JP2011180405A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】生産性及び表示品質を向上させることができる電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の素子基板１２が面付けされた第１大型基板５１と、複数の対向基板１３が面付けされた第２大型基板５２と、を貼り合わせる工程と、第１大型基板５１と第２大型基板５２との貼り合わせ面５３ａとは反対側の面に大型偏光板６１，６２を貼り付ける工程と、第１大型基板５１又は第２大型基板５２と、大型偏光板６１（６２）とを共に素子基板１２又は対向基板１３を単位としてパルスレーザー光５４を照射して、素子基板１２の外周又は対向基板１３の外周に沿って第１大型基板５１又は第２大型基板５２、及び大型偏光板６１，６２の内部に改質層５５を形成する工程と、を有する。
【選択図】図１４

Description

本発明は、大型基板を分割して電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法に関する。

上記電気光学装置の一つとして、例えば、素子基板と対向基板とが液晶層を介して貼り合わされてなる液晶装置がある。液晶装置の製造方法としては、まず、複数の素子基板が面付けされた第１大型基板と、同じく複数の対向基板が面付けされた第２大型基板とを液晶層を介して貼り合わせる。その後、一対の大型基板を個々の液晶装置に分割する。そして、液晶装置における基板の貼り合わせ面とは反対側の面に、偏光板を貼り合わせていた。

この方法によれば、個々の液晶装置毎に偏光板を貼り付けるので、複数の液晶装置において特性（例えば、輝度やコントラスト）にばらつきが生じたり、異物が付着しやすかったりする。また、生産性も低いという課題がある。

そこで、例えば、特許文献１に記載のように、まず、大型基板（第１母基板、第２母基板）を液晶装置の単位でレーザー照射してスクライブラインを形成する。次に、大型基板に大型偏光板を貼り付ける。その後、偏光板を分断し、ブレイクすることにより個々の液晶装置を取り出す方法が開示されている。

特開２００９−１２２３８６号公報

しかしながら、大型基板と大型偏光板とを別々の工程で分断しているので、効率が悪いという課題があった。また、大型基板にスクライブラインを形成した後に大型偏光板を貼り付けるので、貼り合わせ面に異物が混入する恐れがあった。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、第１基板と第２基板とが貼り合わされてなる電気光学装置の製造方法であって、複数の第１基板が面付けされた第１大型基板と、複数の第２基板が面付けされた第２大型基板と、を貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記第１大型基板と前記第２大型基板との貼り合わせ面とは反対側の面に光学部材を貼り付ける光学部材貼付け工程と、前記第１大型基板又は前記第２大型基板と、前記光学部材とを共に前記第１基板又は前記第２基板を単位としてレーザー光を照射して、前記第１基板の外周又は前記第２基板の外周に沿って前記第１大型基板又は前記第２大型基板、及び前記光学部材の内部に改質層を形成するレーザー光照射工程と、を有することを特徴とする。

この方法によれば、第１大型基板及び第２大型基板に光学部材を貼り付けた後、第１基板又は第２基板を単位としてレーザー光を照射するので、第１大型基板及び第２大型基板と光学部材とに形成された改質層に沿って個々の電気光学装置に分割する（個片にする）ことが可能となる。これにより、電気光学装置毎に光学部材を貼り付ける方法と比較して、生産性を向上させることができる。また、複数の電気光学装置に対して一度に光学部材を貼り付けるので、個々の電気光学装置における光学部材の貼り付け位置が光学的に安定して特性のばらつきを抑えることができる。更に、貼り付け面に異物が混入することを抑えることができる。その結果、歩留まりを向上させることができる。

［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記貼り合わせ工程は、前記第１大型基板及び前記第２大型基板の少なくとも一方に第３大型基板を貼り付け、前記レーザー光照射工程は、前記第１大型基板と前記第２大型基板との貼り合わせ面から前記光学部材までを共に前記レーザー光を照射することを特徴とする。

この方法によれば、第３大型基板を含む大型基板（第１大型基板、第２大型基板）から光学部材まで一緒にレーザー光を照射するので、第３大型基板に形成された改質層を含む改質層に沿って個々の電気光学装置に分割する（個片にする）ことが可能となる。

［適用例３］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、第１基板と第２基板とが貼り合わされてなる電気光学装置の製造方法であって、複数の第１基板が面付けされた第１大型基板と、前記第２基板と、を貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記第１大型基板と前記第２基板との貼り合わせ面とは反対側の面に光学部材を貼り付ける光学部材貼付け工程と、前記第１大型基板と前記光学部材とを共に前記第１基板又は前記第２基板を単位としてレーザー光を照射して、前記第１基板の外周又は前記第２基板の外周に沿って前記第１大型基板及び前記光学部材の内部に改質層を形成するレーザー光照射工程と、を有することを特徴とする。

この方法によれば、第１大型基板に光学部材を貼り付けた後、第１基板又は第２基板を単位としてレーザー光を照射するので、第１大型基板と光学部材とに形成された改質層に沿って個々の電気光学装置に分割する（個片にする）ことが可能となる。これにより、電気光学装置毎に光学部材を貼り付ける方法と比較して、生産性を向上させることができる。また、複数の電気光学装置の一方の表面に対して一度に光学部材を貼り付けるので、個々の電気光学装置における光学部材の貼り付け位置が光学的に安定して特性のばらつきを抑えることができる。更に、貼り付け面に異物が混入することを抑えることができる。その結果、歩留まりを向上させることができる。

［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記貼り合わせ工程は、前記第１大型基板に第３大型基板を貼り付け、前記レーザー光照射工程は、前記第１大型基板と前記第２基板との貼り合わせ面から前記光学部材までを共に前記レーザー光を照射することを特徴とする。

この方法によれば、第３大型基板を含む第１大型基板から光学部材まで一緒にレーザー光を照射するので、第３大型基板に形成された改質層を含む改質層に沿って個々の電気光学装置に分割する（個片にする）ことが可能となる。

［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記レーザー光は、フェムト秒レーザーであることが好ましい。

この方法によれば、フェムト秒レーザーを照射するので、大型基板（第１大型基板、第２大型基板など）や光学部材に改質層を安定的に形成することが可能となる。よって、その改質層を基に大型基板及び光学部材を分割することができる。

［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記レーザー光照射工程は、前記貼り合わせ面から前記貼り合わせ面とは反対の方向に向かって前記レーザー光の焦点位置を変えながら前記改質層を形成することが好ましい。

この方法によれば、第１大型基板と第２大型基板との貼り合わせ面側から改質層を形成するので、先に形成された改質層が後からのレーザー光の照射を邪魔することを防ぐことができる。

［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記レーザー光照射工程は、前記第１大型基板又は前記第２大型基板に照射するレーザー光のエネルギーと比較して、前記光学部材へ照射するレーザー光のエネルギーを小さくすることが好ましい。

この方法によれば、大型基板と比較して光学部材に照射するレーザー光のエネルギーを小さくするので、言い換えれば、レーザー光のエネルギーを最適化するので、光学部材に必要以上のエネルギーが加えられることを防ぐことができる。つまり、材質の違いに応じて最適な照射条件にすることができる。よって、大型基板及び光学部材を効率よく分割させることができる。

第１実施形態の液晶装置の構造を模式的に示す斜視図。 図１に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。 図２に示す液晶装置におけるＢ部の偏光板を拡大して示す模式拡大図。 液晶装置の構造を示す模式断面図。 液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。 液晶装置の製造方法のうち一部の工程の液晶装置を示す模式平面図。 図６に示す液晶装置を側方から見た模式側面図。 液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。 液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。 液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。 液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。 液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。 液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。 液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。 液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。 図１４に示す液晶装置をＣ方向から見た平面写真。 図１４に示す液晶装置をＤ方向から見た断面写真。 第２実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。本実施形態では、電気光学装置として、例えば、液晶ビューファインダーとして用いられるＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げて説明する。

なお、以下の形態において、「上」とは、基板から見て液晶層が配置された方向を示し、「○○上に」と記載された場合、○○の上に接するように配置される場合または○○の上に他の構成物を介して配置される場合または○○の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構造を模式的に示す斜視図である。図２は、図１に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図１及び図２を参照しながら説明する。

図１及び図２に示すように、液晶装置１１は、例えば、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスター）素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶装置である。液晶装置１１は、第１基板としての素子基板１２と、素子基板１２に対向して配置された第２基板としての対向基板１３と、素子基板１２と対向基板１３との間に挟持された液晶層１４とを備えている。

具体的には、素子基板１２と対向基板１３とは、枠状のシール材１５を介して対向して貼り合わされている。液晶層１４は、素子基板１２と対向基板１３とシール材１５とによって囲まれた空間に封入されている。

素子基板１２の液晶層１４とは反対側の面には、光学部材としての第１偏光板１６が配置されている。対向基板１３の液晶層１４とは反対側の面には、光学部材としての第２偏光板１７が配置されている。本実施形態の液晶装置１１は透過型であって、第１偏光板１６の側には、第１偏光板１６に対向してバックライト等の照明装置（図示省略）が配置されて用いられる。なお、液晶装置１１は透過型に限定されず、例えば反射型または半透過型であってもよい。

素子基板１２は、対向基板１３より大きく、一部が対向基板１３に対して張り出した状態で貼り合わされている。この張り出した部位には、液晶層１４を駆動するために外部と接続する端子部が形成されている。液晶装置１１は、液晶層１４が封入された表示領域１８において表示を行う。以下、偏光板１７（１６）の構成について説明する。

図３は、図２に示す液晶装置におけるＢ部の偏光板を拡大して示す模式拡大図である。以下、偏光板の構造を、図３を参照しながら説明する。なお、第２偏光板を例に説明するが、第１偏光板も同様の構成になっている。

図３に示すように、第２偏光板１７は、対向基板１３における液晶層１４とは反対側の面１３ａに配置されている。第２偏光板１７は、対向基板１３側から粘着剤２１、透明な保護フィルムであるＴＡＣ（Tri Acetyl Cellulose）フィルム２２、ヨウ素などの染色材料により染色された１軸延伸フィルム（偏光素子）であるＰＶＡ（Poly Vinyl Alcohol）フィルム２３、同じく透明な保護フィルムであるＴＡＣフィルム２４の順に積層されている。

粘着剤２１は、アクリル系からなり、例えば、厚みが２５μｍである。ＴＡＣフィルム２２，２４の厚みは、例えば、８０μｍである。ＰＶＡフィルム２３の厚みは、例えば、２０μｍである。

図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。

図４に示すように、液晶装置１１は、素子基板１２と対向基板１３とが、枠状のシール材１５（図２参照）を介して対向配置されている。そして、素子基板１２と対向基板１３との間には、液晶（液晶層１４）が封入されている。

素子基板１２は、第１基板３１を基体とし、画素３２ごとに形成されたＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子３３と、ＴＦＴ素子３３に接続された画素電極３７等を含む、いわゆるＴＦＴ素子基板である。

第１基板３１は、例えば、厚みが１．２ｍｍであり、石英などの透光性材料によって構成されている。第１基板３１上には、ＴＦＴ素子３３を構成するゲート電極３３ｇと、ゲート電極３３ｇを覆って形成された、シリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）又はシリコン窒化膜（ＳｉＮ）などからなるゲート絶縁層３５が形成されている。ゲート絶縁層３５上には、ゲート電極３３ｇに重なる位置に、アモルファスシリコンからなる半導体層３３ａが形成されている。

また、半導体層３３ａのソース領域にはソース電極３３ｓが、またドレイン領域にはドレイン電極３３ｄが一部重なった状態で形成されている。半導体層３３ａ、ソース電極３３ｓ、ドレイン電極３３ｄ、ゲート電極３３ｇにより、ＴＦＴ素子３３が構成される。

ＴＦＴ素子３３の上には、ＳｉＯ₂又はＳｉＮなどからなる層間絶縁層３６を挟んで、透光性を有するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる画素電極３７が形成されている。画素電極３７は、層間絶縁層３６を貫通して形成されたコンタクトホール３８を介してＴＦＴ素子３３のドレイン電極３３ｄに接続されている。また、画素電極３７上には、例えば、ポリイミドからなる第１配向膜（図示省略）が形成されている。

素子基板１２の、液晶層１４側とは反対側の面には、第１偏光板１６が配置されている。素子基板１２と第１偏光板１６との間には、適宜位相差板等を配置してもよい。第１偏光板１６に対向する位置には、液晶装置１１に向けて光を照射するバックライト３９が配置されている。

対向基板１３は、第２基板４１を基体とし、第２基板４１上に設けられたカラーフィルター４２と、その上に設けられた共通電極４３と、を有する。第２基板４１は、第１基板３１と同様に、例えば、厚みが１．２ｍｍであり、石英などの透光性材料によって構成されている。

第２基板４１上には、画素３２ｒ，３２ｇ，３２ｂにそれぞれ対応して、赤色のカラーフィルター４２ｒ、緑色のカラーフィルター４２ｇ（図示省略）、青色のカラーフィルター４２ｂ（以下まとめて「カラーフィルター４２」とも呼ぶ）が形成されている。カラーフィルター４２は、入射した光のうち特定の波長の光を吸収する層であり、カラーフィルター４２によって透過光を所定の色（例えば赤、緑、又は青）とすることができる。また、隣接する画素３２の間の領域には、遮光性を有する黒色の樹脂からなる遮光層４２ｘが形成されている。

カラーフィルター４２及び遮光層４２ｘの表層には、透光性を有するＩＴＯからなる平面ベタ状の共通電極４３が形成されている。共通電極４３は、図示しない定電位線に接続されており、一定の電位に保たれている。共通電極４３の表層には、ポリイミドからなる第２配向膜（図示省略）が形成されている。第２基板４１における液晶層１４と反対側の面には、第２偏光板１７が配置されている。

上述したように、素子基板１２と対向基板１３との間には液晶層１４が配置されている。液晶層１４は、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）方式とすることができる。共通電極４３と画素電極３７との間に駆動電圧が印加されると、液晶層１４に電界が生じる。液晶層１４内の液晶分子１４ａは、この電界に従って画素３２ごとに駆動され、配向状態が変化する。液晶装置１１は、この液晶分子１４ａの配向状態に応じた偏光変換機能と、偏光板１６，１７の偏光選択機能とを利用して表示を行う。

＜電気光学装置の製造方法＞
図５は、電気光学装置の製造方法としての液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図６は、液晶装置の製造方法のうち一部の工程の液晶装置を示す模式平面図である。図７は、図６に示す液晶装置を側方から見た模式側面図である。図８〜図１５は、液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図５〜図１５を参照しながら説明する。

なお、本実施形態では、図６及び図７に示すように、複数の素子基板１２が面付けされた第１大型基板５１と、複数の対向基板１３が面付けされた第２大型基板５２とが貼り合わされた大型接合基板５３をスクライブラインＬに沿って切断し、１つの液晶装置１１（チップ状の液晶装置１１）を取り出す方法を説明する。第１大型基板５１及び第２大型基板５２は、上記したように、厚みが１．２ｍｍ、直径１２インチの石英基板である。図８〜図１５は、図６に示す大型接合基板５３のＥ−Ｅ'線に沿う部分のみの断面図を示している。

最初に、図５を参照しながら、素子基板１２側の製造方法を説明する。ステップＳ１１では、第１基板３１上にＴＦＴ素子３３等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを用いて、第１基板３１上にＴＦＴ素子３３などを形成する。

ステップＳ１２では、画素電極３７を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを用いて、ＴＦＴ素子３３の上方に画素電極３７を形成する。

ステップＳ１３では、画素電極３７上に第１配向膜（図示省略）を形成する。第１配向膜は、例えば、ポリイミドなどの透明な有機膜からなり、ラビングなどによって所定の方向に配向処理が施される。以上により、素子基板１２側が完成する。

次に、対向基板１３側の製造方法を説明する。まず、図５に示すように、ステップＳ２１では、石英基板等の透光性材料からなる第２基板４１上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを用いて、カラーフィルター４２を形成する。

ステップＳ２２では、カラーフィルター４２上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを用いて、共通電極４３を形成する。

ステップＳ２３では、共通電極４３上に第２配向膜（図示省略）を形成する。第２配向膜は、素子基板１２側に形成した第１配向膜と同様であり、例えば、ポリイミドなどの透明な有機膜からなり、ラビングなどによって所定の方向に配向処理が施される。以上により、対向基板１３側が完成する。続いて、大型接合基板５３からチップ状の液晶装置１１を取り出す方法を説明する。

図５に示すように、ステップＳ３１では、素子基板１２上にシール材１５を塗布する。詳しくは、素子基板１２とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１２における表示領域１８の周縁部に（表示領域１８を囲むように）シール材１５を塗布する。

ステップＳ３２では、シール材１５で囲まれた領域に液晶を滴下する。本実施形態では、例えば、ＯＤＦ（One Drop Fill）方式を用いる。

ステップＳ３３（貼り合わせ工程）では、複数の素子基板１２に切り出すことができる第１大型基板５１と、複数の対向基板１３に切り出すことができる第２大型基板５２とを貼り合わせる。具体的には、例えば、第１大型基板５１における液晶装置１１の周縁部に相当する位置に塗布されたシール材１５を介して第１大型基板５１と第２大型基板５２とを貼り合わせる（図７参照）。より具体的には、互いの大型基板５１，５２の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。

ステップＳ３４（光学部材貼付け工程）では、図８に示すように、第１大型基板５１に光学部材としての第１大型偏光板６１を貼り付け、第２大型基板５２に光学部材としての第２大型偏光板６２を貼り付ける。

ステップＳ３５（レーザー光照射工程）では、図９に示すように、第１大型基板５１（素子基板１２）側にレーザー光としてのパルスレーザー光５４を照射して、第１大型基板５１と第１大型偏光板６１とに液晶装置１１の単位（液晶装置１１の周縁部（外周）１１ｂに相当する位置）に改質層５５を形成していく。具体的には、図６及び図７に示すように、大型基板５１，５２におけるＸ方向又はＹ方向に沿って、また、集光点５４ａの位置を変えながら、周縁部１１ｂなどの部分にパルスレーザー光５４を走査させる。ここで、図７を参照しながら、レーザー照射装置７１について簡単に説明する。

レーザー照射装置７１は、レーザー光源７４と、集光レンズ７２とを備えており、パルスレーザー光５４を出射することが可能となっている。また、レーザー照射装置７１は、大型接合基板５３を載置することが可能なステージ７３を有する。ステージ７３は、例えば、Ｘ方向やＹ方向に移動可能に設けられている。集光レンズ７２は、例えば、Ｚ方向に移動可能に設けられている。これにより、Ｚ方向にパルスレーザー光５４の焦点位置を変えながら改質層５５を形成することができる。

また、レーザー照射装置７１を構成するレーザー光源７４は、例えば、チタンサファイアを固体光源とするレーザー光を、フェムト秒のパルス幅で出射する、いわゆるフェムト秒レーザーである。

集光レンズ７２をＺ方向に移動させることにより、パルスレーザー光５４の集光点５４ａの位置を調整することができる。また、ステージ７３をＸ方向やＹ方向に移動させることにより、大型接合基板５３の全体に亘ってパルスレーザー光５４を照射することができる。

レーザー照射装置７１を用いたレーザー加工方法（レーザースクライブ方法）は、加工対象物の内部にパルスレーザー光５４を照射し、パルスレーザー光５４が集光する領域（集光部）にエネルギーが集中することで、加工対象物の内部に物理的あるいは化学的に変化した改質層５５が形成される。

加工対象物が透明な材料であっても、材料の吸収のバンドギャップＥｇよりも光子のエネルギーｈνが非常に大きいと吸収が生じる。これを多光子吸収と言い、パルスレーザー光５４のパルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物の内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、イオン価数変化、結晶化または分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。本実施形態では、この屈折率変化領域を改質層５５と呼ぶ。

以上により、図１０に示すように、第１大型基板５１（素子基板１２）に改質層５５を形成することができ、更に、図１１に示すように、第１大型偏光板６１に改質層５５を形成することができる。なお、改質層５５の形成順序としては、第１大型基板５１と第２大型基板５２との貼り合わせ面５３ａから、貼り合わせ面５３ａとは反対の方向に向かって改質層５５を形成する。つまり、集光レンズ７２をＺ方向における下から上に移動させる。これにより、改質層５５がパルスレーザー光５４の照射を邪魔することなく改質層５５を形成していくことができる。

大型接合基板５３に改質層５５を形成するときのパルスレーザー光５４の照射条件としては、例えば、パルスエネルギーは１００μＪであり、走査速度は１００ｍｍ／ｓである。また、パルス幅は１５０ｆｓ（フェムト秒）であり、パス数は９である。パス数９のうち、偏光板のパス数は３である。また、収差補正は、０ｍｍである。

パス数のパスとは、走査のことであり、深さ方向における集光部の位置を一定として、スクライブラインＬに沿ってパルスレーザー光５４をパルス的に照射しながら移動させることである。また、改質層５５の深さ方向における長さは、パス毎に一定ではなく、表層に近づくほど集光部の大きさが波長依存性によって小さくなるので短くなる。

次に、図１２に示すように、大型接合基板５３の向きを反対にして、第２大型基板５２が上側になるように配置する。

ステップＳ３６では、図１３及び図１４に示すように、第２大型基板５２（対向基板１３）側にパルスレーザー光５４を照射して、第２大型基板５２及び第２大型偏光板６２に液晶装置１１の単位（液晶装置１１の周縁部１１ｂに相当する位置）に改質層５５を形成する。具体的には、図６に示すように、Ｘ方向又はＹ方向に沿って第２大型基板５２及び第２大型偏光板６２の端から端にパルスレーザー光５４を照射する。また、改質層５５は、第１大型基板５１と第２大型基板５２との貼り合わせ面５３ａから、貼り合わせ面５３ａとは反対の方向に向かって改質層５５を形成する。

ステップＳ３７では、図１５に示すように、液晶装置１１の単位で形成した改質層５５に沿って、大型接合基板５３に力を印加し分割（ブレイク）する。分割する方法としては、例えば、樹脂材料の上に大型接合基板５３を貼り付け、その後樹脂材料を広げることにより個々の液晶装置１１に分割する（イクスパンド）。以上により、チップ状の液晶装置１１（図１及び図２参照）が完成する。

図１６及び図１７は、多光子吸収により形成された改質層５５を示す写真である。具体的には、図１６は、図１４に示す液晶装置１１をＣ方向から見た平面図である。図１７は、図１４に示す液晶装置１１をＤ方向から見た断面図である。

図１６に示すように、液晶装置１１の表面は、およそ３８μｍの幅Ｗの改質層５５が形成されている。また、図１７に示すように、液晶装置１１の断面は、例えば、対向基板１３の厚み方向の全域に亘って改質層５５が形成されている。また、切断面は、対向基板１３の領域と第２偏光板１７の領域とに分離されている。このような改質層５５を形成するためのパルスレーザー光５４の照射条件としては、加工対象物によって、パルスレーザー光５４の出力（エネルギー）やパルス幅、走査速度などの設定が必要となる。

このように、改質層５５が基板（対向基板１３、第２偏光板１７）の厚み方向に連続して形成されているため、精度よくかつ容易に切断することが可能である。また、破断面に外形不良等が生じにくい。

以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）第１実施形態によれば、第１大型基板５１に第１大型偏光板６１を貼り付け、第２大型基板５２に第２大型偏光板６２を貼り付けた後、素子基板１２又は対向基板１３を単位としてパルスレーザー光５４を照射するので、第１大型基板５１及び第１大型偏光板６１、第２大型基板５２及び第２大型偏光板６２に形成された改質層５５に沿って個々の液晶装置１１に分割する（個片にする）ことが可能となる。これにより、液晶装置１１毎に偏光板を貼り付ける方法と比較して、生産性を向上させることができる。また、複数の液晶装置１１に対して一度に偏光板（第１大型偏光板６１、第２大型偏光板６２）を貼り付けるので、個々の液晶装置１１における偏光板１６，１７の貼り付け位置が光学的に安定して特性（例えば、輝度やコントラスト）のばらつきを抑えることができる。更に、基板１２，１３と偏光板１６，１７との貼り合わせ面に異物が混入することを抑えることができる。その結果、歩留まりを向上させることができる。

（２）第１実施形態によれば、第１大型基板５１と第２大型基板５２との貼り合わせ面側から改質層５５を形成するので、先に形成された改質層５５が後からのパルスレーザー光５４の照射を邪魔することを防ぐことができる。

（第２実施形態）
図１８は、第２実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、第２実施形態の液晶装置の構成を、図１８を参照しながら説明する。

第２実施形態の液晶装置１１１は、素子基板１１２と第１偏光板１１６との間に防塵基板１００が設けられている部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。

図１８に示すように、第２実施形態の液晶装置１１１は、例えば、矢印方向から液晶装置１１１を見た場合、第１偏光板１１６の中に混入した異物を見えにくくするために、防塵基板１００を用いて、素子基板１１２と対向基板１１３との貼り合わせ面から第１偏光板１１６を離して配置している。

第２実施形態の液晶装置１１１の製造方法としては、例えば、まず、複数の素子基板１１２に切り出すことができる第１大型基板１５１と、複数の防塵基板１００に切り出すことができる第３大型基板としての大型防塵基板１８１とを貼り合わせる。その後、第１実施形態と同様に、第１大型偏光板１６１を大型防塵基板１８１に、第２大型偏光板１６２を第２大型基板１５２に貼り付ける。

次に、例えば、第１大型基板１５１側にパルスレーザー光５４を照射して、第１大型基板１５１、大型防塵基板１８１、第１大型偏光板１６１に改質層５５を形成する。その後、第２大型基板１５２側にパルスレーザー光５４を照射して、第２大型基板１５２、第２大型偏光板１６２に改質層５５を形成する。

その後、液晶装置１１１の単位で形成した改質層５５に沿って、大型接合基板１５３に力を印加し分割（ブレイク）する。以上により、チップ状の液晶装置１１１が完成する。

以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）、（２）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。

（３）第２実施形態によれば、液晶装置１１１が防塵基板１００を含む構成であった場合でも、第１大型基板１５１と大型防塵基板１８１と第１大型偏光板１６１とを一緒にした状態でパルスレーザー光５４を照射するので、形成された改質層５５に沿って個々の液晶装置１１１に分割することができる。

（４）第２実施形態によれば、素子基板１１２と第１偏光板１１６との間に防塵基板１００を設けたので、素子基板１１２と対向基板１１３との貼り合わせ面から第１偏光板１１６を遠ざけることが可能となる。よって、第１偏光板１１６の中に異物が混入した場合でも、異物を見えにくくすることができる。

なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記したように、光学部材は、第１偏光板１６や第２偏光板１７に限定されるものではなく、例えば、位相差フィルムや光散乱板、あるいはこれらの光学部材と偏光板とを組み合わせたものであってもよい。

（変形例２）
上記したように、素子基板１２（第１大型基板５１）側から改質層５５を形成することに限定されず、例えば、対向基板１３（第２大型基板５２）側から形成するようにしてもよい。また、両方向から同時に改質層５５を形成するようにしてもよい。

（変形例３）
上記したように、第１大型基板５１（第２大型基板５２）と第１大型偏光板６１（第２大型偏光板６２）とを同じ照射条件で加工することに限定されず、例えば、大型基板５１，５２と大型偏光板６１，６２とを別々の照射条件で加工するようにしてもよい。上記した実施形態のように、大型基板５１，５２と大型偏光板６１，６２とを同じ照射条件で加工した際、材質等の違いから、大型偏光板６１，６２へのエネルギーが必要以上に大きくなり過ぎ、改質層５５の周辺が損傷することが考えられる。この状態で高温高湿度試験を行うと大型偏光板６１，６２の周辺部から脱色が進行するおそれがある（偏光性が失われる）。

そこで、大型基板５１，５２と大型偏光板６１，６２とを別々の照射条件で加工する。大型基板５１，５２を加工する照射条件としては、例えば、上記したように、パルスエネルギーは１００μＪであり、走査速度は１００ｍｍ／ｓである。また、パルス幅は１５０ｆｓ（フェムト秒）であり、パス数は６である。

大型偏光板６１，６２を加工する照射条件としては、例えば、パルスエネルギーは５０μＪであり、走査速度は２０ｍｍ／ｓである。また、パルス幅は３００ｆｓ（フェムト秒）であり、パス数は３である。

このように、大型基板５１，５２に照射する照射条件と、大型偏光板６１，６２に照射する照射条件を変える、具体的には、大型基板５１，５２に比べて大型偏光板６１，６２に照射するパルスレーザー光５４の照射エネルギーを小さくすることにより、偏光板１６，１７としての光学特性を維持することができる。言い換えれば、大型偏光板６１，６２に照射するパルスレーザー光５４の照射エネルギーを最適化する。なお、大型基板５１，５２と大型偏光板６１，６２とを同じ照射条件で照射したあと、偏光板１６，１７の外周部分を最小エネルギーで再切断するようにしてもよい。

また、偏光板１６，１７の外形を素子基板１２や対向基板１３の外形より小さくするようにしてもよい。これにより、素子基板１２や対向基板１３の辺部が露出すると、外部からの衝撃に対して弱くなるので、偏光板１６，１７のうちＴＡＣフィルム２２（図３参照）を残すようにパルスレーザー光５４を照射することが望ましい。これによれば、ケーシング後の総厚を薄くすることができる。

また、素子基板１２側に貼り付けられた第１偏光板１６の外形は、素子基板１２の外形よりも小さくなっているが、素子基板１２の外形と同じ大きさであってもよい。

（変形例４）
上記したように、第１大型基板５１と第２大型基板５２との両方に第１大型偏光板６１や第２大型偏光板６２を貼り付けてから個々の液晶装置１１に分割していく方法に代えて、例えば、第１大型基板５１には第１大型偏光板６１を貼り付け、更に、第１大型基板５１に個片の対向基板１３を貼り付けるようにしてもよい。これによれば、素子基板１２側のみ第１大型基板５１及び第１大型偏光板６１の状態から個々（チップ状）の液晶装置１１に形成することができる。なお、第２大型基板５２に第２大型偏光板６２を貼り付けたものにレーザー光を照射して分断することにより個々（チップ状）の対向基板１３を取り出すようにしてもよい。

（変形例５）
上記した第２実施形態のように、素子基板１１２と第１偏光板１１６との間に防塵基板１００が配置されていることに限定されず、例えば、対向基板１１３と第２偏光板１１７との間に防塵基板１００が配置されている構成であってもよい。また、素子基板１１２及び対向基板１１３の両方に防塵基板１００が配置される構成であってもよい。

（変形例６）
上記したように、偏光板１７（１６）を、液晶層１４側から粘着剤２１、ＴＡＣフィルム２２、ＰＶＡフィルム２３、ＴＡＣフィルム２４で構成していることに限定されず、例えば、上層のＴＡＣフィルム２４の上に保護膜を含む構成であってもよい。この場合であっても、パルスレーザー光５４に大きな影響を与えずに偏光板１７（１６）に改質層５５を形成することができる。

（変形例７）
上記したように、第１基板３１及び第２基板４１は、石英基板であることに限定されず、パルスレーザー光５４を透過するものであればよく、無機材料でも有機材料でもよい。

（変形例８）
上記したように、液晶方式は、ＴＮ方式に限定されず、例えば、ＩＰＳ（In Plane Switching）方式やＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式、ＶＡ（Vertical Alignment）方式、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）方式などであってもよい。

（変形例９）
上記したように、液晶装置１１を液晶ビューファインダーとして用いる事例に限定されず、例えば、携帯電話機、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、テレビ、車載機器、オーディオ機器、液晶プロジェクターなどに搭載される表示装置に適用することができる。

（変形例１０）
上記したように、電気光学装置は、液晶装置１１に限定されず、例えば、有機ＥＬ装置、プラズマ装置、シリコン基板を用いた半導体装置などに適用するようにしてもよい。

１１，１１１…電気光学装置としての液晶装置、１１ｂ…周縁部（外周）、１２…第１基板としての素子基板、１３，１１３…第２基板としての対向基板、１３ａ…面、１４…液晶層、１５…シール材、１６…光学部材としての第１偏光板、１７，１１７…光学部材としての第２偏光板、１８…表示領域、２１…粘着剤、２２…ＴＡＣフィルム、２３…ＰＶＡフィルム、２４…ＴＡＣフィルム、３１…第１基板、３２，３２ｒ，３２ｇ，３２ｂ…画素、３３…ＴＦＴ素子、３３ａ…半導体層、３３ｓ…ソース電極、３３ｄ…ドレイン電極、３５…ゲート絶縁層、３６…層間絶縁層、３７…画素電極、３８…コンタクトホール、３９…バックライト、４１…第２基板、４２，４２ｒ，４２ｇ，４２ｂ…カラーフィルター、４２ｘ…遮光層、４３…共通電極、５１…第１大型基板、５２…第２大型基板、５３…大型接合基板、５３ａ…貼り合わせ面、５４…レーザー光としてのパルスレーザー光、５４ａ…集光点、５５…改質層、６１…光学部材としての第１大型偏光板、６２…光学部材としての第２大型偏光板、７１…レーザー照射装置、７２…集光レンズ、７３…ステージ、１００…防塵基板、１８１…第３大型基板としての大型防塵基板。

Claims (7)

1. 第１基板と第２基板とが貼り合わされてなる電気光学装置の製造方法であって、
   複数の第１基板が面付けされた第１大型基板と、複数の第２基板が面付けされた第２大型基板と、を貼り合わせる貼り合わせ工程と、
   前記第１大型基板と前記第２大型基板との貼り合わせ面とは反対側の面に光学部材を貼り付ける光学部材貼付け工程と、
   前記第１大型基板又は前記第２大型基板と、前記光学部材とを共に前記第１基板又は前記第２基板を単位としてレーザー光を照射して、前記第１基板の外周又は前記第２基板の外周に沿って前記第１大型基板又は前記第２大型基板、及び前記光学部材の内部に改質層を形成するレーザー光照射工程と、
   を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記貼り合わせ工程は、前記第１大型基板及び前記第２大型基板の少なくとも一方に第３大型基板を貼り付け、
   前記レーザー光照射工程は、前記第１大型基板と前記第２大型基板との貼り合わせ面から前記光学部材までを共に前記レーザー光を照射することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
3. 第１基板と第２基板とが貼り合わされてなる電気光学装置の製造方法であって、
   複数の第１基板が面付けされた第１大型基板と、前記第２基板と、を貼り合わせる貼り合わせ工程と、
   前記第１大型基板と前記第２基板との貼り合わせ面とは反対側の面に光学部材を貼り付ける光学部材貼付け工程と、
   前記第１大型基板と前記光学部材とを共に前記第１基板又は前記第２基板を単位としてレーザー光を照射して、前記第１基板の外周又は前記第２基板の外周に沿って前記第１大型基板及び前記光学部材の内部に改質層を形成するレーザー光照射工程と、
   を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
4. 請求項３に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記貼り合わせ工程は、前記第１大型基板に第３大型基板を貼り付け、
   前記レーザー光照射工程は、前記第１大型基板と前記第２基板との貼り合わせ面から前記光学部材までを共に前記レーザー光を照射することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記レーザー光は、フェムト秒レーザーであることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記レーザー光照射工程は、前記貼り合わせ面から前記貼り合わせ面とは反対の方向に向かって前記レーザー光の焦点位置を変えながら前記改質層を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記レーザー光照射工程は、前記第１大型基板又は前記第２大型基板に照射するレーザー光のエネルギーと比較して、前記光学部材へ照射するレーザー光のエネルギーを小さくすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。

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