JP2011118327A - Anti-dazzle processing method, and methods of manufacturing anti-dazzle film and die - Google Patents

Anti-dazzle processing method, and methods of manufacturing anti-dazzle film and die Download PDF

Info

Publication number
JP2011118327A
JP2011118327A JP2010035840A JP2010035840A JP2011118327A JP 2011118327 A JP2011118327 A JP 2011118327A JP 2010035840 A JP2010035840 A JP 2010035840A JP 2010035840 A JP2010035840 A JP 2010035840A JP 2011118327 A JP2011118327 A JP 2011118327A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
spatial frequency
glare
processing
frequency component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010035840A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5510865B2 (en
Inventor
Takashi Fujii
貴志 藤井
Tsutomu Furuya
勉 古谷
Hiroshi Miyamoto
浩史 宮本
Kyo Jinno
亨 神野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority to JP2010035840A priority Critical patent/JP5510865B2/en
Publication of JP2011118327A publication Critical patent/JP2011118327A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5510865B2 publication Critical patent/JP5510865B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an anti-dazzle processing method for a transparent substrate which prevents the deterioration of visibility caused by whitening while showing excellent anti-dazzle performance, and provides high contrast without causing dazzling even if it is applied to a high-definition image display device, a method of manufacturing an anti-dazzle film, and a method of manufacturing a metallic die suitably used in the method. <P>SOLUTION: The anti-dazzle processing method for the transparent substrate, the method of manufacturing the anti-dazzle film, and the method of manufacturing the metallic die suitably used in the method are provided. The methods include: a step of applying a filter at least eliminating or decreasing low spatial frequency components from spatial frequency components included in a first pattern to form a second pattern; and a step of processing concave and convex shapes on the transparent substrate using the pattern. The methods may include: a step of manufacturing a third pattern which is converted to discrete information by means of a dithering method; and a step of manufacturing a fourth pattern by the movement of an isolated pixel by means of a Monte-Carlo method. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法、ならびに、かかる防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法に用いられる金属金型の製造方法に関する。   The present invention relates to an antiglare treatment method and a method for producing an antiglare film, and a method for producing a metal mold used in such an antiglare treatment method and a method for producing an antiglare film.

液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル、ブラウン管(陰極線管:CRT)ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンス(EL)ディスプレイなどの画像表示装置は、その表示面に外光が映り込むと視認性が著しく損なわれてしまう。従来、このような外光の映り込みを防止するために、画質を重視するテレビやパーソナルコンピュータ、外光の強い屋外で使用されるビデオカメラやデジタルカメラ、および反射光を利用して表示を行なう携帯電話などにおいては、画像表示装置の表面に外光の映り込みを防止するための処理が施されている。このような画像表示装置の表面に施される処理は、光学多層膜による干渉を利用した無反射処理と、表面に微細な凹凸を形成することにより入射光を散乱させて映り込み像をぼかす防眩処理とに大別される。前者の無反射処理は、均一な光学膜厚の多層膜を形成する必要があるため、コスト高になる。これに対して、後者の防眩処理は、比較的安価に行なうことができるため、大型のパーソナルコンピュータやモニタなどの用途に広く用いられている。   In an image display device such as a liquid crystal display, a plasma display panel, a cathode ray tube (CRT) display, an organic electroluminescence (EL) display, and the like, when external light is reflected on the display surface, the visibility is significantly impaired. Conventionally, in order to prevent such reflection of external light, display is performed using a television or personal computer that emphasizes image quality, a video camera or digital camera that is used outdoors with strong external light, and reflected light. In a mobile phone or the like, a process for preventing external light from being reflected on the surface of the image display device is performed. The processing performed on the surface of such an image display device includes antireflection processing using interference by the optical multilayer film and prevention of blurring the reflected image by scattering incident light by forming fine irregularities on the surface. It is roughly divided into dazzling treatment. The former non-reflective treatment increases the cost because it is necessary to form a multilayer film having a uniform optical film thickness. On the other hand, since the latter anti-glare treatment can be performed relatively inexpensively, it is widely used for applications such as large personal computers and monitors.

上記画像表示装置の防眩処理は、典型的には、画像表示装置の表面に防眩性が付与された防眩フィルムを貼合することによりなされる。防眩フィルムは従来、たとえば、微粒子を分散させた樹脂溶液を、基材シート上に膜厚を調整して塗布し、該微粒子を塗布膜表面に露出させることでランダムな表面凹凸を基材シート上に形成する方法などにより製造されている。しかしながら、このような微粒子を分散させた樹脂溶液を用いて製造された防眩フィルムは、樹脂溶液中の微粒子の分散状態や塗布状態などによって表面凹凸の配置や形状が左右されてしまうため、意図したとおりの表面凹凸を得ることが困難であり、防眩フィルムのヘイズを低く設定する場合、十分な防眩効果が得られないという問題があった。さらに、このような従来の防眩フィルムを画像表示装置の表面に配置した場合、散乱光によって表示面全体が白っぽくなり、表示が濁った色になる、いわゆる「白ちゃけ」が発生しやすいという問題があった。また、最近の画像表示装置の高精細化に伴って、画像表示装置の画素と防眩フィルムの表面凹凸形状とが干渉し、その結果、輝度分布が発生して表示面が見えにくくなる、いわゆる「ギラツキ」現象が発生しやすいという問題もあった。ギラツキを解消するために、バインダー樹脂とこれに分散される微粒子との間に屈折率差を設けて光を散乱させる試みもあるが、そのような防眩フィルムを画像表示装置の表面に配置した際には、微粒子とバインダー樹脂との界面における光の散乱によって、コントラストが低下しやすいという問題もあった。   The antiglare treatment of the image display device is typically performed by bonding an antiglare film with antiglare properties to the surface of the image display device. Conventionally, an anti-glare film, for example, a resin solution in which fine particles are dispersed is applied on a base sheet by adjusting the film thickness, and the fine particles are exposed on the surface of the coating film so that random surface irregularities are formed on the base sheet. It is manufactured by the method of forming on top. However, the antiglare film manufactured using a resin solution in which such fine particles are dispersed has an influence on the arrangement and shape of surface irregularities depending on the dispersion state and application state of the fine particles in the resin solution. It is difficult to obtain surface irregularities as described above, and when the haze of the antiglare film is set low, there is a problem that a sufficient antiglare effect cannot be obtained. Furthermore, when such a conventional anti-glare film is disposed on the surface of the image display device, the entire display surface becomes whitish due to scattered light, and the display becomes cloudy, so-called “whiteness” is likely to occur. There was a problem. Also, with the recent high definition of image display devices, the pixels of the image display device and the surface uneven shape of the antiglare film interfere with each other, and as a result, a luminance distribution occurs and the display surface becomes difficult to see. There was also a problem that the “glare” phenomenon was likely to occur. In order to eliminate glare, there is an attempt to scatter light by providing a refractive index difference between the binder resin and the fine particles dispersed therein, but such an antiglare film is disposed on the surface of the image display device. In some cases, there is a problem that the contrast tends to be lowered due to light scattering at the interface between the fine particles and the binder resin.

一方、微粒子を含有させずに、透明樹脂層の表面に形成された微細な凹凸だけで防眩性を発現させる試みもある。たとえば、特開2002−189106号公報(特許文献1)には、透明樹脂フィルム上に、三次元10点平均粗さ、および、三次元粗さ基準面上における隣接する凸部同士の平均距離が、それぞれ所定値を満足する微細な表面凹凸を有する電離放射線硬化性樹脂層の硬化物層が積層された防眩フィルムが開示されている。この防眩フィルムは、エンボス鋳型と透明樹脂フィルムとの間に電離放射線硬化性樹脂を挟んだ状態で、当該電離放射線硬化性樹脂を硬化させることにより製造される。しかしながら、特許文献1に開示される防眩フィルムによっても、十分な防眩効果、白ちゃけの抑制、高コントラスト、およびギラツキの抑制を達成することは難しかった。   On the other hand, there is also an attempt to develop anti-glare properties only by fine irregularities formed on the surface of the transparent resin layer without containing fine particles. For example, in Japanese Patent Laid-Open No. 2002-189106 (Patent Document 1), a three-dimensional 10-point average roughness on a transparent resin film and an average distance between adjacent convex portions on a three-dimensional roughness reference surface are described. Further, an antiglare film is disclosed in which a cured product layer of an ionizing radiation curable resin layer having fine surface irregularities each satisfying a predetermined value is laminated. This antiglare film is manufactured by curing the ionizing radiation curable resin in a state where the ionizing radiation curable resin is sandwiched between the embossing mold and the transparent resin film. However, even with the antiglare film disclosed in Patent Document 1, it has been difficult to achieve a sufficient antiglare effect, suppression of whitening, high contrast, and suppression of glare.

また、表示装置の表示面に配置される防眩フィルムではなく、液晶表示装置の背面側に配置される光拡散層として、表面に微細な凹凸が形成されたフィルムを用いることも、たとえば特開平6−34961号公報(特許文献2)、特開2004−45471号公報(特許文献3)、特開2004−45472号公報(特許文献4)などに開示されている。このうち特許文献3および4には、フィルムの表面に凹凸を形成する手法として、凹凸を反転させた形状を有するエンボスロールに電離放射線硬化性樹脂液を充填し、充填された樹脂にロール凹版の回転方向に同期して走行する透明基材を接触させ、透明基材がロール凹版に接触しているときに、ロール凹版と透明基材との間にある樹脂を硬化させ、硬化と同時に硬化樹脂と透明基材とを密着させた後、硬化後の樹脂と透明基材との積層体をロール凹版から剥離する方法が開示されている。   It is also possible to use a film having fine irregularities on the surface as a light diffusion layer disposed on the back side of the liquid crystal display device, instead of an antiglare film disposed on the display surface of the display device. No. 6-34961 (Patent Document 2), Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-45471 (Patent Document 3), Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-45472 (Patent Document 4), and the like. Among these, in Patent Documents 3 and 4, as a method for forming irregularities on the surface of the film, an embossing roll having a shape with inverted irregularities is filled with an ionizing radiation curable resin liquid, and the filled resin is made of a roll intaglio. A transparent base material running in synchronization with the rotation direction is brought into contact, and when the transparent base material is in contact with the roll intaglio, the resin between the roll intaglio and the transparent base is cured, and at the same time as cured, a cured resin is cured. A method is disclosed in which a laminate of a cured resin and a transparent substrate is peeled off from a roll intaglio after the substrate and the transparent substrate are brought into close contact with each other.

しかしながらこのような特許文献3および4に開示された方法では、用いることのできる電離放射線硬化性樹脂液の組成が限られ、また溶媒で希釈して塗布したときのようなレベリングが期待できないことから、膜厚の均一性に課題があることが予想される。さらに、特許文献3および4に開示された方法では、エンボスロール凹版に直接樹脂液を充填する必要があることから、凹凸面の均一性を確保するためには、エンボスロール凹版に高い機械精度が要求され、エンボスロールの作製が難しいという課題があった。   However, in the methods disclosed in Patent Documents 3 and 4, the composition of the ionizing radiation curable resin liquid that can be used is limited, and leveling as when applied by diluting with a solvent cannot be expected. It is expected that there is a problem in the uniformity of the film thickness. Furthermore, in the methods disclosed in Patent Documents 3 and 4, since it is necessary to directly fill the embossing roll intaglio with the resin liquid, in order to ensure the uniformity of the uneven surface, the embossing roll intaglio has high mechanical accuracy. There was a problem that it was required and it was difficult to produce an embossing roll.

次に、表面に凹凸を有するフィルムの作製に用いられるロールの作製方法としては、たとえば、上述した特許文献2には、金属などを用いて円筒体を作り、その表面に電子彫刻、エッチング、サンドブラストなどの手法により凹凸を形成する方法が開示されている。また、特開2004−29240号公報(特許文献5)には、ビーズショット法によってエンボスロールを作製する方法が開示されており、特開2004−90187号公報(特許文献6)には、エンボスロールの表面に金属めっき層を形成する工程、金属めっき層の表面を鏡面研磨する工程、さらに必要に応じてピーニング処理をする工程を経て、エンボスロールを作製する方法が開示されている。   Next, as a method for producing a roll used for producing a film having irregularities on the surface, for example, in Patent Document 2 described above, a cylindrical body is made using metal or the like, and electronic engraving, etching, sandblasting is performed on the surface. A method of forming irregularities by such a method is disclosed. Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-29240 (Patent Document 5) discloses a method for producing an embossing roll by a bead shot method, and Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-90187 (Patent Document 6). A method of producing an embossing roll is disclosed through a step of forming a metal plating layer on the surface, a step of mirror polishing the surface of the metal plating layer, and a step of peening treatment as necessary.

しかしながら、このようにエンボスロールの表面にブラスト処理を施したままの状態では、ブラスト粒子の粒径分布に起因する凹凸径の分布が生じるとともに、ブラストにより得られるくぼみの深さを制御することが困難であり、防眩機能に優れた凹凸の形状を再現性よく得ることに課題があった。   However, in such a state that the surface of the embossing roll is subjected to blasting treatment, the uneven diameter distribution caused by the particle size distribution of the blast particles is generated, and the depth of the dent obtained by blasting can be controlled. It was difficult to obtain an uneven shape excellent in antiglare function with good reproducibility.

また、上述した特許文献1には、好ましくは鉄の表面にクロムめっきしたローラを用い、サンドブラスト法やビーズショット法により凹凸型面を形成することが記載されている。さらに、このように凹凸が形成された型面には、使用時の耐久性を向上させる目的で、クロムめっきなどを施してから使用することが好ましく、それにより硬膜化および腐食防止を図ることができる旨の記載もある。一方、上述した特許文献3、4のそれぞれの実施例には、鉄芯表面にクロムめっきし、#250の液体サンドブラスト処理をした後に、再度クロムめっき処理して、表面に微細な凹凸形状を形成することが記載されている。   Further, Patent Document 1 described above describes that a concavo-convex surface is formed by a sandblasting method or a bead shot method, preferably using a roller having a chromium plating on the surface of iron. Furthermore, it is preferable to use the mold surface with such irregularities after applying chrome plating for the purpose of improving durability during use, thereby making it harder and preventing corrosion. There is also a statement that it is possible. On the other hand, in each of the examples of Patent Documents 3 and 4 described above, the surface of the iron core is chrome-plated and subjected to # 250 liquid sand blasting, and then chrome-plating again to form a fine uneven shape on the surface. It is described to do.

しかしながら、このようなエンボスロールの作製法では、硬度の高いクロムめっきの上にブラストやショットを行なうため、凹凸が形成されにくく、しかも形成された凹凸の形状を精密に制御することが困難であった。また、特開2004−29672号公報(特許文献7)にも記載されるとおり、クロムめっきは、下地となる材質およびその形状に依存して表面が荒れることが多く、ブラストにより形成された凹凸上にクロムめっきで生じた細かいクラックが形成されるため、どのような凹凸ができるかの設計が難しいという課題があった。さらに、クロムめっきで生じる細かいクラックがあるため、最終的に得られる防眩フィルムの散乱特性が好ましくない方向に変化するという課題もあった。さらには、エンボスロール母材表面の材質とめっき種の組み合わせにより、仕上がりのロール表面が多種多様に変化するため、必要とする表面凹凸形状を精度よく得るためには、適切なロール表面の材質と適切なめっき種を選択しなければならないという課題もあった。さらにまた、望む表面凹凸形状が得られたとしても、めっき種によっては使用時の耐久性が不十分となることもあった。   However, in such an embossing roll manufacturing method, since blasting and shots are performed on chromium plating with high hardness, it is difficult to form unevenness, and it is difficult to precisely control the shape of the formed unevenness. It was. Further, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-29672 (Patent Document 7), the surface of the chrome plating is often rough depending on the material and the shape of the base, and the surface of the concavo-convex formed by blasting. Since fine cracks generated by chrome plating are formed on the surface, there is a problem that it is difficult to design what kind of irregularities can be formed. Furthermore, since there are fine cracks generated by chrome plating, there is also a problem that the scattering characteristics of the finally obtained antiglare film change in an unfavorable direction. Furthermore, since the finished roll surface varies in various ways depending on the combination of the embossing roll base material surface and plating type, in order to obtain the required surface irregularities accurately, the appropriate roll surface material and There was also a problem that an appropriate plating type had to be selected. Furthermore, even if the desired surface irregularity shape is obtained, the durability during use may be insufficient depending on the type of plating.

特開2000−284106号公報(特許文献8)には、基材にサンドブラスト加工を施した後、エッチング工程および/または薄膜の積層工程を施すことが記載されているが、サンドブラスト工程前に金属めっき層を設けることについては記載も示唆もされていない。また、特開2006−53371号公報(特許文献9)には、基材を研磨し、サンドブラスト加工を施した後、無電解ニッケルめっきを施すことが記載されている。また、特開2007−187952号公報(特許文献10)には、基材に銅めっきまたはニッケルめっきを施した後、研磨し、サンドブラスト加工を施した後、クロムめっきを施してエンボス版を作製することが記載されている。さらに、特開2007−237541号公報(特許文献11)には、銅めっきまたはニッケルめっきを施した後、研磨し、サンドブラスト加工を施した後、エッチング工程または銅めっき工程を施した後にクロムめっきを施してエンボス版を作製することが記載されている。これらのサンドブラスト加工を用いる製法では、表面凹凸形状を精密に制御された状態で形成することが難しいため、表面凹凸形状に50μm以上の周期を持つ比較的大きい凹凸形状も作製されてしまう。その結果、それらの大きい凹凸形状と画像表示装置の画素とが干渉し、輝度分布が発生して表示面が見にくくなる、いわゆるギラツキが発生しやすいという問題があった。   Japanese Patent Laid-Open No. 2000-284106 (Patent Document 8) describes performing a sandblasting process on a base material and then performing an etching process and / or a thin film laminating process. However, metal plating is performed before the sandblasting process. There is no description or suggestion of providing a layer. Japanese Patent Laid-Open No. 2006-53371 (Patent Document 9) describes that an electroless nickel plating is performed after a substrate is polished and sandblasted. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-187852 (Patent Document 10) discloses that an embossed plate is produced by performing copper plating or nickel plating on a base material, polishing, sandblasting, and then chromium plating. It is described. Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-237541 (Patent Document 11) discloses that after copper plating or nickel plating, polishing, sandblasting, etching, or copper plating, and then chromium plating. To produce an embossed plate. In these production methods using sandblasting, it is difficult to form the surface uneven shape in a precisely controlled state, so that a relatively large uneven shape having a period of 50 μm or more is also produced in the surface uneven shape. As a result, there is a problem that the so-called glare that the large uneven shape and the pixels of the image display device interfere with each other and a luminance distribution is generated and the display surface is difficult to see is likely to occur.

特開2002−189106号公報JP 2002-189106 A 特開平6−34961号公報JP-A-6-34961 特開2004−45471号公報JP 2004-45471 A 特開2004−45472号公報JP 2004-45472 A 特開2004−29240号公報JP 2004-29240 A 特開2004−90187号公報JP 2004-90187 A 特開2004−29672号公報JP 2004-29672 A 特開2000−284106号公報JP 2000-284106 A 特開2006−53371号公報JP 2006-53371 A 特開2007−187952号公報JP 2007-188792 A 特開2007−237541号公報JP 2007-237541 A

本発明の目的は、画像表示装置に適用したときに、優れた防眩性能を示しながら、白ちゃけによる視認性の低下を防止することができるとともに、高精細の画像表示装置に適用した場合においても、ギラツキを発生せずに高いコントラストを発現することができる透明基材の防眩処理方法を提供することである。   When the object of the present invention is applied to an image display device, it can prevent deterioration in visibility due to whitish while exhibiting excellent anti-glare performance, and is applied to a high-definition image display device Is providing an anti-glare treatment method for a transparent substrate that can exhibit high contrast without causing glare.

本発明の他の目的は、画像表示装置の表面に配置したときに、優れた防眩性能を示しながら、白ちゃけによる視認性の低下を防止することができるとともに、高精細の画像表示装置の表面に配置した場合においても、ギラツキを発生せずに高いコントラストを発現することができる防眩フィルムの製造方法を提供することである。   Another object of the present invention is to provide a high-definition image display device that can prevent deterioration in visibility due to whitish while exhibiting excellent anti-glare performance when placed on the surface of the image display device. The present invention also provides a method for producing an antiglare film that can exhibit high contrast without causing glare even when it is disposed on the surface.

本発明のさらに他の目的は、上記表示特性を兼備する防眩性が付与された画像表示装置を提供することである。本発明のさらに他の目的は、上記防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法において好適に用いられる金属金型の製造方法を提供することである。   Still another object of the present invention is to provide an image display device having antiglare properties having the above display characteristics. Still another object of the present invention is to provide a method for producing a metal mold which is suitably used in the above-described antiglare treatment method and antiglare film production method.

本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、画像や画像データ等からなる第1のパターンを作成した後、該第1のパターンに対し、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を少なくとも除去または低減するフィルタを適用することにより第2のパターンを作成し、該第2のパターンに基づき、透明基材上に凹凸形状を加工する方法によれば、加工再現性良く透明基材上に凹凸形状を付与することができるとともに、十分な防眩効果を発現し、かつ白ちゃけおよびギラツキの発生ならびにコントラストの低下が十分に抑制されることを見出した。また、上記フィルタとして、第1のパターンに含まれる空間周波数成分のうち、特定の下限値B’より低い空間周波数からなる低空間周波数成分を除去または低減し、該下限値B’以上の空間周波数からなる空間周波数成分(以下、該下限値B’を空間周波数範囲下限値B’とも称する。)を抽出するハイパスフィルタ、または、第1のパターンに含まれる空間周波数成分のうち、特定の下限値Bより低い空間周波数からなる低空間周波数成分および特定の上限値Tを超える空間周波数からなる高空間周波数成分を除去または低減し、該下限値Bから該上限値Tに至る特定の範囲の空間周波数からなる空間周波数成分(以下、当該特定の範囲の下限値Bおよび上限値Tを、それぞれ空間周波数範囲下限値B、空間周波数範囲上限値Tとも称する。)を抽出するバンドパスフィルタを好適に用いることができることを見出した。本発明はかかる知見に基づき、さらに種々の検討を加えて完成されたものである。   As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have created a first pattern composed of images, image data, etc., and then the spatial frequency is less than a specific value with respect to the first pattern. According to the method of creating the second pattern by applying a filter that at least removes or reduces a certain low spatial frequency component, and processing the concavo-convex shape on the transparent substrate based on the second pattern, processing reproduction The present inventors have found that a concavo-convex shape can be imparted on a transparent substrate with good performance, a sufficient antiglare effect is exhibited, and the occurrence of whitening and glare and the reduction in contrast are sufficiently suppressed. Further, as the filter, a low spatial frequency component having a spatial frequency lower than a specific lower limit value B ′ is removed or reduced from among the spatial frequency components included in the first pattern, and a spatial frequency equal to or higher than the lower limit value B ′ is obtained. A high-pass filter that extracts a spatial frequency component (hereinafter, the lower limit value B ′ is also referred to as a spatial frequency range lower limit value B ′) or a specific lower limit value among the spatial frequency components included in the first pattern A low spatial frequency component having a spatial frequency lower than B and a high spatial frequency component having a spatial frequency exceeding a specific upper limit T are removed or reduced, and a spatial frequency in a specific range from the lower limit B to the upper limit T (Hereinafter, the lower limit value B and the upper limit value T of the specific range are also referred to as the spatial frequency range lower limit value B and the spatial frequency range upper limit value T, respectively). .) Found that it is possible to suitably use a band-pass filter for extracting. The present invention has been completed based on such findings and further various studies.

本発明は、複数のドットがランダムに配置された、または明度分布が配置された第1のパターンに対し、第1のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を少なくとも除去または低減するフィルタを適用して第2のパターンを作成する工程と、第2のパターンを用いて、透明基材上に凹凸形状を加工する工程とを備える透明基材の防眩処理方法を提供する。   The present invention provides a low space in which a spatial frequency is less than a specific value from a spatial frequency component included in the first pattern with respect to the first pattern in which a plurality of dots are randomly arranged or the brightness distribution is arranged. Applying a filter that at least removes or reduces a frequency component to create a second pattern, and using the second pattern to process a concavo-convex shape on the transparent substrate A dazzling treatment method is provided.

上記フィルタとしては、第1のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分のみを除去または低減するハイパスフィルタを好ましく用いることができる。このハイパスフィルタは、第1のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が0.01μm-1未満である低空間周波数成分のみを除去または低減するものであることが好ましい。 As the filter, a high-pass filter that removes or reduces only a low spatial frequency component having a spatial frequency less than a specific value from the spatial frequency component included in the first pattern can be preferably used. This high-pass filter preferably removes or reduces only the low spatial frequency component having a spatial frequency of less than 0.01 μm −1 from the spatial frequency component included in the first pattern.

また、上記フィルタとして、第1のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を除去または低減するとともに、空間周波数が特定値を超える高空間周波数成分を除去または低減することにより、特定範囲の空間周波数成分を抽出するバンドパスフィルタを用いることも好ましい。   In addition, as the filter, a low spatial frequency component whose spatial frequency is less than a specific value is removed or reduced from a spatial frequency component included in the first pattern, and a high spatial frequency component whose spatial frequency exceeds a specific value is removed. Alternatively, it is also preferable to use a band pass filter that extracts a spatial frequency component in a specific range by reducing the frequency band.

本発明の防眩処理方法において、バンドパスフィルタの適用により抽出される上記特定範囲の空間周波数成分における空間周波数の下限値Bは、0.01μm-1以上であることが好ましく、上限値Tは、1/(D×2)μm-1以下であることが好ましい。ここで、D(μm)は、透明基材上に凹凸形状を加工する際に用いられる加工装置の分解能である。また、空間周波数の上限値Tおよび下限値Bは、下記式(1):
0.20 < 2×(T−B)/(T+B) < 0.80 (1)
を満たすことが好ましい。
In the anti-glare treatment method of the present invention, the lower limit B of the spatial frequency in the spatial frequency component in the specific range extracted by application of the bandpass filter is preferably 0.01 μm −1 or more, and the upper limit T is 1 / (D × 2) μm −1 or less. Here, D (μm) is the resolution of the processing apparatus used when processing the concavo-convex shape on the transparent substrate. The upper limit value T and the lower limit value B of the spatial frequency are expressed by the following formula (1):
0.20 <2 × (T−B) / (T + B) <0.80 (1)
It is preferable to satisfy.

上記第1のパターンとしては、たとえば、複数のドットをランダムに配置してなるパターンを好ましく用いることができる。   As the first pattern, for example, a pattern formed by randomly arranging a plurality of dots can be preferably used.

本発明の防眩処理方法は、上記第2のパターンにディザリング法を適用することにより、離散化された情報に変換された第3のパターンを作成する工程をさらに備えることが好ましい。この場合、上記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、第3のパターンを用いて行なわれる。ディザリング法としては、誤差拡散法を好ましく用いることができる。また、第3のパターンは、2段階に離散化された情報に変換されたパターンであることが好ましい。本発明の防眩処理方法における1つの好ましい実施形態においては、3ピクセル以上、6ピクセル以下の範囲に変換誤差を拡散させる誤差拡散法を適用することにより、第3のパターンを作成する。   The anti-glare treatment method of the present invention preferably further includes a step of creating a third pattern converted into discretized information by applying a dithering method to the second pattern. In this case, the step of processing the concavo-convex shape on the transparent substrate is performed using the third pattern. As the dithering method, an error diffusion method can be preferably used. The third pattern is preferably a pattern converted into information discretized in two stages. In one preferred embodiment of the anti-glare processing method of the present invention, the third pattern is created by applying an error diffusion method for diffusing a conversion error in a range of 3 pixels to 6 pixels.

本発明の防眩処理方法は、2段階に離散化された情報に変換された第3のパターンに対し、モンテカルロ法により孤立した黒、もしくは白ピクセルを移動させて第4のパターンを作成する工程をさらに備えることが好ましい。この場合、上記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、第4のパターンを用いて行なわれる。   The anti-glare processing method of the present invention is a process of creating a fourth pattern by moving isolated black or white pixels by the Monte Carlo method with respect to the third pattern converted into information discretized in two stages. It is preferable to further comprise. In this case, the step of processing the concavo-convex shape on the transparent substrate is performed using the fourth pattern.

上記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、第2のパターン、第3のパターンまたは第4のパターンを用いて、凹凸面を有する金型を作製し、該金型の凹凸面を透明基材上に転写する工程を含むことが好ましい。   The step of processing the concavo-convex shape on the transparent substrate is to produce a mold having a concavo-convex surface using the second pattern, the third pattern, or the fourth pattern, and the concavo-convex surface of the mold is transparent. It is preferable to include the process of transferring on a base material.

上記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、第3のパターンまたは第4のパターンが有する離散化された情報に基づいて加工を行なう加工装置を用いて行なわれることが好ましい。   The step of processing the concavo-convex shape on the transparent substrate is preferably performed using a processing apparatus that performs processing based on the discretized information of the third pattern or the fourth pattern.

また本発明は、複数のドットがランダムに配置された、または明度分布が配置された第1のパターンに対し、第1のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を少なくとも除去または低減するフィルタを適用して第2のパターンを作成する工程と、第2のパターンを用いて、透明基材上に凹凸形状を加工する工程とを備える防眩フィルムの製造方法を提供する。   Further, according to the present invention, the spatial frequency is less than a specific value from the spatial frequency component included in the first pattern with respect to the first pattern in which a plurality of dots are randomly arranged or the brightness distribution is arranged. An anti-glare film comprising a step of creating a second pattern by applying a filter that at least removes or reduces a spatial frequency component, and a step of processing a concavo-convex shape on a transparent substrate using the second pattern A manufacturing method is provided.

上記フィルタとしては、第1のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分のみを除去または低減するハイパスフィルタを好ましく用いることができる。このハイパスフィルタは、第1のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が0.01μm-1未満である低空間周波数成分のみを除去または低減するものであることが好ましい。 As the filter, a high-pass filter that removes or reduces only a low spatial frequency component having a spatial frequency less than a specific value from the spatial frequency component included in the first pattern can be preferably used. This high-pass filter preferably removes or reduces only the low spatial frequency component having a spatial frequency of less than 0.01 μm −1 from the spatial frequency component included in the first pattern.

また、上記フィルタとして、第1のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を除去または低減するとともに、空間周波数が特定値を超える高空間周波数成分を除去または低減することにより、特定範囲の空間周波数成分を抽出するバンドパスフィルタを用いることも好ましい。   In addition, as the filter, a low spatial frequency component whose spatial frequency is less than a specific value is removed or reduced from a spatial frequency component included in the first pattern, and a high spatial frequency component whose spatial frequency exceeds a specific value is removed. Alternatively, it is also preferable to use a band pass filter that extracts a spatial frequency component in a specific range by reducing the frequency band.

本発明の防眩フィルムの製造方法において、バンドパスフィルタの適用により抽出される上記特定範囲の空間周波数成分における空間周波数の下限値Bは、0.01μm-1以上であることが好ましく、上限値Tは、1/(D×2)μm-1以下であることが好ましい。Dは上記と同じ意味である。また、空間周波数の上限値Tおよび下限値Bは、下記式(1):
0.20 < 2×(T−B)/(T+B) < 0.80 (1)
を満たすことが好ましい。
In the method for producing an antiglare film of the present invention, the lower limit B of the spatial frequency in the spatial frequency component of the specific range extracted by application of the bandpass filter is preferably 0.01 μm −1 or more, and the upper limit. T is preferably 1 / (D × 2) μm −1 or less. D has the same meaning as above. The upper limit value T and the lower limit value B of the spatial frequency are expressed by the following formula (1):
0.20 <2 × (T−B) / (T + B) <0.80 (1)
It is preferable to satisfy.

上記第1のパターンとしては、たとえば、複数のドットをランダムに配置してなるパターンを好ましく用いることができる。   As the first pattern, for example, a pattern formed by randomly arranging a plurality of dots can be preferably used.

本発明の防眩フィルムの製造方法は、上記第2のパターンにディザリング法を適用することにより、離散化された情報に変換された第3のパターンを作成する工程をさらに備えることが好ましい。この場合、上記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、第3のパターンを用いて行なわれる。ディザリング法としては、誤差拡散法を好ましく用いることができる。また、第3のパターンは、2段階に離散化された情報に変換されたパターンであることが好ましい。本発明の製造方法における1つの好ましい実施形態においては、3ピクセル以上、6ピクセル以下の範囲に変換誤差を拡散させる誤差拡散法を適用することにより、第3のパターンを作成する。   The method for producing an antiglare film of the present invention preferably further includes a step of creating a third pattern converted into discretized information by applying a dithering method to the second pattern. In this case, the step of processing the concavo-convex shape on the transparent substrate is performed using the third pattern. As the dithering method, an error diffusion method can be preferably used. The third pattern is preferably a pattern converted into information discretized in two stages. In one preferred embodiment of the manufacturing method of the present invention, the third pattern is created by applying an error diffusion method in which a conversion error is diffused in a range of 3 pixels or more and 6 pixels or less.

本発明の防眩フィルムの製造方法は、2段階に離散化された情報に変換された第3のパターンに対し、モンテカルロ法により孤立した黒、もしくは白ピクセルを移動させて第4のパターンを作成する工程をさらに備えることが好ましい。この場合、上記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、第4のパターンを用いて行なわれる。   The anti-glare film manufacturing method of the present invention creates a fourth pattern by moving isolated black or white pixels by the Monte Carlo method with respect to the third pattern converted into information discretized in two stages. It is preferable to further include the step of performing. In this case, the step of processing the concavo-convex shape on the transparent substrate is performed using the fourth pattern.

上記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、第2のパターン、第3のパターンまたは第4のパターンを用いて、凹凸面を有する金型を作製し、該金型の凹凸面を透明基材上に転写する工程を含むことが好ましい。   The step of processing the concavo-convex shape on the transparent substrate is to produce a mold having a concavo-convex surface using the second pattern, the third pattern, or the fourth pattern, and the concavo-convex surface of the mold is transparent. It is preferable to include the process of transferring on a base material.

上記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、第3のパターンまたは第4のパターンが有する離散化された情報に基づいて加工を行なう加工装置を用いて行なわれることが好ましい。   The step of processing the concavo-convex shape on the transparent substrate is preferably performed using a processing apparatus that performs processing based on the discretized information of the third pattern or the fourth pattern.

さらに本発明は、上記本発明の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法に好適に用いられる金型の製造方法を提供する。本発明の金型の製造方法は、金型用基材の表面に銅めっきまたはニッケルめっきを施す第1めっき工程と、第1めっき工程によってめっきが施された表面を研磨する研磨工程と、研磨された面に感光性樹脂膜を形成する感光性樹脂膜形成工程と、感光性樹脂膜上に上記第2のパターン、第3のパターンまたは第4のパターンを露光する露光工程と、第2のパターン、第3のパターンまたは第4のパターンが露光された感光性樹脂膜を現像する現像工程と、現像された感光性樹脂膜をマスクとして用いてエッチング処理を行ない、研磨されためっき面に凹凸を形成する第1エッチング工程と、感光性樹脂膜を剥離する感光性樹脂膜剥離工程と、形成された凹凸面にクロムめっきを施す第2めっき工程とを含む。   Furthermore, this invention provides the manufacturing method of the metal mold | die suitably used for the anti-glare processing method of the said invention, and the manufacturing method of an anti-glare film. The mold manufacturing method of the present invention includes a first plating step for performing copper plating or nickel plating on the surface of a mold base, a polishing step for polishing a surface plated by the first plating step, and polishing. A photosensitive resin film forming step for forming a photosensitive resin film on the formed surface, an exposure step for exposing the second pattern, the third pattern, or the fourth pattern on the photosensitive resin film; A development process for developing the photosensitive resin film on which the pattern, the third pattern or the fourth pattern is exposed, and an etching process using the developed photosensitive resin film as a mask, and the polished plated surface is uneven. A first etching step for forming the photosensitive resin film, a photosensitive resin film peeling step for peeling the photosensitive resin film, and a second plating step for performing chromium plating on the formed uneven surface.

本発明の金型の製造方法は、感光性樹脂膜剥離工程と第2めっき工程との間に、第1エッチング工程によって形成された凹凸面の凹凸形状をエッチング処理によって鈍らせる第2エッチング工程を含むことが好ましい。   The mold manufacturing method of the present invention includes a second etching step in which the uneven shape of the uneven surface formed by the first etching step is blunted by an etching process between the photosensitive resin film peeling step and the second plating step. It is preferable to include.

第2めっき工程において形成されるクロムめっきが施された凹凸面が、透明基材上に転写される金型の凹凸面であることが好ましい。すなわち、第2のめっき工程後に表面を研磨する工程を設けることなく、クロムめっきが施された凹凸面を、そのまま透明基材上に転写される金型の凹凸面として用いることが好ましい。   It is preferable that the concavo-convex surface formed with the chromium plating formed in the second plating step is the concavo-convex surface of the mold transferred onto the transparent substrate. That is, it is preferable to use the concavo-convex surface subjected to chrome plating as the concavo-convex surface of the mold transferred onto the transparent substrate without providing a step of polishing the surface after the second plating step.

第2めっき工程におけるクロムめっきにより形成されるクロムめっき層は、1〜10μmの厚みを有することが好ましい。   The chromium plating layer formed by chromium plating in the second plating step preferably has a thickness of 1 to 10 μm.

さらに本発明によれば、上記本発明の防眩処理方法により、画像表示装置が備える透明基材の表面に防眩処理を施す画像表示装置の防眩処理方法および、上記本発明の防眩フィルムの製造方法により得られる防眩フィルムを備える画像表示装置が提供される。   Furthermore, according to the present invention, the antiglare treatment method for an image display device, wherein the antiglare treatment method of the present invention performs antiglare treatment on the surface of a transparent substrate provided in the image display device, and the antiglare film of the present invention. An image display apparatus provided with the anti-glare film obtained by this manufacturing method is provided.

本発明によれば、画像表示装置に適用したときに、優れた防眩性能を示しながら、白ちゃけによる視認性の低下を防止することができるとともに、高精細の画像表示装置に適用した場合においても、ギラツキを発生せずに高いコントラストを発現することができる透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムを提供することができる。また、本発明によれば、上記優れた表示特性をもたらす凹凸形状を、透明基材上に加工再現性良く形成することができる。また本発明の方法により得られる金型を用いることにより、本発明の防眩処理方法の実施および防眩フィルムの製造を生産性良く行なうことができる。本発明の透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法によれば、上記優れた表示特性を兼備する画像表示装置を提供することが可能となる。   According to the present invention, when applied to an image display device, it is possible to prevent deterioration in visibility due to whitish while exhibiting excellent anti-glare performance, and when applied to a high-definition image display device Can provide an antiglare treatment method and an antiglare film for a transparent substrate, which can exhibit high contrast without causing glare. Further, according to the present invention, it is possible to form the concavo-convex shape that provides the excellent display characteristics on the transparent substrate with good process reproducibility. Moreover, by using the metal mold | die obtained by the method of this invention, implementation of the anti-glare processing method of this invention and manufacture of an anti-glare film can be performed with high productivity. According to the antiglare treatment method for a transparent substrate and the method for producing an antiglare film of the present invention, it is possible to provide an image display device having the above excellent display characteristics.

本発明の透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法に用いられ得る、ドットを多数ランダムに配置して作成した第1のパターンの好ましい一例を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows a preferable example of the 1st pattern which can be used for the anti-glare processing method of the transparent base material of this invention, and the manufacturing method of an anti-glare film, and arrange | positioned many dots at random. 本発明の透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法に用いられ得る、乱数により濃淡を決定したラスタイメージからなる第1のパターンの好ましい一例を示す図である。It is a figure which shows a preferable example of the 1st pattern which consists of the raster image which determined the light and shade by the random number which can be used for the glare-proofing method of the transparent base material of this invention, and the manufacturing method of a glare-proof film. 図2に示される第1のパターンの一部を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows a part of 1st pattern shown by FIG. ドットを多数ランダムに配置して作成した第1のパターン(ランダムドットパターン)より得られる二次元配列を高速フーリエ変換(FFT)により空間周波数領域に変換して得られる空間周波数分布の一例と、乱数により濃淡を決定したラスタイメージ(乱数ラスタイメージ)からなる第1のパターンより得られる二次元配列をFFTにより空間周波数領域に変換して得られる空間周波数分布の一例とを比較する図である。An example of a spatial frequency distribution obtained by converting a two-dimensional array obtained from a first pattern (random dot pattern) created by randomly arranging dots into a spatial frequency domain by fast Fourier transform (FFT), and a random number It is a figure which compares with an example of the spatial frequency distribution obtained by transforming the two-dimensional arrangement | sequence obtained from the 1st pattern which consists of the raster image (random number raster image) which determined the lightness and darkness by FFT to a spatial frequency domain. 図1に示される第1のパターンより得られる二次元配列をFFTにより空間周波数領域に変換して得られた二次元的な空間周波数分布を示す図である。It is a figure which shows the two-dimensional spatial frequency distribution obtained by converting the two-dimensional arrangement | sequence obtained from the 1st pattern shown by FIG. 1 into a spatial frequency domain by FFT. 図4の点線で示される空間周波数分布に対し、振幅の補正を行なった結果の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the result of having performed amplitude correction | amendment with respect to the spatial frequency distribution shown with the dotted line of FIG. ハイパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域(透過帯域)における透過帯域の形状の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the shape of the transmission band in the spatial frequency band (transmission band) extracted by application of a high pass filter. ハイパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域(透過帯域)における透過帯域ピークの形状の他の一例を示す図である。It is a figure which shows another example of the shape of the transmission band peak in the spatial frequency band (transmission band) extracted by application of a high pass filter. ハイパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域(透過帯域)における透過帯域ピークの形状の他の一例を示す図である。It is a figure which shows another example of the shape of the transmission band peak in the spatial frequency band (transmission band) extracted by application of a high pass filter. バンドパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域(透過帯域)における透過帯域ピークの形状の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the shape of the transmission band peak in the spatial frequency band (transmission band) extracted by application of a band pass filter. バンドパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域(透過帯域)における透過帯域ピークの形状の他の一例を示す図である。It is a figure which shows another example of the shape of the transmission band peak in the spatial frequency band (transmission band) extracted by application of a band pass filter. バンドパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域(透過帯域)における透過帯域ピークの形状の他の一例を示す図である。It is a figure which shows another example of the shape of the transmission band peak in the spatial frequency band (transmission band) extracted by application of a band pass filter. バンドパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域(透過帯域)における透過帯域ピークの形状の他の一例を示す図である。It is a figure which shows another example of the shape of the transmission band peak in the spatial frequency band (transmission band) extracted by application of a band pass filter. バンドパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域(透過帯域)における透過帯域ピークの形状の他の一例を示す図である。It is a figure which shows another example of the shape of the transmission band peak in the spatial frequency band (transmission band) extracted by application of a band pass filter. 図5に示される空間周波数分布を有する第1のパターンに対して、バンドパスフィルタを適用した後の二次元的な空間周波数分布の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the two-dimensional spatial frequency distribution after applying a band pass filter with respect to the 1st pattern which has the spatial frequency distribution shown by FIG. 図1に示される第1のパターンにバンドパスフィルタを適用して作成された第2のパターンの一例を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows an example of the 2nd pattern produced by applying a band pass filter to the 1st pattern shown by FIG. 2×(T−B)/(T+B)の値と、バンドパスフィルタの適用により得られた第2のパターンを閾値法によって二値化して得られる自己相関係数最大値との関係を示す図である。The figure which shows the relationship between the value of 2 * (T-B) / (T + B) and the autocorrelation coefficient maximum value obtained by binarizing the 2nd pattern obtained by application of a band pass filter by the threshold method. It is. 2×(T−B)/(T+B)の値と、バンドパスフィルタの適用により得られた第2のパターンを閾値法によって二値化して得られるパターンの孤立小ドットの発生個数との関係を示す図である。The relationship between the value of 2 × (T−B) / (T + B) and the number of isolated small dots generated in the pattern obtained by binarizing the second pattern obtained by application of the bandpass filter by the threshold method. FIG. 図16に示される画像データについてグレイスケールインデックスのヒストグラムを解析することにより得られたグレイスケールインデックスの累積率の分布を示す図である。It is a figure which shows distribution of the accumulation rate of the gray scale index obtained by analyzing the histogram of a gray scale index about the image data shown by FIG. 閾値法により二値化された第2のパターンの一例を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows an example of the 2nd pattern binarized by the threshold value method. 図20に示される二値化された第2のパターンより得られる二次元配列を高速フーリエ変換(FFT)により空間周波数領域に変換して得られる空間周波数分布を示す図である。FIG. 21 is a diagram showing a spatial frequency distribution obtained by converting the two-dimensional array obtained from the binarized second pattern shown in FIG. 20 into a spatial frequency domain by fast Fourier transform (FFT). 一般に知られる誤差拡散マトリクスにおける変換誤差の拡散の重み付けを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the weighting of the spreading | diffusion of the conversion error in the generally known error diffusion matrix. Floyd & Steinbergのマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第3のパターンの一例を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows an example of the 3rd pattern obtained by application of the error diffusion method according to the matrix of Floyd & Steinberg. Jarvis,Judis and Ninkのマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第3のパターンの一例を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows a part of an example of the 3rd pattern obtained by application of the error diffusion method according to the matrix of Jarvis, Judis and Nink. Stuckiのマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第3のパターンの一例を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows an example of the 3rd pattern obtained by application of the error diffusion method according to a Stucki matrix partially. Sierra 3 Lineのマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第3のパターンの一例を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows an example of the 3rd pattern obtained by application of the error diffusion method according to the matrix of Sierra 3 Line. Sierra 2 Lineのマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第3のパターンの一例を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and partially shows an example of the 3rd pattern obtained by application of the error diffusion method according to the matrix of Sierra 2 Line. Sierra Filter Liteのマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第3のパターンの一例を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows an example of the 3rd pattern obtained by application of the error diffusion method according to the matrix of Sierra Filter Lite. Burksのマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第3のパターンの一例を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows an example of the 3rd pattern obtained by application of the error diffusion method according to a Burks matrix partially. Stevenson & Archeのマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第3のパターンの一例を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows an example of the 3rd pattern obtained by application of the error diffusion method according to Stevenson & Arche's matrix partially. 図23〜30に示される第3のパターンの作成に用いた第2のパターンを一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows a part of 2nd pattern used for preparation of the 3rd pattern shown by FIGS. 図23〜30に示される、各種マトリクスに従う誤差拡散法により二値化された第3のパターンの空間周波数分布と、閾値法により二値化されたパターンの空間周波数分布とを比較する図である。It is a figure which compares the spatial frequency distribution of the 3rd pattern binarized by the error diffusion method according to various matrices shown by FIGS. 23-30, and the spatial frequency distribution of the pattern binarized by the threshold value method. . 一般に知られている誤差拡散マトリクスに従う誤差拡散法の適用により第3のパターンを作成したときに発生する孤立ドットの発生個数を、閾値法により作成した場合と比較する図である。FIG. 10 is a diagram for comparing the number of isolated dots generated when a third pattern is created by applying an error diffusion method according to a generally known error diffusion matrix as compared with a case where the number of isolated dots is created by a threshold method. 拡散距離が1である誤差拡散マトリクスの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the error diffusion matrix whose diffusion distance is 1. 拡散距離が2である誤差拡散マトリクスの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the error diffusion matrix whose diffusion distance is 2. 拡散距離が3である誤差拡散マトリクスの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the error diffusion matrix whose diffusion distance is 3. 拡散距離が4である誤差拡散マトリクスの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the error diffusion matrix whose diffusion distance is 4. 拡散距離が5である誤差拡散マトリクスの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the error diffusion matrix whose diffusion distance is 5. 拡散距離が6である誤差拡散マトリクスの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the error diffusion matrix whose diffusion distance is 6. 拡散距離が3+4である誤差拡散マトリクスの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the error diffusion matrix whose diffusion distance is 3 + 4. 拡散距離が4+5である誤差拡散マトリクスの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the error diffusion matrix whose diffusion distance is 4 + 5. 拡散距離が3+4+5である誤差拡散マトリクスの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the error diffusion matrix whose diffusion distance is 3 + 4 + 5. 図34に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第3のパターンの一例を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows an example of the 3rd pattern obtained by application of the error diffusion method according to the matrix shown in FIG. 34 partially. 図35に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第3のパターンの一例を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows an example of the 3rd pattern obtained by application of the error diffusion method according to the matrix shown in FIG. 図36に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第3のパターンの一例を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows an example of the 3rd pattern obtained by application of the error diffusion method according to the matrix shown in FIG. 図37に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第3のパターンの一例を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows an example of the 3rd pattern obtained by application of the error diffusion method according to the matrix shown in FIG. 37 partially. 図38に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第3のパターンの一例を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows an example of the 3rd pattern obtained by application of the error diffusion method according to the matrix shown in FIG. 38 partially. 図39に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第3のパターンの一例を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows an example of the 3rd pattern obtained by application of the error diffusion method according to the matrix shown in FIG. 39 partially. 図40に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第3のパターンの一例を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows an example of the 3rd pattern obtained by application of the error diffusion method according to the matrix shown in FIG. 40 partially. 図41に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第3のパターンの一例を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows an example of the 3rd pattern obtained by application of the error diffusion method according to the matrix shown in FIG. 41 partially. 図42に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第3のパターンの一例を一部拡大して示す図である。FIG. 43 is a diagram showing a partially enlarged example of a third pattern obtained by applying the error diffusion method according to the matrix shown in FIG. 42. 図34〜42に示される誤差拡散マトリクスに従う誤差拡散法の適用により第3のパターンを作成したときに発生する孤立ドットの発生個数を、閾値法により作成した場合と比較する図である。FIG. 43 is a diagram for comparing the number of isolated dots generated when a third pattern is generated by applying an error diffusion method according to the error diffusion matrix shown in FIGS. 図34〜42に示される誤差拡散マトリクスに従う誤差拡散法により二値化された図43〜51の第3のパターンの空間周波数分布と、閾値法により二値化されたパターンの空間周波数分布とを比較する図である。The spatial frequency distribution of the third pattern of FIGS. 43 to 51 binarized by the error diffusion method according to the error diffusion matrix shown in FIGS. 34 to 42 and the spatial frequency distribution of the pattern binarized by the threshold method. It is a figure to compare. モンテカルロ法による孤立ドットの処理方法の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the processing method of the isolated dot by a Monte Carlo method. モンテカルロ法適用回数による第4のパターンの変化を示す図である。It is a figure which shows the change of the 4th pattern by the Monte Carlo method application frequency. モンテカルロ法適用回数と孤立ドットの発生個数との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the number of times of applying a Monte Carlo method and the number of isolated dots generated. 本発明の金型の製造方法の前半部分の好ましい一例を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a preferable example of the first half part of the manufacturing method of the metal mold | die of this invention. 本発明の金型の製造方法の後半部分の好ましい一例を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a preferable example of the second half part of the manufacturing method of the metal mold | die of this invention. 第1エッチング工程においてサイドエッチングが進行する状態を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the state which side etching advances in a 1st etching process. 第1エッチング工程によって形成された凹凸面が第2エッチング工程によって鈍る状態を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the state where the uneven surface formed by the 1st etching process dulls by the 2nd etching process. 実施例1で使用した単位パターンを一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the unit pattern used in Example 1 partially. 実施例1〜3の単位パターンの作成に用いた第1のパターンを一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the 1st pattern used for preparation of the unit pattern of Examples 1-3. 実施例2で使用した単位パターンを一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the unit pattern used in Example 2 partially. 実施例3で使用した単位パターンを一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the unit pattern used in Example 3 partially. 比較例1で使用した単位パターンを一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the unit pattern used in the comparative example 1 partially. 比較例2で使用した単位パターンを一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the unit pattern used in the comparative example 2 partially. 実施例4で使用した単位パターンを一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the unit pattern used in Example 4 partially. 実施例1〜3で用いた単位パターンの空間周波数分布を示す図である。It is a figure which shows the spatial frequency distribution of the unit pattern used in Examples 1-3. 比較例1〜2で用いた単位パターンの空間周波数分布を示す図である。It is a figure which shows the spatial frequency distribution of the unit pattern used in Comparative Examples 1-2. 実施例4で用いた単位パターンの空間周波数分布を示す図である。It is a figure which shows the spatial frequency distribution of the unit pattern used in Example 4. FIG. 実施例5で使用した単位パターンを一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the unit pattern used in Example 5 partially. 実施例5で用いた単位パターンの空間周波数分布を示す図である。It is a figure which shows the spatial frequency distribution of the unit pattern used in Example 5. FIG. ギラツキの評価方法を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the evaluation method of glare. 実施例6で使用する単位パターンを一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the unit pattern used in Example 6 partially. 実施例7で使用する単位パターンを一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the unit pattern used in Example 7 partially. 図74に示されるパターンの空間周波数分布と、図75に示されるパターンの空間周波数分布とを比較する図である。74 is a diagram comparing the spatial frequency distribution of the pattern shown in FIG. 74 with the spatial frequency distribution of the pattern shown in FIG. 実施例8で使用する単位パターンを一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the unit pattern used in Example 8 partially. 実施例9で使用する単位パターンを一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the unit pattern used in Example 9 partially. 図77に示されるパターンの空間周波数分布と、図78に示されるパターンの空間周波数分布とを比較する図である。78 is a diagram comparing the spatial frequency distribution of the pattern shown in FIG. 77 with the spatial frequency distribution of the pattern shown in FIG. 78. FIG. パターン1の作成に用いた第1のパターンAを一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the 1st pattern A used for preparation of the pattern 1 partially. パターン1を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the pattern 1 partially. パターン2を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the pattern 2 partially. パターン3を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the pattern 3 partially. パターン4の作成に用いた第1のパターンBを一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the 1st pattern B used for preparation of the pattern 4 partially. パターン4を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the pattern 4 partially. パターン5を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the pattern 5 partially. パターン6を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the pattern 6 partially. パターン7の作成に用いた第1のパターンCを一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the 1st pattern C used for preparation of the pattern 7 partially. パターン7を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the pattern 7 partially. パターン8を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the pattern 8 partially. パターン9を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the pattern 9 partially. パターン10の作成に用いた第1のパターンDを一部拡大して示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a partially enlarged view of a first pattern D used to create a pattern 10. パターン10を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the pattern 10 partially. パターン11を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the pattern 11 partially. パターン12を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the pattern 12 partially. パターン13の作成に用いた第1のパターンEを一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the 1st pattern E used for preparation of the pattern 13 partially. パターン13を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the pattern 13 partially. パターン14を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the pattern 14 partially. パターン15を一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the pattern 15 partially. 第1のパターンA〜Eの空間周波数分布を示す図である。It is a figure which shows the spatial frequency distribution of 1st pattern AE. パターン1〜3の空間周波数分布を示す図である。It is a figure which shows the spatial frequency distribution of the patterns 1-3. パターン4〜6の空間周波数分布を示す図である。It is a figure which shows the spatial frequency distribution of the patterns 4-6. パターン7〜9の空間周波数分布を示す図である。It is a figure which shows the spatial frequency distribution of the patterns 7-9. パターン10〜12の空間周波数分布を示す図である。It is a figure which shows the spatial frequency distribution of the patterns 10-12. パターン13〜15の空間周波数分布を示す図である。It is a figure which shows the spatial frequency distribution of the patterns 13-15. パターンの作製方法の違いによる低空間周波数成分の低減の程度をまとめた図である。It is the figure which put together the grade of the reduction | decrease of the low spatial frequency component by the difference in the production methods of a pattern. パターンの作製方法と孤立ドット発生個数との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the production method of a pattern, and the number of isolated dots generated. 明度分布をランダムに配置した第1のパターンを一部拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the 1st pattern which has arrange | positioned the brightness distribution at random. 図108に示される第1のパターンに対し、ハイパスフィルタの適用および閾値法による二値化を行なって得られたパターンを一部拡大して示す図である。FIG. 109 is a diagram showing a partially enlarged pattern obtained by applying a high-pass filter and binarization by a threshold method with respect to the first pattern shown in FIG. 108. 図108に示される第1のパターンに対し、ハイパスフィルタの適用および誤差拡散法による二値化を行なって得られたパターンを一部拡大して示す図である。FIG. 109 is a diagram showing a partially enlarged pattern obtained by applying a high-pass filter and binarization by an error diffusion method to the first pattern shown in FIG. 108. 図108に示される第1のパターンに対し、ハイパスフィルタの適用、誤差拡散法による二値化およびモンテカルロ法の適用を行なって得られたパターンを一部拡大して示す図である。FIG. 109 is a diagram showing a partially enlarged pattern obtained by applying a high-pass filter, binarization using an error diffusion method, and applying a Monte Carlo method to the first pattern shown in FIG. 108. 図109〜111に示されるパターンの孤立ドット発生個数を示す図である。FIG. 111 is a diagram showing the number of isolated dots generated in the patterns shown in FIGS. 図108〜111に示されるパターンの空間周波数分布を比較する図である。It is a figure which compares the spatial frequency distribution of the pattern shown by FIGS.

<透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法>
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。本発明の透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法においては、透明基材上に、特定の空間周波数分布を持つ微細な凹凸形状を形成するために、たとえばドットを多数ランダムに配置したパターンや明度分布を配置したパターンなどからなる第1のパターンを作成した後、第1のパターンに、第1のパターンに含まれる空間周波数成分から空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を少なくとも除去または低減する、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタ等のフィルタを適用して第2のパターンを作成し、得られた第2のパターンを用いて、透明基材上に凹凸形状を加工することを特徴とする。また、後述するように、得られた第2のパターンをディザリング法によって離散化された情報に変換した第3のパターン、もしくは、二値化された第3のパターンに含まれる孤立ドットをモンテカルロ法によって処理した第4のパターンを用いて、透明基材上に凹凸形状を加工することも好ましい。このように、本発明では、第2のパターン、第3のパターンまたは第4のパターンを用いて、透明基材上に微細凹凸形状を付与する。
<Anti-glare treatment method for transparent substrate and method for producing anti-glare film>
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. In the anti-glare treatment method and the anti-glare film manufacturing method of the transparent substrate of the present invention, for example, in order to form a fine uneven shape having a specific spatial frequency distribution on the transparent substrate, a large number of dots are randomly formed. A low spatial frequency in which the spatial frequency is less than a specific value from the spatial frequency component included in the first pattern after creating the first pattern composed of the disposed pattern, the pattern in which the brightness distribution is disposed, and the like. A second pattern is created by applying a filter such as a high-pass filter or a band-pass filter that at least removes or reduces components, and the uneven shape is processed on the transparent substrate using the obtained second pattern. It is characterized by that. Further, as will be described later, an isolated dot included in a third pattern obtained by converting the obtained second pattern into information discretized by a dithering method or a binarized third pattern is converted into a Monte Carlo. It is also preferable to process the concavo-convex shape on the transparent substrate using the fourth pattern processed by the method. Thus, in this invention, a fine uneven | corrugated shape is provided on a transparent base material using a 2nd pattern, a 3rd pattern, or a 4th pattern.

透明基材に防眩性を付与するための手段または防眩フィルムを作製するための手段としては、透明基材中に粒子を分散させる方法が従来知られているが、ハイパスフィルタもしくはバンドパスフィルタ等の適用により、低空間周波数成分が除去または低減されたパターンを用いた本発明の方法によれば、このような従来の方法では実現することが不可能な低空間周波数成分が抑制された独特の表面形状を与える防眩処理を実現できる。本発明の透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法によれば、加工再現性良く透明基材上に凹凸形状を付与することができるとともに、十分な防眩効果を発現し、かつ白ちゃけおよびギラツキの発生ならびにコントラストの低下が十分に抑制された画像表示装置を得ることができる。また、バンドパスフィルタを適用した場合、凹凸加工が困難な高空間周波数成分が抑制されるため、透明基材表面の加工における凹凸の再現性をより向上させることができる。   As a means for imparting antiglare properties to a transparent substrate or a means for producing an antiglare film, a method of dispersing particles in a transparent substrate is conventionally known. According to the method of the present invention using the pattern in which the low spatial frequency component is removed or reduced by applying the above, the low spatial frequency component that cannot be realized by such a conventional method is suppressed. It is possible to realize an anti-glare treatment that gives the surface shape. According to the antiglare treatment method and the antiglare film production method of the transparent substrate of the present invention, it is possible to impart an uneven shape on the transparent substrate with good process reproducibility, and a sufficient antiglare effect is expressed. In addition, it is possible to obtain an image display device in which generation of whitishness and glare and reduction in contrast are sufficiently suppressed. Moreover, when a band pass filter is applied, since the high spatial frequency component which is difficult to process unevenness is suppressed, the reproducibility of unevenness in processing of the transparent substrate surface can be further improved.

ここで、「第1〜第4のパターン」における「パターン」とは、画像、画像データ、離散化された情報の二次元配列、またはプレートに配置された開口の配列を意味する。   Here, the “pattern” in the “first to fourth patterns” means a two-dimensional array of images, image data, discretized information, or an array of openings arranged on a plate.

上記画像データは、ラスタ形式の画像データ(ラスタイメージ)であってもよいし、ベクトル形式の画像データ(ベクタイメージ)であってもよい。ラスタイメージとは、画像を色のついたドット(点)の羅列として表現したデータである。ラスタイメージでは、各ドットの色の情報は数値で保存されている。このようなラスタイメージを保存するフォーマットとしては各種存在するが、特に一般的なものとして、たとえばビットマップが挙げられる。ビットマップとしては、赤、緑、青の強さをそれぞれ8ビット深度で表した24ビットカラービットマップ、明度を8ビット深度256段階で表した8ビットグレースケールビットマップが特に広く用いられている。   The image data may be raster format image data (raster image) or vector format image data (vector image). A raster image is data that represents an image as an array of colored dots (points). In the raster image, the color information of each dot is stored as a numerical value. There are various formats for storing such raster images, and a particularly common format is, for example, a bitmap. As the bitmap, a 24-bit color bitmap in which red, green, and blue intensities are each represented by an 8-bit depth, and an 8-bit grayscale bitmap in which lightness is represented by 256 stages in an 8-bit depth are particularly widely used. .

ラスタイメージを保存するフォーマットとしては、ビットマップの他、圧縮アルゴリズム等が適用された画像データであるPNG(Portable Network Graphics)、TIFF(Tagged Image File Format)、JPEG、GIF(Graphics Interchange Format)など各種フォーマットを挙げることができる。   As a format for storing a raster image, various types of data such as bitmap (Portable Network Graphics), TIFF (Tagged Image File Format), JPEG, and GIF (Graphics Interchange Format) are applied in addition to a bitmap. List formats.

ベクタイメージにおいては、線の起終点の座標(位置)、曲線であればその曲がり方、太さ、色、それら線に囲まれた面の色などの情報が数値で保存される。これらの数値データの集合、あるいは、円の半径や中心座標、多角形の各頂点座標などを記録したものもベクタイメージに含まれる。   In the vector image, information such as the coordinates (position) of the starting and ending points of the line, the bending method, thickness, color, and color of the surface surrounded by the lines are stored as numerical values. A vector image includes a set of these numerical data, or a record of the radius and center coordinates of a circle, the vertex coordinates of a polygon, and the like.

ベクタイメージを保存するフォーマットとしては、特に一般的なものとして、DXF(Drawing Interchange File)、SVG(Scalable Vector Graphics)が例示される。ただし、本発明においてベクタイメージは、上記定義に属するものであればよく、これらの例示された形式に限定されるものではない。また、ベクタイメージは二次元に限るものではなく、三次元の情報を有するものであってもよい。   As formats for storing vector images, DXF (Drawing Interchange File) and SVG (Scalable Vector Graphics) are particularly exemplified. However, in the present invention, the vector image only needs to belong to the above definition, and is not limited to these exemplified formats. Further, the vector image is not limited to two dimensions, and may have three-dimensional information.

また、ベクタイメージのうち、閉じた円や多角形の配列を有するものは、上記の「プレートに配置された開口の配列」に、容易に置き換えることが可能である。   Further, a vector image having a closed circle or polygonal arrangement can be easily replaced with the above-described “array of openings arranged on a plate”.

本発明におけるパターンは、上記のように画像または画像データとして取り扱われるものに限らず、離散化された情報の二次元配列として与えられるものであってもよい。離散化された情報を保存する方法としては、浮動小数点(たとえば、64ビット浮動小数点)、整数(たとえば、符号付32ビット整数、符号なし16ビット整数)などの各種形式を挙げることができる。   The pattern in the present invention is not limited to an image or image data handled as described above, but may be a pattern provided as a two-dimensional array of discretized information. Various methods such as floating point (for example, 64-bit floating point) and integer (for example, signed 32-bit integer and unsigned 16-bit integer) can be used as methods for storing the discretized information.

(第1のパターンの作成)
第1のパターンとしては、上記で定義したパターンの中から任意のものを用いることができ、濃淡あるいは数値の変化を有する任意のパターンであってよい。より具体的には、たとえば、画像の全範囲にわたって複数のドットを配置した画像データ(黒地に白のドットを複数配置した、あるいは白地に黒のドットを複数配置した画像データなど);濃淡の変化を有するパターンなどの明度分布を有するパターン;離散化された情報の二次元配列などを挙げることができ、また、第1のパターンに対してハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタ等のフィルタを適用する際(この点については後述する)、光学的な手法でフーリエ変換を行なう場合には、開口が配置されたプレートであってもよい。さらに、パターンが形成された写真乾板(乾板)や透明基材に部分的にトナーを付着させたものも、第1のパターンとして用い得る。画像データにおけるドットの配置、明度分布およびプレートにおける開口の配置等は、規則的であってもランダム(不規則)であってもよいが、空間周波数領域において、広い範囲に振幅を有するとともに、規則性が低い凹凸形状加工用パターンが得られることから、ランダムな配置とすることが好ましい。
(Creation of the first pattern)
As the first pattern, any of the patterns defined above can be used, and may be an arbitrary pattern having a change in shading or numerical values. More specifically, for example, image data in which a plurality of dots are arranged over the entire range of the image (image data in which a plurality of white dots are arranged on a black background or a plurality of black dots are arranged on a white background); A pattern having a lightness distribution, such as a pattern having a two-dimensional array of discretized information, and when applying a filter such as a high-pass filter or a band-pass filter to the first pattern ( This point will be described later), and when the Fourier transform is performed by an optical method, the plate may be provided with an aperture. Further, a photographic dry plate (dry plate) on which a pattern is formed or a transparent substrate that is partially adhered with toner can also be used as the first pattern. The arrangement of dots in the image data, the distribution of brightness and the arrangement of the openings in the plate may be regular or random (irregular). Since it is possible to obtain a concave / convex pattern for processing with low properties, it is preferable to use a random arrangement.

第1のパターンを、作成する画像の全範囲にわたって多数のドットをランダムに描画することにより作成する場合、多数のドットをランダムに描画する手段としては、たとえば、幅WX、高さWYの画像に対し、0から1の値をとる擬似乱数列R[n]を生成させることにより、たとえばドット中心のx座標がWX×R[2×m−1]、y座標がWY×R[2×m]である多数のドットを生成する手法が挙げられる。ここで、n、mはともに自然数である。擬似乱数列を生成する方法としては、線形合同法、Knuthの乱数ジェネレータ減算アルゴリズム、Xorshiftあるいはメルセンヌツイスタなど、分布させるドット数に対応できる十分な周期長を有するものである限り、任意の擬似乱数生成法を用いることができる。あるいは、擬似乱数に限らず、熱雑音などにより乱数を生成するハードウェアにより、ランダムにドットが配列された第1のパターンを作成してもよい。   When creating the first pattern by randomly drawing a large number of dots over the entire range of the image to be created, as means for randomly drawing a large number of dots, for example, an image having a width WX and a height WY can be used. On the other hand, by generating a pseudo random number sequence R [n] that takes a value from 0 to 1, for example, the x coordinate of the dot center is WX × R [2 × m−1], and the y coordinate is WY × R [2 × m. ] To generate a large number of dots. Here, n and m are both natural numbers. As a method of generating a pseudo-random number sequence, any pseudo-random number generation can be used as long as it has a sufficient period length corresponding to the number of dots to be distributed, such as a linear congruential method, a Knuth random number generator subtraction algorithm, Xorshift or Mersenne Twister. Can be used. Alternatively, the first pattern in which dots are randomly arranged may be created by hardware that generates a random number by thermal noise or the like, not limited to a pseudorandom number.

ドットの形状は、円形、楕円形などの丸状や多角形などであってよく、同一の形状を有する多数のドットを配置してもよいし、異なる2種以上の形状のドットを多数配置してもよい。また、ドットの大きさは、すべてのドットについて同じであってもよいし、異なっていてもよい。したがって、ドットが丸状である場合、1種類のドット径(ドットの直径)を持つ多数のドットをランダムに配置させることによって第1のパターンを作成してもよいし、複数種類のドット径を持つ多数のドットをランダムに配置させてもよい。   The shape of the dot may be a circle such as a circle or an ellipse, or a polygon, and a number of dots having the same shape may be arranged, or a number of dots having two or more different shapes may be arranged. May be. Further, the size of the dots may be the same for all the dots, or may be different. Therefore, when the dots are round, the first pattern may be created by randomly arranging a large number of dots having one type of dot diameter (dot diameter), and a plurality of types of dot diameters may be used. A large number of dots may be randomly arranged.

第1のパターンを構成するドットの平均ドット径(パターン中の全ドットのドット径の平均値)は特に限定されないが、バンドパスフィルタを用いる場合、通過帯域の範囲にドット径のピークを有し、当該通過帯域の範囲を下回る低空間周波数領域にピークを有さないように設定することが好ましいことから、通常4〜50μmであり、好ましくは16〜32μmである。平均ドット径が50μmを超える場合には、ギラツキに影響を与える低空間周波数成分が多く含まれ、作成される第2のパターンに濃淡ムラが生じやすくなる。一方、第1のパターンを構成するドットの平均ドット径が小さすぎて、バンドパスフィルタを適用したときに、抽出される空間周波数成分の振幅が小さい場合、第1のパターンが有するランダム性が損なわれやすく、好ましい第2のパターンを得ることができない。平均ドット径は、バンドパスフィルタに与える空間周波数範囲上限値Tを用いて、0.5×(1/(2×T))よりも大きいことが好ましい。これにより、ドットの充填率が後述する好ましい範囲にある場合において、バンドパスフィルタによって抽出される空間周波数成分を十分に含み、かつ濃淡ムラが生じにくい第2のパターンが作成されやすい。   The average dot diameter of the dots constituting the first pattern (the average value of the dot diameters of all dots in the pattern) is not particularly limited, but when a bandpass filter is used, the dot diameter has a peak in the passband range. Since it is preferable to set so as not to have a peak in the low spatial frequency region below the passband range, it is usually 4 to 50 μm, preferably 16 to 32 μm. When the average dot diameter exceeds 50 μm, a lot of low spatial frequency components that affect glare are included, and shading unevenness tends to occur in the created second pattern. On the other hand, if the average dot diameter of the dots constituting the first pattern is too small and the amplitude of the extracted spatial frequency component is small when the band pass filter is applied, the randomness of the first pattern is impaired. Therefore, a preferable second pattern cannot be obtained. The average dot diameter is preferably larger than 0.5 × (1 / (2 × T)) using the spatial frequency range upper limit value T given to the bandpass filter. As a result, when the dot filling rate is in a preferable range described later, it is easy to create a second pattern that sufficiently includes the spatial frequency component extracted by the band-pass filter and is less likely to cause shading unevenness.

ハイパスフィルタを用いる場合も同様に、通過帯域の範囲にドット径のピークを有し、当該通過帯域の範囲を下回る低空間周波数領域にピークを有さないように設定することが好ましいことから、第1のパターンを構成するドットの平均ドット径は、通常4〜50μmであり、好ましくは6μm以上、より好ましくは8μm以上であり、また、好ましくは32μm以下、より好ましくは30μm以下、さらに好ましくは12μm以下である。平均ドット径が50μmを超える場合には、ギラツキに影響を与える低空間周波数成分が多く含まれ、作成される第2のパターンに濃淡ムラが生じやすくなる。   Similarly, when using a high-pass filter, it is preferable to set so that it has a dot diameter peak in the passband range and does not have a peak in a low spatial frequency region below the passband range. The average dot diameter of the dots constituting one pattern is usually 4 to 50 μm, preferably 6 μm or more, more preferably 8 μm or more, and preferably 32 μm or less, more preferably 30 μm or less, and even more preferably 12 μm. It is as follows. When the average dot diameter exceeds 50 μm, a lot of low spatial frequency components that affect glare are included, and shading unevenness tends to occur in the created second pattern.

多数のドットを配置することにより第1のパターンを作成する場合におけるドットの充填率(画像全面積中のドットの占有面積)は、20〜80%であることが好ましく、20〜70%であることがより好ましく、30〜70%であることがさらに好ましく、30〜60%であることがよりさらに好ましく、40〜60%(たとえば、50%前後であってもよい)であることが特に好ましい。ドット数が極めて少なく、第1のパターンにおけるドットの充填率が20%に満たない場合、生成される第2のパターンに同心円状の特徴的なパターンからなるムラが生じ、好ましいランダムなパターンを得ることができない傾向にある。また、ドットの充填率が80%を超える場合においても同様に、閉じた円形のパターンからなるムラが多く見られるようになる傾向があり、ランダム性が損なわれる。   When the first pattern is created by arranging a large number of dots, the dot filling rate (occupied area of dots in the total area of the image) is preferably 20 to 80%, and preferably 20 to 70%. More preferably, it is more preferably 30 to 70%, still more preferably 30 to 60%, and particularly preferably 40 to 60% (for example, may be around 50%). . When the number of dots is extremely small and the filling rate of dots in the first pattern is less than 20%, the generated second pattern has unevenness including a concentric characteristic pattern, and a preferable random pattern is obtained. It tends to be impossible. Similarly, when the dot filling rate exceeds 80%, there is a tendency that a lot of unevenness consisting of a closed circular pattern tends to be seen, and the randomness is impaired.

第1のパターンは、ベクトル形式の画像データとして作成してもよいし、ラスタ形式の画像データとして作成してもよい。ラスタ形式の場合、1ビット、2ビット、8ビットなど、任意のビット深さの画像形式で第1のパターンを作成することができる。ラスタ形式の画像データとして第1のパターンを作成する際には、パターンの詳細を描画できるように高い解像度で作成することが好ましい。防眩処理のために好ましい解像度は6400dpi以上、より好ましくは12800dpi以上である。   The first pattern may be created as vector format image data or raster format image data. In the case of the raster format, the first pattern can be created in an image format having an arbitrary bit depth such as 1 bit, 2 bits, or 8 bits. When creating the first pattern as raster format image data, it is preferable to create the first pattern at a high resolution so that details of the pattern can be drawn. A preferable resolution for the antiglare treatment is 6400 dpi or more, more preferably 12800 dpi or more.

図1は、本発明の透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法に用いられ得る、ドットを多数ランダムに配置して作成した第1のパターンの好ましい一例を示す拡大図である。図1に示される第1のパターンは、8ビット階調のグレイスケール画像であり、黒色円形の領域がドット1である。本発明では、ドットの直径を「ドット径」、パターン中の全ドットのドット径の平均値を「平均ドット径」とする。図1に示される第1のパターンの平均ドット径は16μmである。また、画像解像度は12800dpiである。すなわち、1ピクセルのサイズは、縦横2μmに相当する。図1に示される第1のパターンにおいて、画像のサイズは、WX=0.512mm、WY=0.512mmであり、ドットの充填率は約50%である。また、ドットの中心座標を決定する擬似乱数は、広島大学のグループにより実装されたSIMD oriented Fast Mersenne Twisterプログラム、SFMT ver1.3.3に対し、主として数値607を与えることによって生成した。   FIG. 1 is an enlarged view showing a preferable example of a first pattern which is formed by randomly arranging a large number of dots, which can be used in the antiglare treatment method for a transparent substrate and the method for producing an antiglare film of the present invention. . The first pattern shown in FIG. 1 is an 8-bit gray scale image, and a black circular area is a dot 1. In the present invention, the dot diameter is “dot diameter”, and the average dot diameter of all dots in the pattern is “average dot diameter”. The average dot diameter of the first pattern shown in FIG. 1 is 16 μm. The image resolution is 12800 dpi. That is, the size of one pixel corresponds to 2 μm in length and width. In the first pattern shown in FIG. 1, the image size is WX = 0.512 mm, WY = 0.512 mm, and the dot filling rate is about 50%. Moreover, the pseudorandom number which determines the center coordinate of a dot was produced | generated by mainly giving the numerical value 607 with respect to the SIMD oriented Fast Mersenne Twister program and SFMT ver1.3.3 which were mounted by the group of Hiroshima University.

また、第1のパターンとして、明度分布が配置されたパターン、たとえば、乱数により濃淡を決定したラスタイメージを用いることも好ましい。ラスタイメージの各ピクセル(画素)の濃度を乱数、あるいは計算機によって生成された擬似乱数によって決定することで、規則性が小さなパターンを得ることができる。   In addition, it is also preferable to use a pattern in which a lightness distribution is arranged, for example, a raster image whose density is determined by random numbers, as the first pattern. A pattern with a small regularity can be obtained by determining the density of each pixel (pixel) of the raster image using a random number or a pseudo-random number generated by a computer.

画素の濃度の決定方法について、0〜1の範囲の実数を出力する擬似乱数を用いる場合を例に挙げて説明する。画素の階調数は任意でよいが、取扱が容易な階調深度は、1ビット、8ビット、16ビット、24ビットなどであり、好ましくは8ビット(256階調:インデックス0〜255)である。たとえば8ビット階調の場合、8ビットの深度を有するPIXCEL[x,y]に対し、PIXCEL[x,y]=R[x+y×ImageWidth]×255を代入することによって画像を生成することができる。ここで、x、yは画像におけるピクセルの座標であり、ImageWidthはx座標の画像幅である。この例では、平均インデックスが127〜128のイメージが生成されるが、オフセットを付加することにより、平均値が異なるイメージを生成してもよい。   The pixel density determination method will be described by taking as an example the case of using pseudo-random numbers that output real numbers in the range of 0 to 1. The number of gradations of the pixels may be arbitrary, but the gradation depth that is easy to handle is 1 bit, 8 bits, 16 bits, 24 bits, etc., preferably 8 bits (256 gradations: index 0 to 255). is there. For example, in the case of 8-bit gradation, an image can be generated by substituting PIXCEL [x, y] = R [x + y × ImageWidth] × 255 for PIXCEL [x, y] having a depth of 8 bits. . Here, x and y are pixel coordinates in the image, and ImageWidth is the image width of the x coordinate. In this example, an image having an average index of 127 to 128 is generated, but an image having a different average value may be generated by adding an offset.

図2は、乱数により濃淡を決定したラスタイメージからなる第1のパターンの一例を示す図であり、図3は、その一部を拡大して示す図である。図2に示されるラスタイメージは、1画素1画素の明度を擬似乱数により決定することにより作成した8ビット階調の画像であり、具体的には、8ビットの深度を有する2次元配列PIXCEL[x,y]に対し、PIXCEL[x,y]=R[x+y×ImageWidth]×255を代入することによって作成した。ここで、x、yは画像におけるピクセルの座標であり、ImageWidthはx座標の画素幅である。配列R[]として、Microsoft Corporationによって開発された「.NET Framework2.0クラス ライブラリ」に含まれるRandomクラスNextDoubleメソッドにより生成される0.0と1.0の間の値をとるKnuthの乱数ジェネレータ減算アルゴリズムによる擬似乱数列を用いた。   FIG. 2 is a diagram showing an example of a first pattern made up of raster images whose shades are determined by random numbers, and FIG. 3 is an enlarged view of a part thereof. The raster image shown in FIG. 2 is an 8-bit gradation image created by determining the brightness of each pixel by a pseudo-random number. Specifically, the raster image is a two-dimensional array PIXCEL [ It was created by substituting PIXCEL [x, y] = R [x + y × ImageWidth] × 255 for x, y]. Here, x and y are pixel coordinates in the image, and ImageWidth is the pixel width of the x coordinate. Random number generator subtraction of Knuth taking a value between 0.0 and 1.0 generated by Random class NextDouble method included in “.NET Framework 2.0 class library” developed by Microsoft Corporation as array R [] A pseudo-random number sequence by algorithm was used.

また、第1のパターンは、上記のラスタイメージと同様にして生成された、離散化された情報の二次元配列であってもよい。この場合、配列の各要素の値を決定するために擬似乱数を用いる。   The first pattern may be a two-dimensional array of discretized information generated in the same manner as the above raster image. In this case, pseudorandom numbers are used to determine the value of each element of the array.

第1のパターンの形態は、たとえばハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタを適用するための手法や透明基材上に凹凸形状を加工するために用いられる加工装置が求める入力の形式などにより適宜選定することができるが、なかでも、乱数により濃淡を決定したラスタイメージは、幅広い空間周波数範囲に振幅を有することから好ましく用いることができる。これは、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタ等のフィルタによって抽出される空間周波数範囲に関わらず、第1のパターンのランダム性を維持しやすいためである。   The form of the first pattern may be appropriately selected depending on, for example, a method for applying a high-pass filter or a band-pass filter, an input format required by a processing apparatus used for processing an uneven shape on a transparent substrate, and the like. Among them, a raster image whose density is determined by random numbers can be preferably used because it has an amplitude in a wide spatial frequency range. This is because it is easy to maintain the randomness of the first pattern regardless of the spatial frequency range extracted by a filter such as a high-pass filter or a band-pass filter.

図4は、ドットを多数ランダムに配置して作成した第1のパターン(ランダムドットパターン)より得られる二次元配列をFFTにより空間周波数領域に変換して得られる空間周波数分布の一例と、乱数により濃淡を決定したラスタイメージ(乱数ラスタイメージ)からなる第1のパターンより得られる二次元配列をFFTにより空間周波数領域に変換して得られる空間周波数分布の一例とを比較する図であり、空間周波数0から0.30μm-1の領域における振幅の強度を示すものである。図4に示されるように、ランダムドットパターンは、乱数ラスタイメージと比較して、特に空間周波数0.00〜0.10μm-1の領域において、高い振幅強度を有している。なお、図4については、後で詳述する。 FIG. 4 shows an example of a spatial frequency distribution obtained by converting a two-dimensional array obtained from a first pattern (random dot pattern) created by randomly arranging a number of dots into a spatial frequency domain by FFT, It is a figure which compares with an example of the spatial frequency distribution obtained by converting the two-dimensional arrangement | sequence obtained from the 1st pattern which consists of the raster image (random number raster image) which determined the shading into a spatial frequency domain by FFT, It shows the amplitude intensity in the region from 0 to 0.30 μm −1 . As shown in FIG. 4, the random dot pattern has higher amplitude intensity than the random number raster image, particularly in the region of the spatial frequency of 0.00 to 0.10 μm −1 . Note that FIG. 4 will be described in detail later.

(第2のパターンの作成)
本発明の透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法において、第2のパターンは、第1のパターンに対し、第1のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を少なくとも除去または低減するフィルタを適用することにより作成される。本発明においては、当該フィルタとして、第1のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分のみを除去または低減するハイパスフィルタ、または、第1のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を除去または低減するとともに、空間周波数が特定値を超える高空間周波数成分を除去または低減することにより、特定範囲の空間周波数成分を抽出するバンドパスフィルタを好ましく用いることができる。一般に、パターンは、その変化に応じた空間周波数成分を含んでいる。変化が激しい、もしくは配置が密にされているパターンは、空間周波数が高い成分を多く含んでおり、変化が緩やか、もしくは配置が疎なパターンは、空間周波数が高い成分は少ない。ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタの適用により、第1のパターンに含まれる空間周波数成分から特定範囲の空間周波数成分、すなわち、ギラツキ等を生じさせる長周期成分である低空間周波数成分を除去または低減することができる。ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタの適用により、透明基材上に凹凸形状を付与するための第2のパターン、第3のパターンまたは第4のパターンにおける低空間周波数成分を低減させることができる。第1のパターンへのハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタの適用による第2のパターンの作成は、具体的には、以下の(1)〜(3)の一連の操作によって実施することができる。
(Create second pattern)
In the antiglare treatment method and the antiglare film manufacturing method of the transparent substrate of the present invention, the second pattern has a specific value of spatial frequency from the spatial frequency component included in the first pattern with respect to the first pattern. It is created by applying a filter that at least removes or reduces low spatial frequency components that are less than. In the present invention, the filter is a high-pass filter that removes or reduces only a low spatial frequency component whose spatial frequency is less than a specific value from the spatial frequency component included in the first pattern, or is included in the first pattern. By removing or reducing low spatial frequency components whose spatial frequency is less than a specific value, and removing or reducing high spatial frequency components whose spatial frequency exceeds a specific value, the spatial frequency component of a specific range A band-pass filter for extracting the signal can be preferably used. In general, the pattern includes a spatial frequency component corresponding to the change. A pattern that changes drastically or has a dense arrangement contains many components with a high spatial frequency, and a pattern that changes slowly or has a low arrangement has few components with a high spatial frequency. By applying a high-pass filter or a band-pass filter, removing or reducing a spatial frequency component in a specific range from a spatial frequency component included in the first pattern, that is, a low spatial frequency component that is a long-period component causing glare or the like Can do. By applying the high-pass filter or the band-pass filter, it is possible to reduce the low spatial frequency component in the second pattern, the third pattern, or the fourth pattern for imparting the uneven shape on the transparent substrate. Specifically, the creation of the second pattern by applying the high-pass filter or the band-pass filter to the first pattern can be performed by the following series of operations (1) to (3).

(1)空間周波数領域への変換
まず、第1のパターンに含まれる空間周波数成分から特定の空間周波数成分を抽出(すなわち、特定の空間周波数成分を除去または低減)できるようにするために、第1のパターンがラスタイメージであるときには、第1のパターンを、必要に応じて、各ピクセルの明度に応じた値が代入された浮動小数点型の二次元配列g[x,y]に変換する。ここで、x、yはラスタイメージ内の直交座標上の位置を示す。このようにして得られた二次元配列g[x,y]に対し、第1のパターンにおける様々な空間周波数成分の大きさを得るための手段を適用することにより、第1のパターンに含まれる空間周波数成分と各空間周波数における振幅とを示す空間周波数分布が得られる。空間周波数成分の大きさを得るための手段としては、光学的な手法、数学的な手法などがあり、特に計算機を用いて数学的に求める方法が広く一般的に用いられている。空間周波数成分の大きさを得る数学的な方法を、一般にフーリエ変換と呼ぶ。フーリエ変換は、計算機を用いた離散フーリエ変換(以下、DFT)によって行なうことができる。したがって、空間周波数領域への変換は、第1のパターンから得られる二次元配列に対し、たとえば、計算機を用い、二次元のDFTを適用することによって行なうことができる。
(1) Conversion to Spatial Frequency Domain First, in order to be able to extract a specific spatial frequency component from the spatial frequency component included in the first pattern (that is, remove or reduce the specific spatial frequency component), When one pattern is a raster image, the first pattern is converted into a floating-point type two-dimensional array g [x, y] into which values according to the lightness of each pixel are substituted as necessary. Here, x and y indicate positions on the orthogonal coordinates in the raster image. The two-dimensional array g [x, y] obtained in this way is included in the first pattern by applying means for obtaining various spatial frequency component magnitudes in the first pattern. A spatial frequency distribution indicating the spatial frequency component and the amplitude at each spatial frequency is obtained. As a means for obtaining the magnitude of the spatial frequency component, there are an optical technique, a mathematical technique, and the like. In particular, a mathematical calculation method using a computer is widely used. A mathematical method for obtaining the magnitude of the spatial frequency component is generally called Fourier transform. The Fourier transform can be performed by a discrete Fourier transform (hereinafter referred to as DFT) using a computer. Therefore, the conversion to the spatial frequency domain can be performed by applying a two-dimensional DFT to the two-dimensional array obtained from the first pattern using, for example, a computer.

DFTアルゴリズムとしては、一般的に知られているアルゴリズムを使用することができるが、特にCooley−Tukey型アルゴリズムは計算速度に優れることから好適に用いることができる。Cooley−Tukey型アルゴリズムによるDFTは、高速フーリエ変換(以下、FFT)とも呼称される。   As the DFT algorithm, a generally known algorithm can be used. In particular, the Cooley-Tukey type algorithm can be suitably used because of its excellent calculation speed. The DFT based on the Boolean-Tukey type algorithm is also referred to as a fast Fourier transform (hereinafter referred to as FFT).

第1のパターンがラスタ形式で作成されている場合、当該ラスタ形式の画像データは、上記DFTアルゴリズムを用いることにより、容易に計算機上で空間周波数領域に変換することができる。第1のパターンがベクトル形式で作成されており、かつ上記DFTアルゴリズムを用いて空間周波数領域に変換する場合には、ベクトル形式の画像データをラスタ形式に変換し、ラスタ形式に変換された画像データを計算機上で二次元配列g[x,y]に変換する。ここで、x、yはラスタイメージ内の直交座標上の位置を示す。一般的な、たとえば8ビット階調をもつグレイスケール画像として第1のパターンを作成した場合、白の領域には255が、黒の領域には0が割り当てられる。これらの値を用いてDFTにより、画像データを計算機上で空間周波数領域の二次元配列G[fx,fy]に変換する。ここで、fx、fyはそれぞれ、x方向の空間周波数、y方向の空間周波数を示す。なお、第1のパターンが離散化された情報の二次元配列として与えられる場合、これにDFTを適用することによって計算機上で空間周波数領域の二次元配列G[fx,fy]に変換することが可能であることは言うまでもない。 When the first pattern is created in the raster format, the raster format image data can be easily converted into the spatial frequency domain on the computer by using the DFT algorithm. When the first pattern is generated in the vector format and converted to the spatial frequency domain using the DFT algorithm, the image data converted into the raster format is converted from the vector format image data to the raster format. Is converted into a two-dimensional array g [x, y] on a computer. Here, x and y indicate positions on the orthogonal coordinates in the raster image. When the first pattern is created as a general gray scale image having, for example, 8-bit gradation, 255 is assigned to the white area and 0 is assigned to the black area. Using these values, image data is converted into a two-dimensional array G [f x , f y ] in the spatial frequency domain on the computer by DFT. Here, the f x, respectively f y, x-direction spatial frequency, y-direction spatial frequency. When the first pattern is given as a two-dimensional array of discretized information, it is converted into a two-dimensional array G [f x , f y ] in the spatial frequency domain on a computer by applying DFT to the first pattern. It goes without saying that it is possible.

DFTを用いる場合、離散化された情報の二次元配列である第1のパターン、もしくは二次元配列に変換された第1のパターンの各配列要素から二次元配列の全要素平均値PAを減じる処理を行なってもよい。たとえば0から255の値を持つ8ビット階調のグレイスケール画像として作成された第1のパターンを二次元配列に変換した後、各配列要素から二次元配列の全要素平均値PAを減じる処理を行なうことができる。0から255の値を持つ8ビット階調のグレイスケール画像を二次元配列に変換すると、空間周波数0において振幅を有する空間周波数スペクトルが得られることがある。これは、二次元配列を構成する全ての要素が正に偏っていることに起因する。透明基材に施す防眩処理および防眩フィルムの製造においては、透明基材に付与される表面凹凸形状の特性を把握できることが重要であるが、上記空間周波数0における振幅は、最終的に形成される凹凸形状の特性を知る上では有意な情報ではない。空間周波数0において振幅が0となるよう、各配列要素から二次元配列の全要素平均値PAを減じる処理を行なうことにより、最終的に形成される凹凸形状の特性を容易に把握できるようになる。   When DFT is used, a process of subtracting the average value PA of all elements of a two-dimensional array from each array element of the first pattern which is a two-dimensional array of discretized information or the first pattern converted to a two-dimensional array May be performed. For example, after the first pattern created as an 8-bit gray scale image having a value from 0 to 255 is converted into a two-dimensional array, the average value PA of the two-dimensional array is subtracted from each array element. Can be done. When an 8-bit gray scale image having a value from 0 to 255 is converted into a two-dimensional array, a spatial frequency spectrum having an amplitude at a spatial frequency of 0 may be obtained. This is because all elements constituting the two-dimensional array are positively biased. In the production of an antiglare treatment and an antiglare film to be applied to a transparent substrate, it is important to be able to grasp the characteristics of the surface unevenness imparted to the transparent substrate, but the amplitude at the spatial frequency of 0 is finally formed. It is not significant information for knowing the characteristics of the uneven shape. By performing the process of subtracting the total element average value PA of the two-dimensional array from each array element so that the amplitude becomes 0 at the spatial frequency 0, it becomes possible to easily grasp the characteristics of the finally formed uneven shape. .

図5は、図1に示される第1のパターンより得られる二次元配列をFFTにより空間周波数領域に変換して得られた二次元的な空間周波数分布を示す図である。図5において、横軸および縦軸はともに、空間周波数を示している。両軸が交差する点は、空間周波数0の点であり、当該交差点(ゼロ点)から離れるに従い、空間周波数は大きくなる。また、各空間周波数における振幅の強度を色の濃さで示しており、色が濃いほど振幅が大きいことを意味する。   FIG. 5 is a diagram showing a two-dimensional spatial frequency distribution obtained by converting the two-dimensional array obtained from the first pattern shown in FIG. 1 into the spatial frequency domain by FFT. In FIG. 5, both the horizontal axis and the vertical axis indicate the spatial frequency. The point where both axes intersect is a point with a spatial frequency of 0, and the spatial frequency increases as the distance from the intersection (zero point) increases. In addition, the intensity of the amplitude at each spatial frequency is indicated by the color intensity, and the darker the color, the greater the amplitude.

二次元データである画像をFFTにより空間周波数領域に変換して得られるのは、上述のように、図5のような2次元の情報である。ただし、2次元の表示は見通しが良好でないことから、以下、空間周波数分布を示す場合には、空間周波数を横軸とし、各空間周波数における振幅強度の平均値を縦軸とした一次元の空間周波数分布を示すこととする。図5に示される2次元の空間周波数分布を一次元の空間周波数分布で示したものが、上述した図4における点線のグラフである。すなわち、図4における点線のグラフは、図1に示される第1のパターンより得られる二次元配列をFFTにより空間周波数領域に変換して得られる(FFTにより空間周波数に分解した結果得られる)、一次元の空間周波数分布を示す図である。図4において、横軸は空間周波数を示し、縦軸は各空間周波数に属する要素の振幅強度の平均値を示している。ここで、振幅強度とは、二次元配列の各要素の絶対値|G[fx,fy]|を意味する。また、平均値は、FFTにより得られる最高空間周波数をfmaxとすると、空間周波数0〜fmaxの範囲を128分割し、それぞれの分割された空間周波数範囲に属する二次元配列の要素を平均することにより求められる。要素が属する空間周波数範囲は、fxおよびfyから計算される値faにより判定することができる。fmaxおよびfaの計算式である式(A)および式(B)を下記に示す。
fmax = (fxmax2+fymax21/2 (A)
a = (fx 2+fy 21/2 (B)
なお、fxmaxはfxの最大値、fymaxはfyの最大値を意味する。
As described above, two-dimensional information as shown in FIG. 5 is obtained by converting an image that is two-dimensional data into a spatial frequency domain by FFT. However, since the two-dimensional display does not have a good line-of-sight, in the following, when a spatial frequency distribution is shown, a one-dimensional space in which the horizontal frequency is the horizontal axis and the average value of the amplitude intensity at each spatial frequency is the vertical axis. The frequency distribution will be shown. The two-dimensional spatial frequency distribution shown in FIG. 5 is represented by a one-dimensional spatial frequency distribution in the above-described dotted line graph in FIG. That is, the dotted line graph in FIG. 4 is obtained by converting the two-dimensional array obtained from the first pattern shown in FIG. 1 into the spatial frequency domain by FFT (obtained as a result of decomposition into spatial frequency by FFT). It is a figure which shows a one-dimensional spatial frequency distribution. In FIG. 4, the horizontal axis indicates the spatial frequency, and the vertical axis indicates the average value of the amplitude intensity of the elements belonging to each spatial frequency. Here, the amplitude intensity, the absolute value of each element of a two-dimensional array | G [f x, f y ] | means. Also, the average value is obtained by dividing the range of spatial frequencies 0 to fmax into 128, and averaging the elements of the two-dimensional array belonging to each divided spatial frequency range, where fmax is the highest spatial frequency obtained by FFT. Desired. Spatial frequency range element belongs can be determined by a value f a which is calculated from f x and f y. It shows a calculation formula for fmax and f a formula (A) and formula (B) is shown below.
fmax = (f x max 2 + f y max 2) 1/2 (A)
f a = (f x 2 + f y 2 ) 1/2 (B)
The maximum value of f x max is f x, f y max denotes the maximum value of f y.

図4の点線で示されるグラフのように、十分にランダムな擬似乱数によって第1のパターンを作成した場合であっても、第1のパターンは、特定の空間周波数に振幅のピークを有することがある。このような振幅ピークが存在する場合、後述するハイパスフィルタに指定する空間周波数下限値またはバンドパスフィルタに指定する空間周波数範囲上限値や下限値によっては、望ましい空間周波数特性を有する第2のパターンを得ることができない可能性があることから、特定の空間周波数範囲において各空間周波数における振幅が等しくまたは略等しくなるよう、各要素の振幅を補正することが好ましい。   Even when the first pattern is created with sufficiently random pseudo-random numbers as in the graph shown by the dotted line in FIG. 4, the first pattern may have an amplitude peak at a specific spatial frequency. is there. When such an amplitude peak exists, a second pattern having a desired spatial frequency characteristic is determined depending on a spatial frequency lower limit value specified for a high-pass filter described later or a spatial frequency range upper limit value or lower limit value specified for a bandpass filter. Since there is a possibility that it cannot be obtained, it is preferable to correct the amplitude of each element so that the amplitude at each spatial frequency is equal or substantially equal in a specific spatial frequency range.

図6は、図4の点線で示される空間周波数分布に対し、振幅の補正を行なった結果の一例を示す図である。振幅補正前の空間周波数分布(図4の点線のものと同一)を点線で、振幅補正後の空間周波数分布を実線で示している。図6に示される空間周波数分布においては、補正により、空間周波数0から約0.30μm-1の領域において、各要素の振幅がおよそ一定になっている。このように、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタによって抽出され得る空間周波数領域において振幅を一定にしておくことにより、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタの適用により作成された第2のパターンは、一定の振幅を有する特定範囲の空間周波数成分を有することとなる。このことは、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタの適用により生成されるパターン特性を制御する上で有利である。なお、上記振幅の補正は、具体的には、補正後の複素振幅絶対値Cを用いて下記式:
α=C/|Aorg
によって与えられる実数αを複素振幅Aorgに乗算することによって行なわれる。ただし、|Aorg|はゼロ値であってはならない。したがって、上記補正は|Aorg|が非ゼロ値である範囲において可能である。
FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a result of amplitude correction performed on the spatial frequency distribution indicated by the dotted line in FIG. The spatial frequency distribution before amplitude correction (same as that shown in FIG. 4) is indicated by a dotted line, and the spatial frequency distribution after amplitude correction is indicated by a solid line. In the spatial frequency distribution shown in FIG. 6, the amplitude of each element is approximately constant in the region from the spatial frequency 0 to about 0.30 μm −1 due to the correction. Thus, by keeping the amplitude constant in the spatial frequency domain that can be extracted by the high-pass filter or the band-pass filter, the second pattern created by applying the high-pass filter or the band-pass filter has a constant amplitude. It has a specific range of spatial frequency components. This is advantageous in controlling pattern characteristics generated by applying a high-pass filter or a band-pass filter. The amplitude correction is specifically performed using the corrected complex amplitude absolute value C using the following formula:
α = C / | A org |
By multiplying the complex amplitude A org by the real number α given by However, | A org | must not be zero. Therefore, the above correction is possible in a range where | A org | is a non-zero value.

(2)ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタの適用
次に、DFTによって得られた空間周波数領域における二次元配列に対して、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタに対応する操作を施す。この操作により、第1のパターンに含まれる低空間周波数成分を除去または低減させる。
(2) Application of high-pass filter or band-pass filter Next, an operation corresponding to the high-pass filter or band-pass filter is performed on the two-dimensional array in the spatial frequency domain obtained by DFT. By this operation, the low spatial frequency component included in the first pattern is removed or reduced.

ハイパスフィルタは、高域通過濾波器、Low−Cut Filterとも呼称され、信号処理の分野において、指定された周波数未満の成分を除去または低減する働きを有する。ハイパスフィルタに対応する操作とは、第1のパターンに含まれる空間周波数成分のうち、空間周波数範囲下限値B’より低い空間周波数からなる低空間周波数成分を除去または低減し、該下限値B’以上の空間周波数からなる空間周波数成分を抽出する操作である。DFTを用いる場合について、より具体的に述べると、空間周波数領域に変換された配列に対し、空間周波数範囲下限値B’によって指定される範囲より低い空間周波数成分の配列要素(複素振幅の実部、虚部のそれぞれ)に対し0を代入する(振幅を0とする)、もしくは、絶対値が1よりも十分に小さな値を乗ずる操作である。絶対値が1よりも十分に小さな値として、一般にハイパスフィルタと呼ばれるフィルタの性能から例示すると、たとえば絶対値が0.5よりゼロに近い数値、絶対値が0.3よりゼロに近い数値、絶対値が0.1よりゼロに近い数値、あるいは絶対値が0.01よりゼロに近い数値などが挙げられる。一般に乗ずる値の絶対値がゼロに近いほど(ゼロを含む)、理想的なハイパスフィルタとなる。   The high-pass filter is also referred to as a high-pass filter, Low-Cut Filter, and has a function of removing or reducing components below a specified frequency in the field of signal processing. The operation corresponding to the high-pass filter is to remove or reduce a low spatial frequency component having a spatial frequency lower than the spatial frequency range lower limit B ′ out of the spatial frequency components included in the first pattern, and to lower the lower limit B ′. This is an operation for extracting a spatial frequency component composed of the above spatial frequencies. More specifically, in the case of using the DFT, the array element (the real part of the complex amplitude) of the spatial frequency component lower than the range specified by the spatial frequency range lower limit B ′ for the array converted into the spatial frequency domain. , Each of the imaginary parts) is an operation of substituting 0 (the amplitude is 0), or multiplying the absolute value by a value sufficiently smaller than 1. Taking the performance of a filter generally called a high-pass filter as an absolute value sufficiently smaller than 1, for example, the absolute value is closer to zero than 0.5, the absolute value is closer to zero than 0.3, absolute Examples include numerical values whose values are closer to zero than 0.1, or numerical values whose absolute values are closer to zero than 0.01. In general, the closer the absolute value of the multiplied value is to zero (including zero), the more ideal the high-pass filter is.

空間周波数範囲下限値B’の値は、ハイパスフィルタに対応する透過割合の空間周波数依存が、たとえば図7に示されるように、ある空間周波数を境に急激に立ち上がる場合には、その立ち上がりの始点とみなすことができる。一方、透過割合がなだらかに立ち上がる場合、空間周波数範囲下限値B’の値は、透過帯域のピーク強度の1/2の強度を示す空間周波数とされる。バンドパスフィルタの空間周波数範囲上限値Tおよび空間周波数範囲下限値Bについても同様である。図7および後述する図8〜14で示した透過割合は、前述の各要素に乗ずる値の絶対値を示す。なお、以下で示す例では、いずれも実数を乗じてバンドパスフィルタ、およびハイパスフィルタに対応する操作を行なった。   The value of the spatial frequency range lower limit B ′ is the starting point of the rise when the spatial frequency dependence of the transmission ratio corresponding to the high-pass filter rises abruptly at a certain spatial frequency as shown in FIG. 7, for example. Can be considered. On the other hand, when the transmission ratio rises gently, the value of the spatial frequency range lower limit B ′ is a spatial frequency indicating a half of the peak intensity of the transmission band. The same applies to the spatial frequency range upper limit value T and the spatial frequency range lower limit value B of the bandpass filter. The transmission ratios shown in FIG. 7 and FIGS. 8 to 14 described later indicate the absolute values of the values multiplied by the above-described elements. In the examples shown below, the operations corresponding to the band pass filter and the high pass filter were performed by multiplying each by a real number.

ハイパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域(透過帯域)において、各空間周波数成分の透過割合(ハイパスフィルタ適用前における振幅強度に対するハイパスフィルタ適用後における振幅強度の割合)は、図7に示す例のように、透過帯域全体にわたって一定であってもよいし、図8に示す例のように、値が変化していてもよい。また、図9に示す例のように、透過帯域は、複数のピークを有していてもよい。   In the spatial frequency band (transmission band) extracted by applying the high-pass filter, the transmission ratio of each spatial frequency component (ratio of the amplitude intensity after applying the high-pass filter to the amplitude intensity before applying the high-pass filter) is an example shown in FIG. Thus, it may be constant over the entire transmission band, or the value may be changed as in the example shown in FIG. Further, as in the example illustrated in FIG. 9, the transmission band may have a plurality of peaks.

バンドパスフィルタは、帯域フィルタとも呼称され、信号処理の分野において、意図する範囲の周波数を通過させ、それ以外の周波数を除去または低減する働きを有する。バンドパスフィルタに対応する操作とは、上記で得られた第1のパターンの空間周波数分布において、第1のパターンに含まれる空間周波数成分のうち、空間周波数範囲下限値Bより低い空間周波数からなる低空間周波数成分および空間周波数範囲上限値Tを超える空間周波数からなる高空間周波数成分を除去または低減し、該下限値Bから該上限値Tに至る特定の範囲の空間周波数からなる空間周波数成分を抽出する操作であり、DFTを用いる場合について、より具体的に述べると、通過する空間周波数範囲上限値Tおよび空間周波数範囲下限値Bによって指定される範囲に含まれない配列要素に対し0を代入する(振幅を0とする)もしくは、1よりも十分に小さな値を乗ずる操作である。1よりも十分に小さな値については、上述のとおりである。   The band-pass filter is also called a band-pass filter, and has a function of passing an intended range of frequencies and removing or reducing other frequencies in the field of signal processing. The operation corresponding to the band pass filter is a spatial frequency lower than the lower limit B of the spatial frequency range among the spatial frequency components included in the first pattern in the spatial frequency distribution of the first pattern obtained above. A low spatial frequency component and a high spatial frequency component having a spatial frequency exceeding the spatial frequency range upper limit value T are removed or reduced, and a spatial frequency component having a spatial frequency in a specific range from the lower limit value B to the upper limit value T is obtained. More specifically, in the case of using DFT, which is an extraction operation, 0 is substituted for array elements not included in the range specified by the passing spatial frequency range upper limit value T and the spatial frequency range lower limit value B (The amplitude is set to 0) or an operation of multiplying a value sufficiently smaller than 1. The value sufficiently smaller than 1 is as described above.

バンドパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域(透過帯域)において、各空間周波数成分の透過割合(バンドパスフィルタ適用前における振幅強度に対するバンドパスフィルタ適用後における振幅強度の割合)は、図10に示す例(透過帯域ピークの形状が矩形を有する)のように、透過帯域全体にわたって一定であってもよいし、図11に示す例(透過帯域ピークの形状がガウス型である)のように、値が変化していてもよい。また、透過帯域のピーク形状は、空間周波数軸に対して左右対称であってもよいし、図12に示す例(透過帯域ピークの形状が、ピークの右側と左側とで傾きが異なる変形ガウス型である)のように、非対称であってもよい。また、透過帯域ピークは、図13および14に示す例(透過帯域ピークが2つのピークからなる)のように、複数のピークからなっていてもよい。   In the spatial frequency band (transmission band) extracted by application of the bandpass filter, the transmission ratio of each spatial frequency component (ratio of amplitude intensity after application of the bandpass filter to amplitude intensity before application of the bandpass filter) is shown in FIG. As shown in FIG. 11 (the shape of the transmission band peak has a rectangular shape), it may be constant over the entire transmission band, or as in the example shown in FIG. 11 (the shape of the transmission band peak is Gaussian). , The value may be changing. Also, the peak shape of the transmission band may be symmetrical with respect to the spatial frequency axis, or the example shown in FIG. 12 (a modified Gaussian shape in which the shape of the transmission band peak has different slopes on the right and left sides of the peak). As well as asymmetrical. Further, the transmission band peak may be composed of a plurality of peaks as in the example shown in FIGS. 13 and 14 (the transmission band peak consists of two peaks).

図15は、図5に示される空間周波数分布を有する第1のパターンに対して、バンドパスフィルタを適用した後の二次元的な空間周波数分布の一例を示す図である。図15において、横軸、縦軸および色の濃さは図5と同じ意味を表わす。図15に示されるように、上記バンドパスフィルタに対応する操作により、空間周波数範囲上限値Tおよび空間周波数範囲下限値Bによって指定される特定の範囲の空間周波数成分が除去またはその振幅強度が低減される。   FIG. 15 is a diagram illustrating an example of a two-dimensional spatial frequency distribution after applying a bandpass filter to the first pattern having the spatial frequency distribution illustrated in FIG. In FIG. 15, the horizontal axis, the vertical axis, and the color density represent the same meaning as in FIG. 5. As shown in FIG. 15, the operation corresponding to the bandpass filter removes the spatial frequency component in a specific range specified by the spatial frequency range upper limit value T and the spatial frequency range lower limit value B or reduces its amplitude intensity. Is done.

次に、ハイパスフィルタに与える空間周波数範囲下限値B’、ならびにバンドパスフィルタに与える空間周波数範囲上限値Tおよび空間周波数範囲下限値Bの好ましい範囲について説明する。ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタによって除去または低減される低空間周波数成分は、本発明によって得られる防眩処理がなされた透明基材(防眩フィルムなど)を適用する画像表示装置の平均的な一辺の画素サイズ〔たとえば、RGBの3色が横に並んでいる場合、RGBそれぞれの平均的な一辺の画素サイズとは、長辺と短辺の平均値である〕に対して、約10分の1以下の周期に対応する空間周波数以下の低空間周波数成分であることが好ましい。これにより、画像表示装置におけるギラツキを効果的に抑制することができる。   Next, preferred ranges of the spatial frequency range lower limit value B ′ given to the high-pass filter and the spatial frequency range upper limit value T and the spatial frequency range lower limit value B given to the bandpass filter will be described. The low spatial frequency component removed or reduced by the high-pass filter or the band-pass filter is an average side of the image display device to which the anti-glare treatment-treated transparent substrate (anti-glare film or the like) obtained by the present invention is applied. About 1/10 of the pixel size (for example, when three colors of RGB are arranged side by side, the average pixel size of each side of RGB is the average value of the long side and the short side) A low spatial frequency component equal to or lower than the spatial frequency corresponding to the following cycle is preferable. Thereby, the glare in an image display apparatus can be suppressed effectively.

市販されている画像表示装置を例に挙げて具体的に述べると、たとえば対角が約103インチのフルハイビジョン(解像度水平1920×垂直1080ドット等)に相当する画像表示装置に適用する場合、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタにより除去または低減される低空間周波数成分の空間周波数の最大値、すなわち、空間周波数範囲下限値B’または空間周波数範囲下限値Bは、0.01μm-1以上であることが好ましい。また、対角が約50インチのハイビジョン(解像度水平1366×垂直768ドット等)に相当する画像表示装置に適用する場合、空間周波数範囲下限値B’または空間周波数範囲下限値Bは、0.02μm-1以上であることが好ましい。同様の考察から、対角約32インチのハイビジョンに相当する画像表示装置に適用する場合、空間周波数範囲下限値B’または空間周波数範囲下限値Bは、0.03μm-1以上であることが好ましい。対角約37インチのフルハイビジョンに相当する画像表示装置に適用する場合、空間周波数範囲下限値B’または空間周波数範囲下限値Bは、0.04μm-1以上であることが好ましい。対角約20インチのハイビジョンに相当する画像表示装置に適用する場合、空間周波数範囲下限値B’または空間周波数範囲下限値Bは、0.05μm-1以上であることが好ましい。対角約22インチのフルハイビジョン相当する画像表示装置に適用する場合、空間周波数範囲下限値B’または空間周波数範囲下限値Bは、0.07μm-1以上であることが好ましい。このように、適用する画像表示装置の解像度およびサイズに応じて、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタに与える空間周波数範囲下限値を適切に調整することにより、画像表示装置に対し適切な範囲の低空間周波数成分が除去または低減された第2、第3または第4のパターンを作成することができ、これを用いて凹凸形状を加工することにより、ギラツキが抑制された好ましい防眩処理を実現することができる。 Specifically, a commercially available image display device is described as an example. For example, when applied to an image display device corresponding to a full high-definition (resolution: 1920 × vertical 1080 dots, etc.) having a diagonal of about 103 inches, a high pass is used. The maximum value of the spatial frequency of the low spatial frequency component removed or reduced by the filter or the bandpass filter, that is, the spatial frequency range lower limit value B ′ or the spatial frequency range lower limit value B is 0.01 μm −1 or more. preferable. In addition, when applied to an image display apparatus corresponding to a high-definition screen having a diagonal of about 50 inches (resolution horizontal 1366 × vertical 768 dots, etc.), the spatial frequency range lower limit B ′ or the spatial frequency range lower limit B is 0.02 μm. It is preferably −1 or more. From the same consideration, when applied to an image display device corresponding to a high-vision of about 32 inches diagonal, the spatial frequency range lower limit B ′ or the spatial frequency range lower limit B is preferably 0.03 μm −1 or more. . When applied to an image display device corresponding to a full high-definition having a diagonal of about 37 inches, the spatial frequency range lower limit B ′ or the spatial frequency range lower limit B is preferably 0.04 μm −1 or more. When applied to an image display apparatus corresponding to a high-vision of about 20 inches diagonal, the spatial frequency range lower limit B ′ or the spatial frequency range lower limit B is preferably 0.05 μm −1 or more. When applied to an image display device equivalent to full high vision with a diagonal of about 22 inches, the spatial frequency range lower limit B ′ or the spatial frequency range lower limit B is preferably 0.07 μm −1 or more. In this way, by appropriately adjusting the lower limit of the spatial frequency range given to the high-pass filter or the band-pass filter according to the resolution and size of the image display device to be applied, the low spatial frequency in an appropriate range for the image display device. The second, third, or fourth pattern in which the component is removed or reduced can be created, and by using this to process the concavo-convex shape, it is possible to realize a preferable anti-glare treatment with reduced glare. it can.

また、バンドパスフィルタにおいては、加工適性の観点から、空間周波数範囲上限値Tは、1/(D×2)μm-1以下であることが好ましい。ここで、D(μm)は、透明基材上に凹凸形状を加工する際に用いられる加工装置の分解能である。空間周波数範囲上限値Tが1/(D×2)μm-1を超える場合、加工再現性良く透明基材上に凹凸形状を付与することが困難となる場合がある。加工再現性が、空間周波数範囲上限値Tが小さいほど良好となることから、空間周波数範囲上限値Tは、より好ましくは1/(D×4)μm-1以下であり、さらに好ましくは1/(D×6)μm-1以下である。空間周波数範囲上限値Tが1/(D×6)μm-1以下である場合、生産性が高いレーザー描画装置を用いて良好な加工再現性で透明基材上に凹凸形状を形成できるため特に好ましい。一方、空間周波数範囲上限値Tが大きくなるほど、周期のより細かい構造を有する第2のパターンが形成されるため、加工再現が困難となりやすい。 In the band-pass filter, the spatial frequency range upper limit value T is preferably 1 / (D × 2) μm −1 or less from the viewpoint of processability. Here, D (μm) is the resolution of the processing apparatus used when processing the concavo-convex shape on the transparent substrate. When the spatial frequency range upper limit T exceeds 1 / (D × 2) μm −1 , it may be difficult to impart the uneven shape on the transparent substrate with good process reproducibility. Since the processing reproducibility becomes better as the spatial frequency range upper limit T is smaller, the spatial frequency range upper limit T is more preferably 1 / (D × 4) μm −1 or less, and further preferably 1 /. (D × 6) μm −1 or less. In particular, when the spatial frequency range upper limit T is 1 / (D × 6) μm −1 or less, a concavo-convex shape can be formed on a transparent substrate with good processing reproducibility using a highly productive laser drawing apparatus. preferable. On the other hand, as the spatial frequency range upper limit value T increases, the second pattern having a finer structure is formed, and therefore, processing reproducibility tends to be difficult.

透明基材上に凹凸形状を加工する際に用いる加工装置は、従来公知の装置であってよく、たとえば、レーザー描画装置、精密旋盤などを用いることができる。レーザー描画装置を用いてレジストを露光し、凹凸形状を形成する場合、レーザーのスポット直径が分解能D(μm)に相当する。また、先端が半球状のボールエンドミルを備える精密旋盤を用いて凹凸形状を形成する場合であって、先端半径がr(μm)であるボールエンドミルを用いて、加工後の凹凸面における平坦面と各位置における面とのなす角度がθ度(θはたとえば10度である)以内となるようにして凹凸形状を加工する場合においては、2×r÷(sin(θ÷180×π))が分解能D(μm)に相当する。なお、第2のパターンを用いて、凹凸面を有する金型を作製し、金型の凹凸面を透明基材上に転写することにより、凹凸形状を加工する場合、透明基材上に凹凸形状を加工する際に用いる加工装置とは、凹凸面を有する金型を作製する際に用いる加工装置を意味する。   The processing apparatus used when processing the concavo-convex shape on the transparent substrate may be a conventionally known apparatus such as a laser drawing apparatus or a precision lathe. When the resist is exposed using a laser drawing apparatus to form a concavo-convex shape, the spot diameter of the laser corresponds to the resolution D (μm). Further, when a concave and convex shape is formed using a precision lathe provided with a ball end mill having a hemispherical tip, a ball end mill having a tip radius of r (μm) is used to form a flat surface on the concave and convex surface after processing. In the case of processing the concavo-convex shape so that the angle formed by the surface at each position is within θ degrees (θ is, for example, 10 degrees), 2 × r ÷ (sin (θ ÷ 180 × π)) is This corresponds to a resolution D (μm). In addition, when processing a concavo-convex shape by producing a mold having a concavo-convex surface using the second pattern and transferring the concavo-convex surface of the mold onto the transparent substrate, the concavo-convex shape is formed on the transparent substrate. The processing apparatus used when processing is meant a processing apparatus used when producing a mold having an uneven surface.

また、バンドパスフィルタにおいては、透明基材に適切な微細凹凸表面形状を付与するために、空間周波数範囲下限値Bの逆数である最長周期長1/Bと空間周波数範囲上限値Tの逆数である最短周期長1/Tとの中間である中間周期長MainPeriod=(1/B+1/T)/2は、6μm以上33μm以下の範囲内であることが好ましい。MainPeriodは、バンドパスフィルタに与える空間周波数範囲上限値Tに対応する周期長(1÷T)μmと空間周波数範囲下限値Bに対応する周期長(1÷B)μmとの平均値に相当する。MainPeriodが33μmを上回る場合には、透明基材上への凹凸形状の加工において、空間周波数が0.10μm-1より低い微細凹凸表面形状が形成されにくく、防眩性を効果的に発現できない。また、MainPeriodが6μmを下回る場合には、透明基材上への凹凸形状の加工において、空間周波数が0.01μm-1を下回る微細凹凸表面形状が形成される可能性があり、その結果、高精細の画像表示装置に適用したとき(たとえば、得られた防眩フィルムを高精細の画像表示装置の表面に配置したとき)にギラツキが発生する可能性がある。 In addition, in the band pass filter, in order to give an appropriate fine uneven surface shape to the transparent substrate, the reciprocal of the longest cycle length 1 / B which is the reciprocal of the spatial frequency range lower limit B and the reciprocal of the spatial frequency range upper limit T. The intermediate period length MainPeriod = (1 / B + 1 / T) / 2, which is intermediate between the shortest period length 1 / T, is preferably in the range of 6 μm to 33 μm. MainPeriod corresponds to the average value of the period length (1 ÷ T) μm corresponding to the spatial frequency range upper limit value T given to the bandpass filter and the period length (1 ÷ B) μm corresponding to the spatial frequency range lower limit value B. . When MainPeriod exceeds 33 μm, it is difficult to form a fine uneven surface shape having a spatial frequency lower than 0.10 μm −1 in processing of the uneven shape on the transparent substrate, and the antiglare property cannot be effectively expressed. In addition, when MainPeriod is less than 6 μm, a fine uneven surface shape having a spatial frequency of less than 0.01 μm −1 may be formed in the processing of the uneven shape on the transparent substrate. When applied to a fine image display device (for example, when the obtained antiglare film is disposed on the surface of a high definition image display device), glare may occur.

上述のように、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタ等のフィルタを適用する主な目的は、最終的に凹凸形状を加工するために用いられるパターン(たとえば後述する第2、第3または第4のパターン)において、空間周波数範囲下限値B’またはBより低い空間周波数からなる低空間周波数成分を除去または低減することにある。   As described above, a main purpose of applying a filter such as a high-pass filter or a band-pass filter is a pattern (for example, a second, third, or fourth pattern, which will be described later) used to finally process the uneven shape. Is to remove or reduce a low spatial frequency component consisting of a spatial frequency lower limit B ′ or a spatial frequency lower than B.

(3)第2のパターンの生成
次に、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタに対応する操作を施すことによって得られた空間周波数の情報を、逆離散フーリエ変換(IDFT)により二次元配列に変換し、この二次元配列に基づき、第2のパターンを生成する。IDFTアルゴリズムとしては、上記DFTと同様、一般的に知られているアルゴリズムを使用することができる。第2のパターンは、8ビット、16ビット、32ビット、64ビットなど、各種のビット深度を持つことができる。
(3) Generation of second pattern Next, spatial frequency information obtained by performing an operation corresponding to a high-pass filter or a band-pass filter is converted into a two-dimensional array by inverse discrete Fourier transform (IDFT), Based on this two-dimensional array, a second pattern is generated. As the IDFT algorithm, a generally known algorithm can be used as in the case of the DFT. The second pattern can have various bit depths, such as 8 bits, 16 bits, 32 bits, and 64 bits.

図16は、図1に示される第1のパターンにバンドパスフィルタを適用して作成された第2のパターンの一例を示す拡大図である。図16も図1同様、12800dpiの画像データである。バンドパスフィルタに与えた空間周波数範囲下限値Bおよび空間周波数範囲上限値Tはそれぞれ、0.043μm-1、0.059μm-1である。また、2×(T−B)/(T+B)は0.30である。 FIG. 16 is an enlarged view showing an example of a second pattern created by applying a bandpass filter to the first pattern shown in FIG. FIG. 16 is 12800 dpi image data as in FIG. The spatial frequency range lower limit B and the spatial frequency range upper limit T given to the bandpass filter are 0.043 μm −1 and 0.059 μm −1 , respectively. Further, 2 × (T−B) / (T + B) is 0.30.

なお、第2のパターンを生成する際には、IDFTによって得られた二次元配列の最大値と最小値が、生成する第2のパターンのビット深度によって規定される最大値・最小値にそれぞれに対応するように換算して代入してもよい。すなわち、IDFTにより計算された二次元配列要素の最大値をImax、最小値をIminとすると、要素の値Ixを8ビット(0−255)のパターンに変換する場合、パターンの各画素に代入される値は、255×(Ix−Imin)÷(Imax−Imin)で計算される。上記図16の画像データは、このような換算を行なって得られたものである。   When generating the second pattern, the maximum value and the minimum value of the two-dimensional array obtained by the IDFT are respectively set to the maximum value and the minimum value defined by the bit depth of the second pattern to be generated. You may convert and substitute so that it may correspond. In other words, when the maximum value of the two-dimensional array element calculated by IDFT is Imax and the minimum value is Imin, when the element value Ix is converted to an 8-bit (0-255) pattern, it is assigned to each pixel of the pattern. Is calculated by 255 × (Ix−Imin) ÷ (Imax−Imin). The image data shown in FIG. 16 is obtained by performing such conversion.

以上、DFTを用いたハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタの適用により第2のパターンを作成する方法の例を述べたが、これ以外の方法によっても第2のパターンを作成することが可能である。たとえば、第1のパターンとして開口が配置されたプレートを用い、これに光学的な手法でフーリエ変換を行なうことによっても第2のパターンを得ることができる。具体的に説明すると、焦点を一致させた2枚のレンズからなる空間周波数フィルタリング光学系を用意し、第1のパターンを1枚目のレンズの焦点面に配置する。このとき、2枚のレンズの焦点が一致する面(フーリエ面)に、画像の空間周波数分布が得られる。このフーリエ面において、光の透過率を空間的に変化させることにより、所望する範囲の空間周波数を透過させることができる。   The example of the method for creating the second pattern by applying the high-pass filter or the band-pass filter using DFT has been described above, but the second pattern can be created by other methods. For example, the second pattern can also be obtained by using a plate in which openings are arranged as the first pattern and performing Fourier transform on the plate using an optical technique. More specifically, a spatial frequency filtering optical system composed of two lenses having the same focal point is prepared, and the first pattern is arranged on the focal plane of the first lens. At this time, the spatial frequency distribution of the image is obtained on the plane (Fourier plane) where the focal points of the two lenses coincide. In this Fourier plane, a spatial frequency in a desired range can be transmitted by spatially changing the light transmittance.

フィルタリングされた出力画像は、2枚目のレンズのフーリエ面の反対側の焦点面に得られる。たとえば、開口の中心部のみがフーリエ面に透過するようにプレートを配置すると、上記画像の低空間周波数成分のみが出力画像として得られる。逆に、開口の中心部を遮光すると、高空間周波数成分のみが出力画像として得られる。したがって、フーリエ面において中心部分とその周辺部分を遮光することにより、2枚目のレンズの反対側の焦点面に、目的とする空間周波数分布を有する第2のパターンを得ることができる。   The filtered output image is obtained on the focal plane opposite to the Fourier plane of the second lens. For example, when the plate is arranged so that only the central part of the aperture is transmitted through the Fourier plane, only the low spatial frequency component of the image is obtained as the output image. On the contrary, if the central part of the opening is shielded, only the high spatial frequency component is obtained as an output image. Therefore, by shielding the central portion and its peripheral portion on the Fourier plane, a second pattern having a target spatial frequency distribution can be obtained on the focal plane on the opposite side of the second lens.

(離散化された情報への変換および第3のパターンの作成)
本発明では、上記のようにして得られた第2のパターンから、離散化された情報に変換されたパターンを作成することが好ましい。離散化された情報に変換されたパターンとすることにより、凹凸形状を加工するために用いられる加工装置に好ましく適用されるパターンとすることができる。たとえば、後述する透明基材上に凹凸形状を加工する工程がレーザー描画装置等を用いたレジストワークやNC加工(Numerical Control Machining)を含む場合、これらに用いられるパターンは、二値化など多値化されていることが好ましい。特に、後述する透明基材上に凹凸形状を加工する工程がレーザー描画装置等を用いたレジストワークを含む場合、第2のパターンは、2段階に離散化された情報に変換する、すなわち、二値化されたパターンに変換することが好ましい。これは、レーザーが照射されるか否かの二値によって、レジストパターンが生成されるためである。第2のパターンを二値化することにより、レーザー描画装置等に適用可能な画像を生成することができる。
(Conversion to discretized information and creation of third pattern)
In the present invention, it is preferable to create a pattern converted into discretized information from the second pattern obtained as described above. By making the pattern converted into discretized information, it is possible to obtain a pattern that is preferably applied to a processing apparatus used to process the concavo-convex shape. For example, when the process of processing the concavo-convex shape on the transparent substrate, which will be described later, includes resist work using a laser drawing apparatus or NC processing (Numerical Control Machining), the patterns used for these are multivalued such as binarization. It is preferable that In particular, when the step of processing the concavo-convex shape on the transparent substrate described later includes a resist work using a laser drawing apparatus or the like, the second pattern is converted into information discretized in two stages, that is, two It is preferable to convert it into a digitized pattern. This is because a resist pattern is generated by the binary value of whether or not the laser is irradiated. By binarizing the second pattern, an image applicable to a laser drawing apparatus or the like can be generated.

「離散化された情報」とは、一般にはデジタルデータとも呼称され、コンピュータ上で扱われる情報は、ほとんどの場合、離散化された情報である。離散化された情報の例としては、ビットマップデータ等のコンピュータ上で取り扱うことのできる画像データ;および、128ビット、64ビット、32ビット、16ビット等の各種ビット深度を有する浮動小数点数、または符号あり、もしくは符号なし整数などが挙げられる。   The “discretized information” is also generally referred to as digital data, and the information handled on the computer is in most cases discretized information. Examples of discretized information include image data that can be handled on a computer such as bitmap data; and floating point numbers having various bit depths such as 128 bits, 64 bits, 32 bits, 16 bits, or the like, or Examples include signed or unsigned integers.

「離散化された情報への変換」とは、連続関数を離散表現に変換すること、アナログデータをデジタルデータに変換すること、または、より多くの段階数で表現されている離散化されている情報を、より少ない段階数で表現された情報に変換することを意味し、デジタル信号をより少ないビット深度で表現されるデジタル信号に変換することを含む。離散化された情報への変換の例としては、たとえば、連続関数である余弦関数を離散的に表現すること、および、より段階数の多い32ビット浮動小数点で表現された情報を、より段階数の少ない8ビット整数に変換することなどが挙げられる。   "Conversion to discretized information" means converting a continuous function into a discrete representation, converting analog data into digital data, or being discretized being expressed in more stages It means converting information into information expressed with a smaller number of steps, and includes converting a digital signal into a digital signal expressed with a smaller bit depth. Examples of conversion to discretized information include, for example, discretely expressing a cosine function that is a continuous function, and information expressed in 32-bit floating point having a larger number of stages, For example, conversion to an 8-bit integer having a small number of bits is possible.

本発明においては、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタの適用によって得られる第2のパターンは連続性が高いことから、多値化されたパターン、とりわけ二値化されたパターンを得る際においては、特定の条件でハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタを適用し、得られた第2のパターンを多値化するか、もしくは、特定の方法で第2のパターンを多値化することが好ましい。以下、本発明において好ましく用いられる多値化方法を、例を示して説明する。   In the present invention, since the second pattern obtained by applying the high-pass filter or the band-pass filter has high continuity, when obtaining a multi-valued pattern, particularly a binarized pattern, a specific pattern is obtained. It is preferable to apply a high-pass filter or a band-pass filter under conditions to multi-value the obtained second pattern, or to multi-value the second pattern by a specific method. Hereinafter, the multi-value quantization method preferably used in the present invention will be described with reference to examples.

(1)閾値法による二値化
バンドパスフィルタの適用により得られた第2のパターンを二値化する方法としては、閾値法を好ましく用いることができる。閾値法とは、グレイスケールインデックス(明度値)に特定の閾値を設定し、閾値を超えるピクセル(画素)については白(または黒)を与え、閾値以下のピクセルについては黒(または白)を与えることにより、二値化を行なう手法である。
(1) Binarization by threshold method As a method of binarizing the second pattern obtained by applying the bandpass filter, the threshold method can be preferably used. In the threshold method, a specific threshold is set for the gray scale index (lightness value), and white (or black) is given to pixels exceeding the threshold, and black (or white) is given to pixels below the threshold. This is a method of binarization.

バンドパスフィルタの適用により得られた第2のパターンの閾値法による二値化にあたっては、バンドパスフィルタに与える空間周波数範囲下限値Bおよび空間周波数範囲上限値Tは、下記式(1):
0.20 < 2×(T−B)/(T+B) < 0.80 (1)
を満たすことが好ましく、下記式(2):
0.30 ≦ 2×(T−B)/(T+B) ≦ 0.70 (2)
を満たすことがより好ましい。上記式(1)および(2)における2×(T−B)/(T+B)は、上記バンドパスフィルタによって抽出された、第2のパターンが有する空間周波数の範囲の指標となる数値である。すなわち、2×(T−B)/(T+B)が大きいほど、第2のパターンが有する空間周波数範囲は広く、小さいほど、第2のパターンが有する空間周波数範囲は狭い。
In binarization by the threshold method of the second pattern obtained by application of the bandpass filter, the spatial frequency range lower limit B and the spatial frequency range upper limit T given to the bandpass filter are expressed by the following equation (1):
0.20 <2 × (T−B) / (T + B) <0.80 (1)
It is preferable to satisfy the following formula (2):
0.30 ≦ 2 × (T−B) / (T + B) ≦ 0.70 (2)
It is more preferable to satisfy. 2 × (T−B) / (T + B) in the above formulas (1) and (2) is a numerical value that is an index of the range of the spatial frequency of the second pattern extracted by the band pass filter. That is, the larger the 2 × (T−B) / (T + B), the wider the spatial frequency range of the second pattern, and the smaller the 2 × (T−B) / (T + B), the narrower the spatial frequency range of the second pattern.

図17は、2×(T−B)/(T+B)の値と、バンドパスフィルタの適用により得られた第2のパターンを閾値法によって二値化して得られるパターンの自己相関係数最大値との関係を示す図である。自己相関係数最大値とは、自己相関係数の最大値を意味する。自己相関係数は、ウィーナー・ヒンチンの定理に基づき、第2のパターンを二次元フーリエ変換により空間周波数領域における二次元配列に変換した後、各要素の係数を二乗し、さらにこれに逆フーリエ変換を施すことにより得られる。自己相関係数最大値は、自身の平行移動に関する自己相関の強さを示す指標となる数値である。したがって、自己相関係数最大値が高いほど、透明基材上に加工される凹凸形状において、似たような凹凸形状が連続しやすくなり、凹凸形状の周期長が短いにも関わらず、目視において特異な周期性が感じられやすいものとなる。なお、図17に示される自己相関係数最大値は、移動距離が20μm以上の範囲における自己相関係数最大値である。   FIG. 17 shows the maximum value of the autocorrelation coefficient of the pattern obtained by binarizing the 2 × (T−B) / (T + B) value and the second pattern obtained by applying the bandpass filter by the threshold method. It is a figure which shows the relationship. The maximum autocorrelation coefficient means the maximum value of the autocorrelation coefficient. The autocorrelation coefficient is based on Wiener Hinting's theorem, the second pattern is converted into a two-dimensional array in the spatial frequency domain by two-dimensional Fourier transform, the coefficient of each element is squared, and this is further subjected to inverse Fourier transform It is obtained by applying. The autocorrelation coefficient maximum value is a numerical value that serves as an index indicating the strength of autocorrelation with respect to the translation of itself. Therefore, the higher the autocorrelation coefficient maximum value, the more likely the uneven shape processed on the transparent base material is to be continuous, and the shorter the periodic length of the uneven shape, the more visually. A unique periodicity is easily felt. Note that the autocorrelation coefficient maximum value shown in FIG. 17 is the autocorrelation coefficient maximum value in a range where the moving distance is 20 μm or more.

図17に示されるように、自己相関係数最大値は、2×(T−B)/(T+B)が0.20以下のときに極端に増加する一方、2×(T−B)/(T+B)が0.30以上である場合においては、比較的低い値を維持することがわかる。したがって、透明基材上に特異な周期性が感じられない凹凸形状を形成するためには、2×(T−B)/(T+B)の値は、0.20より大きいこと好ましく、0.30以上であることがより好ましい。   As shown in FIG. 17, the maximum value of the autocorrelation coefficient increases extremely when 2 × (T−B) / (T + B) is 0.20 or less, while 2 × (T−B) / ( It can be seen that a relatively low value is maintained when T + B) is 0.30 or more. Therefore, in order to form a concavo-convex shape in which a specific periodicity is not felt on the transparent substrate, the value of 2 × (T−B) / (T + B) is preferably larger than 0.20, and 0.30 More preferably.

一方、第2のパターンが有する空間周波数範囲が広くなるほど、周期長の異なる多数の成分が足し合わされることによって、第2のパターンに対して閾値法による二値化処理を行なったときに孤立した小ドットが生成されやすくなるという傾向が、検討の結果明らかとなった。図18は、2×(T−B)/(T+B)の値と、バンドパスフィルタの適用により得られた第2のパターンを閾値法によって二値化して得られるパターンの孤立小ドットの発生個数との関係を示す図である。図18において、「発生個数」とは、第2のパターンに対して閾値法による二値化処理を施すことによって得られる画像において、中心空間周波数を0.05μm-1、透明基材上に凹凸形状を加工する際に使用する加工装置(レーザー描画装置等)の分解能Dを2μmとしたとき、連続する露光範囲の一辺の長さが分解能2×Dμm以下となる孤立した小ドットの発生個数を意味している。これらの連続する要素数が少ない孤立した小ドットの存在は、十分な加工再現性を妨げ得る。なお、中心空間周波数とは、上記したMainPeriodの逆数である。 On the other hand, as the spatial frequency range of the second pattern becomes wider, a large number of components having different period lengths are added, so that the second pattern is isolated when the binarization processing by the threshold method is performed. As a result of examination, the tendency that small dots are likely to be generated became clear. FIG. 18 shows the number of isolated small dots generated in the pattern obtained by binarizing the value of 2 × (T−B) / (T + B) and the second pattern obtained by applying the bandpass filter by the threshold method. It is a figure which shows the relationship. In FIG. 18, “number of occurrences” means that the center spatial frequency is 0.05 μm −1 and the unevenness is formed on the transparent substrate in an image obtained by performing binarization processing by the threshold method on the second pattern. When the resolution D of a processing apparatus (laser drawing apparatus, etc.) used when processing a shape is 2 μm, the number of isolated small dots with which the length of one side of the continuous exposure range is 2 × D μm or less is determined. I mean. The presence of these isolated small dots with a small number of continuous elements can hinder sufficient processing reproducibility. The center spatial frequency is the reciprocal of the above MainPeriod.

図18に示されるように、孤立した小ドットの発生個数は、2×(T−B)/(T+B)が0.80以上の範囲である場合において、その値が大きくなるほど、急激に増加する傾向が見られる一方、2×(T−B)/(T+B)が0.70以下である場合においては、比較的低い値を維持することがわかる。したがって、凹凸形状の加工再現性を良好なものとするためには、2×(T−B)/(T+B)の値は、0.80未満であるがこと好ましく、0.70以下であることがより好ましい。   As shown in FIG. 18, when the number of isolated small dots is 2 × (T−B) / (T + B) is in the range of 0.80 or more, the number increases rapidly as the value increases. On the other hand, it can be seen that when 2 × (T−B) / (T + B) is 0.70 or less, a relatively low value is maintained. Therefore, in order to improve the processing reproducibility of the uneven shape, the value of 2 × (T−B) / (T + B) is preferably less than 0.80, preferably 0.70 or less. Is more preferable.

以上より、加工再現性が良好で、かつ特異な周期性が感じられない凹凸形状を形成するためには、空間周波数範囲下限値Bおよび空間周波数範囲上限値Tは、上記式(1)を満たすことが好ましく、上記式(2)を満たすことがより好ましい。上記式(1)を満たす、好ましくは上記式(2)を満たすバンドパスフィルタの適用により、後述するモンテカルロ法を用いた孤立ドットの低減処理を必ずしも行なうことなく、閾値法による二値化によって、加工再現性が良好なパターンを得ることが可能となる。   From the above, in order to form an uneven shape with good processing reproducibility and no particular periodicity, the spatial frequency range lower limit B and the spatial frequency range upper limit T satisfy the above formula (1). It is preferable that the above formula (2) is satisfied. By applying a bandpass filter that satisfies the above formula (1), and preferably satisfies the above formula (2), without performing an isolated dot reduction process using a Monte Carlo method, which will be described later, by binarization by the threshold method, A pattern with good processing reproducibility can be obtained.

なお、バンドパスフィルタを適用した後の、空間周波数範囲下限値Bから空間周波数範囲上限値Tの範囲の空間周波数分布に対し、第1のパターンの空間周波数分布の場合と同様に、振幅強度が好ましくは一定となるよう、振幅強度を増減させる処理を施してもよい。滑らかに空間周波数成分の振幅強度を変化させることにより、より滑らかな凹凸形状を得ることができるようになる。   Note that, after applying the band-pass filter, the amplitude intensity is different from the spatial frequency distribution in the range of the spatial frequency range lower limit B to the spatial frequency range upper limit T as in the case of the spatial frequency distribution of the first pattern. A process of increasing or decreasing the amplitude intensity may be performed so that the amplitude is preferably constant. By smoothly changing the amplitude intensity of the spatial frequency component, a smoother uneven shape can be obtained.

ここで、レジストワークにおいては、露光領域の比率が30%〜70%の範囲にあるとき、エッチングや現像への適性が良好となる。さらに好ましくは40%〜60%の範囲である。第2のパターンを閾値法により二値化したパターンがこの条件を満たすためには、閾値を適切に設定する必要がある。これは、得られた第2のパターンの各画素について頻度分布を解析し、累積度数が目標の比率となる値を閾値として二値化することで達成できる。具体的には、たとえば次のとおりである。   Here, in the resist work, when the ratio of the exposure area is in the range of 30% to 70%, the suitability for etching and development is good. More preferably, it is in the range of 40% to 60%. In order for the pattern obtained by binarizing the second pattern by the threshold method to satisfy this condition, it is necessary to set the threshold appropriately. This can be achieved by analyzing the frequency distribution for each pixel of the obtained second pattern and binarizing the value with the cumulative frequency being the target ratio as a threshold value. Specifically, it is as follows, for example.

図19は、図16に示される画像データについてグレイスケールインデックスのヒストグラムを解析することにより得られたグレイスケールインデックスの累積率の分布を示す図である。図19に示される累積率分布によると、グレイスケールインデックス125以下の画素数が40%であることがわかる。図20は、この累積率分布の解析結果を考慮し、グレイスケールインデックス125を閾値として、図16に示される画像データを閾値法により二値化することにより得られたパターンの拡大図である。図20に示される二値化された第2のパターンにおいて、黒で表示した部分(露光領域に相当する)の充填率は、グレイスケールインデックス125を閾値としたことにより、40%となっている。図21に、図20に示される二値化された第2のパターンより得られる二次元配列を高速フーリエ変換(FFT)により空間周波数領域に変換して得られる空間周波数分布を示す。図21に示されるように、図20に示される二値化された第2のパターンは、ギラツキの発生に関与する低空間周波数成分が低減され、かつ、加工再現性を低下させる高空間周波数成分も低減された空間周波数分布を有していることから、図20に示される二値化された第2のパターンを用いて透明基材上に凹凸形状を加工することにより、優れた防眩性能、ギラツキ低減および加工適性が期待される。   FIG. 19 is a diagram showing a distribution of gray scale index accumulation rates obtained by analyzing a gray scale index histogram for the image data shown in FIG. According to the cumulative rate distribution shown in FIG. 19, it can be seen that the number of pixels having a gray scale index of 125 or less is 40%. FIG. 20 is an enlarged view of a pattern obtained by binarizing the image data shown in FIG. 16 by the threshold method using the gray scale index 125 as a threshold in consideration of the analysis result of the cumulative rate distribution. In the binarized second pattern shown in FIG. 20, the filling rate of the portion displayed in black (corresponding to the exposure area) is 40% by using the gray scale index 125 as a threshold value. . FIG. 21 shows a spatial frequency distribution obtained by converting the two-dimensional array obtained from the binarized second pattern shown in FIG. 20 into the spatial frequency domain by fast Fourier transform (FFT). As shown in FIG. 21, the binarized second pattern shown in FIG. 20 has a high spatial frequency component that reduces the low spatial frequency component involved in the occurrence of glare and reduces processing reproducibility. Since it has a reduced spatial frequency distribution, excellent anti-glare performance can be obtained by processing the concavo-convex shape on the transparent substrate using the binarized second pattern shown in FIG. Reduction of glare and suitability for processing are expected.

(2)ディザリング法による多値化
ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタの適用により得られた第2のパターンを二値化など多値化する方法としては、ディザリング法を好ましく用いることができる。この場合、第2のパターンにディザリング法を適用して得られる第3のパターンを用いて、透明基材上に凹凸形状を加工する。ディザリング法は、アナログデータのデジタルデータへの変換、あるいはデジタルデータのビットレートやビット深度を変換するための手法の一つであり、デジタル信号処理の一手法として位置づけることができる。方形確率密度関数や三角形確率密度関数などのランダムな信号を付与することで、信号を離散化する際の誤差の偏りを低減させる手法、あるいは、パターンディザ法、誤差拡散法など各種の手法が知られている。
(2) Multi-value by dithering method As a method for multi-value such as binarization of the second pattern obtained by applying a high-pass filter or a band-pass filter, a dither method can be preferably used. In this case, an uneven shape is processed on the transparent substrate using a third pattern obtained by applying a dithering method to the second pattern. The dithering method is one of methods for converting analog data into digital data, or converting the bit rate and bit depth of digital data, and can be positioned as one method of digital signal processing. Various methods such as pattern dither method and error diffusion method are known to reduce the error bias when discretizing the signal by applying random signals such as rectangular probability density function and triangular probability density function. It has been.

上記のなかでも、本発明においては、モアレや干渉による着色の原因となる繰り返し模様が発生しにくく、また、局所的な平均明度の変動を抑制する効果が期待でき、さらに、マトリクスの最適化により、加工が困難な細かい模様の発生を抑制できる可能性があることから、ディザリング法として誤差拡散法を用いることが好ましい。誤差拡散法は、離散化する際に生じる誤差を周辺に拡散させることを特徴とする。   Among the above, in the present invention, a repetitive pattern that causes coloring due to moire or interference is unlikely to occur, and an effect of suppressing variation in local average brightness can be expected. Since there is a possibility that generation of fine patterns that are difficult to process can be suppressed, it is preferable to use an error diffusion method as the dithering method. The error diffusion method is characterized by diffusing an error that occurs during discretization to the periphery.

誤差拡散法のアルゴリズムの概要を、8ビット256階調のグレースケールビットマップを1ビット2階調の白黒ビットマップに変換する場合を例に挙げて説明する。今、変換対象のピクセル(画素)が有する明度値が64であったとする。この画素を1ビット2階調の白黒ビットマップに変換する場合、8ビットでは明度値255と表現される白、もしくは明度値0で表現される黒に変換する必要がある。通常はより近い値に変換することになる。したがって、明度値が64である画素は、255よりも0に近いため、0に対応する値(すなわち黒)に変換される。この際、変換によって、8ビット階調の画像と比較すると、変換された後の画像では−64の明度値誤差が生じる。これは、画像の明度の総和が64だけ減少したことを意味する。誤差拡散法では、生じた−64の明度値誤差を相殺するように、事前に決定された重みに従って、周囲の画素の明度値を変更する。このような操作をすべての画素について繰り返すことにより二値化が行なわれる。   The outline of the algorithm of the error diffusion method will be described by taking as an example the case of converting a grayscale bitmap of 8 bits 256 gradations into a monochrome bitmap of 1 bits 2 gradations. Assume that the brightness value of the pixel to be converted is 64. When this pixel is converted into a monochrome bit map of 1 bit and 2 gradations, it is necessary to convert it into white expressed with a brightness value of 255 or black expressed with a brightness value of 0 with 8 bits. Usually, it will be converted to a closer value. Accordingly, a pixel having a lightness value of 64 is closer to 0 than 255, and is therefore converted to a value corresponding to 0 (ie, black). At this time, a lightness value error of −64 occurs in the converted image when compared with an 8-bit gradation image. This means that the total brightness of the image has decreased by 64. In the error diffusion method, the lightness value of surrounding pixels is changed according to a predetermined weight so as to cancel out the lightness value error of −64. Binarization is performed by repeating such an operation for all pixels.

重みの付け方については、画像処理の分野においていくつか好ましいとされるマトリクスが知られている。たとえば、Floyd & Steinberg;Jarvis,Judis and Nink;Stucki;Burks;Stevenson & Arche;Sierra 3 Line;Sierra 2 Line;Sierra Filter Liteなどが好ましい重み付けを有するマトリクスとして知られている。   Regarding the weighting method, several matrixes that are preferable in the field of image processing are known. For example, Floyd &Steinberg; Jarvis, Judis and Nink; Stucki; Burks; Stevenson &Arche; Sierra 3 Line; Sierra 2 Line; Sierra Filter Lite and the like are known as matrices having preferable weights.

図22は、上記例示されたマトリクスにおける変換誤差の拡散の重み付けを説明するための図である。マトリクスの一例として、Floyd & Steinbergを例に挙げて説明すると、ピクセルAは、変換対象のピクセルである。上記の例のように、ピクセルAの変換(明度値64から0への変換)により、変換された後の画像に−64の明度値誤差が生じた場合、この明度値誤差を相殺するように、隣接する4つのピクセルの明度値を、7:1:5:3の重み付けで変更する。すなわち、隣接する4つのピクセルの明度値をそれぞれ、(7/16)×64、(1/16)×64、(5/16)×64、(3/16)×64だけ増加させる。なお、斜線のハッチングが付されたピクセルBは、二値化処理が完了したピクセルを示している。また、「0」と記載されたピクセルは、誤差を拡散させない重みがゼロのピクセルである。   FIG. 22 is a diagram for explaining the weighting of the diffusion of the conversion error in the above exemplified matrix. As an example of the matrix, Floyd & Steinberg will be described as an example. The pixel A is a pixel to be converted. As in the above example, when the pixel A conversion (the conversion from the lightness value 64 to 0) causes a lightness value error of −64 in the converted image, the lightness value error is canceled out. The brightness values of four adjacent pixels are changed with a weight of 7: 1: 5: 3. That is, the brightness values of four adjacent pixels are increased by (7/16) × 64, (1/16) × 64, (5/16) × 64, and (3/16) × 64, respectively. Note that a pixel B with hatched hatching indicates a pixel for which binarization processing has been completed. A pixel described as “0” is a pixel having a weight of zero that does not diffuse an error.

バンドパスフィルタの適用により得られた第2のパターンに対して、図22に示されるマトリクスに従う誤差拡散法を適用して得られた第3のパターンの例を図23〜30に示す。図23〜30に示される第3のパターンはいずれも、8ビットグレースケールイメージとして得られた図31に示される第2のパターンから作成したものであり、1ビットの白黒画像データからなる。より具体的に説明すると、図23〜30に示される第3のパターンは、12800dpiの解像度で1.024mm四方の8ビットのビットマップイメージをKnuthの乱数ジェネレータ減算アルゴリズムにより生成された0から1の値を有する擬似乱数列を用いて作成した第1のパターンに対し、空間周波数範囲下限値Bおよび空間周波数範囲上限値Tが下記式(I)および(II):
B=1/(MainPeriod*(1+BandWidth/100)) (I)
T=1/(MainPeriod*(1−BandWidth/100)) (II)
であり、透過帯域ピークの形状が矩形型であるバンドパスフィルタを適用することによって得られた図31に示される第2のパターンを、各種マトリクスを用いた誤差拡散法によって二値化したものである。MainPeriod=12(μm)、BandWidth=20(%)とした。なお、図23〜30は、画像の特徴を把握しやすくするため、生成された第3のパターンから一部を拡大して示したものである。
Examples of the third pattern obtained by applying the error diffusion method according to the matrix shown in FIG. 22 to the second pattern obtained by applying the bandpass filter are shown in FIGS. Each of the third patterns shown in FIGS. 23 to 30 is created from the second pattern shown in FIG. 31 obtained as an 8-bit grayscale image, and consists of 1-bit monochrome image data. More specifically, the third pattern shown in FIGS. 23 to 30 is a 0 to 1 generated by Knuth's random number generator subtraction algorithm using a 1.024 mm square 8-bit bitmap image at a resolution of 12800 dpi. For the first pattern created using a pseudo-random number sequence having values, the spatial frequency range lower limit value B and the spatial frequency range upper limit value T are represented by the following formulas (I) and (II):
B = 1 / (MainPeriod * (1 + BandWidth / 100)) (I)
T = 1 / (MainPeriod * (1-BandWidth / 100)) (II)
The second pattern shown in FIG. 31 obtained by applying a band-pass filter whose transmission band peak has a rectangular shape is binarized by an error diffusion method using various matrices. is there. MainPeriod = 12 (μm) and BandWidth = 20 (%). 23 to 30 are enlarged views of a part of the generated third pattern in order to make it easier to grasp the characteristics of the image.

図32は、図23〜30に示される、各種マトリクスに従う誤差拡散法により二値化された第3のパターンの空間周波数分布と、閾値法により二値化されたパターンの空間周波数分布とを比較する図である。図32に示されるように、閾値法により二値化を行なう場合、得られるパターンは、低空間周波数領域において比較的高い振幅強度を示す。一方、誤差拡散法を適用した場合、いずれのマトリクスを採用した場合においても、低空間周波数成分をより低減させることができる。したがって、誤差拡散法の適用により、ギラツキがより効果的に抑制された防眩処理および防眩フィルムを実現することが可能となる。なお、図32における閾値法により二値化されたパターンは、図31に示される第2のパターンに対し、中間値127を閾値として、これよりも大きい値を白、これ以下の値を黒とする二値化により作成したものである。   FIG. 32 compares the spatial frequency distribution of the third pattern binarized by the error diffusion method according to various matrices shown in FIGS. 23 to 30 with the spatial frequency distribution of the pattern binarized by the threshold method. It is a figure to do. As shown in FIG. 32, when binarization is performed by the threshold method, the obtained pattern shows a relatively high amplitude intensity in the low spatial frequency region. On the other hand, when the error diffusion method is applied, the low spatial frequency component can be further reduced regardless of which matrix is adopted. Therefore, application of the error diffusion method makes it possible to realize an antiglare treatment and an antiglare film in which glare is more effectively suppressed. Note that the pattern binarized by the threshold method in FIG. 32 is compared to the second pattern shown in FIG. 31 with the intermediate value 127 as a threshold, a value larger than this as white, and a value less than this as black. It was created by binarization.

このように、図22に示されるような一般に知られている誤差拡散マトリクスに従う誤差拡散法の適用により、良好な空間周波数特性を有する第3のパターンを得ることができる。しかし、これらの誤差拡散マトリクスに従って二値化された第3のパターンを作成する方法は、同色のピクセルが一定数以上の集団として存在していない孤立したピクセル(以下、「孤立ドット」という。この孤立ドットは、上記した「孤立した小ドット」と概念的に類似するが、後述するようにその定義が異なる。)を多く発生させる傾向にある。ここで、「孤立ドット」とは、二値化されたパターンに存在する、16個以下の連続した同色のピクセル(画素)からなる塊(島)をいう。第3のパターンが多くの孤立ドットを有する場合、1辺が4ピクセル以下の塊(島)が存在し得ることとなり、たとえばCTP法やウェットエッチングを含むプロセスまたは旋盤加工等の当該パターンを用いた凹凸加工に極めて高い精度が要求され、加工再現性が妨げられる場合がある。   As described above, by applying an error diffusion method according to a generally known error diffusion matrix as shown in FIG. 22, a third pattern having good spatial frequency characteristics can be obtained. However, the method of creating the third pattern binarized according to these error diffusion matrices is an isolated pixel (hereinafter referred to as an “isolated dot”) in which pixels of the same color do not exist as a group of a certain number or more. An isolated dot is conceptually similar to the above-mentioned “isolated small dot”, but its definition is different as described later. Here, the “isolated dot” refers to a lump (island) that is present in a binarized pattern and is composed of 16 or less continuous pixels of the same color. When the third pattern has many isolated dots, a lump (island) having a side of 4 pixels or less may exist. For example, a process including a CTP method or wet etching or a lathe process is used. Extremely high accuracy is required for uneven processing, and processing reproducibility may be hindered.

図33は、一般に知られている誤差拡散マトリクスに従う誤差拡散法の適用により第3のパターンを作成したときに発生する孤立ドットの発生個数を、閾値法により作成した場合と比較する図である。図示された数値は、閾値法により二値化されたパターンを作成したときに発生する孤立ドットの発生個数に対する比を示している。図33に示されるように、孤立ドットの発生頻度が最も少ないStevenson & Archeのマトリクスでも、発生個数は閾値法の27倍であり、Floyd & Steinbergのマトリクスを用いた場合には155倍にも達する。   FIG. 33 is a diagram for comparing the number of isolated dots generated when the third pattern is generated by applying an error diffusion method according to a generally known error diffusion matrix, compared with the case where the number of isolated dots is generated by the threshold method. The numerical values shown indicate the ratio to the number of isolated dots generated when a binarized pattern is created by the threshold method. As shown in FIG. 33, even in the Stevenson & Arche matrix where the frequency of isolated dots is the lowest, the number of occurrences is 27 times that of the threshold method, and reaches 155 times when the Floyd & Steinberg matrix is used. .

本発明者らは鋭意検討した結果、孤立ドットの発生個数を抑制するためには、誤差拡散マトリクスとして、短距離の誤差拡散を含まないマトリクスを用いることが好ましいことを見出した。   As a result of intensive studies, the present inventors have found that it is preferable to use a matrix that does not include short-distance error diffusion as the error diffusion matrix in order to suppress the number of isolated dots generated.

図34〜42は、それぞれ拡散距離が1、2、3、4、5、6、3+4、4+5および3+4+5である誤差拡散マトリクスの例を示す図である。これらの図は、図22と同様、変換誤差の拡散の重み付けを示したものである。拡散距離とは、変換対象のピクセル(ピクセルA)の白または黒への変換によって生じた明度値誤差を相殺するために、明度値を変更するピクセルと変換対象のピクセルとの距離をいい、「拡散距離1」とは、明度値を変更するピクセルと変換対象のピクセルとが隣接していることを意味する(図34参照)。「拡散距離2」とは、変換対象のピクセルから数えて2つ目のピクセルを、明度値を変更するピクセルとする(明度値を変更するピクセルと変換対象のピクセルとの間に1つのピクセルが介在する)ことを意味する(図35参照)。3以上の拡散距離についても同様である。また、図40の「拡散距離3+4のマトリクス」とは、図36に示される「拡散距離3のマトリクス」と図37に示される「拡散距離4のマトリクス」の合成である。図41および42についても同様である。   34 to 42 are diagrams illustrating examples of error diffusion matrices in which the diffusion distances are 1, 2, 3, 4, 5, 6, 3 + 4, 4 + 5, and 3 + 4 + 5, respectively. These figures show the weighting of the conversion error diffusion, as in FIG. The diffusion distance is a distance between a pixel whose brightness value is changed and a pixel to be converted in order to cancel a brightness value error caused by conversion of the pixel to be converted (pixel A) into white or black. “Diffusion distance 1” means that the pixel whose brightness value is to be changed and the pixel to be converted are adjacent to each other (see FIG. 34). “Diffusion distance 2” means that the second pixel counted from the pixel to be converted is a pixel whose brightness value is to be changed (one pixel is between the pixel whose brightness value is to be changed and the pixel to be converted). (Refer to FIG. 35). The same applies to a diffusion distance of 3 or more. Also, the “matrix of diffusion distance 3 + 4” in FIG. 40 is a combination of the “matrix of diffusion distance 3” shown in FIG. 36 and the “matrix of diffusion distance 4” shown in FIG. The same applies to FIGS. 41 and 42.

また、図34〜42に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第3のパターンの例をそれぞれ図43〜51に示す。用いた第2のパターンは図31に示されるパターンである。なお、図43〜51は、画像の特徴を把握しやすくするため、生成された第3のパターンから一部を拡大して示したものである。さらに、図52は、図34〜42に示される誤差拡散マトリクスに従う誤差拡散法の適用により第3のパターンを作成したときに発生する孤立ドットの発生個数を、閾値法により作成した場合と比較する図である。図示された数値は、閾値法により二値化されたパターンを作成したときに発生する孤立ドットの発生個数に対する比を示している。   Examples of the third pattern obtained by applying the error diffusion method according to the matrix shown in FIGS. 34 to 42 are shown in FIGS. 43 to 51, respectively. The second pattern used is the pattern shown in FIG. 43 to 51 are enlarged views of a part of the generated third pattern in order to make it easier to grasp the characteristics of the image. Furthermore, FIG. 52 compares the number of isolated dots generated when the third pattern is generated by applying the error diffusion method according to the error diffusion matrix shown in FIGS. FIG. The numerical values shown indicate the ratio to the number of isolated dots generated when a binarized pattern is created by the threshold method.

図52に示されるように、誤差拡散距離が1の場合には、閾値法と比較して247倍に達する個数の孤立ドットが発生するが、誤差拡散距離を大きく設定するに従い、発生個数が減少することが分かる。特に誤差拡散距離が1を超える場合、急激に孤立ドットの数が減少することがわかる。図52に示される結果から、孤立ドットの発生をより効果的に抑制するためには、誤差拡散距離は、1を超える(すなわち、1ピクセルを超える範囲に変換誤差を拡散させる、以下同様)ことが好ましく、2以上であることがより好ましく、3以上であることがさらに好ましい。また、誤差拡散距離の上限は特に制限されないが、たとえば6以下である。なかでも、3以上の誤差拡散距離を持つマトリクスを用いて作成したパターンは、加工範囲の幅が広く、良好な加工適性が期待される。   As shown in FIG. 52, when the error diffusion distance is 1, the number of isolated dots is 247 times that of the threshold method, but the generated number decreases as the error diffusion distance is set larger. I understand that In particular, when the error diffusion distance exceeds 1, it can be seen that the number of isolated dots decreases rapidly. From the results shown in FIG. 52, in order to more effectively suppress the generation of isolated dots, the error diffusion distance should exceed 1 (that is, the conversion error is diffused to a range exceeding 1 pixel, and so on). Is preferably 2, or more, more preferably 3 or more. The upper limit of the error diffusion distance is not particularly limited, but is, for example, 6 or less. In particular, a pattern created using a matrix having an error diffusion distance of 3 or more has a wide processing range and is expected to have good processing suitability.

図53は、図34〜42に示される誤差拡散マトリクスに従う誤差拡散法により二値化された図43〜51の第3のパターンの空間周波数分布と、閾値法により二値化されたパターンの空間周波数分布とを比較する図である。この閾値法により二値化されたパターンは、図32のものと同じである。図53から、いずれの誤差拡散マトリクスを用いた場合でも、閾値法と比べ、低空間周波数成分の振幅を低減できることがわかる。   53 shows the spatial frequency distribution of the third pattern of FIGS. 43 to 51 binarized by the error diffusion method according to the error diffusion matrix shown in FIGS. 34 to 42 and the space of the pattern binarized by the threshold method. It is a figure which compares with frequency distribution. The pattern binarized by this threshold method is the same as that in FIG. From FIG. 53, it can be seen that the amplitude of the low spatial frequency component can be reduced as compared with the threshold method when any error diffusion matrix is used.

(第4のパターンの作成)
閾値法もしくはディザリング法によって2段階に離散化された情報に変換された(二値化された)パターンは、孤立ドットを多く含む場合がある。このような場合、第3のパターン等の二値化されたパターンに対して、孤立ドットを減少させる操作をさらに施し、第4のパターンを作成してもよい。この場合、得られる第4のパターンを用いて、透明基材上に凹凸形状を加工する。孤立ドットを減少させる操作を施すことにより、より加工再現性良く透明基材上に凹凸形状を付与することができる。第4のパターンの作成に用いる二値化されたパターンは、閾値法によって二値化されたものであってもよいし、誤差拡散法等のディザリング法によって二値化されたものであってもよい。ただし、上述のように、上記式(1)を満たす、好ましくは上記式(2)を満たすバンドパスフィルタの適用により第2のパターンを作成する場合には、このような孤立ドットの低減処理は必ずしも必要ではない。
(Creation of the fourth pattern)
A pattern converted into binarized information (binarized) by the threshold method or dithering method may include many isolated dots. In such a case, the fourth pattern may be created by further performing an operation of reducing isolated dots on the binarized pattern such as the third pattern. In this case, a concavo-convex shape is processed on the transparent substrate using the obtained fourth pattern. By performing an operation for reducing the number of isolated dots, it is possible to impart a concavo-convex shape on the transparent substrate with better process reproducibility. The binarized pattern used to create the fourth pattern may be binarized by a threshold method, or binarized by a dithering method such as an error diffusion method. Also good. However, as described above, when the second pattern is created by applying a bandpass filter that satisfies the above formula (1), and preferably satisfies the above formula (2), such an isolated dot reduction process is performed. It is not always necessary.

上記孤立ドットを減少させる操作としては、モンテカルロ法により、第3のパターン等の二値化されたパターンに存在する孤立ドットである黒または白のピクセルを同色の塊(島)まで移動させる手法を好ましく用いることができる。モンテカルロ法は、乱数に基づいてシミュレーションを行なう手法の総称である。孤立ドットの処理方法としては、単純に孤立しているドットを削除する方法が最も単純である。しかし、画像処理においてこのような単純な方法を用いると局所的に平均的な明度の値が変化する場合があり、これは、低空間周波数成分の増大に繋がる。モンテカルロ法は、局所的にも平均的な明度に影響を与えることなく、孤立ドットを処理する有効な手法である。以下、モンテカルロ法による孤立ドットの処理方法の具体例を、図54を参照して説明する。   As an operation for reducing the number of isolated dots, a method of moving black or white pixels, which are isolated dots present in a binarized pattern such as the third pattern, to a cluster (island) of the same color by the Monte Carlo method. It can be preferably used. The Monte Carlo method is a general term for a method of performing a simulation based on random numbers. The simplest method for processing isolated dots is to simply delete the isolated dots. However, when such a simple method is used in image processing, the average brightness value may change locally, which leads to an increase in low spatial frequency components. The Monte Carlo method is an effective method for processing isolated dots without affecting the average brightness locally. Hereinafter, a specific example of the processing method of isolated dots by the Monte Carlo method will be described with reference to FIG.

まず、対象画素(ピクセル)が「孤立ドット」であるか否かを判定する。ここで説明する具体例における「孤立ドット」とは、上記した定義と異なり、周囲の最近接8画素のうち、対象画素と同じ段階にある(同色の)画素の個数が2個以下のものと定義される。たとえば、対象画素が黒である場合、最近接8画素のうち、黒画素の個数が2個以下であれば、孤立ドットと判定される。白画素についても同様である。次に、孤立ドットと判定された画素を、空いている最近接画素のうち、乱数で選択された画素に移動させる。   First, it is determined whether or not the target pixel (pixel) is an “isolated dot”. The “isolated dot” in the specific example described here is different from the above definition, and the number of pixels (same color) at the same stage (same color) as the target pixel among the eight nearest neighboring pixels is two or less. Defined. For example, when the target pixel is black, it is determined as an isolated dot if the number of black pixels in the closest eight pixels is two or less. The same applies to white pixels. Next, the pixel determined to be an isolated dot is moved to a pixel selected by a random number from among the nearest free pixels.

たとえば、図54(a)においては、対象画素が黒である場合、最近接8画素のうち1画素のみが黒であるため孤立ドットと判定され、対象画素は、空いている最近接7画素のうち、乱数で選択された画素に移動される。また、図54(b)においては、対象画素が黒である場合、最近接8画素のうち2画素が黒であるため孤立ドットと判定され、対象画素は、空いている最近接6画素のうち、乱数で選択された画素に移動される。図54(c)においては、対象画素が黒である場合、最近接8画素のうち3画素が黒であるため、孤立ドットと判定されず、移動させない。   For example, in FIG. 54 (a), when the target pixel is black, only one pixel out of the nearest 8 pixels is black, so it is determined as an isolated dot, and the target pixel is an empty nearest 7 pixel. Among them, the pixel is moved to a pixel selected by a random number. In FIG. 54 (b), when the target pixel is black, two of the nearest eight pixels are black, so it is determined as an isolated dot, and the target pixel is the nearest six nearest pixels. , Moved to a pixel selected with a random number. In FIG. 54 (c), when the target pixel is black, three of the nearest eight pixels are black, so that it is not determined as an isolated dot and is not moved.

以上のようなモンテカルロ法による操作を繰り返し行なうことにより、孤立ドットを効果的に減少させることができる。モンテカルロ法による操作を、たとえば10〜60回程度繰り返すと、バンドパスフィルタを透過した空間周波数成分の空間周波数の値が、周期長に換算して3ピクセルから6ピクセルの間の時、孤立ドットがほとんど検出されない、良好な加工適性が期待されるパターンを得ることができる。   By repeating the operation by the Monte Carlo method as described above, it is possible to effectively reduce isolated dots. When the operation by the Monte Carlo method is repeated about 10 to 60 times, for example, when the spatial frequency value of the spatial frequency component transmitted through the bandpass filter is between 3 and 6 pixels in terms of period length, A pattern that is hardly detected and is expected to have good processability can be obtained.

図55(a)〜(f)は、モンテカルロ法適用回数による第4のパターンの変化を示す図である。図55(a)〜(f)に示されるパターンは、図47に示される第3のパターン(拡散距離5)に対して、モンテカルロ法をそれぞれ、0、4、8、20、40および60回適用して孤立ドットを処理して得られたものである。また、図56は、モンテカルロ法適用回数と孤立ドットの発生個数との関係を示す図である。図56における孤立ドット発生個数比は、図33および図52と同様、図31に示される第2のパターンから閾値法により二値化されたパターンを作成したときに発生する孤立ドットの発生個数に対する比である。このように、繰り返しモンテカルロ法を適用することにより、孤立ドットの低減が可能であり、より優れた加工適性が期待される第4のパターンを作成することができる。   FIGS. 55A to 55F are diagrams showing changes in the fourth pattern depending on the number of times the Monte Carlo method is applied. In the patterns shown in FIGS. 55A to 55F, the Monte Carlo method is performed 0, 4, 8, 20, 40, and 60 times with respect to the third pattern shown in FIG. 47 (diffusion distance 5), respectively. It is obtained by applying and processing isolated dots. FIG. 56 is a diagram showing the relationship between the number of times the Monte Carlo method is applied and the number of isolated dots generated. The isolated dot generation number ratio in FIG. 56 corresponds to the number of isolated dots generated when a binarized pattern is created from the second pattern shown in FIG. 31 by the threshold method, as in FIGS. Is the ratio. In this manner, by applying the repeated Monte Carlo method, it is possible to reduce isolated dots and create a fourth pattern that is expected to have better processing suitability.

上記した第4のパターンの作成例は、第2のパターンとして、第1のパターンに対しバンドパスフィルタを適用して作成したものを用いたものであるが、ハイパスフィルタを適用して作成した第2のパターンを用いる場合であっても、バンドパスフィルタの場合と同様に、二値化および孤立ドットの低減処理により、低空間周波数成分が低減され、加工適性に優れる第4のパターンを得ることができる。   The above-described fourth pattern creation example uses the second pattern created by applying a bandpass filter to the first pattern. However, the fourth pattern created by applying a high-pass filter is used. Even in the case of using the pattern 2, as in the case of the bandpass filter, a low spatial frequency component is reduced by binarization and isolated dot reduction processing, and a fourth pattern having excellent processing suitability is obtained. Can do.

以上に示される透明基材上に凹凸形状を加工するために用いられるパターンの作成方法のうち、第2のパターンに対してディザリング法(なかでも誤差拡散法)を適用して第3のパターンを作成し、これにモンテカルロ法を適用して第4のパターンを作成する方法は、第2のパターンを作成する際、上記式(1)を満たすバンドパスフィルタを適用しない場合においても、低空間周波数成分および孤立ドットが低減されたパターンを得ることが可能であることから、好ましい実施形態の1つである。   Of the pattern creation methods used to process the concavo-convex shape on the transparent substrate shown above, the third pattern is applied to the second pattern by applying a dithering method (in particular, an error diffusion method). And the fourth pattern is created by applying the Monte Carlo method to this, even when the band-pass filter satisfying the above equation (1) is not applied when the second pattern is created. This is one of the preferred embodiments because it is possible to obtain a pattern with reduced frequency components and isolated dots.

(パターンを用いた凹凸形状の加工)
本工程では、上記のようにして得られたパターンのいずれか(第2のパターンあるいはこれを閾値法により2段階に離散化された情報に変換された(二値化された)パターン、第3のパターンまたは第4のパターン)を用いて、透明基材上に凹凸形状を加工し、透明基材に防眩性を付与する。透明基材上に凹凸形状を加工する際に用いる加工装置は、従来公知の装置であってよく、たとえば、レーザー描画装置、レーザー加工装置、精密旋盤などを用いることができる。レーザー加工装置としては、たとえば、レーザーマーカ、レーザー彫刻機、レーザー加工機などとして販売されている各種加工装置を用いることができる。
(Processing uneven shapes using patterns)
In this step, any one of the patterns obtained as described above (the second pattern or a pattern obtained by converting (binarizing) this into information discretized in two stages by the threshold method, Or the fourth pattern) is used to process an uneven shape on the transparent base material, thereby imparting antiglare properties to the transparent base material. The processing apparatus used when processing the concavo-convex shape on the transparent substrate may be a conventionally known apparatus, and for example, a laser drawing apparatus, a laser processing apparatus, a precision lathe, or the like can be used. As the laser processing apparatus, for example, various processing apparatuses sold as laser markers, laser engraving machines, laser processing machines, and the like can be used.

透明基材上への凹凸形状の加工は、上記したパターンが有する離散化された情報に基づいて加工を行なう加工装置を用いて行なわれることが好ましい。離散化された情報に基づいて加工を行なう加工装置としては、具体的には、精密旋盤、自動彫刻装置、レーザー加工装置、レーザー描画装置などの各種NC加工装置を挙げることができる。加工装置として、たとえばレーザー描画装置等を用いる場合、離散化された情報は、好ましくは2段階に離散化された情報である。   It is preferable that the processing of the concavo-convex shape on the transparent substrate is performed using a processing apparatus that performs processing based on the discretized information of the above-described pattern. Specific examples of the processing apparatus that performs processing based on the discretized information include various NC processing apparatuses such as a precision lathe, an automatic engraving apparatus, a laser processing apparatus, and a laser drawing apparatus. For example, when a laser drawing apparatus or the like is used as the processing apparatus, the discretized information is preferably information discretized in two stages.

また、凹凸加工に用いるパターンが、離散化された情報の二次元配列からなる場合、当該二次元配列に格納される値に基づいて行なう凹凸の加工においては、加工装置の特性に応じてこれらの値を変換し、加工に用いることができる。たとえば、レーザー加工機やレーザー彫刻機の場合には、レーザー照射回数に読み替えてもよい。精密旋盤のようなバイトの深さを制御する加工装置の場合には、バイト押し込み量に対応する量に変換してもよい。   Further, when the pattern used for the uneven processing is composed of a two-dimensional array of discretized information, in the uneven processing performed based on the values stored in the two-dimensional array, depending on the characteristics of the processing device, these Values can be converted and used for processing. For example, in the case of a laser processing machine or a laser engraving machine, it may be read as the number of times of laser irradiation. In the case of a processing device that controls the depth of a cutting tool such as a precision lathe, the cutting tool may be converted into an amount corresponding to the amount of pressing of the cutting tool.

透明基材としては、光学的に透明な材料からなる部材である限り特に制限されず、たとえば、紫外線硬化型樹脂等の硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの樹脂材料からなる部材のほか、ガラス基板などであってもよい。たとえば、画像表示装置の最表面に備えられたガラス基板等の透明基材の表面に直接、本発明の防眩処理を施すことにより、画像表示装置に防眩処理を施すことが可能であり、これにより、優れた防眩性能を示しながら、白ちゃけおよびギラツキが効果的に抑制された画像表示装置を得ることができる。また、透明基材として樹脂フィルムを用い、本発明の方法により、該樹脂フィルム上に凹凸形状を加工することにより防眩フィルムを得ることができる。本発明の方法により得られる防眩フィルムを画像表示装置の表面に配置することにより、優れた防眩性能を示しながら、白ちゃけおよびギラツキが効果的に抑制された画像表示装置を得ることができる。   The transparent substrate is not particularly limited as long as it is a member made of an optically transparent material. For example, in addition to a member made of a curable resin such as an ultraviolet curable resin, a resin material such as a thermoplastic resin, a glass substrate It may be. For example, by directly applying the anti-glare treatment of the present invention to the surface of a transparent substrate such as a glass substrate provided on the outermost surface of the image display device, the image display device can be anti-glare treated. Thereby, it is possible to obtain an image display device in which whitishness and glare are effectively suppressed while exhibiting excellent antiglare performance. Moreover, an anti-glare film can be obtained by using a resin film as a transparent substrate and processing an uneven | corrugated shape on this resin film by the method of this invention. By disposing the antiglare film obtained by the method of the present invention on the surface of the image display device, it is possible to obtain an image display device in which whitening and glare are effectively suppressed while exhibiting excellent antiglare performance. it can.

本発明の透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法においては、透明基材上に微細凹凸表面形状をより精度良く、かつより加工再現性よく製造することができ、生産性にも優れることから、上記パターンのいずれか(第2のパターンあるいはこれを閾値法により2段階に離散化された情報に変換された(二値化された)パターン、第3のパターンまたは第4のパターン)を用いて、凹凸面(微細凹凸表面形状)を有する金型を作製し、製造された金型の凹凸面を透明基材上に転写する工程を含むことが好ましい。凹凸面が転写された透明基材を金型から剥がすことにより、微細凹凸表面形状が形成された透明基材(防眩フィルムを含む)を得ることができる。   In the anti-glare treatment method and the anti-glare film manufacturing method of the transparent substrate of the present invention, the fine uneven surface shape can be manufactured on the transparent substrate with higher accuracy and with higher processing reproducibility. Therefore, any one of the above patterns (the second pattern or a pattern obtained by converting (binarizing) this into information discretized in two stages by the threshold method, the third pattern, or the fourth pattern) It is preferable to include a step of producing a mold having an uneven surface (fine uneven surface shape) using a pattern, and transferring the uneven surface of the manufactured mold onto a transparent substrate. By removing the transparent base material having the concavo-convex surface transferred from the mold, a transparent base material (including an antiglare film) having a fine concavo-convex surface shape can be obtained.

金型形状の透明基材への転写は、エンボス法により行なうことが好ましい。エンボス法としては、光硬化性樹脂を用いるUVエンボス法、熱可塑性樹脂を用いるホットエンボス法が例示され、中でも、生産性の観点から、UVエンボス法が好ましい。   The transfer of the mold shape to the transparent substrate is preferably performed by an embossing method. Examples of the embossing method include a UV embossing method using a photocurable resin and a hot embossing method using a thermoplastic resin. Among these, the UV embossing method is preferable from the viewpoint of productivity.

UVエンボス法は、透明基材の表面に光硬化性樹脂層を形成し、その光硬化性樹脂層を金型の凹凸面に押し付けながら硬化させることで、金型の凹凸面が光硬化性樹脂層に転写される方法である。具体的には、透明基材上に紫外線硬化型樹脂を塗工し、塗工した紫外線硬化型樹脂を金型の凹凸面に密着させた状態で透明基材側から紫外線を照射して紫外線硬化型樹脂を硬化させ、その後金型から、硬化後の紫外線硬化型樹脂層が形成された透明基材を剥離することにより、金型の形状を紫外線硬化型樹脂に転写する。   The UV embossing method forms a photocurable resin layer on the surface of a transparent substrate, and cures the photocurable resin layer while pressing the photocurable resin layer against the uneven surface of the mold so that the uneven surface of the mold is a photocurable resin. It is a method of transferring to a layer. Specifically, an ultraviolet curable resin is applied onto a transparent substrate, and the ultraviolet curable resin is irradiated with ultraviolet rays from the transparent substrate side while the coated ultraviolet curable resin is in close contact with the uneven surface of the mold. The mold resin is cured, and then the shape of the mold is transferred to the ultraviolet curable resin by peeling the transparent substrate on which the cured ultraviolet curable resin layer is formed from the mold.

UVエンボス法を用いる場合、透明基材としては、実質的に光学的に透明なフィルムであればよく、たとえばトリアセチルセルロースフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリメチルメタクリレートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ノルボルネン系化合物をモノマーとする非晶性環状ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂の溶剤キャストフィルムや押出フィルムなどの樹脂フィルムが挙げられる。   When the UV embossing method is used, the transparent substrate may be a substantially optically transparent film. For example, a triacetyl cellulose film, a polyethylene terephthalate film, a polymethyl methacrylate film, a polycarbonate film, or a norbornene compound is used as a monomer. And a resin film such as a solvent cast film of thermoplastic resin such as amorphous cyclic polyolefin and an extruded film.

またUVエンボス法を用いる場合における紫外線硬化型樹脂の種類は特に限定されず、市販の適宜のものを用いることができる。また、紫外線硬化型樹脂に適宜選択された光開始剤を組み合わせて、紫外線より波長の長い可視光でも硬化が可能な樹脂を用いることも可能である。具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレートなどの多官能アクリレートをそれぞれ単独で、あるいはそれら2種以上を混合して用い、それと、イルガキュアー907(チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製)、イルガキュアー184(チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製)、ルシリンTPO(BASF社製)などの光重合開始剤とを混合したものを好適に用いることができる。   Moreover, the kind of ultraviolet curable resin in the case of using UV embossing method is not specifically limited, The commercially available appropriate thing can be used. It is also possible to use a resin that can be cured by visible light having a wavelength longer than that of ultraviolet rays by combining an ultraviolet curable resin with an appropriately selected photoinitiator. Specifically, polyfunctional acrylates such as trimethylolpropane triacrylate and pentaerythritol tetraacrylate are used singly or as a mixture of two or more thereof and Irgacure 907 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals). ), Irgacure 184 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals), and a photopolymerization initiator such as Lucillin TPO (manufactured by BASF) can be suitably used.

一方、ホットエンボス法は、熱可塑性樹脂からなる透明基材を加熱状態で金型に押し付け、金型の表面凹凸形状を透明支持体に転写する方法である。ホットエンボス法に用いる透明基材としては、実質的に透明なものであればいかなるものであってもよく、たとえば、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、トリアセチルセルロース、ノルボルネン系化合物をモノマーとする非晶性環状ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂の溶剤キャストフィルムや押出フィルムなどを用いることができる。これらの透明樹脂フィルムはまた、上で説明したUVエンボス法における紫外線硬化型樹脂を塗工するための透明基材としても好適に用いることができるものである。   On the other hand, the hot embossing method is a method in which a transparent base material made of a thermoplastic resin is pressed against a mold in a heated state, and the uneven surface shape of the mold is transferred to a transparent support. The transparent base material used in the hot embossing method may be any material as long as it is substantially transparent. For example, polymethyl methacrylate, polycarbonate, polyethylene terephthalate, triacetyl cellulose, norbornene compounds are used as monomers. A solvent cast film or an extruded film of a thermoplastic resin such as amorphous cyclic polyolefin can be used. These transparent resin films can also be suitably used as a transparent substrate for applying the ultraviolet curable resin in the UV embossing method described above.

<金型の製造方法>
以下では、本発明の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法に好適に用いることができる金型の製造方法について説明する。図57は、本発明の金型の製造方法の前半部分の好ましい一例を模式的に示す図である。図57には、各工程での金型の断面を模式的に示している。本発明の金型の製造方法は、〔1〕第1めっき工程と、〔2〕研磨工程と、〔3〕感光性樹脂膜形成工程と、〔4〕露光工程と、〔5〕現像工程と、〔6〕第1エッチング工程と、〔7〕感光性樹脂膜剥離工程と、〔8〕第2めっき工程を基本的に含む。以下、図57を参照しながら、本発明の金型の製造方法の各工程について詳細に説明する。
<Manufacturing method of mold>
Below, the manufacturing method of the metal mold | die which can be used suitably for the anti-glare processing method of this invention and the manufacturing method of an anti-glare film is demonstrated. FIG. 57 is a diagram schematically showing a preferred example of the first half of the method for producing a mold of the present invention. FIG. 57 schematically shows a cross section of the mold in each step. The mold manufacturing method of the present invention includes [1] a first plating step, [2] a polishing step, [3] a photosensitive resin film forming step, [4] an exposure step, and [5] a development step. [6] Basically includes a first etching step, [7] a photosensitive resin film peeling step, and [8] a second plating step. Hereafter, each process of the manufacturing method of the metal mold | die of this invention is demonstrated in detail, referring FIG.

〔1〕第1めっき工程
本発明の金型の製造方法ではまず、金型に用いる基材の表面に、銅めっきまたはニッケルめっきを施す。このように、金型用基材の表面に銅めっきまたはニッケルめっきを施すことにより、後の第2めっき工程におけるクロムめっきの密着性や光沢性を向上させることができる。すなわち、背景技術として上述したように、鉄などの表面にクロムめっきを施した場合、あるいはクロムめっき表面にサンドブラスト法やビーズショット法などで凹凸を形成してから再度クロムめっきを施した場合には、表面が荒れやすく、細かいクラックが生じて、金型の表面の凹凸形状が制御しにくくなる。これに対して、まず、基材表面に銅めっきまたはニッケルめっきを施しておくことにより、このような不都合をなくすことができる。これは、銅めっきまたはニッケルめっきは、被覆性が高く、また平滑化作用が強いことから、金型用基材の微小な凹凸や鬆などを埋めて平坦で光沢のある表面を形成するためである。これらの銅めっきまたはニッケルめっきの特性によって、後述する第2めっき工程においてクロムめっきを施したとしても、基材に存在していた微小な凹凸や鬆に起因すると思われるクロムめっき表面の荒れが解消され、また、銅めっきまたはニッケルめっきの被覆性の高さから、細かいクラックの発生が低減される。
[1] First Plating Step In the mold manufacturing method of the present invention, first, copper plating or nickel plating is applied to the surface of the substrate used for the mold. Thus, by performing copper plating or nickel plating on the surface of the mold base, it is possible to improve the adhesion and gloss of chromium plating in the subsequent second plating step. In other words, as described above as the background art, when chrome plating is applied to the surface of iron, etc., or when chrome plating is applied again after forming irregularities on the chrome plating surface by the sandblast method or bead shot method, etc. The surface tends to be rough and fine cracks occur, making it difficult to control the uneven shape of the mold surface. On the other hand, such inconvenience can be eliminated by first performing copper plating or nickel plating on the substrate surface. This is because copper plating or nickel plating has a high covering property and a strong smoothing action, so that a flat and glossy surface is formed by filling minute irregularities and voids of the mold base. is there. Due to the characteristics of these copper plating or nickel plating, even if chromium plating is applied in the second plating step described later, the rough surface of the chromium plating that seems to be caused by minute irregularities and voids that existed on the substrate is eliminated. In addition, the occurrence of fine cracks is reduced due to the high coverage of copper plating or nickel plating.

第1めっき工程において用いられる銅またはニッケルとしては、それぞれの純金属であることができるほか、銅を主体とする合金、またはニッケルを主体とする合金であってもよく、したがって、本明細書でいう「銅」は、銅および銅合金を含む意味であり、また「ニッケル」は、ニッケルおよびニッケル合金を含む意味である。銅めっきおよびニッケルめっきは、それぞれ電解めっきで行なっても無電解めっきで行なってもよいが、通常は電解めっきが採用される。   The copper or nickel used in the first plating step may be a pure metal, or may be an alloy mainly composed of copper or an alloy mainly composed of nickel. “Copper” means to include copper and copper alloy, and “nickel” means to include nickel and nickel alloy. Copper plating and nickel plating may be performed by electrolytic plating or electroless plating, respectively, but electrolytic plating is usually employed.

銅めっきまたはニッケルめっきを施す際には、めっき層が余り薄いと、下地表面の影響が排除しきれないことから、その厚みは50μm以上であるのが好ましい。めっき層厚みの上限は臨界的でないが、コストなどに鑑み、めっき層厚みの上限は500μm程度までとすることが好ましい。   When copper plating or nickel plating is performed, if the plating layer is too thin, the influence of the underlying surface cannot be completely eliminated. Therefore, the thickness is preferably 50 μm or more. Although the upper limit of the plating layer thickness is not critical, the upper limit of the plating layer thickness is preferably about 500 μm in view of cost and the like.

本発明の金型の製造方法において、金型用基材の形成に好適に用いられる金属材料としては、コストの観点からアルミニウム、鉄などが挙げられる。取扱いの利便性から、軽量なアルミニウムを用いることがより好ましい。ここでいうアルミニウムや鉄も、それぞれ純金属であることができるほか、アルミニウムまたは鉄を主体とする合金であってもよい。   In the metal mold manufacturing method of the present invention, examples of the metal material suitably used for forming the metal mold substrate include aluminum and iron from the viewpoint of cost. From the viewpoint of handling convenience, it is more preferable to use lightweight aluminum. The aluminum and iron here may be pure metals, respectively, or may be an alloy mainly composed of aluminum or iron.

また、金型用基材の形状は、当該分野において従来採用されている適宜の形状であってよく、たとえば、平板状のほか、円柱状または円筒状のロールであってもよい。ロール状の基材を用いて金型を作製すれば、防眩処理を連続的に行なうことができ、防眩フィルムを連続的なロール状で製造することができるという利点がある。   Moreover, the shape of the base material for metal mold | die may be an appropriate | suitable shape conventionally employ | adopted in the said field | area, for example, besides a flat form, a cylindrical or cylindrical roll may be sufficient. If a die is produced using a roll-shaped substrate, there is an advantage that the anti-glare treatment can be continuously performed and the anti-glare film can be produced in a continuous roll shape.

〔2〕研磨工程
続く研磨工程では、上述した第1めっき工程にて銅めっきまたはニッケルめっきが施された基材表面を研磨する。当該工程を経て、基材表面は、鏡面に近い状態に研磨されることが好ましい。これは、基材となる金属板や金属ロールは、所望の精度にするために、切削や研削などの機械加工が施されていることが多く、それにより基材表面に加工目が残っており、銅めっきまたはニッケルめっきが施された状態でも、それらの加工目が残ることがあるし、また、めっきした状態で、表面が完全に平滑になるとは限らないためである。すなわち、このような深い加工目などが残った表面に後述する工程を施したとしても、各工程を施した後に形成される凹凸よりも加工目などの凹凸の方が深いことがあり、加工目などの影響が残る可能性があり、そのような金型を用いて防眩処理を施したり、防眩フィルムを製造した場合には、光学特性に予期できない影響を及ぼすことがある。図57(a)には、平板状の金型用基材7が、第1めっき工程において銅めっきまたはニッケルめっきをその表面に施され(当該工程で形成した銅めっきまたはニッケルめっきの層については図示せず)、さらに研磨工程によって鏡面研磨された表面8を有するようにされた状態を模式的に示している。
[2] Polishing Step In the subsequent polishing step, the surface of the substrate that has been subjected to copper plating or nickel plating in the first plating step described above is polished. It is preferable that the base material surface is grind | polished in the state close | similar to a mirror surface through the said process. This is because metal plates and metal rolls that serve as base materials are often subjected to machining such as cutting and grinding in order to achieve the desired accuracy, and as a result, machine marks remain on the base material surface. This is because even if copper plating or nickel plating is applied, those processed marks may remain, and the surface may not be completely smooth in the plated state. That is, even if a process described later is performed on the surface where such deep processed marks remain, unevenness such as processed marks may be deeper than the unevenness formed after each process is performed. Such effects may remain, and when an antiglare treatment is performed using such a mold or an antiglare film is produced, the optical characteristics may be unexpectedly affected. In FIG. 57 (a), a plate-shaped mold substrate 7 is subjected to copper plating or nickel plating on its surface in the first plating step (for the copper plating or nickel plating layer formed in this step). Further, a state in which the surface 8 is mirror-polished by a polishing process is schematically shown.

銅めっきまたはニッケルめっきが施された基材表面を研磨する方法については特に制限されるものではなく、機械研磨法、電解研磨法、化学研磨法のいずれも使用できる。機械研磨法としては、超仕上げ法、ラッピング、流体研磨法、バフ研磨法などが例示される。研磨後の表面粗度は、JIS B 0601の規定に準拠した中心線平均粗さRaが0.1μm以下であることが好ましく、0.05μm以下であることがより好ましい。研磨後の中心線平均粗さRaが0.1μmより大きいと、最終的な金型表面の凹凸形状に研磨後の表面粗度の影響が残る可能性がある。また、中心線平均粗さRaの下限については特に制限されず、加工時間や加工コストの観点から、おのずと限界があるので、特に指定する必要性はない。   There is no particular limitation on the method for polishing the surface of the substrate on which copper plating or nickel plating has been applied, and any of mechanical polishing, electrolytic polishing, and chemical polishing can be used. Examples of the mechanical polishing method include super finishing, lapping, fluid polishing, and buff polishing. As for the surface roughness after polishing, the center line average roughness Ra in accordance with the provisions of JIS B 0601 is preferably 0.1 μm or less, and more preferably 0.05 μm or less. If the centerline average roughness Ra after polishing is greater than 0.1 μm, the final unevenness of the mold surface may remain affected by the surface roughness after polishing. In addition, the lower limit of the center line average roughness Ra is not particularly limited, and there is no limit in particular because there is a natural limit from the viewpoint of processing time and processing cost.

〔3〕感光性樹脂膜形成工程
続く感光性樹脂膜形成工程では、上述した研磨工程によって鏡面研磨を施した金型用基材7の研磨された表面8に、感光性樹脂を溶媒に溶解した溶液として塗布し、加熱・乾燥することにより、感光性樹脂膜を形成する。図57(b)には、金型用基材7の研磨された表面8に感光性樹脂膜9が形成された状態を模式的に示している。
[3] Photosensitive resin film forming step In the subsequent photosensitive resin film forming step, the photosensitive resin was dissolved in the solvent on the polished surface 8 of the mold substrate 7 that was mirror-polished by the polishing step described above. A photosensitive resin film is formed by applying as a solution, heating and drying. FIG. 57B schematically shows a state in which the photosensitive resin film 9 is formed on the polished surface 8 of the mold base 7.

感光性樹脂としては従来公知の感光性樹脂を用いることができる。感光部分が硬化する性質をもったネガ型の感光性樹脂としては、たとえば、分子中にアクリル基またはメタアクリル基を有するアクリル酸エステルの単量体やプレポリマー、ビスアジドとジエンゴムとの混合物、ポリビニルシンナマート系化合物等を用いることができる。また、現像により感光部分が溶出し、未感光部分だけが残る性質をもったポジ型の感光性樹脂としては、たとえば、フェノール樹脂系やノボラック樹脂系等を用いることができる。また、感光性樹脂には、必要に応じて、増感剤、現像促進剤、密着性改質剤、塗布性改良剤等の各種添加剤を配合してもよい。   A conventionally known photosensitive resin can be used as the photosensitive resin. Examples of the negative photosensitive resin having a property of curing the photosensitive part include, for example, a monomer or prepolymer of an acrylate ester having an acrylic group or a methacrylic group in the molecule, a mixture of bisazide and a diene rubber, polyvinyl Cinnamate compounds and the like can be used. Further, as a positive photosensitive resin having such a property that a photosensitive part is eluted by development and only an unexposed part remains, for example, a phenol resin type or a novolac resin type can be used. Moreover, you may mix | blend various additives, such as a sensitizer, a development accelerator, an adhesiveness modifier, and a coating property improving agent, with a photosensitive resin as needed.

これらの感光性樹脂を金型用基材7の研磨された表面8に塗布する際には、良好な塗膜を形成するために、適当な溶媒に希釈して塗布することが好ましい。溶媒としては、セロソルブ系溶媒、プロピレングリコール系溶媒、エステル系溶媒、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、高極性溶媒等を使用することができる。   When these photosensitive resins are applied to the polished surface 8 of the mold base 7, it is preferable to dilute and apply in an appropriate solvent in order to form a good coating film. As the solvent, cellosolve solvents, propylene glycol solvents, ester solvents, alcohol solvents, ketone solvents, highly polar solvents, and the like can be used.

感光性樹脂溶液を塗布する方法としては、メニスカスコート、ファウンティンコート、ディップコート、回転塗布、ロール塗布、ワイヤーバー塗布、エアーナイフ塗布、ブレード塗布、およびカーテン塗布等の公知の方法を用いることができる。塗布膜の厚さは乾燥後で1〜6μmの範囲とすることが好ましい。   As a method for applying the photosensitive resin solution, known methods such as meniscus coating, fountain coating, dip coating, spin coating, roll coating, wire bar coating, air knife coating, blade coating, and curtain coating may be used. it can. The thickness of the coating film is preferably in the range of 1 to 6 μm after drying.

〔4〕露光工程
続く露光工程では、上述した第1のパターンに、ハイパスフィルタもしくはバンドパスフィルタを適用して作成された第2のパターンあるいはこれを閾値法により2段階に離散化された情報に変換された(二値化された)パターン、第3のパターンまたは第4のパターンを上述した感光性樹脂膜形成工程で形成された感光性樹脂膜9上に露光する。露光工程に用いる光源は、塗布された感光性樹脂の感光波長や感度等に合わせて適宜選択すればよく、たとえば、高圧水銀灯のg線(波長:436nm)、高圧水銀灯のh線(波長:405nm)、高圧水銀灯のi線(波長:365nm)、半導体レーザー(波長:830nm、532nm、488nm、405nm等)、YAGレーザー(波長:1064nm)、KrFエキシマーレーザー(波長:248nm)、ArFエキシマーレーザー(波長:193nm)、F2エキシマーレーザー(波長:157nm)等を用いることができる。
[4] Exposure Step In the subsequent exposure step, the second pattern created by applying a high-pass filter or a band-pass filter to the first pattern described above or information discretized in two steps by the threshold method. The converted (binarized) pattern, the third pattern, or the fourth pattern is exposed on the photosensitive resin film 9 formed in the above-described photosensitive resin film forming step. The light source used in the exposure process may be appropriately selected according to the photosensitive wavelength and sensitivity of the coated photosensitive resin. For example, the g-line (wavelength: 436 nm) of the high-pressure mercury lamp, the h-line (wavelength: 405 nm) of the high-pressure mercury lamp. ), I line (wavelength: 365 nm) of high pressure mercury lamp, semiconductor laser (wavelength: 830 nm, 532 nm, 488 nm, 405 nm, etc.), YAG laser (wavelength: 1064 nm), KrF excimer laser (wavelength: 248 nm), ArF excimer laser (wavelength) 193 nm), F2 excimer laser (wavelength: 157 nm), or the like.

本発明の金型の製造方法において表面凹凸形状を精度良く形成するためには、露光工程において、上記パターンを感光性樹脂膜上に精密に制御された状態で露光することが好ましい。本発明の金型の製造方法においては、上記パターンを感光性樹脂膜上に精度良く露光するために、コンピュータ上で作成したパターンである画像データまたは離散化された情報の二次元配列に基づいて、コンピュータ制御されたレーザヘッドから発するレーザー光によって、感光性樹脂膜上にパターンを描画することが好ましい。このようなレーザー描画を行なうに際しては印刷版作成用のレーザー描画装置を使用することができる。このようなレーザー描画装置としては、たとえばLaser Stream FX((株)シンク・ラボラトリー製)等が挙げられる。   In order to form the surface uneven shape with high accuracy in the mold manufacturing method of the present invention, it is preferable to expose the pattern on the photosensitive resin film in a precisely controlled manner in the exposure step. In the mold manufacturing method of the present invention, in order to accurately expose the pattern on the photosensitive resin film, the pattern is created on a computer based on image data or a two-dimensional array of discretized information. It is preferable to draw a pattern on the photosensitive resin film by laser light emitted from a computer-controlled laser head. When performing such laser drawing, a laser drawing apparatus for making a printing plate can be used. Examples of such a laser drawing apparatus include Laser Stream FX (manufactured by Sink Laboratory Co., Ltd.) and the like.

図57(c)には、感光性樹脂膜9にパターンが露光された状態を模式的に示している。感光性樹脂膜をネガ型の感光性樹脂で形成した場合には、露光された領域10は露光によって樹脂の架橋反応が進行し、後述する現像液に対する溶解性が低下する。よって、現像工程において露光されていない領域11が現像液によって溶解され、露光された領域10のみ基材表面上に残りマスクとなる。一方、感光性樹脂膜をポジ型の感光性樹脂で形成した場合には、露光された領域10は露光によって樹脂の結合が切断され、後述する現像液に対する溶解性が増加する。よって、現像工程において露光された領域10が現像液によって溶解され、露光されていない領域11のみ基材表面上に残りマスクとなる。   FIG. 57C schematically shows a state in which the pattern is exposed to the photosensitive resin film 9. When the photosensitive resin film is formed of a negative photosensitive resin, the exposed region 10 undergoes a crosslinking reaction of the resin by exposure, and the solubility in a developing solution described later decreases. Therefore, the unexposed area 11 in the developing process is dissolved by the developer, and only the exposed area 10 remains on the substrate surface as a mask. On the other hand, in the case where the photosensitive resin film is formed of a positive photosensitive resin, the exposed region 10 is cut by bonding of the resin by exposure, and the solubility in a developer described later increases. Therefore, the area 10 exposed in the development process is dissolved by the developer, and only the unexposed area 11 remains on the substrate surface as a mask.

〔5〕現像工程
続く現像工程においては、感光性樹脂膜9にネガ型の感光性樹脂を用いた場合には、露光されていない領域11は現像液によって溶解され、露光された領域10のみ金型用基材上に残存し、続く第1エッチング工程においてマスクとして作用する。一方、感光性樹脂膜9にポジ型の感光性樹脂を用いた場合には、露光された領域10のみ現像液によって溶解され、露光されていない領域11が金型用基材上に残存して、続く第1エッチング工程におけるマスクとして作用する。
[5] Development Step In the subsequent development step, when a negative photosensitive resin is used for the photosensitive resin film 9, the unexposed region 11 is dissolved by the developer, and only the exposed region 10 is gold. It remains on the mold substrate and acts as a mask in the subsequent first etching step. On the other hand, when a positive photosensitive resin is used for the photosensitive resin film 9, only the exposed region 10 is dissolved by the developer, and the unexposed region 11 remains on the mold substrate. It acts as a mask in the subsequent first etching step.

現像工程に用いる現像液については従来公知のものを使用することができる。たとえば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液;および、キシレン、トルエン等の有機溶剤等を挙げることができる。   A conventionally well-known thing can be used about the developing solution used for a image development process. For example, inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, diethylamine, di-n-butylamine and the like Secondary amines, tertiary amines such as triethylamine, methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, trimethylhydroxyethylammonium hydroxide, etc. Examples include alkaline aqueous solutions such as quaternary ammonium salts, cyclic amines such as pyrrole and piperidine; and organic solvents such as xylene and toluene.

現像工程における現像方法については特に制限されず、浸漬現像、スプレー現像、ブラシ現像、超音波現像等の方法を用いることができる。   The development method in the development step is not particularly limited, and methods such as immersion development, spray development, brush development, and ultrasonic development can be used.

図57(d)には、感光性樹脂膜9にネガ型の感光性樹脂を用いて、現像処理を行なった状態を模式的に示している。図57(c)において露光されていない領域11が現像液によって溶解され、露光された領域10のみ基材表面上に残りマスク12となる。図57(e)には、感光性樹脂膜9にポジ型の感光性樹脂を用いて、現像処理を行なった状態を模式的に示している。図57(c)において露光された領域10が現像液によって溶解され、露光されていない領域11のみ基材表面上に残りマスク12となる。   FIG. 57D schematically shows a state in which a development process is performed using a negative photosensitive resin for the photosensitive resin film 9. In FIG. 57 (c), the unexposed region 11 is dissolved by the developer, and only the exposed region 10 becomes the remaining mask 12 on the substrate surface. FIG. 57 (e) schematically shows a state in which a development process is performed using a positive photosensitive resin for the photosensitive resin film 9. In FIG. 57 (c), the exposed region 10 is dissolved by the developer, and only the unexposed region 11 becomes the remaining mask 12 on the substrate surface.

〔6〕第1エッチング工程
続く第1エッチング工程では、上述した現像工程後に金型用基材表面上に残存した感光性樹脂膜をマスクとして用いて、主にマスクの無い箇所の金型用基材をエッチングし、研磨されためっき面に凹凸を形成する。図58は、本発明の金型の製造方法の後半部分の好ましい一例を模式的に示す図である。図58(a)には第1エッチング工程によって、主にマスクの無い箇所13の金型用基材7がエッチングされる状態を模式的に示している。マスク12の下部の金型用基材7は金型用基材表面からはエッチングされないが、エッチングの進行とともにマスクの無い箇所13からのエッチングが進行する。よって、マスク12とマスクの無い箇所13との境界付近では、マスク12の下部の金型用基材7もエッチングされる。このようなマスク12とマスクの無い箇所13との境界付近において、マスク12の下部の金型用基材7もエッチングされることを、以下ではサイドエッチングと呼ぶ。図59に、サイドエッチングの進行を模式的に示した。図59の点線14は、エッチングの進行とともに変化する金型用基材の表面を段階に示している。
[6] First Etching Step In the subsequent first etching step, the mold base is mainly used in a portion where there is no mask, using the photosensitive resin film remaining on the mold base surface after the development step as a mask. The material is etched to form irregularities on the polished plated surface. FIG. 58 is a diagram schematically showing a preferred example of the latter half of the mold manufacturing method of the present invention. FIG. 58 (a) schematically shows a state in which the mold base 7 in the portion 13 where no mask is mainly etched by the first etching step. The mold base 7 below the mask 12 is not etched from the mold base surface, but etching from the portion 13 without the mask proceeds with the progress of etching. Therefore, in the vicinity of the boundary between the mask 12 and the portion 13 without the mask, the mold base 7 under the mask 12 is also etched. In the vicinity of the boundary between the mask 12 and the portion 13 without the mask, the die base material 7 below the mask 12 is also etched, which is hereinafter referred to as side etching. FIG. 59 schematically shows the progress of side etching. The dotted line 14 in FIG. 59 shows the surface of the mold base material that changes as the etching progresses in stages.

第1エッチング工程におけるエッチング処理は、通常、塩化第二鉄(FeCl3)液、塩化第二銅(CuCl2)液、アルカリエッチング液(Cu(NH34Cl2)等を用いて、金属表面を腐食させることによって行なわれるが、塩酸や硫酸などの強酸を用いることもできるし、電解めっき時と逆の電位をかけることによる逆電解エッチングを用いることもできる。エッチング処理を施した際の金型用基材に形成される凹形状は、下地金属の種類、感光性樹脂膜の種類およびエッチング手法等によって異なるため、一概にはいえないが、エッチング量が10μm以下である場合には、エッチング液に触れている金属表面から略等方的にエッチングされる。ここでいうエッチング量とは、エッチングにより削られる基材の厚みである。 The etching process in the first etching step is usually performed using a ferric chloride (FeCl 3 ) solution, a cupric chloride (CuCl 2 ) solution, an alkali etching solution (Cu (NH 3 ) 4 Cl 2 ), etc. Although it is performed by corroding the surface, a strong acid such as hydrochloric acid or sulfuric acid can be used, or reverse electrolytic etching by applying a potential opposite to that during electrolytic plating can also be used. Although the concave shape formed on the mold base material when the etching process is performed differs depending on the type of the base metal, the type of the photosensitive resin film, the etching technique, and the like, the etching amount is 10 μm. In the following cases, etching is performed approximately isotropically from the metal surface in contact with the etching solution. The etching amount here is the thickness of the base material to be cut by etching.

第1エッチング工程におけるエッチング量は好ましくは1〜50μmである。エッチング量が1μm未満である場合には、金属表面に凹凸形状がほとんど形成されずに、ほぼ平坦な金型となってしまうので、防眩性を示さなくなってしまう。また、エッチング量が50μmを超える場合には、金属表面に形成される凹凸形状の高低差が大きくなり、得られた金型を使用して作製した防眩フィルムを適用した画像表示装置において白ちゃけが生じる虞がある。第1エッチング工程におけるエッチング処理は1回のエッチング処理によって行なってもよいし、エッチング処理を2回以上に分けて行なってもよい。エッチング処理を2回以上に分けて行なう場合には、2回以上のエッチング処理におけるエッチング量の合計が1〜50μmであることが好ましい。   The etching amount in the first etching step is preferably 1 to 50 μm. When the etching amount is less than 1 μm, the unevenness shape is hardly formed on the metal surface, and the die is almost flat, so that the antiglare property is not exhibited. In addition, when the etching amount exceeds 50 μm, the height difference of the concavo-convex shape formed on the metal surface becomes large, and in the image display device to which the antiglare film produced using the obtained mold is applied, it is white. There is a risk of injury. The etching process in the first etching step may be performed by one etching process, or the etching process may be performed twice or more. In the case where the etching process is performed twice or more, the total etching amount in the two or more etching processes is preferably 1 to 50 μm.

〔7〕感光性樹脂膜剥離工程
続く感光性樹脂膜剥離工程では、第1エッチング工程でマスクとして使用した残存する感光性樹脂膜を完全に溶解し除去する。感光性樹脂膜剥離工程では剥離液を用いて感光性樹脂膜を溶解する。剥離液としては、上述した現像液と同様のものを用いることができて、pH、温度、濃度および浸漬時間等を変化させることによって、ネガ型の感光性樹脂膜を用いた場合には露光部の、ポジ型の感光性樹脂膜を用いた場合には非露光部の感光性樹脂膜を完全に溶解して除去する。感光性樹脂膜剥離工程における剥離方法についても特に制限されず、浸漬現像、スプレー現像、ブラシ現像、超音波現像等の方法を用いることができる。
[7] Photosensitive resin film peeling step In the subsequent photosensitive resin film peeling step, the remaining photosensitive resin film used as a mask in the first etching step is completely dissolved and removed. In the photosensitive resin film peeling step, the photosensitive resin film is dissolved using a peeling solution. As the stripper, the same developer as that described above can be used. When a negative photosensitive resin film is used by changing pH, temperature, concentration, immersion time, etc., the exposed portion is exposed. When the positive photosensitive resin film is used, the photosensitive resin film in the non-exposed portion is completely dissolved and removed. There is no particular limitation on the peeling method in the photosensitive resin film peeling step, and methods such as immersion development, spray development, brush development, and ultrasonic development can be used.

図58(b)は、感光性樹脂膜剥離工程によって、第1エッチング工程でマスク12として使用した感光性樹脂膜を完全に溶解し除去した状態を模式的に示している。感光性樹脂膜からなるマスク12を利用したエッチングによって、第1の表面凹凸形状15が金型用基材表面に形成されている。   FIG. 58B schematically shows a state where the photosensitive resin film used as the mask 12 in the first etching process is completely dissolved and removed by the photosensitive resin film peeling process. The first surface irregularities 15 are formed on the surface of the mold substrate by etching using the mask 12 made of a photosensitive resin film.

〔8〕第2めっき工程
続いて、形成された凹凸面(第1の表面凹凸形状15)にクロムめっきを施すことによって、表面の凹凸形状を鈍らせる。図58(c)には、上述したように第1エッチング工程のエッチング処理によって形成された第1の表面凹凸形状15にクロムめっき層16を形成することにより、第1の表面凹凸形状15よりも凹凸が鈍った表面(クロムめっきの表面17)が形成されている状態が示されている。
[8] Second plating step Subsequently, the surface unevenness shape is blunted by performing chromium plating on the formed uneven surface (first surface unevenness shape 15). In FIG. 58 (c), the chromium plating layer 16 is formed on the first surface uneven shape 15 formed by the etching process in the first etching step as described above, so that the first surface uneven shape 15 is formed. A state is shown in which a rough surface (chrome plated surface 17) is formed.

本発明では、平板やロールなどの表面に、光沢があって、硬度が高く、摩擦係数が小さく、良好な離型性を与え得るクロムめっきを採用する。クロムめっきの種類は特に制限されないが、いわゆる光沢クロムめっきや装飾用クロムめっきなどと呼ばれる、良好な光沢を発現するクロムめっきを用いることが好ましい。クロムめっきは通常、電解によって行なわれ、そのめっき浴としては、無水クロム酸(CrO3)と少量の硫酸を含む水溶液が用いられる。電流密度と電解時間を調節することにより、クロムめっきの厚みを制御することができる。 In the present invention, chrome plating is employed which has a glossy surface, a high hardness, a low coefficient of friction, and good release properties on the surface of a flat plate or a roll. The type of chrome plating is not particularly limited, but it is preferable to use a chrome plating that expresses a good gloss, so-called gloss chrome plating or decorative chrome plating. Chromium plating is usually performed by electrolysis, and an aqueous solution containing chromic anhydride (CrO 3 ) and a small amount of sulfuric acid is used as the plating bath. By adjusting the current density and electrolysis time, the thickness of the chromium plating can be controlled.

上述した特開2002−189106号公報、特開2004−45472号公報、特開2004−90187号公報などには、クロムめっきを採用することが開示されているが、金型のめっき前の下地とクロムめっきの種類によっては、めっき後に表面が荒れたり、クロムめっきによる微小なクラックが多数発生することが多く、その結果、当該金型を用いて得られる、表面凹凸形状を有する透明基材(防眩フィルムを含む)の光学特性が好ましくない方向へと進む。めっき表面が荒れた状態の金型は、透明基材の防眩処理および防眩フィルムの製造に適していない。何故ならば、一般的にざらつきを消すためにクロムめっき後にめっき表面を研磨することが行なわれているが、後述するように、本発明ではめっき後の表面の研磨が好ましくないからである。本発明では、下地金属に銅めっきまたはニッケルめっきを施すことにより、クロムめっきで生じ易いこのような不都合を解消している。   JP-A-2002-189106, JP-A-2004-45472, JP-A-2004-90187, and the like disclosed above employ chrome plating. Depending on the type of chrome plating, the surface is often roughened after plating, or many fine cracks are generated due to chrome plating. The optical properties (including glare film) proceed in an unfavorable direction. A mold having a rough plated surface is not suitable for antiglare treatment of a transparent substrate and production of an antiglare film. This is because the plating surface is generally polished after chrome plating in order to eliminate roughness, but as described later, polishing of the surface after plating is not preferable in the present invention. In the present invention, by applying copper plating or nickel plating to the base metal, such an inconvenience easily caused by chromium plating is solved.

なお、第2めっき工程において、クロムめっき以外のめっきを施すことは好ましくない。何故なら、クロム以外のめっきでは、硬度や耐摩耗性が低くなるため、金型としての耐久性が低下し、使用中に凹凸が磨り減ったり、金型が損傷したりする。そのような金型を用いた防眩処理および該金型から得られた防眩フィルムでは、十分な防眩機能が得られにくい可能性が高く、また、透明樹脂フィルム等の透明基材上に欠陥が発生する可能性も高くなる。   In the second plating step, it is not preferable to perform plating other than chromium plating. This is because plating other than chromium has low hardness and wear resistance, so that the durability as a mold is lowered, and unevenness is worn away during use or the mold is damaged. In the anti-glare treatment using such a mold and the anti-glare film obtained from the mold, there is a high possibility that sufficient anti-glare function cannot be obtained, and on a transparent substrate such as a transparent resin film. There is a high possibility that defects will occur.

また、上述した特開2004−90187号公報などに開示されているようなめっき後の表面研磨も、やはり本発明では好ましくない。すなわち、第2のめっき工程後に表面を研磨する工程を設けることなく、クロムめっきが施された凹凸面を、そのまま透明基材上に転写される金型の凹凸面として用いることが好ましい。研磨することにより、最表面に平坦な部分が生じるため、光学特性の悪化を招く可能性があること、また、形状の制御因子が増えるため、再現性のよい形状制御が困難になることなどの理由による。   Further, the surface polishing after plating as disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-90187 is also not preferable in the present invention. That is, it is preferable to use the concavo-convex surface subjected to chrome plating as the concavo-convex surface of the mold transferred onto the transparent substrate without providing a step of polishing the surface after the second plating step. By polishing, a flat part is generated on the outermost surface, which may lead to deterioration of optical characteristics, and since shape control factors increase, shape control with good reproducibility becomes difficult. Depending on the reason.

このように本発明の金型の製造方法では、微細表面凹凸形状が形成された表面にクロムめっきを施すことにより、凹凸形状が鈍らせられるとともに、その表面硬度が高められた金型が得られる。この際の凹凸の鈍り具合は、下地金属の種類、第1エッチング工程より得られた凹凸のサイズと深さ、まためっきの種類や厚みなどによって異なるため、一概にはいえないが、鈍り具合を制御する上で最も大きな因子は、やはりめっき厚みである。クロムめっきの厚みが薄いと、クロムめっき加工前に得られた凹凸の表面形状を鈍らせる効果が不十分であり、その凹凸形状を透明フィルム等の透明基材上に転写して得られる防眩処理が施された透明基材(防眩フィルムなど)の光学特性があまり良くならない。一方で、めっき厚みが厚すぎると、生産性が悪くなるうえに、ノジュールと呼ばれる突起状のめっき欠陥が発生してしまうため好ましくない。そこで、クロムめっきの厚みは1〜10μmの範囲内であるのが好ましく、3〜6μmの範囲内であるのがより好ましい。   In this way, in the mold manufacturing method of the present invention, a chrome plating is applied to the surface on which the fine surface irregularities are formed, whereby a mold having an irregular surface and a higher surface hardness can be obtained. . The bluntness of the irregularities at this time varies depending on the type of the base metal, the size and depth of the irregularities obtained from the first etching process, and the type and thickness of the plating. The greatest factor in controlling is the plating thickness. When the thickness of the chrome plating is thin, the effect of dulling the surface shape of the unevenness obtained before the chrome plating process is insufficient, and the antiglare obtained by transferring the uneven shape onto a transparent substrate such as a transparent film. The optical properties of the transparent substrate (such as an antiglare film) subjected to the treatment are not so good. On the other hand, when the plating thickness is too thick, productivity is deteriorated and a projection-like plating defect called a nodule is generated, which is not preferable. Therefore, the thickness of the chrome plating is preferably in the range of 1 to 10 μm, and more preferably in the range of 3 to 6 μm.

当該第2めっき工程で形成されるクロムめっき層は、ビッカース硬度が800以上となるように形成されていることが好ましく、1000以上となるように形成されていることがより好ましい。クロムめっき層のビッカース硬度が800未満である場合には、金型使用時の耐久性が低下するうえに、クロムめっきで硬度が低下することはめっき処理時にめっき浴組成、電解条件などに異常が発生している可能性が高く、欠陥の発生状況についても好ましくない影響を与える可能性が高いためである。   The chromium plating layer formed in the second plating step is preferably formed to have a Vickers hardness of 800 or more, and more preferably 1000 or more. When the Vickers hardness of the chrome plating layer is less than 800, the durability when using the mold is reduced, and the decrease in hardness due to chrome plating is due to abnormalities in the plating bath composition, electrolysis conditions, etc. during the plating process. This is because the possibility of occurrence is high, and the possibility of undesirably affecting the occurrence of defects is also high.

また、本発明の金型の製造方法においては、上述した〔7〕感光性樹脂膜剥離工程と〔8〕第2めっき工程との間に、第1エッチング工程によって形成された凹凸面をエッチング処理によって鈍らせる第2エッチング工程を含むことが好ましい。第2エッチング工程では、感光性樹脂膜をマスクとして用いた第1エッチング工程によって形成された第1の表面凹凸形状15を、エッチング処理によって鈍らせる。この第2エッチング処理によって、第1エッチング処理によって形成された第1の表面凹凸形状15における表面傾斜が急峻な部分がなくなり、得られた金型を用いて製造された防眩フィルム等の防眩処理が施された透明基材の光学特性が好ましい方向へと変化する。図60には、第2エッチング処理によって、金型用基材7の第1の表面凹凸形状15が鈍化し、表面傾斜が急峻な部分が鈍らされ、緩やかな表面傾斜を有する第2の表面凹凸形状18が形成された状態が示されている。   Moreover, in the manufacturing method of the metal mold | die of this invention, the uneven | corrugated surface formed by the 1st etching process is etched between the above-mentioned [7] photosensitive resin film peeling process and [8] 2nd plating process. It is preferable to include the 2nd etching process blunted by. In the second etching process, the first surface irregularities 15 formed by the first etching process using the photosensitive resin film as a mask are blunted by an etching process. By this second etching process, there is no portion with a steep surface inclination in the first surface irregularity shape 15 formed by the first etching process, and an anti-glare film such as an anti-glare film manufactured using the obtained mold. The optical properties of the transparent substrate subjected to the treatment change in a preferable direction. In FIG. 60, by the second etching process, the first surface unevenness shape 15 of the mold base 7 is blunted, the portion having a steep surface inclination is blunted, and the second surface unevenness having a gentle surface inclination is obtained. The state where the shape 18 is formed is shown.

第2エッチング工程のエッチング処理も、第1エッチング工程と同様に、通常、塩化第二鉄(FeCl3)液、塩化第二銅(CuCl2)液、アルカリエッチング液(Cu(NH34Cl2)などを用い、表面を腐食させることによって行なわれるが、塩酸や硫酸などの強酸を用いることもできるし、電解めっき時と逆の電位をかけることによる逆電解エッチングを用いることもできる。エッチング処理を施した後の凹凸の鈍り具合は、下地金属の種類、エッチング手法、および第1エッチング工程により得られた凹凸のサイズと深さなどによって異なるため、一概にはいえないが、鈍り具合を制御する上で最も大きな因子は、エッチング量である。ここでいうエッチング量も、第1エッチング工程と同様に、エッチングにより削られる基材の厚みである。エッチング量が小さいと、第1エッチング工程により得られた凹凸の表面形状を鈍らせる効果が不十分であり、その凹凸形状を透明フィルム等の透明基材上に転写して得られる防眩処理が施された透明基材(防眩フィルムなど)の光学特性があまり良くならない。一方で、エッチング量が大きすぎると、凹凸形状がほとんどなくなってしまい、ほぼ平坦な金型となってしまうので、防眩性を示さなくなってしまう。そこで、エッチング量は1〜50μmの範囲内であることが好ましく、4〜20μmの範囲内であることがより好ましい。第2エッチング工程におけるエッチング処理についても、第1エッチング工程と同様に、1回のエッチング処理によって行なってもよいし、エッチング処理を2回以上に分けて行なってもよい。エッチング処理を2回以上に分けて行なう場合には、2回以上のエッチング処理におけるエッチング量の合計が1〜50μmであることが好ましい。 Similarly to the first etching step, the etching process in the second etching step is usually ferric chloride (FeCl 3 ) solution, cupric chloride (CuCl 2 ) solution, alkaline etching solution (Cu (NH 3 ) 4 Cl 2 ) or the like, and by corroding the surface, strong acid such as hydrochloric acid or sulfuric acid can be used, or reverse electrolytic etching by applying a potential opposite to that during electrolytic plating can also be used. The bluntness of the unevenness after the etching process varies depending on the type of the underlying metal, the etching technique, and the size and depth of the unevenness obtained by the first etching process. The largest factor in controlling the amount is the etching amount. The etching amount here is also the thickness of the base material to be cut by etching, as in the first etching step. If the etching amount is small, the effect of dulling the surface shape of the unevenness obtained by the first etching step is insufficient, and the antiglare treatment obtained by transferring the uneven shape onto a transparent substrate such as a transparent film The optical properties of the applied transparent substrate (such as an antiglare film) are not so good. On the other hand, when the etching amount is too large, the uneven shape is almost lost and the die is almost flat, so that the antiglare property is not exhibited. Therefore, the etching amount is preferably in the range of 1 to 50 μm, and more preferably in the range of 4 to 20 μm. Similarly to the first etching process, the etching process in the second etching process may be performed by one etching process, or the etching process may be performed twice or more. In the case where the etching process is performed twice or more, the total etching amount in the two or more etching processes is preferably 1 to 50 μm.

本発明の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法により得られる防眩フィルム等の防眩処理が施された透明基材は、その微細凹凸表面形状が精度よく制御されて形成されるため、十分な防眩性を発現し、かつ、白ちゃけが発生せず、画像表示装置の表面に配置した際にもギラツキが発生せず、高いコントラストを示すものとなる。   Since the transparent substrate subjected to the anti-glare treatment such as the anti-glare film obtained by the anti-glare treatment method and the anti-glare film manufacturing method of the present invention is formed with its fine uneven surface shape being accurately controlled, It exhibits sufficient antiglare properties, does not cause whiteness, does not cause glare even when placed on the surface of an image display device, and exhibits high contrast.

以下に実施例を挙げて、本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.

<実施例1〜3および比較例1〜2>
直径200mmのアルミロール(JISによるA5056)の表面に銅バラードめっきが施されたものを用意した。銅バラードめっきは、銅めっき層/薄い銀めっき層/表面銅めっき層からなるものであり、めっき層全体の厚みは、約200μmとなるように設定した。その銅めっき表面を鏡面研磨し、研磨された銅めっき表面にポジ型の感光性樹脂を塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成した。
<Examples 1-3 and Comparative Examples 1-2>
An aluminum roll having a diameter of 200 mm (A5056 according to JIS) was prepared by applying copper ballad plating to the surface. Copper ballad plating consists of a copper plating layer / thin silver plating layer / surface copper plating layer, and the thickness of the entire plating layer was set to be about 200 μm. The copper plating surface was mirror-polished, and a positive photosensitive resin was applied to the polished copper plating surface and dried to form a photosensitive resin film.

ついで、以下に示す5種類のパターンI〜Vを同時に上記感光性樹脂膜上にレーザー光によって露光し、現像した。レーザー光による露光、および現像はLaser Stream FX((株)シンク・ラボラトリー製)を用いて行なった。   Subsequently, the following five types of patterns I to V were simultaneously exposed and developed on the photosensitive resin film with a laser beam. Laser light exposure and development were performed using Laser Stream FX (manufactured by Sink Laboratories).

(1)パターンI(実施例1):図61に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンである。当該単位パターンは、12800dpiの解像度で生成された32.768mm四方のパターンであり、図61はそのうち1.024mm四方を切り出したものである。図61に示される単位パターンは、平均ドット径が16μmであるドットを2000個/mm2の密度でランダムに分布させた、図62に一部を示す第1のパターンに対し、空間周波数範囲下限値Bが0.040μm-1であり、空間周波数範囲上限値Tが0.070μm-1であって〔したがって、2×(T−B)/(T+B)=0.55である〕、透過帯域ピークが、低空間周波数側の傾斜がより急峻である非対称形状を有するバンドパスフィルタを1回適用し、ついで、得られた第2のパターンを閾値法により二値化することによって得られたものである。得られた単位パターンの空間周波数範囲下限値Bは0.047μm-1であり、空間周波数範囲上限値Tは0.067μm-1であった。 (1) Pattern I (Example 1): A pattern in which unit patterns partially shown in FIG. 61 are repeatedly arranged. The unit pattern is a 32.768 mm square pattern generated with a resolution of 12800 dpi, and FIG. 61 is a 1.024 mm square cut out. The unit pattern shown in FIG. 61 has a lower spatial frequency range lower limit than the first pattern shown in FIG. 62, in which dots having an average dot diameter of 16 μm are randomly distributed at a density of 2000 pieces / mm 2 . The value B is 0.040 μm −1 , the spatial frequency range upper limit T is 0.070 μm −1 [therefore, 2 × (T−B) / (T + B) = 0.55], and the transmission band The peak is obtained by applying a bandpass filter having an asymmetric shape with a steep slope on the low spatial frequency side once, and then binarizing the obtained second pattern by the threshold method It is. The unit pattern obtained had a spatial frequency range lower limit B of 0.047 μm −1 and a spatial frequency range upper limit T of 0.067 μm −1 .

(2)パターンII(実施例2):図63に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンである。当該単位パターンは、12800dpiの解像度で生成された32.768mm四方のパターンであり、図63はそのうち1.024mm四方を切り出したものである。図63に示される単位パターンは、図62に一部を示す第1のパターンに対し、上記パターンIで用いたのと同じバンドパスフィルタを1回適用し、ついで、得られた第2のパターンを閾値法により二値化した後、さらに同じバンドパスフィルタを9回繰り返し適用することによって得られたものである。得られた単位パターンの空間周波数範囲下限値Bは0.047μm-1であり、空間周波数範囲上限値Tは0.067μm-1であった。 (2) Pattern II (Example 2): A pattern in which unit patterns partially shown in FIG. 63 are repeatedly arranged. The unit pattern is a 32.768 mm square pattern generated at a resolution of 12800 dpi, and FIG. 63 is a 1.024 mm square cut out. The unit pattern shown in FIG. 63 applies the same bandpass filter as used in the pattern I once to the first pattern partially shown in FIG. 62, and then the obtained second pattern. Is obtained by repeatedly applying the same bandpass filter 9 times. The unit pattern obtained had a spatial frequency range lower limit B of 0.047 μm −1 and a spatial frequency range upper limit T of 0.067 μm −1 .

(3)パターンIII(実施例3):図64に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンである。当該単位パターンは、12800dpiの解像度で生成された32.768mm四方のパターンであり、図64はそのうち1.024mm四方を切り出したものである。図64に示される単位パターンは、図62に一部を示す第1のパターンに対し、上記パターンIで用いたのと同じバンドパスフィルタを1回適用し、ついで、得られた第2のパターンを閾値法により二値化した後、さらに同じバンドパスフィルタを19回繰り返し適用することによって得られたものである。得られた単位パターンの空間周波数範囲下限値Bは0.047μm-1であり、空間周波数範囲上限値Tは0.067μm-1であった。 (3) Pattern III (Example 3): A pattern in which unit patterns partially shown in FIG. 64 are repeatedly arranged. The unit pattern is a 32.768 mm square pattern generated with a resolution of 12800 dpi, and FIG. 64 is a 1.024 mm square cut out. The unit pattern shown in FIG. 64 applies the same bandpass filter as used in the pattern I once to the first pattern partially shown in FIG. 62, and then the obtained second pattern. Is binarized by the threshold method, and the same bandpass filter is further applied 19 times repeatedly. The unit pattern obtained had a spatial frequency range lower limit B of 0.047 μm −1 and a spatial frequency range upper limit T of 0.067 μm −1 .

(4)パターンIV(比較例1):図65に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンである。当該単位パターンは、12800dpiの解像度で生成された20.944mm四方のパターンであり、図65はそのうち1.024mm四方を切り出したものである。図65に示される単位パターンは、平均ドット径が16μmであるドットを1419個/mm2の密度でランダムに分布させることにより作成した。 (4) Pattern IV (Comparative Example 1): A pattern in which unit patterns partially shown in FIG. 65 are repeatedly arranged. The unit pattern is a 20.944 mm square pattern generated at a resolution of 12800 dpi, and FIG. 65 is a 1.024 mm square cut out. The unit pattern shown in FIG. 65 was created by randomly distributing dots having an average dot diameter of 16 μm at a density of 1419 pieces / mm 2 .

(5)パターンV(比較例2):図66に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンである。当該単位パターンは、12800dpiの解像度で生成された20.944mm四方のパターンであり、図66はそのうち1.024mm四方を切り出したものである。図66に示される単位パターンは、平均ドット径が16μmであるドットを1419個/mm2の密度でランダムに分布させることにより作成した。 (5) Pattern V (Comparative Example 2): A pattern obtained by repeatedly arranging unit patterns partially shown in FIG. The unit pattern is a 20.944 mm square pattern generated at a resolution of 12800 dpi, and FIG. 66 is a 1.024 mm square cut out. The unit pattern shown in FIG. 66 was created by randomly distributing dots having an average dot diameter of 16 μm at a density of 1419 pieces / mm 2 .

以上のような5種類のパターンI〜Vを同時に上記感光性樹脂膜上にレーザー光によって露光し、現像した後、塩化第二銅液で第1のエッチング処理を行なった。その際のエッチング量は3μmとなるように設定した。第1のエッチング処理後のロールから感光性樹脂膜を除去し、再度、塩化第二銅液で第2のエッチング処理を行なった。その際のエッチング量は10μmとなるように設定した。その後、クロムめっき加工を行ない、金型を作製した。このとき、クロムめっき厚みが4μmとなるように設定した。   The above five types of patterns I to V were simultaneously exposed on the photosensitive resin film with a laser beam and developed, and then subjected to a first etching treatment with a cupric chloride solution. The etching amount at that time was set to 3 μm. The photosensitive resin film was removed from the roll after the first etching treatment, and the second etching treatment was performed again with cupric chloride solution. The etching amount at that time was set to 10 μm. Thereafter, chromium plating was performed to produce a mold. At this time, the chromium plating thickness was set to 4 μm.

光硬化性樹脂組成物GRANDIC 806T(大日本インキ化学工業(株)製)を酢酸エチルにて溶解して、50重量%濃度の溶液とし、さらに、光重合開始剤であるルシリンTPO(BASF社製、化学名:2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド)を、硬化性樹脂成分100重量部あたり5重量部添加して塗布液を調製した。厚み80μmのトリアセチルセルロース(TAC)フィルム上に、この塗布液を乾燥後の塗布厚みが10μmとなるように塗布し、60℃に設定した乾燥機中で3分間乾燥させた。乾燥後のフィルムを、先に得られた金型の凹凸面に、光硬化性樹脂組成物層が金型側となるようにゴムロールで押し付けて密着させた。この状態でTACフィルム側より、強度20mW/cm2の高圧水銀灯からの光をh線換算光量で200mJ/cm2となるように照射して、光硬化性樹脂組成物層を硬化させた。この後、TACフィルムを硬化樹脂ごと金型から剥離して、表面に凹凸を有する硬化樹脂とTACフィルムとの積層体からなり、パターンI〜Vに対応した5種類の凹凸表面形状を有する透明な防眩フィルムを作製した。 A photocurable resin composition GRANDIC 806T (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) is dissolved in ethyl acetate to obtain a 50% strength by weight solution. Further, a photopolymerization initiator, Lucillin TPO (manufactured by BASF). Chemical name: 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide) was added in an amount of 5 parts by weight per 100 parts by weight of the curable resin component to prepare a coating solution. This coating solution was applied onto a triacetyl cellulose (TAC) film having a thickness of 80 μm so that the coating thickness after drying was 10 μm, and was dried in a dryer set at 60 ° C. for 3 minutes. The dried film was brought into close contact with the uneven surface of the previously obtained mold by pressing with a rubber roll so that the photocurable resin composition layer was on the mold side. In this state, light from a high-pressure mercury lamp with an intensity of 20 mW / cm 2 was irradiated from the TAC film side so that the amount of light in terms of h-line was 200 mJ / cm 2 to cure the photocurable resin composition layer. Thereafter, the TAC film is peeled off from the mold together with the cured resin, and is composed of a laminate of the cured resin having the irregularities on the surface and the TAC film, and has a transparent surface shape having five types of irregularities corresponding to the patterns I to V. An antiglare film was produced.

<実施例4>
図67に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンを、ロール1周にわたって感光性樹脂膜上にレーザー光によって露光し、現像すること以外は、実施例1と同様にして金型を作製し、さらに実施例1と同様にして防眩フィルムを作製した。同じ操作を2回行ない、合計2つの防眩フィルムを得た。図67に示される単位パターンは、12800dpiの解像度で生成された32.768mm四方のパターンであり、図67はそのうち1.024mm四方を切り出したものである。
<Example 4>
A mold is produced in the same manner as in Example 1 except that a pattern in which unit patterns partially shown in FIG. 67 are repeatedly arranged is exposed and developed with a laser beam on the photosensitive resin film over one roll. Further, an antiglare film was produced in the same manner as in Example 1. The same operation was performed twice to obtain a total of two antiglare films. The unit pattern shown in FIG. 67 is a 32.768 mm square pattern generated at a resolution of 12800 dpi, and FIG. 67 is a 1.024 mm square cut out.

図67に示される単位パターンは、第1のパターンに対し、バンドパスフィルタを適用して第2のパターンを作成した後、誤差拡散法の適用により二値化して第3のパターンを作成し、さらに、モンテカルロ法を60回繰り返し適用して作成された第4のパターンである。用いた第1のパターンは、12800dpiの解像度で32.768mm四方の8ビットのビットマップイメージであり、8ビットの深度を有する2次元配列PIXCEL[x,y]に対し、PIXCEL[x,y]=R[x+y×ImageWidth]×255を代入することによって作成した。ここで、x、yは画像におけるピクセルの座標であり、ImageWidthはx座標の画素幅である。配列R[]として、「.NET Framework2.0クラス ライブラリ」に含まれるRandomクラスNextDoubleメソッドにより生成される0.0と1.0の間の値をとるKnuthの乱数ジェネレータ減算アルゴリズムによる擬似乱数列を用いた。バンドパスフィルタとしては、空間周波数範囲下限値Bが0.045μm-1であり、空間周波数範囲上限値Tが0.080μm-1であって〔したがって、2×(T−B)/(T+B)=0.56である〕、透過帯域ピークが、低空間周波数側の傾斜がより急峻である非対称形状を有するバンドパスフィルタを用いた。また、誤差拡散マトリクスとしては、図36に示される拡散距離が3である誤差拡散マトリクスと図37に示される拡散距離が4である誤差拡散マトリクスとを0.4:0.6の割合で合成したもの(図36×0.4+図37×0.6)を用いた。図67に示される単位パターンの空間周波数範囲下限値Bは0.045μm-1であり、空間周波数範囲上限値Tは0.086μm-1であった。 The unit pattern shown in FIG. 67 creates a second pattern by applying a bandpass filter to the first pattern to create a second pattern, and then binarizing it by applying an error diffusion method. Furthermore, it is the 4th pattern produced by applying the Monte Carlo method 60 times repeatedly. The first pattern used is an 8-bit bitmap image of 32.768 mm square with a resolution of 12800 dpi, and PIXCEL [x, y] for a two-dimensional array PIXCEL [x, y] having an 8-bit depth. = R [x + y × ImageWidth] × 255. Here, x and y are pixel coordinates in the image, and ImageWidth is the pixel width of the x coordinate. As an array R [], a pseudo-random number sequence by a random number generator subtraction algorithm of Knuth that takes a value between 0.0 and 1.0 generated by a Random class NextDouble method included in ".NET Framework 2.0 class library" Using. The bandpass filter has a spatial frequency range lower limit B of 0.045 μm −1 and a spatial frequency range upper limit T of 0.080 μm −1 [therefore, 2 × (T−B) / (T + B) = 0.56], a band-pass filter having an asymmetrical shape in which the transmission band peak has a steeper slope on the low spatial frequency side was used. As the error diffusion matrix, the error diffusion matrix having a diffusion distance of 3 shown in FIG. 36 and the error diffusion matrix having a diffusion distance of 4 shown in FIG. 37 are combined at a ratio of 0.4: 0.6. (Fig. 36 x 0.4 + Fig. 37 x 0.6) was used. The spatial frequency range lower limit B of the unit pattern shown in FIG. 67 was 0.045 μm −1 , and the spatial frequency range upper limit T was 0.086 μm −1 .

実施例1〜3で用いた単位パターンの空間周波数分布を図68に、比較例1〜2で用いた単位パターンの空間周波数分布を図69に、実施例4で用いた単位パターンの空間周波数分布を図70に示す。   68 shows the spatial frequency distribution of the unit pattern used in Examples 1-3, FIG. 69 shows the spatial frequency distribution of the unit pattern used in Comparative Examples 1-2, and FIG. 69 shows the spatial frequency distribution of the unit pattern used in Example 4. Is shown in FIG.

<実施例5>
直径200mmのアルミロール(JISによるA5056)の表面に銅バラードめっきが施されたものを用意した。銅バラードめっきは、銅めっき層/薄い銀めっき層/表面銅めっき層からなるものであり、めっき層全体の厚みは、約200μmとなるように設定した。その銅めっき表面を鏡面研磨し、研磨された銅めっき表面にポジ型の感光性樹脂を塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成した。
<Example 5>
An aluminum roll having a diameter of 200 mm (A5056 according to JIS) was prepared by applying copper ballad plating to the surface. Copper ballad plating consists of a copper plating layer / thin silver plating layer / surface copper plating layer, and the thickness of the entire plating layer was set to be about 200 μm. The copper plating surface was mirror-polished, and a positive photosensitive resin was applied to the polished copper plating surface and dried to form a photosensitive resin film.

ついで、図71に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンを感光性樹脂膜上にレーザー光によって露光し、現像した。レーザー光による露光、および現像はLaser Stream FX((株)シンク・ラボラトリー製)を用いて行なった。図71に示される単位パターンは、12800dpiの解像度で生成された32.768mm四方のパターンであり、図71はそのうち1.024mm四方を切り出したものである。   Subsequently, a pattern in which unit patterns partially shown in FIG. 71 were repeatedly arranged was exposed on a photosensitive resin film with a laser beam and developed. Laser light exposure and development were performed using Laser Stream FX (manufactured by Sink Laboratories). The unit pattern shown in FIG. 71 is a 32.768 mm square pattern generated at a resolution of 12800 dpi, and FIG. 71 is a 1.024 mm square cut out.

図71に示される単位パターンは、第1のパターンに対し、バンドパスフィルタを適用して第2のパターンを作成した後、誤差拡散法の適用により二値化して第3のパターンを作成し、さらに、モンテカルロ法を60回繰り返し適用して作成された第4のパターンである。用いた第1のパターンは、12800dpiの解像度で32.768mm四方の8ビットのビットマップイメージであり、8ビットの深度を有する2次元配列PIXCEL[x,y]に対し、PIXCEL[x,y]=R[x+y×ImageWidth]×255を代入することによって作成した。ここで、x、yは画像におけるピクセルの座標であり、ImageWidthはx座標の画素幅である。配列R[]として、「.NET Framework2.0クラス ライブラリ」に含まれるRandomクラスNextDoubleメソッドにより生成される0.0と1.0の間の値をとるKnuthの乱数ジェネレータ減算アルゴリズムによる擬似乱数列を用いた。バンドパスフィルタとしては、空間周波数範囲下限値Bが0.055μm-1であり、空間周波数範囲上限値Tが0.100μm-1であって〔したがって、2×(T−B)/(T+B)=0.58である〕、透過帯域ピークの形状がガウス関数型であるバンドパスフィルタを用いた。また、誤差拡散マトリクスとしては、図37に示される拡散距離が4である誤差拡散マトリクスと図38に示される拡散距離が5である誤差拡散マトリクスとを0.9:0.1の割合で合成したもの(図37×0.9+図38×0.1)を用いた。図71に示される単位パターンの空間周波数範囲下限値Bは約0.055μm-1であり、空間周波数範囲上限値Tは約0.100μm-1であった。図71に示される単位パターンの空間周波数分布を図72に示す。 The unit pattern shown in FIG. 71 creates a second pattern by applying a band-pass filter to the first pattern to create a second pattern, and then binarizing it by applying an error diffusion method. Furthermore, it is the 4th pattern produced by applying the Monte Carlo method 60 times repeatedly. The first pattern used is an 8-bit bitmap image of 32.768 mm square with a resolution of 12800 dpi, and PIXCEL [x, y] for a two-dimensional array PIXCEL [x, y] having an 8-bit depth. = R [x + y × ImageWidth] × 255. Here, x and y are pixel coordinates in the image, and ImageWidth is the pixel width of the x coordinate. As an array R [], a pseudo-random number sequence by a random number generator subtraction algorithm of Knuth that takes a value between 0.0 and 1.0 generated by a Random class NextDouble method included in ".NET Framework 2.0 class library" Using. The bandpass filter has a spatial frequency range lower limit B of 0.055 μm −1 and a spatial frequency range upper limit T of 0.100 μm −1 [therefore, 2 × (T−B) / (T + B) = 0.58], a band-pass filter having a transmission band peak shape of a Gaussian function type was used. As the error diffusion matrix, the error diffusion matrix having a diffusion distance of 4 shown in FIG. 37 and the error diffusion matrix having a diffusion distance of 5 shown in FIG. 38 are combined at a ratio of 0.9: 0.1. (FIG. 37 × 0.9 + FIG. 38 × 0.1) was used. The spatial frequency range lower limit B of the unit pattern shown in FIG. 71 was about 0.055 μm −1 , and the spatial frequency range upper limit T was about 0.100 μm −1 . FIG. 72 shows the spatial frequency distribution of the unit pattern shown in FIG.

その後、塩化第二銅液で第1のエッチング処理を行なった。その際のエッチング量は5μmとなるように設定した。第1のエッチング処理後のロールから感光性樹脂膜を除去し、再度、塩化第二銅液で第2のエッチング処理を行なった。その際のエッチング量は8μmとなるように設定した。その後、クロムめっき加工を行ない、金型を作製した。このとき、クロムめっき厚みが4μmとなるように設定した。   Then, the 1st etching process was performed with the cupric chloride liquid. The etching amount at that time was set to 5 μm. The photosensitive resin film was removed from the roll after the first etching treatment, and the second etching treatment was performed again with cupric chloride solution. The etching amount at that time was set to 8 μm. Thereafter, chromium plating was performed to produce a mold. At this time, the chromium plating thickness was set to 4 μm.

光硬化性樹脂組成物GRANDIC 806T(大日本インキ化学工業(株)製)を酢酸エチルにて溶解して、50重量%濃度の溶液とし、さらに、光重合開始剤であるルシリンTPO(BASF社製、化学名:2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド)を、硬化性樹脂成分100重量部あたり5重量部添加して塗布液を調製した。厚み80μmのトリアセチルセルロース(TAC)フィルム上に、この塗布液を乾燥後の塗布厚みが10μmとなるように塗布し、60℃に設定した乾燥機中で3分間乾燥させた。乾燥後のフィルムを、先に得られた金型の凹凸面に、光硬化性樹脂組成物層が金型側となるようにゴムロールで押し付けて密着させた。この状態でTACフィルム側より、強度20mW/cm2の高圧水銀灯からの光をh線換算光量で200mJ/cm2となるように照射して、光硬化性樹脂組成物層を硬化させた。この後、TACフィルムを硬化樹脂ごと金型から剥離して、表面に凹凸を有する硬化樹脂とTACフィルムとの積層体からなる、透明な防眩フィルムを作製した。 A photocurable resin composition GRANDIC 806T (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) is dissolved in ethyl acetate to obtain a 50% strength by weight solution. Further, a photopolymerization initiator, Lucillin TPO (manufactured by BASF). Chemical name: 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide) was added in an amount of 5 parts by weight per 100 parts by weight of the curable resin component to prepare a coating solution. This coating solution was applied onto a triacetyl cellulose (TAC) film having a thickness of 80 μm so that the coating thickness after drying was 10 μm, and was dried in a dryer set at 60 ° C. for 3 minutes. The dried film was brought into close contact with the uneven surface of the previously obtained mold by pressing with a rubber roll so that the photocurable resin composition layer was on the mold side. In this state, light from a high-pressure mercury lamp with an intensity of 20 mW / cm 2 was irradiated from the TAC film side so that the amount of light in terms of h-line was 200 mJ / cm 2 to cure the photocurable resin composition layer. Thereafter, the TAC film was peeled off from the mold together with the cured resin to produce a transparent antiglare film comprising a laminate of the cured resin having irregularities on the surface and the TAC film.

実施例1〜5および比較例1〜2で得られた防眩フィルムについて、下記に示す評価試験を行なった。   About the anti-glare film obtained in Examples 1-5 and Comparative Examples 1-2, the evaluation test shown below was done.

(1)ギラツキ評価
ギラツキは、以下の方法で評価した。まず、図73(a)に平面図で示すようなユニットセル60のパターンを約40mm×約25mmの範囲に規則的に配列させたフォトマスクを用意した。ユニットセル60においては、透明な基板上に、線幅10μmでカギ形のクロム遮光パターン61が形成され、そのクロム遮光パターン61の形成されていない部分が開口部62となっている。このようなフォトマスクにユニットセルの寸法に応じて「解像度呼び」〔単位:ppi(pixel per inch)〕を与えた。たとえば、解像度呼び90ppiのフォトマスクのユニットセル縦×ユニットセル横は282μm×94μm、開口部縦×開口部横は272μm×84μmである。このようなユニットセルを表1の数値に基づいて製作し、解像度呼び90〜180ppiの範囲で、計10パターンのフォトマスクを用意した。
(1) Evaluation of glare The glare was evaluated by the following method. First, a photomask was prepared in which unit cell 60 patterns regularly arranged in a range of about 40 mm × about 25 mm as shown in a plan view in FIG. In the unit cell 60, a key-shaped chrome light shielding pattern 61 having a line width of 10 μm is formed on a transparent substrate, and a portion where the chrome light shielding pattern 61 is not formed is an opening 62. Such a photomask was given a “resolution name” [unit: ppi (pixel per inch)] according to the dimensions of the unit cell. For example, the unit cell length × unit cell width of a photomask having a resolution of 90 ppi is 282 μm × 94 μm, and the opening length × opening width is 272 μm × 84 μm. Such unit cells were manufactured based on the numerical values in Table 1, and a total of 10 patterns of photomasks were prepared in a resolution range of 90 to 180 ppi.

次に、図73(b)に示すように、フォトマスク63のクロム遮光パターン61を上にしてライトボックス65(ライトボックス内にはライト66が設置されている)に置き、1.1mm厚のガラス板67に20μm厚みの粘着剤で防眩フィルム70を貼合したサンプルをフォトマスク63上に置き、サンプルから約30cm離れた場所(目視観察場所69)から目視観察することにより、ギラツキ発生の有無を官能評価した。この評価は、用意した、異なる解像度呼びを有するフォトマスクそれぞれについて行なった。   Next, as shown in FIG. 73 (b), the chrome light-shielding pattern 61 of the photomask 63 is placed on the light box 65 (the light 66 is installed in the light box), and the thickness is 1.1 mm. A sample in which an antiglare film 70 is bonded to a glass plate 67 with an adhesive having a thickness of 20 μm is placed on a photomask 63 and visually observed from a place (visual observation place 69) about 30 cm away from the sample. The presence or absence was subjected to sensory evaluation. This evaluation was performed for each of the prepared photomasks having different resolution names.

上記評価においては、防眩フィルムの特性に依存して、ある解像度呼び以上のフォトマスクにおいてギラツキが観察されるようになる。このときの解像度呼びからギラツキを評価した。具体的に例を挙げて評価数値の判別方法を述べる。   In the above evaluation, depending on the characteristics of the antiglare film, glare is observed in a photomask having a resolution resolution or higher. The glare was evaluated from the resolution call at this time. A method of discriminating the evaluation numerical value will be described with a specific example.

まず、官能評価の際、解像度呼び90ppiのフォトマスクにおいて強いギラツキが観察され、解像度呼び80ppiのフォトマスクにおいてギラツキが観察されなかったとき、ギラツキの評価として80ppiを与える。しかし、防眩フィルムの特性に依存して解像度呼び90ppiのフォトマスクにおいて弱いギラツキしか観察されない状態も存在する。このような状態を前記状態と区別するため、このように弱いギラツキしか生じていない場合は、ギラツキ評価として、評価に用いたフォトマスクの解像度呼び80ppiと90ppiの中間値である85ppiを与え、これを区別した。   First, in the sensory evaluation, when strong glare is observed in a photomask having a resolution nominal of 90 ppi, and no glare is observed in a photomask having a resolution nominal of 80 ppi, 80 ppi is given as an evaluation of the glare. However, depending on the characteristics of the antiglare film, there is a state where only weak glare is observed in a photomask having a resolution of 90 ppi. In order to distinguish such a state from the state described above, when only such a weak glare occurs, a resolution of the photomask used for evaluation is given as 85 ppi, which is an intermediate value between 80 ppi and 90 ppi. Distinguished.

(2)透過特性の評価
JIS K7136に準拠したヘイズメータ(株式会社村上色彩技術研究所製 HM−150)を用いて、防眩フィルムのヘイズを測定した。
(2) Evaluation of transmission characteristics The haze of the antiglare film was measured using a haze meter (HM-150, manufactured by Murakami Color Research Laboratory Co., Ltd.) based on JIS K7136.

上記評価試験の結果を、単位パターンの作成方法および金型の作製条件とともに表2に示す。なお、実施例4については、2つの防眩フィルムの評価結果をそれぞれ示した。   The results of the evaluation test are shown in Table 2 together with the unit pattern creation method and the mold fabrication conditions. In addition, about Example 4, the evaluation result of two anti-glare films was shown, respectively.

フォトマスクによるギラツキ評価試験により、バンドパスフィルタの適用により低空間周波数成分を低減させたパターンを用いて作製した実施例1〜3の防眩フィルムはいずれも、ドットをランダムに分布させた第1のパターンを用いて作製した比較例1〜2の防眩フィルムに比べ、ギラツキが生じない解像度の上限がより高い水準となり、良好な光学特性を示すことが確認された。また、二値化方法として誤差拡散法を適用して第4のパターンを用いて作製した実施例4の2つの防眩フィルムおよび実施例5の防眩フィルムはいずれも、閾値法を用いた実施例1〜3の防眩フィルムに比べて、さらに高い解像度のフォトマスクでもギラツキが観察されず、より優れた光学特性を示した。   The anti-glare films of Examples 1 to 3 manufactured using a pattern in which a low spatial frequency component is reduced by applying a bandpass filter by a glare evaluation test using a photomask are all the first in which dots are randomly distributed. Compared with the anti-glare films of Comparative Examples 1 and 2 produced using this pattern, it was confirmed that the upper limit of the resolution at which glare does not occur is at a higher level and shows good optical characteristics. In addition, the two anti-glare films of Example 4 and the anti-glare film of Example 5 that were produced using the fourth pattern by applying the error diffusion method as the binarization method were both implemented using the threshold method. Compared with the anti-glare films of Examples 1 to 3, glare was not observed even with a photomask having a higher resolution, and more excellent optical properties were exhibited.

<実施例6>
直径200mmのアルミロール(JISによるA5056)の表面に銅バラードめっきが施されたものを用意する。銅バラードめっきは、銅めっき層/薄い銀めっき層/表面銅めっき層からなるものであり、めっき層全体の厚みは、約200μmとなるように設定する。その銅めっき表面を鏡面研磨し、研磨された銅めっき表面にポジ型の感光性樹脂を塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する。
<Example 6>
A surface of a 200 mm diameter aluminum roll (JIS A5056) with copper ballad plating is prepared. Copper ballad plating consists of a copper plating layer / thin silver plating layer / surface copper plating layer, and the thickness of the entire plating layer is set to be about 200 μm. The copper plating surface is mirror-polished, and a positive photosensitive resin is applied to the polished copper plating surface and dried to form a photosensitive resin film.

ついで、図74に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンを感光性樹脂膜上にレーザー光によって露光し、現像する。レーザー光による露光、および現像はLaser Stream FX((株)シンク・ラボラトリー製)を用いて行なう。図74に示される単位パターンは、12800dpiの解像度で生成された32.768mm四方のパターンであり、図74はそのうち1.024mm四方を切り出したものである。   Next, a pattern in which unit patterns partially shown in FIG. 74 are repeatedly arranged is exposed on a photosensitive resin film with a laser beam and developed. The laser beam exposure and development are performed using Laser Stream FX (manufactured by Sink Laboratories). The unit pattern shown in FIG. 74 is a 32.768 mm square pattern generated at a resolution of 12800 dpi, and FIG. 74 is a 1.024 mm square cut out.

図74に示される単位パターンは、第1のパターンに対し、ハイパスフィルタを適用して第2のパターンを作成した後、誤差拡散法の適用により二値化して第3のパターンを作成し、さらに、モンテカルロ法を60回繰り返し適用して作成された第4のパターンである。用いた第1のパターンは、平均ドット径が8μmであるドットを10000個/mm2の密度でランダムに分布させることにより作成した。この際、できるだけ均一にドットが分布したものとするため、設定したドット密度に対応する三角格子を設定し、その格子点から、ドットの中心座標XおよびYのそれぞれを、設定された三角格子の格子に対してシフトさせることによりパターンを生成した。なお、シフト後の座標の決定には、下記に示すC#(Microsoft社により開発されたプログラミング言語であり、言語仕様は「JIS X 3015プログラム言語C#」等により規定されている)によるプログラムコードを用いた。この関数に、Averageとしてシフトさせる格子点の座標値(XまたはY)およびDeviationに対して0.3×15μmを与えることで、ドット位置をランダムにシフトさせた。この時、擬似乱数(C#プログラムコードにおける「RandomFunction()」)は広島大学のグループにより実装されたSIMD oriented Fast Mersenne Twisterプログラム、SFMT ver1.3.3に対し、種として数値607を与えることにより得た。 The unit pattern shown in FIG. 74 creates a second pattern by applying a high-pass filter to the first pattern and then binarizing it by applying an error diffusion method. A fourth pattern created by repeatedly applying the Monte Carlo method 60 times. The first pattern used was created by randomly distributing dots having an average dot diameter of 8 μm at a density of 10,000 / mm 2 . At this time, in order to assume that the dots are distributed as uniformly as possible, a triangular lattice corresponding to the set dot density is set, and the center coordinates X and Y of the dots are respectively determined from the lattice points of the set triangular lattice. The pattern was generated by shifting with respect to the lattice. Note that the coordinates after the shift are determined by a program code according to C # (a programming language developed by Microsoft Corporation, whose language specification is defined by “JIS X 3015 programming language C #” or the like). Was used. By giving 0.3 × 15 μm to the coordinate value (X or Y) of the grid point to be shifted as Average and Deviation to this function, the dot position was shifted at random. At this time, pseudorandom numbers (“RandomFunction ()” in the C # program code) are given by giving a numerical value 607 as a seed to the SIMD oriented Fast Mersenne Twister program, SFMT ver1.3.3, which is implemented by a group of Hiroshima University. Obtained.

(実施例6で用いたC#によるプログラムコード)
//cx,cy:新たに描画するドット中心のX座標・Y座標を示す。
(Program code by C # used in Example 6)
// cx, cy: Indicates the X and Y coordinates of the newly drawn dot center.

//px,py :設定された三角格子点のX座標・Y座標を示す。
//pD:0.3
//CoreSize:ドットの直径
cX = NormalRandom(px, pD * CoreSize);
cY = NormalRandom(py, pD * CoreSize);
//乱数の正規化関数
// RandomFunction():乱数を返す関数。
// px, py: Indicates the X and Y coordinates of the set triangular grid point.
// pD: 0.3
// CoreSize: dot diameter
cX = NormalRandom (px, pD * CoreSize);
cY = NormalRandom (py, pD * CoreSize);
// Random number normalization function
// RandomFunction (): A function that returns a random number.

// RandomFunctionValueMax():乱数が取る値の最大値を返す関数。
// Math :.NET Framework Mathクラスライブラリ
public double NormalRandom(double Average,double Deviation)
{
double buff = 0;
buff = Deviation*Math.Sqrt(-2 * Math.Log(((double)RandomFunction() / (do uble)RandomFunctionValueMax()))) * Math.Sin(2 * Math.PI * ((double)Rando mFunction() / (double)RandomFunctionValueMax()))+Average;
if(buff<0){buff=0;};
return buff;
}
ハイパスフィルタとしては、空間周波数範囲下限値B’が0.067μm-1であるハイパスフィルタを用いた。また、誤差拡散マトリクスとしては、図37に示される拡散距離が4である誤差拡散マトリクスと図38に示される拡散距離が5である誤差拡散マトリクスとを0.9:0.1の割合で合成したもの(図37×0.9+図38×0.1)を用いた。図74に示される単位パターンの空間周波数範囲下限値B’は約0.050μm-1であった。
// RandomFunctionValueMax (): A function that returns the maximum value taken by a random number.
// Math: .NET Framework Math class library
public double NormalRandom (double Average, double Deviation)
{
double buff = 0;
buff = Deviation * Math.Sqrt (-2 * Math.Log (((double) RandomFunction () / (do uble) RandomFunctionValueMax ()))) * Math.Sin (2 * Math.PI * ((double) Rando mFunction () / (double) RandomFunctionValueMax ())) + Average;
if (buff <0) {buff = 0;};
return buff;
}
As the high-pass filter, a high-pass filter having a spatial frequency range lower limit B ′ of 0.067 μm −1 was used. As the error diffusion matrix, the error diffusion matrix having a diffusion distance of 4 shown in FIG. 37 and the error diffusion matrix having a diffusion distance of 5 shown in FIG. 38 are combined at a ratio of 0.9: 0.1. (FIG. 37 × 0.9 + FIG. 38 × 0.1) was used. The lower limit B ′ of the spatial frequency range of the unit pattern shown in FIG. 74 was about 0.050 μm −1 .

その後、塩化第二銅液で第1のエッチング処理を行なう。その際のエッチング量は7μmとなるように設定する。第1のエッチング処理後のロールから感光性樹脂膜を除去し、再度、塩化第二銅液で第2のエッチング処理を行なう。その際のエッチング量は18μmとなるように設定する。その後、クロムめっき加工を行ない、金型を作製する。このとき、クロムめっき厚みが4μmとなるように設定する。   Thereafter, a first etching process is performed with cupric chloride solution. In this case, the etching amount is set to 7 μm. The photosensitive resin film is removed from the roll after the first etching process, and the second etching process is performed again with cupric chloride solution. In this case, the etching amount is set to 18 μm. Thereafter, chromium plating is performed to produce a mold. At this time, the chrome plating thickness is set to 4 μm.

光硬化性樹脂組成物GRANDIC 806T(大日本インキ化学工業(株)製)を酢酸エチルにて溶解して、50重量%濃度の溶液とし、さらに、光重合開始剤であるルシリンTPO(BASF社製、化学名:2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド)を、硬化性樹脂成分100重量部あたり5重量部添加して塗布液を調製する。厚み80μmのトリアセチルセルロース(TAC)フィルム上に、この塗布液を乾燥後の塗布厚みが10μmとなるように塗布し、60℃に設定した乾燥機中で3分間乾燥させる。乾燥後のフィルムを、先に得られる金型の凹凸面に、光硬化性樹脂組成物層が金型側となるようにゴムロールで押し付けて密着させる。この状態でTACフィルム側より、強度20mW/cm2の高圧水銀灯からの光をh線換算光量で200mJ/cm2となるように照射して、光硬化性樹脂組成物層を硬化させる。この後、TACフィルムを硬化樹脂ごと金型から剥離して、表面に凹凸を有する硬化樹脂とTACフィルムとの積層体からなる、透明な防眩フィルムを作製する。 A photocurable resin composition GRANDIC 806T (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) is dissolved in ethyl acetate to obtain a 50% strength by weight solution. Further, a photopolymerization initiator, Lucillin TPO (manufactured by BASF) Chemical name: 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide) is added in an amount of 5 parts by weight per 100 parts by weight of the curable resin component to prepare a coating solution. This coating solution is coated on a 80 μm thick triacetylcellulose (TAC) film so that the coating thickness after drying is 10 μm, and dried for 3 minutes in a dryer set at 60 ° C. The dried film is brought into close contact with the uneven surface of the previously obtained mold by a rubber roll so that the photocurable resin composition layer is on the mold side. In this state, light from a high-pressure mercury lamp with an intensity of 20 mW / cm 2 is irradiated from the TAC film side so that the amount of light converted to h-ray is 200 mJ / cm 2 to cure the photocurable resin composition layer. Thereafter, the TAC film is peeled from the mold together with the cured resin, and a transparent antiglare film made of a laminate of the cured resin having irregularities on the surface and the TAC film is produced.

<実施例7>
閾値法を用いて二値化したこと以外は実施例6と同様にして、図75に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンを作成した。ついで、このパターンを用いること以外は、実施例6と同様にして金型を作製し、防眩フィルムを得る。
<Example 7>
A pattern in which unit patterns partially shown in FIG. 75 were repeatedly arranged was created in the same manner as in Example 6 except that binarization was performed using the threshold method. Next, a mold is produced in the same manner as in Example 6 except that this pattern is used, and an antiglare film is obtained.

図76は、図74に示されるパターンの空間周波数分布と、図75に示されるパターンの空間周波数分布とを比較する図である。図76より、誤差拡散法を適用した図74のパターンにおいて、低空間周波数成分がより低減されていることがわかる。   76 is a diagram comparing the spatial frequency distribution of the pattern shown in FIG. 74 with the spatial frequency distribution of the pattern shown in FIG. 76 that the low spatial frequency component is further reduced in the pattern of FIG. 74 to which the error diffusion method is applied.

<実施例8>
図77に一部を示すパターンを繰り返し並べたパターンを用いること以外は、実施例6と同様にして金型を作製し、防眩フィルムを得る。
<Example 8>
A mold is produced in the same manner as in Example 6 except that a pattern in which a part of the pattern shown in FIG. 77 is repeatedly arranged is used to obtain an antiglare film.

図77に示される第4のパターンは、12800dpiの解像度で生成された32.768mm四方のパターンであり、図77はそのうち1.024mm四方を切り出したものである。この第4のパターンは、第1のパターンに対し、空間周波数範囲下限値Bおよび空間周波数範囲上限値Tがそれぞれ上記式(I)および(II)〔MainPeriod=12(μm)、BandWidth=20(%)とした。〕で表され、透過帯域ピークの形状がガウス型であるバンドパスフィルタを適用することによって得られた第2のパターンを、誤差拡散距離が4である図37に示される誤差拡散マトリクスに従う誤差拡散法の適用により二値化して第3のパターンを作成し、さらに、モンテカルロ法を60回繰り返し適用して作成したものである。上記の第1のパターンは、12800dpiの解像度で32.768mm四方の8ビットのビットマップイメージであり、8ビットの深度を有する2次元配列PIXCEL[x,y]に対し、PIXCEL[x,y]=R[x+y×ImageWidth]×255を代入することによって作成した。ここで、x、yは画像におけるピクセルの座標であり、ImageWidthはx座標の画素幅である。配列R[]として、「.NET Framework2.0クラス ライブラリ」に含まれるRandomクラスNextDoubleメソッドにより生成される0.0と1.0の間の値をとるKnuthの乱数ジェネレータ減算アルゴリズムによる擬似乱数列を用いた。   The fourth pattern shown in FIG. 77 is a 32.768 mm square pattern generated at a resolution of 12800 dpi, and FIG. 77 is a 1.024 mm square cut out. The fourth pattern is different from the first pattern in that the spatial frequency range lower limit B and the spatial frequency range upper limit T are the above formulas (I) and (II) [MainPeriod = 12 (μm), BandWidth = 20 ( %). The error diffusion according to the error diffusion matrix shown in FIG. 37 having an error diffusion distance of 4 is obtained by applying a second pattern obtained by applying a bandpass filter whose transmission band peak shape is a Gaussian type. A third pattern is created by binarization by applying the method, and the Monte Carlo method is repeatedly applied 60 times. The first pattern is an 8-bit bitmap image of 32.768 mm square at a resolution of 12800 dpi, and PIXCEL [x, y] is a two-dimensional array PIXCEL [x, y] having an 8-bit depth. = R [x + y × ImageWidth] × 255. Here, x and y are pixel coordinates in the image, and ImageWidth is the pixel width of the x coordinate. As an array R [], a pseudo-random number sequence by a random number generator subtraction algorithm of Knuth that takes a value between 0.0 and 1.0 generated by a Random class NextDouble method included in ".NET Framework 2.0 class library" Using.

<実施例9>
閾値法を用いて二値化したこと以外は実施例8と同様にして、図78に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンを作成した。ついで、このパターンを用いること以外は、実施例8と同様にして金型を作製し、防眩フィルムを得る。
<Example 9>
A pattern in which unit patterns partially shown in FIG. 78 were repeatedly arranged was created in the same manner as in Example 8 except that binarization was performed using the threshold method. Next, a mold is produced in the same manner as in Example 8 except that this pattern is used, and an antiglare film is obtained.

図79は、図77に示されるパターンの空間周波数分布と、図78に示されるパターンの空間周波数分布とを比較する図である。図79より、誤差拡散法を適用した図77のパターンにおいて、低空間周波数成分がより低減されていることがわかる。   79 is a diagram comparing the spatial frequency distribution of the pattern shown in FIG. 77 with the spatial frequency distribution of the pattern shown in FIG. 78. 79 that the low spatial frequency component is further reduced in the pattern of FIG. 77 to which the error diffusion method is applied.

本発明の方法によって作製される防眩フィルム等の防眩処理が施された透明基材は、低空間周波数成分が少ないパターンを反映した微細凹凸表面形状を有しているため、ギラツキが発生せず、十分な防眩性を示し、白ちゃけも発生しないものとなる。また、ヘイズも低いため、画像表示装置に配置した際にもコントラストの低下を引き起こすことが無い。さらに、レジストワークによる再現が難しい孤立したドットが少ないため、エッチング処理も好適に行なうことができる。   The transparent base material subjected to the anti-glare treatment such as the anti-glare film produced by the method of the present invention has a fine uneven surface shape reflecting a pattern with a small amount of low spatial frequency components, so that glare occurs. In other words, it exhibits sufficient antiglare properties and does not generate whiteness. In addition, since the haze is low, the contrast does not decrease even when it is arranged in an image display device. Furthermore, since there are few isolated dots that are difficult to reproduce by resist work, the etching process can be suitably performed.

<参考例:ハイパスフィルタの適用によるパターンの作成および評価>
以下に示す方法により、パターン1〜15を作成した。
<Reference example: Pattern creation and evaluation by applying a high-pass filter>
Patterns 1 to 15 were created by the method shown below.

(1)パターン1:平均ドット径が24μmであるドットを1111個/mm2の密度でランダムに分布させることにより作成した、図80に一部を示す第1のパターンAに対し、空間周波数範囲下限値B’が約0.07μm-1であるハイパスフィルタを適用して第2のパターンを作成した後、127を閾値とした閾値法により二値化してパターン1を得た。図81は、パターン1を一部拡大して示す図である。なお、上記第1のパターンの作成にあたっては、実施例6で用いた第1のパターンと同じ方法を採用してドット分布の均一化を図った。 (1) Pattern 1: Spatial frequency range for the first pattern A partially shown in FIG. 80, created by randomly distributing dots having an average dot diameter of 24 μm at a density of 1111 pieces / mm 2 A second pattern was created by applying a high-pass filter having a lower limit B ′ of about 0.07 μm −1 , and then binarized by the threshold method using 127 as a threshold value to obtain a pattern 1. FIG. 81 is a diagram showing a pattern 1 partially enlarged. In creating the first pattern, the same method as the first pattern used in Example 6 was adopted to achieve uniform dot distribution.

(2)パターン2:パターン1の作成に用いた第2のパターンに、図37に示される拡散距離が4である誤差拡散マトリクスと図38に示される拡散距離が5である誤差拡散マトリクスとを0.9:0.1の割合で合成した誤差拡散マトリクス(図37×0.9+図38×0.1)を用いた誤差拡散法を適用して第3のパターンであるパターン2を得た。図82は、パターン2を一部拡大して示す図である。   (2) Pattern 2: The error diffusion matrix having a diffusion distance of 4 shown in FIG. 37 and the error diffusion matrix having a diffusion distance of 5 shown in FIG. A pattern 2 as a third pattern was obtained by applying an error diffusion method using an error diffusion matrix (FIG. 37 × 0.9 + FIG. 38 × 0.1) synthesized at a ratio of 0.9: 0.1. . FIG. 82 is a partially enlarged view showing the pattern 2.

(3)パターン3:パターン2にモンテカルロ法を60回繰り返し適用して第4のパターンであるパターン3を得た。図83は、パターン3を一部拡大して示す図である。   (3) Pattern 3: Pattern 3 which is the fourth pattern was obtained by repeatedly applying the Monte Carlo method to pattern 2 60 times. FIG. 83 is a partially enlarged view showing the pattern 3.

(4)パターン4:平均ドット径が20μmであるドットを1600個/mm2の密度でランダムに分布させることにより作成した、図84に一部を示す第1のパターンBを用いたこと以外は、パターン1と同様にしてパターン4を得た。図85は、パターン4を一部拡大して示す図である。 (4) Pattern 4: Except for using the first pattern B shown in FIG. 84 that is created by randomly distributing dots having an average dot diameter of 20 μm at a density of 1600 pieces / mm 2 . Pattern 4 was obtained in the same manner as Pattern 1. FIG. 85 is a partially enlarged view showing the pattern 4.

(5)パターン5:パターン4の作成に用いた第2のパターンに、図37に示される拡散距離が4である誤差拡散マトリクスと図38に示される拡散距離が5である誤差拡散マトリクスとを0.9:0.1の割合で合成した誤差拡散マトリクス(図37×0.9+図38×0.1)を用いた誤差拡散法を適用して第3のパターンであるパターン5を得た。図86は、パターン5を一部拡大して示す図である。   (5) Pattern 5: The error diffusion matrix having a diffusion distance of 4 shown in FIG. 37 and the error diffusion matrix having a diffusion distance of 5 shown in FIG. A third pattern, pattern 5, was obtained by applying an error diffusion method using an error diffusion matrix (FIG. 37 × 0.9 + FIG. 38 × 0.1) synthesized at a ratio of 0.9: 0.1. . FIG. 86 is a partially enlarged view showing the pattern 5.

(6)パターン6:パターン5にモンテカルロ法を60回繰り返し適用して第4のパターンであるパターン6を得た。図87は、パターン6を一部拡大して示す図である。   (6) Pattern 6: The pattern 6 which is the 4th pattern was obtained by applying the Monte Carlo method to the pattern 5 repeatedly 60 times. FIG. 87 is a partially enlarged view showing the pattern 6.

(7)パターン7:平均ドット径が16μmであるドットを2500個/mm2の密度でランダムに分布させることにより作成した、図88に一部を示す第1のパターンCを用いたこと以外は、パターン1と同様にしてパターン7を得た。図89は、パターン7を一部拡大して示す図である。 (7) Pattern 7: Except for using the first pattern C partially shown in FIG. 88, which is created by randomly distributing dots having an average dot diameter of 16 μm at a density of 2500 / mm 2 . Pattern 7 was obtained in the same manner as Pattern 1. FIG. 89 is a partially enlarged view showing the pattern 7.

(8)パターン8:パターン7の作成に用いた第2のパターンに、図37に示される拡散距離が4である誤差拡散マトリクスと図38に示される拡散距離が5である誤差拡散マトリクスとを0.9:0.1の割合で合成した誤差拡散マトリクス(図37×0.9+図38×0.1)を用いた誤差拡散法を適用して第3のパターンであるパターン8を得た。図90は、パターン8を一部拡大して示す図である。   (8) Pattern 8: An error diffusion matrix with a diffusion distance of 4 shown in FIG. 37 and an error diffusion matrix with a diffusion distance of 5 shown in FIG. 38 are added to the second pattern used to create the pattern 7. A third pattern, pattern 8, was obtained by applying an error diffusion method using an error diffusion matrix (FIG. 37 × 0.9 + FIG. 38 × 0.1) synthesized at a ratio of 0.9: 0.1. . FIG. 90 is a partially enlarged view showing the pattern 8.

(9)パターン9:パターン8にモンテカルロ法を60回繰り返し適用して第4のパターンであるパターン9を得た。図91は、パターン9を一部拡大して示す図である。   (9) Pattern 9: The pattern 8 as the fourth pattern was obtained by repeatedly applying the Monte Carlo method to the pattern 8 60 times. FIG. 91 is a partially enlarged view showing the pattern 9.

(10)パターン10:平均ドット径が12μmであるドットを4444個/mm2の密度でランダムに分布させることにより作成した、図92に一部を示す第1のパターンDを用いたこと以外は、パターン1と同様にしてパターン10を得た。図93は、パターン10を一部拡大して示す図である。 (10) Pattern 10: Except for using the first pattern D shown in FIG. 92 that is created by randomly distributing dots having an average dot diameter of 12 μm at a density of 4444 / mm 2 . Pattern 10 was obtained in the same manner as Pattern 1. FIG. 93 is a partially enlarged view showing the pattern 10.

(11)パターン11:パターン10の作成に用いた第2のパターンに、図37に示される拡散距離が4である誤差拡散マトリクスと図38に示される拡散距離が5である誤差拡散マトリクスとを0.9:0.1の割合で合成した誤差拡散マトリクス(図37×0.9+図38×0.1)を用いた誤差拡散法を適用して第3のパターンであるパターン11を得た。図94は、パターン11を一部拡大して示す図である。   (11) Pattern 11: An error diffusion matrix with a diffusion distance of 4 shown in FIG. 37 and an error diffusion matrix with a diffusion distance of 5 shown in FIG. 38 are added to the second pattern used to create the pattern 10. By applying an error diffusion method using an error diffusion matrix (FIG. 37 × 0.9 + FIG. 38 × 0.1) synthesized at a ratio of 0.9: 0.1, a pattern 11 as a third pattern was obtained. . FIG. 94 is a partially enlarged view showing the pattern 11.

(12)パターン12:パターン11にモンテカルロ法を60回繰り返し適用して第4のパターンであるパターン12を得た。図95は、パターン12を一部拡大して示す図である。   (12) Pattern 12: The fourth pattern, Pattern 12, was obtained by applying the Monte Carlo method to the pattern 11 repeatedly 60 times. FIG. 95 is a partially enlarged view of the pattern 12.

(13)パターン13:平均ドット径が8μmであるドットを10000個/mm2の密度でランダムに分布させることにより作成した、図96に一部を示す第1のパターンEを用いたこと以外は、パターン1と同様にしてパターン13を得た。図97は、パターン13を一部拡大して示す図である。 (13) Pattern 13: Except for using the first pattern E partially shown in FIG. 96, which was created by randomly distributing dots having an average dot diameter of 8 μm at a density of 10,000 / mm 2 . Pattern 13 was obtained in the same manner as Pattern 1. FIG. 97 is a partially enlarged view showing the pattern 13.

(14)パターン14:パターン13の作成に用いた第2のパターンに、図37に示される拡散距離が4である誤差拡散マトリクスと図38に示される拡散距離が5である誤差拡散マトリクスとを0.9:0.1の割合で合成した誤差拡散マトリクス(図37×0.9+図38×0.1)を用いた誤差拡散法を適用して第3のパターンであるパターン14を得た。図98は、パターン14を一部拡大して示す図である。   (14) Pattern 14: An error diffusion matrix with a diffusion distance of 4 shown in FIG. 37 and an error diffusion matrix with a diffusion distance of 5 shown in FIG. 38 are added to the second pattern used to create the pattern 13. A pattern 14 as a third pattern was obtained by applying an error diffusion method using an error diffusion matrix (FIG. 37 × 0.9 + FIG. 38 × 0.1) synthesized at a ratio of 0.9: 0.1. . FIG. 98 is a partially enlarged view showing the pattern 14.

(15)パターン15:パターン14にモンテカルロ法を60回繰り返し適用して第4のパターンであるパターン15を得た。図99は、パターン15を一部拡大して示す図である。   (15) Pattern 15: The pattern 14 which is the fourth pattern was obtained by applying the Monte Carlo method to the pattern 14 repeatedly 60 times. FIG. 99 is a partially enlarged view of the pattern 15.

第1のパターンA〜Eの空間周波数分布を図100に、パターン1〜15の空間周波数分布を図101〜105に示す。また、図106は、パターンの作製方法の違いによる低空間周波数成分の低減の程度をまとめたものである。図106に示されるように、平均ドット径が異なるいずれの第1パターンを用いる場合であっても、ハイパスフィルタの適用、さらには誤差拡散法、モンテカルロ法の適用により、低空間周波数成分が効果的に低減されることがわかる。特に、誤差拡散法を適用した第3のパターンおよびさらにモンテカルロ法を適用した第4のパターンで、低空間周波数成分の低減効果が顕著である。   The spatial frequency distributions of the first patterns A to E are shown in FIG. 100, and the spatial frequency distributions of the patterns 1 to 15 are shown in FIGS. FIG. 106 summarizes the degree of reduction of the low spatial frequency component due to the difference in the pattern manufacturing method. As shown in FIG. 106, even when any of the first patterns having different average dot diameters is used, the low spatial frequency component is effectively obtained by applying the high-pass filter, further applying the error diffusion method and the Monte Carlo method. It can be seen that In particular, the effect of reducing the low spatial frequency component is remarkable in the third pattern to which the error diffusion method is applied and the fourth pattern to which the Monte Carlo method is further applied.

ハイパスフィルタを用いる場合、バンドパスフィルタと異なり、抽出する空間周波数領域に上限値を設けないため、孤立ドットの発生も懸念されるが、上記パターン1〜15のように、用いる第1のパターンがドットをランダムに配置したパターンである場合、図107に示すように孤立ドットの多発は見られなかった。   When a high-pass filter is used, unlike the band-pass filter, an upper limit value is not provided in the spatial frequency region to be extracted. Therefore, there is a concern about the generation of isolated dots, but the first pattern to be used is like the above patterns 1 to 15. In the case of a pattern in which dots are randomly arranged, many isolated dots were not seen as shown in FIG.

一方、図108に示されるような明度分布をランダムに配置した第1のパターンを用いる場合、これにハイパスフィルタを適用し、閾値法により二値化したパターン、および、ハイパスフィルタを適用し、誤差拡散法により二値化したパターンでは孤立ドットが十分な程度まで低減されにくく、モンテカルロ法の適用により孤立ドットの低減処理を行なうことが好ましい。   On the other hand, when the first pattern in which the lightness distribution as shown in FIG. 108 is randomly arranged is used, a high-pass filter is applied to the first pattern, a pattern binarized by the threshold method, and a high-pass filter are applied. In a pattern binarized by the diffusion method, it is difficult for isolated dots to be reduced to a sufficient level, and it is preferable to reduce the isolated dots by applying the Monte Carlo method.

図109は、図108に示される第1のパターンに対し、上記パターン1の作成と同様の方法でハイパスフィルタの適用および閾値法による二値化を行なって得られたパターンを一部拡大して示す図である。図110は、図108に示される第1のパターンに対し、上記パターン2の作成と同様の方法でハイパスフィルタの適用および誤差拡散法による二値化を行なって得られたパターンを一部拡大して示す図である。図111は、図108に示される第1のパターンに対し、上記パターン3の作成と同様の方法でハイパスフィルタの適用、誤差拡散法による二値化およびモンテカルロ法の適用を行なって得られたパターンを一部拡大して示す図である。図112は、図109〜111に示されるパターンの孤立ドット発生個数を示す図である。また、図113は、図108〜111に示されるパターンの空間周波数分布を比較する図である。図112および113に示されるように、第1のパターンが高空間周波数成分を多く含む場合であっても、ハイパスフィルタおよびモンテカルロ法の適用により、低空間周波数成分が十分に低減されているとともに、孤立ドットの発生が少ない良好なパターンが得られることがわかる。   FIG. 109 is a partially enlarged view of the pattern obtained by applying the high-pass filter and binarization by the threshold method to the first pattern shown in FIG. FIG. 110 partially enlarges the pattern obtained by applying the high-pass filter and binarizing by the error diffusion method to the first pattern shown in FIG. FIG. FIG. 111 shows a pattern obtained by applying a high-pass filter, binarization using an error diffusion method, and applying a Monte Carlo method to the first pattern shown in FIG. FIG. FIG. 112 is a diagram showing the number of isolated dots generated in the patterns shown in FIGS. FIG. 113 is a diagram for comparing the spatial frequency distributions of the patterns shown in FIGS. As shown in FIGS. 112 and 113, even when the first pattern includes many high spatial frequency components, the low spatial frequency components are sufficiently reduced by the application of the high-pass filter and the Monte Carlo method. It can be seen that a good pattern with few isolated dots can be obtained.

1 ドット、7 金型用基材、8 研磨工程によって研磨された基材の表面、9 感光性樹脂膜、10 露光工程において露光された感光性樹脂膜、11 露光工程において露光されない感光性樹脂膜、12 マスク、13 マスクの無い箇所、14 エッチングによって段階的に形成される表面、15 第1エッチング工程後の基材表面(第1の表面凹凸形状)、16 クロムめっき層、17 クロムめっきの表面、18 第2エッチング工程後の基材表面(第2の表面凹凸形状)、60 ユニットセル、61 クロム遮光パターン、62 開口部、63 フォトマスク、65 ライトボックス、66 ライト、67 ガラス板、69 目視観察場所、70 防眩フィルム。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Dot, 7 Mold substrate, 8 Surface of substrate polished by polishing process, 9 Photosensitive resin film, 10 Photosensitive resin film exposed in exposure process, 11 Photosensitive resin film not exposed in exposure process , 12 Mask, 13 Location without mask, 14 Surface formed stepwise by etching, 15 Substrate surface after first etching step (first surface irregular shape), 16 Chromium plating layer, 17 Chromium plating surface , 18 Substrate surface (second surface irregular shape) after the second etching step, 60 unit cell, 61 chrome shading pattern, 62 opening, 63 photomask, 65 light box, 66 light, 67 glass plate, 69 visual inspection Observation place, 70 Anti-glare film.

Claims (32)

複数のドットがランダムに配置された、または明度分布が配置された第1のパターンに対し、第1のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を少なくとも除去または低減するフィルタを適用して第2のパターンを作成する工程と、
前記第2のパターンを用いて、透明基材上に凹凸形状を加工する工程と、
を備える透明基材の防眩処理方法。
At least a low spatial frequency component having a spatial frequency less than a specific value is selected from the spatial frequency components included in the first pattern with respect to the first pattern in which a plurality of dots are randomly arranged or the brightness distribution is arranged. Applying a filter to be removed or reduced to create a second pattern;
Using the second pattern, processing the concavo-convex shape on the transparent substrate;
An anti-glare treatment method for a transparent substrate.
前記フィルタは、前記第1のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分のみを除去または低減するハイパスフィルタである請求項1に記載の防眩処理方法。   The anti-glare processing method according to claim 1, wherein the filter is a high-pass filter that removes or reduces only a low spatial frequency component having a spatial frequency less than a specific value from a spatial frequency component included in the first pattern. 前記フィルタは、前記第1のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が0.01μm-1未満である低空間周波数成分のみを除去または低減するハイパスフィルタである請求項2に記載の防眩処理方法。 3. The anti-glare filter according to claim 2, wherein the filter is a high-pass filter that removes or reduces only a low spatial frequency component having a spatial frequency of less than 0.01 μm −1 from a spatial frequency component included in the first pattern. Processing method. 前記フィルタは、前記第1のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を除去または低減するとともに、空間周波数が特定値を超える高空間周波数成分を除去または低減することにより、特定範囲の空間周波数成分を抽出するバンドパスフィルタである請求項1に記載の防眩処理方法。   The filter removes or reduces a low spatial frequency component whose spatial frequency is less than a specific value from a spatial frequency component included in the first pattern, and removes a high spatial frequency component whose spatial frequency exceeds a specific value or The anti-glare processing method according to claim 1, wherein the anti-glare processing method is a band pass filter that extracts a spatial frequency component in a specific range by reducing the frequency band. 前記バンドパスフィルタの適用により抽出される前記特定範囲の空間周波数成分における空間周波数の下限値Bは0.01μm-1以上であり、上限値Tは、1/(D×2)μm-1以下〔D(μm)は、前記透明基材上に凹凸形状を加工する際に用いられる加工装置の分解能である。〕である請求項4に記載の防眩処理方法。 The lower limit B of the spatial frequency in the spatial frequency component of the specific range extracted by applying the bandpass filter is 0.01 μm −1 or more, and the upper limit T is 1 / (D × 2) μm −1 or less. [D (μm) is the resolution of the processing apparatus used when processing the concavo-convex shape on the transparent substrate. The antiglare treatment method according to claim 4. 前記空間周波数の上限値Tおよび下限値Bは、下記式(1):
0.20 < 2×(T−B)/(T+B) < 0.80 (1)
を満たす請求項5に記載の防眩処理方法。
The upper limit value T and the lower limit value B of the spatial frequency are expressed by the following formula (1):
0.20 <2 × (T−B) / (T + B) <0.80 (1)
The anti-glare processing method of Claim 5 which satisfy | fills.
前記第2のパターンにディザリング法を適用することにより、離散化された情報に変換された第3のパターンを作成する工程をさらに備え、
前記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、前記第3のパターンを用いて行なわれる請求項1〜6のいずれかに記載の防眩処理方法。
Applying a dithering method to the second pattern to further create a third pattern converted into discretized information;
The antiglare treatment method according to any one of claims 1 to 6, wherein the step of processing the concavo-convex shape on the transparent substrate is performed using the third pattern.
前記ディザリング法は、誤差拡散法である請求項7に記載の防眩処理方法。   The anti-glare processing method according to claim 7, wherein the dithering method is an error diffusion method. 3ピクセル以上、6ピクセル以下の範囲に変換誤差を拡散させる誤差拡散法を適用することにより、第3のパターンを作成する請求項8に記載の防眩処理方法。   The anti-glare processing method according to claim 8, wherein the third pattern is created by applying an error diffusion method for diffusing a conversion error in a range of 3 pixels or more and 6 pixels or less. 前記第3のパターンは、2段階に離散化された情報に変換されたパターンである請求項7〜9のいずれかに記載の防眩処理方法。   The anti-glare processing method according to claim 7, wherein the third pattern is a pattern converted into information discretized in two stages. 2段階に離散化された情報に変換された第3のパターンに対し、モンテカルロ法により孤立した黒、もしくは白ピクセルを移動させて第4のパターンを作成する工程をさらに備え、
前記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、前記第4のパターンを用いて行なわれる請求項10に記載の防眩処理方法。
A step of creating a fourth pattern by moving isolated black or white pixels by a Monte Carlo method with respect to the third pattern converted into information discretized in two stages,
The process of processing an uneven | corrugated shape on the said transparent base material is an anti-glare processing method of Claim 10 performed using the said 4th pattern.
前記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、前記第2のパターン、前記第3のパターンまたは前記第4のパターンを用いて、凹凸面を有する金型を作製し、前記金型の凹凸面を前記透明基材上に転写する工程を含む請求項1〜11のいずれかに記載の防眩処理方法。   The step of processing the concavo-convex shape on the transparent substrate is performed by using the second pattern, the third pattern, or the fourth pattern to produce a mold having a concavo-convex surface, The anti-glare processing method in any one of Claims 1-11 including the process of transferring a surface on the said transparent base material. 前記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、前記第3のパターンまたは前記第4のパターンが有する離散化された情報に基づいて加工を行なう加工装置を用いて行なわれる請求項7〜12のいずれかに記載の防眩処理方法。   The process of processing uneven | corrugated shape on the said transparent base material is performed using the processing apparatus which processes based on the discretized information which the said 3rd pattern or the said 4th pattern has. The anti-glare processing method according to any one of the above. 複数のドットがランダムに配置された、または明度分布が配置された第1のパターンに対し、第1のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を少なくとも除去または低減するフィルタを適用して第2のパターンを作成する工程と、
前記第2のパターンを用いて、透明基材上に凹凸形状を加工する工程と、
を備える防眩フィルムの製造方法。
At least a low spatial frequency component having a spatial frequency less than a specific value is selected from the spatial frequency components included in the first pattern with respect to the first pattern in which a plurality of dots are randomly arranged or the brightness distribution is arranged. Applying a filter to be removed or reduced to create a second pattern;
Using the second pattern, processing the concavo-convex shape on the transparent substrate;
A method for producing an antiglare film.
前記フィルタは、前記第1のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分のみを除去または低減するハイパスフィルタである請求項14に記載の防眩フィルムの製造方法。   The anti-glare film manufacturing method according to claim 14, wherein the filter is a high-pass filter that removes or reduces only a low spatial frequency component having a spatial frequency less than a specific value from a spatial frequency component included in the first pattern. Method. 前記フィルタは、前記第1のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が0.01μm-1未満である低空間周波数成分のみを除去または低減するハイパスフィルタである請求項15に記載の防眩フィルムの製造方法。 The anti-glare filter according to claim 15, wherein the filter is a high-pass filter that removes or reduces only a low spatial frequency component having a spatial frequency of less than 0.01 μm −1 from a spatial frequency component included in the first pattern. A method for producing a film. 前記フィルタは、前記第1のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を除去または低減するとともに、空間周波数が特定値を超える高空間周波数成分を除去または低減することにより、特定範囲の空間周波数成分を抽出するバンドパスフィルタである請求項14に記載の防眩フィルムの製造方法。   The filter removes or reduces a low spatial frequency component whose spatial frequency is less than a specific value from a spatial frequency component included in the first pattern, and removes a high spatial frequency component whose spatial frequency exceeds a specific value or The method for producing an antiglare film according to claim 14, wherein the antiglare film is a bandpass filter that extracts a spatial frequency component in a specific range by reducing the bandpass filter. 前記バンドパスフィルタの適用により抽出される前記特定範囲の空間周波数成分における空間周波数の下限値Bは0.01μm-1以上であり、上限値Tは、1/(D×2)μm-1以下〔D(μm)は、前記透明基材上に凹凸形状を加工する際に用いられる加工装置の分解能である。〕である請求項17に記載の防眩フィルムの製造方法。 The lower limit B of the spatial frequency in the spatial frequency component of the specific range extracted by applying the bandpass filter is 0.01 μm −1 or more, and the upper limit T is 1 / (D × 2) μm −1 or less. [D (μm) is the resolution of the processing apparatus used when processing the concavo-convex shape on the transparent substrate. The method for producing an antiglare film according to claim 17. 前記空間周波数の上限値Tおよび下限値Bは、下記式(1):
0.20 < 2×(T−B)/(T+B) < 0.80 (1)
を満たす請求項18に記載の防眩フィルムの製造方法。
The upper limit value T and the lower limit value B of the spatial frequency are expressed by the following formula (1):
0.20 <2 × (T−B) / (T + B) <0.80 (1)
The manufacturing method of the anti-glare film of Claim 18 which satisfy | fills.
前記第2のパターンにディザリング法を適用することにより、離散化された情報に変換された第3のパターンを作成する工程をさらに備え、
前記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、前記第3のパターンを用いて行なわれる請求項14〜19のいずれかに記載の防眩フィルムの製造方法。
Applying a dithering method to the second pattern to further create a third pattern converted into discretized information;
The method for producing an antiglare film according to any one of claims 14 to 19, wherein the step of processing the concavo-convex shape on the transparent substrate is performed using the third pattern.
前記ディザリング法は、誤差拡散法である請求項20に記載の防眩フィルムの製造方法。   The method of manufacturing an antiglare film according to claim 20, wherein the dithering method is an error diffusion method. 3ピクセル以上、6ピクセル以下の範囲に変換誤差を拡散させる誤差拡散法を適用することにより、第3のパターンを作成する請求項21に記載の防眩フィルムの製造方法。   The method for producing an antiglare film according to claim 21, wherein the third pattern is created by applying an error diffusion method in which a conversion error is diffused in a range of 3 pixels or more and 6 pixels or less. 前記第3のパターンは、2段階に離散化された情報に変換されたパターンである請求項20〜22のいずれかに記載の防眩フィルムの製造方法。   The method for producing an antiglare film according to any one of claims 20 to 22, wherein the third pattern is a pattern converted into information discretized in two stages. 2段階に離散化された情報に変換された第3のパターンに対し、モンテカルロ法により孤立した黒、もしくは白ピクセルを移動させて第4のパターンを作成する工程をさらに備え、
前記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、前記第4のパターンを用いて行なわれる請求項23に記載の防眩フィルムの製造方法。
A step of creating a fourth pattern by moving isolated black or white pixels by a Monte Carlo method with respect to the third pattern converted into information discretized in two stages,
The method for producing an antiglare film according to claim 23, wherein the step of processing the concavo-convex shape on the transparent substrate is performed using the fourth pattern.
前記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、前記第2のパターン、前記第3のパターンまたは前記第4のパターンを用いて、凹凸面を有する金型を作製し、前記金型の凹凸面を前記透明基材上に転写する工程を含む請求項14〜24のいずれかに記載の防眩フィルムの製造方法。   The step of processing the concavo-convex shape on the transparent substrate is performed by using the second pattern, the third pattern, or the fourth pattern to produce a mold having a concavo-convex surface, The manufacturing method of the anti-glare film in any one of Claims 14-24 including the process of transferring a surface on the said transparent base material. 前記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、前記第3のパターンまたは前記第4のパターンが有する離散化された情報に基づいて加工を行なう加工装置を用いて行なわれる請求項20〜25のいずれかに記載の防眩フィルムの製造方法。   The process of processing the concavo-convex shape on the transparent substrate is performed using a processing apparatus that performs processing based on the discretized information of the third pattern or the fourth pattern. The manufacturing method of the anti-glare film in any one of these. 請求項12または25に記載の金型を製造する方法であって、
金型用基材の表面に銅めっきまたはニッケルめっきを施す第1めっき工程と、
第1めっき工程によってめっきが施された表面を研磨する研磨工程と、
研磨された面に感光性樹脂膜を形成する感光性樹脂膜形成工程と、
感光性樹脂膜上に前記第2のパターン、前記第3のパターンまたは前記第4のパターンを露光する露光工程と、
前記第2のパターン、前記第3のパターンまたは前記第4のパターンが露光された感光性樹脂膜を現像する現像工程と、
現像された感光性樹脂膜をマスクとして用いてエッチング処理を行ない、研磨されためっき面に凹凸を形成する第1エッチング工程と、
感光性樹脂膜を剥離する感光性樹脂膜剥離工程と、
形成された凹凸面にクロムめっきを施す第2めっき工程と、
を含む、金型の製造方法。
A method for producing a mold according to claim 12 or 25, comprising:
A first plating step of performing copper plating or nickel plating on the surface of the mold base;
A polishing step of polishing the surface plated by the first plating step;
A photosensitive resin film forming step of forming a photosensitive resin film on the polished surface;
An exposure step of exposing the second pattern, the third pattern or the fourth pattern on a photosensitive resin film;
A developing step of developing the photosensitive resin film on which the second pattern, the third pattern, or the fourth pattern is exposed;
A first etching step of performing an etching process using the developed photosensitive resin film as a mask and forming irregularities on the polished plated surface;
A photosensitive resin film peeling step for peeling the photosensitive resin film;
A second plating step of applying chromium plating to the formed uneven surface;
A method for manufacturing a mold, including:
前記感光性樹脂膜剥離工程と前記第2めっき工程との間に、形成された凹凸面の凹凸形状をエッチング処理によって鈍らせる第2エッチング工程を含む請求項27に記載の製造方法。   28. The manufacturing method according to claim 27, further comprising a second etching step in which the uneven shape of the formed uneven surface is blunted by an etching process between the photosensitive resin film peeling step and the second plating step. 前記第2めっき工程において形成されるクロムめっきが施された凹凸面が、前記透明基材上に転写される金型の凹凸面である請求項27または28に記載の製造方法。   29. The manufacturing method according to claim 27 or 28, wherein the concavo-convex surface formed with chromium plating in the second plating step is an concavo-convex surface of a mold transferred onto the transparent substrate. 前記第2めっき工程におけるクロムめっきにより形成されるクロムめっき層が1〜10μmの厚みを有する、請求項27〜29のいずれかに記載の製造方法。   The manufacturing method according to any one of claims 27 to 29, wherein the chromium plating layer formed by chromium plating in the second plating step has a thickness of 1 to 10 µm. 請求項1〜13のいずれかに記載の防眩処理方法により、画像表示装置が備える透明基材の表面に防眩処理を施す、画像表示装置の防眩処理方法。   The anti-glare processing method of an image display apparatus which performs an anti-glare process on the surface of the transparent base material with which an image display apparatus is provided by the anti-glare processing method in any one of Claims 1-13. 請求項14〜26のいずれかに記載の方法により得られる防眩フィルムを備える画像表示装置。   An image display apparatus provided with the anti-glare film obtained by the method in any one of Claims 14-26.
JP2010035840A 2009-03-25 2010-02-22 Anti-glare treatment method, anti-glare film manufacturing method and mold manufacturing method Expired - Fee Related JP5510865B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010035840A JP5510865B2 (en) 2009-03-25 2010-02-22 Anti-glare treatment method, anti-glare film manufacturing method and mold manufacturing method

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009074121 2009-03-25
JP2009074121 2009-03-25
JP2009140320 2009-06-11
JP2009140320 2009-06-11
JP2009252041 2009-11-02
JP2009252041 2009-11-02
JP2010035840A JP5510865B2 (en) 2009-03-25 2010-02-22 Anti-glare treatment method, anti-glare film manufacturing method and mold manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011118327A true JP2011118327A (en) 2011-06-16
JP5510865B2 JP5510865B2 (en) 2014-06-04

Family

ID=42771436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010035840A Expired - Fee Related JP5510865B2 (en) 2009-03-25 2010-02-22 Anti-glare treatment method, anti-glare film manufacturing method and mold manufacturing method

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5510865B2 (en)
KR (1) KR101622793B1 (en)
CN (1) CN101846758B (en)
TW (1) TWI480600B (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014020901A1 (en) 2012-08-01 2014-02-06 パナソニック株式会社 Optical sheet, light-emitting device, method for manufacturing optical sheet, and method for manufacturing light-emitting device
EP2884314A1 (en) 2013-12-16 2015-06-17 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Optical sheet and light emitting apparatus

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011148247A (en) * 2010-01-25 2011-08-04 Sumitomo Chemical Co Ltd Cleaning method of roll mold for manufacturing optical film
WO2013008826A1 (en) * 2011-07-11 2013-01-17 富士フイルム株式会社 Conductive sheet, touch panel, display device, method for producing said conductive sheet, and recording medium
CN104797961B (en) * 2012-11-21 2018-02-02 3M创新有限公司 Optical diffusion and preparation method thereof
KR102557599B1 (en) * 2015-04-21 2023-07-19 케이엘에이 코포레이션 Metrology target design for tilted device design
JP6765893B2 (en) 2016-08-02 2020-10-07 キヤノン株式会社 Optical elements, optics, and methods for forming random irregularities
CN106383421A (en) * 2016-11-07 2017-02-08 深圳市华星光电技术有限公司 Manufacturing method of alignment film, display panel and display device
WO2019189933A1 (en) * 2018-03-30 2019-10-03 大日本印刷株式会社 Decorative material and method for producing decorative material
CN111169056B (en) * 2018-11-12 2022-08-05 苏州维业达触控科技有限公司 Method for manufacturing anti-dazzle diffusion film
FR3103728B1 (en) * 2019-11-28 2021-10-22 Aleph METHOD OF MANUFACTURING A BLOWN FILM WITH DETERMINATION OF A PROFILE OF A SIZE OF THE FILM
CN115216040A (en) * 2022-07-18 2022-10-21 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Preparation method of anti-glare film layer, anti-glare film layer and display device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06139352A (en) * 1992-10-28 1994-05-20 Dainippon Printing Co Ltd Image processing method for thermosensitive mimeograph printer
JP2002287325A (en) * 2001-03-27 2002-10-03 Seiko Epson Corp Mask, method for manufacturing mask, method for manufacturing micro-structure and method for manufacturing liquid crystal display
JP2003090902A (en) * 2001-09-19 2003-03-28 Dainippon Printing Co Ltd Antireflection imparting film and antireflection processing method using the same
JP2005040506A (en) * 2003-07-25 2005-02-17 Morita Mfg Co Ltd Method and apparatus for processing x-ray image
JP2005092205A (en) * 2003-09-20 2005-04-07 Schott Ag Light diffusion device for applying circular field
JP2005318543A (en) * 2004-03-31 2005-11-10 Fuji Photo Film Co Ltd Image processing method, device and program
JP2007237541A (en) * 2006-03-08 2007-09-20 Sumitomo Chemical Co Ltd Mold having minute uneven shape on surface, method for producing the mold, and method for producing glare-proof film by using the mold
JP2008225449A (en) * 2007-02-14 2008-09-25 Sony Corp Anti-glare film, method for manufacturing the same, and display device using the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3831503A1 (en) * 1988-09-16 1990-03-22 Ver Glaswerke Gmbh Transparent reflection-reducing covering layer for transparent glass or plastic substrates
JP2000266914A (en) * 1999-03-12 2000-09-29 Toppan Printing Co Ltd Light diffuser and display device using it
US6570710B1 (en) * 1999-11-12 2003-05-27 Reflexite Corporation Subwavelength optical microstructure light collimating films
JP2007187952A (en) * 2006-01-16 2007-07-26 Sumitomo Chemical Co Ltd Anti-glare film, method of manufacturing same, method of manufacturing die for same, and display device
US20100033652A1 (en) * 2006-12-08 2010-02-11 Tomoyoshi Yamashita Antiglare film and display device employing the same, and light diffusing film and surface light source system employing the same

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06139352A (en) * 1992-10-28 1994-05-20 Dainippon Printing Co Ltd Image processing method for thermosensitive mimeograph printer
JP2002287325A (en) * 2001-03-27 2002-10-03 Seiko Epson Corp Mask, method for manufacturing mask, method for manufacturing micro-structure and method for manufacturing liquid crystal display
JP2003090902A (en) * 2001-09-19 2003-03-28 Dainippon Printing Co Ltd Antireflection imparting film and antireflection processing method using the same
JP2005040506A (en) * 2003-07-25 2005-02-17 Morita Mfg Co Ltd Method and apparatus for processing x-ray image
JP2005092205A (en) * 2003-09-20 2005-04-07 Schott Ag Light diffusion device for applying circular field
JP2005318543A (en) * 2004-03-31 2005-11-10 Fuji Photo Film Co Ltd Image processing method, device and program
JP2007237541A (en) * 2006-03-08 2007-09-20 Sumitomo Chemical Co Ltd Mold having minute uneven shape on surface, method for producing the mold, and method for producing glare-proof film by using the mold
JP2008225449A (en) * 2007-02-14 2008-09-25 Sony Corp Anti-glare film, method for manufacturing the same, and display device using the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014020901A1 (en) 2012-08-01 2014-02-06 パナソニック株式会社 Optical sheet, light-emitting device, method for manufacturing optical sheet, and method for manufacturing light-emitting device
US9851579B2 (en) 2012-08-01 2017-12-26 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Optical sheet, light-emitting device, method for manufacturing optical sheet, and method for manufacturing light-emitting device
EP2884314A1 (en) 2013-12-16 2015-06-17 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Optical sheet and light emitting apparatus
US9203054B2 (en) 2013-12-16 2015-12-01 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Optical sheet and light emitting apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN101846758A (en) 2010-09-29
KR101622793B1 (en) 2016-05-19
KR20100107417A (en) 2010-10-05
JP5510865B2 (en) 2014-06-04
TW201042295A (en) 2010-12-01
CN101846758B (en) 2014-09-17
TWI480600B (en) 2015-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5510865B2 (en) Anti-glare treatment method, anti-glare film manufacturing method and mold manufacturing method
KR101598637B1 (en) Anti-glare film
KR101608091B1 (en) Anti-glare film and manufacturing method thereof
JP5674292B2 (en) Antiglare film and method for producing the same, and method for producing a mold
JP6181383B2 (en) Anti-glare film
TWI461746B (en) Method for producing anti-glare film and method for producing mold for anti-glare film
KR101629020B1 (en) Process for producing anti-glare film and mold used for the production of the same
JP5514044B2 (en) Method for producing antiglare film and method for producing mold for production of antiglare film
JP5150945B2 (en) Method for producing mold and method for producing antiglare film using mold obtained by the method
TWI498603B (en) Antiglare film and antiglare polarizing sheet
JP5196352B2 (en) Method for producing antiglare film, method for producing antiglare film and mold
JP5403422B2 (en) Method for producing mold for antiglare film and method for producing antiglare film
KR101588460B1 (en) Method for producing mold and method for producing anti-glare film
JP2013176954A (en) Method for manufacturing die for forming antiglare film and method for forming the antiglare film
JP5354668B2 (en) Method for producing antiglare film, method for producing antiglare film and mold
JP6049980B2 (en) Anti-glare film
JP2014119552A (en) Antiglare film and method for manufacturing mold for the film, and method for producing antiglare film
KR20110048473A (en) How to create a random pattern
JP6039397B2 (en) Method for producing mold for producing antiglare film and method for producing antiglare film
JP2014180768A (en) Method for manufacturing mold for antiglare process

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121218

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131023

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131029

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131224

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140225

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140314

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5510865

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees