JP2011104547A - 排ガス処理装置、及び排ガス処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】吸着剤の再生処理時に熱暴走が生じないようにすると共に、吸着剤の再生時間を短縮化することができるダブルチャンバ方式の排ガス処理装置を提供する。
【解決手段】再生処理時に異常な温度上昇が発生したら、窒素ガス導入管５２から再生ダクト２９へ窒素ガスを注入、再生用ブロア３３を停止すると共に流量制御ダンパ５３を閉にして成分ガスの循環を停止、加熱部３１の電源をＯＦＦ、の幾つかを組み合わせて実行することにより再生時の熱暴走を防止する。また、再生処理部１１の再生ダクト２９にバイパスして放熱フィン５４ａとバイパスダンパ５５を備えた放熱バイパス管５６を設けることにより、再生ダクト２９に流れる成分ガスの冷却／加熱を効率的に行い、吸着剤の再生時間の短縮化を図る。さらに、放熱フィン５４ａを断熱材で囲い、放熱フィン５４ａに冷風／熱風を当てることによりさらに効率的に成分ガスの冷却／加熱を行うことができる。
【選択図】図５

Description

この発明は、ダブルチャンバ型の排ガス処理装置及び排ガス処理方法に係り、例えば、塗装工場や印刷工場等で発生する揮発性有機化合物（ＶＯＣ：Volatile Organic Compounds）等の揮発性化合物を処理するための排ガス処理装置及び排ガス処理方法に関する。

従来より、例えば、塗装工場や印刷工場、化学工場などから排出される排ガスには、トルエン、キシレン、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、クロロホルム、パラジクロロベンゼン、スチレン等の有機排ガスとしてのＶＯＣが含まれ、工場の作業員や、近隣の住民への健康障害、住環境における悪臭問題等を引き起こしている。
さらに、ＶＯＣが大気中に放出されることによって、オゾンや有機過酸化硝酸塩等の光化学オキシダントが合成され、酸性雨や地球温暖化の一つの原因となっている。

そこで、工場排ガス規制や工場内の環境改善の要求に対応するために、ＶＯＣを除去する排ガス処理装置として、吸着法や、燃焼法、薬剤洗浄法等を用いた排ガス処理装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この排ガス処理装置によれば、工場内のＶＯＣ発生源から吸気された排ガスは、上記排ガス処理装置によってＶＯＣが除去され、清浄化された排ガスとして建物外に排出される。なお、吸着法では、吸着剤に吸着されたＶＯＣなどの揮発性化合物を加熱によって脱離させて再生する再生処理が不可欠である。

特開２００５−２６２１７６号公報

しかしながら、上記従来技術の吸着法を用いた排ガス処理装置では、吸着剤の再生処理において、吸着剤を加熱するときに生じやすい熱暴走に対して確たる対策が明確ではない。また、上記従来技術の吸着法を用いた排ガス処理装置では、ダブルチャンバ方式の場合に２つの槽（Ａ槽、Ｂ槽）のそれぞれの吸着剤の飽和状態を確認することが困難であるため、各層（Ａ槽、Ｂ槽）を交互に再生処理すべき時期を的確に把握することが困難であるなどの運用上の問題もある。そのため、ダブルチャンバ方式の排ガス処理装置を運用するときの再生時間をさらに短縮化することが困難である。

この発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、吸着剤を再生処理するときに熱暴走が生じないようにし、必要に応じて非常停止等の処置を行うことができるダブルチャンバ方式の排ガス処理装置及び排ガス処理方法を提供することを第１の目的としている。また、ＶＯＣ等の揮発性化合物の除去状態を適切に把握して、吸着剤の再生時間を短縮化することができるダブルチャンバ方式の排ガス処理装置及び排ガス処理方法を提供することを第２の目的としている。

上記目的を達成するために、この発明の第１の構成は、排ガス中に含まれる揮発性化合物を吸着する二系統の吸着除去部を備えると共に、再生時に、前記二系統の吸着除去部を交互に稼動して前記揮発性化合物を脱離させて該吸着除去部を再生させる再生処理部を備えたダブルチャンバ型の排ガス処理装置であって、前記再生処理部に形成されて、前記二系統の吸着除去部の再生に寄与する反応用空気と共に前記揮発性化合物を含んだ成分ガスを通過させる再生ダクトの外周に放熱フィンを備えてなることを特徴としている。

また、この発明の第２の構成は、排ガス中に含まれる揮発性化合物を吸着する二系統の吸着除去部を備えると共に、再生時に、前記二系統の吸着除去部を交互に稼動して前記揮発性化合物を脱離させて該吸着除去部を再生させる再生処理部を備えたダブルチャンバ型の排ガス処理装置であって、前記再生処理部に形成されて、前記吸着除去部の再生に寄与する反応用空気と共に前記揮発性化合物を含んだ成分ガスを通過させる再生ダクトをバイパスするように形成された放熱バイパス管と、前記放熱バイパス管の外周に形成された放熱フィンとを備えてなることを特徴としている。

また、この発明の第３の構成は、第１の構成において、前記再生ダクトは、該再生ダクトを通過する反応用空気の流量を制御する流量制御ダンパを備えてなることを特徴としている。

また、この発明の第４の構成は、第２の構成において、前記放熱バイパス管は、該放熱バイパス管を通過する成分ガスの流量を制御するバイパスダンパを備えてなることを特徴としている。

また、この発明の第５の構成は、第１乃至第４の何れかの構成において、前記放熱フィンの外周は断熱材で覆われていることを特徴としている。すなわち、放熱フィンの外側を断熱材で断熱して、再生ダクトの内部を加熱する場合は放熱フィンの部分に熱風をあて、再生ダクトの内部を冷却する場合はフィン部分に冷風を当てることにより、反応用空気を効率的に加熱／冷却することができる。

また、この発明の第６の構成は、第１乃至第５の何れかの構成において、前記成分ガスを加熱するための加熱部への電力の供給／停止、前記反応用空気の前記再生ダクトへの供給／停止、及び、触媒に前記揮発性化合物を当てるための再生ブロアの運転／停止の何れか１つ、または何れかの２つ以上を組み合わせて制御することで、前記揮発性化合物の燃焼を制御することを特徴としている。これによって、再生処理時の熱暴走を防止することができる。

また、この発明の第７の構成は、第１乃至第６の何れかの構成において、前記再生ダクトは、該再生ダクトに窒素ガスを導入する窒素ガス導入管をさらに備え、再生処理中に異常温度上昇が発生したときは前記窒素ガス導入管から前記再生ダクトへ窒素ガスを注入することを特徴としている。これによって、より確実に熱暴走を防ぐことができる。

また、この発明の第８の構成は、第１乃至第７の何れかの構成において、前記再生処理部によって再生処理を開始した直後の数回の再生処理においては、再生反応を検知しても前記再生ダクトへの反応用空気の供給を行わないことを特徴としている。すなわち、再生処理を行うとき、最初は再生ダクトに反応用空気が多く存在することに対する対策として、再生処理を開始した直後の数回（例えば、３回）は、再生反応を検知したら再生ダクトへの反応用空気の流通を止めることによって熱暴走を防ぐことができる。

また、この発明の第９の構成は、第１乃至第８の何れかの構成において、前記再生ダクトに反応用空気が存在した状態で、揮発性化合物の反応可能な温度を超えても温度が急激に上昇する現象が発生しない場合は、再生すべき揮発性化合物がなくなって再生処理が完了したと見做し、再生モードを終了する制御を行うことを特徴としている。すなわち、再生ダクト２９に反応用空気が存在した状態で、例えば、トルエンなら１７０℃、酢酸エチルなら２４０℃の反応可能な温度を超えて温度が急激に上昇する反応現象が発生しない場合は、再生すべき揮発性化合物がなくなって再生処理が完了したと見做し、再生モードを終了する制御を行う。

また、請求項１０に記載の発明は、二系統の吸着除去部の何れかに排ガスを通過させて、該排ガスに含まれる揮発性化合物を吸着除去する排ガス処理方法であって、前記揮発性化合物の吸着除去を行っていない系統の吸着除去部の再生処理を行うとき、再生ダクトに形成された放熱フィンの熱交換作用によって、前記再生ダクトを通過する揮発性化合物を含んだ成分ガスの熱交換を行うことを特徴とする。

また、請求項１１に記載の発明は、二系統の吸着除去部の何れかに排ガスを通過させて、該排ガスに含まれる揮発性化合物を吸着除去する排ガス処理方法であって、前記揮発性化合物の吸着除去を行っていない系統の吸着除去部の再生処理を行うとき、再生ダクトにバイパスするように形成された放熱バイパス管に付設された放熱フィンの熱交換作用によって、前記放熱バイパス管を通過する揮発性化合物を含んだ成分ガスの熱交換を行うことを特徴とする。

また、請求項１２に記載の発明は、請求項１０または１１に記載の発明において、前記成分ガスを加熱するための加熱部への電力の供給／停止、前記反応用空気の前記再生ダクトへの供給／停止、及び、触媒に前記揮発性化合物を当てるための再生ブロアの運転／停止の何れか１つ、または何れかの２つ以上を組み合わせて制御することで、前記揮発性化合物の燃焼を制御することを特徴とする。

また、請求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の発明において、前記再生ダクトは、該再生ダクトに窒素ガスを導入する窒素ガス導入管を備え、再生処理中に熱暴走が発生したときは前記窒素ガス導入管から前記再生ダクトへ窒素ガスを注入することを特徴とする。

この発明の構成によれば、再生ダクトの外周または放熱バイパス管の外周に放熱フィンを設けることで揮発性化合物を含んだ成分ガスを効率的に加熱／冷却することができるので、再生処理時間を短縮することができる。さらに、放熱フィンの外側に断熱材を設けて外部から断熱し、再生ダクトの内部を加熱する場合は放熱フィンの部分に熱風をあて、再生ダクトの内部を冷却する場合はフィン部分に冷風を当てることにより、揮発性化合物を含んだ成分ガスをさらに効率的に加熱／冷却することができる。

また、この発明の構成によれば、加熱部（ヒータ）のＯＮ／ＯＦＦ、反応用空気の供給／停止、再生ブロアの運転／停止、の制御を単独または組み合わせて行えば、再生処理時における熱暴走を防ぐことができる。さらに、再生処理中に異常温度上昇が発生したときは、窒素ガス導入管から再生ダクトへ窒素ガスを注入することによってより確実に熱暴走を防ぐことができる。

また、この発明の構成によれば、再生処理を開始した直後の数回の再生処理においては、再生反応を検知したら直ちに再生ダクトへの反応用空気の流通を止めることにより、再生処理の初期段階における熱暴走を防ぐことができる。さらに、再生処理中において、揮発性化合物の反応可能な温度を超えて温度が急激に上昇する反応現象が発生しない場合は、再生すべき揮発性化合物がなくなって再生処理が完了したと見做し、自動的に再生モードを終了させることができる。

この発明に適用されるダブルチャンバ方式の排ガス処理装置の構成を説明するための説明図である。 図１に示す排ガス処理装置における監視・制御装置の構成を示す正面図である。 図１に示す排ガス処理装置が第１吸着除去部によってＶＯＣ除去を行っているときの動作を説明するための説明図である。 図１に示す排ガス処理装置が第２吸着除去部によってＶＯＣ除去を行っているときの動作を説明するための説明図である。 図１に示すダブルチャンバ方式の排ガス処理装置を改良した一実施例の排ガス処理装置の要部構成図である。 図５に示す放熱バイパス管と放熱フィンの外観斜視図である。 図１に示すダブルチャンバ方式の排ガス処理装置を改良した他の実施例の排ガス処理装置の要部構成図である。 図７に示す再生ダクトと放熱フィンに断熱材を追加した断面図である。 シングルチャンバ方式で熱交換ダクトなしの排ガス処理装置ＺＲ−１００（登録商標）の再生温度特性図である。 熱交換ダクトを備えた排ガス処理装置ＺＲ−１１０Ｗ（登録商標）の再生温度特性図である。

この発明は、排ガス中に含まれる揮発性化合物を吸着する二系統の吸着除去部を備えると共に、再生時に、二系統の吸着除去部を交互に稼動して揮発性化合物を脱離させて吸着除去部を再生させる再生処理部を備えたダブルチャンバ型の排ガス処理装置であって、再生処理部に形成されて、二系統の吸着除去部の再生に寄与する反応用空気と共に前記揮発性化合物を含んだ成分ガスを通過させる再生ダクトの外周に放熱フィンを備えることにより、再生時間を短縮化という目的を実現した。また、この発明は、反応用空気の流量制御、ヒータのＯＮ／ＯＦＦ制御、再生ブロアの運転／停止制御などを行うことによって、再生処理中の熱暴走を防止するという目的を実現した。以下、図面を参照して、この発明の具体的な実施例について詳細に説明する。

先ず、この発明に適用されるダブルチャンバ方式の排ガス処理装置の一実施例の構成について説明する。図１は、この発明に適用されるダブルチャンバ方式の排ガス処理装置の構成を説明するための説明図、図２は、図１に示す排ガス処理装置における監視・制御装置の構成を示す正面図、図３は、図１に示す排ガス処理装置が第１吸着除去部によってＶＯＣ除去を行っているときの動作を説明するための説明図、図４は、図１に示す排ガス処理装置が第２吸着除去部によってＶＯＣ除去を行っているときの動作を説明するための説明図である。

この例の排ガス処理装置１は、図１に示すように、例えば、印刷工場や塗装工場等の建物内の印刷機等のＶＯＣ発生源Ｓから、ＶＯＣを含む空気を吸気口２を介して吸気して、清浄な空気を排出口３から建物外へ排出するまでの排気経路の途中に組み込まれている。すなわち、この排ガス処理装置１は、建物内で発生したＶＯＣを除去して清浄な空気を屋外に排出するために用いられる。
さらに詳しく説明すると、吸気口２から吸気ブロワ４によって吸気されて、排気ダクト５を通流して排ガス処理装置１においてＶＯＣが除去され浄化された空気は、排気ダクト６を通流して排出口３から建物外へ排出される。なお、排ガス処理装置１は、例えば、架台等に取り付けられて配置されている。

この排ガス処理装置１は、図１に示すように、第１吸着槽２４と第２吸着槽２５とが交互に運転され、ともにＶＯＣを含む空気が通流されてＶＯＣを吸着除去して排出する第１吸着除去部８及び第２吸着除去部９と、休止中の第１吸着除去部８の第１吸着槽２４（又は第２吸着除去部９の第２吸着槽２５）を再生するための再生ダクト２９を有する再生処理部１１と、第１吸着除去部８と第２吸着除去部９とで、ＶＯＣ除去処理（再生処理）を切り替えるための流路切替部１２と、排ガス処理装置１の構成各部を制御するための監視・制御装置１３とがユニット化されて概略構成されている。すなわち、第１吸着除去部８と第２吸着除去部９は同じ構成になっているので、以下に述べる構成の説明では第１吸着除去部８側について説明し、第２吸着除去部９側については括弧内の要素の名称に読み替えるものとする。

第１吸着除去部８は、図１に示すように、上流側及び下流側で、それぞれ、流入口管１４及び流出口管１５を介して排気ダクト５,６に接続される。また、第２吸着除去部９は、上流側及び下流側で、それぞれ、流入口管１６及び流出口管１７を介して排気ダクト５,６に接続される。

また、再生処理部１１は、再生ダクト２９からの分岐管１８及び分岐管１９を介して、それぞれ、流入口管１４及び流入口管１６に接続され、分岐管２１及び分岐管２２を介して、流出口管１５及び流出口管１７に接続される。

第１吸着除去部８（第２吸着除去部９）は、図１に示すように、例えば、疎水性ゼオライトがハニカム構造状に成形されてなる吸着剤を有する第１吸着槽２４（第２吸着器２５）が、容器２６（２７）内に配置されてなっている。
第１吸着槽２４（第２吸着槽２５）において、使用時には、ＶＯＣが吸着除去され、再生時には、例えば、略９０℃の内部温度からＶＯＣの脱離が開始される。

再生処理部１１は、再生ダクト２９内に格納された複数のヒータユニットからなる加熱部（ヒータ）３１、及びＶＯＣの分解を促進するための触媒担持部３２と、加熱部３１の上流側に配置され、加熱部３１→触媒担持部３２→第１吸着除去部８（第２吸着除去部９）→加熱部３１の向きに再生ダクト２９の循環経路に沿って処理ガスを通流させるための再生用ブロワ３３と、再生処理時に加熱部３１と触媒担持部３２との間の容器２９内に空気（外気）を注入するための空気注入用エアポンプ３４と、触媒担持部３２の下流側に配置され、再生ダクト２９内が所定の圧力以上となると開状態となる安全弁３５と、加熱部３１の上流側に配置され、処理ガスの流量を検出するための処理ガス流量検出部３６と、再生ダクト２９内に注入される空気の流量を検出するための注入空気流量検出部３７と、触媒担持部３２の下流側に配置され、熱電対からなる温度検出部３８及び圧力検出部３９とを有して、概略構成されている。

加熱部３１は、再生工程で、再生ダクト２９を通流させる成分ガスを加熱し、触媒担持部３２と、接続された休止中の第１吸着除去部８（第２吸着除去部９）とを加熱させることによって、吸着剤からＶＯＣを脱離させると共に、触媒を活性化させる。
なお、加熱部３１は、この例では、複数（例えば４基）のヒータユニットが、空気の通流方向に直交する平面上に配置されて構成されている。

加熱部３１の各ヒータユニットは、所定の幅の帯状の波型金属板が複数部位でジグザグ状に曲折されてなる金属ヒータ（例えば、５ｋＷ）が、一端側（入口側）の層状空間から空気を流入させ、他端側（出口側）の層状空間から空気を流出させる態様で（すなわち、金属ヒータの幅方向に略平行な方向に沿って空気が通流されるように）、筐体内に取り付けられ、かつ、筐体の周側面を囲むように、金属ヒータから発せられた熱の外部への放散を抑制するための断熱部が配置されて概略構成されている。

触媒担持部３２は、例えば、金属製のハニカム構造体に白金等の酸化触媒が担持されてなっている。なお、この例では、ＳＶ（Space Velocity）値（単位時間に単位体積の吸着剤（触媒）を通過するガス量）は、所定値（例えば、略４７０００［１／ｈｒ]）以下に設定される。

安全弁３５は、再生ダクト２９に取り付けられ、流体圧が所定の作動開始圧力を超えると、流体圧による力が圧縮コイルばねの復元力に抗して弁体を押し上げることによって開放状態（吹出状態）とされて流体を吹き出すように構成されている。

流路切替部１２は、流入口管１４の上流側端部に配置された第１入口側切替ダンパ４３と、流入口管１６の上流側端部に配置された第２入口側切替ダンパ４４と、流出口管１５の下流側端部に配置された第１出口側切替ダンパ４５と、流出口管１７の下流側端部に配置された第２出口側切替ダンパ４６と、分岐管１８内に配置された第１入口側再生用ダンパ４７と、分岐管１９内に配置された第２入口側再生用ダンパ４８と、分岐管２１内に配置された第１出口側再生用ダンパ４９と、分岐管２２内に配置された第２出口側再生用ダンパ５１とを有している。

第１入口側切替ダンパ４３及び第１出口側切替ダンパ４５と、第２入口側再生用ダンパ４８及び第２出口側再生用ダンパ５１とが開放状態、かつ、第２入口側切替ダンパ４４及び第２出口側切替ダンパ４６と、第１入口側再生用ダンパ４７及び第１出口側再生用ダンパ４９とが閉止状態のときに、第１吸着除去部８には、排気ダクト５からＶＯＣを含んだガスが通流されてＶＯＣ除去のために使用され、第２吸着除去部９は休止状態とされ、再生処理部１１の再生ダクト２９に接続されて、加熱成分ガスが循環的に通流されて再生される。

また、第２入口側切替ダンパ４４及び第２出口側切替ダンパ４６と、第１入口側再生用ダンパ４７及び第１出口側再生用ダンパ４９とが開放状態、かつ、第１入口側切替ダンパ４３及び第１出口側切替ダンパ４５と、第２入口側再生用ダンパ４８及び第２出口側再生用ダンパ５１とが閉止状態のときに、第２吸着除去部９には、排気ダクト５からＶＯＣを含んだガスが通流されてＶＯＣ除去のために使用され、第１吸着除去部８は休止状態とされ、再生処理部１１の再生ダクト２９に接続されて、加熱成分ガスが循環的に通流されて再生される。

監視・制御装置１３の操作・表示部は、図２に示すように、液晶パネル等からなり、入口側ＶＯＣ濃度、出口側ＶＯＣ濃度及びＶＯＣ除去率等の測定値や、各種メッセージ等を表示するデジタル表示器９８と、電源表示灯９９と、警告表示灯１０１と、再生警告表示／再生実行ボタン１０２と、再生終了表示／再生停止ボタン１０３と、警告ブザー１０４と、電源スイッチ１０５と、非常停止ボタン１０６とを有している。

次に、図３及び図４を参照して、図１に示す排ガス処理装置１の動作について説明する。第１吸着除去部８及び第２吸着除去部９が、どちらも交換済又は再生済みの状態から、交互にＶＯＣ除去のために使用する場合について説明する。
例えば、工場稼働時間帯において、図３に示すように、吸気ブロワ４が運転され、ＶＯＣ除去装置１では、監視・制御装置１３の主制御部が、第１入口側切替ダンパ４３及び第１出口側切替ダンパ４５と、第２入口側再生用ダンパ４８及び第２出口側再生用ダンパ５１とを開放状態とさせ、かつ、第２入口側切替ダンパ４４及び第２出口側切替ダンパ４６と、第１入口側再生用ダンパ４７及び第１出口側再生用ダンパ４９とを閉止状態にさせる。

これによって、第１吸着除去部８には、排気ダクト５からＶＯＣを含んだ成分ガスが通流され、第１吸着槽２４の吸着剤によってＶＯＣが吸着され、清浄化された空気が排出口３から排出される。
また、監視・制御装置１３の主制御部は、再生用ブロワ３３を停止させ、第２吸着除去部９は休止状態とされる。

監視・制御装置１３の主制御部は、測定時センサ制御処理で、監視・制御装置１３内のセンサ制御部を介して、第１ＶＯＣセンサユニットを制御してゼロ点補正を行わせた後、第１吸着除去部８の出口側ＶＯＣ濃度情報及び入口側ＶＯＣ濃度情報を取得する。
次に、監視・制御装置１３の主制御部は、ＶＯＣ除去率算出処理で、第１吸着除去部８のＶＯＣ濃度に基づいて、濃度差（入口側のＶＯＣ濃度Ｎaと出口側のＶＯＣ濃度Ｎbとの差（Ｎa−Ｎb））の入口側のＶＯＣ濃度Ｎaに対する割合（（（Ｎa−Ｎb）／Ｎa）×１００（％））を、ＶＯＣ除去率として算出する。

次に、監視・制御装置１３の主制御部は、表示制御処理で、図２に示す監視・制御装置１３における操作・表示部のデジタル表示器９８に、第１吸着除去部８の入口側及び出口側のＶＯＣ濃度、並びにＶＯＣ除去率を表示させる。そして、監視・制御装置１３の主制御部は、再生要否判定処理で、例えば、予め設定した基準除去率（例えば、３０％）に基づいて、再生処理開始の要否判定を行う。すなわち、監視・制御装置１３の主制御部は、算出したＶＯＣ除去率が基準除去率以下の場合に、再生処理要と判定する。
また、監視・制御装置１３の主制御部は、警報出力処理で、再生要否判定処理で再生処理開始要の判定がなされると、図２に示す監視・制御装置１３における操作・表示部の再生警告表示／再生実行ボタン１０２の表示灯を点灯させる。

監視・制御装置１３の主制御部は、再生要否判定処理で再生処理要と判定されると、流路切換制御処理で、図４に示すように、監視・制御装置１３のモータ駆動部を介して、第２入口側切替ダンパ４４及び第２出口側切替ダンパ４６と、第１入口側再生用ダンパ４７及び第１出口側再生用ダンパ４９とを制御して開放状態とし、かつ、第１入口側切替ダンパ４３及び第１出口側切替ダンパ４５と、第２入口側再生用ダンパ４８及び第２出口側再生用ダンパ５１とを制御して閉止状態として、第２吸着除去部９の第２吸着槽２５には、排気ダクト５からＶＯＣを含んだ成分ガスが通流されてＶＯＣ除去のために使用され、第１吸着除去部８は休止状態とされ、再生処理部１１の再生ダクト２９に接続されて、加熱成分ガスが循環的に通流されて再生されるようにする。

次に、監視・制御装置１３の主制御部は、ヒータ制御処理で、加熱部３１の金属ヒータへの電力供給を開始させ、ブロワ制御処理で再生用ブロワ３３を起動させる。これにより、図４に示すように、第１吸着除去部８は、再生処理部１１に接続されて、加熱成分ガスが、再生用ブロワ３３→加熱部３１→触媒担持部３２→第１吸着除去部８→再生用ブロワ３３の向きに再生ダクト２９の循環経路に沿って処理ガスを通流され、第１吸着除去部８が加熱されて、吸着されていたＶＯＣが脱離し、第１吸着槽２４の再生処理が行われる。

なお、触媒担持部３２が加熱部３１の直近の下流側に配置されていることにより、触媒担持部３２の触媒が速やかに加熱されて速やかに活性化され、触媒担持部３２での酸化反応による反応熱が加わって、第１吸着除去部８の吸着剤も一段と速やかに加熱されて、ＶＯＣの脱離が速やかに行われることとなる。

一方、監視・制御装置１３の主制御部は、測定時センサ制御処理で、監視・制御装置１３のセンサ制御部を介して、監視・制御装置１３の第２ＶＯＣセンサユニットを制御してゼロ点補正を行わせた後、第２吸着除去部９の出口側ＶＯＣ濃度情報及び入口側ＶＯＣ濃度情報を取得する。
次に、主制御部５３は、ＶＯＣ除去率算出処理で、第２吸着除去部９のＶＯＣ濃度に基づいて、濃度差（入口側のＶＯＣ濃度Ｎaと出口側のＶＯＣ濃度Ｎbとの差（Ｎa−Ｎb））の入口側のＶＯＣ濃度Ｎaに対する割合（（（Ｎa−Ｎb）／Ｎa）×１００（％））を、ＶＯＣ除去率として算出する。
次に、監視・制御装置１３の主制御部は、表示制御処理で、図２の監視・制御装置１３のデジタル表示器９８に、第２吸着除去部９の入口側及び出口側のＶＯＣ濃度、並びにＶＯＣ除去率を表示させる。

また、監視・制御装置１３の主制御部は、注入空気流量制御処理で、監視・制御装置１３の温度検出部によって検出された温度が設定された注入開始温度（例えば、略９０℃）となると、監視・制御装置１３のモータ駆動部を介して空気注入用エアポンプ３４を起動させる。
ここで、監視・制御装置１３の主制御部は、処理ガス流量検出部３６によって検出された処理ガス流量と、注入空気流量検出部３７によって検出された注入空気流量とに基づいて、注入空気流量が処理ガス流量に対して、所定の注入比率（略１／２以下、この例では略１／８）となるように、空気注入用エアポンプ３４を制御する。
なお、触媒担持部３２における酸化反応により、容器２９内が所定値以上の圧力となると、安全弁３５が開状態となって、気体を容器２９内から放出し、圧力の過度の上昇が防止される。

また、監視・制御装置１３の主制御部は、再生終了判定処理で、予め設定された再生時間（例えば、略２hr）に基づいて、再生終了の適否の判定を行う。すなわち、監視・制御装置１３の主制御部は、再生処理開始から、設定された再生時間経過したと判断すると、再生終了すべきとの判定を行う。
さらに、監視・制御装置１３の主制御部は、再生終了判定処理で、再生終了すべきとの判定がなされると、ヒータ制御処理で、加熱部３１の金属ヒータへの電力供給を停止させ、ブロワ制御処理で、再生用ブロワ３３を停止させ、注入空気流量制御処理で、空気注入用エアポンプ３４を停止させる。

また、監視・制御装置１３の主制御部は、再生要否判定処理で、例えば、予め設定した基準除去率（例えば、３０％）に基づいて、再生処理開始の要否判定を行う。すなわち、監視・制御装置１３の主制御部は、算出したＶＯＣ除去率が、基準除去率以下の場合に、再生処理要と判定する。そして、監視・制御装置１３の主制御部は、警報出力処理で、再生要否判定処理で再生処理開始要の判定がなされると、図２の監視・制御装置１３の再生警告表示／再生実行ボタン１０２の表示灯を点灯させる。

さらに、監視・制御装置１３の主制御部は、再生要否判定処理で再生処理要と判定されると、流路切換制御処理で、図３に示すように、監視・制御装置１３のモータ駆動部を介して、第１入口側切替ダンパ４３及び第１出口側切替ダンパ４５と、第２入口側再生用ダンパ４８及び第２出口側再生用ダンパ５１とを制御して開放状態とし、かつ、第２入口側切替ダンパ４４及び第２出口側切替ダンパ４６と、第１入口側再生用ダンパ４７及び第１出口側再生用ダンパ４９とを制御して閉止状態として、第１吸着除去部８の第１吸着槽２４には、排気ダクト５からＶＯＣを含んだ成分ガスが通流されてＶＯＣ除去のために使用され、第２吸着除去部９は休止状態とされ、再生処理部１１の再生ダクト２９に接続されて、加熱成分ガスが循環的に通流されて再生されるようにする。

次に、監視・制御装置１３の主制御部は、ヒータ制御処理で、加熱部３１の金属ヒータへの電力供給を開始させ、ブロワ制御処理で、再生用ブロワ３３を起動させる。これにより、図４に示すように、第２吸着除去部９は、再生処理部１１の再生ダクト２０に接続されて、加熱成分ガスが、再生用ブロワ３３→加熱部３１→触媒担持部３２→第２吸着除去部９→再生用ブロワ３３の向きに循環経路に沿って処理ガスを通流され、第２吸着除去部９が加熱されて、吸着されていたＶＯＣが脱離し再生される。

一方、監視・制御装置１３の主制御部は、測定時センサ制御処理で、監視・制御装置１３のセンサ制御部を介して、監視・制御装置１３の第１ＶＯＣセンサユニットを制御して、ゼロ点補正を行わせた後、第１吸着除去部８の出口側のＶＯＣ濃度情報及び入口側のＶＯＣ濃度情報を取得する。
次に、監視・制御装置１３の主制御部は、ＶＯＣ除去率算出処理で、第１吸着除去部８のＶＯＣ濃度に基づいて、濃度差（入口側のＶＯＣ濃度Ｎaと出口側のＶＯＣ濃度Ｎbとの差（Ｎa−Ｎb））の入口側のＶＯＣ濃度Ｎaに対する割合（（（Ｎa−Ｎb）／Ｎa）×１００（％））を、ＶＯＣ除去率として算出する。

次に、監視・制御装置１３の主制御部は、表示制御処理で、図２の監視・制御装置１３における操作・表示部のデジタル表示器９８に、第１吸着除去部８の入口側及び出口側のＶＯＣ濃度、並びにＶＯＣ除去率を表示させる。
そして、その後、監視・制御装置１３の主制御部は、上記処理を繰り返し実行し、第１吸着除去部８の第１吸着部２４及び第２吸着除去部９の第２吸着部２５の使用／再生が交互に繰り返されるようにし、連続してＶＯＣ除去処理がなされるようにする。

このように、この例の構成によれば、第１吸着除去部８の第１吸着槽２４（第２吸着除去部９の第２吸着槽２５）の吸着剤の再生時に、すなわち、吸着剤から脱離させたＶＯＣを触媒によって分解処理する際に、再生対象の吸着剤からの離脱が開始される温度に対応させて設定された注入開始温度となると、所定の流量で、酸素を含む空気（外気）を容器２６（２７）内に注入するので、ＶＯＣの濃度増加による爆発を防止し、安全性を確保することができる。
すなわち、離脱開始後から、所定の注入比率の流量で反応用空気を注入することによって、ＶＯＣ濃度が徐々に上昇しても、脱離したＶＯＣの分解処理を行い、爆発を防止することが可能となる。

しかも、略一定の流量（処理ガスの流量の例えば、略１／８）で反応用空気（外気）を注入するので、ＶＯＣの種類にかかわらず、かつ、ＶＯＣ濃度を測定することなく、加熱部３１を大型化することもなく、コストを抑えて、確実にＶＯＣの分解処理を行うことができる。
また、触媒担持部３２における酸化反応により、容器２６（２７）内が所定値以上の圧力となると、安全弁３５が開状態となって、気体を容器２６（２７）内から放出するので、圧力の過度の上昇を確実に防止することができる。また、触媒担持部３２を加熱部３１の直後に配置することによって、再生時に、触媒を速やかに活性化させ、吸着剤を速やかに加熱することができる。また、第１吸着除去部８と第２吸着除去部９とを交互に切り換えて、ＶＯＣ除去処理／再生処理を、２４時間常時連続して実施することができる。

次に、この発明では、上述したダブルチャンバ方式の排ガス処理装置に対して、さらなる性能向上及び改良を図ったので、その技術的内容ついて詳細に説明する。図５は、図１に示すダブルチャンバ方式の排ガス処理装置を改良した一実施例の排ガス処理装置の要部構成図である。図５の排ガス処理装置では図１と若干異なる表示内容で図示されているが、ダブルチャンバ方式の基本的な構成は図１と同じである。

図５における主な改良点としては、再生処理部１１の再生ダクト２９に窒素ガス導入管５２を設けて外部の窒素ガスボンベ(図示せず)から窒素ガスを注入できるようにした点、再生処理部１１の再生ダクト２９に成分ガスの流量を制御する流量制御ダンパ５３を設けた点、及び、再生処理部１１の再生ダクト２９にバイパスして放熱フィン５４ａとバイパスダンパ５５を備えた放熱バイパス管５６を設けた点である。さらに、再生処理部１１の再生ダクト２９の温度検出センサとして従来から設けられているヒータ熱電対（温度検出部）３８に加えて、異常加熱用熱電対５７が追加されている。

次に、図５に示すようなダブルチャンバ方式の排ガス処理装置の性能向上及び改良項目について説明する。先ず、第１に安全性の面の改良点においては、これまでの排ガス処理装置においては、熱暴走や非常停止等に対して確たる対策が明確ではなかったが、この発明の排ガス処理装置では、次のような各項目を実施することによって、熱暴走や非常停止等に対して最大限の効果を挙げられるようにした。

すなわち、再生処理中において反応が発生したら、（１）空気注入用エアポンプ３４を停止させ、空気注入口５１から再生処理部１１の再生ダクト２９への反応用空気の注入を止める。（２）再生用ブロア３３を停止させて、ＶＯＣの加熱成分ガスが再生処理部１１へ流れないようにする。（３）外部に窒素ガスボンベ（図示せず）を備えておき、熱暴走の非常時には、その窒素ガスボンベから窒素ガス導入路５２を通して再生処理部１１の再生ダクト２９へ窒素ガスを注入する。なお、このとき、再生処理部１１の再生ダクト２９への流路のダンパ開閉状態は再生処理を行っている状態から変えない（つまり、初期化をしない）ものとする。

第２に、再生工程の処理内容においては次のような管理を行う。（１）再生速度は、爆発限界よりも発熱量で制限される。そのために、空気注入用エアポンプ３４を介して空気注入口５１から再生処理部１１の再生ダクト２９へ注入される反応用空気の注入量は爆発限界よりも少ない量とする。（２）再生処理時における再生処理部１１の再生ダクト２９の温度管理を行うためには、空気注入口５１から注入される反応用空気の流量を制御する必要があるので、空気注入用エアポンプ３４による反応用空気の圧縮空気圧の制御と流量制御ダンパ５３による反応用空気の流量制御を行うことが必要である。

第３に、再生時間の短縮については、ダブルチャンバ方式の排ガス処理装置の場合は、第１吸着槽（第２吸着槽）にＶＯＣが吸着して満杯になる前に、第２吸着槽（第１吸着槽）の再生・冷却を完了してスタンバイ状態にしておく必要がある。このとき、次のような幾つかの点について注意する。（１）加熱部（ヒータ）３１の加熱目標温度は原ガス成分の反応温度より約１０℃ぐらい高い値とする。（２）加熱部３１にヒータを例えば４個装着して補助ヒータを設ける場合は、その補助ヒータの設定温度近くまで加熱部３１を通電しておく。

（３）加熱部３１における複数のヒータの出力容量のばらつきをできるだけ少なくする。例えば、各ヒータの出力容量が５．０ｋＷ〜５．２ｋＷとなるように製造工程の管理を確立する。（４）再生処理部１１の再生ダクト２９に放熱フィン５４ａとバイパスダンパ５５を備えた放熱バイパス管５６を設けてバイパスダンパ５５にて開閉制御を行い、触媒反応の発生時など必要なときには、その放熱フィン５３によって放熱・冷却を行う。この放熱バイパス管５６を活用するのは、例えば、原ガス成分の反応温度プラス５０℃以上からとする。（５）排ガス処理装置の接続配管はできるだけ熱容量の小さいものにする。（６）断熱は一階級上の密度にする。

図６は、図５に示す放熱バイパス管５６と放熱フィン５４ａの外観斜視図である。すなわち、図５の放熱バイパス管５６は、図６に示すように３本の放熱バイパス管５６ａ、５６ｂ，５６ｃに分岐させ、各放熱バイパス管５６ａ、５６ｂ，５６ｃに共通に放熱フィン５４ａを設ける。これによって、３本の放熱バイパス管５６ａ、５６ｂ，５６ｃを通過する反応用空気は放熱フィン５４ａによってほぼ均一に冷却される。例えば、８ｍ^３／ｍｉｎ〜４０ｍ^３／ｍｉｎの反応用空気を３本の放熱バイパス管５６ａ、５６ｂ，５６ｃによって分岐させることにより、その反応用空気はほぼ均一に冷却される。なお、３本の放熱バイパス管５６ａ、５６ｂ，５６ｃの放熱効果は、断熱材に囲まれた再生処理部１１の再生ダクト２９より放熱がよければ、図６に示すような構成の放熱フィンに限定されるものではない。

図７は、図１に示すダブルチャンバ方式の排ガス処理装置を改良した他の実施例の排ガス処理装置の要部構成図である。すなわち、前述の図５に示したように放熱フィン５４ａを有する放熱バイパス管５６を設けるのではなく、図７に示すように、再生処理部１１の再生ダクト２９の例えば下流側に放熱フィン５４ｂを設けてもよい。この場合は、再生処理部１１の再生ダクト２９を通過する成分ガスは放熱フィン５４ｂによって冷却されるので、図５に示す放熱バイパス管５６と同様の効果を呈することができる。なお、再生処理部１１の再生ダクト２９に加熱成分ガスの流量を制御するための流量制御ダンパ５３を設ける点については図５の場合と同じである。

図８は、図７に示す再生ダクト２９と放熱フィン５４ｂに断熱材５８を追加した断面図である。図８に示すように、再生ダクト２９と放熱フィン５４ｂの周囲を断熱材５８によって囲むことにより、再生ダクト２９の長手方向（図の紙裏から紙表の方向）への気流（冷風／熱風）の流れによって、より効率的な放熱・加熱効果を実現することができる。すなわち、放熱バイパス管５６の放熱フィン５４ａまたは再生ダクト２９の放熱フィン５４ｂの外側を断熱材５８によって断熱し、再生ダクト２９の内部を通過する空気を加熱する場合は、放熱バイパス管５６の放熱フィン５４ａの部分、または再生ダクト２９の放熱フィン５４ｂの部分に熱風をあてることにより、空気を冷却する場合は冷風を当てることにより、再生ダクト２９を流れる循環空気をより効率的に冷却／加熱を行うことができる。

次に、第４に、高濃度源ガス対応については、排ガス処理装置の前にスクラバ（図示せず）を設置してオゾン水を流す。すなわち、通常のスクラバは、水を流していて水溶性のＶＯＣ濃度を削減するのみである。そこで、オゾン水を使うことによりトルエン、酢酸エチル等も減らせる可能性が立証された。なお、実験条件は以下の通りである。
オゾン量；２０ｇ／ｈ
風量；０．９４ｍ^３／ｍｉｎ
源ガス濃度；３０００ｐｐｍ（酢酸エチル）
処理後濃度；１４６ｐｐｍ
但し、この実験条件に限定されることなく、さらに実験を行って実用規模における経済性の効果などについても検討する必要がある。

第５に、第１吸着槽２４及び第２吸着槽２５の吸着器容量を増大させたい場合は、ゼオライト型の吸着器の容量としては、ペレット状の原材料を用いる方法が最も吸着容量が大きくなる。このとき、常温においてはゼオライト重量の６％程度の吸着容量があるが、圧損の影響もあるのでゼオライトの装着量には限界がある。そこで、ゼオライトにオゾンをＶＯＣと一緒に吸着させることによりＶＯＣが低減するので、結果として、見かけ上の吸着器の容量は増大する。

一例を挙げると、
源ガス濃度；約１５０ｐｐｍエチレン
ＳＶ値；１０，０００／ｈ
源ガス温度；常温
オゾン濃度；１５０ｐｐｍ
吸着容量；約５倍（つまり、吸着器が飽和するまでの時間が５倍に延びた）
この件についても、さらに実用規模に向けて詳細データをつめる必要がある。

第６に、主ブロワである再生用ブロアの防音対策については次のような対策を採る。
（１）接続管（ダクト）には振動絶縁を設ける。
（２）各配管は固有振動数が低域のものを避ける。
（３）ハウス型防音装置を確立する。
（４）音の質を考慮する。

図９は、シングルチャンバ方式で熱交換ダクトなしの排ガス処理装置ＺＲ−１００（登録商標）の再生温度特性図であり、横軸は時間、縦軸は再生温度を示している。図９示すように、時刻ｔ０において加熱部（ヒータ）３１をＯＮにして、空気注入用エアポンプ３４からの圧縮空気は未供給、かつ再生用ブロア３３の運転を開始すると、再生温度が徐々に上昇して行く。そして、時刻ｔ１において圧縮空気を供給すると、１７０℃付近でトルエンが反応してＣＯ_２＋Ｈ_２Ｏに分解し、その反応熱によって温度が急上昇するので、ヒータ３１をＯＦＦにする。

これによって、時刻ｔ２以降より温度は下降して通常の再生温度の法絡線レベルに向かって低下するので、再びヒータ３１をＯＮにする。すると、時刻ｔ３において再び反応を開始するのでヒータをＯＦＦにする。

これによって、時刻ｔ４以降において再び温度が下降して通常の再生温度の法絡線レベルに向かって低下するので、再びヒータをＯＮする。すると、時刻ｔ５において再び反応を開始するのでヒータ３１をＯＦＦにする。

このようにして、再生温度は、通常の法絡線レベルとヒータ３１をＯＦＦしたときの熱暴走の終着レベルとの間において上昇／下降の温度サイクルを繰り返し、温度の上昇中の時刻ｔ６において再生用ブロア３３を停止すると温度は降下し始める。そして、温度の降下中の時刻ｔ７において再生用ブロア３３を運転すると再び温度は上昇し始める。このようにして、再生用ブロア３３の運転と停止を繰り返すと、再生時の温度は約２４５℃と約３１０℃付近の間で温度サイクルを繰り返す。

さらに、温度の上昇中の時刻ｔ８において再生用ブロア３３を停止すると温度は降下し始める。そして、温度の降下中の時刻ｔ９において再生用ブロア３３を運転すると温度は上昇し始める。このようにして、再生時に温度サイクルを繰り返して行くと、約２４０℃付近で酢酸エチルが反応する。そして、時刻ｔ１０において、ヒータ３１をＯＮにし、かつ圧縮空気を供給して再生用ブロア３３を運転しても、温度が急上昇しなくなる（ｔ１１）と、再生が終了してことを意味する。

図１０は、熱交換ダクトを備えた排ガス処理装置ＺＲ−１１０Ｗ（登録商標）の再生温度特性図であり、横軸は時間、縦軸は再生温度を示している。図１０において、時刻ｔ０においてメインヒータ、サブヒータ、再生用ブロア、温風発生器ヒータ、及び温風発生器をそれぞれＯＮし、圧縮空気をＯＦＦ状態とすると、再生温度が上昇する。そして、温度上昇中の時刻ｔ１において成分ガスが反応するので、時刻ｔ２において再生温度が１７６℃まで上昇する。

従って、時刻ｔ２でヒータをＯＦＦすると再生温度が低下し始め、時刻ｔ３においては、通常の法絡線レベルまで再生温度が下降する。そこで、メインヒータ、圧縮空気、再生ブロア、温風発生器ヒータ、及び温風発生器をそれぞれＯＮにすると、再生温度が再び上昇する。その後、再生温度が上昇中の時刻ｔ４において、メインヒータ、圧縮空気、再生ブロア、温風発生器ヒータ、温風発生器、及びサブヒータをそれぞれＯＦＦにすると、時刻ｔ５において再生温度は２６１℃に達するので、約１０分間に亘って、メインヒータ、圧縮空気、再生ブロア、及び温風発生器のＯＮ／ＯＦＦを繰り返す。そして時刻ｔ６においてメインヒータをＯＦＦにすると、温風発生器のＯＮ／ＯＦＦを繰り返しても再生温度は２５６℃でほぼ一定の値となる。これは、２４０℃付近において酢酸エチルの反応と放熱がバランスしている状態に起因するものと思われる。

その後、所定の時間に亘って圧縮空気のＯＮ／ＯＦＦを繰り返している過程において、時刻ｔ７において再生温度が２６６℃となり、その後、時刻ｔ８において、圧縮空気をＯＮにし、メインヒータをＯＮにしても再生温度は降下する。これで再生処理が終了してものと見做し、ヒータを切り、かつ放熱ダクトの働きによって、温度は８０℃付近まで低下する（時刻ｔ９）。以上のようにして再生時の熱暴走を防止することができる。

以上説明したように、この発明のダブルチャンバ方式の排ガス処理装置においては、再生ダクト２９をバイパスして、放熱フィン５４ａを備えた放熱バイパス管５６を設けるか、または、再生ダクト２９に放熱フィン５４ｂを設ける。さらに、その放熱バイパス管５６または再生ダクト２９の外側を断熱し、再生ダクト２９の内部を通過する空気を加熱する場合は、放熱バイパス管５６の放熱フィン５４ａの部分、または再生ダクト２９の放熱フィン５４ｂの部分に熱風をあてる。また、再生ダクト２９の内部を通過する空気を冷却する場合は、放熱バイパス管５６の放熱フィン５４ａの部分、または再生ダクト２９の放熱フィン５４ｂの部分に冷風をあてる。これによって、再生処理時における熱暴走を防止することができると共に、再生処理の時間を短縮化することができる。

また、この発明のダブルチャンバ方式の排ガス処理装置においては、加熱部（ヒータ）３１へ供給する電力のＯＮ／ＯＦＦ制御を行う、空気注入用エアポンプ３４を運転／停止して再生ダクト２９への反応用空気の供給／停止を行う、及び再生用ブロワ３３の運転／停止を行って触媒坦持部３２に成分ガスを当てる／当てない、という各制御を組み合わせてＶＯＣの燃焼を制御する。これによって、吸着剤を再生処理するときに熱暴走が生じないようにし、必要に応じて、監視・制御装置１３の非常停止ボタン１０６（図２参照）によって非常停止等の処置を行うことができる。

さらに、この発明のダブルチャンバ方式の排ガス処理装置においては、加熱部（ヒータ）３１のＯＮ／ＯＦＦ、再生ダクト２９への反応用空気の供給／停止、再生用ブロワ３３の運転／停止の各制御を行うとき、再生処理を開始する直後の数回（例えば、３回）は、再生反応を検知したら、流量制御ダンパ５３を閉にして再生ダクト２９の空気を止めて熱暴走を防ぐようにする。これは、再生処理を行うときの最初の状態においては、再生ダクト２９内に反応用空気が多量に存在することがあるので、再生ダクト２９の反応用空気を止めて熱暴走を防ぐための対策である。

また、この発明のダブルチャンバ方式の排ガス処理装置においては、再生ダクト２９に反応用空気が存在した状態で、反応可能な温度（例えば、トルエン１７０℃、酢酸エチル２４０℃）を超えて温度が急激に上昇する現象が発生しない場合は、再生すべきＶＯＣがなくなって再生処理が完了したと見做し、再生モードを終了する制御を行う。これによって、ＶＯＣ等の揮発性化合物の除去状態を適切に把握して、吸着剤の再生時間を短縮化することができる。

以上述べたように、この発明のダブルチャンバ方式の排ガス処理装置は、吸着器のＶＯＣ物質に対する詳細特性が不明であっても再生処理に支障をきたさない。また、ＶＯＣモニタによってＶＯＣの吸着状態が容易に分かる。さらに、ＶＯＣの再生操作については全ての処理が自動的に行われる。このとき、再生処理に要する加熱エネルギは極めて小さい。

さらに、この発明のダブルチャンバ方式の排ガス処理装置は安全性が極めて高い。すなわち、触媒の採用によって再生処理温度が３００℃と比較的低いために安全性が高い。また、排ガス処理装置が密閉構造であるため、加熱時においても安全性が高い。さらに、脱着時も爆発限界の１／５以下の空気量で再生処理をするため、爆発の危険性が極めて低い。また、加熱部のヒータの熱暴走を防ぐ電力コントローラが付いているので、温度上昇による危険性を防止することができる。

なお、ダブルチャンバ方式の排ガス処理装置の制約事項は、再生時間を間に合わせるために、濃度（ｐｐｍ）×風量（ｍ３×分）が１０万以下であることを目安とする。また、排気温度が６０℃以下であることを目安とする。また、ダブルチャンバ方式の排ガス処理装置を導入するための検討条件としては、排気風量、排気ガス成分と濃度、排気温度、粉塵・ミストの有無、及び排気煙突・ダクトの口径などとする。

また、この発明のダブルチャンバ方式の排ガス処理装置は、例えば、４ｃｍ×４ｃｍの角型ゼオライトハニカムを利用した大容量型のゼオライト脱臭器を用いている。これによって、再生効果を長持ちさせることができる。また、大きな処理風量を発生させることもできる。さらに、専用の再生装置と合わせて初期コスト、ランニングコスト共に大幅に節減することができる。

また、吸着ユニット再生専用機の特徴は、脱臭器、ＶＣＯ処理装置、吸着ユニットの再生用として用いられる。高性能酸化触媒を内蔵し、低温で効率よくＶＯＣを分解することができる。このとき、脱着したＶＯＣを処理用の燃料として用いるために、再生処理用のエネルギコストを著しく低減させることが可能である。また、ＶＣＯ処理装置と組み合わせて、初期コスト及びランニングコストを共に大幅に節減させることができる。

以上、この発明の実施形態を、図面を参照して詳述してきたが、この発明の具体的に構成は、これらの実施形態に限られるものではなく、この発明の趣旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもそれらはこの発明に含まれる。

この発明のＶＯＣ除去装置は、塗装工場や、印刷工場、化学工場等のほか、事務所や店舗、住宅等で、悪臭が発生する場所に設置して用いることができる。

１ 排ガス処理装置
２ 吸気口
３ 排気口
４ 吸気ブロア
５，６ 排気ダクト
８ 第１吸着除去部
９ 第２吸着除去部
１１ 再生処理部
１２ 流路切替部
１３ 監視・制御装置
１４，１６ 流入口管
１９ 分岐管
２４ 第１吸着槽
２５ 第２吸着槽
２６，２７ 容器
２９ 再生ダクト
３１ 加熱部（ヒータ）
３２ 触媒担持部
３３ 再生用ブロア
３４ 空気注入用エアポンプ
３５ 安全弁
３８ 温度検出部
５１ 空気注入口
５２ 窒素ガス導入管
５３ 流量制御ダンパ
５４ａ，５４ｂ 放熱フィン
５５ バイパスダンパ
５６，５６ａ，５６ｂ，５６ｃ 放熱バイパス管
５７ 異常加熱用熱電対
５８ 断熱材
９８ デジタル表示器
９９ 電源表示灯
１０１ 警告表示灯
１０２ 再生警告表示／再生実行ボタン
１０３ 再生終了表示／再生停止ボタン
１０４ 警告ブザー
１０５ 電源スイッチ
１０６ 非常停止ボタン

Claims (13)

1. 排ガス中に含まれる揮発性化合物を吸着する二系統の吸着除去部を備えると共に、再生時に、前記二系統の吸着除去部を交互に稼動して前記揮発性化合物を脱離させて該吸着除去部を再生させる再生処理部を備えたダブルチャンバ型の排ガス処理装置であって、
   前記再生処理部に形成されて、前記二系統の吸着除去部の再生に寄与する反応用空気と共に前記揮発性化合物を含んだ成分ガスを通過させる再生ダクトの外周に放熱フィンを備えたことを特徴とする排ガス処理装置。
2. 排ガス中に含まれる揮発性化合物を吸着する二系統の吸着除去部を備えると共に、再生時に、前記二系統の吸着除去部を交互に稼動して前記揮発性化合物を脱離させて該吸着除去部を再生させる再生処理部を備えたダブルチャンバ型の排ガス処理装置であって、
   前記再生処理部に形成されて、前記吸着除去部の再生に寄与する反応用空気と共に前記揮発性化合物を含んだ成分ガスを通過させる再生ダクトをバイパスするように形成された放熱バイパス管と、
   前記放熱バイパス管の外周に形成された放熱フィンと
   を備えたことを特徴とする排ガス処理装置。
3. 前記再生ダクトは、該再生ダクトを通過する反応用空気の流量を制御する流量制御ダンパを備えることを特徴とする請求項１記載の排ガス処理装置。
4. 前記放熱バイパス管は、該放熱バイパス管を通過する前記成分ガスの流量を制御するバイパスダンパを備えることを特徴とする請求項２記載の排ガス処理装置。
5. 前記放熱フィンの外周は断熱材で覆われていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１に記載の排ガス処理装置。
6. 前記成分ガスを加熱するための加熱部への電力の供給／停止、前記反応用空気の前記再生ダクトへの供給／停止、及び、触媒に前記揮発性化合物を当てるための再生ブロアの運転／停止の何れか１つ、または何れかの２つ以上を組み合わせて制御することで、前記揮発性化合物の燃焼を制御することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１に記載の排ガス処理装置。
7. 前記再生ダクトは、該再生ダクトに窒素ガスを導入する窒素ガス導入管をさらに備え、
   再生処理中に熱暴走が発生したときは前記窒素ガス導入管から前記再生ダクトへ窒素ガスを注入することを特徴とする請求項１乃至６の何れか１に記載の排ガス処理装置。
8. 前記再生処理部によって再生処理を開始した直後の数回の再生処理においては、再生反応を検知しても前記再生ダクトへの前記反応用空気の供給を行わないことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１に記載の排ガス処理装置。
9. 前記再生ダクトに反応用空気が存在した状態で、揮発性化合物の反応可能な温度を超えても温度が急激に上昇する現象が発生しない場合は、再生すべき揮発性化合物がなくなって再生処理が完了したと見做し、再生モードを終了する制御を行うことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１に記載の排ガス処理装置。
10. 二系統の吸着除去部の何れかに排ガスを通過させて、該排ガスに含まれる揮発性化合物を吸着除去する排ガス処理方法であって、
    前記揮発性化合物の吸着除去を行っていない系統の吸着除去部の再生処理を行うとき、再生ダクトに形成された放熱フィンの熱交換作用によって、前記再生ダクトを通過する前記揮発性化合物を含んだ成分ガスの熱交換を行うことを特徴とする排ガス処理方法。
11. 二系統の吸着除去部の何れかに排ガスを通過させて、該排ガスに含まれる揮発性化合物を吸着除去する排ガス処理方法であって、
    前記揮発性化合物の吸着除去を行っていない系統の吸着除去部の再生処理を行うとき、再生ダクトにバイパスするように形成された放熱バイパス管に付設された放熱フィンの熱交換作用によって、前記放熱バイパス管を通過する前記揮発性化合物を含んだ成分ガスの熱交換を行うことを特徴とする排ガス処理方法。
12. 前記成分ガスを加熱するための加熱部への電力の供給／停止、前記反応用空気の前記再生ダクトへの供給／停止、及び、触媒に前記揮発性化合物を当てるための再生ブロアの運転／停止の何れか１つ、または何れかの２つ以上を組み合わせて制御することで、前記揮発性化合物の燃焼を制御することを特徴とする請求項１０または１１に記載の排ガス処理方法。
13. 前記再生ダクトは、該再生ダクトに窒素ガスを導入する窒素ガス導入管を備え、
    再生処理中に熱暴走が発生したときは前記窒素ガス導入管から前記再生ダクトへ窒素ガスを注入することを特徴とする請求項１２に記載の排ガス処理方法。

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