JP2011100901A5 - 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイスの製造方法および基板貼り合せ装置 - Google Patents

Claims (14)

1. 第１の基板ホルダに保持された第１の半導体ウエハと、第２の基板ホルダに保持された第２の半導体ウエハとを、位置合わせ部で互いに位置合わせして重ね合せる重ね合せステップと、
   前記重ね合わされた前記第１の半導体ウエハと前記第２の半導体ウエハとを接合部で接合する接合ステップと、
   前記接合ステップに先立って、前記第１の基板ホルダおよび前記第２の基板ホルダの少なくとも一方から塵埃を除去する塵埃除去ステップと
   を含む半導体デバイスの製造方法。
2. 前記位置合わせ部と前記接合部との間で前記第１の半導体ウエハおよび前記第２の半導体ウエハを挟持した前記第１の基板ホルダおよび前記第２の基板ホルダを搬送する搬送ステップを含み、
   前記塵埃除去ステップは、前記第１の基板ホルダおよび前記第２の基板ホルダの少なくとも一方の温度を前記搬送ステップにおける搬送経路の温度よりも高くする請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。
3. 前記接合ステップにより接合された前記第１の半導体ウエハおよび前記第２の半導体ウエハを冷却室で冷却する冷却ステップを含み、
   前記塵埃除去ステップは、前記第１の半導体ウエハおよび前記第２の半導体ウエハを挟持した前記第１の基板ホルダおよび前記第２の基板ホルダを前記冷却室に載置し、前記第１の基板ホルダおよび前記第２の基板ホルダの少なくとも一方の温度と前記冷却室の温度差によって生じる熱泳動により、前記第１の基板ホルダおよび前記第２の基板ホルダの少なくとも一方に付着した塵埃を除去する請求項２に記載の半導体デバイスの製造方法。
4. 前記塵埃除去ステップの後であって、前記冷却ステップの前に、前記冷却室の温度を変更する温度変更ステップを有する請求項３に記載の半導体デバイスの製造方法。
5. 前記塵埃除去ステップは、前記第１の半導体ウエハおよび前記第２の半導体ウエハの温度が、前記塵埃除去ステップと前記接合ステップの間に前記第１の半導体ウエハおよび前記第２の半導体ウエハが移動する経路上の温度よりも低くなる前に、前記第１の半導体ウエハおよび前記第２の半導体ウエハを前記冷却室から搬出することを特徴とする請求項３または４に記載の半導体デバイスの製造方法。
6. 前記接合ステップによる加熱に先立って、前記第１の半導体ウエハおよび前記第２の半導体ウエハを加熱する予備加熱ステップを有する請求項３から５のいずれか１項に記載の半導体デバイスの製造方法。
7. 前記塵埃除去ステップは、前記第１の基板ホルダおよび前記第２の基板ホルダの少なくとも一方の温度を、前記予備加熱ステップにおける予備加熱温度よりも低く、前記搬送経路の温度よりも高い温度にする請求項６に記載の半導体デバイスの製造方法。
8. 前記塵埃除去ステップと前記接合ステップの間に前記第１の基板ホルダおよび前記第２の基板ホルダが移動する経路上の温度を取得する温度取得ステップを更に備え、
   前記予備加熱ステップは、前記第１の基板ホルダおよび前記第２の基板ホルダの温度を、前記温度取得ステップで取得した温度よりも高くなるよう加熱することを特徴とする請求項６または７に記載の半導体デバイスの製造方法。
9. 前記予備加熱ステップは、前記第１の基板ホルダおよび前記第２の基板ホルダの少なくとも一方に付着した塵埃を熱泳動により除去するための時間に低下する前記第１の半導体ウエハおよび前記第２の半導体ウエハの温度に相応する熱量を、前記第１の基板ホルダおよび前記第２の基板ホルダの少なくとも一方に加えること特徴とする請求項６から８のいずれか１項に記載の半導体デバイスの製造方法。
10. 前記予備加熱ステップは、前記塵埃除去ステップに先立って、前記第１の半導体ウエハおよび前記第２の半導体ウエハを挟持した前記第１の基板ホルダおよび前記第２の基板ホルダが搬入されるロードロックチャンバ内で、前記第１の基板ホルダおよび前記第２の基板ホルダの少なくとも一方を予備加熱することを特徴とする請求項６から９のいずれか１項に記載の半導体デバイスの製造方法。
11. 前記接合ステップによる加熱に先立って、前記第１の半導体ウエハおよび前記第２の半導体ウエハを加熱する予備加熱ステップを有し、
    前記塵埃除去ステップは、前記第１の基板ホルダおよび前記第２の基板ホルダの少なくとも一方の温度を、前記予備加熱ステップにおける予備加熱温度よりも低く、前記搬送経路の温度よりも高い温度にする請求項２に記載の半導体デバイスの製造方法。
12. 第１の基板ホルダに保持された第１の半導体ウエハと、第２の基板ホルダに保持された第２の半導体ウエハとを、位置合わせ部で互いに位置合わせして重ね合せることにより前記第１の基板ホルダと前記第２の基板ホルダとの間に挟持する挟持ステップと、
    前記位置合わせ部を経て接合部に至る搬送経路を、前記第１の半導体ウエハと前記第２の半導体ウエハとを挟持した前記第１の基板ホルダおよび前記第２の基板ホルダを搬送する搬送ステップと、
    挟持された前記第１の半導体ウエハと前記第２の半導体ウエハとを接合部で接合する接合ステップと、
    前記接合ステップに先立って、前記第１の基板ホルダおよび前記第２の基板ホルダの少なくとも一方の温度を前記搬送経路の温度よりも高くする温度上昇ステップと
    を含む半導体デバイスの製造方法。
13. 第１の基板ホルダに保持された第１の半導体ウエハと、第２の基板ホルダに保持された第２の半導体ウエハとを、互いに位置合わせして重ね合せることにより前記第１の基板ホルダと前記第２の基板ホルダとの間に挟持する位置合わせ部と、
    挟持された前記第１の半導体ウエハと前記第２の半導体ウエハとを接合する接合部と、
    前記接合部での接合に先立って、前記接合部での接合に影響を与える塵埃を前記第１の基板ホルダおよび前記第２の基板ホルダの少なくとも一方から除去する塵埃除去部と
    を備える基板貼り合せ装置。
14. 前記接合部は、前記第１の半導体ウエハと前記第２の半導体ウエハとを加熱および加圧して接合し、
    前記塵埃除去部は、前記接合部での加熱および加圧に影響を与える塵埃を除去する請求項１３に記載の基板貼り合せ装置。