JP5625113B2 - 電界放出面光源及びその製造方法 - Google Patents
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Description
陽極基板上に1つの金属反射層を蒸着、電気めっき又はスパッタリングにより沈積した直後に、金属反射層上に1つの発光層を塗布又はマグネトロンスパッタリングにより形成するようにすることで、陽極を製造する工程と、
陰極基体上に電子放出体を塗布又は直接生長により形成するようにすることで、陰極を製造する工程と、
まず、形成された陽極を準位操作台に載置するとともに、セパレータを陽極基板の四周に固着した後、陰極をセパレータに固定し、電極を引き出し、陰極が陽極に対して平行であることを確保し、そして、出光パネルをセパレータに押圧固定し、密封し、最後に、密封された電界放出面光源を排気管を介して真空吸引し排気封止するようにすることで、電界放出面光源を組付ける工程。
本実施形態に係る陽極基板には、厚さが4mmであるITOガラスが使用される。陽極基板は、順次にアセトン、アルコール、脱イオン水により15分間超音波洗浄して吹き付け又はベークで乾かした後、ITOガラス上に厚さが2μmである反射アルミニウム層を蒸着により蒸着し、そして反射アルミニウム層表面上に厚さが35μmである白光発光粉層をスクリーン印刷により印刷する。陰極基体には、ニッケル糸が採用される。ニッケル糸が炭素ナノチューブの生長活性剤として直接使用可能であるため、本実施例においては炭素ナノチューブを電子放出体として使用する。ニッケル糸を石英チューブの中央位置に入れ、アルゴンガスの保護下で650℃に温度上昇し、次にアルゴンガスを1h導入し、サンプルに対して表面処理を行い、その後、生長温度に速やかに温度上昇し、アセチレン又はメタンを含む混合ガスを5−20min導入し、最後にアルゴンガスの保護下で室温に温度下降することで、炭素ナノチューブ電子放出体が完成する。陰極が形成された後、上述製造プロセスに応じてデバイスを封止し、その後、それを排気台に取り付け、デバイスのチャンバーに対して真空を10−4Paよりも小さくなるように吸引した後に封止する。
本実施形態に係る陽極基体には、厚さが4mmであるセラミックス板が使用される。セラミックス板は、順次、アセトン、アルコール、脱イオン水により15分間超音波洗浄して吹き付け又はベークで乾かした後、セラミックス板上に厚さが300nmであるクロム電極を沈積し、その後、クロム電極がメッキされたセラミックス板上に厚さが約1μmである反射アルミニウム層を蒸着により蒸着し、反射アルミニウム層表面上に厚さが35μmである白光発光粉層をスクリーン印刷により印刷する。陰極には、酸化銅ナノワイヤが電子放出体として採用され、配合された銅粉スラリーを導電性機能を有するITO層表面に塗布し、大気中において400℃の温度で3h焼結するだけで、陰極基体の外表面に酸化銅ナノワイヤを直接形成することができる。陰極が形成された後、上述製造プロセスに応じてデバイスを封止し、その後、それを排気台に取り付け、デバイスのチャンバーに対して真空を10−4Paよりも小さくなるように吸引した後に封止する。
112 陽極基板
114 金属反射層
116 発光層
118 陽極電極
120 陰極
122 陰極基体
124 電子放出体
130 出光パネル
140 セパレータ
150 真空密閉空間
Claims (9)
- 陽極、陰極、出光パネル及びセパレータを含み、前記陽極及び前記出光パネルが平板状となっており、前記陽極が前記陰極に対して平行に配置される電界放出面光源において、
前記陽極と前記出光パネルとの間に前記セパレータが介在し、前記陽極、前記出光パネル及び前記セパレータが共に真空密閉空間に形成され、前記陰極が前記真空密閉空間内に吊設され、前記陽極は、陽極基板と、前記陽極基板上に位置する金属反射層と、前記金属反射層上に位置する発光層を含み、前記陰極は、間隔をおいて配列された複数の陰極基体と、前記陰極基体表面に位置する電子放出体を含み、前記陽極は前記出力パネルに対して前記陰極を挟んで前記出力パネルの反対側にのみ形成されることを特徴とする電界放出面光源であって、
前記陽極は、前記陽極基板と前記金属反射層との間に設けられた不透明陽極電極をさらに備える、電界放出面光源。 - 前記不透明陽極電極は、Cr、Mo、又は、Al電極であることを特徴とする請求項1に記載の電界放出面光源。
- 陽極、陰極、出光パネル及びセパレータを含み、前記陽極及び前記出光パネルが平板状となっており、前記陽極が前記陰極に対して平行に配置される電界放出面光源において、
前記陽極と前記出光パネルとの間に前記セパレータが介在し、前記陽極、前記出光パネル及び前記セパレータが共に真空密閉空間に形成され、前記陰極が前記真空密閉空間内に吊設され、前記陽極は、陽極基板と、前記陽極基板上に位置する金属反射層と、前記金属反射層上に位置する発光層を含み、前記陰極は、間隔をおいて配列された複数の陰極基体と、前記陰極基体表面に位置する電子放出体を含み、前記陽極は前記出力パネルに対して前記陰極を挟んで前記出力パネルの反対側にのみ形成されることを特徴とする電界放出面光源であって、
前記陽極は、前記陽極基板と前記金属反射層との間、若しくは前記金属反射層と前記発光層との間に設けられた透明陽極電極をさらに備える電界放出面光源。 - 前記透明陽極電極は、酸化インジウムスズ透明電極であることを特徴とする請求項3に記載の電界放出面光源。
- 前記陰極基体は、平行に配置された金属糸又は金属糸からなるメッシュ構造であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電界放出面光源。
- 前記電子放出体は、薄膜形、準一次元形、錐形、若しくは薄膜形、準一次元形、錐形からなる複合形構造であり、前記電子放出体は、金剛石薄膜、炭素ナノチューブ、炭素ナノウォール、酸化銅ナノワイヤ、酸化亜鉛ナノワイヤ、酸化亜鉛ナノ棒、四角形ナノ酸化亜鉛又は酸化鉄ナノワイヤであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の電界放出面光源。
- 前記陽極基板は、ガラス又はセラミックスであり、前記発光層は、蛍光粉、発光薄膜又は発光ガラスであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電界放出面光源。
- 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の電界放出面光源を製造する方法において、
陽極基板上に1つの金属反射層を蒸着、電気めっき又はスパッタリングにより沈積した直後に、金属反射層上に1つの発光層を塗布又はマグネトロンスパッタリングにより形成するようにすることで、陽極を製造する工程と、
陰極基体上に電子放出体を塗布又は直接生長により形成するようにすることで、陰極を製造する工程と、
まず、形成された陽極を準位操作台に載置するとともに、セパレータを陽極基板の四周に固着した後、陰極をセパレータに固定し、電極を引き出し、陰極が陽極に対して平行であることを確保し、そして、出光パネルをセパレータに押圧固定し、密封し、最後に、密封された電界放出面光源を排気管を介して真空吸引し排気封止するようにすることで、電界放出面光源を組付ける工程と、含むことを特徴とする電界放出面光源の製造方法。 - 前記陽極基板上に1つの透明又は不透明陽極電極を、若しくは前記金属反射層上に1つの透明陽極電極をマグネトロンスパッタリング又は蒸着により沈積する工程をさらに備えることを特徴とする請求項8に記載の電界放出面光源の製造方法。
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