JP2011090875A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、電子放出源を有するカソード電極と、前記カソード電極と対向する位置に設けられ、前記電子放出源から電界放出された電子により励起されて発光する蛍光体を有するアノード電極と、前記カソード電極と前記アノード電極との間に設けられ、前記電子放出源から放出された電子を通過させる開口部を有するゲート電極と、前記アノード電極の前記蛍光体が形成された面と対向する面に設けられたフレネルレンズと、を備えた発光装置である
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の発光装置の一例を示す概略断面図であり、所定間隔で置かれた透明基板3と基板4によって囲まれた内部に、カソード電極9、電子放出源8、ゲート電極7、蛍光体6、アノード電極5を底面側から投光面側に向かって順に配置している。
また、フレネルレンズ2がアノード電極6側の投光面側に形成されている。
また、シリコン、金属材料、金属酸化物ウィスカー、ナノ炭素材料などであってもよい。
ここで、ナノ炭素材料としては、例えば、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、カーボンナノフィラメント、カーボンナノウォール、カーボンナノコイル、などが挙げられる。
特に、カーボンナノチューブは高密度で垂直配高して製造出来ることが知られており、垂直配高したカーボンナノチューブは電界集中に適した形状および特性を示すことから、電子放出源として用いるのに好ましい。
例えば、金属材料または半金属材料であれば良く、具体的には、銅、銀、タングステン、アルミニウム、ニッケル、モリブデン、鋼、ステンレス、インバー、コバール、シリコン、単結晶シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、酸化インジウムスズ、などであってもよい。
カソード電極を保持する基板上に、カソード電極を薄膜上に形成する場合、(1)導電性材料を蒸着やスパッタ法等によって堆積する、(2)銀ペースト材を塗布して乾燥・焼成する、などの方法により形成してよい。
また、カソード電極自体を基板状に形成してもよい。
カソードマスクは、パターン形成されており、電子放出源において電子を放出させる領域を制御する。
また、カソードマスクは、導電性材料よりなる。
カソードマスクに用いる導電性材料としては、例えば、金属材料または半金属材料であれば良く、具体的には、銅、銀、タングステン、アルミニウム、ニッケル、モリブデン、鋼、ステンレス、インバー、コバール、シリコン、単結晶シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、酸化インジウムスズ、などであってもよい。
また、ゲート電極は、電子を通過させる開口部を有し、導電性材料よりなる。
ゲート電極に用いる導電性材料としては、例えば、金属材料または半金属材料であれば良く、具体的には、銅、銀、タングステン、アルミニウム、ニッケル、モリブデン、鋼、ステンレス、インバー、コバール、シリコン、単結晶シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、酸化インジウムスズ、などであってもよい。
また、ゲート電極の開口部において、開口部を形成する領域は、ゲート電極上において、ゲート電極およびカソード電極に対して垂直な方向から見たとき、少なくともカソード電極上の電子放出源が形成された部分の直上に形成されていればよい。
また、ゲート電極の開口部において、開口部の形状は、円形、矩形、ライン状など適宜設計し、決定してよい。
アノード電極は、透明導電膜であればよい。例えば、透明導電膜として、酸化インジウムスズ、酸化亜鉛、酸化スズ、を用いても良い。
また、アノード電極は、透明基板上に保持されている。例えば、透明基板として、ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボネート、などを用いても良い。
透明基板上にアノード電極を形成する場合、形成方法として、適宜公知の薄膜形成方法を用いることが出来る。例えば、薄膜形成方法として、スパッタ、真空蒸着、レーザーアブレーション、イオンプレーティング、CVD、スプレー法、ディップ法、などを用いても良い。
なお、ここで、「同程度」とは、焦点距離fに対し、透明基板の厚みが焦点距離fの90%以上110%以下程度の範囲にあることをいう。
第1透明基板と第2透明基板とを重ねて透明基板を形成することで、フレネルレンズの保持とアノード電極の保持について、それぞれ個別の基板で保持形成することが出来、製造工程の省力化を計れる。また、第1透明基板と第2透明基板とを重ねて透明基板を形成することにより、透明基板全体の厚みについて好適に調整することが出来、好適に透明基板とアノード電極を重ねた厚みをフレネルレンズの焦点距離fと同程度とすることが出来る。
図2では、第1透明基板31上にフレネルレンズ2が形成され、第2透明基板32上にアノード電極5、蛍光体6が形成されており、第1透明基板31、第2透明基板32、およびアノード電極5を重ねた厚みはフレネルレンズ2の焦点距離fと同程度である。
蛍光体は、発光する波長や用途に応じ、適宜選択してよい。例えば、硫化亜鉛、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化イットリウムなどの微粒子を用いても良い。
蛍光体の形成方法としては、適宜公知の薄膜形成方法を用いることが出来る。例えば、薄膜形成方法として、フォトグラフィ法、沈殿法、電着法、インクジェット法、スクリーン印刷などを用いても良い。
また、蛍光体はパターン形成して塗布されてもよく、該パターンの上面形状は適宜設計してよい。例えば、全面に蛍光体層を形成してもよいし、蛍光体層に任意のパターン(ラインパターン、ドットパターンなど)を形成してもよい。
図3に、単一のレンズよりなるフレネルレンズの一例を示す。
図4に、複数のレンズが配列されたレンズパターンを有するフレネルレンズの一例を示す。図4では、各レンズが格子配列に配列されたものの一例を示す。
ゲート電極を形成した3極構造の電界電子放出型の照明装置では、電界放出された電子はゲート電極の開口部を通過しアノード電極に向かうため、開口部のないゲート電極部分からは電子が放出されない。このため、アノード電極上の蛍光体において、ゲート電極の開口部に対応する電子の衝突する発光部分と、ゲート電極の開口部外に対応する電子の衝突しない非発光部分が存在する。
このため、ゲート電極の開口部の配列と、フレネルレンズのレンズパターンの配列を対応させることで、個別の発光部分に対し好適に各レンズを配置することが出来、光の集光効率を向上させることが出来る。
2……フレネルレンズ
3……透明基材
31……第1透明基材
32……第2透明基材
4……基板
5……アノード電極
6……蛍光体
7……ゲート電極
8……電子放出源
9……カソード電極
Claims (5)
- 電界電子放出型の照明装置において、
電子放出源を有するカソード電極と、
前記カソード電極と対向する位置に設けられ、前記電子放出源から電界放出された電子により励起されて発光する蛍光体を有するアノード電極と、
前記アノード電極の前記蛍光体が形成された面と対向する面に設けられたフレネルレンズと、
を備えたことを特徴とする発光装置。 - 前記フレネルレンズと前記アノード電極との間に透明基板を設け、
前記透明基板は第1透明基板と第2透明基板とを重ねてなり、
前記フレネルレンズは前記第1透明基板上に積層され、
前記アノード電極は前記第2透明基板上に積層されていること
を特徴とする請求項1に記載の発行装置。 - 前記フレネルレンズは単一のレンズより形成されたフレネルレンズであること
を特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の発光装置。 - 前記フレネルレンズは複数のレンズが配列されたレンズパターンを有するフレネルレンズであること
を特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の発光装置。 - 前記カソード電極と前記アノード電極との間に、前記電子放出源から放出された電子を通過させる開口部を有するゲート電極を設け、
前記ゲート電極の開口部の位置と対応するように、前記レンズパターンのレンズは配置されていること
を特徴とする請求項4に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009243317A JP2011090875A (ja) | 2009-10-22 | 2009-10-22 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009243317A JP2011090875A (ja) | 2009-10-22 | 2009-10-22 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011090875A true JP2011090875A (ja) | 2011-05-06 |
Family
ID=44108953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009243317A Pending JP2011090875A (ja) | 2009-10-22 | 2009-10-22 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2011090875A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017503584A (ja) * | 2014-01-13 | 2017-02-02 | トプコン・メディカル・レーザー・システムズ・インコーポレイテッドTopcon Medical Laser Systems, Inc. | イメージング装置用照明光源及び方法 |
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-
2009
- 2009-10-22 JP JP2009243317A patent/JP2011090875A/ja active Pending
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