JP2011108700A - デバイス、及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】板上に第1の素子が搭載されてなるデバイスにおいて、前記第1の素子は前記基板上に構成された台座上に配置され、かつ、該第1の素子はAuSn半田で固定されたものであり、前記基板と前記第1の素子との間には前記台座より高さが低い凸部が設けられ、該凸部に対応する位置のAuSn半田がAuリッチに構成されてなる。
【選択図】図1
Description
基板上に第1の素子が搭載されてなるデバイスにおいて、
前記第1の素子は前記基板上に構成された台座上に配置され、かつ、該第1の素子はAuSn半田で固定されたものであり、
前記基板と前記第1の素子との間には前記台座より高さが低い凸部が設けられ、該凸部に対応する位置のAuSn半田がAuリッチに構成されてなる
ことを特徴とするデバイスによって解決される。
基板上に第1の素子が搭載されてなるデバイスの製造方法において、
前記基板上に台座が構成される台座構成工程と、
前記基板上に前記台座より高さが低い凸部が構成される凸部構成工程と、
前記凸部上にAu層が設けられるAu層構成工程と、
前記基板上にAuSn半田が設けられるAuSn半田構成工程と、
前記台座上に第1の素子が配置される第1の素子配置工程と、
前記第1の素子配置工程で配置された第1の素子を前記AuSn半田構成工程で設けられたAuSn半田で固定するに際して、該AuSn半田に前記Au層構成工程で設けられたAu層のAuが拡散して該AuSn半田構成工程で設けられたAuSn半田の溶融温度では溶融しないAuリッチ部が前記凸部と前記第1の素子との間に構成されるよう加熱する加熱工程
とを具備してなることを特徴とするデバイス製造方法によって解決される。
2 光導波路
2a 光導波路コア
3,4 台座
6 アンカー(凸部)
7,11 Auパッド
8,9 AuSn共晶半田
10 LD(第1の素子)
12 SOA(第2の光素子)
Claims (7)
- 基板上に第1の素子が搭載されてなるデバイスにおいて、
前記第1の素子は前記基板上に構成された台座上に配置され、かつ、該第1の素子はAuSn半田で固定されたものであり、
前記基板と前記第1の素子との間には前記台座より高さが低い凸部が設けられ、該凸部に対応する位置のAuSn半田がAuリッチに構成されてなる
ことを特徴とするデバイス。 - 凸部に対応した位置に構成されたAuリッチ部は、第1の素子と凸部との間において実質上連続して構成されたものであって、AuSn共晶半田の融点に達しても溶融しない共晶状態が消滅したζ層で構成されてなることを特徴とする請求項1のデバイス。
- 0<L(凸部に対応した位置のAuSn半田の厚さ)≦2μmであるよう凸部が構成されてなることを特徴とする請求項1又は請求項2のデバイス。
- 第1の素子は第1の光素子であり、
第2の光素子と光導波路とを更に具備することを特徴とする請求項1〜請求項3いずれかのデバイス。 - 基板上に第1の素子が搭載されてなるデバイスの製造方法において、
前記基板上に台座が構成される台座構成工程と、
前記基板上に前記台座より高さが低い凸部が構成される凸部構成工程と、
前記凸部上にAu層が設けられるAu層構成工程と、
前記基板上にAuSn半田が設けられるAuSn半田構成工程と、
前記台座上に第1の素子が配置される第1の素子配置工程と、
前記第1の素子配置工程で配置された第1の素子を前記AuSn半田構成工程で設けられたAuSn半田で固定するに際して、該AuSn半田に前記Au層構成工程で設けられたAu層のAuが拡散して該AuSn半田構成工程で設けられたAuSn半田の溶融温度では溶融しないAuリッチ部が前記凸部と前記第1の素子との間に構成されるよう加熱する加熱工程
とを具備してなることを特徴とするデバイス製造方法。 - 請求項1〜請求項4いずれかのデバイスの製造方法であることを特徴とする請求項5のデバイス製造方法。
- パッシブアライメント表面実装におけるデバイスの製造方法であることを特徴とする請求項5又は請求項6のデバイス製造方法。
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