JP2011142723A - Dc−dcコンバータ - Google Patents

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Abstract

【課題】過電圧の発生を抑止し、かつ、循環電流を抑制して電力変換効率を低下させることなく負荷電圧の制御を可能にする。
【解決手段】スイッチング素子をブリッジ構成で接続して直流電源電圧を交流に変換する二群の変換回路部11,12を設け、その変換回路部11,12の出力側に出力トランスおよび直列コンデンサを介して整流回路部21,22を設けたDC−DCコンバータにおいて、整流回路部21,22の出力段に設けられた電圧クランプ回路部30は、整流回路部21,22の正極側にクランプ用トランスを設け、ダイオードとコンデンサからなる第一の直列回路31を整流回路部21,22の正極側と負極側との間に接続し、ダイオードとコンデンサからなる第二の直列回路32をダイオードおよびコンデンサの接続点Mとクランプ用トランスとの間に接続し、ダイオードを接続点Nと整流回路部21,22の負極側との間に接続した構成とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、例えば、直流発生源である太陽電池をパワーコンディショナにより商用系統と連系させた太陽光発電システム等の分散電源システムにおいて、前記パワーコンディショナに組み込まれた直流電源回路に使用され、直流の電源電圧を昇圧あるいは降圧により異なった直流の電圧に変換するDC−DCコンバータに関する。
例えば、分散電源システムにおけるパワーコンディショナの直流電源回路に使用されるDC−DCコンバータの一例を図14に示す。これは、スイッチング損失の低減化を図り、零電流スイッチング(ZCS:Zero Current Switching)を実現容易にするため、本出願人が先に提案した高効率のDC−DCコンバータである(特許文献1の図6参照)。
このDC−DCコンバータは、二対のスイッチング素子Q1,Q2とQ3,Q4および二対のスイッチング素子Q5,Q6とQ7,Q8をフルブリッジ構成で接続した二群の変換回路部110,120を直流電源Eに対して並列に接続し、それら各変換回路部110,120と出力トランスT1,T2との間に直列コンデンサC1,C2を挿入接続し、その出力トランスT1,T2の二次側出力に、二対のダイオードD1,D2とD3,D4および二対のダイオードD5,D6とD7,D8からなる整流回路部210,220をそれぞれ接続し、その整流回路部210,220の出力段に平滑リアクトルLおよび平滑コンデンサCを設けた構成としている。
このDC−DCコンバータでは、変換回路部110,120のスイッチング素子Q1,Q4とQ2,Q3およびスイッチング素子Q5,Q8とQ6,Q7を交互にオンオフさせて交流波形出力を得る。この変換回路部110,120の交流波形出力を出力トランスT1,T2により変成し、その出力トランスT1,T2の二次側出力を整流回路部210,220により整流すると共に平滑リアクトルLおよび平滑コンデンサCで平滑することにより、所望の直流電圧を生成する。
各変換回路部110,120では、二対のスイッチング素子Q1,Q2とQ3,Q4および二対のスイッチング素子Q5,Q6とQ7,Q8のうち、一対のスイッチング素子Q1,Q2および一対のスイッチング素子Q5,Q6に対して一対のスイッチング素子Q3,Q4および一対のスイッチング素子Q7,Q8のスイッチング位相を1/6周期ずらすと共に、各変換回路部110,120間で対応するスイッチング素子Q1とQ5,Q2とQ6,Q3とQ7,Q4とQ8のスイッチング位相を1/4周期ずらすようにしている。
このように、変換回路部110,120と出力トランスT1,T2との間に直列コンデンサC1,C2を挿入接続し、かつ、各変換回路部110,120で二対のスイッチング素子Q1,Q2とQ3,Q4および二対のスイッチング素子Q5,Q6とQ7,Q8のうち、一対のスイッチング素子Q1,Q2および一対のスイッチング素子Q5,Q6に対して一対のスイッチング素子Q3,Q4および一対のスイッチング素子Q7,Q8のスイッチング位相を1/6周期ずらすと共に、各変換回路部110,120間で対応するスイッチング素子Q1とQ5,Q2とQ6,Q3とQ7,Q4とQ8のスイッチング位相を1/4周期ずらすことにより、変換回路部110,120の出力電圧の平坦部にドループ(傾き)をつけ、立ち上がり部分の高い電圧波形とすることで、転流タイミング時の前後で電圧差を大きくして転流動作を確実に行い、その転流によりスイッチング素子Q1〜Q4,Q5〜Q8の電流が制御されるためスイッチング電流が流れながら、電圧が印加されている状態がなくなるのでスイッチング損失が発生することはない。
以上の手段により、スイッチング素子Q1〜Q4,Q5〜Q8のスイッチング損失を低減させ、スイッチング電流が零の時にオンやオフを行う零電流スイッチング(ZCS:Zero Current Switching)によって高効率変換を実現している。
特許第3463807号公報
ところで、DC−DCコンバータの入力側に太陽電池などの直流電源Eを接続した場合、その太陽電池による入力電圧の変動により負荷電圧VLがそのまま変動することになり、負荷電圧VLの安定化を図ることが困難となるため、その負荷電圧VLを制御する必要がある。
この負荷電圧VLの制御は、スイッチング素子Q1〜Q4,Q5〜Q8のオンとオフの時間比率を変えること(パルス幅制御)や、スイッチング素子Q1,Q2とQ3,Q4のオンオフタイミング(スイッチング位相)、スイッチング素子Q5,Q6とQ7,Q8のオンオフタイミング(スイッチング位相)をずらすこと(位相シフト制御)で、出力トランスT1,T2に印加される変換回路部110,120の出力電圧VT1,VT2のパルス幅を可変することで実現できる。
しかしながら、特許文献1に開示された従来のDC−DCコンバータでは、負荷電圧VLを下げるためにパルス幅制御あるいは位相シフト制御により変換回路部11,12の出力電圧VT1,VT2のパルス幅を狭くしていくと、その変換回路部110,120の出力電圧VT1,VT2が共に零となる期間が現れるようになって整流回路部210,220の出力電圧VAのリップル(変動)が大きくなり、整流回路部210,220の出力電流IAのリップル(変動)も増加する。このように、変換回路部110,120の出力電圧VT1,VT2が共に零となる期間が現れるようになると、整流回路部210,220の出力電流IAの変動による過電圧が平滑リアクトルLの両端に発生する。
このような過電圧が発生すると、その過電圧が負荷電圧VLに加算されて整流回路部210,220に印加されることになる。この過電圧が整流回路部210,220のダイオードD1〜D4,D5〜D8の耐圧を超えれば、そのダイオードD1〜D4,D5〜D8が破壊することになるため、ダイオードD1〜D4,D5〜D8に高耐圧のものを選定するか、あるいはスナバ回路などの過電圧吸収・抑制回路を設けなければならない。
しかしながら、高耐圧のダイオードは導通時のオン電圧が高いことから損失が増加し、また、コンデンサおよび抵抗などで構成されるスナバ回路も損失が発生することから、いずれも好ましい手段ではないというのが現状であった。また、サージ状に発生する過電圧はノイズの原因となって周辺機器の誤動作を招くことになる。
さらに、前述したように、負荷電圧VLの制御のため、パルス幅制御や位相シフト制御を行うと、スイッチング素子Q1〜Q4,Q5〜Q8の零電流スイッチングを実現することが困難となる。また、出力トランスT1,T2の一次側回路と二次側回路間で負荷への電力供給に寄与しない循環電流が発生することになり、この循環電流の発生によりDC−DCコンバータの電力変換効率が著しく低下する。
ここで、循環電流とは、出力トランスT1,T2の漏れインダクタンスの残留エネルギーが変換回路部110,120、出力トランスT1,T2、整流回路部210,220を通して出力トランスT1,T2の一次側回路(変換回路部110,120)と二次側回路(整流回路部210,220)との間で還流するものである。
そこで、本発明は本出願人が先に提案した特許文献に開示されたDC−DCコンバータを改善したもので、その目的とするところは、過電圧の発生を抑止し、かつ、循環電流を抑制して電力変換効率を低下させることなく負荷電圧の制御を可能にし得るDC−DCコンバータを提供することにある。
前述の目的を達成するための技術的手段として、本発明は、対をなすスイッチング素子により直流電源の電源電圧を交流に変換する変換回路部を直流電源に対してn群設け、それらn群の各変換回路部の出力側に直列コンデンサおよび出力トランスを介して整流回路部を設け、それらn群の各整流回路部を並列に接続したDC−DCコンバータにおいて、整流回路部の出力段に電圧クランプ回路部を設け、電圧クランプ回路部は、整流回路部に接続されたクランプ用トランスを備え、第一のダイオードと第一のコンデンサからなる第一の直列回路を整流回路部に接続し、第二のダイオードと第二のコンデンサからなる第二の直列回路を第一のダイオードおよび第一のコンデンサの接続点とクランプ用トランスとの間に接続し、第三のダイオードを第二のダイオードおよび第二のコンデンサの接続点と整流回路部との間に接続した構成としたことを特徴とする。
本発明では、クランプ用トランスと、第一のダイオードおよび第一のコンデンサからなる第一の直列回路と、第二のダイオードおよび第二のコンデンサからなる第二の直列回路と、第三のダイオードとで構成された電圧クランプ回路部を整流回路部の出力段に設けたことにより、負荷電圧の制御時にパルス幅制御や位相シフト制御を行っても、電圧クランプ回路部は、変換回路部、出力トランス、整流回路部を通して出力トランスの一次側回路(変換回路部)と二次側回路(整流回路部)との間で還流する循環電流を、その出力トランスの一次側回路(変換回路部)と二次側回路(整流回路部)とに分離し、循環電流を急激に減衰させる。
その結果、出力トランスの一次側回路(変換回路部)では循環電流が急激に減衰し、出力トランスの二次側回路(電圧クランプ回路部)のみで循環電流が還流することになる。これにより、循環電流を抑制することができると共に、電圧クランプ回路部で循環電流が還流することにより過電圧の発生も抑止することができるので電力変換効率を低下させることなく負荷電圧の制御が可能となる。
なお、本発明における変換回路部としては、以下の回路構成が適用可能である。
・二対のスイッチング素子をフルブリッジ構成で接続し、前記直列コンデンサを出力トランスの一次側に接続した回路構成。
・二対のスイッチング素子をフルブリッジ構成で接続し、前記直列コンデンサを出力トランスの二次側に接続した回路構成。
・二対のスイッチング素子のうち、一対のスイッチング素子をコンデンサに置き換えることによりハーフブリッジ構成とし、前記直列コンデンサを出力トランスの一次側に接続した回路構成。
・二対のスイッチング素子のうち、一対のスイッチング素子をコンデンサに置き換えることによりハーフブリッジ構成とし、前記直列コンデンサを出力トランスの二次側に接続した回路構成。
・プッシュプルインバータで構成し、前記直列コンデンサを出力トランスの二次側に接続した回路構成。
本発明によれば、クランプ用トランスと、第一のダイオードおよび第一のコンデンサからなる第一の直列回路と、第二のダイオードおよび第二のコンデンサからなる第二の直列回路と、第三のダイオードとで構成された電圧クランプ回路部を整流回路部の出力段に設けたことにより、循環電流を抑制することができる。また、電圧クランプ回路部で循環電流が還流することにより過電圧の発生も抑止することができるので電力変換効率を低下させることなく負荷電圧の制御が可能となる。このようにして、循環電流の抑制により負荷電圧の制御が可能で高効率のDC−DCコンバータを提供できる。
本発明の実施形態におけるDC−DCコンバータで、電圧クランプ回路部のクランプ用トランスを整流回路部の正極側に設けた場合の回路図である。 1/6周期位相シフト時における各スイッチング素子のゲート信号を示すタイミングチャートである(負荷電圧の最大時でデッドタイムは省略)。 整流回路部の出力電圧、変換回路部の出力電圧、各スイッチング素子のドレイン−ソース間電圧およびドレイン電流の波形図である(負荷電圧の最大時でゲート信号は図2参照)。 図3の変換回路部の出力電圧波形の1周期における各スイッチング素子のオンオフ状態を示す表である(負荷電圧の最大時でゲート信号は図2参照)。 1/3周期位相シフト時における各スイッチング素子のゲート信号を示すタイミングチャートである(負荷電圧の制御時でデッドタイムは省略)。 本発明のDC−DCコンバータにおける電圧クランプ回路部の各部での電圧および電流を示す波形図である(負荷電圧の制御時で1/3周期位相シフト時)。 (A)は従来および本発明のDC−DCコンバータにおけるゲート信号を示す波形図(負荷電圧の制御時)、(B)は従来のDC−DCコンバータにおける変換回路部の出力電圧および出力電流を示す波形図(負荷電圧の制御時)、(C)は本発明のDC−DCコンバータにおける変換回路部の出力電圧および出力電流を示す波形図である(負荷電圧の制御時)。 1/2周期位相シフト時における各スイッチング素子のゲート信号を示すタイミングチャートである(負荷電圧の制御時でデッドタイムは省略)。 本発明の他の実施形態で、電圧クランプ回路部のクランプ用トランスを整流回路部の負極側に設けた場合の回路図である。 本発明の他の実施形態で、変換回路部をフルブリッジ構成とし、直列コンデンサを出力トランス二次側に挿入した構成を示す回路図である。 本発明の他の実施形態で、変換回路部をハーフブリッジ構成とし、直列コンデンサを出力トランス一次側に挿入した構成を示す回路図である。 本発明の他の実施形態で、変換回路部をハーフブリッジ構成とし、直列コンデンサを出力トランス二次側に挿入した構成を示す回路図である。 本発明の他の実施形態で、変換回路部にプッシュプルインバータを使用した構成を示す回路図である。 従来のDC−DCコンバータを示す回路図である。
本発明に係るDC−DCコンバータの実施形態を以下に詳述する。
図1に示す実施形態のDC−DCコンバータは、二対のスイッチング素子Q1,Q2とQ3,Q4および二対のスイッチング素子Q5,Q6とQ7,Q8(例えば、MOS−FET、バイポーラトランジスタやIGBT)をフルブリッジ構成で接続したn群、例えば二群の変換回路部11,12と、その変換回路部11,12の出力側に接続された二つの出力トランスT1,T2と、その出力トランスT1,T2の二次側出力に接続され、二対のダイオードD1,D2とD3,D4および二対のダイオードD5,D6とD7,D8からなる二群の整流回路部21,22と、その整流回路部21,22の出力段に設けられた電圧クランプ回路部30とで構成されている。なお、電圧クランプ回路部30の出力段には平滑コンデンサCが設けられている。このDC−DCコンバータにおいて、二群の変換回路部11,12は直流電源Eに対して並列に接続されている。
図2はこの実施形態の負荷電圧の最大時におけるDC−DCコンバータの各スイッチング素子Q1〜Q8をオンオフさせるゲート信号のタイミングチャート、図3は整流回路部21,22の出力電圧V1,V2、出力トランスT1,T2の一次側に印加される変換回路部11,12の出力電圧VT1,VT2、各スイッチング素子Q1〜Q8のドレイン−ソース間電圧Vdsおよびドレイン電流Idの波形図である。
このDC−DCコンバータでは、図2のタイミングチャートで示すように変換回路部11,12のスイッチング素子Q1,Q4とQ2,Q3およびスイッチング素子Q5,Q8とQ6,Q7を交互にオンオフさせて交流波形出力を得る。この変換回路部11,12の交流波形出力を出力トランスT1,T2により変成し、その出力トランスT1,T2の二次側出力を整流回路部21,22により整流することにより、所望の直流電圧を生成する。
二群の変換回路部11,12では、図2のタイミングチャートで示すように一方の変換回路部11で二対のスイッチング素子Q1,Q2とQ3,Q4のうち、一対のスイッチング素子Q1,Q2(スイッチング素子Q2はスイッチング素子Q1の反転)に対して一対のスイッチング素子Q3,Q4(スイッチング素子Q3はスイッチング素子Q4の反転)のスイッチング位相を1/3n周期、例えば1/6周期遅らせる。また、変換回路部11と12間で対応するスイッチング素子Q1とQ5,Q2とQ6,Q3とQ7,Q4とQ8について、他方の変換回路部12のスイッチング素子Q5〜Q8(スイッチング素子Q6,Q8はスイッチング素子Q5,Q7の反転)のスイッチング位相をスイッチング素子Q1〜Q4に対して1/2n周期、例えば1/4周期遅らせる。さらに、他方の変換回路部12で二対のスイッチング素子Q5,Q6とQ7,Q8のうち、一対のスイッチング素子Q5,Q6(スイッチング素子Q6はスイッチング素子Q5の反転)に対して一対のスイッチング素子Q7,Q8(スイッチング素子Q7はスイッチング素子Q8の反転)のスイッチング位相を1/6周期遅らせる。
変換回路部11,12のスイッチング素子Q1〜Q4,Q5〜Q8は、図3に示すようなドレイン−ソース間電圧Vdsおよびドレイン電流Idでもってスイッチング動作する(図4の表参照)。ここで、図4の表は、各スイッチング素子Q1〜Q4,Q5〜Q8の電流値の変化・推移を示す。負荷に一定電力を供給、つまり定電圧出力のもとで一定電流を供給するため、スイッチング素子Q1〜Q4,Q5〜Q8からの出力電流の合計は、いずれのタイミングにおいても電流値1puとなる。すなわち、いずれかのタイミングで一方の変換回路部11のスイッチング素子Q1〜Q4からの出力電流が0→1puに変化していれば、他方の変換回路部12のスイッチング素子Q5〜Q8からの出力電流は1→0puに変化している。また、別のタイミングで一方の変換回路部11のスイッチング素子Q1〜Q4からの出力電流が1puであれば、他方の変換回路部12のスイッチング素子Q5〜Q8からの出力電流は0puである。
なお、区間t1〜t8は、0<t1≦1/4・T、0≦t2<1/4・T、0<t3≦1/4・T、0≦t4<1/4・T、0<t5≦1/4・T、0≦t6<1/4・T、0<t7≦1/4・T、0≦t8<1/4・Tの条件の範囲内で自由に変更可能である。この8つの条件はor条件であるが、t1+t2+t3+t4+t5+t6+t7+t8=Tを満たすことが必要である。電流が増減する区間t1,t3,t5,t7は回路定数により波形が異なるので、実際上、スイッチング損失が発生しない範囲に限られる。
各スイッチング素子Q1〜Q4,Q5〜Q8のスイッチング動作により、変換回路部11,12の出力電圧VT1,VT2(図3の最上段から二番目)に出力トランスT1,T2の変成比をかけてその絶対値をとったもの、つまり、出力電圧VT1,VT2の波形を零点で折り返したもの(図3の最上段)が、出力トランスT1,T2の二次側電圧を整流回路部21,22により整流した結果として得られる出力電圧V1,V2となる。この整流回路部21,22の出力電圧V1,V2を転流により最も電圧値の高いところでトレースすることにより負荷電圧VLが生成される。この転流は、図3の矢印で示すタイミングでもって、スイッチング素子Q1,Q4→スイッチング素子Q5,Q8→スイッチング素子Q2,Q3→スイッチング素子Q6,Q7→スイッチング素子Q1,Q4の順で繰り返し行われる。
この変換回路部11,12では、スイッチング素子Q1,Q2に対してスイッチング素子Q3,Q4を1/6周期遅らせたタイミングでオンオフさせ、また、スイッチング素子Q5,Q6をスイッチング素子Q1,Q2に対して1/4周期遅らせたタイミングでオンオフさせ、さらに、スイッチング素子Q7,Q8をスイッチング素子Q5,Q6に対して1/6周期遅らせたタイミングでオンオフさせる。
この実施形態では、各変換回路部11,12の出力側と出力トランスT1,T2の一次側との間に直列コンデンサC1,C2が挿入接続されている。これにより、変換回路部11,12の出力電圧VT1,VT2の平坦部にドループ(傾き)をつけ、立ち上がり部分の高い電圧波形とすることで、転流タイミング時の前後で電圧差を大きくして転流動作を確実に行う。また、スイッチング素子Q1〜Q4,Q5〜Q8のオンオフタイミングを前述したようにずらすことにより、整流回路部21,22の出力電圧V1,V2に電圧の差異による前述のような転流が生じてスイッチング素子Q1〜Q8の電流が制御される。そのため、ドレイン電流Idが流れながら同時にドレイン−ソース間電圧Vdsが印加されている状態がなくなるのでスイッチング損失が発生することはなく、理想的な零電流スイッチング(ZCS:Zero Current Switching)を実現している。
また、転流のタイミングを決定するのは、転流のトリガとなっているスイッチング素子Q3,Q4,Q7,Q8であるが、これらのスイッチング素子Q3,Q4,Q7,Q8は、ゲート信号Gが付与されてターンオンしてもドレイン電流Idが出力トランスT1,T2の漏れインダクタンスのために転流後瞬時にピーク電流に達するのではなく、電流の立ち上がりが抑制されることから、ターンオンスイッチング損失が発生することはない。
このDC−DCコンバータは、従来のDC−DCコンバータの構成回路(図14参照)に加えて、負荷電圧の制御時に発生し、出力トランスT1,T2において負荷への電力供給に寄与しない循環電流を抑制するための電圧クランプ回路部30を整流回路部21,22の出力段に設けている。この電圧クランプ回路部30は、図1に示すように、クランプ用トランスTXと、第一のダイオードDX1および第一のコンデンサCX1からなる第一の直列回路31と、第二のダイオードDX2および第二のコンデンサCX2からなる第二の直列回路32と、第三のダイオードDX3とで構成されている。
クランプ用トランスTXは、整流回路部21,22の正極側に設けられ、出力トランスT1,T2の二次側回路(整流回路部21,22)に電圧が発生しても電流が流れなければ、その励磁インダクタンスが平滑リアクトルとして機能する。第一の直列回路31は、整流回路部21,22の正極側と負極側との間に設けられ、第一のダイオードDX1のカソードが整流回路部21,22の正極側に接続され、第一のコンデンサCX1が整流回路部21,22の負極側に接続されている。第二の直列回路32は、第一のダイオードDX1および第一のコンデンサCX1の接続点Mとクランプ用トランスTXとの間に設けられ、第二のダイオードDX2のカソードが前述の接続点Mに接続され、第二のコンデンサCX2がクランプ用トランスTXの二次側に接続されている。第三のダイオードDX3は、第二のダイオードDX2および第二のコンデンサCX2の接続点Nと整流回路部21,22の負極側との間に設けられ、カソードが前述の接続点Nに接続されている。
ところで、DC−DCコンバータの入力側に太陽電池などの直流電源Eを接続した場合、その太陽電池による入力電圧の変動により負荷電圧VLがそのまま変動することになり、負荷電圧VLの安定化を図ることが困難となるため、その負荷電圧VLを制御する必要がある。そこで、スイッチング素子Q1,Q2とQ3,Q4のスイッチング位相、スイッチング素子Q5,Q6とQ7,Q8のスイッチング位相をずらすこと(位相シフト制御)により、負荷電圧VLを制御する場合を以下に説明する。
図5は各スイッチング素子Q1〜Q8をオンオフさせるゲート信号のタイミングチャートで、スイッチング素子Q1〜Q4,Q5〜Q8のスイッチング位相を1/6周期(図2参照)から1/3周期にずらした場合(1/3周期位相シフト)を示す。図6では、変換回路部11,12の出力電圧VT1,VT2、整流回路部21,22の出力電圧VAおよび出力電流IA、負荷電圧VL、クランプ用トランスTXの一次側電圧VTX1および二次側電圧VTX2、第一のダイオードDX1、第一のコンデンサCX1、第二のコンデンサCX2および第三のダイオードDX3に流れる電流IDX1,ICX1,ICX2,IDX3、第一のコンデンサCX1および第二のコンデンサCX2にかかる電圧VCX1,VCX2の波形図であり、この電圧クランプ回路部30の動作を図中の区間S1〜S4ごとに分けて説明する。
[区間S1
負荷電圧VLを下げるために位相シフト制御によりスイッチング素子Q1〜Q4,Q5〜Q8のスイッチング位相を1/3周期にずらして変換回路部11,12の出力電圧VT1,VT2のパルス幅を狭くしていくと、その変換回路部11,12の出力電圧VT1,VT2が共に零となる期間が現れるようになる。区間S1では、変換回路部11,12の出力電圧VT1,VT2が共に零となり、整流回路部21,22の出力電流IAが減少に転じる。すると、クランプ用トランスTXの一次側に図1矢印方向と逆極性の一次側電圧VTX1が発生し、整流回路部21,22の出力電圧VAも低下する。この出力電圧VAが第一のコンデンサCX1の電圧VCX1よりも低くなった時点で、第一のダイオードDX1が導通して第一のコンデンサCX1の電荷が第一のダイオードDX1を通じて放電される。この第一のコンデンサCX1の放電電流が出力電流IAに代わってクランプ用トランスTXの一次側電流となり、第一のコンデンサCX1−第一のダイオードDX1−クランプ用トランスTXの一次側巻線−平滑コンデンサCを経る閉ループが形成されて出力電流IAが急速に減衰する。
この電圧クランプ回路部30で形成された閉ループでの循環電流の還流により、負荷電圧の制御時に、出力トランスT1,T2の一次側回路(変換回路部11,12)と二次側回路(整流回路部21,22)との間で還流する循環電流を急激に減衰させることで、変換回路部11,12の循環電流も急激に減衰する。これにより、循環電流を抑制することができる。また、電圧クランプ回路部30で循環電流が還流することにより過電圧の発生も抑止することができるので電力変換効率を低下させることなく負荷電圧VLの制御が可能となる。
図7は従来のDC−DCコンバータ(電圧クランプ回路部なし)と本発明のDC−DCコンバータ(電圧クランプ回路部あり)とを比較したもので、(A)は従来および本発明のDC−DCコンバータにおけるスイッチング素子Q1〜Q4のゲート信号、(B)は従来のDC−DCコンバータにおける変換回路部110の出力電圧VT1および整流回路部210の出力電流IAを示す(図13参照)。また、(C)は本発明のDC−DCコンバータにおける変換回路部11の出力電圧VT1および整流回路部21の出力電流IAを示す。なお、図7(A)に示すゲート信号は、従来の場合と本発明の場合で同じであり、スイッチング素子Q1〜Q4のスイッチング位相を1/3周期にずらした場合(1/3周期位相シフト)を例示している。
図7(B)に示すように、従来のDC−DCコンバータでは、変換回路部110の出力電圧VT1が零になると、整流回路部210の出力電流IAは緩やかにしか減少せず、この時、循環電流(図中斜線部分)が流れる。これに対して、図7(D)に示すように、本発明のDC−DCコンバータでは、変換回路部11の出力電圧VT1が零になると、整流回路部21の出力電流IAが急激な減少に転じることで、循環電流が抑制されている〔図7(B)中の斜線部分なし〕。第一のコンデンサCX1の放電電流の減衰に伴って、第一のコンデンサCX1の電圧VCX1が低下してクランプ用トランスTXの一次側電圧VTX1の振幅が増加し(極性は図1矢印方向と逆)、これと同時にクランプ用トランスTXの二次側電圧VTX2の振幅も増加する(極性は図1矢印方向)。
[区間S2
このクランプ用トランスTXの二次側電圧VTX2と第二のコンデンサCX2の電圧VCX2の合計電圧が負荷電圧VLを超えた時点で(VTX2+VCX2>VL)、第三のダイオードDX3が導通し、第三のダイオードDX3−第二のコンデンサCX2−クランプ用トランスTXの二次側巻線−平滑コンデンサCの経路で第二のコンデンサCX2が放電する。この第二のコンデンサCX2の容量を十分に大きく選定すれば、第二のコンデンサCX2の電圧VCX2は放電中も略一定になるので、放電中の第二のコンデンサCX2の電圧は負荷電圧VLによって決まる略一定の電圧でクランプされる。
[区間S3
前述した区間S1,S2では変換回路部11,12の出力電圧VT1,VT2が零であるが、その変換回路部11,12の出力電圧VT1あるいはVT2(図6ではVT2)が発生すると、クランプ用トランスTXの一次側に図1矢印方向と同極性の電圧VTX1が印加され、その二次側には図1矢印方向と逆極性の電圧VTX2が現出する。このクランプ用トランスTXの二次側電圧VTX2と第二のコンデンサCX2の電圧VCX2と第一のコンデンサCX1の電圧VCX1の合計電圧が負荷電圧VLを下回った時点で(VTX2+VCX2+VCX1<VL)、第二のダイオードDX2が導通し、クランプ用トランスTXの一次側巻線−二次側巻線−第二のコンデンサCX2−第二のダイオードDX2−第一のコンデンサCX1の経路で第一のコンデンサCX1と第二のコンデンサCX2を充電する。つまり、整流回路部21,22の出力電流IAは、クランプ用トランスTXの負荷側で、負荷への電流と、クランプ用トランスTXの二次側巻線へ回り込んで第一のコンデンサCX1と第二のコンデンサCX2を充電する充電電流とに分流する。
この時、クランプ用トランスTXの一次側に発生する電圧VTX1は負荷電圧VLに加算されて整流回路部21,22のダイオードD1〜D4,D5〜D8に印加される電圧となるため、過電圧の発生を抑制する必要がある。この電圧クランプ回路部30では、クランプ用トランスTXの一次側に過電圧が発生しようとすると、クランプ用トランスTXの二次側で第一のコンデンサCX1と第二のコンデンサCX2の充電電流が流れ、クランプ用トランスTXの二次側電圧VTX2と第二のコンデンサCX2の電圧VCX2と第一のコンデンサCX1の電圧VCX1の合計電圧が負荷電圧VLを超えないようにクランプされる。これにより、クランプ用トランスTXの一次側電圧VTX1もクランプされ、整流回路部21,22に過電圧が発生することを抑制する。なお、この過電圧の抑制レベルはクランプ用トランスTXの変成比によって決めることができる。
この電圧クランプ回路部30の動作中、つまり、第一のコンデンサCX1と第二のコンデンサCX2の充電中には、クランプ用トランスTXの一次側電流に対して変成比に応じた二次側電流が流れているので、クランプ用トランスTXがリアクトルとして機能しないため、直列コンデンサC1,C2、出力トランスT1,T2の漏れインダクタンス、第一のコンデンサCX1および第二のコンデンサCX2の共振で決まる正弦波(半波)状の電流が充電電流として流れる。なお、変換回路部11,12の出力電圧VT1,VT2が出力トランスT1,T2の一次側に印加された後に電流IC1,IC2が流れ始めることから、変換回路部11,12のスイッチング素子Q1〜Q4,Q5〜Q8におけるターンオンは理想的な零電流スイッチングZCSが実現されていることがわかる。
[区間S4
前述した区間S3で第一のコンデンサCX1と第二のコンデンサCX2の充電が完了してクランプ用トランスTXの二次側電流も停止すると、電圧クランプ回路部30の動作も停止し、クランプ用トランスTXの励磁インダクタンスが平滑リアクトルLとして機能する。この区間S4の経過後、変換回路部11,12の出力電圧VT1,VT2が共に零となって区間S1に戻ることになる。
以上では、スイッチング素子Q1〜Q4,Q5〜Q8のスイッチング位相を1/3周期にずらした場合(1/3周期位相シフト)について、電圧クランプ回路部30の動作を区間S1〜S4ごとに説明したが、図2に示すように、そのスイッチング位相を1/6周期にずらした場合(1/6周期位相シフト)には、変換回路部11,12の電圧VT1,VT2が出力トランスT1,T2の一次側に印加され続けているため、電圧クランプ回路部30は動作せず、従来のDC−DCコンバータにおける動作および作用効果を現出する。つまり、第一、第二のコンデンサCX1,CX2および第一〜第三のダイオードDX1〜DX3に電流が流れることはない。
また、スイッチング位相を1/3周期から減少させると、1/3周期位相シフト時の区間S4の割合がさらに増加し、区間S1,S2,S3の割合が相対的に減少して、最終的に、1/6周期位相シフト時(従来のDC−DCコンバータ)の動作となる。
さらに、スイッチング位相を1/3周期から増加させると、1/3周期位相シフト時の区間S4の割合が減少して最終的に消失し、区間S1,S2,S3のみとなる。電圧クランプ回路部30の動作は区間S1,S2,S3で行われるため、最終的に、図8に示すように1/2周期位相シフト時に至るまで維持される。
以上で説明した実施形態では、電圧クランプ回路部30のクランプ用トランスTXを整流回路部21,22の正極側に設けた場合について説明したが、図9に示すようにクランプ用トランスTXを整流回路部21,22の負極側に設けることも可能である。また、各実施形態では、変換回路部11,12を二対のスイッチング素子Q1,Q2とQ3,Q4および二対のスイッチング素子Q5,Q6とQ7,Q8をフルブリッジ構成で接続し、各変換回路部11,12の出力側と出力トランスT1,T2の一次側との間に、直列コンデンサC1,C2を挿入接続した回路構成を例示したが、以下の回路構成にも適用することも可能である。なお、以下の回路構成では、クランプ用トランスTXを整流回路部21,22の正極側に設けた場合を例示するが、前述したようにクランプ用トランスTXを整流回路部21,22の負極側に設けることも可能である。
図10に示すように、変換回路部11,12を二対のスイッチング素子Q1,Q2とQ3,Q4および二対のスイッチング素子Q5,Q6とQ7,Q8をフルブリッジ構成で接続し、出力トランスT1,T2の二次側と各整流回路部21,22の入力側との間に、直列コンデンサC1,C2を挿入接続した回路構成が可能である。
図11に示すように、二群の変換回路部11,12において、転流のタイミングを決定するため、転流のトリガとなっているのは一対のスイッチング素子Q3,Q4および一対のスイッチング素子Q7,Q8であることから、それら以外の一対のスイッチング素子Q1,Q2および一対のスイッチング素子Q5,Q6をコンデンサC11,C12およびC15,C16に置き換えてハーフブリッジ構成とした変換回路部11’,12’とし、直列コンデンサC1,C2を出力トランスT1,T2の一次側に設けた回路構成とすることも可能である。なお、直列コンデンサC1,C2は、一対のコンデンサC11,C12の中点と出力トランスT1,T2の一次側との間に接続したが、一対のスイッチング素子Q3,Q4の中点と出力トランスT1,T2の一次側との間に接続することも可能である。
図12に示すように、二群の変換回路部11,12において、一対のスイッチング素子Q1,Q2および一対のスイッチング素子Q5,Q6をコンデンサC11,C12およびC15,C16に置き換えてハーフブリッジ構成とした変換回路部11’,12’とし、直列コンデンサC1,C2を出力トランスT1,T2の二次側に設けた回路構成とすることも可能である。
また、直列コンデンサC1,C2を出力トランスTr1,Tr2の二次側に接続することが可能であることから、図13に示すように各変換回路部11'',12''をプッシュプルインバータで構成するようにしてもよい。
このプッシュプルインバータで構成された変換回路部11'',12''は、同図に示すように、直流電源Eの一端とトランスT11,T12との間に一対のスイッチング素子Q11とQ12,Q13とQ14を接続すると共に、直流電源Eの他端とトランスT11,T12の中間タップとを接続した回路構成を具備する。なお、直列コンデンサC1,C2はトランスT11,T12の二次側に接続される。このように各変換回路部11'',12''にプッシュプルインバータを使用することにより、回路の簡素化および部品点数の削減による低コスト化を図ることができる。
なお、以上の実施形態では、二群の変換回路部11,12を直流電源Eに対して並列に接続した構成を例示したが、これら二群の変換回路部11,12を直流電源Eに対して直列に接続することも可能である。
本発明は前述した実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、さらに種々なる形態で実施し得ることは勿論のことであり、本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲に記載の均等の意味、および範囲内のすべての変更を含む。
11,12 変換回路部
21,22 整流回路部
30 電圧クランプ回路部
31 第一の直列回路
32 第二の直列回路
1,C2 直列コンデンサ
X1 第一のコンデンサ
X2 第二のコンデンサ
X1 第一のダイオード
X2 第二のダイオード
X3 第三のダイオード
E 直流電源
1〜Q8 スイッチング素子
1,T2 出力トランス
X クランプ用トランス

Claims (6)

  1. 対をなすスイッチング素子により直流電源の電源電圧を交流に変換する変換回路部を前記直流電源に対してn群設け、それらn群の各変換回路部の出力側に直列コンデンサおよび出力トランスを介して整流回路部を設け、それらn群の各整流回路部を並列に接続したDC−DCコンバータにおいて、
    前記整流回路部の出力段に電圧クランプ回路部を設け、前記電圧クランプ回路部は、前記整流回路部に接続されたクランプ用トランスを備え、第一のダイオードと第一のコンデンサからなる第一の直列回路を前記整流回路部に接続し、第二のダイオードと第二のコンデンサからなる第二の直列回路を前記第一のダイオードおよび第一のコンデンサの接続点と前記クランプ用トランスとの間に接続し、第三のダイオードを前記第二のダイオードおよび第二のコンデンサの接続点と前記整流回路部との間に接続した構成としたことを特徴とするDC−DCコンバータ。
  2. 前記変換回路部は、二対のスイッチング素子をフルブリッジ構成で接続し、前記直列コンデンサを出力トランスの一次側に接続した請求項1に記載のDC−DCコンバータ。
  3. 前記変換回路部は、二対のスイッチング素子をフルブリッジ構成で接続し、前記直列コンデンサを出力トランスの二次側に接続した請求項1に記載のDC−DCコンバータ。
  4. 前記変換回路部は、二対のスイッチング素子のうち、一対のスイッチング素子をコンデンサに置き換えることによりハーフブリッジ構成とし、前記直列コンデンサを出力トランスの一次側に接続した請求項1に記載のDC−DCコンバータ。
  5. 前記変換回路部は、二対のスイッチング素子のうち、一対のスイッチング素子をコンデンサに置き換えることによりハーフブリッジ構成とし、前記直列コンデンサを出力トランスの二次側に接続した請求項1に記載のDC−DCコンバータ。
  6. 前記各変換回路部をプッシュプルインバータで構成し、前記直列コンデンサを出力トランスの二次側に接続した請求項1に記載のDC−DCコンバータ。
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