JP2011100897A

JP2011100897A - 回路基板の製造方法及び回路基板

Info

Publication number: JP2011100897A
Application number: JP2009255318A
Authority: JP
Inventors: Motoki Obata; 元樹小畑; Isao Mizuma; 功水間; Tetsutaro Otobe; 鉄太郎乙部; Kazumasa Fujisawa; 千正藤沢
Original assignee: Citizen Holdings Co Ltd; Citizen Finetech Miyota Co Ltd
Current assignee: Citizen Holdings Co Ltd; Citizen Finetech Miyota Co Ltd
Priority date: 2009-11-06
Filing date: 2009-11-06
Publication date: 2011-05-19
Anticipated expiration: 2029-11-06
Also published as: JP5416553B2

Abstract

【課題】回路基板のパターン形成を合理化する。
【解決手段】少なくとも、金属基板表面に蒸着により絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上にシードメタルとしてＴｉ系合金薄膜とＡｕ薄膜をスパッタリングにより積層する工程と、前記Ａｕ薄膜上にフィルム状ネガティブ型レジスト膜を形成する工程と、前記フィルム状ネガティブ型レジスト膜にフォトリソグラフにより回路パターンを形成する工程と、該回路パターンのシードメタル上に電解メッキによりＮｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ膜を形成する工程と、Ａｕ膜上に保護膜としてＴｉ系合金薄膜を形成する工程と、前記回路パターン以外のフィルム状ネガティブ型レジスト膜を除去する工程と、前記回路パターン以外のシードメタルのＡｕ薄膜をエッチングで除去する工程と、シードメタルのＴｉ系合金薄膜と保護膜のＴｉ系合金薄膜を同時にエッチングで除去する工程とを具備する回路基板の製造方法とする。
【選択図】図１

Description

本発明は回路基板の製造方法及び回路基板に関するものである。

近年、電子機器を構成する電子部品の高密度実装化や、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザーダイオード（ＬＤ）の普及に伴い、サブマウントとして放熱性の良い回路基板の要求が高まっている。放熱性の良い回路基板にはセラミックス基板やアルミニウム基板を用いたものがある。次世代の高出力ＬＥＤ素子実装用基板には酸化アルミニウムや窒化アルミニウム等のセラミックス基板、表面に絶縁層を形成したアルミニウム基板等に電極や実装用半田パターンをスパッタリング、蒸着、メッキ、印刷等の手法でメタライズされた基板が使用されるのが予想される。

前記セラミックス基板は絶縁材料であるため、基板ダイレクトに回路パターンが形成できる利点がある。

表面に絶縁層を形成したアルミニウム基板は放熱性の良い基板として古くから開発されている。アルミニウム基板の少なくとも一つの表面を全面に渡って陽極酸化処理を行い、酸化アルミニウム薄層を形成し、その上に回路パターンを形成するものである（特許文献１）。セラミックス基板は高温で熱伝導率が低下する性質を有するが、酸化アルミニウム基板は安価である。窒化アルミニウム基板は酸化アルミニウムの５〜８倍程度と高価であるが高熱伝導率を有するので、次世代の高出力ＬＥＤ素子実装用基板に適している。しかし、窒化アルミニウム基板は、製法上基板サイズが大きくできず（４〜５インチ）量産性が乏しい。

金属基板は高熱伝導率を有するが、セラミックス基板と異なり表面に絶縁膜を形成しなければならない。セラミックス基板と金属基板はそれぞれ一長一短を有するが、それぞれの基板上に形成するパターン電極は同じような工程で形成されている。

図６は、従来技術によるアルミニウム基板の回路基板の製造方法の主要な工程（Ａ）〜（Ｇ）を示す断面図である。図６において（Ａ）から（Ｇ）に進むに従い、回路基板１０の製造が進行する。以下、本図により従来技術による回路基板の製造方法を説明する。

図６（Ａ）は、アルミニウム基板１１を示している。図６（Ｂ）は、アルミニウム基板１１の一方の面に、厚み２０μｍのアルマイト層１２を形成した状態を示している。

図６（Ｃ）は、アルマイト層１２の表面に、金属層２２となるＣｒ層１３とＣｕ層１４とを、この順に形成した状態を示している。Ｃｒ層１３とＣｕ層１４は、それぞれ厚み０．１から１μｍの範囲でスパッタリング法で形成する。Ｃｒ層１３は、アルマイト層１２と強固に密着し、後に形成される導電層２３（図６（Ｆ）参照）としてのメッキ銅層１６との固着を強固にする。すなわちＣｒ層１３は、アルマイト層１２とメッキ銅層１６との接着を担う役割をする。またＣｒ層１３は、常温大気中で表面が酸化し、メッキ銅層１６との接着に支障をきたすおそれがある。よって、Ｃｕ層１４は、Ｃｒ層１３の酸化を防止する役割を担っている。

図６（Ｄ）は、ドライフィルム１５をＣｕ層１４の上に貼り付け、配線部２１位置（図６（Ｇ）参照）に相当する部分以外に対して露光し、露光部分以外、すなわち配線部２１位置に相当する部分のドライフィルム１５を除去し、ドライフィルム１５に孔部１５ａが形成された状態を示している。ドライフィルム１５は、市販のものを用いることができる。

図６（Ｅ）は、配線部２１位置に相当するドライフィルム１５の孔部１５ａに、メッキ銅層１６、メッキＮｉ層１７、メッキＡｕ層１８からなる導電層２３をこの順に形成した状態を示している。

メッキ銅層１６を形成する際のメッキ浴は、硫酸銅からなる酸性浴である。電解銅メッキで形成されるメッキ銅層１６は、Ｃｒ層１３との密着性が良好な状態で形成される。メッキ銅層１６の厚みは約１０μｍとした。

メッキＮｉ層１７は、メッキ銅層１６が、電子部品実装時に使用する、ハンダと過剰に合金化するのを防ぐための障壁として電解ニッケルメッキにより形成されている。また、メッキＮｉ層１７は、メッキ銅層１６とメッキＡｕ層１８とが、過剰に合金化するのを防止する障壁としての役割もある。メッキＮｉ層１７は、たとえば弱酸の硫酸ニッケル溶液をメッキ浴として用い、形成される。メッキＡｕ層１８は、配線部２１と、ハンダとの濡れ性を良好にするものとして電解金メッキにより形成されている。メッキＡｕ層１８は、たとえば亜硫酸金塩を含む弱酸性溶液メッキ浴として用い、形成される。

図６（Ｆ）は、ドライフィルム１５を除去した状態を示している。ドライフィルム１５の除去には、アミン系の剥離液を用いる。通常の、ガラス繊維混入エポキシ系樹脂基板を用いた場合は、ＮａＯＨやＫＯＨの強アルカリ溶液を用いてドライフィルムを剥離する。しかし、これら強アルカリ溶液は、アルミニウム基板１１を溶解して、ダメージを与えるため、本例ではその使用を避けている。

図６（Ｇ）は、Ｃｕ層１４とＣｒ層１３とを、この順に、各々の層の除去に適したエッチング液を用いて除去した状態を示している。この除去の結果、Ｃｒ層１３とＣｕ層１４とが、アルマイト層１２表面の配線部２１位置にのみ残され、Ｃｒ層１３、Ｃｕ層１４、メッキ銅層１６、メッキＮｉ層１７およびメッキＡｕ層１８からなる配線部２１が形成される。この配線部２１は通常、回路基板１０面に複数離隔して存在する。各々の配線部２１は、他の配線部２１とは互いに電気的に独立した配線部２１となる。なお、これらの層の境界は、便宜的に図示したように、明確に表れず、たとえばＣｕ層１４とメッキ銅層１６が一つの層として表れる場合もある。Ｃｒ層１３とＣｕ層１４との除去は、銅アンモニアクロライドとアンモニアからなる、弱アルカリ性のエッチング剤に約３秒浸漬することで行う。この除去処理により、エッチング剤と、アルミニウム基板１１やアルマイト層１２とが接触することとなる。しかし、エッチング剤が弱アルカリ性であること、浸漬時間が約３秒と非常に短いことから、アルミニウム基板１１やアルマイト層１２が侵されることは殆ど無く、回路基板１０の諸特性には悪影響は無い。（特許文献２）

特公昭４６−１３２３４号公報特開２００７−１２３３８２号公報

スパッタリングによるＣｒ／Ｃｕ薄膜は、真空槽から出すとＣｕ表面の酸化が始まり、Ｃｕメッキをするまでの酸化防止管理が大変となる。Ｃｕメッキ前に酸化膜を除去しなければならない。

表面がＡｕ膜の場合反射率が低いため、実装部品がＬＥＤ等の発光素子である場合、基板側に出射された光の反射が少なくなり光の利用効率が低下する。

少なくとも、金属基板表面に蒸着により絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上にシードメタルとしてＴｉ系合金薄膜とＡｕ薄膜をスパッタリングにより積層する工程と、前記Ａｕ薄膜上にフィルム状ネガティブ型レジスト膜を形成する工程と、前記フィルム状ネガティブ型レジスト膜にフォトリソグラフにより回路パターンを形成する工程と、該回路パターンのシードメタル上に電解メッキによりＮｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ電極膜を形成する工程と、Ａｕ膜上に保護膜としてＴｉ系合金薄膜を形成する工程と、前記回路パターン以外のフィルム状ネガティブ型レジスト膜を除去する工程と、前記回路パターン以外のシードメタルのＡｕ薄膜をエッチングで除去する工程と、シードメタルのＴｉ系合金薄膜と保護膜のＴｉ系合金薄膜を同時にエッチングで除去する工程とを具備する回路基板の製造方法とする。

少なくとも、金属基板表面に蒸着により絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上にシードメタルとしてＴｉ系合金薄膜とＡｕ薄膜をスパッタリングにより積層する工程と、前記Ａｕ薄膜上にフィルム状ネガティブ型レジスト膜を形成する工程と、前記フィルム状ネガティブ型レジスト膜にフォトリソグラフにより回路パターンを形成する工程と、該回路パターンのシードメタル上に電解メッキによりＮｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ／Ａｇ電極膜を形成する工程と、Ａｇ膜上に保護膜としてＴｉ系合金薄膜を形成する工程と、前記回路パターン以外のフィルム状ネガティブ型レジスト膜を除去する工程と、前記回路パターン以外のシードメタルのＡｕ薄膜を保護膜をマスクとしてエッチングで除去する工程と、シードメタルのＴｉ系合金薄膜と保護膜のＴｉ系合金薄膜を同時にエッチングで除去する工程とを具備する回路基板の製造方法とする。

少なくとも、絶縁性セラミックス基板上にシードメタルとしてＴｉ系合金薄膜とＡｕ薄膜をスパッタリングにより積層する工程と、前記Ａｕ薄膜上にフィルム状ネガティブ型レジスト膜を形成する工程と、前記フィルム状ネガティブ型レジスト膜にフォトリソグラフにより回路パターンを形成する工程と、該回路パターンのシードメタル上に電解メッキによりＮｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ電極膜を形成する工程と、Ａｕ膜上に保護膜としてＴｉ系合金薄膜を形成する工程と、前記回路パターン以外のフィルム状ネガティブ型レジスト膜を除去する工程と、前記回路パターン以外のシードメタルのＡｕ薄膜をエッチングで除去する工程と、シードメタルのＴｉ系合金薄膜と保護膜のＴｉ系合金薄膜を同時にエッチングで除去する工程とを具備する回路基板の製造方法とする。

少なくとも、
絶縁性セラミックス基板上にシードメタルとしてＴｉ系合金薄膜とＡｕ薄膜をスパッタリングにより積層する工程と、前記Ａｕ薄膜上にフィルム状ネガティブ型レジスト膜を形成する工程と、前記フィルム状ネガティブ型レジスト膜にフォトリソグラフにより回路パターンを形成する工程と、該回路パターンのシードメタル上に電解メッキによりＮｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ／Ａｇ電極膜を形成する工程と、Ａｇ膜上に保護膜としてＴｉ系合金薄膜を形成する工程と、前記回路パターン以外のフィルム状ネガティブ型レジスト膜を除去する工程と、前記回路パターン以外のシードメタルのＡｕ薄膜を保護膜をマスクとしてエッチングで除去する工程と、シードメタルのＴｉ系合金薄膜と保護膜のＴｉ系合金薄膜を同時にエッチングで除去する工程とを具備する回路基板の製造方法とする。

前記製造方法により製造された回路基板とする。

請求項１の発明によると、シードメタルの上層をＡｕにしたのでスパッタリング後に真空槽から出してもＡｕは酸化することが無いので、Ｎｉメッキがスムースに行える。また、回路パターンとなる電極膜上の保護膜をＴｉ系合金とすることでシードメタルのＴｉ系合金と一緒にエッチングで除去でき製造工程を少なくできる。この時、Ｔｉ系合金のエッチング液は過酸化水素水を使用するが、本明細書で言うＴｉ系合金とは過酸化水素水でエッチングしてもサイドエッチングの少ない合金であり、例えばＴｉＷ、ＴｉＮ等である。また、金属基板を使用するので後工程の単個切断が容易となり、安価で放熱性の良い（高温でも熱伝導率が低下しない）回路基板が製造できる。

請求項２の発明によると、前記効果の他に、最上層部をＡｇにしたので、反射率が高くＬＥＤなどの発光素子を搭載した場合、基板側に出射された光が効率よく反射され光の利用効率が高くなる。

請求項３、４の発明によると、絶縁性セラミックス基板上に直接Ｔｉ系合金薄膜とＣｕ薄膜をスパッタリングで形成するので、シードメタルの形成が容易になる。その他の効果は金属基板特有の効果以外は請求項１、２と同様である。

請求項５の発明によると、安価な回路基板が提供できる。

本発明による回路基板の製造方法における第１実施例の主要な工程（Ａ）〜（Ｊ）を示す断面図本発明による回路基板の製造方法における第２実施例の主要な工程（Ａ）〜（Ｊ）を示す断面図本発明による回路基板の製造方法における第３実施例の主要な工程（Ａ）〜（Ｉ）を示す断面図本発明による回路基板の製造方法における第４実施例の主要な工程（Ａ）〜（Ｉ）を示す断面図実施例２により形成された回路基板にＬＥＤ素子を実装した上面図（Ａ）とそのＸ−Ｘ断面図（Ｂ）従来技術によるアルミニウム基板の回路基板の製造方法の主要な工程（Ａ）〜（Ｇ）を示す断面図

図１は本発明による回路基板の製造方法における第１実施例の主要な工程（Ａ）〜（Ｊ）を示す断面図である。本実施例では回路基板に金属基板（例えば、Ｃｕ（３９８Ｗ／ｍ・Ｋ）、Ｍｇ（１５７Ｗ／ｍ・Ｋ）等の熱伝導率の高い金属）を用いる例で説明する。

工程（Ａ）は、金属基板１を準備する工程である。

工程（Ｂ）は、金属基板１の表面に蒸着により絶縁層２を形成する工程である。絶縁層２は例えばＡｌ_２Ｏ_３を２０μｍである。

工程（Ｃ）は絶縁層２の上にシードメタル層を形成する工程である。シードメタル層は下地にＴｉ系合金（Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ、ＴｉＯ２等、以下同じ）層３−１を０．１μｍ、その上にＡｕ層４を０．０４μｍ程スパッタリング等で形成する。

工程（Ｄ）は、Ａｕ層４の上にネガタイプフィルム型のレジスト５を貼付する工程である。

工程（Ｅ）は、配線部位置に相当する部分以外に対して露光し、露光部分以外、すなわち回路パターン位置に相当する部分のネガタイプフィルム型レジスト５を除去し、ネガタイプフィルム型レジスト５に孔部５ａを作成する工程である。フィルム型は一定の厚さが確保でき、厚メッキに耐えるので好ましい。ネガタイプフィルム型のレジスト５は例えば東京応化工業製のＨＲ１３０を使用する。

工程（Ｆ）は、回路パターン作成でネガタイプフィルム型レジストが除去されたＡｕ層４の上にＮｉ層６−１を１．５μｍ、Ｃｕ層７を７μｍ、Ｎｉ層６−２を１．５μｍ、Ａｕ層８を０．８μｍの厚さで電解メッキにより形成する工程である。

工程（Ｇ）は全面に保護膜としてＴｉ系合金層３−２をスパッタリングで形成する工程である。

工程（Ｈ）は、ネガタイプフィルム型のレジスト５を除去する工程である。レジスト剥離液としては、例えば、アセトン又はＮＭＰを使用する。ネガタイプフィルム型のレジスト５を除去することにより、ネガタイプフィルム型のレジスト５上に形成されているＴｉ系合金層３−２も除去される。

工程（Ｉ）は、Ｔｉ系合金層３−２をマスクとしてシードメタルであるＡｕ層４をエッチングで除去する工程である。

工程（Ｊ）は、シードメタルであるＴｉ系合金層３−１と保護膜であるＴｉ系合金層３−２を同時にエッチングで除去する工程である。

以上により、金属基板１の表面に絶縁層２が形成された絶縁層付金属基板上にＴｉ合金層３−１／Ａｕ層４／Ｎｉ層６−１／Ｃｕ層７／Ｎｉ層６−２／Ａｕ層８が積層された電極パターンが形成された回路基板が完成する。

本実施例の回路基板製造方法によれば、シードメタルと保護膜にＴｉ系合金を用いたので最終工程で同時に除去できる。また、シードメタルの表面層にＡｕ層を用いたので、スパッタリングから次のＮｉメッキまでの間で酸化する可能性が少ないので取り扱いが容易になる。

図２は、本発明による回路基板の製造方法における第２実施例の主要な工程（Ａ）〜（Ｊ）を示す断面図であり、実施例１の工程（Ｆ）のＡｕ層８の上にＡｇ層（またはＡｇ合金層、以下同じ）９を追加した例である。実施例１と同じ物には同じ符号を付してある。工程（Ａ）〜工程（Ｅ）は実施例１と同様であり、工程（Ｇ）〜工程（Ｊ）はＡｕ層８の上にＡｇ層９が付加された状態で実施例１と同じ工程をたどる。

本実施例の製造方法により製造された回路基板は、回路パターンの表面に光反射率の高いＡｇ層を形成しているので、実装部品がＬＥＤのような発光素子の光利用効率を高めるのに適した回路基板となる。

図３は、本発明による回路基板の製造方法における第３実施例の主要な工程（Ａ）〜（Ｉ）を示す断面図である。絶縁性セラミックス基板を使用して回路基板を製造する例である。

工程（Ａ）は、セラミックス基板１’を準備する工程である。セラミックス基板１’の材料は用途・目的により適宜選択されるが、高熱伝導性が要求される場合はＡｌＮ、コストが優先される場合はＡｌ_２Ｏ_３が使用されることが多い。

工程（Ｂ）は絶縁性セラミックス基板１’の上にシードメタル層を形成する工程である。シードメタル層は下地にＴｉ系合金（Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ、ＴｉＯ２）層３−１を０．１μｍ、その上にＡｕ層４を０．０４μｍ程スパッタリング等で形成する。

工程（Ｃ）は、Ａｕ層４の上にネガタイプフィルム型のレジスト５を貼付する工程である。

工程（Ｄ）は、配線部位置に相当する部分以外に対して露光し、露光部分以外、すなわち回路パターン位置に相当する部分のネガタイプフィルム型レジスト５を除去し、ネガタイプフィルム型レジスト５に孔部５ａを作成する工程である。フィルム型は一定の厚さが確保でき、厚メッキに耐えるので好ましい。ネガタイプフィルム型のレジスト５は例えば東京応化工業製のＨＲ１３０を使用する。

工程（Ｅ）は、回路パターン作成でネガタイプフィルム型レジストが除去されたＡｕ層４の上にＮｉ層６−１を１．５μｍ、Ｃｕ層７を７μｍ、Ｎｉ層６−２を１．５μｍ、Ａｕ層８を０．８μｍの厚さで電解メッキにより形成する工程である。

工程（Ｆ）は全面に保護膜としてＴｉ系合金層３−２をスパッタリングで形成する工程である。

工程（Ｇ）は、ネガタイプフィルム型のレジスト５を除去する工程である。レジスト剥離液としては、例えば、アセトン又はＮＭＰを使用する。ネガタイプフィルム型のレジスト５を除去することにより、ネガタイプフィルム型のレジスト５上に形成されているＴｉ系合金層３−２も除去される。

工程（Ｈ）は、Ｔｉ系合金層３−２をマスクとしてシードメタルであるＡｕ層４をエッチングで除去する工程である。

工程（Ｉ）は、シードメタルであるＴｉ系合金層３−１と保護膜であるＴｉ系合金層３−２を同時にエッチングで除去する工程である。

以上により、セラミックス基板１’の表面にＴｉ合金層３−１／Ａｕ層４／Ｎｉ層６−１／Ｃｕ層７／Ｎｉ層６−２／Ａｕ層８が積層されたパターンが形成された回路基板が形成される。

本実施例の回路基板製造方法によれば、シードメタルと保護膜にＴｉ系合金を用いたので最終工程で同時に除去できる。また、シードメタルの表面層にＡｕを用いたので、スパッタリングから次のＮｉメッキまでの間で酸化する可能性が少ないので取り扱いが容易になる。

図４は、本発明による回路基板の製造方法における第４実施例の主要な工程（Ａ）〜（Ｉ）を示す断面図である。実施例３の工程（Ｅ）のＡｕ層８の上にＡｇ層９を追加した例である。工程（Ａ）〜工程（Ｄ）は実施例３と同様であり、工程（Ｅ）〜工程（Ｉ）はＡｕ層８の上にＡｇ（またはＡｇ合金、以下同じ）層９が付加された状態で実施例３と同じ工程をたどる。

図５は実施例２により形成された回路基板にＬＥＤ素子を実装した上面図（Ａ）とそのＸ−Ｘ断面図（Ｂ）である。１は金属基板であり、Ｐはその上に形成されたパターンであり、Ｔｉ合金層／Ａｕ層／ＮＩ層／Ｃｕ層／Ｎｉ層／Ａｕ層の積層膜である。９はＡｇ層であり、３０は積層膜Ｐ上にＡｕ−Ｓｎ半田を介して実装されたＬＥＤ素子である。上面図（Ａ）中の○印は金属基板１の下面に形成された端子電極（不図示）と金属基板の上面に形成された回路パターンを接続するためのスルーホールである。回路基板の大きさは、例えば１．６ｍｍ×０．８ｍｍであり、マザー基板に複数個のパターンを形成してから分割される。

以上、本発明の実施例について説明したが、本発明は実施例に限定されるものではなく、中間層の積層膜については多くの変更が可能である。例えば、実施例１の工程（Ｆ）及び実施例２の工程（Ｅ）の電解めっきによる積層パターンは、Ａｕ層４の上のＮｉ層６−１及びＣｕ層７及びＮｉ層６−２をＡｕ層８のみで置き換える場合もある。

実施例１の工程（Ｆ）及び実施例２の工程（Ｅ）の電解めっきによる積層パターンは、Ｎｉ層６−１の上のＣｕ層７及びＮｉ層６−２をＰｄ層に置き換える場合もある。

実施例１の工程（Ｆ）及び実施例２の工程（Ｅ）の電解めっきによる積層パターンは、パターン形状や基板内配置やめっき材料種等により、電解めっきでなく無電解めっきにて形成する場合もある。

１金属基板
１’ セラミックス基板
２絶縁層
３−１Ｔｉ系合金層
３−２Ｔｉ系合金層
４Ａｕ層
５レジスト
５ａ孔部
６−１Ｎｉ層
６−２Ｎｉ層
７Ｃｕ層
８Ａｕ層
９Ａｇ層
１０回路基板
１１アルミニウム基板
１２アルマイト層
１３Ｃｒ層
１４Ｃｕ層
１５ドライフィルム
１５ａ孔部
１６メッキ銅層
１７メッキＮｉ層
１８メッキＡｕ層
２１配線部
２２金属層
２３導電層

Claims

少なくとも、
絶縁性セラミックス基板上にシードメタルとしてＴｉ系合金薄膜とＡｕ薄膜をスパッタリングにより積層する工程と、
前記Ａｕ薄膜上にフィルム状ネガティブ型レジスト膜を形成する工程と、
前記フィルム状ネガティブ型レジスト膜にフォトリソグラフにより回路パターンを形成する工程と、
該回路パターンのシードメタル上に電解メッキによりＮｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ膜やＮｉ／Ａｕ膜を形成する工程と、
Ａｕ膜上に保護膜としてＴｉ系合金薄膜を形成する工程と、
前記回路パターン以外のフィルム状ネガティブ型レジスト膜を除去する工程と、
前記回路パターン以外のシードメタルのＡｕ薄膜をエッチングで除去する工程と、
シードメタルのＴｉ系合金薄膜と保護膜のＴｉ系合金薄膜を同時にエッチングで除去する工程と
を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。
少なくとも、
絶縁性セラミックス基板上にシードメタルとしてＴｉ系合金薄膜とＡｕ薄膜をスパッタリングにより積層する工程と、
前記Ａｕ薄膜上にフィルム状ネガティブ型レジスト膜を形成する工程と、
前記フィルム状ネガティブ型レジスト膜にフォトリソグラフにより回路パターンを形成する工程と、
該回路パターンのシードメタル上に電解メッキによりＮｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ／Ａｇ（またはＡｇ合金）膜やＮｉ／Ａｕを形成する工程と、
Ａｇ（またはＡｇ合金）膜上に保護膜としてＴｉ系合金薄膜を形成する工程と、
前記回路パターン以外のフィルム状ネガティブ型レジスト膜を除去する工程と、
前記回路パターン以外のシードメタルのＡｕ薄膜を保護膜をマスクとしてエッチングで除去する工程と、
シードメタルのＴｉ系合金薄膜と保護膜のＴｉ系合金薄膜を同時にエッチングで除去する工程と
を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。
少なくとも、
金属基板表面やシリコン基板表面に蒸着により絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜上にシードメタルとしてＴｉ系合金薄膜とＡｕ薄膜をスパッタリングにより積層する工程と、
前記Ａｕ薄膜上にフィルム状ネガティブ型レジスト膜を形成する工程と、
前記フィルム状ネガティブ型レジスト膜にフォトリソグラフにより回路パターンを形成する工程と、
該回路パターンのシードメタル上に電解メッキによりＮｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ膜やＮｉ／Ａｕ膜を形成する工程と、
Ａｕ膜上に保護膜としてＴｉ系合金薄膜を形成する工程と、
前記回路パターン以外のフィルム状ネガティブ型レジスト膜を除去する工程と、
前記回路パターン以外のシードメタルのＡｕ薄膜をエッチングで除去する工程と、
シードメタルのＴｉ系合金薄膜と保護膜のＴｉ系合金薄膜を同時にエッチングで除去する工程と
を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。
少なくとも、
金属基板表面やシリコン基板に蒸着により絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜上にシードメタルとしてＴｉ系合金薄膜とＡｕ薄膜をスパッタリングにより積層する工程と、
前記Ａｕ薄膜上にフィルム状ネガティブ型レジスト膜を形成する工程と、
前記フィルム状ネガティブ型レジスト膜にフォトリソグラフにより回路パターンを形成する工程と、
該回路パターンのシードメタル上に電解メッキによりＮｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ／Ａｇ（またはＡｇ合金）膜やＮｉ／Ａｕ膜を形成する工程と、
Ａｇ（またはＡｇ合金）膜上に保護膜としてＴｉ系合金薄膜を形成する工程と、
前記回路パターン以外のフィルム状ネガティブ型レジスト膜を除去する工程と、
前記回路パターン以外のシードメタルのＡｕ薄膜を保護膜をマスクとしてエッチングで除去する工程と、
シードメタルのＴｉ系合金薄膜と保護膜のＴｉ系合金薄膜を同時にエッチングで除去する工程と
を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。
請求項１〜４記載のいずれかの製造方法により製造されたことを特徴とする回路基板。