JP2011186590A - Contactless ic card and method of manufacturing the same - Google Patents
Contactless ic card and method of manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011186590A JP2011186590A JP2010048958A JP2010048958A JP2011186590A JP 2011186590 A JP2011186590 A JP 2011186590A JP 2010048958 A JP2010048958 A JP 2010048958A JP 2010048958 A JP2010048958 A JP 2010048958A JP 2011186590 A JP2011186590 A JP 2011186590A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact
- chip
- sheet
- card
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Credit Cards Or The Like (AREA)
Abstract
Description
本発明は、外部との間で非接触により通信可能な非接触ICカード、非接触ICカードの製造方法に関するものである。 The present invention relates to a contactless IC card that can communicate with the outside in a contactless manner, and a method for manufacturing a contactless IC card.
従来から、外部との間で非接触で情報通信可能なICカードがあった(例えば特許文献1)。このICカードは、複数の層を積層して、加圧して製造する方法があった。
しかし、従来のICカードは、総厚みを薄く形成しようとすると、製造時において、非接触ICチップに加圧する場合に、非接触ICチップが損傷してしまうことがあった。
また、従来のICカードは、非接触ICチップに対応する部分が、膨らんでしまうため、平坦性が十分ではなく、携行時等において、非接触ICチップに負荷がかかりやすく、非接触ICチップが損傷してしまう場合があった。
Conventionally, there has been an IC card capable of non-contact information communication with the outside (for example, Patent Document 1). This IC card has a method in which a plurality of layers are laminated and pressed.
However, when the conventional IC card is formed to have a small total thickness, the non-contact IC chip may be damaged when the non-contact IC chip is pressurized during manufacture.
In addition, in the conventional IC card, since the portion corresponding to the non-contact IC chip swells, the flatness is not sufficient, and it is easy to apply a load to the non-contact IC chip when carrying it. There was a case where it was damaged.
本発明の課題は、製造時において非接触ICチップの損傷を防止でき、また、表面の平坦性を向上し、携行時等において非接触ICチップの損傷を防止できる非接触ICカード、非接触ICカードの製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a non-contact IC card and a non-contact IC that can prevent damage to a non-contact IC chip during manufacturing, improve surface flatness, and prevent damage to the non-contact IC chip during carrying. It is to provide a method for manufacturing a card.
本発明は、以下のような解決手段により、課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。 The present invention solves the problems by the following means. In addition, in order to make an understanding easy, although the code | symbol corresponding to embodiment of this invention is attached | subjected and demonstrated, it is not limited to this. In addition, the configuration described with reference numerals may be improved as appropriate, or at least a part thereof may be replaced with another configuration.
請求項1の発明は、非接触ICチップ(22)が実装され、前記非接触ICチップに電気的に接続され外部との間で非接触により情報の授受を行うアンテナ(23)が設けられたモジュール基材と、熱可塑性樹脂シートにより形成され、カード表面を法線方向から見たときに、前記モジュール基材よりも外形が大きく、前記モジュール基材の一方の面側に配置された第1シート層(10)と、熱可塑性樹脂シートにより形成され、カード表面を法線方向から見たときに、前記第1シート層と外形が同等であり、前記モジュール基材の前記一方の面とは異なる面である他方の面側に配置された第2シート層(30)とを備え、前記第1シート層、前記モジュール基材及び前記第2シート層は、積層された状態で、前記各シートが軟化するまで加熱をし、加圧をすることにより、前記第1及び第2シート層のうち前記モジュール基材よりも外形の大きい領域である縁部(10b,30b)が溶着され、前記第1及び第2シート層のうち少なくとも1つは、前記加熱、前記加圧をすることにより、前記非接触ICチップを埋め込むように形成された非接触ICチップ収容部(10a)を有すること、を特徴とする非接触ICカードである。
請求項2の発明は、熱可塑性樹脂シートにより形成され、非接触ICチップ(22)が実装され、前記非接触ICチップに電気的に接続され外部との間で非接触により情報の授受を行うアンテナ(23)が設けられたモジュール基材(21)と、熱可塑性樹脂シートにより形成され、前記モジュール基材の一方の面側に配置された第1シート層(10)と、熱可塑性樹脂シートにより形成され、前記モジュール基材の前記一方の面とは異なる面である他方の面側に配置された第2シート層(30)とを備え、前記第1シート層、前記モジュール基材及び前記第2シート層は、積層された状態で、前記各シートが軟化するまで加熱をし、加圧をすることにより、前記第1シート層及び前記モジュール基材の層間部が溶着され、前記モジュール基材及び前記第2シート層の層間部が溶着され、前記第1及び第2シート層のうち少なくとも1つは、前記加熱、前記加圧をすることにより、前記非接触ICチップを埋め込むように形成された非接触ICチップ収容部(10a)を有すること、を特徴とする非接触ICカードである。
The invention of
The invention of
請求項3の発明は、熱可塑性樹脂シートにより形成され、非接触ICチップ(22)が実装され、前記非接触ICチップに電気的に接続され外部との間で非接触により情報の授受を行うアンテナ(23)が設けられたモジュール基材(21)と、熱可塑性樹脂シートにより形成され、カード表面を法線方向から見たときに、前記モジュール基材よりも外形が大きく、前記モジュール基材の一方の面側に配置された第1シート層(10)と、熱可塑性樹脂シートにより形成され、カード表面を法線方向から見たときに、前記第1シート層と外形が同等であり、前記モジュール基材の前記一方の面とは異なる面である他方の面側に配置された第2シート層(30)とを積層して配置する積層工程と、前記第1シート層、前記モジュール基材及び前記第2シート層を積層した状態で、前記第1及び前記第2シート層が軟化するまで加熱する加熱工程と、前記加熱工程で前記第1及び前記第2シート層が軟化した状態で、徐々に加圧をすることにより、前記第1及び第2シート層のうち少なくとも1つに、前記非接触ICチップを埋め込む非接触ICチップ収容部(10a)を形成する非接触ICチップ収容部形成工程と、前記非接触ICチップ収容部を形成後、又は前記非接触ICチップ収容部を形成しながら、加熱及び加圧をすることにより、前記第1及び第2シート層のうち前記モジュール基材よりも外形の大きい領域である縁部(10b,30b)を溶着する接着工程と、を備える非接触ICカードの製造方法である。
請求項4の発明は、熱可塑性樹脂シートにより形成され、非接触ICチップ(22)が実装され、前記非接触ICチップに電気的に接続され外部との間で非接触により情報の授受を行うアンテナ(23)が設けられたモジュール基材(21)と、熱可塑性樹脂シートにより形成され、前記モジュール基材の一方の面側に配置された第1シート層(10)と、熱可塑性樹脂シートにより形成され、前記モジュール基材の前記一方の面とは異なる面である他方の面側に配置された第2シート層(30)とを積層して配置する積層工程と、
前記第1シート層、前記モジュール基材及び前記第2シート層を積層した状態で、前記第1及び前記第2シート層が軟化するまで加熱する加熱工程と、前記加熱工程で前記第1及び前記第2シート層が軟化した状態で、徐々に加圧をすることにより、前記第1及び第2シート層のうち少なくとも1つに、前記非接触ICチップを埋め込む非接触ICチップ収容部(10a)を形成する非接触ICチップ収容部形成工程と、前記非接触ICチップ収容部を形成後、又は前記非接触ICチップ収容部を形成しながら、加熱及び加圧をすることにより、前記第1シート層及び前記モジュール基材の層間部を溶着し、前記モジュール基材及び前記第2シート層の層間部を溶着する接着工程と、を備える非接触ICカードの製造方法である。
請求項5の発明は、請求項3又は請求項4に記載の非接触ICカードの製造方法において、接着工程及び非接触ICチップ収容部形成工程は、平坦性を有する面(31,32)で前記第1及び第2シート層の表面を加圧すること、を特徴とする非接触ICカードの製造方法である。
請求項6の発明は、請求項3から請求項5までのいずれか1項に記載の非接触ICカードの製造方法において、前記第1シート層(110,210)及び前記第2シート層(130,230)のうち少なくとも1つは、厚みが前記非接触ICチップ(22)よりも薄く、前記非接触ICチップに対応する領域に孔部を有するスペーサ層(112,212,232)を有し、前記積層工程は、前記スペーサ層の前記孔部に前記非接触ICチップを収容するように、前記第1シート層、前記モジュール基材(21)及び前記第2シート層を積層すること、を特徴とする非接触ICカードの製造方法である。
The invention of
The invention of claim 4 is formed of a thermoplastic resin sheet, mounted with a non-contact IC chip (22), electrically connected to the non-contact IC chip, and exchanges information with the outside in a non-contact manner. A module base (21) provided with an antenna (23), a first sheet layer (10) formed of a thermoplastic resin sheet and disposed on one side of the module base, and a thermoplastic resin sheet A laminating step of laminating and arranging the second sheet layer (30) disposed on the other surface side which is a surface different from the one surface of the module substrate;
In the state where the first sheet layer, the module base material, and the second sheet layer are laminated, the heating step of heating until the first and second sheet layers are softened, and the first and the above in the heating step A non-contact IC chip housing portion (10a) for embedding the non-contact IC chip in at least one of the first and second sheet layers by gradually applying pressure while the second sheet layer is softened. The first sheet is formed by heating and pressurizing after forming the non-contact IC chip housing portion or while forming the non-contact IC chip housing portion. A non-contact IC card manufacturing method comprising: a step of welding a layer and an interlayer part of the module substrate, and a step of welding the module substrate and an interlayer part of the second sheet layer.
According to a fifth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a non-contact IC card according to the third or fourth aspect, the bonding step and the non-contact IC chip housing portion forming step are flat surfaces (31, 32). A method of manufacturing a non-contact IC card, wherein the surfaces of the first and second sheet layers are pressurized.
According to a sixth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a non-contact IC card according to any one of the third to fifth aspects, the first sheet layer (110, 210) and the second sheet layer (130). , 230) has a spacer layer (112, 212, 232) that is thinner than the non-contact IC chip (22) and has a hole in a region corresponding to the non-contact IC chip. The laminating step includes laminating the first sheet layer, the module base (21), and the second sheet layer so that the non-contact IC chip is accommodated in the hole of the spacer layer. It is a manufacturing method of the non-contact IC card characterized.
請求項7の発明は、請求項3から請求項6までのいずれか1項に記載の製造方法により製造された非接触ICカードである。
請求項8の発明は、請求項1、請求項2及び請求項7のいずれか1項に記載の非接触ICカードにおいて、前記非接触ICチップ(22)の厚みが75μm以上160μm以下であり、カード表面のうち前記非接触ICチップを収容している部分の段差が10μm以下であり、このカードの総厚みが450μm以下であること、を特徴とする非接触ICカードである。
A seventh aspect of the present invention is a non-contact IC card manufactured by the manufacturing method according to any one of the third to sixth aspects.
The invention of claim 8 is the non-contact IC card according to any one of
本発明によれば、以下の効果を奏することができる。
(1)本発明は、第1及び第2シート層をモジュール基材よりも大きく構成し、これらを積層した状態で、各シートが軟化するまで加熱をし、加圧をすることにより、第1及び第2シート層の縁部を溶着し、かつ、非接触ICチップ収容部を形成するので、製造時に、非接触ICチップにかかる負荷を低減して、非接触ICチップの損傷を防止できる。
また、本発明は、各シートを軟化させて、非接触ICチップ収容部を形成するので、カード表面の平坦性を向上できる。つまり、非接触ICチップが収容している部分の膨らみを低減できる。このため、例えば、カードを重ねて携行する場合等に、この部分ばかりに外力がかかることを防止できるので、非接触ICチップの損傷やこの部分の表面の損傷を防止でき、また、印字特性を向上できる。
さらに、本発明は、層構成を簡単にでき、薄型化を図ることができる。
(2)本発明は、第1シート層、モジュール基材及び第2シート層を積層した状態で、各シートが軟化するまで加熱をし、加圧をすることにより、各層間を溶着し、かつ、非接触ICチップ収容部を形成するので、上記(1)と同様な効果を奏することができる。
また、本発明は、第1及び第2シート層の縁部を溶着しなくても各層間を溶着できるので、第1及び第2シート層をモジュール基材と同様な外形にでき、カードの外形を小さくできる。
According to the present invention, the following effects can be obtained.
(1) In the present invention, the first and second sheet layers are configured to be larger than the module base material, and in a state where these are laminated, heating is performed until each sheet is softened, and pressurization is performed. And the edge part of a 2nd sheet layer is welded, and a non-contact IC chip accommodating part is formed, Therefore The load concerning a non-contact IC chip can be reduced at the time of manufacture, and damage to a non-contact IC chip can be prevented.
In addition, according to the present invention, each sheet is softened to form a non-contact IC chip housing portion, so that the flatness of the card surface can be improved. That is, the swelling of the part accommodated in the non-contact IC chip can be reduced. For this reason, for example, when carrying cards in layers, it is possible to prevent external force from being applied only to this portion, so that damage to the non-contact IC chip and damage to the surface of this portion can be prevented, and printing characteristics can be improved. It can be improved.
Furthermore, according to the present invention, the layer configuration can be simplified and the thickness can be reduced.
(2) In the present invention, in a state where the first sheet layer, the module base material, and the second sheet layer are laminated, the respective sheets are welded by heating and pressurizing until each sheet is softened, and Since the non-contact IC chip housing portion is formed, the same effect as the above (1) can be obtained.
Further, according to the present invention, since the respective layers can be welded without welding the edges of the first and second sheet layers, the first and second sheet layers can have the same outer shape as the module base material, and the outer shape of the card. Can be reduced.
(3)本発明は、平坦性を有する面で第1及び第2シート層の表面を押圧するので、カード表面の平坦性をより向上できる。これにより、非接触ICチップの損傷防止の効果を向上できる。
(4)本発明は、非接触ICチップに対応する領域に孔部を有するスペーサ層を有するので、加圧時において、非接触ICチップにかかる負荷を低減できる。これにより、接触ICチップに対してより大きな圧力で加圧でき、製造時間を短縮できる。また、非接触ICチップ収容部を収容するために、非接触ICチップに押し出された樹脂を、孔部に収容できるので、非接触ICチップ収容部周囲の樹脂のひずみを低減できる。
(5)本発明は、前述したように、軟化させてから加圧するので、非接触ICチップの厚みが75μm以上160μm以下としても、製造時に非接触ICチップが損傷すること防止できる。また、非接触ICチップ収容部を形成し、非接触ICチップを第1又は第2シート層に埋め込むので、カード表面のうち非接触ICチップを収容している部分の段差を10μm以下に形成し、かつ、総厚みが450μm以下の薄型のカードを製造できる。
(3) Since the present invention presses the surfaces of the first and second sheet layers with a flat surface, the flatness of the card surface can be further improved. Thereby, the effect of preventing damage to the non-contact IC chip can be improved.
(4) Since the present invention includes the spacer layer having the hole in the region corresponding to the non-contact IC chip, it is possible to reduce the load applied to the non-contact IC chip during pressurization. Thereby, it can pressurize with a bigger pressure with respect to a contact IC chip, and can shorten manufacturing time. Moreover, since the resin pushed out by the non-contact IC chip can be accommodated in the hole portion in order to accommodate the non-contact IC chip housing portion, the distortion of the resin around the non-contact IC chip housing portion can be reduced.
(5) Since the present invention is pressurized after being softened as described above, even if the thickness of the non-contact IC chip is 75 μm or more and 160 μm or less, the non-contact IC chip can be prevented from being damaged during manufacture. Further, since the non-contact IC chip housing portion is formed and the non-contact IC chip is embedded in the first or second sheet layer, the step of the portion of the card surface housing the non-contact IC chip is formed to be 10 μm or less. And a thin card | curd whose total thickness is 450 micrometers or less can be manufactured.
(第1実施形態)
以下、図面等を参照して、本発明の第1実施形態について説明する。
図1は、第1実施形態のICカード1の平面図及び断面図である。
図1(a)は、ICカード1の平面図であり、図1(b)は、ICカード1の断面図(図1(a)に示すB−B部矢視断面図)である。
なお、以下、図1(b)に示す方向Z1を上側、その反対側の方向Z2を下側として説明する。
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings and the like.
FIG. 1 is a plan view and a cross-sectional view of an
1A is a plan view of the
In the following description, it is assumed that the direction Z1 shown in FIG. 1B is the upper side and the opposite direction Z2 is the lower side.
ICカード1(非接触ICカード)は、上層10(第1シート層)と、個片インレット層20と、下層30(第2シート層)とを備えている。
上層10は、ICカード1の上側に配置されたシートである。上層10は、ICカード1の表面をその法線方向から見たときの形状(以下、「平面形状」という)が、長方形である。上層10は、単一のシート材により形成されていても、複数のシート材が積層されて形成されていてもよい。上層10は、ICチップ22を収容するために、下面を窪ませるように形成したICチップ収容部10a(非接触ICチップ収容部)を有している。
The IC card 1 (non-contact IC card) includes an upper layer 10 (first sheet layer), an
The
個片インレット層20は、基材21(モジュール基材)と、ICチップ22(非接触ICチップ)と、アンテナコイル23とを備えている。
基材21は、平面形状が上層10及び下層30よりも一回り小さくなるように、形成されている。
The
The
ICチップ22は、半導体集積回路素子であり、ICカード1の使用目的に応じた識別情報等が記憶されている。ICチップ22は、基材21の上側の面に金バンプ等により実装される。
ICチップ22は、アンテナコイル23と電気的に接続され、これから必要な電力が供給される。そして、ICチップ22は、外部のリーダライタ(図示せず)と通信して、識別情報の認証や書き換え等を行う。
The
The
アンテナコイル23は、ICチップ22が外部のリーダライタと通信を行なうためのアンテナである。アンテナコイル23は、基材21の上側の面に形成された導体であり、エッチング等の方法により形成される。アンテナコイル23は、リーダライタにICカード11をかざしたときに、リーダライタが形成する磁界により電流が発生して、ICチップ22に電力を供給する。これにより、ICチップ22は、外部のリーダライタとの間で無線で非接触により情報の授受を行い、ICチップ22の識別情報の認証等を行なう。また、このとき必要な情報は、この磁界に乗せられる。
The
下層30は、ICカード1の下側に配置されたシートである。下層30は、平面形状が上層10と同等である。
The
上層10、基材21及び下層30は、全てPET系の熱可塑性樹脂シートにより形成される。上層10及び下層30は、PET−Gシートであり、基材21は、PETシートである。
The
各層の厚みは、以下の通りである。
上層10: 125μm
個片インレット層20:
ICチップ22:120μm(実装状態の厚み)
基材21:70μm
下層30:105μm
ICカード1の総厚み(上層10、基材21、下層30を合計した厚み):300μm
The thickness of each layer is as follows.
Upper layer 10: 125 μm
Individual inlet layer 20:
IC chip 22: 120 μm (mounting thickness)
Base material 21: 70 μm
Lower layer 30: 105 μm
Total thickness of IC card 1 (total thickness of
なお、上記各層の厚みは、一例であり、用途等に応じて、自由に設定できる。例えば、ICチップ22の上面からシート表面までの長さd3(図1参照)は、本実施形態では、5μm(=上層10の厚み−ICチップ22の厚み)であるが、50μm以下であれば、総厚みが450μm以下の薄型のICカードを製造できる。
例えば、基材21が70μm、ICチップ22が120μmであり、上層10及び下層30がそれぞれ130μmである場合には、長さd3は、10μmになり、総厚み330μmの薄型のICカード1を製造できる。
In addition, the thickness of each said layer is an example, and can be freely set according to a use etc. For example, the length d3 (see FIG. 1) from the upper surface of the
For example, when the
ICチップ22は、厚み75μm程度の薄型のものであっても、後述するようにICチップ収容部形成工程において、上層10を軟化させてから加圧するので、集中応力が緩和されて破損の可能性が低くなる。
一方、ICチップ22は、160μm程度の厚型のものであっても、後述するようにICチップ収容部形成工程において上層10にICチップ収容部10aを形成し、上層10に埋め込まれるので、また、ICチップ22上部の樹脂を周囲に押し退けるので、ICカード1は、薄型化が可能となる。
また、ICチップ22が薄型、厚型のものいずれであっても、後述するように、上層10の上面及び下層30の下面は、膨らんで盛り上ったりすることがなく、段差(窪みの谷及び膨らみの山の頂点の差)を10μm以下にして、平坦に形成できる。
Even if the
On the other hand, even if the
Further, regardless of whether the
図2は、第1実施形態のICカード1の製造方法を説明する図である。
図2(a)は、積層工程及び低圧加熱工程のICカード1の断面図である。
図2(b)は、接着工程から加圧停止工程までのICカード1の断面図である。
図2(c)は、ICカード1の製造時における加熱、加圧及び各工程時間の関係を説明するグラフである。
図2(d)は、ICカード1の製造条件を変更した場合のICチップの損傷を説明する表である。
FIG. 2 is a diagram for explaining a method of manufacturing the
FIG. 2A is a cross-sectional view of the
FIG. 2B is a cross-sectional view of the
FIG. 2C is a graph for explaining the relationship between heating, pressurizing, and each process time when the
FIG. 2D is a table for explaining damage of the IC chip when the manufacturing conditions of the
ICカード1は、以下の手順で製造する。
(1)積層工程(図2(c)に示す時間T0)
図2(a)に示すように、熱プレス機の下台31上に、上側から上層10、個片インレット層20、下層30の順に積層する。
(2)低圧加熱工程(図2(c)に示す時間T0〜T2)
熱プレス機の上板32を、上層10の上面に接するまで降下して、低圧P1をかけながら、上層10及び下層30を加熱する。
The
(1) Lamination process (time T0 shown in FIG. 2 (c))
As shown in FIG. 2A, the
(2) Low-pressure heating process (time T0 to T2 shown in FIG. 2 (c))
The
低圧P1は、上層10の上面及び上板32の面接触を維持でき、上板32の熱を上層10に熱伝達でき、一方、下層30の下面及び下台31の面接触を維持でき、下台31の熱を上層10に熱伝達できればよい程度の低い圧力である。このため、低圧P1は、ICチップ22が破損しない程度の圧力である。
なお、上板32の下面、及び、下台31の上面は、ICカード1の上面及び下面を平坦に形成するために、十分な平坦性を有している。
The low pressure P1 can maintain the surface contact between the upper surface of the
The lower surface of the
(3)定温維持工程(図2(c)に示す時間T1〜T4)
上層10及び下層30の温度が温度A1に達し、上層10及び下層30が軟化したら、加熱を停止して(図2(c)に示す時間T1)、その後、加熱停止工程(後述する)まで、上層10及び下層30の温度が一定になるように、熱プレス機を調整する。
(4)加圧開始工程(図2(c)に示す時間T2)
熱プレス機の圧力を、圧力P1から増加する。
(3) Constant temperature maintenance process (time T1-T4 shown in FIG.2 (c))
When the temperature of the
(4) Pressurization start process (time T2 shown in FIG.2 (c))
The pressure of the hot press is increased from the pressure P1.
(5)ICチップ収容部形成工程(図2(c)に示す時間T2〜T3)
熱プレス機の圧力を、圧力P1から圧力P2まで徐々に増加する。上層10は、軟化、加圧されるので、ICチップ22に当接している部分10bが徐々に変形し、ICチップ22よりも上部の樹脂を周囲に押し退け、また、ICチップ22が徐々に上層10に埋め込まれて、ICチップ22を収容するICチップ収容部10aが形成される。これにより、ICチップ22にかかる負荷を低減して、ICチップ22の損傷を防止できる。
また、ICチップ収容部10aが形成されることにより、上層10及び下層30の隙間dは、徐々に小さくなっていく。
(5) IC chip housing portion forming step (time T2 to T3 shown in FIG. 2C)
The pressure of the hot press is gradually increased from pressure P1 to pressure P2. Since the
Moreover, the gap d between the
(6)加圧停止工程(図2(c)に示す時間T3)
圧力P2に達したら、熱プレス機の圧力増加を停止する。
図2(b)に示すように、このときには、上層10の下面が基材21の上面に当接し、上層10及び下層30の隙間dは、ゼロになっている。
また、上層10が軟化して、ICチップ収容部10aが形成されるので、上層10の上面及び下層30の下面は、膨らんで盛り上ったりすることがなく、平坦に形成できる。
(6) Pressurization stop process (time T3 shown in FIG.2 (c))
When the pressure P2 is reached, the pressure increase in the hot press is stopped.
As shown in FIG. 2B, at this time, the lower surface of the
Further, since the
(7)定圧定温接着工程(接着工程,図2(c)に示す時間T3〜T4)
定圧の圧力P2、定温の温度A1の状態を維持する。
この工程では、上層10及び下層30の隙間dが既にゼロになっているので、以下のように各層が接着される。
上層10及び下層30は、上層10の下面の縁部10b、及び下層30の上面の縁部30bが当接しているので、熱溶着される。なお、上層10及び下層30は、同一のPET−Gにより形成されているので、熱溶着の相性がよりよく、より強固に接着できる。
(7) Constant pressure and constant temperature bonding process (bonding process, times T3 to T4 shown in FIG. 2C)
The state of constant pressure P2 and constant temperature A1 is maintained.
In this step, since the gap d between the
The
また、前述したように、上層10の上面は、平坦に形成され凹凸が少なく形成されているので、全面に渡って上板32にほぼ均等な圧力で面接触する。これにより、上層10の上面のうちICチップ22を収容している部分に、大きな圧力がかかることを防止して、ICチップ22の破損を防止できる。
Further, as described above, since the upper surface of the
(8)加熱停止工程(図2(c)に示す時間T4)
上記各層が接着されたら、加熱を停止する。
(9)冷却工程(図2(c)に示す時間T4〜T5)
継続して加熱を停止して、各層を十分に冷却する。
なお、上層10の厚みは、120μmであり、下層30の厚みは、105μmであり、両者は、ほぼ同等の厚みである。
この厚みの設定と、冷却工程により、ICカード1は、反りや、変形を防止でき、製造後にも形態が維持できる。
(10)加圧停止工程(図2(c)に示す時間T5)
各層が十分に冷却されたら、熱プレス機の圧力増加を停止して、一連の工程を終了する。製造されたICカード1は、熱プレス機から取り出す。
(8) Heating stop step (time T4 shown in FIG. 2 (c))
When the above layers are bonded, heating is stopped.
(9) Cooling step (time T4 to T5 shown in FIG. 2C)
Continue to stop heating and cool each layer well.
In addition, the thickness of the
By setting the thickness and the cooling process, the
(10) Pressurization stop process (time T5 shown in FIG.2 (c))
When each layer is sufficiently cooled, the pressure increase in the hot press is stopped and the series of steps is completed. The manufactured
なお、上記工程は、その工程における主な作用を説明するものであり、上記説明は、各工程が、完全に分離していることを限定するものでない。例えば、ICチップ収容部形成工程(時間T2〜T3)と、接着工程(時間T3〜T4)とは、一部が重複するようにしてもよい。つまり、ICチップ収容部10aが完全に形成されていない状態で、接着工程が開始されて、各層間の接着が開始されてもよい。
In addition, the said process demonstrates the main effect | action in the process, and the said description does not limit that each process is isolate | separated completely. For example, the IC chip housing part forming step (time T2 to T3) and the bonding step (time T3 to T4) may partially overlap. That is, the bonding process may be started in a state where the IC
ICカード1の製造における加熱及び加圧条件について説明する。
図2(d)は、A1=120℃、P2=200N/cm2を固定条件とし、低圧加熱工程における低圧P1及び加圧時間T0〜T2、定圧定温接着工程における定圧P2及び時間T3〜T4の条件を変更してICカード1を製造した場合に、ICチップ22の損傷を調べたものである。つまり、PETの溶着条件を、A1=120℃、圧力P2=200N/cm2として、これを固定条件にして、他の条件を変更したものである。
The heating and pressurizing conditions in manufacturing the
FIG. 2 (d) shows a fixed condition of A1 = 120 ° C. and P2 = 200 N / cm 2 . When the
条件1では、P1=30N/cm2の圧力であり、T0〜T2=15分であり、高圧力かつ長時間の加圧により、ICチップが損傷してしまったと考えられる。
条件2では、P1=10N/cm2であり、T0〜T2=5分であり、条件1よりも各条件を緩和したが十分ではないために、ICチップが損傷しまったと考えられる。
条件3では、P1=0.5N/cm2であり、T0〜T2=5分であり、条件2よりも加圧条件を緩和することにより、ICチップが損傷することがなかった。
In
In
In
以上のように、上記工程及び条件3に従ってICカード1を製造することにより、ICチップ22が損傷しないことを確認できた。
なお、実際に条件3で製造したICカード1は、上面及び下面のうちICチップ22を収容している部分の段差(凹凸の差)を測定し、段差を10μm以下にできることを確認済みである。
また、条件3で製造したICカード1は、ISO/IEC14443 TypeAの規格を満足できることを確認済みである。
As described above, it was confirmed that the
The
Further, it has been confirmed that the
以上説明したように、簡単の層構成、簡単な工程により、ICチップ22を損傷させることなく、薄型のICカード1を製造できる。
また、ICカード1は、その上面及び下面を、ICチップが収容している部分の膨らみを低減して、平坦に形成できる。このため、例えば、カードを重ねて携行する場合等に、この部分ばかりに外力がかかることを防止できるので、ICチップ22の損傷を防止できるし、カード表面の亀裂等の損傷を防止できる。さらに、上面及び下面を平坦に形成できるので、印刷特性を向上できる。
As described above, the
In addition, the
(第2実施形態)
次に、本発明を適用した第2実施形態について説明する。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第1実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
図3は、第2実施形態のICカード101,201の層構成を示す断面図である。
図3(a)は、ICカード101の接着前及び接着後の層構成を示す断面図である。
図3(b)は、ICカード201の接着前及び接着後の層構成を示す断面図である。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment to which the present invention is applied will be described.
Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the layer structure of the
FIG. 3A is a cross-sectional view showing a layer structure before and after bonding of the
FIG. 3B is a cross-sectional view showing the layer configuration before and after bonding the
図3(a−1)に示すように、上層110は、上シート111と、スペーサ層112とを備えている。上シート111及びスペーサ層112は、PET−Gにより形成される。
上シート111の厚みは、120μmである。
スペーサ層112の厚みは、80μmであり、ICチップ22よりも薄い。スペーサ層112は、ICチップ22に対応する領域に、孔部112aを有している。孔部112aの開口径は、ICチップ22の平面形状の外形よりも大きい。
このため、スペーサ層112の孔部112aにICチップ22を収容するように、上層110、個片インレット層20、下層30を積層すると、上シート111の下面が、ICチップ22に当接することになる。
As shown in FIG. 3A-1, the
The thickness of the
The
For this reason, when the
ICカード101の製造時には、上シート111及びICチップ22が当接して、上シート111にICチップ収容部110aが形成される。
図3(a−2)に示すように、このとき、その部分の樹脂は、ICチップ22に押し出されるようにして、孔部112aに収容される。
これにより、上シート111のうちICチップ収容部110aの周囲の樹脂のひずみを低減できる。
When the
As shown in FIG. 3A-2, at this time, the resin in that portion is accommodated in the
Thereby, the distortion | strain of resin around the IC
図3(b−1)に示すように、ICカード201は、上層210だけではなく、下層230もスペーサ層232及び下シート231の2層構成である。
下層230のスペーサ層232は、上層210のスペーサ層212の孔部212aと同様な、孔部232aを備えている。
各層の厚みは、以下の通りである。
上層210:
上シート211:70μm
スペーサ層212:40μm
個片インレット層(第1実施形態と同様):
ICチップ22:120μm
基材:70μm
下層230:
スペーサ層232:40μm
下シート231:80μm
As shown in FIG. 3B-1, the
The
The thickness of each layer is as follows.
Upper layer 210:
Upper sheet 211: 70 μm
Spacer layer 212: 40 μm
Individual inlet layer (similar to the first embodiment):
IC chip 22: 120 μm
Base material: 70 μm
Lower layer 230:
Spacer layer 232: 40 μm
Lower sheet 231: 80 μm
図3(b−2)に示すように、ICカード201は、以上の層構成により、ICチップ収容部210aを形成するときに、個片インレット層20が下側にも変形して、ICチップ収容部210aが下層230側にも形成される。このため、ICカード201は、上層210を薄く形成できるので、カードの総厚みをより薄くできる。
As shown in FIG. 3 (b-2), the
図4は、第2実施形態のICカード101,201の製造条件を説明する表である。
図4(a)は、製造工程における熱プレス機の圧力の変化を説明するグラフである。
図4(b)は、ICカード101,201の製造条件を説明する表である。
FIG. 4 is a table for explaining the manufacturing conditions of the
Fig.4 (a) is a graph explaining the change of the pressure of the hot press machine in a manufacturing process.
FIG. 4B is a table for explaining the manufacturing conditions of the
ICカード101,201の製造条件は、第1実施形態のICカード1の条件3と比較すると、低圧P1がP1=15N/cm2であり、第1実施形態よりも大きい。
The manufacturing conditions of the
このように、本実施形態が低圧P1を第1実施形態よりも大きくできる理由は、P1=16N/cm2という高い圧力で加圧することにより、ICチップ22が変形しても、スペーサを有しているために、各層が面接触する。このため、ICチップ22がある程度以上変形せず、ICチップ22が破損するまで、ICチップ22に圧力がかかることがない。
Thus, the reason why this embodiment can make the low pressure P1 larger than that of the first embodiment is that even if the
以上説明したように、第2実施形態のICカード101,201は、スペーサ層を備えることにより、第1実施形態よりも大きな圧力がかかっても、ICチップ22が損傷することがないので、製造時におけるICチップ22の損傷を防止できる。
As described above, since the
(第3実施形態)
次に、本発明を適用した第2実施形態について説明する。
図5は、第3実施形態のICカード301の接着前及び接着後の層構成を示す断面図である。
図5(a)に示すように、下層330には、予め、上面に窪み330aが設けられている。
このため、ICカード301は、製造工程において、加圧されると、個片インレット層20が下側にも変形して、ICチップ収容部310aが下層330側にも形成される。
これによっても、ICカード301は、第2実施形態のICカード201と同様に、上層310を薄く形成できるので、カードの総厚みをより薄く形成することができる。
(Third embodiment)
Next, a second embodiment to which the present invention is applied will be described.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the layer configuration of the
As shown in FIG. 5A, the
For this reason, when the
Also by this, the
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes can be made as in the modifications described later, and these are also included in the present invention. Within the technical scope. In addition, the effects described in the embodiments are merely a list of the most preferable effects resulting from the present invention, and the effects of the present invention are not limited to those described in the embodiments. It should be noted that the above-described embodiment and modifications described later can be used in appropriate combination, but detailed description thereof is omitted.
(変形形態)
(1)実施形態において、上層及び下層の縁部を溶着して、カードを形成する例を示したがこれに限定されない。例えば、上層、下層及びモジュール基材を全てPET−Gとして、上層及びモジュール基材を溶着可能とし、モジュール基材及び下層を溶着可能としてもよい。この場合、接着(溶着)面積を大きくできるので、各層間を強固に接着でき、また、縁部を設ける必要ないので、カード外形を小さくできる。なお、異なる樹脂同士でも、熱溶着可能で接着できるものであれば、種々の樹脂シートを選択できる。
また、例えば、上層及びモジュール基材の間に接着シートを配置して溶着可能とし、モジュール基材及び下層の間に接着シートを配置して溶着可能としてもよい。
(Deformation)
(1) In the embodiment, the example of forming the card by welding the edges of the upper layer and the lower layer is shown, but the present invention is not limited to this. For example, the upper layer, the lower layer, and the module substrate may be all PET-G, the upper layer and the module substrate may be welded, and the module substrate and the lower layer may be welded. In this case, since the adhesion (welding) area can be increased, the respective layers can be firmly bonded, and since it is not necessary to provide an edge portion, the outer shape of the card can be reduced. Various resin sheets can be selected as long as different resins can be heat-welded and bonded.
Further, for example, an adhesive sheet may be disposed between the upper layer and the module base material so as to be welded, and an adhesive sheet may be disposed between the module base material and the lower layer to be welded.
(2)実施形態において、ICチップは、基材の上面に実装されている例を説明したが、これに限定されない。例えば、ICチップは、基材の両面に実装していてもよい。この場合には、前述した工程により、上層及び下層の両層にICチップ収容部を設けることができる。 (2) In the embodiment, the example in which the IC chip is mounted on the upper surface of the base material has been described, but the present invention is not limited to this. For example, the IC chip may be mounted on both sides of the substrate. In this case, the IC chip housing portion can be provided in both the upper layer and the lower layer by the above-described steps.
1,101,201,301 ICカード
10,110,210,310 上層
10a,110a,210a,310a ICチップ収容部
20 個片インレット層
21 基材
22 ICチップ
23 アンテナコイル
30,230,330 下層
111 上シート
112 スペーサ層
112a 孔部
231 下シート
232 スペーサ層
232a 孔部
330a 窪み
1, 101, 201, 301
Claims (8)
熱可塑性樹脂シートにより形成され、カード表面を法線方向から見たときに、前記モジュール基材よりも外形が大きく、前記モジュール基材の一方の面側に配置された第1シート層と、
熱可塑性樹脂シートにより形成され、カード表面を法線方向から見たときに、前記第1シート層と外形が同等であり、前記モジュール基材の前記一方の面とは異なる面である他方の面側に配置された第2シート層とを備え、
前記第1シート層、前記モジュール基材及び前記第2シート層は、積層された状態で、前記各シートが軟化するまで加熱をし、加圧をすることにより、前記第1及び第2シート層のうち前記モジュール基材よりも外形の大きい領域である縁部が溶着され、
前記第1及び第2シート層のうち少なくとも1つは、前記加熱、前記加圧をすることにより、前記非接触ICチップを埋め込むように形成された非接触ICチップ収容部を有すること、
を特徴とする非接触ICカード。 A module substrate on which a non-contact IC chip is mounted and provided with an antenna that is electrically connected to the non-contact IC chip and exchanges information with the outside in a non-contact manner;
When formed from a thermoplastic resin sheet and the card surface is viewed from the normal direction, the outer shape is larger than the module substrate, and the first sheet layer disposed on one side of the module substrate;
The other surface, which is formed of a thermoplastic resin sheet, has the same outer shape as the first sheet layer and is different from the one surface of the module substrate when the card surface is viewed from the normal direction. A second sheet layer disposed on the side,
The first sheet layer, the module base material, and the second sheet layer are stacked and heated until the respective sheets are softened, and the first sheet layer and the second sheet layer are pressed. The edge part which is an area | region with a larger external shape than the said module base material is welded,
At least one of the first and second sheet layers has a non-contact IC chip housing portion formed to embed the non-contact IC chip by performing the heating and the pressurization,
Non-contact IC card characterized by.
熱可塑性樹脂シートにより形成され、前記モジュール基材の一方の面側に配置された第1シート層と、
熱可塑性樹脂シートにより形成され、前記モジュール基材の前記一方の面とは異なる面である他方の面側に配置された第2シート層とを備え、
前記第1シート層、前記モジュール基材及び前記第2シート層は、積層された状態で、前記各シートが軟化するまで加熱をし、加圧をすることにより、前記第1シート層及び前記モジュール基材の層間部が溶着され、前記モジュール基材及び前記第2シート層の層間部が溶着され、
前記第1及び第2シート層のうち少なくとも1つは、前記加熱、前記加圧をすることにより、前記非接触ICチップを埋め込むように形成された非接触ICチップ収容部を有すること、
を特徴とする非接触ICカード。 A module substrate formed of a thermoplastic resin sheet, mounted with a non-contact IC chip, and provided with an antenna that is electrically connected to the non-contact IC chip and exchanges information with the outside in a non-contact manner;
A first sheet layer formed of a thermoplastic resin sheet and disposed on one side of the module substrate;
A second sheet layer formed of a thermoplastic resin sheet and disposed on the other surface side which is a surface different from the one surface of the module substrate;
The first sheet layer, the module base material, and the second sheet layer are heated in a laminated state until the respective sheets are softened, and are pressurized, thereby the first sheet layer and the module. The interlayer part of the substrate is welded, the interlayer part of the module substrate and the second sheet layer is welded,
At least one of the first and second sheet layers has a non-contact IC chip housing portion formed to embed the non-contact IC chip by performing the heating and the pressurization,
Non-contact IC card characterized by.
前記第1シート層、前記モジュール基材及び前記第2シート層を積層した状態で、前記第1及び前記第2シート層が軟化するまで加熱する加熱工程と、
前記加熱工程で前記第1及び前記第2シート層が軟化した状態で、徐々に加圧をすることにより、前記第1及び第2シート層のうち少なくとも1つに、前記非接触ICチップを埋め込む非接触ICチップ収容部を形成する非接触ICチップ収容部形成工程と、
前記非接触ICチップ収容部を形成後、又は前記非接触ICチップ収容部を形成しながら、加熱及び加圧をすることにより、前記第1及び第2シート層のうち前記モジュール基材よりも外形の大きい領域である縁部を溶着する接着工程と、
を備える非接触ICカードの製造方法。 A module substrate formed of a thermoplastic resin sheet, mounted with a non-contact IC chip, and provided with an antenna that is electrically connected to the non-contact IC chip and exchanges information with the outside in a non-contact manner; A first sheet layer formed of a thermoplastic resin sheet, having an outer shape larger than that of the module base material when viewed from the normal direction, and disposed on one surface side of the module base material; The other surface side, which is formed of a plastic resin sheet and has the same outer shape as the first sheet layer and is different from the one surface of the module substrate when the card surface is viewed from the normal direction. A laminating step of laminating and arranging the second sheet layer arranged in
A heating step of heating until the first and second sheet layers are softened in a state where the first sheet layer, the module base material and the second sheet layer are laminated;
The non-contact IC chip is embedded in at least one of the first and second sheet layers by gradually applying pressure while the first and second sheet layers are softened in the heating step. A non-contact IC chip housing portion forming step for forming a non-contact IC chip housing portion;
After forming the non-contact IC chip housing part or while forming the non-contact IC chip housing part, the outer shape of the first and second sheet layers is more than the module substrate. Bonding process for welding the edge, which is a large area,
A method for manufacturing a non-contact IC card.
前記第1シート層、前記モジュール基材及び前記第2シート層を積層した状態で、前記第1及び前記第2シート層が軟化するまで加熱する加熱工程と、
前記加熱工程で前記第1及び前記第2シート層が軟化した状態で、徐々に加圧をすることにより、前記第1及び第2シート層のうち少なくとも1つに、前記非接触ICチップを埋め込む非接触ICチップ収容部を形成する非接触ICチップ収容部形成工程と、
前記非接触ICチップ収容部を形成後、又は前記非接触ICチップ収容部を形成しながら、加熱及び加圧をすることにより、前記第1シート層及び前記モジュール基材の層間部を溶着し、前記モジュール基材及び前記第2シート層の層間部を溶着する接着工程と、
を備える非接触ICカードの製造方法。 A module substrate formed of a thermoplastic resin sheet, mounted with a non-contact IC chip, and provided with an antenna that is electrically connected to the non-contact IC chip and exchanges information with the outside in a non-contact manner; A first sheet layer formed of a thermoplastic resin sheet and disposed on one surface side of the module base material, and formed of a thermoplastic resin sheet, is a surface different from the one surface of the module base material. A laminating step of laminating and arranging the second sheet layer arranged on the other surface side;
A heating step of heating until the first and second sheet layers are softened in a state where the first sheet layer, the module base material and the second sheet layer are laminated;
The non-contact IC chip is embedded in at least one of the first and second sheet layers by gradually applying pressure while the first and second sheet layers are softened in the heating step. A non-contact IC chip housing portion forming step for forming a non-contact IC chip housing portion;
After forming the non-contact IC chip housing part or while forming the non-contact IC chip housing part, by heating and pressurizing, the first sheet layer and the interlayer part of the module substrate are welded, An adhesion step of welding an interlayer portion of the module substrate and the second sheet layer;
A method for manufacturing a non-contact IC card.
接着工程及び非接触ICチップ収容部形成工程は、平坦性を有する面で前記第1及び第2シート層の表面を加圧すること、
を特徴とする非接触ICカードの製造方法。 In the manufacturing method of the non-contact IC card according to claim 3 or 4,
The bonding step and the non-contact IC chip housing portion forming step include pressing the surfaces of the first and second sheet layers with a flat surface.
A method of manufacturing a non-contact IC card characterized by the above.
前記第1及び第2シート層のうち少なくとも1つは、厚みが前記非接触ICチップよりも薄く、前記非接触ICチップに対応する領域に孔部を有するスペーサ層を有し、
前記積層工程は、前記スペーサ層の前記孔部に前記非接触ICチップを収容するように、前記第1シート層、前記モジュール基材及び前記第2シート層を積層すること、
を特徴とする非接触ICカードの製造方法。 In the manufacturing method of the non-contact IC card according to any one of claims 3 to 5,
At least one of the first and second sheet layers has a spacer layer that is thinner than the non-contact IC chip and has a hole in a region corresponding to the non-contact IC chip,
The stacking step is to stack the first sheet layer, the module base material, and the second sheet layer so that the non-contact IC chip is accommodated in the hole of the spacer layer;
A method of manufacturing a non-contact IC card characterized by the above.
前記非接触ICチップの厚みが75μm以上160μm以下であり、
カード表面のうち前記非接触ICチップを収容している部分の段差が10μm以下であり、
このカードの総厚みが450μm以下であること、
を特徴とする非接触ICカード。 In the non-contact IC card according to any one of claims 1, 2, and 7,
The non-contact IC chip has a thickness of 75 μm or more and 160 μm or less,
The step of the portion containing the non-contact IC chip on the card surface is 10 μm or less,
The total thickness of this card is 450 μm or less,
Non-contact IC card characterized by.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010048958A JP2011186590A (en) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | Contactless ic card and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010048958A JP2011186590A (en) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | Contactless ic card and method of manufacturing the same |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014008473A Division JP2014112408A (en) | 2014-01-21 | 2014-01-21 | Non-contact ic card |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011186590A true JP2011186590A (en) | 2011-09-22 |
Family
ID=44792803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010048958A Pending JP2011186590A (en) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | Contactless ic card and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011186590A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015011648A (en) * | 2013-07-02 | 2015-01-19 | 大日本印刷株式会社 | Ic card, laminate sheet and manufacturing method of ic card |
JP2015184774A (en) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 日立マクセル株式会社 | Inlet of non-contact ic card, manufacturing method thereof, and non-contact ic card |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005293396A (en) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Ikuta Insatsu Kk | Ic chip embedding method for non-contact ic card |
JP2006019717A (en) * | 2004-06-02 | 2006-01-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Laminating device, ic sheet, roll, and preparing method of ic chip |
JP2006344084A (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Hitachi Engineering & Services Co Ltd | Ic card and manufacturing method therefor |
JP2008276435A (en) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Dainippon Printing Co Ltd | Ic card with display function |
-
2010
- 2010-03-05 JP JP2010048958A patent/JP2011186590A/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005293396A (en) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Ikuta Insatsu Kk | Ic chip embedding method for non-contact ic card |
JP2006019717A (en) * | 2004-06-02 | 2006-01-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Laminating device, ic sheet, roll, and preparing method of ic chip |
JP2006344084A (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Hitachi Engineering & Services Co Ltd | Ic card and manufacturing method therefor |
JP2008276435A (en) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Dainippon Printing Co Ltd | Ic card with display function |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6013036882; '低価格な薄型非接触ICカードを開発' DNP 大日本印刷 ニュースリリース 2010年 , 20100301, 大日本印刷株式会社 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015011648A (en) * | 2013-07-02 | 2015-01-19 | 大日本印刷株式会社 | Ic card, laminate sheet and manufacturing method of ic card |
JP2015184774A (en) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 日立マクセル株式会社 | Inlet of non-contact ic card, manufacturing method thereof, and non-contact ic card |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6536674B2 (en) | Process for manufacturing a contactless smart card with an antenna support made of fibrous material | |
TWI623883B (en) | Transponder layer and method for the production thereof | |
TWI469875B (en) | Radio frequency identification device support for passport and its manufacturing method | |
AU2016361882B2 (en) | Method for embedding integrated circuit flip chip | |
JP5029597B2 (en) | Card type recording medium and method for manufacturing card type recording medium | |
TW201137760A (en) | Radio frequency identification device support for hybrid card and its manufacturing method | |
JP5884895B2 (en) | Card, card manufacturing method | |
KR100622140B1 (en) | A combi-card contains fibrous terminals and method for making the same | |
JP2011186590A (en) | Contactless ic card and method of manufacturing the same | |
JP2014112408A (en) | Non-contact ic card | |
US20150283794A1 (en) | Chip card substrate and method of forming a chip card substrate | |
JP5369496B2 (en) | Non-contact IC card manufacturing method | |
JP6040732B2 (en) | IC card manufacturing method | |
RU2685973C2 (en) | Method of making device containing at least one electronic element associated with substrate and antenna | |
JP2011108054A (en) | Noncontact ic card | |
JP4085790B2 (en) | IC card manufacturing method | |
JP3986641B2 (en) | Non-contact type IC module manufacturing method and non-contact type IC card manufacturing method | |
JP6070447B2 (en) | IC card, laminated sheet, and IC card manufacturing method | |
JP2011096197A (en) | Ic card | |
JP4693331B2 (en) | Manufacturing method of multilayer electronic component | |
JP2011070704A (en) | Method of manufacturing ic card, and ic card | |
KR20220086122A (en) | Thermo-compression assist apparatus for electronic card | |
KR100515001B1 (en) | Half-finished Combicard and Method for Manufacturing Same | |
JP5307054B2 (en) | Non-contact IC card manufacturing method | |
JP2009116487A (en) | Card manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130730 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130926 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131022 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150420 |