JP2011185946A - シンチレータパネルの製造方法、放射線撮像装置および放射線検出システム - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 232
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 84
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 36
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 28
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- -1 divinylsiloxane Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 claims description 4
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims description 4
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 claims description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 4
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 claims description 4
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 4
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 abstract description 19
- 239000002585 base Substances 0.000 description 41
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 4
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020203 CeO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004140 HfO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】蛍光体層と、前記蛍光体層を支持するための基材と、前記蛍光体層と前記基材との間に配置された反射層と、を備えたシンチレータパネルの製造方法は、前記基材の上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の端部をマスキングした状態で前記絶縁層の上に前記反射層を形成する工程と、前記反射層の上に前記蛍光体層を形成する工程とを含む。
【選択図】図1
Description
(1)反射層の回り込み図7(a)は、従来の絶縁層502と反射層503の形成を示したものである。本来、絶縁層502は、金属性の反射層503と導電性の基材501を絶縁する為に設けられ、絶縁を行うことにより、反射層503の電気化学的腐食を防ぐが、金属性反射層503を形成する際に使用するスパッタは、ターゲットから飛び出した金属反射層粒子が、基材501及び絶縁層502の端面および裏面に、ある範囲で回り込む場合がある。
(2)水分による導通図7(b)も従来の絶縁層502と反射層503の形成方法である。
(3)反射層の密着力図8(a)は、従来の基材501/絶縁層502/反射層503の形成を示したものである。
これは、通常、反射層をスパッタする際、基材501/絶縁層502からターゲットまでの距離が、基材501/絶縁層502の中心部で最も近く、また、基材501/絶縁層502の端部が最も遠くなる為であると考えられる。(ターゲットの大きさ<基材501/絶縁層502と考えた場合)その為、端部514の絶縁層502と反射層503との間の密着力が弱いため、この間からの剥がれることがあり、また、端部514を起点にし、剥がれが内部方向へ進行することがある。
(4)表面(表皮)電流によるリーク図8(b)は、従来の基材501/絶縁層502/反射層503の構成を示したものである。
(2)反射層の全周を絶縁層および反射層保護膜で覆うことにより、反射層の剥がれを抑制することができる。
(3)反射層−導電性基材間の距離を空けることにより、表面電流による電気化学的腐食の発生を抑制することができる。
(実施形態6)図11は、本発明の実施形態6のX線診断システムへ模式的な構成を示すブロック図である。X線チューブ6050で発生したX線6060は患者あるいは被験者6061の胸部6062を透過し、蛍光体を上部に実装した光電変換装置6040に入射する。この入射したX線には患者6061の体内部の情報が含まれている。X線の入射に対応して蛍光体は発光し、これを光電変換して電気的情報を得る。この情報は、ディジタルに変換されイメージプロセッサ6070により画像処理され制御室のディスプレイ6080で観察できる。
102 ポリイミド樹脂(絶縁層)
103 アルミニウム(反射層)
104 基板ホルダー
105 アルミニウムのスパッタ時のマスキングエリア
106 アルミニウム(スパッタ時の方向)
107 CsI(ヨウ化セシウム)
108 パリレン(保護層)
109 シンチレータパネル
110 センサパネル
111 ガラス基板
112 光電変換素子
113 配線部
Claims (13)
- 蛍光体層と、前記蛍光体層を支持するための基材と、前記蛍光体層と前記基材との間に配置された反射層と、を備えたシンチレータパネルの製造方法であって、
前記基材の上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の端部をマスキングした状態で前記絶縁層の上に前記反射層を形成する工程と、
前記反射層の上に前記蛍光体層を形成する工程と、
を含むことを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。 - 前記反射層を形成する工程において、前記基材と前記絶縁層は保持部材により保持されており、前記保持部材により前記絶縁層の端部をマスキングした状態で前記反射層が形成されることを特徴とする請求項1に記載のシンチレータパネルの製造方法。
- 前記反射層を形成する工程と前記蛍光体層を形成する工程との間に、前記絶縁層の端部と前記反射層とを覆うように保護層を形成する工程を含み、前記蛍光体層は、前記保護層の上に形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載のシンチレータパネルの製造方法。
- 前記反射層を形成する工程と前記保護層を形成する工程との間に、前記絶縁層の端部にプラズマ処理又はコロナ放電処理を行う工程を含むことを特徴とする請求項3に記載のシンチレータパネルの製造方法。
- 前記保護層は、ポリイミドよりなることを特徴とする請求項3又は4に記載のシンチレータパネルの製造方法。
- 前記基材は、体積抵抗率が10Ωcm以下の材料からなることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のシンチレータパネルの製造方法。
- 前記基材は、アモルファスカーボンを含む材料で構成されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のシンチレータパネルの製造方法。
- 前記基材は、前記絶縁層を形成する側の面を凹凸差が0.02μmから5μmとなるように粗らして構成されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載のシンチレータパネルの製造方法。
- 前記基材の端面は面取りされ、曲率半径Rが1mm以上であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載のシンチレータパネルの製造方法。
- 前記絶縁層は、ポリイミド、ジビニルシロキサンビスベンゾブテン系樹脂、メチルシルセスキオキサン系樹脂、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、又は芳香族ポリエステルよりなることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載のシンチレータパネルの製造方法。
- 前記反射層は、アルミニウム、銀、銅又は金を含む材料であることを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載のシンチレータパネルの製造方法。
- 請求項1から11のいずれか1項に記載の製造方法で製造されたシンチレータパネルを、光電変換素子を有するセンサパネルに貼り合せてなる放射線撮像装置。
- 請求項12に記載の前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、前記放射線を発生させるための放射線発生源と、を具備することを特徴とする放射線検出システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011104754A JP5230774B2 (ja) | 2011-05-09 | 2011-05-09 | シンチレータパネルの製造方法、放射線撮像装置および放射線検出システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011104754A JP5230774B2 (ja) | 2011-05-09 | 2011-05-09 | シンチレータパネルの製造方法、放射線撮像装置および放射線検出システム |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001272024A Division JP4878427B2 (ja) | 2001-02-07 | 2001-09-07 | シンチレータパネル、放射線撮像装置及び放射線検出システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011185946A true JP2011185946A (ja) | 2011-09-22 |
JP5230774B2 JP5230774B2 (ja) | 2013-07-10 |
Family
ID=44792367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011104754A Expired - Lifetime JP5230774B2 (ja) | 2011-05-09 | 2011-05-09 | シンチレータパネルの製造方法、放射線撮像装置および放射線検出システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5230774B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5230774B2 (ja) | 2013-07-10 |
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