JP2011102772A - 圧力センサー - Google Patents
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Abstract
【課題】製造が容易で、ダイアフラムの受圧感度を高めると共に、耐衝撃性も十分確保することを可能とする圧力センサーを提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の圧力センサー10は、ダイアフラム40と、感圧素子となる枠付き振動子30と、基板20を積層し、前記感圧素子の圧電振動片31を密閉する内部空間Sを形成して、前記ダイアフラム40の撓みに基づく前記感圧素子の周波数変化から圧力を検出する圧力センサー10であって、前記内部空間Sに前記ダイアフラム40の破壊限界を超えた撓みを抑制するストッパーを備えたことを特徴としている。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の圧力センサー10は、ダイアフラム40と、感圧素子となる枠付き振動子30と、基板20を積層し、前記感圧素子の圧電振動片31を密閉する内部空間Sを形成して、前記ダイアフラム40の撓みに基づく前記感圧素子の周波数変化から圧力を検出する圧力センサー10であって、前記内部空間Sに前記ダイアフラム40の破壊限界を超えた撓みを抑制するストッパーを備えたことを特徴としている。
【選択図】図1
Description
本発明は、特に圧力検出素子として圧電素子を用いた圧力センサーに係る。
被測定圧力を受圧して撓む可撓部を有する受圧手段としてのダイアフラムと、当該ダイアフラムの支持部に支持固定される感圧素子としての双音叉振動片とから構成される圧力センサーとして、特許文献1,2が開示されている。
特許文献1に開示されている圧力センサーは、圧力を受圧したダイアフラムが撓むと、その撓みに起因した力が前記支持部を介して双音叉振動子に伝達されて、前記双音叉振動子にも撓みが生じることによって、振動子の振動腕(ビーム)方向に伸縮作用が生じる。この伸縮作用によって生じた内部応力により双音叉振動子の共振周波数に変化が生じる。この共振周波数の変化を圧力の変化に変換することによる圧力変動を検出することができる。
前記感圧素子は、感圧部と感圧部の両端に接続された一対の基部とを有し、力の検出方向を検出軸として設定し、感圧素子の前記一対の基部の並ぶ方向は前記検出軸と平行関係にある。双音叉型圧電振動子の場合は、梁(ビーム)の延びる方向と検出軸とが平行関係になっている。
しかしながら、ダイアフラムの撓みが大きくなると、円弧状に撓んだダイアフラムの中央部が双音叉振動片に接触してしまい双方に損傷等が発生してしまう問題があった。
そこで、特許文献2において、この問題を解決するため、図8に示すようにダイアフラム1の中央領域に厚肉部2を設けることにより、ダイアフラム1の撓みが大きくなったときでもダイアフラム1の中央領域が円弧状に変形することなくダイアフラム1が撓むようにした。これによりダイアフラム1の中央部3が双音叉振動片4に接触することを防止できる。
そこで、特許文献2において、この問題を解決するため、図8に示すようにダイアフラム1の中央領域に厚肉部2を設けることにより、ダイアフラム1の撓みが大きくなったときでもダイアフラム1の中央領域が円弧状に変形することなくダイアフラム1が撓むようにした。これによりダイアフラム1の中央部3が双音叉振動片4に接触することを防止できる。
しかしながら、三層構造の圧力センサーは、ダイアフラムの厚み方向の肉厚を薄くして撓み易くすることにより圧力の受圧感度を高めることができる一方で、受圧する圧力や外力からの衝撃に対して、単調に内部に生じる応力も増加するため、肉厚の薄いダイアフラムでは破壊限界となる圧力や耐衝撃性が低下することとなる。従って受圧感度の上限が規制を受けることになるという問題があった。特にダイアフラムの厚みに関しては、厳しく制限せざるを得なかった。
そこで本発明は、上記従来技術の問題点を解決するため、製造が容易で、ダイアフラムの受圧感度を高めると共に、耐衝撃性も十分確保することを可能とする圧力センサーを提供することを目的としている。
本発明は、上記の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
[適用例1]ダイアフラムと、感圧素子と、基板を積層し、前記感圧素子の振動片を密閉する内部空間を形成して、前記ダイアフラムの撓みに基づく前記感圧素子の周波数変化から圧力を検出する圧力センサーであって、前記内部空間に前記ダイアフラムの破壊限界を超えた撓みを抑制するストッパーを備えたことを特徴とする圧力センサー。
[適用例1]ダイアフラムと、感圧素子と、基板を積層し、前記感圧素子の振動片を密閉する内部空間を形成して、前記ダイアフラムの撓みに基づく前記感圧素子の周波数変化から圧力を検出する圧力センサーであって、前記内部空間に前記ダイアフラムの破壊限界を超えた撓みを抑制するストッパーを備えたことを特徴とする圧力センサー。
上記構成により、ダイアフラムの破壊限界を超える外力による撓みをストッパーで抑制することができる。従って破壊限界によって圧力センサーが破壊されることがなく、ダイアフラムの厚みを薄く形成することにより圧力の検出感度を向上させることができる。
[適用例2]前記ストッパーは、前記ダイアフラムの密閉側の主面の中心部から前記感圧素子に向かって突出した凸部と、前記ダイアフラムを平面視して前記凸部と重なる位置であって、前記感圧素子の枠状部から前記振動片の中心に向かって張り出され、前記ダイアフラムの破壊限界の外力が作用したとき前記凸部と接触する張り接触部と、からなることを特徴とする適用例1に記載の圧力センサー。
上記構成によるストッパーは、ダイアフラム及び感圧素子のエッチング加工等による形成と同時に形成することができる。従って他部品を用いることが無く、低コスト化を図ることができる。
[適用例3]前記ストッパーは、前記ダイアフラムの密閉側の主面から前記感圧素子に向かって延出された凸部と、前記基板の密閉側の主面から対向する前記凸部に向かって突出し、前記ダイアフラムの破壊限界の外力が作用したとき前記凸部と接触する接触部と、からなることを特徴とする適用例1に記載の圧力センサー。
上記構成によるストッパーは、ダイアフラム及び基板のエッチング加工等による形成と同時に形成することができる。従って他部品を用いることが無く、低コスト化を図ることができる。
[適用例4]前記ストッパーは、前記振動片の一方の基部から他方の基部へ前記振動片に沿って延出された張り部と、前記基板の密閉側の主面から対向する前記張り部の先端に向かって突出し、前記ダイアフラムの破壊限界の外力が作用したとき前記張り部と接触する接触部と、からなることを特徴とする適用例1に記載の圧力センサー。
上記構成によるストッパーは、感圧素子及び基板のエッチング加工等による形成と同時に形成することができる。従って他部品を用いることが無く、低コスト化を図ることができる。
[適用例5]前記ストッパーは、前記振動片の一方の基部から他方の基部へ前記振動片に沿って延出された第1の張り部と、前記基板の密閉側の主面から対向する前記第1の張り部の先端に向かって突出し、前記ダイアフラムの破壊限界の外力が作用したとき前記第1の張り部と接触する第1の接触部と、前記振動片の他方の基部から一方の基部へ前記振動片に沿って延出された第2の張り部と、前記基板の密閉側の主面から対向する前記第2の張り部の先端に向かって突出し、前記ダイアフラムの破壊限界の外力が作用したとき前記第2の張り部と接触する第2の接触部と、からなることを特徴とする適用例1に記載の圧力センサー。
上記構成によるストッパーは、感圧素子及び基板のエッチング加工等による形成と同時に形成することができる。従って他部品を用いることが無く、低コスト化を図ることができる。
[適用例6]前記張り部に形成した第1の電極と、前記第1の電極と対向すると共に、前記接触部に形成した第2の電極と、からなることを特徴とする適用例4に記載の圧力センサー。
上記構成により、ダイアフラムに破壊電界を越える外力が作用したことを検知することができる。
上記構成により、ダイアフラムに破壊電界を越える外力が作用したことを検知することができる。
本発明の圧力センサーの実施形態を添付の図面を参照しながら以下詳細に説明する。図1は第1実施形態の圧力センサーの分解斜視図であり、(A)は基板の内側(凹部側)を上方から見た斜視図であり、(B)はダイアフラムの内側(支持部側)を上方から見た斜視図である。図2は第1実施形態の圧力センサーの断面図である。図3は第1実施形態の圧力センサーの説明図であり、同図(1)はダイアフラムの底面図を示し、同図(2)は枠付き振動子の平面図を示し、同図(3)は基板の平面図を示し、同図(4)は一対の凸部の中心を通る圧力センサーのX方向の断面図を示している。図示のように本発明の圧力センサー10は、基板20と、枠付き振動子30と、ダイアフラム(受圧手段)40とを有している。
なお本実施形態の基板20と、枠付き振動子30と、ダイアフラム(受圧手段)40は熱膨張係数の差による温度特性の劣化などを考慮して、同質材料となる水晶基板を用いることができる。
基板20は、枠付き振動子30の圧電振動片31を収容する内部空間Sを密封するためのパッケージ或いはリッドとしての役割を果たす部材である。基板20は、図1又は図2に示すように、その内側に凹部22が形成されており、この凹部22の開口側の周縁の環状囲繞部となる端面24に、枠付き振動子30の枠状部32と、ダイアフラム40の枠部42と順に積層して接合することで、凹部22の内側が密封された内部空間Sとなる。
そして図1に示す基板20の主面外形は、水晶結晶軸のX軸方向に並行して延びる2本の辺と水晶結晶軸のY方向に並行して延びる2本の辺とからなる略四角形状(すなわち略長方形)である。
感圧素子を構成する枠付き振動子30は、枠状部32及びこの枠状部32と接続された圧電振動片31及び張り接触部33とを有している。そして枠付き振動子30は、圧電材料として例えば水晶をエッチングして形成されている。また図1に示す枠状部32の外形は、X軸方向に並行して延びる2本の辺とY軸方向に延びる2本の辺とからなる略矩形形状である。
圧電振動片31は、本実施形態の場合、加えられた力に対して周波数の変化が大きく、圧力を感度よく検出できる振動片を用いている。図5に示すように振動片はY軸方向に長手方向が延びる振動腕34と、この振動腕34の長手方向の両端に接続され、振動腕34と一列に並んだ2つの基部36とを有している。振動子は、その感圧部(振動腕34)である振動腕34に引張り応力(伸長応力)あるいは圧縮応力が印加されると、その共振周波数が印加される応力にほぼ比例して変化するという特性を有している。
振動腕34はY軸方向に細長く、その表面に設けられた励振電極(不図示)により駆動電圧を印加されて屈曲振動する部分であり、この部分にY軸方向に伸張及び/又は圧縮するようにストレス或いはテンションがかかると、周波数が変化する部分である。したがってその周波数変化を検知することで圧力変化を感知することができる。
圧電振動片31は、力の検出方向を検出軸として設定し、圧電振動片31の前記一対の基部36の並ぶ方向は、前記検出軸と平行関係にある。
圧電振動片31は、力の検出方向を検出軸として設定し、圧電振動片31の前記一対の基部36の並ぶ方向は、前記検出軸と平行関係にある。
張り接触部33は、振動腕34の中心と直交する枠状部32から振動腕34に向かって所定間隔を開けて延出させた部材である。張り接触部33の先端は、ダイアフラム40を平面視して、後述する凸部47と重なる位置に形成している。
枠状部32は、基板20の凹部22とともに圧電振動片31を収容する内部空間Sを形成する部材であり、かつ、ダイアフラム40の枠部42に積層し固定する部材である。具体的には、枠状部32は少なくとも振動腕34との間に空間を有しており、圧電振動片31の両端の基部36に接続部38を介して連結されると共に、圧電振動片31及び接続部38と一体的に形成されている。すなわち、本実施形態の場合、枠状部32、接続部38と圧電振動片31と張り接触部33とは、1枚の水晶ウェハから、例えばフォトリソ技術とエッチング技法とを利用して形成されている。
接続部(梁)38は基部36よりも細い形状である。すなわち接続部38は、基部36とダイアフラム40の支持部45と接合した後は、振動腕34の撓みを阻害するものとなるので存在しないほうが好ましく、このため本実施形態では、枠付き振動子30とダイアフラム40とを接合する際に、基部36と支持部45とを位置合わせして接合できる程度に細く形成している。
そして接続部38は、一対の基部36が結ぶ方向(Y軸方向)、すなわち接続部38と基部36とからなる部分と、枠状部32のX軸方向に延びる枠辺との間には、それらの厚み方向に貫通した貫通孔38aが設けられている。このように接続部38を細く構成し、かつ貫通孔38aを設けた構成とすることにより、図2に示すように外部から被測定圧力Pをダイアフラム40の受圧面43で受圧したときに、圧電振動片31の振動腕34が一対の基部36が並ぶ方向(Y軸方向)へ伸縮し易くし、そのY軸方向への伸縮を接続部38が阻害してしまう事態を防止することができる。
なお接続部38は、各基部36の幅方向(すなわち図の基部どうしを結ぶY軸方向と直交するX軸方向)の両端から、それぞれ幅方向に沿って、互いに離間するように延びて形成された梁としている。この梁は、Y軸方向の撓みを阻害しないようにY軸方向の枠に対して交差している(図1では直交させた接続部38を示している)。
このような梁の構成により枠付き振動子30の構成(剛性)がY軸方向に沿った中心線を境に左右対称となる。そしてこのような左右対称の構成により、圧電振動子の撓み量がY軸方向に沿った中心線を境に左右均等となるので、ダイアフラム40から圧電振動片31に伝達された力を振動腕34に等しく分配することができる。
ダイアフラム40は外部と内部空間Sとを仕切って、外部から受けた圧力Pを圧電振動片31に伝達する部材である。ダイアフラム40は、微細な圧力Pを伝達できるように薄膜状の可撓部41と、可撓部41を囲む枠部42を有している。またダイアフラム40は、可撓部41の受圧面43の面とは反対側の密閉側の主面(他方の主面)44に支持部45と凸部47を有している。
枠部42は、薄肉の可撓部41よりも厚肉に形成し、前述の枠付き振動子30の枠状部32と基板20とを順に積層し接合している。
枠部42は、薄肉の可撓部41よりも厚肉に形成し、前述の枠付き振動子30の枠状部32と基板20とを順に積層し接合している。
ダイアフラム40は、枠部42が枠付き振動子30の枠状部32を介して基板20の開口側の端面24と接合して固定されるようになっているため、枠状部32の熱膨張係数と同様の熱膨張係数を有する材料で形成されている。
ここで本発明のダイアフラム40は、図3(1)に示すように可撓部41で最も変位量が大きい箇所を密閉側の主面44の中心Cとしている。
ここで本発明のダイアフラム40は、図3(1)に示すように可撓部41で最も変位量が大きい箇所を密閉側の主面44の中心Cとしている。
支持部45a,45bは、前記密閉側の主面44の中心Cを挟むように受圧面となる可撓部41の密閉側の主面44に一対形成している。支持部45a,45bは、圧電振動片31の基部36を接合する台座となる。支持部45a,45bにより支持固定された圧電振動子31を密閉側の主面44の中心Cを跨ぐように配置することにより、感圧部である振動腕34に最も大きなストレスが作用し、圧力変動の検出感度を向上させることができる。
凸部47(47a、47b)は、前記密閉側の主面44の中心Cを挟むと共に、支持台45a、45bを結ぶ直線と直交する方向(X方向)に一対形成している。凸部47はダイアフラム40を平面視して、前記張り接触部33の先端と重なる位置に形成している。
次に上記構成による圧力センサー10の製造方法は、ダイアフラム40の支持部45と感圧素子となる枠付き振動子30の基部36を接着剤などの接合部材で接合する。さらに枠付き振動子30の枠状部32を基板20とダイアフラム40とで挟んで接着剤などの接合部材で接合し三層構造としている。具体的に圧力センサー10は、ダイアフラム40と枠付き振動子30と基板20を、圧電振動片のカット角に合わせた材料、一例としてZ軸に対して垂直に切り出したZ板の水晶であって熱膨張係数αが略等しい材料を用いる。そして図2に示すように、ダイアフラム40と枠付き振動子30の間と、枠付き振動子30と基板20の間に接着部材60として無機接着剤を用いる。これによりダイアフラム40と枠付き振動子30の間に所定間隔を開けて接合できると共に、硬化した後に所定の硬度が得られるため、CI値が良好となる。また接着部分の応力の緩和が少なくなり、経年劣化が少ない。或いはまた接着部材60として熱膨張係数αをダイアフラム等の材質と合わせた接着剤を用いてもよい。これにより温度特性を良好にできる。
第1実施形態の圧力センサー10のストッパーは、張り接触部33a、33bと凸部47a、47bから構成されており、図2に示すようなダイアフラム40の可撓部41に外部から圧力Pが作用すると、振動腕34に引張り応力或いは圧縮応力が印加されて、周波数が印加される応力に略比例して変化する。また圧力Pが可撓部41に作用すると、可撓部41で最も変位量が大きい密閉側の主面44の中心C付近に形成した凸部47も枠付き振動子30の張り接触部33a、33bへ接近する。そしてダイアフラム40の破壊限界を超える外力が可撓部41に作用すると、図3(4)に示すように凸部47a、47bが張り接触部33a、33bと接触してダイアフラム40の撓みが抑制される。従って、ダイアフラム40に破壊限界を超える外力が作用しても、ストッパーにより破壊限界を抑制することができダイアフラム40が破壊されることがない。
次に第2実施形態の圧力センサーについて以下説明する。図4は第2実施形態の圧力センサーの説明図である。図4(1)はダイアフラムの底面図を示し、図4(2)は枠付き振動子の平面図を示し、図4(3)は基板の平面図を示し、図4(4)は一対の支持部の中心を通る圧力センサーのY方向の断面図を示している(圧電振動片を省略)。第2実施形態の圧力センサー10aと第1実施形態の圧力センサー10と異なる構成は、第1実施形態の張り接触部に替えて接触部を形成した点である。その他の構成は、第1実施形態の構成と同一であり、その詳細な説明は省略する。
図示のように接触部26は、基板20の凹部22に形成している。接触部26(26a、26b)はダイアフラム40を平面視して凸部47a、47bと重なる位置に一対形成している。凹部22に突出形成した接触部26の高さは、ダイアフラム40の破壊限界を超える外力が作用した時に凸部47と接触する高さに設定している。
第2実施形態の圧力センサー10aのストッパーは、接触部26a、26bと凸部47a、47bから構成されており、ダイアフラム40の破壊限界を超える外力が可撓部41に作用すると、図4(4)に示すように凸部47a、47bが張り接触部26a,26bと接触してダイアフラム40の撓みが抑制される。従って、ダイアフラム40に破壊限界を超える外力が作用しても、ストッパーにより破壊限界を抑制することができダイアフラム40が破壊されることがなく、ダイアフラム40の厚みを薄く形成して、圧力の検出感度を向上させることができる。
次に第3実施形態の圧力センサーについて以下説明する。図5は第3実施形態の圧力センサーの説明図である。図5(1)はダイアフラムの底面図を示し、図5(2)は枠付き振動子の平面図を示し、図5(3)は基板の平面図を示し、図5(4)は一対の支持部の中心を通る圧力センサーのY方向の断面図を示している(圧電振動片を省略)。第3実施形態の圧力センサー10bと第2実施形態の圧力センサー10aと異なる構成は、第2実施形態の凸部47に替えて張り部35を形成した点である。その他の構成は、第3実施形態の構成と同一であり、その詳細な説明は省略する。
図示のように一対の張り部35a、35bは、一方の基部36aから振動腕34の伸びる方向とは交差方向(例えば垂直方向)であってそれぞれ相互に反対方向に延び、振動腕34の延びる方向に屈曲してさらに他方の基部36bへ延びている。そして張り部35の先端は、ダイアフラム40を平面視して、接触部26と重なる位置まで延出されている。
第3実施形態の圧力センサー10bのストッパーは、張り部35a、35bと接触部26a、26bから構成されており、ダイアフラム40の可撓部41に外部から圧力Pが作用すると、振動腕34に引張り応力或いは圧縮応力が印加されて、周波数が印加される応力に略比例して変化する。また圧力Pが可撓部41に作用すると、一対の支持部45に接続する一対の基部36を介して振動片31も撓むが、張り部35は先端が自由端であるため、ダイアフラム40の撓みの影響を受けることがない。従ってダイアフラム40の破壊限界を超える外力が可撓部41に作用すると、図5(4)に示すように張り部35の先端が接触部26と接触してダイアフラム40の撓みが抑制される。従って、ダイアフラム40に破壊限界を超える外力が作用しても、ストッパーにより破壊限界を抑制することができダイアフラム40が破壊されることがない。
次に第4実施形態の圧力センサーについて以下説明する。図6は第4実施形態の圧力センサーの説明図である。図6(1)は枠付き振動子の平面図を示し、図6(2)は基板の平面図を示し、図6(3)は一対の支持部の中心を通る圧力センサーのY方向の断面図を示している(圧電振動片を省略)。
第4実施形態の圧力センサー10cは、ダイアフラム40に破壊限界を超える外力が作用したとき第3実施形態の圧力センサー10bの枠付き振動子30及び基板20にこの外力を検出可能な第1及び第2の電極を形成している。具体的に枠付き振動子30は、基板20と対向する側の主面に、枠状部32の端子と、張り部35の先端の端子と、枠状部32の端子と張り部35の先端の端子を電気的に接続する引き出し配線と、からなる第1の電極となる一対の張り部電極35e、35fを形成している。一方、基板20は、枠付き振動子30と対抗する主面に、一対の接触部26a,26b上に電気的に接続させた第2の電極となる接触部電極26eを形成している。なお張り部電極35e,35fの張り部35の先端の端子と接触部電極26eは、ダイアフラム40を平面視して互いに重なる位置に形成している。
上記構成による第4実施形態の圧力センサー10cによれば、図6(3)に示すようにダイアフラム40の破壊限界を超える外力が可撓部41に作用すると、張り部35の先端が接触部26と接触すると同時に、張り部電極35e(36f)も接触電極26eと接触する。従ってダイアフラム40の撓みが抑制されると共に、張り部電極35e(35f)が接触電極26eと接触して電気的に接続され、破壊限界を超える外力が作用したことを検知することができる。
次に第5実施形態の圧力センサーについて以下説明する。図7は第5実施形態の圧力センサーの説明図である。図7(1)はダイアフラムの底面図を示し、図7(2)は枠付き振動子の平面図を示す、図7(3)は基板の平面図を示している。第5実施形態の圧力センサー10dと第3実施形態の圧力センサー10bと異なる構成は、第3実施形態の張り部35と接触部26をそれぞれ2つ形成した点である。その他の構成は、第3実施形態の構成と同一であり、その詳細な説明は省略する。
図示のように第1の張り部35a、35bは、一方の基部36aから振動腕34の伸びる方向とは交差方向(例えば垂直方向)であってそれぞれ相互に反対方向に延び、振動腕34の延びる方向に屈曲してさらに他方の基部36bへ延びている。そして第1の張り部35a、35bの先端は、ダイアフラム40を平面視して、第1の接触部26a,26bと重なる位置まで延出されている。
第2の張り部は35c、35dは、他方の基部36bから振動腕34の伸びる方向とは交差方向(例えば垂直方向)であってそれぞれ相互に反対方向に延び、振動腕34の延びる方向に屈曲してさらに他方の基部36aへ延びている。そして第2の張り部35c、35dの先端は、ダイアフラム40を平面視して、第2の接触部26c,26dと重なる位置まで延出されている。
第1の接触部26a、26bは可撓部41の中心C付近に形成し、第2の接触部26c、26dは端面24付近に形成している。
第5実施形態の圧力センサー10bのストッパーは、第1及び第2の張り部35a〜35dと第1及び第2の接触部26a〜26dから構成されており、ダイアフラム40の可撓部41に外部から圧力Pが作用すると、振動腕34に引張り応力或いは圧縮応力が印加されて、周波数が印加される応力に略比例して変化する。また圧力Pが可撓部41に作用すると、一対の支持部45に接続する一対の基部36を介して圧電振動片31も撓むが、可撓部41で最も変位量が大きい中心Cに近い第1の張り部35a,35bの先端が最初に接触部26a,26bと接触し、ついで端面24付近の第2の張り部35c、35dが第2の接触部26c、26dと段階的に接触する。そしてダイアフラム40の破壊限界を超える外力が可撓部41に作用すると、最初に第1の張り部35a,35bの先端が第1の接触部26a,26bと接触し、第2の張り部35c、35dが第2の接触部26c、26dと接触してダイアフラム40の撓みが段階的に抑制される。従って、ダイアフラム40に破壊限界を超える外力が作用しても、ダイアフラム40が破壊されることがない。
第5実施形態の圧力センサー10bのストッパーは、第1及び第2の張り部35a〜35dと第1及び第2の接触部26a〜26dから構成されており、ダイアフラム40の可撓部41に外部から圧力Pが作用すると、振動腕34に引張り応力或いは圧縮応力が印加されて、周波数が印加される応力に略比例して変化する。また圧力Pが可撓部41に作用すると、一対の支持部45に接続する一対の基部36を介して圧電振動片31も撓むが、可撓部41で最も変位量が大きい中心Cに近い第1の張り部35a,35bの先端が最初に接触部26a,26bと接触し、ついで端面24付近の第2の張り部35c、35dが第2の接触部26c、26dと段階的に接触する。そしてダイアフラム40の破壊限界を超える外力が可撓部41に作用すると、最初に第1の張り部35a,35bの先端が第1の接触部26a,26bと接触し、第2の張り部35c、35dが第2の接触部26c、26dと接触してダイアフラム40の撓みが段階的に抑制される。従って、ダイアフラム40に破壊限界を超える外力が作用しても、ダイアフラム40が破壊されることがない。
このような本発明の圧力センサーによれば、ダイアフラムの破壊限界を超える外力による撓みをストッパーで抑制することができる。従って破壊限界によって圧力センサーが破壊されることがなく、ダイアフラムの厚みを薄く形成することにより圧力の検出感度を向上させることができる。
1………ダイアフラム、2………厚肉部、3………中央部、4………双音叉振動片、5………振動腕、10………圧力センサー、20………基板、22………凹部、24………端面、26………接触部、30………枠付き振動子、31………圧電振動片、32………枠状部、33………張り接触部、34………振動腕、35………張り部、36………基部、38………接続部、40………ダイアフラム、41………可撓部、42………枠部、43………受圧面、44………密閉側の主面、45………支持部、47………凸部、60………接着部材。
Claims (6)
- ダイアフラムと、感圧素子と、基板を積層し、前記感圧素子の振動片を密閉する内部空間を形成して、前記ダイアフラムの撓みに基づく前記感圧素子の周波数変化から圧力を検出する圧力センサーであって、
前記内部空間に前記ダイアフラムの破壊限界を超えた撓みを抑制するストッパーを備えたことを特徴とする圧力センサー。 - 前記ストッパーは、
前記ダイアフラムの密閉側の主面の中心部から前記感圧素子に向かって突出した凸部と、
前記ダイアフラムを平面視して前記凸部と重なる位置であって、前記感圧素子の枠部から前記振動片の中心に向かって張り出され、前記ダイアフラムの破壊限界の外力が作用したとき前記凸部と接触する張り接触部と、
からなることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサー。 - 前記ストッパーは、
前記ダイアフラムの密閉側の主面から前記感圧素子に向かって延出された凸部と、
前記基板の密閉側の主面から対向する前記凸部に向かって突出し、前記ダイアフラムの破壊限界の外力が作用したとき前記凸部と接触する接触部と、
からなることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサー。 - 前記ストッパーは、
前記振動片の一方の基部から他方の基部へ前記振動片に沿って延出された張り部と、
前記基板の密閉側の主面から対向する前記張り部の先端に向かって突出し、前記ダイアフラムの破壊限界の外力が作用したとき前記張り部と接触する接触部と、
からなることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサー。 - 前記ストッパーは、
前記振動片の一方の基部から他方の基部へ前記振動片に沿って延出された第1の張り部と、
前記基板の密閉側の主面から対向する前記第1の張り部の先端に向かって突出し、前記ダイアフラムの破壊限界の外力が作用したとき前記第1の張り部と接触する第1の接触部と、
前記振動片の他方の基部から一方の基部へ前記振動片に沿って延出された第2の張り部と、
前記基板の密閉側の主面から対向する前記第2の張り部の先端に向かって突出し、前記ダイアフラムの破壊限界の外力が作用したとき前記第2の張り部と接触する第2の接触部と、
からなることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサー。 - 前記張り部に形成した第1の電極と、
前記第1の電極と対向すると共に、前記接触部に形成した第2の電極と、
からなることを特徴とする請求項4に記載の圧力センサー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009258216A JP2011102772A (ja) | 2009-11-11 | 2009-11-11 | 圧力センサー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009258216A JP2011102772A (ja) | 2009-11-11 | 2009-11-11 | 圧力センサー |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011102772A true JP2011102772A (ja) | 2011-05-26 |
Family
ID=44193158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2011102772A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014017388A (ja) * | 2012-07-10 | 2014-01-30 | Seiko Epson Corp | 振動片、振動子、電子デバイス、電子機器、移動体 |
CN107106081A (zh) * | 2014-10-29 | 2017-08-29 | 三星电子株式会社 | 葡萄糖测量设备和方法 |
-
2009
- 2009-11-11 JP JP2009258216A patent/JP2011102772A/ja active Pending
Cited By (3)
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US11559223B2 (en) | 2014-10-29 | 2023-01-24 | Samsung Electronics Co., Ltd | Glucose measuring apparatus and method |
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