の溶融温度の低温化、成型時の流動性の向上、硬化温度の低温化、相溶性の向上に優れる。
上記(D)成分の含有量は、上記(A)成分100重量部に対して、40〜180重量部であるのが好ましい。
上記エポキシ樹脂組成物は、任意の成分として硬化促進剤を含有してもよい。
硬化促進剤としては、エポキシ樹脂組成物の硬化促進剤として公知のものを使用することができ、例えば、2−メチルイミダゾ−ル、2−エチル−4−メチルイミダゾール等の複素環化合物イミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等のリン化合物類、2,4,6−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、ベンジルジメチルアミン等の第三級アミン類、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセンやその塩等のBBU類、アミン類、イミダゾ−ル類をエポキシ、尿素、酸等でアダクトさせたアダクト型促進剤類等が挙げられる。
硬化促進剤の含有量は、上記(A)成分100重量部に対して、1〜10重量部であるのが好ましい。
上記エポキシ樹脂組成物は、任意の成分として重合開始剤を含有してもよい。
重合開始剤としては、公知の重合開始剤を使用することができ、例えば、過酸化ベンゾイル、アゾビスイソブチロニトリル、t−ブチルパーオキシベンゾエート、1,1,3,3−テトラメチルブチルペルオキシ−2−エチルヘキサノアート等が挙げられる。
重合開始剤の含有量は、上記(A)成分100重量部に対して、1〜10重量部であるのが好ましい。
上記エポキシ樹脂組成物は、必要に応じて、粘着性付与剤、難燃化剤、消泡剤、流動調整剤、分散助剤等の添加剤を含有してもよい。
また、上記エポキシ樹脂組成物は、本発明の目的を損なわない範囲で、弾性率の向上、膨張係数の低下、ガラス転移温度(Tg値)の変更等を目的として、必要に応じて、(A)成分以外のエポキシ樹脂を含有してもよい。
(A)成分以外のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ビフェニルエポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
また、上記エポキシ樹脂組成物は、本発明の目的を損なわない範囲で、脂肪酸エステル化されていないフェノールノボラック、クレゾールノボラック樹脂、フェノール多核体等の公知のエポキシ樹脂硬化剤を含有してもよい。
フェノール多核体としては、例えば、3〜5核体程度等のフェノール類が挙げられる。
上記エポキシ樹脂組成物は、公知の方法により製造することができる。例えば、溶媒の存在下または非存在下に(A)、(B)の各々をプロペラ撹拌機、バンバリー式ミキサー、遊星式ミキサー、加熱真空混合ニーダー等により混合できる。
また、例えば、樹脂成分は所定の溶剤濃度に溶解し、それらを25〜60℃に加温された反応釜に所定量投入し、常圧混合を30分〜6時間行うことができる。その後、真空下(最大1Torr)で更に5分〜60分混合撹拌することができる。 <Epoxy resin>
Moreover, as the said thermosetting resin composition, the epoxy resin composition described in the international publication 2005/100435 can also be used conveniently. Specifically, the linear epoxy resin (A) having a weight average molecular weight of 1,500 to 70,000 having one or more hydroxy groups and two or more epoxy groups, and at least a part of the phenolic hydroxy groups An epoxy resin composition containing a modified phenol novolak (B) esterified with a fatty acid, wherein the content of the modified phenol novolak (B) is 100 parts by weight of the linear epoxy resin (A). 30 to 200 parts by weight of the epoxy resin composition is preferable because it has excellent dielectric properties (for example, low dielectric constant and low dielectric loss tangent).
The weight average molecular weight of the linear epoxy resin (A) is 1,500 to 70,000.
The number average molecular weight of the linear epoxy resin (A) is preferably 3,700 to 74,000, more preferably 5,500 to 26,000.
The epoxy equivalent of the linear epoxy resin (A) is preferably 5000 g / eq or more.
In this specification, the weight average molecular weight and the number average molecular weight are values using a standard polystyrene calibration curve by gel permeation chromatography (GPC).
As the linear epoxy resin (A), those having a weight average molecular weight / number average molecular weight in the range of 2 to 3 are particularly preferable.
As the linear epoxy resin (A), specifically, for example, a compound represented by the following formula (1) is preferable, and a compound represented by the following formula (2) is more preferable.
Figure 2011187999
In the above formulas, X and Y are each a single bond, a hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms, —O—, —S—, —SO 2 —, —CO—, or a group represented by the following formula. When there are a plurality of X and Y, they may be the same or different.
Figure 2011187999
Here, R 2 in the above formula is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a halogen atom, and when there are a plurality of R 2 s , they may be the same or different. R 3 is a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or a halogen atom. q is an integer of 0-5.
In the above formula (1) ~ (2), R 1 and R 4 are each a hydrocarbon group or a halogen atom having 1 to 10 carbon atoms. When there are a plurality of R 1 and R 4 s , they may be the same or different.
p and s are each an integer of 0 to 4, and may be the same or different.
In said formula (1), n represents an average value and is 25-500.
In said formula (2), t represents an average value and is 10-250.
The linear epoxy resin (A) is more preferably a compound represented by the formula (1 ′) in which p is 0 in the above formula (1).
Figure 2011187999
In said formula, X and n are synonymous with X and n in said formula (1), respectively.
The linear epoxy resin (A) described above may be used alone or in combination of two or more.
As the modified phenol novolak (B) obtained by fatty acid esterification of at least a part of the phenolic hydroxy group, for example, a modified phenol novolak represented by the following formula (3) is preferably exemplified.
Figure 2011187999
In the above formula (3), R 5 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methyl group, the plurality of R 5, may be the same or different.
R 6 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group which may have a substituent, an aralkyl group which may have a substituent, an alkoxy group or a halogen atom, and a plurality of R 6 are , May be the same or different.
R 7 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group which may have a substituent, an aralkyl group which may have a substituent, an alkoxy group or a halogen atom, and a plurality of R 7 s , May be the same or different.
g represents an integer of 0 to 3, and a plurality of g may be the same or different.
h represents an integer of 0 to 3, and a plurality of h may be the same or different.
n: m is 1: 1 to 1.2: 1, preferably about 1: 1.
The total of n and m can be 2 to 4, for example.
In the above formula (3), n and m are average values of repeating units, and the order of repeating units is not limited, and may be block or random.
The modified phenol novolak (B) is preferably a modified phenol novolak represented by the following formula (3 ′).
Figure 2011187999
In the formula (3 '), R 5, n and m are each the same as R 5, n and m in the formula (3).
Particularly preferably, in the above formula (3 ′), R 5 is an acetylated phenol novolak having a methyl group.
These modified phenol novolacs may be used alone or in combination of two or more.
The content of the component (B) is preferably 30 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (A). When the content of component (B) is within this range, the dielectric properties, film formability, and curing reactivity are excellent. The content of the component (B) is more preferably 50 to 180 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (A).
It is one of the preferred embodiments that the epoxy resin composition further contains (C) an isocyanate compound. When there is a hydroxy group in the epoxy resin, the hydroxy group or the hydroxy group generated when the epoxy resin is ring-opened reacts with the isocyanate group in the isocyanate compound to form a urethane bond. The crosslink density of the polymer is increased, the molecular mobility is further lowered, and the number of highly polar hydroxy groups is reduced. Therefore, it is possible to further lower the relative dielectric constant and the dielectric loss tangent. Furthermore, the epoxy resin has a large intermolecular force, it is difficult to form a uniform film when it is made into a film, and even if it is made into a film, the film strength is weak and tends to crack during film formation. These disadvantages can be eliminated by blending.
Examples of the isocyanate compound include compounds having two or more isocyanate groups. For example, hexamethylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane diisocyanate, tetramethylxylylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, naphthalene diisocyanate, trimethylhexamethylene diisocyanate, tolidine diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, cyclohexene Examples include xylene diisocyanate, dimer acid diisocyanate, hydrogenated xylylene diisocyanate, lysine diisocyanate, triphenylmethane triisocyanate, and tri (isocyanatephenyl) triphosphate. These may be used alone or in combination of two or more.
Among these, hexamethylene diisocyanate and diphenylmethane diisocyanate are preferable.
The isocyanate compound includes a prepolymer in which a part of the isocyanate compound forms an isocyanurate ring by a cyclization reaction. For example, the prepolymer containing the trimer of an isocyanate compound is mentioned.
The isocyanate compound is particularly preferably used in combination with the linear epoxy resin (A) described above. In addition to the reaction between the generated hydroxy group and the isocyanate group accompanying the ring-opening reaction of the epoxy resin, since the hydroxy group exists in the linear epoxy resin (A), the hydroxy group and the isocyanate group can react. Therefore, a greater effect can be obtained.
The content of the component (C) is preferably 100 to 400 parts by weight, and more preferably 300 to 350 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (A). When the content of component (C) is within this range, foaming is suppressed during curing and a uniform film is easily formed, and cracks are less likely to occur after curing, and dielectric properties (for example, low dielectric constant, low dielectric loss tangent) ) Is also excellent.
In one preferred embodiment, the epoxy resin composition further contains (D) divinylbenzene. When divinylbenzene is contained, the melting temperature of the crosslinking component is lowered, the fluidity during molding is improved, the curing temperature is lowered, and the compatibility is improved.
The content of the component (D) is preferably 40 to 180 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (A).
The epoxy resin composition may contain a curing accelerator as an optional component.
As a hardening accelerator, what is known as a hardening accelerator of an epoxy resin composition can be used, for example, heterocyclic compound imidazoles, such as 2-methylimidazole and 2-ethyl-4-methylimidazole, Phosphorus compounds such as triphenylphosphine and tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tertiary amines such as 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol and benzyldimethylamine, 1,8-diazabicyclo (5,4 , 0) Adduct type accelerators obtained by adducting BBUs such as undecene and salts thereof, amines and imidazoles with epoxy, urea, acid and the like.
It is preferable that content of a hardening accelerator is 1-10 weight part with respect to 100 weight part of said (A) component.
The epoxy resin composition may contain a polymerization initiator as an optional component.
As the polymerization initiator, a known polymerization initiator can be used. For example, benzoyl peroxide, azobisisobutyronitrile, t-butylperoxybenzoate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy -2-ethylhexanoate and the like.
It is preferable that content of a polymerization initiator is 1-10 weight part with respect to 100 weight part of said (A) component.
The said epoxy resin composition may contain additives, such as a tackifier, a flame retardant, an antifoamer, a flow regulator, a dispersion | distribution adjuvant, as needed.
In addition, the epoxy resin composition is used within the range that does not impair the object of the present invention, for the purpose of improving the elastic modulus, lowering the expansion coefficient, changing the glass transition temperature (Tg value), etc. ) An epoxy resin other than the component may be contained.
Examples of the epoxy resin other than the component (A) include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, and biphenyl epoxy resin. These may be used alone or in combination of two or more.
Moreover, the said epoxy resin composition may contain well-known epoxy resin hardening | curing agents, such as a phenol novolak, a cresol novolak resin, a phenol polynuclear body, etc. which are not fatty acid esterified, in the range which does not impair the objective of this invention.
As a phenol polynuclear body, phenols, such as a 3-5 nuclei grade, are mentioned, for example.
The said epoxy resin composition can be manufactured by a well-known method. For example, each of (A) and (B) can be mixed with a propeller stirrer, Banbury mixer, planetary mixer, heating vacuum mixing kneader or the like in the presence or absence of a solvent.
Further, for example, the resin components can be dissolved in a predetermined solvent concentration, and a predetermined amount thereof can be put into a reaction kettle heated to 25 to 60 ° C., and normal pressure mixing can be performed for 30 minutes to 6 hours. Thereafter, the mixture can be further stirred for 5 to 60 minutes under vacuum (maximum 1 Torr).

<OPE樹脂>
さらに、上記熱硬化性樹脂組成物としては、オリゴフェニレンエーテル系樹脂配合物も好適に使用できる。具体的には、(A)成分は、熱硬化性の数平均分子量1000以上3000以下の両末端に官能基をもったオリゴフェニレンエーテルであり、並びに(B)成分は、ビニル芳香族炭化水素を主体とするハードセグメントブロック部と、共役ジエンを主体とするソフトセグメントブロック部とから構成されたブロック共重合体であり、かつ溶剤を配合された絶縁性樹脂配合液にて硬化反応をさせない条件で溶剤を揮発させて得られたオリゴフェニレンエーテル系樹脂配合物が挙げられる。
ここで、前記絶縁性樹脂配合液にて(A)成分100部に対して、(B)成分が67部以上150部以下である。更に、前記絶縁性未硬化被膜の(B)成分は、ゴム及び/又はスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−エチレン/ブタジエン−スチレン共重合体から選ばれた1以上の熱可塑性エラストマーである。
上記熱硬化性樹脂組成物に用いられる熱硬化性樹脂としては、例えば、両末端にスチレン官能基、ビニル基、グリシジル基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基等の官能基を有する熱硬化性オリゴフェニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、両末端にスチレン官能基を有する熱硬化性オリゴフェニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂が、誘電特性(例えば、低誘電率、低誘電正接)、低吸水性、塗膜形成性等に優れる点から好ましい。
上記熱硬化性樹脂組成物としては、特に、本願出願人が先に出願した特願2006−215464号明細書に記載されたオリゴフェニレンエーテル系樹脂組成物が好ましい。具体的には、例えば、数平均分子量500〜5000の両末端にスチレン官能基を有する熱硬化性オリゴフェニレンエーテル(A)100重量部と、ビニル芳香族炭化水素モノマーに由来する繰返し単位と共役ジエンモノマーに由来する繰返し単位とを含むブロック共重合体(B)50〜250重量部とを含有する熱硬化性樹脂組成物が、誘電特性(例えば、低誘電率、低誘電正接)、低弾性、塗膜形成性に優れる点から好適に挙げられる。
上記熱硬化性オリゴフェニレンエーテル(A)としては、例えば、特開2006−28111号公報に記載されている2,2′,3,3′,5,5′−ヘキサメチルビフェニル‐4,4′−ジオール−2,6−ジメチルフェノール重縮合物とクロロメチルスチレンとの反応生成物が挙げられる。
このような熱硬化性オリゴフェニレンエーテル(A)は、公知の方法により製造することができる。また、市販品を用いることもできる。例えば、OPE−2st 2200(三菱ガス化学社製)を好適に使用することができる。
熱硬化性オリゴフェニレンエーテル(A)の数平均分子量が5,000を超えると、揮発性溶剤に溶解し難くなる。一方、数平均分子量が500未満であると、架橋密度が高くなりすぎるため、硬化物の弾性率や可撓性に悪影響がでる。そのため、熱硬化性オリゴフェニレンエーテル(A)の数平均分子量は、500〜5,000であり、1、000〜3、000であるのが好ましい。
上記ブロック共重合体(B)は、ビニル芳香族炭化水素を主体とするハードセグメントブロック部と、共役ジエンを主体とするソフトセグメントブロック部とから構成されるブロック共重合体である。
上記ブロック共重合体(B)としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−エチレン/ブタジエン−スチレンブロック共重合体等が挙げられる。
ブロック共重合体(B)は、公知の方法により製造することができる。また、市販品を用いることもできる。例えば、TR2003(JSR社製)を好適に使用することができる。
上記熱硬化性樹脂組成物におけるブロック共重合体(B)の含有量は、熱硬化性オリゴフェニレンエーテル(A)100重量部に対して、50〜250重量部であり、65〜200重量部であるのが好ましく、80〜150であるのがより好ましい。ブロック共重合体(B)の含有量がこの範囲であると、フィルム形成能、熱硬化性オリゴフェニレンエーテル(A)との相溶性に優れる。
上記オリゴフェニレンエーテル樹脂組成物に用いられる揮発性溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤;メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤等が挙げられ、これらを1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
揮発性溶剤の含有量は、組成物の粘度が上記の範囲になるように適宜調整すればよく特に限定されないが、樹脂成分が15〜45重量%となるように使用するのが好ましく、15〜35重量%となるように使用するのがより好ましい。組成物中の樹脂成分の割合がこの範囲であると、繊維質基材に含浸しやすくなり、気泡を少なくすることができる。このような低濃度では、従来の縦型含浸装置では、所望の樹脂付着量を得るためには大量のワニス付着量にしなければならず、そうすると垂直方向に進行する際に含浸した樹脂が垂れて不均一な縦縞になって樹脂斑のひどいものになる上に、塗布膜内部に溶剤が残って表面だけが乾燥するといった現象が起きて均一な未硬化状態にはならない。
上記オリゴフェニレンエーテル樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、無機フィラー、粘着性付与剤、難燃化剤、消泡剤、流動調整剤、成膜補助剤、分散助剤等の添加剤を含有していてもよい。
また、上記オリゴフェニレンエーテル樹脂組成物は、硬化触媒を含有していてもよいが、加熱のみによって硬化することができる。
上記オリゴフェニレンエーテル樹脂組成物の製造方法は特に限定されず、公知の製造方法を採用できる。例えば、上述した各成分を撹拌機により十分混合して製造することができる。
<OPE resin>
Furthermore, as the thermosetting resin composition, an oligophenylene ether-based resin composition can also be suitably used. Specifically, the component (A) is a thermosetting number-average molecular weight of 1,000 to 3,000 oligophenylene ether having functional groups at both ends, and the component (B) is a vinyl aromatic hydrocarbon. A block copolymer composed of a hard segment block part mainly composed of a conjugated diene and a soft segment block part mainly composed of a conjugated diene, and under a condition that does not cause a curing reaction in an insulating resin composition liquid containing a solvent. Examples thereof include an oligophenylene ether resin compound obtained by volatilizing a solvent.
Here, the component (B) is 67 parts or more and 150 parts or less with respect to 100 parts of the component (A) in the insulating resin mixture. Further, the component (B) of the insulating uncured coating is made of rubber and / or styrene-butadiene-styrene block copolymer, styrene-isoprene-styrene block copolymer, styrene-ethylene / butadiene-styrene copolymer. One or more selected thermoplastic elastomers.
Examples of the thermosetting resin used in the thermosetting resin composition include a thermosetting oligo having functional groups such as a styrene functional group, a vinyl group, a glycidyl group, an amino group, a hydroxy group, and a carboxy group at both ends. Examples include phenylene ether resins and epoxy resins. Among these, thermosetting oligophenylene ether resins and epoxy resins having styrene functional groups at both ends are excellent in dielectric properties (for example, low dielectric constant, low dielectric loss tangent), low water absorption, and film formability. To preferred.
As the thermosetting resin composition, an oligophenylene ether-based resin composition described in Japanese Patent Application No. 2006-215464 previously filed by the applicant of the present application is particularly preferable. Specifically, for example, 100 parts by weight of thermosetting oligophenylene ether (A) having a styrene functional group at both ends with a number average molecular weight of 500 to 5000, a repeating unit derived from a vinyl aromatic hydrocarbon monomer, and a conjugated diene A thermosetting resin composition containing 50 to 250 parts by weight of a block copolymer (B) containing a repeating unit derived from a monomer has dielectric properties (eg, low dielectric constant, low dielectric loss tangent), low elasticity, Preferable examples are from the viewpoint of excellent coating film formability.
Examples of the thermosetting oligophenylene ether (A) include 2,2 ′, 3,3 ′, 5,5′-hexamethylbiphenyl-4,4 ′ described in JP-A-2006-28111. -Reaction product of diol-2,6-dimethylphenol polycondensate and chloromethylstyrene.
Such a thermosetting oligophenylene ether (A) can be produced by a known method. Commercial products can also be used. For example, OPE-2st 2200 (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company) can be suitably used.
When the number average molecular weight of the thermosetting oligophenylene ether (A) exceeds 5,000, it is difficult to dissolve in a volatile solvent. On the other hand, if the number average molecular weight is less than 500, the crosslink density becomes too high, which adversely affects the elastic modulus and flexibility of the cured product. Therefore, the number average molecular weight of the thermosetting oligophenylene ether (A) is 500 to 5,000, and preferably 1,000 to 3,000.
The block copolymer (B) is a block copolymer composed of a hard segment block part mainly composed of vinyl aromatic hydrocarbon and a soft segment block part mainly composed of conjugated diene.
Examples of the block copolymer (B) include a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer, and a styrene-ethylene / butadiene-styrene block copolymer.
The block copolymer (B) can be produced by a known method. Commercial products can also be used. For example, TR2003 (manufactured by JSR) can be suitably used.
Content of the block copolymer (B) in the said thermosetting resin composition is 50-250 weight part with respect to 100 weight part of thermosetting oligophenylene ether (A), and is 65-200 weight part. It is preferable that it is, and it is more preferable that it is 80-150. When the content of the block copolymer (B) is within this range, the film forming ability and the compatibility with the thermosetting oligophenylene ether (A) are excellent.
Examples of the volatile solvent used in the oligophenylene ether resin composition include aromatic solvents such as toluene and xylene; ketone solvents such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, and these are used alone. Or two or more of them may be used in combination.
The content of the volatile solvent is not particularly limited as long as the viscosity of the composition is appropriately adjusted so as to be in the above range, but is preferably used so that the resin component is 15 to 45% by weight. It is more preferable to use it so that it may become 35 weight%. When the ratio of the resin component in the composition is within this range, the fibrous base material can be easily impregnated, and bubbles can be reduced. At such a low concentration, in a conventional vertical impregnation apparatus, in order to obtain a desired resin adhesion amount, a large amount of varnish adhesion amount must be obtained, and the impregnated resin droops when proceeding in the vertical direction. In addition to non-uniform vertical stripes and terrible resin spots, there is a phenomenon that the solvent remains in the coating film and only the surface is dried, and a uniform uncured state is not obtained.
The above-mentioned oligophenylene ether resin composition is a range that does not impair the effects of the present invention, such as an inorganic filler, a tackifier, a flame retardant, a defoaming agent, a flow regulator, a film forming aid, a dispersion aid, etc. An additive may be contained.
The oligophenylene ether resin composition may contain a curing catalyst, but can be cured only by heating.
The manufacturing method of the said oligophenylene ether resin composition is not specifically limited, A well-known manufacturing method is employable. For example, the components described above can be produced by sufficiently mixing with a stirrer.

<ADFLEMA>
絶縁性樹脂として、例えば、ADFLEMA(ナミックス株式会社製商品名)を用いるのが好ましい。ADFLEMAは、OPE樹脂の1種であるオリゴフェニレンエーテルとスチレンブタジエン系のエラストマーからなる樹脂である。ADFLEMA製品は未硬化状態のフィルムであるが、それが熱硬化した場合の比誘電率ε=2.0〜3.0、誘電正接tanδ=0.001〜0.005といずれも小さく、高周波特性に優れている。また、膜厚が2〜90μm程度の薄膜の形成が可能である。さらに、揮発性の溶媒を例えば70%程度含んでいるので、コーティングして加熱又は乾燥することにより膜厚を例えば70%減少させることができ、膜厚減少による導電性バンプの頭出し工程を含む本発明の多層配線板の製造に好適である。
<ADFLEMA>
As the insulating resin, for example, ADFLEMA (trade name, manufactured by NAMICS Co., Ltd.) is preferably used. ADFLEMA is a resin composed of oligophenylene ether, which is a kind of OPE resin, and a styrene-butadiene elastomer. The ADFLEMA product is an uncured film, but when it is thermally cured, the relative permittivity ε = 2.0 to 3.0 and the dielectric loss tangent tan δ = 0.001 to 0.005 are both small and excellent in high frequency characteristics. Moreover, it is possible to form a thin film having a thickness of about 2 to 90 μm. Further, since it contains about 70% of a volatile solvent, the film thickness can be reduced by, for example, 70% by coating and heating or drying, and a process for cueing conductive bumps by reducing the film thickness is included. It is suitable for manufacturing the multilayer wiring board of the present invention.

<絶縁性樹脂に含まれる繊維基材>
本発明の多層配線板用の部材に用いる絶縁性樹脂は、繊維基材を含まないことが好ましい。絶縁性樹脂配合液の状態で繊維基材を含まないので、配合液の粘度を低減可能であり、導電性バンプ周囲や基板表面に対する被覆性が高く、かつ膜減り工程において、導電性バンプの頭部における配合液の残渣を少なくできる。それに対し、絶縁性樹脂配合液にガラス繊維チョップなどの繊維基材を配合すると、均一な分散スラリーにすることが極めて困難である上に、仮にそれができたとしても、塗布の際に導電性バンプ頂上部への繊維チョップのブリッジが避けられず、加えて、誘電特性の劣るガラス繊維基材の導入は本発明により得られる効果とは相容れないことである。
<Fiber base material contained in insulating resin>
The insulating resin used for the member for a multilayer wiring board of the present invention preferably does not contain a fiber substrate. Since the fiber base material is not included in the state of the insulating resin compounding solution, the viscosity of the compounding solution can be reduced, the covering property around the conductive bumps and the substrate surface is high, and the head of the conductive bumps is used in the film reduction process. The amount of the mixed liquid residue in the part can be reduced. On the other hand, when a fiber base material such as glass fiber chop is blended in the insulating resin compounding liquid, it is extremely difficult to make a uniform dispersed slurry. In addition, it is inevitable that the fiber chop is bridged to the top of the bump, and in addition, the introduction of a glass fiber substrate having inferior dielectric properties is incompatible with the effect obtained by the present invention.

<絶縁性フィラー>
本発明の多層配線板用の部材に用いる絶縁性フィラーは、高い電気的絶縁性を備え、積層熱プレスに対する変形が生じず、多層配線基板の層間絶縁を保持可能な強度を有し、溶媒に対し均一に分散する材料を用いるのが好ましい。例えば、シリカ、シリコンカーバイド、アルミナ、窒化アルミ、ジルコニアビーズ、ガラスビーズ、アクリルビーズの中から選択された一つ又は複数の材料を用いるのが好ましい。
絶縁性フィラーは粉末又は粒子状であるのが好ましい。絶縁性フィラーの平均粒径は、導電性バンプの高さの20%以上で、100%以下であるのが好ましく、導電性バンプの底面径の50%以下であるのが好ましい。
<Insulating filler>
The insulating filler used in the member for the multilayer wiring board according to the present invention has high electrical insulation, does not undergo deformation with respect to the laminated heat press, has a strength capable of maintaining the interlayer insulation of the multilayer wiring board, and is used as a solvent. It is preferable to use a material that is uniformly dispersed. For example, it is preferable to use one or more materials selected from silica, silicon carbide, alumina, aluminum nitride, zirconia beads, glass beads, and acrylic beads.
The insulating filler is preferably powdered or particulate. The average particle diameter of the insulating filler is preferably 20% or more and 100% or less of the height of the conductive bump, and preferably 50% or less of the bottom diameter of the conductive bump.

(配線材料)
多層配線板の配線を形成するには、導電性箔をエッチングして導電性パターンを形成してもよいし、導電ペーストを印刷して形成してもよい。
導電ペーストを構成する樹脂組成物としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂などの熱硬化性樹脂を用いるのが好ましい。熱硬化性樹脂は流動性があり成型が容易で、後工程で加熱して硬化させ機械的強度を持たせることができる。
樹脂組成物を溶解又は分散する溶媒としては、例えば、有機溶媒を用いる。有機溶媒としては、芳香族系溶媒、例えば、トルエン、キシレン、ケトン系溶媒が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンが挙げられる。樹脂配合液中に分散する導電性粒子としては、Ag, Cu, Au, Niのいずれか、又は、それらの少なくとも2種以上が混合されたもの、或いは、それらの化合物を用いるのが好ましい。導電性ペーストは、例えば、樹脂の中に導電性粒子(例えば、Ag, Cu, Au, Niのいずれか或いはそれらの少なくとも2種以上が混合されたもの)を分散させ、さらに揮発性の溶剤を混合させたものを調整する。
<熱硬化型の導電ペースト>
また、配線材料として、熱硬化型の導電ペーストを用いてもよい。100〜200℃の低温の熱処理でも、十分低抵抗の配線形成が可能である。熱硬化型の導電ペーストを用いる場合は、配線の厚さは、1〜20μmの範囲とするのが好ましい。
<銀微粒子を含む導電ペースト>
また、導電性ペーストの材料として、特許文献3に開示された導電ペーストを用いてもよい。特許文献3に開示された材料は、有機溶媒の存在又は非存在下に、カルボン酸の銀塩と脂肪族アミンを混合し、還元剤を添加して反応温度20〜80℃で反応させた反応物から回収した銀微粒子を含む導電ペーストである。
導電ペーストに含まれる銀微粒子は、
(a)一次粒子の平均粒子径が40〜350nmであり、
(b)結晶子径が20〜70nmであり、かつ
(c)結晶子径に対する平均粒子径の比が1〜5であることが好ましい。
また、導電性ペーストに含まれる銀微粒子は、
(a)一次粒子の平均粒子径が50〜80nmであり、
(b)結晶子径が20〜50nmであり、かつ
(c)結晶子径に対する平均粒子径の比が1〜4であることがさらに好ましい。
係る導電ペースト材料は200℃以下の低温の熱処理でも十分大きな導電性を示す。有機配線板の耐熱温度以下の低温で硬化可能で、低温硬化にも関わらず比較的導体抵抗の低い(約10×10-5Ω・cm以下)導電性パターンを形成できる。従って、配線の膜厚を薄く、配線幅を細くしても配線遅延の増加の抑制又は低減が可能である。粒子径が小さいので、細線をスクリーン印刷する時でも目詰まりを起こしにくい。他の導電性微粒子を含む導電ペースト、例えば、ナノ粒子を含む導電ペーストと比較して、粒子径が大きいことから膜厚1μm〜10μmの配線を形成するのに好適であり、また、材料コストをより低く抑えることが可能である。特許文献3に開示された導電ペーストを用いる場合は、配線の厚さは、5μm以下とするのが好ましい。
(Wiring material)
In order to form the wiring of the multilayer wiring board, the conductive foil may be etched to form a conductive pattern, or a conductive paste may be printed.
As the resin composition constituting the conductive paste, for example, a thermosetting resin such as a phenol resin, an epoxy resin, or a melamine resin is preferably used. The thermosetting resin is fluid and easy to mold, and can be heated and cured in a later step to give mechanical strength.
As a solvent for dissolving or dispersing the resin composition, for example, an organic solvent is used. Examples of the organic solvent include aromatic solvents such as toluene, xylene, and ketone solvents. Examples of the ketone solvent include methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone. As the conductive particles dispersed in the resin compounding liquid, it is preferable to use any of Ag, Cu, Au, Ni, a mixture of at least two of them, or a compound thereof. For example, the conductive paste is made by dispersing conductive particles (for example, Ag, Cu, Au, Ni, or a mixture of at least two of them) in a resin, and further adding a volatile solvent. Adjust the mixture.
<Thermosetting conductive paste>
Further, a thermosetting conductive paste may be used as the wiring material. Even with heat treatment at a low temperature of 100 to 200 ° C., a sufficiently low resistance wiring can be formed. When a thermosetting conductive paste is used, the thickness of the wiring is preferably in the range of 1 to 20 μm.
<Conductive paste containing fine silver particles>
Moreover, you may use the electrically conductive paste disclosed by patent document 3 as a material of an electrically conductive paste. The material disclosed in Patent Document 3 is a reaction in which a silver salt of a carboxylic acid and an aliphatic amine are mixed in the presence or absence of an organic solvent, and a reducing agent is added to react at a reaction temperature of 20 to 80 ° C. A conductive paste containing fine silver particles recovered from a product.
Silver fine particles contained in the conductive paste
(a) The average particle size of the primary particles is 40 to 350 nm,
(b) the crystallite diameter is 20 to 70 nm, and
(c) The ratio of the average particle diameter to the crystallite diameter is preferably 1 to 5.
In addition, the silver fine particles contained in the conductive paste are
(a) The average particle diameter of the primary particles is 50 to 80 nm,
(b) the crystallite diameter is 20-50 nm, and
(c) The ratio of the average particle diameter to the crystallite diameter is more preferably 1 to 4.
Such a conductive paste material exhibits sufficiently large conductivity even at a low temperature heat treatment of 200 ° C. or lower. Curable at heat temperature below the low temperature of the organic wiring board, can be formed relatively low conductor resistance (about 10 × 10- 5 Ω · cm or less) conductive patterns despite the low temperature cure. Therefore, it is possible to suppress or reduce an increase in wiring delay even if the wiring film thickness is thin and the wiring width is narrowed. Since the particle size is small, clogging is unlikely to occur even when screen printing fine lines. Compared with conductive paste containing other conductive fine particles, for example, conductive paste containing nanoparticles, it is suitable for forming wiring with a film thickness of 1 μm to 10 μm because of its large particle diameter, and also reduces the material cost. It is possible to keep it lower. When the conductive paste disclosed in Patent Document 3 is used, the thickness of the wiring is preferably 5 μm or less.

[硬化度]
(導電性バンプの硬化度)
製造工程の途中段階で、多層配線板部材を構成する導電性バンプと絶縁性被膜の硬化状態は、以下の組み合わせから選択可能である。
(1)導電性バンプ:完全硬化状態、絶縁性被膜:未硬化状態
(2)導電性バンプ:未硬化と完全硬化の間の状態、絶縁性被膜:未硬化状態
ここで、「未硬化と完全硬化の間の状態」とは、樹脂が適切な熱処理によりある程度の硬化を進めているが、完全硬化に至らない状態のことである。
従来のB2it技術では、絶縁性被膜は、硬化状態が一般にBステージと呼ばれる絶縁性フィルムを熱で軟化させて導電性バンプに貫挿させていた。導電性バンプの貫挿によりビアを形成する方法であるため、導電性バンプに所定の値以上のアスペクト比が必要とされるとともに、所定の値以上の硬度が必要であり、導電性バンプは完全硬化状態とせざるを得なかった。
しかし、本発明に係る技術は、導電性バンプの貫挿を行わず、導電性バンプ上に絶縁性被膜を形成し、絶縁性被膜の膜厚を減少させて絶縁性未硬化被膜を形成した後、導電性バンプと第二の導体層又はコア基板と接合を行う技術である。そのため、導電性バンプの硬度は、貫挿法で必要な程度の硬度は必要でなく、ある程度の導電性バンプの形態を保持できれば十分であり、完全硬化、又は、未硬化と完全硬化の間の状態に任意に設定することができる。また、絶縁性未硬化被膜については、本発明では、未硬化とするものであり、厳密に言えば、絶縁性未硬化被膜の少なくとも表面は未硬化とするものである。各部材の硬度は、印刷又は塗布後における、乾燥、加熱等の工程において、処理温度又は処理時間をコントロールすることにより任意の硬度に制御することが可能である。部材の材料などにより温度、時間等の最適条件は変化するが具体的材料ごとの最適条件については、予め実験などにより求めておけばよい。
具体的な導電性バンプの硬度の例を以下に示す。
従来の導電性バンプは、プリプレグを貫挿するために、貫挿工程(温度条件は80℃〜120℃)の段階にて完全硬化の状態とする必要があった。導電性パンプの硬度は、35〜40が必要であった。
本発明の技術により、導電性バンプを未硬化と完全硬化の間の状態とする場合は、例えば、ガラス転移温度が110から140℃の間の材料からなる導電性バンプを用い、その硬度を15〜30とする。
導電性バンプを未硬化と完全硬化の間の状態とする場合の効果は以下の通りである。
1.導電性バンプと接触する配線パターンとの密着性、導電性が、導電性バンプが完全硬化である場合よりも優れている。導電性バンプが完全硬化状態でないために、積層プレス工程における所定の加熱条件で導電性バンプの塑性変形が起こりやすい。そのため、導電性バンプと導電性バンプに接触する配線部材に対する密着性が向上し、同時に接触面積が大きくなってビア抵抗の低減と電気的接続の信頼性が向上する。同時に、導電性バンプを形成する導電ペースト中のバインダー成分が圧縮され、絶縁性未硬化被膜中に押し出される。このため、導電ペースト中に分散した導電粒子と導電性バンプに接触する配線部材との結合が強固になり、導電粒子が緻密化される。その後の収縮で導電性バンプ中の導電粒子が再配列して導電性が一層向上するという効果が得られる。
2.積層プレス工程において、従来よりもはるかに少ないプレス圧力で多層配線板の形成が可能となる。そのため、部材に加わる歪みが小さくなり部材の信頼性が向上する。
3.本発明の製造方法は、絶縁性樹脂配合液の膜減りで絶縁性未硬化被膜を形成した後、導電性バンプと第二の導体層又はコア基板と接合するので、従来のようなプリプレグを貫挿するような力は導電性バンプには印加されない。また、膜減りの乾燥・固化温度条件を、導電性バンプの硬化状態に影響を与えない範囲に設定すれば、導電性バンプの形状は、印刷直後の形状が、そのまま安定に維持される。
4.導電性バンプを配線パターンと密着する場合、導電性パンプの先端部の塑性変形がなめらかに行われる。
上記の導電性バンプの硬度は、微小硬度計MXT50(松沢製機(株))で、試験温度23℃、試験荷重25Kgf、荷重保持時間15秒で測定した。
[Curing degree]
(Hardness of conductive bump)
In the middle of the manufacturing process, the cured state of the conductive bump and the insulating film constituting the multilayer wiring board member can be selected from the following combinations.
(1) Conductive bump: fully cured state, insulating coating: uncured state (2) Conductive bump: state between uncured and fully cured, insulating coating: uncured state The “state during curing” is a state in which the resin has been cured to some extent by an appropriate heat treatment but does not reach complete curing.
In the conventional B 2 it technology, the insulating film has a hardened state, generally called a B stage, is softened by heat and inserted into conductive bumps. Since the via is formed by inserting the conductive bump, the conductive bump requires an aspect ratio of a predetermined value or more and a hardness of a predetermined value or more. It was in a cured state.
However, the technique according to the present invention does not insert conductive bumps, forms an insulating film on the conductive bumps, reduces the thickness of the insulating film, and forms an insulating uncured film. In this technique, the conductive bump is bonded to the second conductor layer or the core substrate. Therefore, the hardness of the conductive bumps is not necessary to the degree necessary for the intrusion method, and it is sufficient if it can maintain a certain form of the conductive bumps, and is completely cured or between uncured and completely cured. The state can be set arbitrarily. In addition, the insulating uncured coating is uncured in the present invention. Strictly speaking, at least the surface of the insulating uncured coating is uncured. The hardness of each member can be controlled to an arbitrary hardness by controlling the processing temperature or the processing time in a process such as drying or heating after printing or coating. Optimum conditions such as temperature and time vary depending on the material of the member, etc., but the optimum conditions for each specific material may be obtained in advance through experiments.
Specific examples of the hardness of the conductive bump are shown below.
Conventional conductive bumps need to be completely cured at the stage of the insertion process (temperature conditions are 80 ° C. to 120 ° C.) in order to insert the prepreg. The hardness of the conductive pump required 35-40.
When the conductive bump is brought into a state between uncured and completely cured by the technique of the present invention, for example, a conductive bump made of a material having a glass transition temperature of 110 to 140 ° C. is used, and its hardness is 15 ~ 30.
The effect when the conductive bump is in a state between uncured and completely cured is as follows.
1. Adhesiveness and conductivity with the wiring pattern in contact with the conductive bump are superior to the case where the conductive bump is completely cured. Since the conductive bump is not completely cured, plastic deformation of the conductive bump tends to occur under a predetermined heating condition in the lamination press process. For this reason, the adhesion to the conductive bump and the wiring member contacting the conductive bump is improved, and at the same time, the contact area is increased to reduce the via resistance and improve the reliability of the electrical connection. At the same time, the binder component in the conductive paste forming the conductive bumps is compressed and extruded into the insulating uncured coating. For this reason, the coupling | bonding of the electrically-conductive particle disperse | distributed in the electrically conductive paste and the wiring member which contacts an electroconductive bump becomes strong, and an electroconductive particle is densified. Subsequent contraction has the effect that the conductive particles in the conductive bumps are rearranged to further improve the conductivity.
2. In the laminating press process, it is possible to form a multilayer wiring board with a much lower pressing pressure than in the past. For this reason, the strain applied to the member is reduced, and the reliability of the member is improved.
3. In the manufacturing method of the present invention, an insulating uncured film is formed by reducing the film thickness of the insulating resin compounding solution, and then the conductive bump and the second conductor layer or core substrate are joined. The force to insert is not applied to the conductive bump. Moreover, if the drying / solidification temperature conditions for film reduction are set in a range that does not affect the cured state of the conductive bumps, the shape of the conductive bumps can be maintained stably as it is immediately after printing.
4). When the conductive bump is brought into close contact with the wiring pattern, the plastic deformation of the tip portion of the conductive pump is smoothly performed.
The hardness of the conductive bump was measured with a micro hardness tester MXT50 (Matsuzawa Seiki Co., Ltd.) at a test temperature of 23 ° C., a test load of 25 kgf, and a load holding time of 15 seconds.

(絶縁性被膜の硬化度)
本発明の多層配線板の製造方法では、途中工程において、導電性バンプ周辺に形成する絶縁性被膜が「未硬化」と言われる硬化前の状態となり、熱プレス工程において「完全硬化」又は「硬化」と呼ばれる状態になるように加熱条件を制御するのが好ましい。
本発明の多層配線板部材における絶縁性被膜の材料として好適なエポキシ樹脂系、又は、OPE樹脂系については、具体的には、本願明細書の段落(0026)又は(0027)に記載された材料のことである。絶縁性被膜がエポキシ樹脂系の場合は、加熱条件が130〜180℃、かつ10分〜1時間の範囲で、絶縁性被膜は「未硬化」と「完全硬化」の中間の硬化度になる。絶縁性被膜がオリゴフェニレンエーテル樹脂系の場合は、加熱条件が130〜200℃、かつ10分〜1時間の範囲で、絶縁性被膜は「未硬化」と「完全硬化」の中間の硬化度になる。この状態の絶縁性硬化被膜を、本願明細書では「絶縁性未硬化被膜」と呼ぶ。その条件より低温又は短時間の加熱の場合は、絶縁性被膜は未硬化状態に、その条件より高温又は長時間の加熱の場合は、絶縁性被膜はより完全硬化に近い状態になる。例えば、オリゴフェニレンエーテル樹脂系の場合は、160℃の加熱であっても、加熱時間が5分程度であれば、硬化反応は不十分であり、絶縁性被膜は未硬化に近い状態を維持する。
絶縁性被膜を未硬化被膜とする場合は、絶縁性被膜に接して形成される部材、例えば、導電性パターンのような導電性被膜、或いは、上層又は下層の絶縁性被膜との密着強度が、架橋前で分子量の低い樹脂であるために、熱流動性のある状態での相互接触になるために相手との濡れが良く、したがって接着は強くなる。そのため、配線が剥離しにくくなる、配線板が強固なものになるという効果がある上に、硬化度が低く、下地の実装部品による凹凸を隙間なく埋め込むことが可能であり、配線板表面の平坦化にも高い効果が得られる。
一方、未硬化被膜は、機械的強度に劣るため、例えば、被膜上に印刷により導電性パターンを形成する場合に取り扱いが容易でなくなる場合がある。このような場合には、導電性パターンを形成する側の被膜を適切な条件で加熱し、完全硬化状態に変化させてから、さらに、その上に未硬化被膜を積層するのが好ましい。未硬化被膜と完全硬化被膜を積層することにより、密着性、平坦性を向上させ、同時に、導電性パターン加工工程における作業性の向上を図ることができる。
たとえば、本発明のエポキシ系においては、用途によっては加熱流動性がありすぎるために、前段で加熱硬化を若干進めて流動粘度を上げてから(プリベーキングしてから)加圧積層したほうが好ましい場合がある。
(Degree of curing of insulating film)
In the method for producing a multilayer wiring board of the present invention, in the middle step, the insulating coating formed around the conductive bumps is in a state before curing called “uncured”, and “completely cured” or “cured” in the hot press process. It is preferable to control the heating conditions so as to achieve a state called “.”
Regarding the epoxy resin system or the OPE resin system suitable as a material for the insulating coating in the multilayer wiring board member of the present invention, specifically, the materials described in paragraph (0026) or (0027) of the present specification. That is. When the insulating coating is an epoxy resin type, the insulating coating has an intermediate curing degree between “uncured” and “completely cured” when the heating conditions are 130 to 180 ° C. and 10 minutes to 1 hour. When the insulating coating is an oligophenylene ether resin system, the insulating coating has an intermediate curing degree between “uncured” and “completely cured” when the heating conditions are 130 to 200 ° C. and 10 minutes to 1 hour. Become. In this specification, the insulating cured film in this state is referred to as “insulating uncured film”. In the case of heating at a temperature lower or shorter than that condition, the insulating film is in an uncured state, and in the case of heating at a temperature higher or longer than that condition, the insulating film is more nearly completely cured. For example, in the case of an oligophenylene ether resin system, even if the heating is performed at 160 ° C., if the heating time is about 5 minutes, the curing reaction is insufficient, and the insulating coating is maintained in an almost uncured state. .
When the insulating coating is an uncured coating, the adhesion strength between the member formed in contact with the insulating coating, for example, a conductive coating such as a conductive pattern, or an upper or lower insulating coating is Since the resin has a low molecular weight before cross-linking, the mutual contact in a state of thermal fluidity is good, so that wetting with the other party is good, and thus adhesion is strong. Therefore, it has the effect that the wiring is difficult to peel off and the wiring board is strong, and the degree of curing is low, and it is possible to embed irregularities due to the underlying mounting parts without gaps, and the wiring board surface is flat. High effects can be obtained.
On the other hand, since an uncured coating film is inferior in mechanical strength, for example, when a conductive pattern is formed on the coating film by printing, handling may not be easy. In such a case, it is preferable to heat the film on the side on which the conductive pattern is to be formed under appropriate conditions to change the film to a completely cured state, and then laminate an uncured film thereon. By laminating the uncured film and the completely cured film, adhesion and flatness can be improved, and at the same time, workability in the conductive pattern processing step can be improved.
For example, in the epoxy system of the present invention, since heat fluidity is too high depending on the application, it is preferable to press laminate after increasing the fluid viscosity by slightly advancing heat curing in the previous stage (after pre-baking) There is.

[部材の形状、サイズパラメータ]
(サイズパラメータの定義)
図12(a) 乃至(c)は、本発明の多層配線板部材に係るサイズパラメータの定義を説明する図である。
図12(a) は、導電性バンプ221上に流動性被膜222を塗布により形成した後の多層配線板部材の断面図であり、図12(b)及び(c)は、流動性被膜222を膜減りし、絶縁性未硬化被膜223を形成した後の多層配線板部材の断面図である。導電性バンプの頭出しは、典型的には、図12(b)のように導電性バンプの頭が完全に露出する。しかし、最悪の場合、図12(c)のように導電性バンプの頭の一部に絶縁性被膜が残る。
ここで、t1は、流動性被膜222の厚さであり、t2は、絶縁性未硬化被膜223の厚さであり、h1は、導電性バンプ221の厚さである。また、a1は、導電性バンプの底面径(底面の直径)であり、θ1は、導電性バンプ71の上断面の中心角である。また、図12(c)に示す最悪の場合において、Sb1はバンプの底面積であり、Se1は導電性バンプの頭における導電性バンプ221の露出面積である。導電性バンプの底面積に対する露出面積比は、Se1/Sb1×100(%)で定義する。
また、図示していないが、積層熱プレス後の導電性バンプの高さはh2、積層熱プレス後の絶縁層の厚さはt3であると定義する。t3は5μm以上とするのが好ましい。
[Part shape and size parameters]
(Size parameter definition)
FIGS. 12A to 12C are views for explaining the definition of the size parameter according to the multilayer wiring board member of the present invention.
FIG. 12A is a cross-sectional view of the multilayer wiring board member after the fluid film 222 is formed on the conductive bumps 221 by coating. FIGS. 12B and 12C illustrate the fluid film 222. It is sectional drawing of the multilayer wiring board member after film reduction and forming the insulating uncured film 223. The cueing of the conductive bump is typically such that the head of the conductive bump is completely exposed as shown in FIG. However, in the worst case, an insulating film remains on a part of the head of the conductive bump as shown in FIG.
Here, t 1 is the thickness of the fluid film 222, t 2 is the thickness of the insulating uncured film 223, and h 1 is the thickness of the conductive bump 221. Further, a1 is the bottom diameter (bottom diameter) of the conductive bump, and θ1 is the central angle of the upper cross section of the conductive bump 71. In the worst case shown in FIG. 12C, Sb1 is the bottom area of the bump, and Se1 is the exposed area of the conductive bump 221 at the head of the conductive bump. The ratio of the exposed area to the bottom area of the conductive bump is defined as Se1 / Sb1 × 100 (%).
Although not shown, it is defined that the height of the conductive bump after lamination hot pressing is h2, and the thickness of the insulating layer after lamination hot pressing is t3. t3 is preferably 5 μm or more.

(導電性バンプの形状)
導電性バンプの形状は、底部の直径よりも先端部断面の直径が小さい形状とするのが好ましい。例えば、円錐状、略円錐台状、山型とするのが好ましい。導電性バンプの上断面形状は、中心角θ1が180°以下のゆるやかな円弧であることが好ましい。ここで、導電性バンプの先端部断面とは、導電性バンプ先端を上部に配置した場合の導電性バンプの水平方向の断面であり、導電性バンプの上断面とは、導電性バンプの垂直方向の断面である。発明の多層配線板の製造方法では、導電性バンプはプリプレグを貫挿する必要がないので、先端が尖った形状にする必要はない。先端部をゆるやかな円弧にすることにより、ビアの断面積を大きくし、ビア抵抗を低減することが可能である。
導電性バンプの上断面を中心角が180°を越える円弧とする場合は、導電性バンプの先端部がくぼんだ形状となって、絶縁性未硬化樹脂がくぼみ部に残ってしまう。このため、ビアの接続不良やビア抵抗の増加などの不具合を発生させる。本発明の多層配線板部材では、導電性バンプの上断面が、中心角が180°以下のゆるやかな円弧形状であるので、絶縁性未硬化樹脂が導電性バンプの先端部に残らず、ビアの確実な接続及びビア抵抗の低減に効果がある。さらに、導電性バンプの先端が尖っていないので、一括積層熱プレスを行ってもビア先端部がつぶれたり、折れたりしないので、上層の導電性部材と確実な電気的接続をとることが可能である。
(Conductive bump shape)
The shape of the conductive bump is preferably a shape in which the diameter of the cross section at the tip is smaller than the diameter of the bottom. For example, a conical shape, a substantially truncated cone shape, and a mountain shape are preferable. The upper cross-sectional shape of the conductive bump is preferably a gentle arc having a central angle θ1 of 180 ° or less. Here, the cross-section of the tip of the conductive bump is a horizontal cross-section of the conductive bump when the tip of the conductive bump is arranged at the top, and the upper cross-section of the conductive bump is the vertical direction of the conductive bump. It is a cross section. In the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the invention, since the conductive bump does not need to be inserted through the prepreg, it is not necessary to have a pointed tip. By making the tip part a gentle arc, the via cross-sectional area can be increased and the via resistance can be reduced.
When the upper cross section of the conductive bump is an arc having a central angle exceeding 180 °, the leading end of the conductive bump has a concave shape, and the insulating uncured resin remains in the concave portion. This causes problems such as poor connection of vias and increased via resistance. In the multilayer wiring board member of the present invention, since the upper cross section of the conductive bump has a gentle arc shape with a central angle of 180 ° or less, the insulating uncured resin does not remain at the tip of the conductive bump, and the via It is effective for reliable connection and reduction of via resistance. In addition, since the tips of the conductive bumps are not sharp, the via tip does not collapse or break even when batch lamination hot pressing is performed, so it is possible to establish a reliable electrical connection with the upper conductive member. is there.

(導電性バンプの露出)
絶縁性樹脂配合液を塗布し、加熱又は乾燥により膜減りを行うと、絶縁性未硬化被膜と導電性バンプの境界において、図12 (c)に示すように、導電性バンプの上面に多少の絶縁性物質が残ることがある。導電性バンプ上面において、導電性バンプが絶縁性物質の残渣などにより覆われていない割合を、導電性バンプの底面積に対する露出面積比で表すと、本発明の技術を用いる場合、導電性バンプの底面積に対する露出面積比を20%以上にすることができる。ビアの断面積を実質的に大きくすることが可能で、ビア抵抗の低減に効果がある。
(Exposed conductive bump)
When the insulating resin compounding liquid is applied and the film is reduced by heating or drying, at the boundary between the insulating uncured film and the conductive bump, as shown in FIG. Insulating material may remain. When the ratio of the exposed area to the bottom area of the conductive bump is expressed as the ratio of the conductive bump not covered with the residue of the insulating material on the upper surface of the conductive bump, when the technique of the present invention is used, The ratio of the exposed area to the bottom area can be 20% or more. The cross-sectional area of the via can be substantially increased, which is effective in reducing the via resistance.

[本発明の実施の形態に係る多層配線板、及び、その製造方法]
以下に、配線板部材及びコア基板を用いて多層配線板を製造する方法の具体例について、図4乃至図6を用いて説明する。本発明に係る多層配線板の製造方法は、ここで説明する多層配線板基板の製造方法におけるコア基板を導電性箔や絶縁性基板、又は、多層配線板部材により置換したものである。
[Multilayer Wiring Board According to Embodiment of the Present Invention and Manufacturing Method Thereof]
A specific example of a method for manufacturing a multilayer wiring board using a wiring board member and a core substrate will be described below with reference to FIGS. In the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention, the core substrate in the method for manufacturing a multilayer wiring board substrate described here is replaced with a conductive foil, an insulating substrate, or a multilayer wiring board member.

(多層配線板の製造方法の第一の具体例)
第一の具体例では、図4(a)乃至(i)を用いて順次積層方式の多層配線板の製造方法を説明する。コア基板は、めっきスルーホール方式により製造したプリント多層配線板を用いた例を示す。最初に、コア基板52の上面と下面にそれぞれ、本発明に係る多層配線板部材の製造方法の第二の具体例(図2)により製造した多層配線板部材51と53を位置合わせして(図4(a))積層熱プレスを行い、絶縁性未硬化被膜であった多層配線板部材の絶縁性被膜を硬化被膜にする(図4(b))。次に、多層配線板部材51、53上に例えばフォトリソグラフィー法によりレジストパターン54を形成する(図4(c))。次に、ウェットエッチングによりレジストパターン54をマスクにして導電性箔55をエッチングし、レジストパターン54を除去し、配線56を形成する(図4(d))。次に、多層配線板51、53及び配線56の上面に、本発明に係る多層配線板部材の製造方法の第二の具体例(図2)により製造した多層配線板部材57と58を位置合わせして(図4(e))積層熱プレスを行い、絶縁性未硬化被膜であった多層配線板部材の絶縁性被膜を硬化被膜にする(図4(f))。次に、多層配線板部材59、60上にフォトリソグラフィー法によりレジストパターン62を形成する(図4(g))。次に、ウェットエッチングによりレジストパターン62をマスクにして導電性箔61をエッチングし、レジストパターン62を除去し、配線63を形成し、多層配線板66を完成する。(図4(h))。
図4に示す順次積層方式の複合多層配線板基板の製造方法において、多層配線板を図1、図3に示す製造方法を用いて作製した基板部材を用い、あるいは、コア基板として導電性バンプにより層間接続を行ったプリント多層配線板を用いることが可能であることは言うまでもない。
(First specific example of manufacturing method of multilayer wiring board)
In the first specific example, a method of manufacturing a multilayer wiring board of the sequential lamination type will be described with reference to FIGS. The core substrate shows an example using a printed multilayer wiring board manufactured by a plated through-hole method. First, the multilayer wiring board members 51 and 53 manufactured by the second specific example (FIG. 2) of the manufacturing method of the multilayer wiring board member according to the present invention are aligned on the upper surface and the lower surface of the core substrate 52, respectively ( 4 (a)) Laminate hot pressing is performed to convert the insulating coating of the multilayer wiring board member, which was an insulating uncured coating, into a cured coating (FIG. 4 (b)). Next, a resist pattern 54 is formed on the multilayer wiring board members 51 and 53 by, for example, photolithography (FIG. 4C). Next, the conductive foil 55 is etched by wet etching using the resist pattern 54 as a mask, the resist pattern 54 is removed, and a wiring 56 is formed (FIG. 4D). Next, the multilayer wiring board members 57 and 58 manufactured by the second specific example (FIG. 2) of the manufacturing method of the multilayer wiring board member according to the present invention are aligned on the upper surfaces of the multilayer wiring boards 51 and 53 and the wiring 56. Then (FIG. 4 (e)), a laminated heat press is performed to turn the insulating coating of the multilayer wiring board member, which was an insulating uncured coating, into a cured coating (FIG. 4 (f)). Next, a resist pattern 62 is formed on the multilayer wiring board members 59 and 60 by photolithography (FIG. 4G). Next, the conductive foil 61 is etched by wet etching using the resist pattern 62 as a mask, the resist pattern 62 is removed, wirings 63 are formed, and a multilayer wiring board 66 is completed. (FIG. 4 (h)).
In the manufacturing method of the sequential multilayer composite multilayer wiring board substrate shown in FIG. 4, the multilayer wiring board is formed by using a substrate member produced by using the manufacturing method shown in FIGS. 1 and 3, or by using conductive bumps as a core substrate. Needless to say, a printed multilayer wiring board with interlayer connection can be used.

(多層配線板の製造方法の第二の具体例)
第二の具体例では、図5(a)乃至(d)を用いて一括積層方式の多層配線板の製造方法を説明する。コア基板は、導電性バンプにより製造したプリント多層配線板を用いた例を示す。一般的にめっきスルーホール方式により製造したコア基板は実装密度が低いので、B2itなどの従来法により製造した基板を用いることも可能である。最初に、コア基板75の上面及び下面に本発明に係る多層配線板部材の製造方法の第三の具体例(図3)により製造した多層配線板部材に、予め、例えば、フォトリソグラフィー法とエッチングにより配線パターンを形成した多層配線板部材74、73、76、77と本発明に係る多層配線板部材の製造方法の第一の具体例(図1)により製造した多層配線板部材を位置合わせする(図5(a))。次に、積層熱プレスを行い、絶縁性未硬化被膜であった多層配線板部材の絶縁性被膜を硬化被膜にする(図5(b))。次に、導電性箔71上に例えばフォトリソグラフィー法によりレジストパターン84を形成し(図5(c))、ウェットエッチングによりレジストパターン84をマスクにして導電性箔71をエッチングし、レジストパターン84を除去し、配線83を形成し(図5(d))、多層配線板85を完成する。
図5に示す一括積層方式の多層配線板基板の製造方法において、多層配線板を図1、図2に示す製造方法を用いて作製した基板部材を用い、あるいは、コア基板としてめっきスルーホール方式により製造したプリント多層配線板を用いることが可能であることは言うまでもない。
(Second specific example of manufacturing method of multilayer wiring board)
In the second specific example, a method for manufacturing a multi-layer wiring board of a batch lamination type will be described with reference to FIGS. The core substrate shows an example using a printed multilayer wiring board manufactured with conductive bumps. In general, a core substrate manufactured by a plated through-hole method has a low mounting density, so that a substrate manufactured by a conventional method such as B 2 it can also be used. First, a multilayer wiring board member manufactured by the third specific example (FIG. 3) of the manufacturing method of the multilayer wiring board member according to the present invention on the upper surface and the lower surface of the core substrate 75 is previously subjected to, for example, photolithography and etching. The multilayer wiring board members 74, 73, 76, 77 having the wiring pattern formed thereon are aligned with the multilayer wiring board member manufactured by the first specific example (FIG. 1) of the multilayer wiring board member manufacturing method according to the present invention. (FIG. 5 (a)). Next, a laminated hot press is performed to turn the insulating coating of the multilayer wiring board member, which was an insulating uncured coating, into a cured coating (FIG. 5 (b)). Next, a resist pattern 84 is formed on the conductive foil 71 by, for example, photolithography (FIG. 5C), and the conductive foil 71 is etched by wet etching using the resist pattern 84 as a mask. Then, the wiring 83 is formed (FIG. 5D), and the multilayer wiring board 85 is completed.
In the manufacturing method of the multilayer wiring board substrate of the collective lamination method shown in FIG. 5, the multilayer wiring board is formed by using the substrate member produced by using the manufacturing method shown in FIGS. 1 and 2, or by the plated through hole method as the core substrate. It goes without saying that the manufactured printed multilayer wiring board can be used.

(多層配線板の製造方法の第三の具体例、第四の具体例)
第三の具体例、第四の具体例では、図6(a)及び(b)を用いてコア/コア積層方式の多層配線板の製造方法を説明する。コア基板は、導電性バンプにより製造したプリント多層配線板を用いた例を示す。
第三の具体例では、最初に、コア基板95の上面に導電性バンプ94を形成し、その後、絶縁性フィラー93を分散した絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ94の上及び周囲に塗布し流動性被膜を形成し、係る流動性被膜を乾燥して溶剤を蒸発させ絶縁性未硬化被膜92を形成する。次に、コア基板91を位置合わせして(図6(a))、積層熱プレスを行い、絶縁性未硬化被膜であった多層配線板部材の絶縁性被膜を硬化被膜にして、多層配線板を完成する。
第四の具体例では、最初に、コア基板100の上面に導電性バンプ99を形成する。もう一つのコア基板96の上面に、絶縁性フィラー98を分散した絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性被膜を形成し、係る流動性被膜を乾燥して溶剤を蒸発させ絶縁性未硬化被膜97を形成する。次に、コア基板96と導電性バンプ99を位置合わせして(図6(b))、積層熱プレスを行い、絶縁性未硬化被膜であった多層配線板部材の絶縁性被膜を硬化被膜にして、多層配線板を完成する。
図6に示すコア/コア積層方式の多層配線板基板の製造方法において、コア基板としてめっきスルーホール方式により製造したプリント多層配線板を用いることが可能であることは言うまでもない。
(Third specific example and fourth specific example of the method of manufacturing a multilayer wiring board)
In the third specific example and the fourth specific example, a method for manufacturing a multilayer wiring board of the core / core lamination type will be described with reference to FIGS. 6 (a) and 6 (b). The core substrate shows an example using a printed multilayer wiring board manufactured with conductive bumps.
In the third specific example, first, conductive bumps 94 are formed on the upper surface of the core substrate 95, and then an insulating resin compound liquid in which an insulating filler 93 is dispersed is applied on and around the conductive bumps 94. A fluid film is formed, the fluid film is dried, and the solvent is evaporated to form an insulating uncured film 92. Next, the core substrate 91 is aligned (FIG. 6 (a)), laminated heat pressing is performed, and the insulating coating of the multilayer wiring board member, which has been an insulating uncured coating, is used as a cured coating. To complete.
In the fourth specific example, first, conductive bumps 99 are formed on the upper surface of the core substrate 100. On the upper surface of another core substrate 96, an insulating resin compounded liquid in which an insulating filler 98 is dispersed is applied to form a fluid film, and the fluid film is dried to evaporate the solvent, thereby insulating uncured film 97. Form. Next, the core substrate 96 and the conductive bumps 99 are aligned (FIG. 6 (b)), and laminating heat pressing is performed, so that the insulating coating of the multilayer wiring board member, which is an insulating uncured coating, is made into a cured coating. To complete the multilayer wiring board.
Needless to say, a printed multilayer wiring board manufactured by a plated through-hole method can be used as the core substrate in the core / core laminated multilayer board manufacturing method shown in FIG.

[上塗り工と下塗り工]
多層配線基板を製造する工程において、積層熱プレスの前に絶縁性樹脂層と導電性バンプの配置の仕方には、上塗り工と下塗り工がある。
図7(a)及び(b)は、下塗り工を行う場合の積層前の多層配線板の断面図である。下塗り工は、導電性バンプ加工側に絶縁性配合液を塗工する工法である。図7(a)では、コア基板122に対向して、導電性バンプと絶縁性材を備えた多層配線板部材を位置合わせした図が示されている。図7(b)では、コア基板126上に形成された導電性バンプと絶縁性材を備えた多層配線部材上に導電性箔124、128が配置されている。
図7(c)及び(d)は、上塗り工を行う場合の積層前の多層配線板の断面図である。上塗り工は、導電性バンプ加工側と反対側に絶縁性配合液を塗工する工法である。図7(c)では、導電性バンプ130、132を形成した第一のコア基板131に対向して、導体層又は第二のコア基板上に絶縁性フィラーと揮発性溶剤を含む絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性未硬化被膜を形成する工程と、前期揮発性絶縁性を揮発させ、前記流動性被膜を膜減りさせて絶縁性未硬化被膜とする工程と、前記第一のコア基板と前記絶縁性未硬化被膜が形成された導体層又は第二のコア基板を積層熱プレスする工程により、前記導電性バンプが形成された第一のコア配線板の導体層と前記絶縁性未硬化被膜が形成された導体層又は第二のコア基板の導体層の電気的接続を前記導電性バンプにて形成する多層配線板の製造方法が図に示されている。図7(d)では、第一のコア基板上に配置された第一の導体層上に絶縁性フィラーと揮発性溶剤を含む絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性被膜を形成する工程と、前記揮発性溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を膜減りさせて絶縁性未硬化被膜を形成する工程と、第二の導体層又は第二のコア基板上に突起状の導電性バンプ群を形成する工程と、前記第一のコア基板と前記絶縁層を積層熱プレスする工程により、前記絶縁性未硬化被膜が形成された第一のコア配線板の導体層と、前記導電性バンプが形成された導体層又は第二のコア基板の導体層の電気的接続を前記導電性バンプにて形成する多層配線板の製造方法が図に示されている。
図1乃至3に示した多層配線板用の部材の製造方法、及び、図4乃至6に示した多層配線板の製造方法では、いずれも、下塗り工の場合の工程順断面図について説明したが、上塗り工を適用して多層配線板用の部材、及び、多層配線板を製造する場合でも、下塗り工を適用した場合と同様の優れた効果が得られることは言うまでもない。
[Overcoat and undercoat]
In the process of manufacturing a multilayer wiring board, there are an overcoating process and an undercoating process for arranging the insulating resin layer and the conductive bumps before the lamination hot pressing.
FIGS. 7A and 7B are cross-sectional views of the multilayer wiring board before lamination in the case of undercoating. Undercoating is a method of applying an insulating compounding liquid to the conductive bump processing side. FIG. 7A shows a diagram in which a multilayer wiring board member provided with conductive bumps and an insulating material is aligned so as to face the core substrate 122. In FIG. 7B, conductive foils 124 and 128 are arranged on a multilayer wiring member provided with conductive bumps and an insulating material formed on the core substrate 126.
FIGS. 7C and 7D are cross-sectional views of the multilayer wiring board before lamination in the case of performing overcoating. The top coating is a method of coating an insulating compounding liquid on the side opposite to the conductive bump processing side. In FIG. 7 (c), an insulating resin composition containing an insulating filler and a volatile solvent is formed on the conductor layer or the second core substrate so as to face the first core substrate 131 on which the conductive bumps 130 and 132 are formed. Applying a liquid to form a fluid uncured coating, volatilizing volatile insulation in the previous period, reducing the fluid coating to reduce the fluid coating to an insulating uncured coating, and the first core substrate; The conductor layer of the first core wiring board on which the conductive bumps are formed and the insulating uncured film by the step of laminating and hot pressing the conductor layer or the second core substrate on which the insulating uncured film is formed A method of manufacturing a multilayer wiring board in which electrical connection of a conductor layer formed with a conductor layer or a conductor layer of a second core substrate is formed by the conductive bumps is shown in the drawing. In FIG.7 (d), the process of apply | coating the insulating resin compounding liquid containing an insulating filler and a volatile solvent on the 1st conductor layer arrange | positioned on the 1st core board | substrate, and forming a fluid film, Volatile solvent is volatilized, and the fluid film is reduced to form an insulating uncured film, and a protruding conductive bump group is formed on the second conductor layer or the second core substrate. And the step of laminating and pressing the first core substrate and the insulating layer, the conductive layer of the first core wiring board on which the insulating uncured film is formed and the conductive bumps are formed. A method of manufacturing a multilayer wiring board in which electrical connection of the conductive layer or the conductive layer of the second core substrate is formed by the conductive bumps is shown in the drawing.
In the method for manufacturing a member for a multilayer wiring board shown in FIGS. 1 to 3 and the method for manufacturing a multilayer wiring board shown in FIGS. Needless to say, even when a member for a multilayer wiring board and a multilayer wiring board are manufactured by applying an overcoating, the same excellent effects as those obtained when the undercoating is applied can be obtained.

[ビア抵抗の測定方法]
導電性バンプ等の技術で形成した多層配線板のビアの電気抵抗は、一般的に、デイジーチェーンと呼ばれるテストパターンを用いて測定する。図13(a)及び(b)は、ビア抵抗測定用のテストパターンの平面図及び断面図である。テストパターンは、第一層配線234、ビア235、第二層配線233、測定端子231、232により構成される。第一層配線234は絶縁性被膜236の下面に形成された配線であり、第二層配線233は絶縁性被膜236の上面に形成された配線である。測定端子231と測定端子232の間には、多数のビア235が第一層配線233の配線パターンと第二層配線234の配線パターンを介して直列に接続されている。ビア抵抗は、測定端子231と測定端子232に所定の電圧を印加し、テストパターンに流れる電流を測定することにより求める。具体的には、端子間の抵抗から、配線抵抗を引いて、ビアの個数で割って、一個当たりのビア抵抗を算出する。一般的に配線抵抗、ビア抵抗とも、通常の電子部品である抵抗と比較して抵抗値が極めて低いので、高精度のビア抵抗の算出には、多数のビアを直列に接続したパターンを用意して測定しなければならない。一般的には、数十個から数百個のビアを直列に並べたパターンが用いられる。配線抵抗については、予め、配線材料の固有抵抗あるいは配線のシート抵抗のデータがあれば、配線のサイズにより理論的に算出することが可能である。ビア数の異なる複数のパターンの測定により、ビア抵抗と配線抵抗を独立に測定することも可能である。
[Measurement method of via resistance]
The electrical resistance of vias of a multilayer wiring board formed by a technique such as a conductive bump is generally measured using a test pattern called a daisy chain. FIGS. 13A and 13B are a plan view and a cross-sectional view of a test pattern for measuring via resistance. The test pattern includes a first layer wiring 234, a via 235, a second layer wiring 233, and measurement terminals 231 and 232. The first layer wiring 234 is a wiring formed on the lower surface of the insulating coating 236, and the second layer wiring 233 is a wiring formed on the upper surface of the insulating coating 236. A large number of vias 235 are connected in series between the measurement terminal 231 and the measurement terminal 232 via a wiring pattern of the first layer wiring 233 and a wiring pattern of the second layer wiring 234. The via resistance is obtained by applying a predetermined voltage to the measurement terminal 231 and the measurement terminal 232 and measuring the current flowing through the test pattern. Specifically, the wiring resistance is subtracted from the resistance between the terminals and divided by the number of vias to calculate the via resistance per one. In general, both the wiring resistance and the via resistance have extremely low resistance values compared to the resistance that is a normal electronic component.Therefore, to calculate the via resistance with high accuracy, prepare a pattern in which many vias are connected in series. Must be measured. Generally, a pattern in which several tens to several hundreds of vias are arranged in series is used. The wiring resistance can be theoretically calculated from the size of the wiring if there is data on the specific resistance of the wiring material or the sheet resistance of the wiring in advance. Via resistance and wiring resistance can be measured independently by measuring a plurality of patterns having different numbers of vias.

(a)乃至(d)は、本発明の多層配線板部材の製造方法の実施の形態に係る第一の具体例を示す工程順断面図である。(a) thru | or (d) are process order sectional drawings which show the 1st specific example which concerns on embodiment of the manufacturing method of the multilayer wiring board member of this invention. (a)乃至(d)は、本発明の多層配線板部材の製造方法の実施の形態に係る第二の具体例を示す工程順断面図である。(a) thru | or (d) are process order sectional drawings which show the 2nd specific example which concerns on embodiment of the manufacturing method of the multilayer wiring board member of this invention. (a)乃至(f)は、本発明の多層配線板部材の製造方法の実施の形態に係る第三の具体例を示す工程順断面図である。(a) thru | or (f) is process order sectional drawing which shows the 3rd specific example which concerns on embodiment of the manufacturing method of the multilayer wiring board member of this invention. (a)乃至(i)は、本発明の多層配線板の製造方法の実施の形態に係る第一の具体例を示す工程順断面図である。(a) thru | or (i) are process order sectional drawings which show the 1st specific example which concerns on embodiment of the manufacturing method of the multilayer wiring board of this invention. (a)乃至(d)は、本発明の多層配線板の製造方法の実施の形態に係る第二の具体例を示す工程順断面図である。(a) thru | or (d) are process order sectional drawings which show the 2nd specific example which concerns on embodiment of the manufacturing method of the multilayer wiring board of this invention. (a)及び(b)は、本発明の多層配線板の製造方法の実施の形態に係る第三の具体例を示す工程順断面図である。(a) And (b) is process order sectional drawing which shows the 3rd specific example which concerns on embodiment of the manufacturing method of the multilayer wiring board of this invention. (a)乃至(d)は、それぞれ、本発明の多層配線板部材の製造方法の実施の形態に係る下塗りプロセスと上塗りプロセスを説明する断面図である。(a) thru | or (d) is sectional drawing explaining the undercoat process and topcoat process which concern on embodiment of the manufacturing method of the multilayer wiring board member of this invention, respectively. (a)乃至(c)は、本発明の多層配線板の製造方法と従来の多層配線板の製造方法を比較する断面図である。(a) thru | or (c) is sectional drawing which compares the manufacturing method of the multilayer wiring board of this invention, and the manufacturing method of the conventional multilayer wiring board. 導通安定性のフィラー有無に対する依存性を示すグラフである。It is a graph which shows the dependence with respect to the filler presence or absence of conduction stability. (a)乃至(c)は、導電性バンプによる導通性のフィラー径に対する依存性を示すグラフである。(d)乃至(f)は、導電性バンプによる導通性のフィラー添加量に対する依存性を示すグラフである。(a) thru | or (c) are the graphs which show the dependence with respect to the filler diameter of electroconductivity by an electroconductive bump. (d) thru | or (f) is a graph which shows the dependence with respect to the addition amount of the electroconductive filler by an electroconductive bump. (a)及び(b)は、それぞれ、導電性バンプの膜厚(高さ)と抵抗値の導電性バンプ中に添加する熱可塑性樹脂の量に対する依存性のグラフである。(a) And (b) is a graph of the dependence with respect to the quantity of the thermoplastic resin added to the conductive bump in the film thickness (height) and resistance value of a conductive bump, respectively, respectively. (a)乃至(c)は、本発明の多層配線板部材に係るサイズパラメータの定義を説明する図である。(a) thru | or (c) is a figure explaining the definition of the size parameter which concerns on the multilayer wiring board member of this invention. ビア抵抗測定用のテストパターンの平面図及び断面図である。It is the top view and sectional view of a test pattern for via resistance measurement. (a)乃至(d)は、従来の多層配線板の製造方法を示す工程順断面図及び斜視図である。(e)は、従来の多層配線板の導電性バンプ上部の水平断面図である。(a) thru | or (d) are process order sectional drawing and perspective view which show the manufacturing method of the conventional multilayer wiring board. (e) is a horizontal sectional view of the upper portion of the conductive bump of the conventional multilayer wiring board.

以下、実施例及び比較例を用いて、本発明を詳細に説明する。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in detail using Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited to these examples.

[導通安定性のフィラー依存性]
絶縁性樹脂に分散する絶縁性フィラーが多層配線板の層間の導通安定性に与える影響を調べるために、基板上に形成した導通テスト用パターンの電気抵抗を測定した。
図9は、デイジーチェーンの電気抵抗の絶縁性フィラー有無に対する依存性を示すグラフである。左のグラフが絶縁性フィラー無しの場合で右のグラフが絶縁性フィラー有りの場合のグラフである。絶縁性フィラーは、シリカ(D50=10μmφ)を使用した。積層熱プレスの印加圧力は50〜500kgf/cmとした。グラフの横軸は、デイジーチェーンの接続抵抗測定用引出し電極番号であり、これは基板中の測定位置の違いに対応するものである。グラフに示されるように、絶縁性フィラーが無い場合は、基板内で層間接続抵抗のばらつきが大きく、導通安定性が低いことがわかる。一方、絶縁性フィラーがある場合は、基板内で層間接続抵抗のばらつきが小さく、導通安定性が高いことがわかる。
絶縁性樹脂中の絶縁性フィラーの混合比を変化させて評価した結果、絶縁性フィラーの混合比は、1vol%以上、50vol%以下が好ましいことがわかった。さらに、1vol%以上、30vol%以下が好ましいことがわかった。低接続抵抗を考慮した場合は、1vol%以上、20vol%以下とするのがより好適であった。
[Filler dependence of conduction stability]
In order to investigate the influence of the insulating filler dispersed in the insulating resin on the conduction stability between the layers of the multilayer wiring board, the electrical resistance of the pattern for continuity test formed on the substrate was measured.
FIG. 9 is a graph showing the dependency of the electrical resistance of the daisy chain on the presence or absence of an insulating filler. The graph on the left is for the case without an insulating filler, and the graph on the right is for the case with an insulating filler. Silica (D50 = 10 μmφ) was used as the insulating filler. The applied pressure of the laminated heat press was 50 to 500 kgf / cm 2 . The horizontal axis of the graph is the daisy chain connection resistance measurement lead electrode number, which corresponds to the difference in measurement position in the substrate. As shown in the graph, when there is no insulating filler, it can be seen that there is a large variation in interlayer connection resistance in the substrate and the conduction stability is low. On the other hand, when there is an insulating filler, it can be seen that there is little variation in interlayer connection resistance in the substrate, and the conduction stability is high.
As a result of evaluating by changing the mixing ratio of the insulating filler in the insulating resin, it was found that the mixing ratio of the insulating filler is preferably 1 vol% or more and 50 vol% or less. Furthermore, it turned out that 1 vol% or more and 30 vol% or less are preferable. When low connection resistance is taken into consideration, it is more preferable to set it to 1 vol% or more and 20 vol% or less.

図10(a)乃至(f)は、導電性バンプの電気抵抗を縦軸に、基板内の位置を横軸にプロットしたグラフであり、図10(a)、(b)、(c)のそれぞれが、絶縁性フィラーの直径が0−4μmφ、5−20μmφ、25−50μmφに対応するものである。絶縁性フィラーの添加量は、絶縁層材の10vol%で、積層プレス後の導電性バンプの形状は、底面平均径が100μmφで平均高さが20μmとした。
図からわかるように、絶縁性フィラーの直径が、導電性バンプの高さの20%より小さい場合は、絶縁性フィラーが小さすぎるために、配線間ショートが発生したり、導電性バンプ上に絶縁性フィラーが残存しやすくなるといった問題が発生し、導通安定性が低くなる。絶縁性フィラーの直径が、導電性バンプの高さの20%以上、100%以下の場合は、配線間ショートやオープンなどの問題が発生しにくくなり、導通安定性が高くなる。絶縁性フィラーの直径が、導電性バンプの高さの100%より大きい場合は、絶縁性フィラーが大きすぎるために、導電性バンプと接続すべき配線との間のオープンが発生し、導通安定性が低くなる。
また、図10(d)、(e)、(f)のそれぞれが、絶縁性材料に対する絶縁性フィラーの添加量が、0vol%及び25−30vol%、1−20vol、10―15vol%に対応するものである。絶縁性フィラーの添加量が、0vol%では基板そりの影響により導通性がばらつき、抵抗の絶対値も10Ω以上と大きい。一方、25vol%以上では電気抵抗の絶対値、ばらつきとも0vol%の場合に比べ改善がみられる。30vol%添加した場合でも、導電性バンプによる導通性が10Ω以下であり、多層配線板の使用上問題ないレベルにあることがわかる(図10(d))。一方、絶縁性フィラー量が、1−20vol%では、そりはさらに改善される傾向がみられる、電気抵抗は、絶対値、ばらつきともさらに顕著な低減が見られる。絶縁性フィラー量が、10−15vol%では、電気抵抗が100mΩ以下になり、ばらつきも極めて小さくなることがわかる。
FIGS. 10A to 10F are graphs in which the electrical resistance of the conductive bumps is plotted on the vertical axis and the position in the substrate is plotted on the horizontal axis, and FIGS. 10A, 10B, and 10C are plotted. Each corresponds to a diameter of the insulating filler of 0-4 μmφ, 5-20 μmφ, 25-50 μmφ. The amount of the insulating filler added was 10 vol% of the insulating layer material, and the shape of the conductive bump after the lamination press was such that the average bottom diameter was 100 μmφ and the average height was 20 μm.
As can be seen from the figure, when the diameter of the insulating filler is smaller than 20% of the height of the conductive bump, the insulating filler is too small, causing a short circuit between wires or insulation on the conductive bump. The problem that the conductive filler tends to remain occurs, and the conduction stability is lowered. When the diameter of the insulating filler is 20% or more and 100% or less of the height of the conductive bump, problems such as short circuit and open between wirings are less likely to occur, and conduction stability is improved. When the diameter of the insulating filler is larger than 100% of the height of the conductive bump, the insulating filler is too large, so that an open between the conductive bump and the wiring to be connected occurs, and the conduction stability. Becomes lower.
In addition, each of FIGS. 10D, 10E, and 10F corresponds to the addition amount of the insulating filler to the insulating material of 0 vol%, 25-30 vol%, 1-20 vol, and 10-15 vol%. Is. When the addition amount of the insulating filler is 0 vol%, the conductivity varies due to the influence of the substrate warp, and the absolute value of the resistance is as large as 10Ω or more. On the other hand, when the value is 25 vol% or more, both the absolute value and variation of the electric resistance are improved as compared with the case of 0 vol%. Even when 30 vol% is added, the conductivity by the conductive bump is 10Ω or less, which indicates that there is no problem in using the multilayer wiring board (FIG. 10 (d)). On the other hand, when the amount of the insulating filler is 1 to 20 vol%, the warpage tends to be further improved, and the electrical resistance is further significantly reduced in both absolute value and variation. It can be seen that when the amount of the insulating filler is 10-15 vol%, the electric resistance is 100 mΩ or less and the variation is extremely small.

[導通安定性の導電性バンプ高さ依存性]
導電性バンプで接続した2層の配線間の導通安定性の導電性バンプ形状、サイズに対する依存性を評価した。絶縁層中には、粒径がD50で約10μmφの絶縁性フィラーを分散した。絶縁層の厚さも約10μmであった。評価した試料の導電性バンプは、底面径が50μmφ、80μmφ、100μmφの3種類、高さが高いものと低いものの2種類で、全部で6種類の試料を用意した。導電性バンプ底面径が80μmφ、100μmφの試料は、導電性バンプ高さが安定して絶縁層の厚さより高かった。また、導電性バンプ底面径が50μmφの試料も、導電性バンプ高さが高いほうは、導電性バンプ高さは安定して絶縁層の厚さより高かった。しかし、導電性バンプ底面径が50μmφで、導電性バンプ高さが低いほうの試料は、導電性バンプ高さのばらつきが大きく、絶縁層の厚さに対し高さが高い導電性バンプと、高さが低い導電性バンプが混在していた。
これらの試料の導通安定性を評価した結果、底面径が80μmφ、100μmφで導電性バンプ高さの高い試料、低い試料と、底面径が50μmφで導電性バンプ高さの高い試料は、良好な導通安定性が得られた。それに対し、底面径が50μmφで導電性バンプ高さの低い試料は、良好な導通安定性が得られなかった。
[Conductivity stability depends on height of conductive bump]
The dependence of the conductive stability between two layers of wiring connected by conductive bumps on the shape and size of the conductive bumps was evaluated. An insulating filler having a particle size of D50 and about 10 μmφ was dispersed in the insulating layer. The thickness of the insulating layer was also about 10 μm. The conductive bumps of the evaluated samples were prepared in three types, that is, three types with a bottom diameter of 50 μmφ, 80 μmφ, and 100 μmφ, and two types with a high and low type, for a total of six types. In the samples with the conductive bump bottom surface diameters of 80 μmφ and 100 μmφ, the conductive bump height was stable and higher than the thickness of the insulating layer. Also, in the sample having a conductive bump bottom diameter of 50 μmφ, the conductive bump height was stably higher than the thickness of the insulating layer when the conductive bump height was high. However, the sample with the conductive bump bottom diameter of 50 μmφ and the lower conductive bump height has a large variation in the conductive bump height, and the conductive bump has a high height with respect to the thickness of the insulating layer. Low conductive bumps were mixed.
As a result of evaluating the conduction stability of these samples, a sample with a high bottom surface diameter of 80 μmφ and 100 μmφ and a high conductive bump height, a low sample, and a sample with a bottom surface diameter of 50 μmφ and a high conductive bump height are in good conduction. Stability was obtained. On the other hand, a sample having a bottom diameter of 50 μmφ and a low conductive bump height did not provide good conduction stability.

[導通安定性の導電性バンプ高さ依存性]
図11(a)及び(b)は、それぞれ、導電性バンプの膜厚(高さ)と抵抗値の導電性バンプ中に添加する熱可塑性樹脂の添加量に対する依存性のグラフである。図11(a)、(b)から、熱可塑性樹脂の添加量の増加とともに、積層熱プレス後の導電性バンプの膜厚は薄くなり、横方向(XY方向)に広がり、抵抗値が下がって安定することがわかった。しかし配線パターンのライン/スペースを考慮すると、導電性バンプの横方向の広がりが増加し、特に例えば85℃,85%,50V印加の高温高湿バイアス試験等によりXY方向で短絡するおそれがある。従って、導電性バンプ材料に対する熱可塑性樹脂の添加量は、10wt%以上、30wt%以下とするのが好適であることがわかった。
[Conductivity stability depends on height of conductive bump]
FIGS. 11A and 11B are graphs showing the dependence of the film thickness (height) of the conductive bump and the resistance value on the amount of the thermoplastic resin added to the conductive bump, respectively. 11 (a) and 11 (b), as the addition amount of the thermoplastic resin increases, the film thickness of the conductive bump after lamination hot pressing becomes thinner, spreads in the horizontal direction (XY direction), and the resistance value decreases. It turned out to be stable. However, when considering the line / space of the wiring pattern, the lateral spread of the conductive bumps increases, and there is a risk of short-circuiting in the X and Y directions, particularly in a high-temperature and high-humidity bias test with 85 ° C., 85%, and 50 V applied. Accordingly, it has been found that the amount of the thermoplastic resin added to the conductive bump material is preferably 10 wt% or more and 30 wt% or less.

[エポキシ樹脂を用いたバンプ頭出し評価]
絶縁性配合液にエポキシ樹脂を用いて作製した導電性バンプ頭出し評価用の試料である。試料の作製・評価は、導電性バンプを形成した支持基板上にエポキシ樹脂を含む絶縁性樹脂配合液を塗布して乾燥した後、膜厚の変化を測定し、導電性バンプの外観を観察した。
(導電性ペーストの調整)
導電性ペーストは樹脂成分、導電性成分、溶剤を以下の条件で配合して調整した。
樹脂成分:
ビフェニール型液状エポキシ樹脂: 2〜10重量%
エポキシ/フェノール: 1〜10重量%
ビフェニル型エポキシ樹脂: 5重量%以下
添加剤: 5重量%以下
導電性成分:Ag粉末(リン片状形状の粉末重量:球状粉末重量=1:1)を80重量%以上配合した。
溶剤:メチルエチルケトンを加えて、粘度を調整した。
(絶縁性樹脂配合液の調整)
絶縁性樹脂配合液は樹脂成分、溶剤を以下の条件で配合して調整した。
樹脂成分(エポキシ樹脂):
(A)YX695BH30(ジャパンエポキシレジン(株)製商品名): 100重量部
(B)エピキュアDC808(ジャパンエポキシレジン(株)製商品名):154重量部
(C)コロネート2507(日本ポリウレタン工業(株)製商品名): 312重量部
(D)2E4MZ(イミダゾール系架橋触媒、四国化成(株)製商品名):9.6重量部
DVB―960(新日鐵化学(株)製商品名): 98.6重量部
ハーオタクO(日本油脂(株)製商品名): 9.6重量部
(E) 絶縁性フィラー シリカ D50=10μmφ 10VOL%
溶剤:メチルエチルケトンを加えて、粘度を調整した。
(導電性バンプの形成)
PETからなる支持基板上に、スクリーン印刷により導電性ペーストを塗布し、突起状の導電性バンプを形成した。導電性バンプの形状は、底面の径が80μm〜110μm、高さが25μm〜40μmとした。
(絶縁性樹脂配合液の塗布・乾燥)
導電性バンプを形成した支持基板上にドクターブレード法で絶縁性樹脂配合液を塗布した。塗布条件は、クリアランス50μm〜100μm、塗布スピード1m/minとし、厚さ30μm〜100μmの絶縁性被膜を形成した。その後、絶縁性被膜の厚さを測定してから、試料を乾燥炉に投入し、100℃、3分の乾燥により、塗膜の溶剤を蒸発させ、絶縁性未硬化被膜の厚さを減少させた。
試料の乾燥後、絶縁性被膜の厚さを測定し、導電性バンプの頭出しの状態を観察した。
(誘電特性の測定)
作製したエポキシ樹脂について、誘電特性を測定した。
硬化後の誘電特性は、
比誘電率 2.71/1GHz、2.68/5GHz
誘電正接 0.019/1GHz、0.0098/5GHz
であった。
[Evaluation of bump cueing using epoxy resin]
It is the sample for conductive bump heading evaluation produced using the epoxy resin for the insulating compounding liquid. The sample was prepared and evaluated by applying an insulating resin compound liquid containing an epoxy resin on a support substrate on which conductive bumps were formed and drying, then measuring the change in film thickness and observing the appearance of the conductive bumps. .
(Adjustment of conductive paste)
The conductive paste was prepared by blending a resin component, a conductive component, and a solvent under the following conditions.
Resin component:
Biphenyl liquid epoxy resin: 2 to 10% by weight
Epoxy / phenol: 1-10% by weight
Biphenyl type epoxy resin: 5% by weight or less Additive: 5% by weight or less Conductive component: Ag powder (powder-shaped powder weight: spherical powder weight = 1: 1) was blended in an amount of 80% by weight or more.
Solvent: Methyl ethyl ketone was added to adjust the viscosity.
(Adjustment of insulating resin compounding liquid)
The insulating resin blending solution was prepared by blending a resin component and a solvent under the following conditions.
Resin component (epoxy resin):
(A) YX695BH30 (trade name, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.): 100 parts by weight (B) Epicure DC808 (trade name, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.): 154 parts by weight (C) Coronate 2507 (Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) ) Product name): 312 parts by weight (D) 2E4MZ (Imidazole-based crosslinking catalyst, product name manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.): 9.6 parts by weight DVB-960 (Product name manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.): 98.6 parts by weight Her Otaku O (trade name, manufactured by NOF Corporation): 9.6 parts by weight
(E) Insulating filler Silica D50 = 10μmφ 10VOL%
Solvent: Methyl ethyl ketone was added to adjust the viscosity.
(Formation of conductive bumps)
On a support substrate made of PET, a conductive paste was applied by screen printing to form a protruding conductive bump. The shape of the conductive bump was such that the bottom diameter was 80 μm to 110 μm and the height was 25 μm to 40 μm.
(Application / drying of insulating resin compound liquid)
An insulating resin compounding solution was applied to the support substrate on which the conductive bumps were formed by the doctor blade method. The coating conditions were a clearance of 50 μm to 100 μm, a coating speed of 1 m / min, and an insulating coating having a thickness of 30 μm to 100 μm was formed. Then, after measuring the thickness of the insulating film, the sample is put into a drying furnace, and the solvent of the coating film is evaporated by drying at 100 ° C. for 3 minutes to reduce the thickness of the insulating uncured film. It was.
After drying the sample, the thickness of the insulating coating was measured, and the cueing state of the conductive bump was observed.
(Measurement of dielectric properties)
Dielectric characteristics of the produced epoxy resin were measured.
The dielectric properties after curing are
Dielectric constant 2.71 / 1GHz, 2.68 / 5GHz
Dissipation factor 0.019 / 1GHz, 0.0098 / 5GHz
Met.

[OPE樹脂を用いた導電性バンプ頭出し評価]
絶縁性被膜にOPE樹脂を用いて作製した導電性バンプ頭出し評価用の試料である。試料の作製・評価は、導電性バンプを形成した支持基板上にOPE樹脂を含む絶縁性樹脂配合液を塗布して乾燥した後、膜厚の変化を測定し、導電性バンプの外観を観察した。
(導電性ペーストの調整)
導電性ペーストは樹脂成分、導電性成分、溶剤を以下の条件で配合して調整した。
樹脂成分:
ビフェニール型液状エポキシ樹脂: 2〜10重量%
エポキシ/フェノール: 1〜10重量%
ビフェニル型エポキシ樹脂: 5重量%以下
添加剤: 5重量%以下
導電性成分:Ag粉末(リン片状形状の粉末重量:球状粉末重量=1:1)を80重量%以上配合した。
溶剤:メチルエチルケトンを加えて、粘度を調整した。
(絶縁性樹脂配合液の調整)
絶縁性樹脂配合液は樹脂成分、溶剤を以下の条件で配合して調整した。
樹脂成分(OPE樹脂):
(A)OPE−2st2200(三菱瓦斯化学(株)製商品名): 5〜40重量%
(B)TR2003 (JSR(株)製商品名): 5〜40重量%
溶剤:トルエン: 20〜90重量%
(C)絶縁性フィラー シリカ D50=10μmφ 10VOL%
(導電性バンプの形成)
PETからなる支持基板上に、スクリーン印刷により導電性ペーストを塗布し、突起状の導電性バンプを形成した。導電性バンプの形状は、底面の径が80μm〜110μm、高さが16μm〜40μmとした。
(絶縁性樹脂配合液の塗布・乾燥)
導電性バンプを形成した支持基板上にドクターブレード法で絶縁性樹脂配合液を塗布した。塗布条件は、クリアランス20μm〜100μm、塗布スピード1m/minとし、厚さ20μm〜100μmの絶縁性被膜を形成した。その後、絶縁性被膜の厚さを測定してから、試料を乾燥炉に投入し、100℃、3分の乾燥により、塗膜の溶剤を蒸発させ、絶縁性被膜の厚さを減少させた。
試料を乾燥後、絶縁性被膜の厚さを測定し、導電性バンプの頭出しの状態を観察した。
(誘電特性の測定)
作製したOPE樹脂について、誘電特性を測定した。
硬化後の誘電特性は、
比誘電率 2.40/5GHz
誘電正接 0.0019/5GHz
であった。
[Evaluation of cueing of conductive bump using OPE resin]
This is a sample for evaluation of cueing of conductive bumps produced by using OPE resin for the insulating coating. The sample was prepared and evaluated by applying an insulating resin compound liquid containing OPE resin on a support substrate on which conductive bumps were formed and drying, then measuring the change in film thickness and observing the appearance of the conductive bumps. .
(Adjustment of conductive paste)
The conductive paste was prepared by blending a resin component, a conductive component, and a solvent under the following conditions.
Resin component:
Biphenyl liquid epoxy resin: 2 to 10% by weight
Epoxy / phenol: 1-10% by weight
Biphenyl type epoxy resin: 5% by weight or less Additive: 5% by weight or less Conductive component: Ag powder (powder-shaped powder weight: spherical powder weight = 1: 1) was blended in an amount of 80% by weight or more.
Solvent: Methyl ethyl ketone was added to adjust the viscosity.
(Adjustment of insulating resin compounding liquid)
The insulating resin blending solution was prepared by blending a resin component and a solvent under the following conditions.
Resin component (OPE resin):
(A) OPE-2st 2200 (trade name, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.): 5 to 40% by weight
(B) TR2003 (trade name, manufactured by JSR Corporation): 5 to 40% by weight
Solvent: Toluene: 20-90% by weight
(C) Insulating filler Silica D50 = 10μmφ 10VOL%
(Formation of conductive bumps)
On a support substrate made of PET, a conductive paste was applied by screen printing to form a protruding conductive bump. The shape of the conductive bump was such that the bottom diameter was 80 μm to 110 μm and the height was 16 μm to 40 μm.
(Application / drying of insulating resin compound liquid)
An insulating resin compounding solution was applied to the support substrate on which the conductive bumps were formed by the doctor blade method. The coating conditions were a clearance of 20 μm to 100 μm, a coating speed of 1 m / min, and an insulating film having a thickness of 20 μm to 100 μm was formed. Then, after measuring the thickness of the insulating coating, the sample was put into a drying furnace, and the coating film solvent was evaporated by drying at 100 ° C. for 3 minutes to reduce the thickness of the insulating coating.
After the sample was dried, the thickness of the insulating coating was measured, and the cueing state of the conductive bump was observed.
(Measurement of dielectric properties)
Dielectric properties of the produced OPE resin were measured.
The dielectric properties after curing are
Dielectric constant 2.40 / 5GHz
Dissipation factor 0.0019 / 5GHz
Met.

以上詳述したように、本発明は、高密度実装に対応した多層配線板に係るものであり、特に、層間接続の安定性向上が可能で高歩留り、低コストの多層配線板とその製造方法を提供するものであり、エレクトロニクスの分野で大きく寄与する。   As described above in detail, the present invention relates to a multilayer wiring board corresponding to high-density mounting, and in particular, a high-yield, low-cost multilayer wiring board capable of improving the stability of interlayer connection and a method for manufacturing the same. And contributes greatly in the field of electronics.

1、11、21 導電性箔
2、12、22、42 導電性バンプ
3、13、23、26、43 流動性被膜
5、15、27、45 絶縁性未硬化被膜
4、14、24、44 絶縁性フィラー
25 完全硬化に至らない絶縁性硬化被膜
41 支持基板
51、53、57、58、59、60 多層配線板部材
52 コア基板
55、61 導電性箔
54、62 レジストパターン
56、63 配線
66 多層配線板
71、79 導電性箔
72、73、74、76、77、78 多層配線板部材
75 コア基板
80 絶縁性フィラー
81、82 多層配線板部材
83 配線
84 レジストパターン
85 配線基板
91、95、96、100 コア基板
92、97 絶縁性未硬化被膜
93、98 絶縁性フィラー
94、99 導電性バンプ
121、123、125、127、129.133 多層配線板部材
122、126、131、137 コア基板
124、128、134、140 導電性箔
130、132、135、139 導電性バンプ
136、138 絶縁性未硬化被膜
201、207、208、213、214、219 コア配線板
202、206、209、212、215、218 配線
204、211、217 絶縁性樹脂層
205 絶縁性フィラー
203、210、216 導電性バンプ
221 導電性バンプ
222 流動性被膜
223 絶縁性未硬化被膜
231、232 測定端子
233 第二層配線
234 第一層配線
235 ビア
236 絶縁性被膜
501、505 導電性箔
502 導電性バンプ
503、506 プリプレグシート
508 破断屑
507 導電性バンプ面
1, 11, 21 Conductive foil 2, 12, 22, 42 Conductive bump 3, 13, 23, 26, 43 Flowable coating 5, 15, 27, 45 Insulating uncured coating 4, 14, 24, 44 Insulation Conductive filler 25 Insulating cured coating 41 that does not completely cure Support substrate 51, 53, 57, 58, 59, 60 Multi-layer wiring board member 52 Core substrate 55, 61 Conductive foil 54, 62 Resist pattern 56, 63 Wiring 66 Multi-layer Wiring boards 71, 79 Conductive foils 72, 73, 74, 76, 77, 78 Multilayer wiring board member 75 Core substrate 80 Insulating filler 81, 82 Multilayer wiring board member 83 Wiring 84 Resist pattern 85 Wiring boards 91, 95, 96 , 100 Core substrate 92, 97 Insulating uncured film 93, 98 Insulating filler 94, 99 Conductive bumps 121, 123, 125, 127, 129.133 Multilayer wiring board members 122, 126, 131, 137 Core substrates 124, 128, 134, 140 Conductive foils 130, 132, 135, 139 Conductive bumps 136, 138 Insulating uncured coatings 201, 207, 208, 213, 214 219 Core wiring board 202, 206, 209, 212, 215, 218 Wiring 204, 211, 217 Insulating resin layer 205 Insulating filler 203, 210, 216 Conductive bump 221 Conductive bump 222 Fluid film 223 Insulating Cured coatings 231 and 232 Measuring terminal 233 Second layer wiring 234 First layer wiring 235 Via 236 Insulating coatings 501 and 505 Conductive foil 502 Conductive bumps 503 and 506 Prepreg sheet 508 Broken scrap 507 Conductive bump surface

Claims (6)

第一の導体層と第二の導体層の間に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群周囲に形成された短絡防止用の絶縁性フィラーを含む絶縁層とからなり、前記絶縁層が絶縁性フィラーを含む絶縁性樹脂配合液を用いて形成した層であり、前記絶縁性フィラーの平均粒径が、積層熱プレス後の前記導電性バンプ群の平均高さの20%以上、100%以下であり、前記絶縁性樹脂配合液中の前記絶縁性フィラーの混合比が1vol%以上、30vol%以下であり、前記絶縁性樹脂配合液の材料がオリゴフェニレンエーテル樹脂を含むことを特徴とする多層配線板。 A conductive bump group formed between the first conductive layer and the second conductive layer, and an insulating layer including an insulating filler for preventing a short circuit formed around the conductive bump group, The layer is a layer formed using an insulating resin compounding liquid containing an insulating filler, and the average particle size of the insulating filler is 20% or more of the average height of the conductive bump group after the lamination hot pressing, 100% or less, the mixing ratio of the insulating filler in the insulating resin compounding liquid is 1 vol% or more and 30 vol% or less, and the material of the insulating resin compounding liquid contains an oligophenylene ether resin. A multilayer wiring board. 第一の導体層と第二の導体層の間に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群周囲に形成された短絡防止用の絶縁性フィラーを含む絶縁層とからなり、前記絶縁層が絶縁性フィラーを含む絶縁性樹脂配合液から生成したフィルムで形成した層であり、前記絶縁性フィラーの平均粒径が、積層熱プレス後の前記導電性バンプ群の平均高さの20%以上、100%以下であり、前記絶縁性樹脂配合液中の前記絶縁性フィラーの混合比が1vol%以上、30vol%以下であり、前記絶縁性樹脂配合液の材料がオリゴフェニレンエーテル樹脂を含むことを特徴とする多層配線板。 A conductive bump group formed between the first conductive layer and the second conductive layer, and an insulating layer including an insulating filler for preventing a short circuit formed around the conductive bump group, The layer is a layer formed of a film generated from an insulating resin compounded liquid containing an insulating filler, and the average particle diameter of the insulating filler is 20% of the average height of the conductive bump group after lamination hot pressing As described above, it is 100% or less, the mixing ratio of the insulating filler in the insulating resin compounding liquid is 1 vol% or more and 30 vol% or less, and the material of the insulating resin compounding liquid contains an oligophenylene ether resin. A multilayer wiring board characterized by 前記絶縁層が、絶縁性フィラーを含む絶縁性樹脂配合液の樹脂を実質的に硬化反応させない条件で溶剤を揮発させて膜減りさせた後、硬化させて形成した層であることを特徴とする請求項1又は2のいずれか1項記載の多層配線板。 The insulating layer is a layer formed by volatilizing the solvent and reducing the film under conditions that do not substantially cause a curing reaction of the resin of the insulating resin mixture containing the insulating filler, and then curing the film. The multilayer wiring board of any one of Claim 1 or 2. 前記絶縁性フィラーが、シリカ、シリコンカーバイド、アルミナ、窒化アルミ、ジルコニアビーズ、ガラスビーズ、アクリルビーズの中から選択された一つ又は複数の材料であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の多層配線板。 The insulating filler is one or a plurality of materials selected from silica, silicon carbide, alumina, aluminum nitride, zirconia beads, glass beads, and acrylic beads. A multilayer wiring board according to claim 1. 前記積層熱プレス後の前記導電性バンプ群の高さh2が、前記積層熱プレス後の前記絶縁層の厚さt3に対して、h2≧t3であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の多層配線板。 5. The height h <b> 2 of the conductive bump group after the laminated hot pressing satisfies h <b> 2 ≧ t <b> 3 with respect to the thickness t <b> 3 of the insulating layer after the laminated hot pressing. The multilayer wiring board according to any one of claims. 前記導電性バンプ群を構成する樹脂組成物が、熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を10wt%以上、30wt%以下の混合比で添加した材料からなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の多層配線板。 6. The resin composition constituting the conductive bump group is made of a material in which a thermoplastic resin is added to a thermosetting resin at a mixing ratio of 10 wt% or more and 30 wt% or less. A multilayer wiring board according to claim 1.
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