JP2011114278A - 接合方法および接合装置制御装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1基板の第1基板表面と第2基板の第2基板表面とに粒子を照射することにより、その第2基板表面とその第1基板表面とを活性化させるステップS2と、その第1基板の温度とその第2基板の温度との温度差を小さくするステップS3と、所定温度差よりその温度差が小さくなった後に、その第2基板表面とその第1基板表面とを接触させることにより、その第2基板とその第1基板とを接合するステップS4とを備えている。このような接合方法によれば、その温度差が所定温度差より小さくなる前に接合された他の接合基板に比較して、その第2基板とその第1基板との熱膨張に起因する反りをより低減することができる。
【選択図】図3
Description
本発明の他の課題は、接合後の基板に発生する反りをより確実に低減する接合方法および接合装置制御装置を提供することにある。
本発明の他の課題は、より高速に接合し、かつ、接合後の基板に発生する反りを低減する接合方法および接合装置制御装置を提供することにある。
本発明の他の課題は、接合後の基板に発生する反りをより容易に低減する接合方法および接合装置制御装置を提供することにある。
本発明のさらに他の課題は、接合後の基板に発生する反りを低減する接合装置を提供することにある。
本発明のさらに他の課題は、より高速に接合し、かつ、接合後の基板に発生する反りを低減する接合装置を提供することにある。
2 :接合チャンバー
3 :ロードロックチャンバー
4 :ゲートバルブ
5 :真空ポンプ
6 :搬送機構
7 :真空ポンプ
8 :ステージキャリッジ
9 :位置合わせ機構
10:接合装置制御装置
11:カートリッジ
12:圧接軸
13:静電チャック
14:圧接機構
15:荷重計
16:イオンガン
17:電子源
18:温度計
21:搬送部
22:活性化部
23:温度調節部
24:接合部
31:接合基板
32:下ウェハ
33:上ウェハ
34:接合基板
41:接合基板
42:下ウェハ
43:上ウェハ
44:接合基板
51:静電チャック
52:クーラント流路
54:ヒータ
55:電線
61:ステージキャリッジ
62:クーラント流路
64:ヒータ
65:電線
Claims (19)
- 第1基板の第1基板表面と第2基板の第2基板表面とに粒子を照射することにより、前記第2基板表面と前記第1基板表面とを活性化させるステップと、
前記第1基板の温度と前記第2基板の温度との温度差を小さくするステップと、
所定温度差より前記温度差が小さくなった後に、前記第2基板表面と前記第1基板表面とを接触させることにより、前記第2基板と前記第1基板とを接合するステップ
とを具備する接合方法。 - 請求項1において、
前記第1基板表面と前記第2基板表面とが接触する前に、前記第1基板または前記第2基板を加熱または冷却するステップ
をさらに具備する接合方法。 - 請求項2において、
前記第2基板と前記第1基板とは、所定温度範囲に前記第1基板の温度または前記第2基板の温度が含まれるときに前記第2基板表面と前記第1基板表面とが接触するように、接合される
接合方法。 - 請求項1〜請求項3のいずれかにおいて、
温度計により測定された測定温度に基づいて前記温度差が前記所定温度差より小さくなったかどうかを判別するステップ
をさらに具備する接合方法。 - 請求項1〜請求項4のいずれかにおいて、
前記第1基板表面が活性化されるときに前記第1基板に接触する第1材料の熱伝導率と前記第2基板表面が活性化されるときに前記第2基板に接触する第2材料の熱伝導率との差は、所定の差より小さい
接合方法。 - 請求項5において、
前記第1材料は、ステンレス鋼であり、
前記第2材料は、アルミナ系セラミックスである
接合方法。 - 請求項1において、
前記第2基板と前記第1基板とは、前記第2基板表面と前記第1基板表面とに前記粒子が照射し終わってから5分以上経過後に前記第2基板表面と前記第1基板表面とが接触するように、接合される
接合方法。 - 第1基板の第1基板表面と第2基板の第2基板表面とに粒子を照射するように活性化装置を制御する活性化部と、
所定温度差より前記第1基板の温度と前記第2基板の温度との温度差が小さくなった後に、前記第2基板表面と前記第1基板表面とが接触するように、前記第2基板と前記第1基板とを駆動する圧接機構を制御する接合部
とを具備する接合装置制御装置。 - 請求項8において、
前記第1基板表面と前記第2基板表面とが接触する前に、前記第1基板または前記第2基板が加熱または冷却されるように、温度調節装置を制御する温度調節部
をさらに具備する接合装置制御装置。 - 請求項9において、
前記接合部は、所定温度範囲に前記測定温度が含まれるときに前記第2基板表面と前記第1基板表面とが接触するように、前記圧接機構を制御する
接合装置制御装置。 - 請求項8〜請求項10のいずれかにおいて、
前記温度調節部は、前記第1基板または前記第2基板の温度を測定する温度計により測定された測定温度に基づいて前記温度差が前記所定温度差より小さくなったかどうかを判別する
接合装置制御装置。 - 請求項8において、
前記第2基板と前記第1基板とは、前記第2基板表面と前記第1基板表面とに前記粒子が照射し終わってから5分以上経過後に前記第2基板表面と前記第1基板表面とが接触するように、接合される
接合装置制御装置。 - 第1基板の第1基板表面と第2基板の第2基板表面とに粒子を照射する活性化装置と、
所定温度差より前記第1基板の温度と前記第2基板の温度との温度差が小さくなった後に、前記第2基板表面と前記第1基板表面とが接触するように、前記第2基板と前記第1基板とを駆動する圧接機構
とを具備する接合装置。 - 請求項13において、
前記第1基板表面が活性化されるときに前記第1基板を保持する第1保持機構と、
前記第2基板表面が活性化されるときに前記第2基板を保持する第2保持機構とをさらに具備し、
前記第1基板が前記第1保持機構に保持されるときに前記第1基板に接触する第1材料の熱伝導率と前記第2基板が前記第2保持機構に保持されるときに前記第2基板に接触する第2材料の熱伝導率との差は、所定の差より小さい
接合装置。 - 請求項14において、
前記第1材料は、ステンレス鋼であり、
前記第2材料は、アルミナ系セラミックスである
接合装置。 - 請求項13〜請求項15のいずれかにおいて、
前記第1基板を加熱する加熱装置
をさらに具備する接合装置。 - 請求項13〜請求項16のいずれかにおいて、
前記第1基板を冷却する冷却装置
をさらに具備する接合装置。 - 請求項16または請求項17のいずれかにおいて、
前記第2基板を冷却または加熱する温度調節装置
をさらに具備する接合装置。 - 請求項13〜請求項18のいずれかにおいて、
前記第1基板の温度または第2基板の温度を測定する温度計
をさらに具備する接合装置。
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