JP2011134394A - 光ディスク装置およびその書込み方法 - Google Patents

Abstract

【課題】書込みパルスとエッジシフト量との関係が非線形である場合や、該関係が光ディスクによって異なる場合であっても、光ディスクへのデータの書込みを高精度に行なうことを可能とする光ディスク装置およびその書込み方法を提供する。
【解決手段】光ディスク１００への書込みパルスのエッジの移動量に乗じられて書込みパルスに対応する読出しパルスのエッジのデビエーションを与える係数を補正する係数補正手段１０６と、係数補正手段により補正された係数において、デビエーションを小さくするように書込みパルスのエッジの移動量を最適化させるエッジ移動量最適化手段１０６、１０８と、を有し、係数補正手段による係数の補正と、エッジ移動量最適化手段による書込みパルスのエッジを移動量の最適化と、を繰り返し行なう。
【選択図】図１

Description

本発明は、光ディスク装置およびその書込み方法に関する。

光ディスク装置は、ＣＤからＤＶＤ、そしてブルーレイディスク（Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ）へと技術的進歩を遂げ、高記録密度化、高転送速度化が進められており、これに伴い光ディスクへのデータ書き込みの高精度化が要求されている。

光ディスクへのデータの書込みの高精度化を実現するためには、再生データのエッジのシフト量（デビエーション）を低減する必要がある。このため、書込みパルス（ライトストラテジ）のエッジの位置を調整して、記録データに対応した正確なマーク長およびスペース長で光ディスクに記録データを書き込む必要がある。

従来技術には、所望のマーク長で記録データを記録するために、書込みパルスのエッジと、再生データのエッジのシフト量との関係を予め測定し、該関係を利用して書込みパルスを最適化するというものがある（特許文献１）。

特開２００９−７０４３４号公報

しかし、従来技術は、書込みパルスと再生データのエッジシフト量との関係を見直さないため、書込みパルスとエッジシフト量との関係が非線形となる場合や、該関係が光ディスクによって異なる場合に対応することが困難である。

本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、書込みパルスとエッジシフト量との関係が非線形である場合や、該関係が光ディスクによって異なる場合であっても、光ディスクへのデータの書込みを高精度に行なうことを目的とする。

前記課題を解決するために、本発明に係る光ディスク装置は、光ディスクへの書込みパルスのエッジの移動量に乗じられて前記書込みパルスに対応する読出しパルスのエッジのデビエーションを与える係数を補正する係数補正手段と、前記係数補正手段により補正された前記係数において、前記デビエーションを小さくするように前記書込みパルスのエッジの移動量を最適化させるエッジ移動量最適化手段と、を有し、前記係数補正手段による前記係数の補正と、前記エッジ移動量最適化手段による前記書込みパルスのエッジを移動量の最適化と、を繰り返し行なうことを特徴とする。

また、本発明に係る光ディスク装置の書込み方法は、書込みパルスを光ディスクへ書き込む書込み段階と、前記書込み段階で書き込んだ前記書込みパルスを実測して読出しパルスとして読み出す読出し段階と、前記読出し段階で読み出した前記読出しパルスのエッジのデビエーションを実測するデビエーション実測段階と、前記書込みパルスのエッジの移動量に乗じられて前記書込みパルスに対応する読出しパルスのエッジのデビエーションを与える係数を補正する係数補正段階と、前記係数補正段階で補正した前記係数において、前記デビエーションを小さくするように、前記書込みパルスのエッジの移動量を変化させるエッジ移動量最適化段階と、を有し、前記書込み段階、前記読出し段階、前記デビエーション実測段階、前記係数補正段階、および、前記移動量最適化段階を繰り返すことを特徴とする。

すなわち、本発明に係る光ディスク装置および光ディスク装置の書込み方法は、書込みパルスのエッジの移動量に乗じられて読出しパルスのエッジのデビエーションを与える係数を補正した上で、補正後の係数を用いて該デビエーションを小さくするように書込みパルスのエッジの移動量を最適化する。

本発明に係る光ディスク装置および光ディスク装置の書込み方法によれば、書込みパルスとエッジシフト量との関係が非線形である場合や、光ディスクによって異なる場合であっても、光ディスクへのデータの書込みの高精度化を実現できる。

本発明の実施形態に係る光ディスク装置を示すブロック図である。 本発明の第１実施形態に係る光ディスク装置および光ディスク装置の書込み方法の特徴を説明するためのイメージグラフを示す図である。 本発明の実施形態に係る光ディスク装置の書込み方法のフローチャートを示す図である。 書込みパルスを構成するパラメータとデビエーションとの関係を説明するための説明図である。 本発明の第３実施形態に係る光ディスク装置および光ディスク装置の書込み方法の特徴を説明するグラフを示す図である。 本発明の第４実施形態において関数近似演算により求めた書込みパルスのエッジの移動量とデビエーションとの関係と、演算に用いた実測デビエーションと、のグラフを示す図である。

以下、本発明の実施形態に係る光ディスク装置および光ディスク装置の書込み方法について詳細に説明する。

本実施形態が適用される光ディスク装置は、主に、記録可能なブルーレイディスク（ＢＤ−ＲＥ、ＢＤ−Ｒなど）に対する再生、記録、または消去を行う装置である。しかし、たとえば、コンパクトディスク（ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷなど）、ディジタル多目的ディスク（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ＋Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭなど）にも適用することができる。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る光ディスク装置を示すブロック図である。

図１に示すように、本実施形態に係る光ディスク装置１０は、光ディスク１００、光ピックアップ１０１、ヘッドアンプ１０２、データデコーダ１０３、差分検出部１０４、制御部１０５、ライトストラテジ設定部（係数補正手段、エッジ移動量最適化手段）１０６、記憶部１０７、書込みパルス補正部（エッジ移動量最適化手段）１０８、データエンコーダ１０９、レーザ駆動部１１０、および、入出力部１１１を有する。

光ディスク１００は、レーザ光を照射することで情報を書き込み、レーザを照射した反射光を検出することで情報を読み出すことができるメディアである。例えば、ブルーレイディスク、コンパクトディスク、ディジタル多目的ディスクであり得る。

光ピックアップ１０１は、光ディスク１００への情報の書込みや光ディスク１００からのデータの読出しを行なうためのレーザ光源および受光部を有する。

ヘッドアンプ１０２は、光ピックアップ１０１で読出された読出し信号を増幅し、データデコーダ１０３へ出力する。

データデコーダ１０３は、ヘッドアンプ１０２から受信した信号から二値化信号を生成し、読出しパルスとして入出力部１１１へ出力する。また、データデコーダ１０３は、ＰＬＬ回路（Ｐｈａｓｅ−Ｌｏｃｋｅｄ Ｌｏｏｐ）により、読出しパルスからクロック信号を抽出し、読出しパルスとクロック信号を差分検出部１０４に出力する。

差分検出部１０４は、データデコーダ１０３から読出しパルスとクロック信号とを受信し、制御部１０５の示す３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ等の各マーク長に対応する読出しパルスのエッジ（読出しパルスのエッジ）と、クロック信号の該各マーク長に対応するエッジと、から読出しパルスのエッジの位置の相対的なズレ量（読出しパルスのエッジのデビエーション、以下、単に「デビエーション」と称する）を検出し、ライトストラテジ設定部１０６に出力する。

制御部１０５は、光ディスク装置の各構成要素を制御し、また、各構成要素との間で情報を送受信する。なお、図１においては、制御部１０５からの制御情報または各構成要素との間の情報の送受信を示す矢印線を一部省略している。

ライトストラテジ設定部１０６は、書込みパルスのエッジの移動量（例えば、書込みパルスのエッジ位置の初期値に対する移動量）とデビエーションとの関係を求め、デビエーションが小さくなる書込みパルスのエッジの移動量（すなわち、書込みパルスのエッジの位置）を決定する。すなわち、ライトストラテジ設定部１０６は、書込みパルスのエッジの移動量に乗じられて前記書込みパルスに対応する読出しパルスのエッジのデビエーションを与える係数（以下、単に「係数」と称する）を補正することにより、書込みパルスのエッジの移動量とデビエーションとの関係を精度よく求める。そして、補正された前記係数において、デビエーションを小さくするように最適化した書込みパルスのエッジの移動量を決定する。

このように、本実施形態に係る光ディスク装置によれば、書込みパルスのエッジの移動量に乗じられて読出しパルスのエッジのデビエーションを与える係数を補正した上で、補正後の係数を用いて該デビエーションを小さくするように書込みパルスのエッジの移動量を最適化する。これにより、書込みパルスとエッジシフト量との関係が非線形である場合や、光ディスクによって異なる場合であっても、光ディスクへのデータの書込みの高精度化を実現できる。

ライトストラテジ設定部１０６は、決定した書込みパルスのエッジの移動量を書き込みパルス補正部１０８に送信する。

書込みパルス補正部１０８は、入出力部１１１を介して上位装置から受信され、データエンコーダ１０８でエンコードされた書込み信号を書込みパルスとして受信する。また、書込みパルス補正部１０８は、ライトストラテジ設定部１０６から書込みパルスのエッジの移動量を受信し、これに基づいて書込みパルスを補正する。書込みパルス補正部１０８は、補正した書込みパルスをレーザ駆動部１１０に送信する。

レーザ駆動部１１０は、書込みパルス補正部１０８から受信した書込みパルスに応じたレーザダイオード駆動用のパルス信号を生成し、光ピックアップ１０１内の図示されない半導体レーザに供給することにより記録パルス光を発生させ、光ディスク１００に書込み信号に対応したマークとスペースを記録する。

データエンコーダ１０９は、入出力部１１１から受信した記録データ信号を書込み用の信号である書込みパルスにエンコードし、書込みパルス補正部１０８に送信する。

記憶部１０７は、制御部１０５による制御のもとで、制御部１０５またはその他の装置の構成要素からの情報を記憶する。記憶部１０７は、揮発性のメモリと不揮発性のメモリとから構成してもよい。例えば、記憶部１０７は、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリ、磁気ディスク装置から選択して構成することができる。記憶部１０７を構成する不揮発性のメモリには、ライトストラテジ設定部１０６で補正される係数の初期値を記憶させる。さらに、該不揮発性のメモリには書込みパルスのエッジ位置の初期値を記憶させる。

入出力部１１１は、上位装置（例えば、ＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）
）から書込み信号を受信し、また、上位装置へ読み出し信号を送信するためのインタフェースである。

図２は、本実施形態に係る光ディスク装置および光ディスク装置の書込み方法の特徴を説明するためのイメージグラフを示す図である。本実施形態に係る光ディスク装置および光ディスク装置の書込み方法は、係数の補正と、補正後の係数に基づく書込みパルスのエッジを移動量の最適化と、を繰り返し行なうことに特徴を有する。図２の太線で示すグラフＸは、実際の書込みパルスのエッジを移動量とデビエーションとの関係を示す。図２に示すように、実際の書込みパルスのエッジの移動量とデビエーションとの関係は非線形となる場合がある。この場合、書込みパルスのエッジの移動量をｘ^１としたとき、ｘ^１に近い範囲内では、グラフＸを、ｘ^１における接線ｇ^１で近似できる。ここで、係数は、書込みパルスのエッジの移動量に乗じられて書込みパルスに対応する読出しパルスのエッジのデビエーションを与える係数であるので、接線ｇ^１の傾きをイメージしてよい。そして、接線ｇ^１に沿ってデビエーションが最も小さくなる書込みパルスのエッジの移動量ｘ^２（図２では、簡単のためデビエーションが０となる例を示す）を求め、さらに、グラフＸのｘ^２における接線ｇ^２を求め、接線ｇ^２の傾きを新たな係数として係数を補正する。そして、接線ｇ^２に沿ってデビエーションが最も小さくなる書込みパルスのエッジの移動量ｘ_３を求める。そして、このように、係数の補正と、補正後の係数における書込みパルスのエッジの移動量の最適化と、を繰り返し、最終的に求めた書込みパルスのエッジの移動量により書込み動作を行なうことにより、書込みパルスとエッジシフト量との関係が非線形である場合や、光ディスクによって異なる場合であっても、光ディスクへのデータの書込みの高精度化を実現できる。

図３は、本実施形態に係る光ディスク装置の書込み方法のフローチャートを示す図である。以下、図３を参照して本実施形態に係る光ディスク装置の書込み方法について詳細に説明する。本実施形態に係る光ディスク装置の書込み方法は、図１に示す本実施形態に係る光ディスク装置を用いて実施することができる。

書込みパルスのエッジ位置を初期値にして、試し書きを実施する（Ｓ３００）。試し書きは、光ディスク１００の試し書き領域で実施する。例えば、ＰＣＡ（Ｐｏｗｅｒ Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ Ａｒｅａ）において試し書きを実施してもよい。書込みパルスのエッジ位置の初期値は、予め、記憶部１０７に記憶させておく。

デビエーションを測定し（Ｓ３０１）、測定結果を１回目に測定した実測デビエーションμ^１（上部添字は反復回数）として記憶させる。

ＥＰＯ（Ｅｄｇｅ Ｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｏｐｔｉｍｉｚｅ）を実施する（Ｓ３０２）。ここで、ＥＰＯとは、デビエーションを小さくするように書込みパルスのエッジ位置を最適化することをいう。

ステップＳ３０２では、最初のＥＰＯを実施する。最初のＥＰＯにおいては、係数は予め記憶部１０７に記憶させておいた初期値ｄ^１、ｃ^１、ｂ^１（上部添字は反復回数であり、初期値は１回目なので「１」である）を用いる。

ここで、係数について詳細に説明する。係数は、上述したように、書込みパルスのエッジの移動量に乗じられて前記書込みパルスに対応する読出しパルスのエッジのデビエーションを与える係数である。本実施形態においては、係数は、書込みパルスの各エッジの移動量に対する読出しパルスのエッジの移動量の比で定義される影響係数である。影響係数には自己影響係数と隣接影響係数とがある。自己影響係数とは、書込みパルスのエッジの移動量に対する、前記書込みパルスのエッジに対応する読出しパルスのエッジの移動量、の比をいう。隣接影響係数とは、書込みパルスのエッジに隣接する隣接エッジの移動量に対する、前記書込みパルスのエッジに対応する読出しパルスのエッジの移動量、の比をいう。ｄは自己影響係数であり、ｃ、ｂは隣接影響係数である。

図４は、書込みパルスを構成するパラメータとデビエーションとの関係を説明するための説明図である。

図４において、ｘ_ｉｊ、ｙ_ｌｉ、ｙ_ｊｍは、書込みパルスのマークｌ−ｍａｒｋおよびマークｊ−ｍａｒｋの各エッジ（すなわち、ｌ−ｍａｒｋの後方エッジ、ｊ−ｍａｒｋの前方エッジ、ｊ−ｍａｒｋの後方エッジ）の現状設定からの移動量を示す。μ_ｌｉｊｍは、ｌ−ｍａｒｋ、ｉ−ｓｐａｃｅ、ｊ−ｍａｒｋ、ｍ−ｓｐａｃｅの組み合わせで特定される読出しパルスの現状のデビエーションを示す。図に示すように、自己影響係数ｄ_ｉｊ、および、隣接影響係数ｃ_ｉｊ、ｂ_ｉｊは、それぞれ、各エッジの移動量ｘ_ｉｊ、ｙ_ｌｉ、ｙ_ｊｍが読み出し信号のデビエーションμ_ｌｉｊｍに与える影響の程度を示す係数である。

次に、係数ｄ_ｉｊ、ｃ_ｉｊ、ｂ_ｉｊを用いて、次回に設定すべき書込みパルスのエッジの移動量ｘ_ｉｊ、ｙ_ｌｉ、ｙ_ｊｍを求める。

下記式（１）は、現在の実測デビエーションμ^ｋ _ｌｉｊｍ、μ^ｋ’_ｌｉｊｍと、現在の係数ｄ^ｋ _ｉｊ、ｃ^ｋ _ｉｊ、ｂ^ｋ _ｉｊと、次回の書込みパルスのエッジの移動量ｘ^ｋ＋１ _ｉｊ、ｙ^ｋ＋１ _ｌｉ、ｙ^ｋ＋１ _ｊｍと、により、今回のＥＰＯにより次回測定されるであろうと論理的に推定されるデビエーション（以下、「推定デビエーション」と称する）М^ｋ＋１ _ｌｉｊｍ、М’^ｋ＋１ _ｌｉｊｍを与える式である。

ここで、式（１）の左式はマークの前方エッジの推定デビエーションを、右式はマークの後方エッジの推定デビエーションを与える式である。上部添字は反復回数を示す（すなわち、ｋを現在（今回）とすると、ｋ＋１は次回である）。

式（１）に現在の係数ｄ^k _ｉｊ、ｃ^k _ｉｊ、ｂ^k _ｉｊ、ｄ’^k _ｉｊ、ｃ’^k _ｉｊ、ｂ’^k _ｉｊと、現在の実測デビエーションμ^k _ｌｉｊｍ、μ’^k _ｌｉｊｍを代入する。そして、最も小さい次回の推定デビエーションМ^k+1 _ｌｉｊｍ、М’^k+1 _ｌｉｊｍを与える次回の書込みパルスのエッジの移動量ｘ^k+1 _ｉｊ、ｙ^k+1 _ｌｉ、ｙ^k+1 _ｊｍと、次回の推定デビエーションМ^k+1 _ｌｉｊｍ、М’^k+1 _ｌｉｊｍと、を求める。次回の試し書きは、式（１）で求めた次回の書込みパルスのエッジの移動量ｘ^k+1 _ｉｊ、ｙ^k+1 _ｌｉ、ｙ^k+1 _ｊｍで行う。

係数は、書込みパルスのエッジの移動量に乗じられて前記書込みパルスに対応する読出しパルスのエッジのデビエーションを与える係数である。すなわち、係数は、書込みパルスのエッジの移動量とデビエーションとの関係を定める数値である。このため、デビエーションを小さくして光ディスクへのデータの書込みを高精度に行なうためには、係数の精度を向上させる必要がある。

本実施形態においては、以下の演算により係数を求める。

まず、デビエーション誤差Ｅを下記式（２）のように各エッジのデビエーションの２乗和で定義する。

デビエーション誤差Ｅに対し最小化手法を適用することで下記式（３）の連立方程式を導き、式（３）を解くことにより、現在の係数ｄ^k _ｉｊ、ｃ^k _ｉｊ、ｂ^k _ｉｊ、ｄ’^k _ｉｊ、ｃ’^k _ｉｊ、ｂ’^k _ｉｊを精度よく求めることができる。すなわち、デビエーション誤差Ｅを最も小さくする係数ｄ^k _ｉｊ、ｃ^k _ｉｊ、ｂ^k _ｉｊ、ｄ’^k _ｉｊ、ｃ’^k _ｉｊ、ｂ’^k _ｉｊを求めることで、係数の精度および推定デビエーションМ^k+1 _ｌｉｊｍ、М’^k+1 _ｌｉｊｍの精度を向上させることができる。

式（３）において、各ｉ、ｊ（すなわち、整数で示されるマーク長、スペース長の種類）がそれぞれ９個である場合は、式（３）を構成する６つの式はそれぞれ８１個となるため、式（３）は４８６個の連立方程式となる。

ステップＳ３０２では、最初のＥＰＯを実施する。最初のＥＰＯであるため、係数は予め記憶部１０７に記憶させておいた初期値ｄ^１、ｃ^１、ｂ^１を用いる。式（１）に係数ｄ^１、ｃ^１、ｂ^１を代入して、次回の書込みパルスのエッジの移動量ｘ^２、ｙ^２を求める。なお、推定デビエーションМ^２を求めておいてもよい。

本実施形態に係る光ディスク装置１０は、内部カウンタ（図示せず）を有する。ステップＳ３０２で最初のＥＰＯを実施した後、内部カウンタに０を設定する（Ｓ３０３）。

２回目以降のＥＰＯはステップＳ３０４〜ステップＳ３０８により実施する。

書込みパルス補正部１０８は、最初のＥＰＯ（Ｓ３０２）で求めた書込みパルスのエッジの移動量ｘ^２、ｙ^２に基づいて書き込みパルスを補正する。補正後の書込みパルスで、２回目の試し書きを実施する（Ｓ３０４）。

デビエーションを測定し（Ｓ３０５）、測定結果を２回目に測定した実測デビエーションμ^２として記憶部１０７に記憶させる。

２回目のＥＰＯを実施する（Ｓ３０７）。

実測デビエーションμ^２と書込みパルスのエッジの移動量ｘ^２、ｙ^２とを式（１）に代入して、推定デビエーションМ^２を係数ｄ^２、ｃ^２、ｂ^２の式とする。ここで、式（１）において、係数は、初期値ｄ^１、ｃ^１、ｂ^１から見直されて、係数ｄ^２、ｃ^２、ｂ^２となるため、係数の上部添字はｋからｋ＋１に変化させるべきことに注意を要する。

実測デビエーションμ^２と、係数ｄ^２、ｃ^２、ｂ^２の式からなる推定デビエーションМ^２と、を式（３）に代入し、デビエーション誤差Ｅ^２を最小とする係数ｄ^２、ｃ^２、ｂ^２を最小化手法により求める。

得られた係数ｄ^２、ｃ^２、ｂ^２を式（１）に代入して、次回の推定デビエーションを最も小さくするための次回の書込みパルスのエッジの移動量ｘ^３、ｙ^３を求める。なお、次回の推定デビエーションМ^３を求めておいてもよい。

内部カウンタをインクリメントし（Ｓ３０８）、インクリメント後のカウンタ値が２より小さいかどうか判断する（Ｓ３０９）。カウンタ値が２より小さい場合は、カウンタ値が２になるまで、ステップＳ３０４〜ステップＳ３０８を繰り返す。すなわち、係数の補正と、書込みパルスのエッジの移動量の最適化と、を繰り返し行なう。

本実施形態においては、係数の補正と、書込みパルスのエッジを移動量の最適化を３回反復させる。しかし、反復の停止判断は、これに限定されず、例えば、デビエーション誤差が所定値より小さくなること、書込みパルスのエッジの移動量が所定値より小さくなること、ジッタが所定値より小さくなること、のいずれかによって行なってもよい。

本実施形態によれば、書込みパルスとエッジシフト量との関係が非線形である場合や、光ディスクによって異なる場合であっても、光ディスクへのデータの書込みの高精度化を実現できる。

以上、本発明の第１実施形態に係る光ディスク装置および光ディスク装置の書込み方法について説明したが、本実施形態は、上述した実施形態に限定されるものではない。

例えば、ＥＰＯ実施の判断を、デビエーション誤差の値、書込みパルスのエッジの移動量、ジッタに基づいて行ってもよい。

また、ＥＰＯにおける試し書きは、光ディスクの内周または外周の試し書き領域のいずれにおいて行なってもよい。

また、係数の補正は一部の係数についてのみ行なってもよく、補正を繰り返すごとに補正する係数を変えてもよい。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態に係る光ディスク装置および光ディスク装置の書込み方法について詳細に説明する。本実施形態は、書込みパルスのマークの前方エッジ（立上りエッジ）および後方エッジ（立下りエッジ）におけるそれぞれの自己影響係数は、同一のマーク長を有するマークの全部について同一とすることを特徴とする。また、隣接影響係数は、読出しパルスのエッジを前方エッジまたは後方エッジとするマークのマーク長、および、読出しパルスのエッジを後方エッジ（立上りエッジ）または前方エッジ（立下りエッジ）とするスペースのスペース長のみに依存することを特徴とする。さらに、マークの前方エッジおよび後方エッジにおけるそれぞれの隣接影響係数は、同一のマーク長を有するマークの全部について同一とし、かつ、同一のスペース長を有するスペースの全部について同一とすることを特徴とする。その他の点については第１実施形態と同様のため重複する説明は省略する。

本実施形態は、第１実施形態において係数ｄ^k _ｉｊ、ｃ^k _ｉｊ、ｂ^k _ｉｊ、ｄ’^k _ｉｊ、ｃ’^k _ｉｊ、ｂ’^k _ｉｊを求める際用いる式（３）を下記式（４）で置き換えることにより実施する。

式（４）において、各ｉ、ｊが９個である場合は、式（３）を構成する６つの式はそれぞれ９個となるため、式（３）は５４個の連立方程式となる。したがって、本実施形態は第１実施形態と比較して、光ディスク装置の計算負荷を大幅に低減することができる。また、これにより、ライトストラテジ設定部１０６をなす演算器の小規模化によるコスト低減、および、記録データ書込みに要する時間の短縮を実現できる。

第１実施形態と比較した本実施形態の計算負荷の見積もりを以下に示す。

（１）各ｉ、ｊを同じ長さｎとした場合、第１実施形態の式（３）は６ｎ^２元の連立方程式となり、本実施形態の式（４）は６ｎ元の連立方程式となる。

（２）一般に、ｍ元の連立方程式を解くにはｍ^３回の積和演算が必要となるため、本実施形態は、第１実施形態の１／ｎ^３の積和演算処理でよい。

（３）例えば、実効的最小値ｎ＝４の場合、本実施形態は、第１実施形態の１／６４に演算量が減少する。

このように、本実施形態は、第１実施形態が奏する効果に加え、計算負荷の低減を減少させることができるという効果を奏する。

以上、本発明の第２実施形態に係る光ディスク装置および光ディスク装置の書込み方法について説明したが、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではない。

例えば、書込みパルスのマークの前方エッジおよび後方エッジにおけるそれぞれの自己影響係数は、同一のマーク長を有するマークの一部について同一としてもよい。また、マークの前方エッジおよび後方エッジにおけるそれぞれの隣接影響係数は、同一のマーク長を有するマークの一部または全部について同一とし、かつ、同一のスペース長を有するスペースの一部または全部について同一としてもよい。

また、係数には隣接影響係数のみを用いてもよい。

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態に係る光ディスク装置および光ディスク装置の書込み方法について詳細に説明する。本実施形態は、係数を自己影響係数のみとすることを特徴とする。その他の点については第１実施形態と同様のため重複する説明は省略する。

図５は、本実施形態に係る光ディスク装置および光ディスク装置の書込み方法の特徴を説明するグラフを示す図である。本実施形態に係る光ディスク装置の書込み方法は、図１に示す光ディスク装置を用いて実施することができる。以下、本実施形態に係る光ディスク装置の書込み方法について説明する。

本実施形態においては、書込みパルスのエッジ位置を初期値ｘ^１にして、試し書きを実施し、試し書き後にデビエーションを測定し、測定結果を最初の実測デビエーションμ^１として記憶部１０７に記憶させる（図５のｎ１）。

最初のＥＰＯを行う。最初のＥＰＯであるため、係数（図５の直線ｇ^１の傾きに相当）は、予め記憶部１０７に記憶させておいた初期値ｄ^１を用いる。

下記式（５）により、次回の書込みパルスのエッジの移動量ｘ^２、ｙ^２を求める。

式（５）から、ｘ^２はｘ^１−μ^１／ｄ^１で与えられる。

書込みパルス補正部１０８は、最初のＥＰＯで求めた書込みパルスのエッジの移動量ｘ^２、ｙ^２に基づいて書き込みパルスを補正し、補正後の書込みパルスで、２回目の試し書きを実施する。２回目の試し書き後、デビエーションを測定し、測定結果を２回目に測定した実測デビエーションμ^２として記憶部１０７に記憶させる（図５のｎ２）。

２回目のＥＰＯを実施する。２回目のＥＰＯにおいては、補正後の係数ｄ^２（図５の直線ｇ^２の傾きに相当）を下記式（６）により求める。

式（６）から、補正後の係数ｄ^２は（μ^２―μ^１）／（ｘ^２−ｘ^１）で与えられる。補正後の係数ｄ^２と実測デビエーションμ^２とを式（５）に代入し、次回の書込みパルスのエッジの移動量ｘ^３、ｙ^３を求める。式（５）から、ｘ^３はｘ^２−μ^２／ｄ^２で与えられる。

このように、係数の補正と、補正後の係数における書込みパルスのエッジの移動量の最適化と、を繰り返し、最終的に求めた書込みパルスのエッジの移動量により書込み動作を行なうことにより、書込みパルスとエッジシフト量との関係が非線形である場合や、光ディスクによって異なる場合であっても、光ディスクへのデータの書込みの高精度化を実現できる。

本実施形態によれば、各係数が独立となるため、第１実施形態および第２実施形態のように連立方程式（例えば、第１実施形態の式（３））を解く必要がない。このため、本実施形態によれば、計算方法が単純なため安定性が高い光ディスク装置の書き込み方法を実現できる。また、本実施形態は、第１実施形態および第２実施形態が奏する効果に加え、計算負荷をより低減させる効果を奏する。

（第４実施形態）
本発明の第４実施形態に係る光ディスク装置および光ディスク装置の書込み方法について詳細に説明する。本実施形態は、実測デビエーションから、書込みパルスのエッジの移動量とデビエーションとの関係を関数近似演算により求め、求めた該関係に基づいて係数を補正することを特徴とする。また、本実施形態は、係数を隣接影響係数のみとすることを特徴とする。その他の点については第１実施形態と同様のため重複する説明は省略する。

図６は、関数近似演算により求めた書込みパルスのエッジの移動量とデビエーションとの関係と、演算に用いた実測デビエーションと、のグラフを示す図である。実線のグラフは関数近似演算により求めた書込みパルスのエッジの移動量とデビエーションとの関係を示し、点のグラフは演算に用いた実測デビエーションを示す。

本実施形態に係る光ディスク装置の書き込み方法においては、光ディスクの試し書き領域で書き込みパルスのエッジの移動量を複数の移動量の状態に変化させ、デビエーションを測定する。そして、測定した実測デビエーションから、書込みパルスのエッジの移動量とデビエーションとの関係を関数近似演算（例えば、最小二乗法による演算）により求める。演算により求めた書込みパルスのエッジの移動量とデビエーションとの関係からは、デビエーションを最小にするための書込みパルスのエッジの移動量を求めることができる。したがって、書込みパルスのエッジの移動量を、初期値から演算により求めたデビエーションを最小にするための書込みパルスのエッジの移動量に補正することにより、光ディスクへのデータの書込みの高精度化を実現できる。

（第５実施形態）
本発明の第５実施形態に係る光ディスク装置および光ディスク装置の書込み方法について詳細に説明する。本実施形態は、試し書きをせず、光ディスクのデータ記録領域に書き込まれる書込みパルスに関して、係数の補正と書込みパルスのエッジの移動量の最適化を実施することを特徴とする。その他の点については第１実施形態と同様のため重複する説明は省略する。

本実施形態は、次の態様によりＥＰＯを実施してもよい。

（１）ＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｌｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）の場合は、単純に、すべてのＥＰＯに対して本実施形態によるＥＰＯを適用する。

（２）ＣＡＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ａｎｇｕｌａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）の場合は、短いマーク長で試し書き領域でＥＰＯを行なった後、本実施形態によるＥＰＯを行う。これにより、データの書込み精度をより向上できる。

（３）例えば、指標としてジッタを測定し、測定結果により、ＥＰＯの不実施、試し書きによるＥＰＯ、本実施形態によるＥＰＯ、のいずれかを選択する。これにより、データの書込み精度の向上と動作時間の短縮の両立を図ることができる。

（４）初回のＥＰＯのみ試し書き領域で行なう。

（５）試し書き領域でＥＰＯを実施した結果により、本実施形態によるＥＰＯの実施を判断する。

（６）試し書き領域におけるＥＰＯと本実施形態によるＥＰＯを併用する。

本実施形態に係る光ディスク装置および光ディスク装置の書込み方法によれば、試し書きをせず、光ディスクのデータ記録領域に書き込まれる書込みパルスに関して、係数の補正と書込みパルスのエッジの移動量の最適化を実施するため、第１実施形態が奏する効果に加えて、ＥＰＯに要する時間を削減することができる。

以上、本発明に係る実施形態について詳細に説明したが、本発明に係る実施形態は上記実施形態に限定されるものではない。すなわち、例えば、第１実施形態において演算により係数を求める際、加速係数を用いて収束性を高めることができ、さらに、減速係数を用いて安定性を高めることができる。これにより、ＥＰＯに要する時間を短縮し、記録データ書込みに要する時間を短縮することができる。

１０ 光ディスク装置、
１００ 光ディスク、
１０１ 光ピックアップ、
１０２ ヘッドアンプ、
１０３ データデコーダ、
１０４ 差分検出部、
１０５ 制御部、
１０６ ライトストラテジ設定部、
１０７ 記憶部、
１０８ 書込みパルス補正部、
１０９ データエンコーダ、
１１０ レーザ駆動部、
１１１ 入出力部。

Claims (17)

1. 光ディスクへの書込みパルスのエッジの移動量に乗じられて前記書込みパルスに対応する読出しパルスのエッジのデビエーションを与える係数を補正する係数補正手段と、
   前記係数補正手段により補正された前記係数において、前記デビエーションを小さくするように前記書込みパルスのエッジの移動量を最適化させるエッジ移動量最適化手段と、を有し、
   前記係数補正手段による前記係数の補正と、前記エッジ移動量最適化手段による前記書込みパルスのエッジを移動量の最適化と、を繰り返し行なうことを特徴とする光ディスク装置。
2. 前記係数補正手段は、前記書込みパルスと、光ディスクに書き込まれた前記書込みパルスに対応する前記読出しパルスのエッジの実測された実測デビエーションと、に基づいて前記係数を補正することを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
3. 前記係数補正手段は、前記書込みパルスから理論的に推定される前記読出しパルスのエッジの推定デビエーションと、前記実測デビエーションと、の差であるＥＰＯ誤差に基づいて前記係数を補正することを特徴とする請求項２に記載の光ディスク装置。
4. 前記係数補正手段は、前記ＥＰＯ誤差が小さくなるように前記係数を補正することを特徴とする請求項３に記載の光ディスク装置。
5. 前記係数補正手段は、前記読出しパルスの各エッジの前記ＥＰＯ誤差の２乗和が最小となるように前記係数を補正することを特徴とする請求項４に記載の光ディスク装置。
6. 前記係数は、前記書込みパルスの各エッジの移動量に対する前記読出しパルスのエッジの移動量の比である影響係数であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光ディスク装置。
7. 前記係数のうち、一部の係数を補正することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光ディスク装置。
8. 前記補正を繰り返すごとに、補正する前記係数を変えることを特徴とする請求項７に記載の光ディスク装置。
9. 前記影響係数は、前記書込みパルスのエッジの移動量に対する、前記書込みパルスの前記エッジに対応する前記読出しパルスのエッジの移動量、の比である自己影響係数を含み、
   前記自己影響係数は、前記読出しパルスのエッジを立上りエッジまたは立下りエッジとするマークのマーク長のみに依存することを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の光ディスク装置。
10. 前記マークの立上りエッジおよび立下りエッジにおけるそれぞれの前記自己影響係数は、同一のマーク長を有する前記マークの一部または全部について同一とすることを特徴とする請求項９に記載の光ディスク装置。
11. 前記影響係数は、前記書込みパルスのエッジに隣接する隣接エッジの移動量に対する、前記書込みパルスの前記エッジに対応する前記読出しパルスのエッジの移動量、の比である隣接影響係数と、を含み、
    前記隣接影響係数は、前記読出しパルスのエッジを立上りエッジまたは立下りエッジとするマークのマーク長、および、前記読出しパルスのエッジを立上りエッジまたは立下りエッジとするスペースのスペース長のみに依存することを特徴とする請求項６〜１０のいずれかに記載の光ディスク装置。
12. 前記マークの立上りエッジおよび立下りエッジにおけるそれぞれの前記隣接影響係数は、同一のマーク長を有する前記マークの一部または全部について同一とし、かつ、同一のスペース長を有する前記スペースの一部または全部について同一とすることを特徴とする請求項１１に記載の光ディスク装置。
13. 前記係数は、前記自己影響係数のみからなることを特徴とする請求項９または１０に記載の光ディスク装置。
14. 前記係数は、前記隣接影響係数のみからなることを特徴とする請求項１１または１２に記載の光ディスク装置。
15. 前記係数補正手段は、エッジの移動量が異なる複数の前記書込みパルスについて実測された前記実測デビエーションから、前記書込みパルスのエッジの移動量と前記読出しパルスのエッジのデビエーションとの関係を関数近似演算により演算する関数近似演算手段を有し、
    前記関数近似演算手段が演算した前記書込みパルスのエッジの移動量と前記読出しパルスのエッジのデビエーションとの関係に基づいて前記係数を補正することを特徴とする請求項２に記載の光ディスク装置。
16. 前記書込みパルスは光ディスクのデータ記録領域に書き込まれることを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載の光ディスク装置。
17. 書込みパルスを光ディスクへ書き込む書込み段階と、
    前記書込み段階で書き込んだ前記書込みパルスを実測して読出しパルスとして読み出す読出し段階と、
    前記読出し段階で読み出した前記読出しパルスのエッジのデビエーションを実測するデビエーション実測段階と、
    前記書込みパルスのエッジの移動量に乗じられて前記書込みパルスに対応する読出しパルスのエッジのデビエーションを与える係数を補正する係数補正段階と、
    前記係数補正段階で補正した前記係数において、前記デビエーションを小さくするように、前記書込みパルスのエッジの移動量を変化させるエッジ移動量最適化段階と、を有し、
    前記書込み段階、前記読出し段階、前記デビエーション実測段階、前記係数補正段階、および、前記移動量最適化段階を繰り返すことを特徴とする光ディスク装置の書込み方法。