JP2011169641A - 空気流量測定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リード部55、60は傍熱抵抗12よりも不純物濃度が高い。これにより、傍熱抵抗12およびリード部55、60からなる一連の半導体膜に関して、メンブレン17の端縁67におけるピエゾ抵抗係数を、メンブレン17の中央部におけるピエゾ抵抗係数よりも小さくできる。このため、メンブレン17上の傍熱抵抗12およびリード部55、60に生じるピエゾ抵抗効果を効果的に抑制して、傍熱抵抗12およびリード部55、60の抵抗値が実装応力によって変動するのを抑制することができる。したがって、メンブレン17に実装応力が発生しても、傍熱抵抗12およびリード部55、60の抵抗値が変動するのを抑制して測定精度を高めることができる。
【選択図】図4
Description
この熱式の空気流量測定装置は、主に空気流量相当の信号(以下、流量信号と略して呼ぶ。)を発生する検出部と、検出部から得られる流量信号を処理して、内燃機関等を制御する電子制御装置(ECU)に出力する制御部とを備える。
特に、傍熱抵抗、および傍熱抵抗に接続するリード部は、ブリッジペア性がなく、抵抗値変動の影響がほとんど相殺されないため、抵抗値の変動自体を抑制する必要がある(「ブリッジペア性」については、実施例において詳述する。)。
例えば、メンブレン上の素子の長手方向と、素子を構成する半導体膜に関してピエゾ抵抗係数(抵抗値の変動量/応力の大きさ)が極小となる結晶方位とを略一致させる方法が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
しかし、この手段は、高温下での長期使用によって素子の抵抗値が経時変化することを課題視しており、メンブレンに発生する実装応力については何ら考慮されていない。
請求項1に記載の空気流量測定装置は、通電により発熱する発熱抵抗と、発熱抵抗から空気の流れを介して熱的影響を受けることで、空気流量相当の信号(流量信号)を発生する測温抵抗と、発熱抵抗および測温抵抗とは別に設けられて発熱抵抗と所定の温度相関にある傍熱抵抗と、傍熱抵抗の温度に応じて発熱抵抗への通電を制御する発熱制御部と、傍熱抵抗の温度を示す信号を発熱制御部に出力するための第1電極と、第1電極と傍熱抵抗とを導通させる第1リード部とを備え、発熱制御部により発熱抵抗への通電を制御することで、測温抵抗に流量信号を発生させる。
さらに、傍熱抵抗および第1リード部はケイ素の半導体膜として設けられ、第1リード部は傍熱抵抗よりも不純物濃度が高い。
すなわち、メンブレン上の実装応力の分布はメンブレンの端縁でピークを示す。また、半導体膜は不純物濃度が高いほどピエゾ抵抗係数が小さくなる。そこで、メンブレン上の傍熱抵抗および第1リード部の不純物濃度を傍熱抵抗の不純物濃度よりも高める。
このため、メンブレンに実装応力が発生しても、傍熱抵抗および第1リード部の抵抗値が変動するのを抑制して測定精度を高めることができる。
請求項2に記載の空気流量測定装置によれば、第1リード部は、メンブレン上において傍熱抵抗よりも幅広になっている。
これにより、第1リード部において放熱能力が高まって温度が下がるので、第1リード部のピエゾ抵抗係数が低下する。このため、第1リード部の抵抗値が実装応力により変動するのをさらに抑制して測定精度を高めることができる。
請求項3に記載の空気流量測定装置によれば、メンブレンは矩形状をなして直線状の端縁を有し、第1リード部は直線状の端縁に直交している。
これにより、メンブレン上の第1リード部の内、端縁に近く実装応力が高くなる部分の面積を低減できる。このため、第1リード部の抵抗値が実装応力により変動するのをさらに抑制して測定精度を高めることができる。
請求項4に記載の空気流量測定装置によれば、第1リード部は、メンブレン上にある部分がメンブレン上にない部分よりも不純物濃度が低くなるように設けられている。
半導体膜は不純物濃度が高いほど、高温状態における不純物再拡散に伴う時間的な抵抗変動の割合(以下、抵抗変化率と呼ぶ。)が大きくなる。
請求項5に記載の空気流量測定装置によれば、傍熱抵抗の不純物濃度は4×1019/cm3以上、かつ1×1020/cm3未満であり、第1リード部の内でメンブレン上にある部分の不純物濃度は1×1020/cm3である。
これにより、ピエゾ抵抗係数に関して、第1リード部の内でメンブレン上にある部分と傍熱抵抗との比(第1リード部の内でメンブレン上にある部分/傍熱抵抗)を0.5以上1.0未満にすることができる。
請求項6に記載の空気流量測定装置によれば、傍熱抵抗および第1リード部をなす半導体膜は単結晶のケイ素からなる。
半導体膜の抵抗変化率は、多結晶のケイ素の方が単結晶のケイ素よりも大きいので、傍熱抵抗および第1リード部をなす半導体膜を単結晶のケイ素により設けることで、傍熱抵抗および第1リード部に関して、抵抗変化率を下げて抵抗値の変動を抑制することができる。
請求項7に記載の空気流量測定装置によれば、傍熱抵抗および第1リード部は、不純物としてリンを含むn型半導体の半導体膜であり、傍熱抵抗および第1リード部の内でメンブレン上にある部分は、面方位(100)面で<110>方向と自身の長手方向とが略一致している。
なお、この手段は、上記のように長手方向と結晶方位とを略一致させても、メンブレン上で各種の素子や各種のリード部のパターン配置が大きく制約されない場合に有効である。
請求項8に記載の空気流量測定装置によれば、傍熱抵抗および第1リード部は、不純物としてボロンを含むp型半導体の半導体膜であり、傍熱抵抗および第1リード部の内でメンブレン上にある部分は、面方位(100)面で<001>方向または<010>方向と自身の長手方向とが略一致している。
これにより、請求項7の手段と同様の効果を得ることができる。
請求項9に記載の空気流量測定装置によれば、傍熱抵抗および第1リード部は、不純物としてボロンを含むp型半導体の半導体膜であり、傍熱抵抗および第1リード部の内でメンブレン上にある部分は、面方位(110)面で<001>方向と自身の長手方向とが略一致している。
これにより、請求項7の手段と同様の効果を得ることができる。
請求項10に記載の空気流量測定装置によれば、傍熱抵抗は、メンブレン上になく発熱抵抗と温度相関を有さない第1抵抗、第2抵抗および第3抵抗の3つの抵抗とブリッジ回路を構成する。また、発熱制御部は、傍熱抵抗の温度に応じて発熱抵抗への通電を制御するために、ブリッジ回路から得られる信号を、傍熱抵抗の温度を示す信号として利用する。
請求項11に記載の空気流量測定装置によれば、傍熱抵抗は、メンブレン上になく発熱抵抗と温度相関を有さない3つの抵抗とブリッジ回路を構成する。また、発熱制御部は、傍熱抵抗の温度に応じて発熱抵抗への通電を制御するために、ブリッジ回路から得られる信号を、傍熱抵抗の温度を示す信号として利用する。
このため、3つの抵抗および第2リード部の抵抗値が変動するのを抑制することで、傍熱抵抗の温度を示す信号に関して精度を高めることができる。
請求項12に記載の空気流量測定装置によれば、第1電極および第2電極を覆って外部環境から保護する保護剤は3つの抵抗を覆っておらず、3つの抵抗は外部環境に露出している。
これにより、3つの抵抗は、早期に外部環境の温度に応じて温度を可変することができる。このため、発熱制御部が受け取る信号(傍熱抵抗の温度を示す信号)は、外部環境に対する応答性が高まるので、発熱抵抗に対する通電制御の応答性、引いては、空気流量測定の応答性を高めることができる。
請求項13に記載の空気流量測定装置は、流量信号に所定の処理を施す流量信号処理部と、流量信号を流量信号処理部に出力するための第3電極と、第3電極と測温抵抗とを導通させる第3リード部とを備える。また、メンブレン上に測温抵抗が設けられ、第3リード部はメンブレン上で測温抵抗に接続している。そして、測温抵抗および第3リード部はケイ素の半導体膜として設けられ、第3リード部は測温抵抗よりも不純物濃度が高い。
請求項14に記載の空気流量測定装置によれば、測温抵抗は、空気の流れる方向に関して、発熱抵抗の上流側に設けられる上流側測温抵抗、および発熱抵抗の下流側に設けられる下流側測温抵抗を含んでおり、流量信号は、上流側測温抵抗と下流側測温抵抗との温度差に基づいて生じる。また、発熱抵抗は、自身の長手方向が空気の流れる方向と直交するように、半導体基板の中央線上に設けられ、上流側測温抵抗と下流側測温抵抗とは、半導体基板の中央線を対称軸として、空気の流れる方向に対称となるように設けられている。
請求項15に記載の空気流量測定装置は、発熱制御部から発熱抵抗に通電するための第4電極と、第4電極と発熱抵抗とを導通させる第4リード部とを備える。また、メンブレン上に発熱抵抗が設けられ、第4リード部はメンブレン上で発熱抵抗に接続している。そして、発熱抵抗および第4リード部はケイ素の半導体膜として設けられ、第4リード部は発熱抵抗よりも不純物濃度が高い。
これにより、第4リード部の抵抗値を下げて発熱抵抗への通電量を高めることができる。このため、発熱抵抗を昇温するための駆動電圧を低減することができる。
さらに、傍熱抵抗および第1リード部はケイ素の半導体膜として設けられ、第1リード部は傍熱抵抗よりも不純物濃度が高い。
また、傍熱抵抗の不純物濃度は4×1019/cm3以上、かつ1×1020/cm3未満であり、第1リード部の内でメンブレン上にある部分の不純物濃度は1×1020/cm3である。
また、傍熱抵抗および第1リード部をなす半導体膜は単結晶のケイ素からなる。
また、第1電極および第2電極を覆って外部環境から保護する保護剤は3つの抵抗を覆っておらず、3つの抵抗は外部環境に露出している。
実施例1の空気流量測定装置1の構成を、図1〜図8を用いて説明する。
空気流量測定装置1は、例えば、図1に示すように、車両の内燃機関に吸入される空気の通路2に突出するように配されて空気流量を測定するために用いられており、空気との伝熱を利用することで空気流量として質量流量を直接的に測定するものである。
流量信号処理部25は、ブリッジ回路19から出力される信号を処理する比較器27を有し、比較器27は、上流側測温抵抗8と下流側測温抵抗10との接続部と、上流側測温抵抗9と下流側測温抵抗11との接続部との電位差に応じた信号を出力する。そして、流量信号処理部25は、比較器27から出力された信号にさらなる処理を施す。
すなわち、図6(a)に示すように、内部流路5に空気が流れていない場合、発熱抵抗7と空気との伝熱により、発熱抵抗7の上、下流側には均等に熱が伝達されて発熱抵抗7の位置を中心として上、下流側に対称な温度分布が形成される。
なお、比較器27、28やスイッチング素子30等の制御部4に含まれる素子は、第1半導体基板14とは別体の第2半導体基板32上に設けられている(図2参照)。そして、第1、第2半導体基板14、32は、それぞれ、接着剤33、34により樹脂製の支持体35に接着されて支持されている(図2参照)。
ここで、図5に示すように、第1半導体基板14上の電極を、上流側から下流側に向かって順に電極40〜49とする。また、第1半導体基板14上で素子7〜12、20〜22と電極40〜49との間を導通させる配線をリード部と呼ぶ。そして、電極40〜42にそれぞれ接続するリード部をそれぞれリード部51〜53とし、電極43に接続する4つのリード部をリード部54〜57とし、電極44〜49にそれぞれ接続するリード部をそれぞれリード部58〜63とする。
そして、空気の流れ方向に垂直な方向における実装応力の分布は、図8に示すように、メンブレン17の端縁67、68で極大のピークを示している。
実施例1の空気流量測定装置1の特徴および効果を、図面を用いて説明する。
まず、リード部55、60は傍熱抵抗12よりもリン、ボロン等の不純物濃度が高い。
半導体膜は、図9に示すように、不純物濃度が高いほどピエゾ抵抗係数が小さくなる。ここで、図9に示す相関線は、0℃において、不純物濃度が1.0×10161/cm3であるときのピエゾ抵抗係数に対する比(ピエゾ抵抗係数比:[各濃度におけるピエゾ抵抗係数]/[濃度が1.0×10161/cm3におけるピエゾ抵抗係数])を、不純物濃度に対して描いたものである。また、相関線は、温度が高いほど、全濃度範囲において図示下方に等比率で縮小するように変化する。
したがって、メンブレン17に実装応力が発生しても、傍熱抵抗12およびリード部55、60の抵抗値が変動するのを抑制して測定精度を高めることができる。
また、「ブリッジペア性がない」とは、例えば、ブリッジ回路19、23において、ペアを形成する2つの素子を中央線70の上、下流側に線対称に設けることが不可能であることを意味するものである。
これにより、リード部55、60において放熱能力が高まってリード部55、60の温度が下がるので、リード部55、60のピエゾ抵抗係数が低下する。このため、リード部55、60の抵抗値が実装応力により変動するのをさらに抑制して測定精度を高めることができる。
すなわち、半導体膜は、図10に示すように、不純物濃度が大きくなると経時的な抵抗変動の割合(抵抗変化率)が大きくなる。ここで、図10に示す相関線は、リンを不純物として含む半導体膜に関して310℃の温度条件で通電開始から1000時間経過後の抵抗値に基づき得られた抵抗変化率を、不純物濃度に対して描いたものである。
そこで、リード部55、60の放熱能力を高めて温度を下げることで、不純物の再拡散を抑制してリード部55、60における抵抗値の変動を抑制することができる。
半導体膜の抵抗変化率は、多結晶のケイ素の方が単結晶のケイ素よりも大きいので(図10参照)、傍熱抵抗12およびリード部55、60をなす半導体膜を単結晶のケイ素により設けることで、傍熱抵抗12およびリード部55、60に関して、抵抗変化率を下げて抵抗値の変動を抑制することができる。
これにより、基板抵抗21、22は、実装応力による抵抗値変動の影響を打ち消しあうことができる。このため、傍熱抵抗12の温度を示す信号に関して、精度を高めることができる。
基板抵抗20〜22が存在する領域と保護剤37の塗布領域とは接近しているため(図5参照)、基板抵抗20〜22およびリード部52、53、59、60は、実装応力が大きくなって抵抗値が変動しやすい。
このため、基板抵抗20〜22およびリード部52、53、59、60の抵抗値が変動するのを抑制することで、傍熱抵抗12の温度を示す信号に関して精度を高めることができる。
これにより、基板抵抗20〜22は、早期に外部環境の温度(発熱抵抗7から熱的影響を受けない空気流の温度)に応じて温度を可変することができる。このため、比較器28が受け取る信号(傍熱抵抗12の温度を示す信号)は、外部環境に対する応答性が高まるので、発熱抵抗7に対する通電制御の応答性、引いては、空気流量測定の応答性を高めることができる。
これにより、メンブレン17に実装応力が発生しても、傍熱抵抗12およびリード部55、60と同様に、上流側、下流側測温抵抗8〜11およびリード部51、57、61、62、63の抵抗値が変動するのを抑制して測定精度を高めることができる。
これにより、上流側、下流側測温抵抗8〜11は、ピエゾ抵抗効果による抵抗値変動の影響を打ち消しあうことができる。このため、流量信号の精度を高めることができる。なお、境界線73、74は、境界線72と同様にして設定することができる。
これにより、リード部56、58の抵抗値を下げて発熱抵抗7への通電量を高めることができる。このため、発熱抵抗7を昇温するための駆動電圧を低減することができる。
実施例2の空気流量測定装置1によれば、図11に示すように、リード部55、60は端縁67に直交している。
これにより、リード部55、60の内、端縁67に近く実装応力が高くなる部分の面積を低減できる。このため、リード部55、60の抵抗値がピエゾ抵抗効果により変動するのをさらに抑制して測定精度を高めることができる。
空気流量測定装置1の態様は、実施例1、2に限定されず種々の変形例を考えることができる。
例えば、実施例1、2の空気流量測定装置1によれば、傍熱抵抗12およびリード部55、60の不純物濃度は、リード部55、60の方が傍熱抵抗12よりも高くなるように設定されていたが、リード部55、60の不純物濃度に関して、メンブレン17上にある部分75がメンブレン17上にない部分よりも低くなるように設定してもよい(図12参照)。
なお、これらの態様は、傍熱抵抗12およびリード部55、60の長手方向と、ピエゾ抵抗係数が極小となる結晶方位とを略一致させても、メンブレン17上で素子やリード部のパターン配置が大きく制約されない場合に有効である。
さらに、実施例1、2の空気流量測定装置1は、車両の内燃機関への吸気量を測定するために用いられていたが、空気流量測定装置1の用途は、このような吸気量の測定に限定されず、様々な流路を通過する空気流量の測定に用いることができる。
7 発熱抵抗
8 上流側測温抵抗(測温抵抗)
9 上流側測温抵抗(測温抵抗)
10 下流側測温抵抗(測温抵抗)
11 下流側測温抵抗(測温抵抗)
12 傍熱抵抗
14 第1半導体基板(半導体基板)
15 電気絶縁膜
16 空洞
17 メンブレン
20 基板抵抗(第1抵抗、3つの抵抗)
21 基板抵抗(第2抵抗、3つの抵抗)
22 基板抵抗(第3抵抗、3つの抵抗)
23 ブリッジ回路
25 流量信号処理部
26 発熱制御部
37 保護剤
40 電極(第3電極)
41 電極(第2電極)
42 電極(第2電極)
43 電極(第1電極、第3電極、第4電極)
44 電極(第4電極)
45 電極(第2電極)
46 電極(第1電極)
47 電極(第3電極)
48 電極(第3電極)
49 電極(第3電極)
51 リード部(第3リード部)
52 リード部(第2リード部)
53 リード部(第2リード部)
54 リード部(第2リード部)
55 リード部(第1リード部)
56 リード部(第4リード部)
57 リード部(第3リード部)
58 リード部(第4リード部)
59 リード部(第2リード部)
60 リード部(第1リード部)
61 リード部(第3リード部)
62 リード部(第3リード部)
63 リード部(第3リード部)
67 端縁(直線状の端縁)
70 中央線(半導体基板の中央線)
73 境界線(上流側測温抵抗に接続する第3リード部において不純物濃度が切り替わる位置)
74 境界線(下流側測温抵抗に接続する第3リード部において不純物濃度が切り替わる位置)
75 部分(メンブレン上にある部分)
Claims (15)
- 通電により発熱する発熱抵抗と、
この発熱抵抗から空気の流れを介して熱的影響を受けることで、空気流量相当の信号を発生する測温抵抗と、
前記発熱抵抗および前記測温抵抗とは別に設けられて前記発熱抵抗と所定の温度相関にある傍熱抵抗と、
この傍熱抵抗の温度に応じて前記発熱抵抗への通電を制御する発熱制御部と、
前記傍熱抵抗の温度を示す信号を前記発熱制御部に出力するための第1電極と、
この第1電極と前記傍熱抵抗とを導通させる第1リード部とを備え、
前記発熱制御部により前記発熱抵抗への通電を制御することで、前記測温抵抗に前記空気流量相当の信号を発生させる空気流量測定装置において、
前記傍熱抵抗、前記第1電極および前記第1リード部は、所定の半導体基板上に電気絶縁膜を介して設けられ、
前記半導体基板は空洞を有し、前記電気絶縁膜は前記空洞を覆うメンブレンをなし、
このメンブレン上に前記傍熱抵抗が設けられ、前記第1リード部は前記メンブレン上で前記傍熱抵抗に接続し、
前記傍熱抵抗および前記第1リード部はケイ素の半導体膜として設けられ、前記第1リード部は前記傍熱抵抗よりも不純物濃度が高いことを特徴とする空気流量測定装置。 - 請求項1に記載の空気流量測定装置において、
前記第1リード部は、前記メンブレン上において前記傍熱抵抗よりも幅広になっていることを特徴とする空気流量測定装置。 - 請求項1または請求項2に記載の空気流量測定装置において、
前記メンブレンは、矩形状をなして直線状の端縁を有し、
前記第1リード部は、前記直線状の端縁に直交していることを特徴とする空気流量測定装置。 - 請求項1ないし請求項3の内のいずれか1つに記載の空気流量測定装置において、
前記第1リード部は、前記メンブレン上にある部分が前記メンブレン上にない部分よりも不純物濃度が低くなるように設けられていることを特徴とする空気流量測定装置。 - 請求項1ないし請求項4の内のいずれか1つに記載の空気流量測定装置において、
前記傍熱抵抗の不純物濃度は4×1019/cm3以上、かつ1×1020/cm3未満であり、
前記第1リード部の内で前記メンブレン上にある部分の不純物濃度は1×1020/cm3であることを特徴とする空気流量測定装置。 - 請求項1ないし請求項5の内のいずれか1つに記載の空気流量測定装置において、
前記傍熱抵抗および前記第1リード部をなす半導体膜は単結晶のケイ素からなることを特徴とする空気流量測定装置。 - 請求項6に記載の空気流量測定装置において、
前記傍熱抵抗および前記第1リード部は、不純物としてリンを含むn型半導体の半導体膜であり、
前記傍熱抵抗および前記第1リード部の内で前記メンブレン上にある部分は、面方位(100)面で<110>方向と自身の長手方向とが略一致していることを特徴とする空気流量測定装置。 - 請求項6に記載の空気流量測定装置において、
前記傍熱抵抗および前記第1リード部は、不純物としてボロンを含むp型半導体の半導体膜であり、
前記傍熱抵抗および前記第1リード部の内で前記メンブレン上にある部分は、面方位(100)面で<001>方向または<010>方向と自身の長手方向とが略一致していることを特徴とする空気流量測定装置。 - 請求項6に記載の空気流量測定装置において、
前記傍熱抵抗および前記第1リード部は、不純物としてボロンを含むp型半導体の半導体膜であり、
前記傍熱抵抗および前記第1リード部の内で前記メンブレン上にある部分は、面方位(110)面で<001>方向と自身の長手方向とが略一致していることを特徴とする空気流量測定装置。 - 請求項1ないし請求項9の内のいずれか1つに記載の空気流量測定装置において、
前記傍熱抵抗は、前記メンブレン上になく前記発熱抵抗と温度相関を有さない第1抵抗、第2抵抗および第3抵抗の3つの抵抗とブリッジ回路を構成し、
前記発熱制御部は、前記傍熱抵抗の温度に応じて前記発熱抵抗への通電を制御するために、前記ブリッジ回路から得られる信号を、前記傍熱抵抗の温度を示す信号として利用し、
前記3つの抵抗は、ケイ素の半導体膜として前記半導体基板上に前記電気絶縁膜を介して設けられ、
前記ブリッジ回路は、前記第1抵抗と前記第2抵抗とを直列に接続するとともに、前記傍熱抵抗と前記第3抵抗とを直列に接続し、前記第1抵抗の両電位端の内、前記第2抵抗とは反対側の電位端と、前記傍熱抵抗の両電位端の内、前記第3抵抗とは反対側の電位端とを接続することで構成され、
前記傍熱抵抗は、自身の長手方向が空気の流れる方向と直交するように、前記半導体基板の中央線上に設けられ、
前記第2抵抗と前記第3抵抗とは、前記半導体基板の中央線を対称軸として、空気の流れる方向に対称となるように設けられていることを特徴とする空気流量測定装置。 - 請求項1ないし請求項10の内のいずれか1つに記載の空気流量測定装置において、
前記傍熱抵抗は、前記メンブレン上になく前記発熱抵抗と温度相関を有さない3つの抵抗とブリッジ回路を構成し、
前記発熱制御部は、前記傍熱抵抗の温度に応じて前記発熱抵抗への通電を制御するために、前記ブリッジ回路から得られる信号を、前記傍熱抵抗の温度を示す信号として利用し、
前記3つの抵抗は、前記第1リード部とは別の第2リード部により、前記第1電極、および前記第1電極とは別の第2電極に導通しており、前記第2電極は、前記第1電極とともに、前記ブリッジ回路から得られる信号を前記発熱制御部に出力するために利用され、
前記3つの抵抗および前記第2リード部は、ケイ素の半導体膜として前記半導体基板上に前記電気絶縁膜を介して設けられ、
前記第2リード部は前記3つの抵抗よりも不純物濃度が高いことを特徴とする空気流量測定装置。 - 請求項11に記載の空気流量測定装置において、
前記第1電極および前記第2電極を覆って外部環境から保護する保護剤は、前記3つの抵抗を覆っておらず、
前記3つの抵抗は、外部環境に露出していることを特徴とする空気流量測定装置。 - 請求項1ないし請求項12の内のいずれか1つに記載の空気流量測定装置において、
前記空気流量相当の信号に所定の処理を施す流量信号処理部と、
前記空気流量相当の信号を前記流量信号処理部に出力するための第3電極と、
この第3電極と前記測温抵抗とを導通させる第3リード部とを備え、
前記メンブレン上に前記測温抵抗が設けられ、前記第3リード部は前記メンブレン上で前記測温抵抗に接続しており、
前記測温抵抗および前記第3リード部はケイ素の半導体膜として設けられ、前記第3リード部は前記測温抵抗よりも不純物濃度が高いことを特徴とする空気流量測定装置。 - 請求項13に記載の空気流量測定装置において、
前記測温抵抗は、空気の流れる方向に関して、前記発熱抵抗の上流側に設けられる上流側測温抵抗、および前記発熱抵抗の下流側に設けられる下流側測温抵抗を含んでおり、
前記空気流量相当の信号は、前記上流側測温抵抗と前記下流側測温抵抗との温度差に基づいて生じ、
前記発熱抵抗は、自身の長手方向が空気の流れる方向と直交するように、前記半導体基板の中央線上に設けられ、
前記上流側測温抵抗と前記下流側測温抵抗とは、前記半導体基板の中央線を対称軸として、空気の流れる方向に対称となるように設けられ、
前記上流側測温抵抗に接続する前記第3リード部において不純物濃度が切り替わる位置と、前記下流側測温抵抗に接続する前記第3リード部において不純物濃度が切り替わる位置とは、前記半導体基板の中央線を対称軸として、空気の流れる方向に対称となるように設定されていることを特徴とする空気流量測定装置。 - 請求項1ないし請求項14の内のいずれか1つに記載の空気流量測定装置において、
前記発熱制御部から前記発熱抵抗に通電するための第4電極と、
この第4電極と前記発熱抵抗とを導通させる第4リード部とを備え、
前記メンブレン上に前記発熱抵抗が設けられ、前記第4リード部は前記メンブレン上で前記発熱抵抗に接続しており、
前記発熱抵抗および前記第4リード部はケイ素の半導体膜として設けられ、前記第4リード部は前記発熱抵抗よりも不純物濃度が高いことを特徴とする空気流量測定装置。
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